TWI454667B - 半導體晶圓量測裝置和方法 - Google Patents

半導體晶圓量測裝置和方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI454667B
TWI454667B TW097138287A TW97138287A TWI454667B TW I454667 B TWI454667 B TW I454667B TW 097138287 A TW097138287 A TW 097138287A TW 97138287 A TW97138287 A TW 97138287A TW I454667 B TWI454667 B TW I454667B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
chamber
measuring
weight
quality
Prior art date
Application number
TW097138287A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200938814A (en
Inventor
Robert John Wilby
Original Assignee
Metryx Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Metryx Ltd filed Critical Metryx Ltd
Publication of TW200938814A publication Critical patent/TW200938814A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI454667B publication Critical patent/TWI454667B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01G—WEIGHING
    • G01G21/00—Details of weighing apparatus
    • G01G21/28—Frames, Housings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01G—WEIGHING
    • G01G9/00—Methods of, or apparatus for, the determination of weight, not provided for in groups G01G1/00 - G01G7/00
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01G—WEIGHING
    • G01G21/00—Details of weighing apparatus
    • G01G21/22—Weigh pans or other weighing receptacles; Weighing platforms
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01G—WEIGHING
    • G01G23/00—Auxiliary devices for weighing apparatus
    • G01G23/01—Testing or calibrating of weighing apparatus
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01G—WEIGHING
    • G01G23/00—Auxiliary devices for weighing apparatus
    • G01G23/14—Devices for determining tare weight or for cancelling out the tare by zeroising, e.g. mechanically operated
    • G01G23/16—Devices for determining tare weight or for cancelling out the tare by zeroising, e.g. mechanically operated electrically or magnetically operated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

半導體晶圓量測裝置和方法
本發明係關於半導體晶圓之量測。
微電子器件乃利用各種技術製造在半導體晶圓上，該等技術例如包含沈積技術(CVD、PECVD、PVD等)及移除技術(如化學蝕刻、CMP等)。以例如藉由清潔、離子植入、微影術等改變半導體的質量之方法，可對半導體如矽晶圓進行進一步處理。此等處理技術通常會改變在半導體晶圓表面處或表面上的質量。表面變化之組態通常對器件功能至關重要，所以基於品質控制之目的，有必要在生產過程中對晶圓進行評估，以便判定其是否具有正確組態。
許多現有的量測技術都已為人熟知。以蝕刻處理而言，其中一種熟知技術係破壞一經處理的晶圓而對其橫截面執行一詳細分析。如果該分析顯示處理已順利完成，那麼就可假定與經測試(破壞)晶圓同時製造之該批晶圓也具有正確的組態。此作法之缺點係該等被破壞的晶圓不能再使用從而浪費掉，且每次要測試一批中的一個晶圓時，製程通常都會中斷(亦即製造停止)。因而無法進行連續性生產。
其他熟知量測技術取決於處理類型或者藉由該處理所產生的材料特性。例如，當晶圓包含介電質時，經處理的晶圓2/6可使用橢圓偏光術予以量測，或者當晶圓上沈積有導電性金屬時，晶圓可使用電阻探針予以測試。
世界專利WO 02/03449揭示了一種用於研究半導體晶圓之裝置與方法，其中判定晶圓質量的改變以評估晶圓之各種特性，如使晶圓的製造可被監控。一種獲得質量量測值之普遍方法係使用一非常靈敏的力感測器以量測由地心引力產生的力(重量)。在中等程度的精確度下，可假定該力係僅由晶圓之質量引起。然而，如果需要更高程度的精確度，便可能需要考慮其他的力。
一此種力(揭示於世界專利WO 02/03449)係藉由大氣浮力而產生。在半導體量測中，一半導體晶圓通常在大氣(亦即非真空)中進行量測。該晶圓因此會挪動此大氣中的一量，其會產生一向上推力。該向上推力取決於大氣(空氣)密度，大氣(空氣)密度又取決於眾多因素，包含溫度、氣壓、相對濕度及空氣組成。該向上推力會減少由力感測器檢測到的該晶圓之表觀重量。
世界專利WO 02/03449揭示了一種用於補償或修正大氣浮力之影響之方法。感測器被提供用於監控溫度、壓力及相對濕度。一處理器從此等感測器接收量測值並用來計算空氣密度，其可在相應的重量量測中用於補償浮力。該處理器可根據計算得到的空氣密度，連同與該晶圓相關之該重量量測值與密度資訊來計算浮力。
本發明試圖發展揭示於世界專利WO 02/03449中之量測技術。發明者發現當在大氣浮力被去除或合適地被補償的條件下對晶圓進行靈敏質量量測時，其他(通常較小)誤差會變得顯而易見。例如，由晶圓周圍的大氣運動(氣流)而產生的壓力影響及由晶圓或周圍材料上的電荷產生的靜電力，都可引發此等誤差。世界專利WO 02/03449中指出，與大氣浮力相比，此等影響較小，且提議藉由在一殼罩(稱重腔室)內進行重量量測來限制其影響。為了在提供一小空間以減少氣流影響與將周圍材料與該晶圓隔開得夠遠以減少靜電力影響之間達到一平衡，該腔室乃依照一特定尺寸製造。但此等為相互矛盾之要求。本發明提出一種解決方法，其能同時減少該兩種影響。
當該晶圓與周圍材料(如，包體壁)之間存在一電壓電位差時，靜電吸引力就會產生。靜電電荷在量上可以上升到數千伏特。在一晶圓上，電荷可能存在於其表面上或本體(基板)內。在後者之情況中，電荷有可能被如氧化矽或氮化矽之絕緣塗層所誘捕。電荷可能藉由許多途徑產生，如早期處理或製造步驟、磨潤、接觸帶電等。電離器件先前已提出作為一種減少靜電的方法。然而，其也有局限性，此乃由於其僅能中和表面電荷且經常具有不均衡的陽離子與陰離子流，使得其留下剩餘電荷。
就最普遍的來說，本發明提議對一晶圓執行大氣浮力補償稱重，其中該晶圓係在一大體上直立的條件下進行稱重。
半導體晶圓通常係一薄圓盤(如直徑200或300mm及1mm厚)。這意味著任一靜電力之大部分會垂直作用於該晶圓之平面，如一腔室壁與一晶圓之間的靜電力可與一平行板電容器之板片之間的力進行比較。藉由將該晶圓之定向從水平變為垂直或近乎垂直，可減少在力(重量)感測器方向上的表面積。因此，作用在與晶圓之重力分量相同的方向上之靜電分量會減少。
習知的半導體晶圓之製造、處理與量測技術通常在一水平定向對晶圓進行輸送、操作與處理。熟知的晶圓稱重方法包括將該晶圓水平放置到一精確力感測器之稱重臺上。改變該晶圓之定向係一特殊且根本的步驟。
因此，可提供一種用於量測一半導體晶圓之質量之方法，該方法包含將該晶圓放置在一在一腔室內之稱重儀器上，且藉由量測該晶圓之重量及補償藉由該腔室內之大氣施加於該晶圓上之浮力來判定該晶圓之質量，其中當量測該晶圓之重量時，該晶圓之平面係大體上直立。
由於該靜電力能藉由有效地重定向其力分量的方向(而非減小此等力分量的大小)而被減小，因此可將該腔室形成一較小的晶圓圍封室。該腔室內的氣流之影響也會因此而減小。
此外，一直立晶圓在其重力方向上對於該稱重儀器呈現較小的橫截面。由於例如誤差力的大小與其上受氣流作用之晶圓的面積成正比，因此這意味著在該方向上的氣流分量對於重量測量值的影響可減小。
該方法可包含減小上述靜電力(如，利用電離器(ioniser))之大小的方法。
使用揭示於世界專利WO 02/03449之任意方法可達成補償大氣浮力。一重約128g的典型的300mm晶圓可能受到一相當於約45mg之浮力。此力的大小在一相對較短的時間內可能發生10-20%(如4-6mg)的變化。
本發明亦提供用於量測一半導體晶圓之質量之裝置，該裝置具有：一稱重儀器，用於量測該晶圓之重量；一腔室，用於在量測過程中容納該晶圓；監控構件，其配置用於判定藉由腔室內的大氣而施加於該晶圓上之浮力；及一晶圓固持器，其配置用於當量測該晶圓之重量時，以一大體上直立定向支撐該晶圓之平面。
在本文中，大體上直立較佳意味著與垂直線(與地心引力成一直線)所成角度在10°以內，更佳在5°以內。事實上，與完全垂直線成一小的非零角度有利於在重量量測時增進晶圓之穩定性。因此，該晶圓固持器較佳地包含：一基底，用於支撐處於直立定向之該晶圓之下緣；及一直立後支架，用於支撐該晶圓之上部部分，使得該直立定向與完全垂直線成一小的非零角度。該基底具有一唇緣用於防止該晶圓滑動。
較佳地，該監控構件包含一溫度監控器、一壓力監控器及一濕度監控器，該等係配置用於判定腔室內的溫度、壓力及濕度。
該壓力監控器較佳包含一壓力感測器，其在800-1200mbar的絕對範圍內具有一高於0.4%之精確度。溫度靈敏度較佳小於0.02%/℃。響應時間較佳小於200ms。該溫度監控器較佳具有一溫度感測器，其具有一高於0.2℃的精確度及一小於10秒的響應時間。該濕度監控器較佳具有一濕度感測器，其具有一高於2%的精確度及一小於1分鐘的響應時間。
較佳地，在0-80g的範圍內，該稱重儀器的讀數可精確到0.01mg。如為大於200mm的晶圓，該範圍可基於該等晶圓之標稱重量而擴展。該儀器較佳具有一高於0.03mg的可重複性及一小於1/106 /℃之溫度靈敏度偏差。該腔室可包含一加熱器，且該腔室內部較佳保持在一大體上恆溫，如在+/-0.1℃之內。若加熱時，該圍封室則較佳保持在5℃之環境溫度內。
該腔室也可與一藉由一電腦控制之晶圓運輸構件相關，該晶圓傳輸構件係配置用於以可釋放方式運載一晶圓，其可通過一開口從腔室外部移動到腔室內部，以將晶圓放置到晶圓固持器上。
較佳地，該晶圓運輸構件係一機械臂，其可適用於抓夾該晶圓。較佳地，該手臂可圍繞其軸旋轉，以在將晶圓放置到晶圓固持器之前將該晶圓之平面旋轉到直立定向。
以下參考附圖，描述本發明之實施例。
圖1與圖2展示本發明背後之理論。圖1顯示在重量量測過程中一非真空腔室(未顯示)內之半導體晶圓10所受的某些力。由地心引力產生的重力12被大氣浮力14所抵消。在重量量測過程中，該浮力14可予以測出並補償。然而，額外(較小)的靜電力16同樣也大體上平行於重力而作用。當浮力14被補償時，此等靜電力16會在重量量測中引起一明顯誤差。該等靜電力16係由腔室壁與晶圓之間的交互作用所引起。該晶圓之幾何外形意味著此等力顯著垂直於該晶圓10之平面。
圖2展示如果將晶圓10保持在一直立定向，那麼該等靜電力16就會被旋轉偏離重力12之方向，且因此其對重量量測之影響減小。在稱重時，藉由減小該晶圓在垂直(地心引力)方向之所佔面積，可有效減小該影響。
該影響闡釋於圖3(a)、3(b)與3(c)中，其顯示當一晶圓10之平面被旋轉到一直立定向時之該晶圓10之平面圖。如圖3(a)所顯示，一在水平條件下之典型的300mm直徑晶圓之所佔面積約為706.9cm2 。如圖3(b)所顯示，當該晶圓之平面與垂直線成約5°時，該所佔面積減小到約61.5cm2 。如圖3(c)所顯示，當該晶圓完全垂直時可達到最小垂直所佔面積。該最小垂直所佔面積約為2.3cm2 。
該等腔室壁與該晶圓之間的靜電力類似於一平行板電容器之相對金屬板所受到的力。在該情形下，力F可藉由給定，其中ε為隔開金屬板之材料(如，介電質)的相對介電常數，ε0 為自由空間之介電常數，V為金屬板之間的電壓差，d為金屬板之間的間距，及A為每一金屬板之面積。基於此，一直徑為300mm的晶圓，其定位在與接地表面相距10mm處且靜電電荷僅為5V，會受到一大約相當於0.1mg的力。將該晶圓旋轉到一直立定向會移動其力向量的方向，使其與重力向量不在一直線上。
圖4顯示一晶圓稱重裝置，其應用以上原理且係本發明之一實施例。在該裝置中，該晶圓10被支撐在一晶圓固持器20上，如圖4所顯示，其具有一L型橫截面。晶圓固持器20包含一基底22(如，突出平板)，其支承晶圓10之下緣。一直立壁24從該基底22之一端向上延伸到一支架26。該晶圓10可倚靠在該支架26上，使得其平面與垂直方向成一小角度(如，約5°)。一唇緣28被提供於該基底22之另一端以防該晶圓10滑落，亦即保持使其穩定。
該晶圓固持器20被安裝在一連接到一稱重儀器30之直立桿32上，如一賽多利斯(Sartorius)BP2IID或其他適合的精準天平。
該晶圓固持器20與稱重儀器被圍封在腔室34內。該晶圓固持器20位於該腔室34上部部分且該稱重儀器30位於下部部分。經由一熟知方式(如世界專利WO 02/03449)，該兩個部分可被分成數個部分(藉由桿32上之通孔)以減小該晶圓固持器圍封室之體積，且從而減小氣流。該腔室34包括一溫度感測器36、一濕度感測器38及一壓力感測器40。此等感測器被安裝為使其感測元件與該晶圓固持器20一同位於該腔室34上部部分。該壓力感測器40可為一德魯克(Druck)PMP4010AB。該溫度感測器與濕度感測器可結合起來，如作為品科(Pico)RH02。將藉由此等感測器獲得的量測值饋送到一處理單元(未顯示)，如一外部PC或內部微處理器，從而使得空氣密度可被計算，如利用以下公式
其中ρair 為空氣密度，單位為g/cm3 ；P為壓力，單位為mBar；T為溫度，單位為℃，及H為相對濕度，以百分比表示。空氣密度可利用以下等式而用於計算大氣浮力對該晶圓的影響：
其中B為大氣浮力影響，單位為克；Ww 為藉由稱重儀器感測到的晶圓重量(單位為克)；ρair 為計算出的空氣密度，單位為g/cm3 ；ρw 為晶圓密度，單位為g/cm3 ；及ρc 為用於校準該稱重儀器之一校準砝碼的密度(單位為g/cm3 )。
由於該晶圓10係直立保持在腔室34內，該晶圓與該腔室之壁之間的靜電力與該重力大體上不會在同一個方向(垂直方向)上。這可讓該腔室34之上部部分之壁靠近該晶圓10，從而減小了腔室34內的氣流影響，且不會在重量量測中明顯增加由靜電力產生的誤差。
該腔室34包含一門(未顯示)，其位於上部部分之壁上，用於接收處於直立位置之該晶圓10以便放置到固持器20上。
通常，該裝置用於晶圓製造流程中，亦即該晶圓10將從一處理點被轉運到該量測裝置，反之亦然。晶圓在整個製造流程中通常以一水平定向進行輸送。因此，一用於將該晶圓10轉運到量測裝置之機械臂(未顯示)係可圍繞一軸進行旋轉，以改變一所固持晶圓之平面之定向。例如，該機械手臂可圍繞其軸進行旋轉(可扭轉)。其他的組態也有可能。
本發明提出一用於計算一半導體晶圓之質量之量測裝置，使晶圓中因大氣浮力、靜電力與氣流所引起的誤差可予以補償或減小。一量測裝置之處理誤差能力的好壞可通過可重複性與測量值(亦即隨時間推移，同一對象測量值的波動範圍)來假定。就一300mm直徑的半導體晶圓(質量約128g)12/21言之，本發明可產生小於0.1mg的質量可重複性。
10．．．半導體晶圓
12．．．重力
14．．．大氣浮力
16．．．靜電力
20．．．晶圓固持器
22．．．基底
24．．．直立壁
26．．．支架
28．．．唇緣
30．．．稱重儀器
32．．．直立桿
34．．．腔室
36．．．溫度感測器
38．．．濕度感測器
40．．．壓力感測器
圖1係一水平晶圓之受力示意圖；
圖2係一垂直晶圓之受力示意圖；
圖3(a)、3(b)與3(c)顯示一晶圓在不同定向的所佔面積之平面示意圖；及
圖4顯示本發明之一實施例之一稱重裝置。
10．．．半導體晶圓
20．．．晶圓固持器
22．．．基底
24．．．直立壁
26．．．支架
28．．．唇緣
30．．．稱重儀器
32．．．直立桿
34．．．腔室
36．．．溫度感測器
38．．．濕度感測器
40．．．壓力感測器

Claims (12)

  1. 一種量測一半導體晶圓之質量之方法，該方法包含：將該晶圓放置在一位於一腔室內之稱重儀器上；及藉由量測該晶圓之重量及補償藉由腔室內之大氣施加於該晶圓之浮力來判定該晶圓之質量，其中在量測該晶圓之該重量時，該晶圓之該平面係實質上垂直。
  2. 如請求項1之方法，其中補償大氣浮力包括量測或計算空氣密度ρair 、晶圓密度ρw 及一校準密度，以利用以下等式來計算一大氣浮力影響B： 其中Ww 為該晶圓之測定重量，且ρc 為用於校準該稱重儀器之一校準砝碼的密度。
  3. 如請求項2之方法，其包含量測壓力P、溫度T及相對濕度H以計算空氣密度。
  4. 如請求項1至3中任一項之方法，其將該晶圓曝露於電離輻射中，以減少該晶圓表面上之任何靜電電荷之量。
  5. 如請求項1至3中任一項之方法，其包括：在判定該晶圓之質量後，將該晶圓之該平面移動到一實質上水平定向；在該水平定向上處理該晶圓；重複將處於一直立定向之該晶圓放置到一稱重儀器上及判定該晶圓之質量之步驟，以判定由該晶圓處理引起 的晶圓質量變化。
  6. 一種用於量測一半導體晶圓之質量之裝置，該裝置具有：一稱重儀器，用於量測該晶圓之該重量；一腔室，用於在量測過程中容納該晶圓；監控構件，其係配置用於判定由該腔室內的該大氣施加於該晶圓上之該浮力；及一晶圓固持器，其係配置用於當量測該晶圓之重量時，以一實質上直立定向支撐該晶圓平面。
  7. 如請求項6之裝置，其中該晶圓固持器係配置用於支撐該晶圓平面，使其與地心引力方向之一向量所成角度在5°以內。
  8. 如請求項6或7之裝置，其中該晶圓固持器包含：一基底，其用於支撐處於該直立定向之該晶圓之一下緣；及一直立後支架，其用於支撐該晶圓之一上部部分，使得該直立定向與完全垂直線成一小的非零角度。
  9. 如請求項8之裝置，其中該基底具有一直立唇緣以防該晶圓滑動。
  10. 如請求項6至7中任一項之裝置，其中該監控構件包含一溫度監控器、一壓力監控器及一濕度監控器，該等係配置用於判定該腔室內之溫度、壓力與濕度。
  11. 如請求項6至7中任一項之裝置，其包含藉由一電腦進行控制之晶圓運輸構件，該晶圓運輸構件係配置用於以可釋放方式運載一晶圓，且可通過一開口從腔室外部移動到腔室內部，以將該晶圓放置到該晶圓固持器上。
  12. 如請求項11之裝置，其中該晶圓運輸構件包含一臂，其可適用於抓夾該晶圓且圍繞其軸旋轉，以在將該晶圓放置到該晶圓固持器之前，將該晶圓之平面旋轉到該直立定向。
TW097138287A 2007-10-04 2008-10-03 半導體晶圓量測裝置和方法 TWI454667B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB0719460.8A GB0719460D0 (en) 2007-10-04 2007-10-04 Measurement apparatus and method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200938814A TW200938814A (en) 2009-09-16
TWI454667B true TWI454667B (zh) 2014-10-01

Family

ID=38739172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097138287A TWI454667B (zh) 2007-10-04 2008-10-03 半導體晶圓量測裝置和方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8357548B2 (zh)
EP (1) EP2201394B1 (zh)
JP (1) JP5414123B2 (zh)
GB (1) GB0719460D0 (zh)
TW (1) TWI454667B (zh)
WO (1) WO2009044113A2 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0719460D0 (en) * 2007-10-04 2007-11-14 Metryx Ltd Measurement apparatus and method
ITBO20110105A1 (it) * 2011-03-04 2012-09-05 Ima Life Srl Dispositivo per la pesatura di contenitori oblunghi alimentati lungo una linea di convogliamento
GB201315715D0 (en) 2013-09-04 2013-10-16 Metryx Ltd Method and device for determining information relating to the mass of a semiconductor wafer
DE102014101565A1 (de) * 2013-11-08 2015-05-13 Sartorius Lab Instruments Gmbh & Co. Kg Komparatorwaage mit abnehmbarem Klimamodul
GB201405926D0 (en) * 2014-04-02 2014-05-14 Metryx Ltd Semiconductor wafer weighing apparatus and methods
US9478408B2 (en) 2014-06-06 2016-10-25 Lam Research Corporation Systems and methods for removing particles from a substrate processing chamber using RF plasma cycling and purging
US10081869B2 (en) 2014-06-10 2018-09-25 Lam Research Corporation Defect control in RF plasma substrate processing systems using DC bias voltage during movement of substrates
US10047438B2 (en) 2014-06-10 2018-08-14 Lam Research Corporation Defect control and stability of DC bias in RF plasma-based substrate processing systems using molecular reactive purge gas
US10989652B2 (en) 2017-09-06 2021-04-27 Lam Research Corporation Systems and methods for combining optical metrology with mass metrology
US10325796B2 (en) * 2017-10-30 2019-06-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and system for detecting wafer damage
CN108344486B (zh) * 2018-03-29 2019-10-11 深圳市联新移动医疗科技有限公司 充电状态自动校准测量基础的输液检测方法以及装置
DE102018209725A1 (de) * 2018-06-15 2019-12-19 Krones Ag Verfahren und Vorrichtung zur Lastidentifikation eines Transportelements eines Langstator-Linearmotorsystems
CN114136422A (zh) * 2020-09-03 2022-03-04 长鑫存储技术有限公司 称重装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW519709B (en) * 2000-07-05 2003-02-01 Metryx Linited Apparatus and method for investigating semiconductor wafers
US20060213537A1 (en) * 2005-03-23 2006-09-28 Thu Anh To Vertical wafer platform systems and methods for fast wafer cleaning and measurement

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE705715C (de) 1939-07-11 1941-05-07 Erich Sartorius Vorrichtung zum Unschaedlichmachen elektrischer Aufladungen von bei Wiegevorgaengen benutzten Teilen
US3949295A (en) 1974-03-20 1976-04-06 Western Electric Company, Inc. Apparatus for retaining articles in an array for testing
US4291775A (en) * 1979-11-01 1981-09-29 Cem Corporation Method and apparatus for improving weighing accuracy
US4368791A (en) * 1980-10-14 1983-01-18 Jackson James M Postage estimator device
JPS57123892A (en) 1981-01-17 1982-08-02 Toshiba Corp Preparation and apparatus of single crystal
DE3106534A1 (de) 1981-02-21 1982-10-28 Sartorius GmbH, 3400 Göttingen Elektrische waage
DE8104877U1 (de) * 1981-02-21 1982-06-16 Sartorius GmbH, 3400 Göttingen Oberschalige elektronische waage
CH656224A5 (de) 1982-07-29 1986-06-13 Mettler Instrumente Ag Hochaufloesende waage.
JPS61195312A (ja) 1985-02-25 1986-08-29 Shimadzu Corp 電子天びん
DE3526021A1 (de) 1985-07-20 1987-01-29 Hv Hofmann Und Voelkel Ohg Tragbarer ionenerzeuger und verwendung
JPS62103951A (ja) 1985-10-29 1987-05-14 Toshiba Corp イオン注入装置
CH671630A5 (zh) * 1986-12-15 1989-09-15 Mettler Instrumente Ag
CH675159A5 (zh) * 1988-06-21 1990-08-31 Mettler Toledo Ag
JPH03137091A (ja) 1989-10-19 1991-06-11 Hitachi Cable Ltd 半導体単結晶の製造方法
JPH03199008A (ja) 1989-12-28 1991-08-30 Toshiba Ceramics Co Ltd ブレード張上げ装置
US5050694A (en) * 1990-02-26 1991-09-24 Pelouze Scale Co. Adjustable platform stand for a weigh scale
US5307281A (en) * 1991-07-19 1994-04-26 Wollmann Lothar R Device for weighing and automatically calculating postage for a mailing piece
JPH05129405A (ja) 1991-11-05 1993-05-25 Hitachi Ltd 成膜装置
JP2913962B2 (ja) * 1991-11-27 1999-06-28 株式会社島津製作所 板状試料測定用天びん
JP2647585B2 (ja) 1991-11-28 1997-08-27 三菱電機株式会社 自動薄膜計測装置
JP2576338B2 (ja) * 1992-07-31 1997-01-29 株式会社島津製作所 ウエハ自動秤量システム
IT1264247B1 (it) 1993-10-22 1996-09-23 Mg 2 Spa Metodo per la determinazione del peso di prodotti farmaceutici e macchina per la dosatura di prodotti farmaceutici utilizzante
US5625170A (en) 1994-01-18 1997-04-29 Nanometrics Incorporated Precision weighing to monitor the thickness and uniformity of deposited or etched thin film
US5719796A (en) 1995-12-04 1998-02-17 Advanced Micro Devices, Inc. System for monitoring and analyzing manufacturing processes using statistical simulation with single step feedback
DE19744618A1 (de) 1997-10-09 1999-04-22 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung des Materialabtrags einer Halbleiterscheibe
JPH11121594A (ja) * 1997-10-16 1999-04-30 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
EP0932194A1 (en) 1997-12-30 1999-07-28 International Business Machines Corporation Method and system for semiconductor wafer fabrication process real-time in-situ interactive supervision
DE19833767C2 (de) * 1998-07-17 2000-07-27 Francotyp Postalia Gmbh Vorrichtung zum Wiegen von bewegtem Postgut
DE19849399A1 (de) 1998-10-27 2000-05-04 Mettler Toledo Gmbh Windschutz für eine Waage und Waage mit einem Windschutz
US6268570B1 (en) 1999-09-17 2001-07-31 Cem Corporation Method for correcting weight measurement errors during microwave heating
DE20018310U1 (de) * 1999-11-08 2001-03-29 Sartorius Gmbh Analysenwaage zur Wägung von elektrostatisch aufgeladenem Wägegut
JP4486217B2 (ja) 2000-05-01 2010-06-23 浜松ホトニクス株式会社 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法
US6507474B1 (en) * 2000-06-19 2003-01-14 Advanced Micro Devices, Inc. Using localized ionizer to reduce electrostatic charge from wafer and mask
DE20104455U1 (de) * 2001-03-14 2001-05-17 Hoefliger Harro Verpackung Waage zum Verwiegen von Pulver enthaltenden Blisterpackungen
US6759602B2 (en) * 2001-05-08 2004-07-06 Pitney Bowes Inc. Apparatus and method for weighing mailpieces in motion
US6790376B1 (en) 2001-07-23 2004-09-14 Advanced Micro Devices, Inc. Process control based upon weight or mass measurements, and systems for accomplishing same
KR100993749B1 (ko) * 2002-07-17 2010-11-11 데이진 가부시키가이샤 쉽게 대전가능한 피측정물을 칭량하는 방법 및 장치
DE102004007952B3 (de) * 2004-02-18 2005-09-01 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bestimmen der Tiefe von in einem Trägersubstrat ausgebildeten Vertiefungen
US7271352B2 (en) * 2004-08-31 2007-09-18 Rabindran K George System for high-speed automatic weighing of items in a mail stream
EP1813920B1 (de) * 2006-01-27 2009-12-09 Mettler-Toledo AG Verfahren und Vorrichtung zum Betrieb einer Waage
GB0620196D0 (en) * 2006-10-11 2006-11-22 Metryx Ltd Measuring apparatus
GB0719469D0 (en) * 2007-10-04 2007-11-14 Metryx Ltd Measurement apparatus and method
GB0719460D0 (en) * 2007-10-04 2007-11-14 Metryx Ltd Measurement apparatus and method
US9163979B2 (en) * 2008-11-17 2015-10-20 Taylor R Earl Method for using a ribbon scale for adjusting the amount of french fries in a bag in a restaurant
JP5198488B2 (ja) * 2010-01-26 2013-05-15 株式会社エー・アンド・デイ 風防構造を有する秤量装置
JP5448090B2 (ja) * 2010-06-17 2014-03-19 株式会社エー・アンド・デイ 計量室を有する秤量装置
DE102011000011B4 (de) * 2011-01-03 2015-10-22 Sartorius Lab Instruments Gmbh & Co. Kg Waage

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW519709B (en) * 2000-07-05 2003-02-01 Metryx Linited Apparatus and method for investigating semiconductor wafers
US20060213537A1 (en) * 2005-03-23 2006-09-28 Thu Anh To Vertical wafer platform systems and methods for fast wafer cleaning and measurement

Also Published As

Publication number Publication date
US20100285614A1 (en) 2010-11-11
US9228886B2 (en) 2016-01-05
US8357548B2 (en) 2013-01-22
US20130118816A1 (en) 2013-05-16
JP5414123B2 (ja) 2014-02-12
WO2009044113A3 (en) 2009-06-04
WO2009044113A2 (en) 2009-04-09
TW200938814A (en) 2009-09-16
GB0719460D0 (en) 2007-11-14
EP2201394B1 (en) 2013-02-13
JP2010540951A (ja) 2010-12-24
EP2201394A2 (en) 2010-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI454667B (zh) 半導體晶圓量測裝置和方法
TWI424149B (zh) 半導體晶圓量測裝置和方法
US7020577B2 (en) Apparatus and method for investigating semiconductors wafer
US9349624B2 (en) Semiconductor wafer monitoring apparatus and method
TWI783443B (zh) 測量材料電氣特性的系統及方法
EP3042164B1 (en) Method and device for determining information relating to the mass of a semiconductor wafer
JP2017009380A (ja) 流量測定装置、及び処理装置
TW202347555A (zh) 稱重裝置
KR20230131754A (ko) 계량 디바이스
GB2404787A (en) Apparatus and method for investigating semiconductor wafers

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees