TWI450762B - 具有高活性之ｚｓｍ-４８及用以去蠟之方法 - Google Patents

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Description

具有高活性之ZSM－48及用以去蠟之方法
本發明係關於高活性ZSM－48。更特別地，製備具有定義純度之高活性ZSM－48，此ZSM－48沒有非ZSM－48晶種晶體。
對於用以調製成引擎油和其他潤滑用品的高品質原料之需求因為提高的環境考量而提高。原料品質受到原料必須合乎第II類或第III類要求的衝擊。因此，對於製造符合政府和原始設備製造業規定的黏度指數(VI)、黏度、傾倒點和/或揮發性要求有壓力存在。溶劑僅經精煉就能以經濟的方式達到用於較高原料品質的這些提高的要求之能力有限。即使使用添加劑，調合的油仍須要較高原料品質以符合新式引擎的要求。此外，富含烷烴的原油之供應亦受到限制。
已發展出催化性去蠟代替以溶劑為基礎之方法，以製造高品質原料。去蠟觸媒藉兩個不同的機構作用：主要藉異構化反應作用的觸媒及主要藉氫化裂解作用的觸媒。僅非常少數(若有的話)的去蠟觸媒具有僅以單一種機構作用並排除另一機構的能力。氫化裂解去蠟可以相對低品質進料進行。但這些進料基本上須要更嚴格的反應條件以達到目標原料品質且此導致更低的原料產率和緩和藉氫化裂解而形成所不欲物種的進一步加工步驟。
去蠟觸媒主要藉異構化反應而將蠟質分子轉化成支鏈分子。支鏈分子具有所欲之關於VI和傾倒點的性質。ZSM－48是該去蠟觸媒的一個例子。如美國專利案第5,075,269號中所示者，ZSM－48係使用二四級銨化合物作為指向劑而製得。雖然指向劑之選擇的影響較大，指向劑和氧化矽－氧化鋁比二者皆會影響晶體形態。使用二胺或四胺指向劑時，製得長條狀或針狀的晶體。於高氧化矽：氧化鋁比，使用二四級銨指向劑，製得的ZSM－48具有板狀形態。使用美國專利案第5,075,269號或美國專利案第6,923,949號中所述的製備技巧，降低氧化矽：氧化鋁比時，因為形成ZSM－48以外之競爭的晶粒或者ZSM－48含有雜結構沸石晶種，而使得晶體純度的問題升高。
已經知道晶體形態會影響觸媒行為，特別是觸媒活性和安定性。且因為較小的晶體使得一定量的觸媒具有較大的表面積，藉此而有利於較高活性和安定性，所以通常希望具有小晶粒尺寸。
ZSM－48晶體具有高純度及於作為觸媒時具有高活性並具有有利的形態將會非常有利。
 發明總論
一個體系中，本發明係關於沒有非ZSM－48晶種晶體且沒有ZSM－50的高純度ZSM－48組成物。在許多體系中，ZSM－48晶體可為所合成的形式、H－形式或Na形式的晶體。選擇性地，此組成物可含有斜水矽鈉石，或者，較佳地，此組成物不含斜水矽鈉石。另一體系中，ZSM－48組成物沒有其他非ZSM－48晶體。另一體系中，ZSM－48組成物沒有具有纖維形態的晶體。另一體系中，ZSM－48組成物可選擇性地含有針狀晶體。較佳地，此ZSM－48組成物沒有針狀晶體。
另一體系中，本發明提出一種製造所合成之含有六甲銨結構指向劑的ZSM－48晶體之方法，其中，所合成的ZSM－48晶體沒有ZSM－50且沒有非ZSM－48晶種晶體。此方法包括製備氧化矽或矽酸鹽、氧化鋁或鋁酸鹽、六甲銨鹽和鹼金屬鹼之含水混合物。此混合物具有下列莫耳比：氧化矽：氧化鋁由70至110，鹼：氧化矽由0.1至0.3且六甲銨鹽：氧化矽由0.01至0.05。較佳地，鹼：氧化矽比由0.14至0.18。較佳地，六甲銨鹽：氧化矽比由0.015至0.025。所製得的混合物於攪拌時加熱直到時間和溫度足以形成晶體。
另一體系中，提出一種用於烴進料之去蠟之方法。此方法包括使進料與根據本發明之體系的ZSM－48觸媒於催化性去蠟條件下接觸以製造經去蠟的進料。此觸媒包含具有氧化矽：氧化鋁莫耳比由70至110且無非ZSM－48晶種晶體和ZSM－50的ZSM－48晶體。
本發明係關於高純度ZSM－48晶體，特別是沒有非ZSM－48晶種晶體且沒有ZSM－50的形態，及製造ZSM－48組成物之方法。ZSM－48晶體可為仍含有有機模板的"所合成的"晶體，或者晶體可為經煅燒的晶體(如，Na－形式ZSM－48晶體)，或者晶體可以是經煅燒和離子交換的晶體(如，H－形式ZSM－48晶體)。所謂"沒有非ZSM－48晶種晶體"是指用以形成ZSM－48的反應混合物不含有非ZSM－48晶種晶體。取而代之地，根據本發明合成的ZSM－48晶體係以未使用晶種晶體或使用ZSM－48晶種晶體作為晶種的方式合成。所謂"沒有斜水矽鈉石和ZSM－50"是指斜水矽鈉石和ZSM－50(若有的話)的存在量無法以X－射線繞射偵測。類似地，根據本發明之高純度ZSM－48亦不含其他非ZSM－48晶體，其程度使得其他晶體無法被X－射線繞射偵測。此無法偵測之測定係以Bruker D4 Endeavor instrument(Bruker AXS製造，配備Vantec－1高速偵測器)進行。此儀器係使用矽粉標準品(Nist 640B)，其為無應力的材料。於28.44度2 θ處的標準峰的半峰全幅值(fwhm)是0.132。步進尺寸是0.01794度且時間/步進是2.0秒。此2 θ掃描使用Cu標的於35kv和45ma進行。所謂"無纖維狀晶體"和"無針狀晶體"是指纖維和/或針狀晶體(若有的話)的存在量無法以掃描式電子顯微鏡(SEM)偵測。得自SEM的顯微照片可用以辨視具有不同形態的晶體。解析規格(1微米)示於本圖中之顯微照片中。
根據本發明之ZSM－48晶體的X－射線繞射型式(XRD)為ZSM－48所具有者，即，D－間隔和相對強度相當於純ZSM－48。XRD可用以辨視選定的沸石，其亦可用以區分特別的形態。例如，選定沸石的針狀和板狀形式會具有相同的繞射型式。欲區分不同的形態，必須使用具有更高解析度的分析工具。該工具的例子是掃描式電子顯微鏡(SEM)。得自SEM的顯微照片可用以辨視具有不同形態的晶體。
移除結構指向劑之後，此ZSM－48晶體具有特別的形態和根據下列通式之莫耳組成：(n)SiO2 ：Al2 O3 其中n是70至110，以80至100為佳，85至95更佳。另一體系中，n是至少70，或至少80，或至少85。另一體系中，n是110或以下，或100或以下，或95或以下。其他體系中，Si可被Ge所代替且Al可被Ga、B、Fe、Ti、V和Zr所代替。
ZSM－48晶體的合成形式製自具有氧化矽、氧化鋁、鹼和六甲銨鹽指向劑之混合物。一個體系中，混合物中之結構指向劑：氧化矽莫耳比低於0.05，或低於0.025，或低於0.022。另一體系中，混合物中之結構指向劑：氧化矽莫耳比是至少0.01，或至少0.015，或至少0.016。另一體系中，混合物中之結構指向劑：氧化矽莫耳比是由0.015至0.025，以0.016至0.022為佳。另一體系中，ZSM－48晶體的合成形式具有氧化矽：氧化鋁莫耳比為70至110。另一體系中，ZSM－48晶體的合成形式具有氧化矽：氧化鋁莫耳比至少70，或至少80，或至少85。另一體系中，ZSM－48晶體的合成形式具有氧化矽：氧化鋁莫耳比是110或以下，或100或以下，或95或以下。用於ZSM－48晶體的合成形式之任何選定製備，此組成物含有氧化矽、氧化鋁和指向劑。應注意到ZSM－48晶體的合成形式所具有的莫耳比可以與用以製備合成形式之反應混合物中之反應物的莫耳比不同。會因為反應混合物之反應物未100%摻入自反應混合物形成的晶體中而發生此結果。
經煅燒或合成形式的ZSM－48沸石基本上形成晶體尺寸在約0.01至約1微米範圍內之小晶體的聚集體。這些小晶體因導致較大活性，故為所欲者。較小晶體意謂較大的表面積，此使得每單位量的觸媒的活性催化位址數目較多。較佳地，經煅燒或合成形式的ZSM－48晶體所具有的形態不含有任何纖維狀晶體。所謂的纖維狀是指晶體的L/D比>10/1，其中L和D代表晶體的長度和直徑。另一體系中，經煅燒或合成形式的ZSM－48晶體具有低量或不具有針狀晶體。所謂的針狀是指晶體的L/D比<10/1，以小於5/1為佳，介於3/1和5/1之間更佳。SEM指出，根據此處之方法製得的晶體沒有偵測得到的纖維狀或針狀形態晶體。此形態單獨或與低氧化矽：氧化鋁比合併，使得觸媒具有高活性和所欲的環境特性。
ZSM－48組成物製自包含氧化矽或矽酸鹽、氧化鋁或可溶性鋁酸鹽、鹼和指向劑之含水混合物。欲達到所欲的晶體形態，反應混合物中之反應物具有下列莫耳比：SiO2 ：Al2 O3 ＝70至110 H2 O：SiO2 ＝1至500 OH－ ：SiO2 ＝0.1至0.3 OH－ ：SiO2 (較佳)＝0.14至0.18模板：SiO2 ＝0.01－0.05模板：SiO2 (較佳)＝0.015至0.025
前述比例中，鹼：氧化矽比和結構指向劑：氧化矽比各有兩個範圍。這些比例的較寬範圍包括將形成ZSM－48晶體和一些量的斜水矽鈉石和/或針狀形成之混合物。在斜水矽鈉石和/或針狀形態非所欲者的情況中，應使用較佳範圍，此將於實例中進一步說明。
氧化矽來源以沉澱氧化矽為佳，其為Degussa的市售品。其他的氧化矽來源包括粉狀氧化矽(包括沉澱氧化矽，如，Zeosil)和矽膠、矽酸、膠態氧化矽(如，Ludox)或溶解的氧化矽。於鹼存在時，這些其他的氧化矽來源會形成矽酸鹽。氧化鋁可為可溶鹽形式，以鈉鹽為佳且可為US Aluminate的市售品。其他適當的鋁來源包括其他鋁鹽(如，氯化物)鋁醇化物或水合的氧化鋁(如，γ－氧化鋁)、擬一水軟鋁石和膠態氧化鋁。此用以溶解金屬氧化物的鹼可以是任何鹼金屬氫氧化物，以氫氧化鈉或鉀、氫氧化銨、二四級氫氧化物和其類似物為佳。指向劑是六甲銨鹽，如，二氯六甲銨或氫氧化六甲銨。陰離子(氯化物以外)可為其他陰離子，如，氫氧化物、硝酸根、硫酸根、其他鹵化物和其類似物。二氯六甲銨是N,N,N,N',N',N'－六甲基－1,6－己烷二氯二銨。
ZSM－48晶體之合成中，包括矽酸鹽、鋁酸鹽、鹼和指向劑之反應物與水以前述比例混合並於攪拌時於100至250℃加熱。晶體可由反應物形成，或者，可以在反應混合物中添加ZSM－48晶種晶體。可添加以ZSM－48晶種晶體增進晶體形成速率但未影響晶體形態。此製備沒有其他非ZSM－48類型的晶種晶體，如，沸石β。此ZSM－48晶體經純化(通常藉過濾)並以去離子水清洗。
一個體系中，自根據本發明之合成得到的晶體之組成沒有非ZSM－48晶種晶體且沒有ZSM－50。較佳地，此ZSM－48晶體的斜水矽鈉石含量低。一個體系中，斜水矽鈉石的量可為5%或以下，或2%或以下，或1%或以下。另一體系中，ZSM－48晶體不含斜水矽鈉石。
一個體系中，自根據本發明之合成得到的晶體之形態不具有纖維狀形態。纖維狀形態非所欲者，此因此晶體形態會抑制ZSM－48的催化性去蠟活性之故。另一體系中，自根據本發明之合成得到的晶體形態所具有的針狀形態之百分比低。存在於ZSM－48晶體中之針狀形態的量可為10%或以下，或5%或以下，或1%或以下。另一體系中，ZSM－48晶體沒有針狀形態。用於一些咸信針狀晶體會降低ZSM－48於一些類型的反應中之活性的應用中，低量的針狀晶體為較佳者。欲得到高純度的所欲形態，根據本發明之體系，必須施用反應混合物中之氧化矽：氧化鋁、鹼：氧化矽和指向劑：氧化矽比例。此外，如果希望組成物不含斜水矽鈉石和/或不含針狀形態，則必須使用較佳範圍。
根據美國專利案第6,923,949號，雜結構的非ZSM－48晶種用以製備氧化矽：氧化鋁比低於150：1的ZSM－48晶體。根據US6,923,949，氧化矽：氧化鋁比降至50：1或以下之純ZSM－48之製備取決於雜結構晶種(如，沸石β晶種)之使用。
如果沒有使用雜相晶種晶體，以更低的氧化矽：氧化鋁比合成ZSM－48時，ZSM－50雜質之形成更為顯著。指向劑：氧化矽的比值大於約0.025基本上會製造出含有針狀晶體的混合相聚集體。較佳地，指向劑：氧化矽比約0.022或以下。指向劑：氧化矽比低於約0.015，開始製得含有斜水矽鈉石的產物。斜水矽鈉石是一種非晶狀的成層矽酸鹽且為天然黏土形式。其不具有沸石類型活性。反之，當進料暴於ZSM－48時，其於反應條件存在下，呈現相當惰性。因此，一些應用中，可以容忍ZSM－48樣品中有斜水矽鈉石存在，斜水矽鈉石之存在將會降低ZSM－48的總活性。就形成的晶體之形態和形成的晶體之純度而言，氫氧化物：氧化矽(或其他鹼：氧化矽)比和氧化矽：氧化鋁比有其重要性。氧化矽：氧化鋁比對於觸媒活性亦有重要性。鹼：氧化矽比是影響斜水矽鈉石形成的一個因素。使用六甲銨指向劑係製造不含有纖維狀材料之產物的因素之一。針狀形態之形成與氧化矽：氧化鋁比和指向劑：氧化矽比有關。
合成的ZSM－48晶體在使用或進一步處理之前必須至少部分乾燥。乾燥可藉由在100至400℃(以100至250℃為佳)加熱而達成。壓力可為大氣壓或次大氣壓。如果乾燥於部分真空條件下進行，則溫度可低於在大氣壓下之溫度。
基本上，觸媒在使用之前與黏合劑或基質材料結合。黏合劑耐得住所欲使用溫度且耐磨損。黏合劑可為具催化活性者且包括其他沸石、其他無機材料(如，黏土)和金屬氧化物(如，氧化鋁、氧化矽和氧化矽－氧化鋁)。黏土可為高嶺土、膨潤土和蒙脫土且可購自市面。它們可以與其他材料(如，矽酸鹽)摻合。除了氧化矽－氧化鋁以外的其他多孔基質材料包括其他二元材料(如，氧化矽－氧化鎂、氧化矽－氧化釷、氧化矽－氧化鋯、氧化矽－氧化鈹和氧化矽－氧化鈦)和三元材料(如，氧化矽－氧化鋁－氧化鎂、氧化矽－氧化鋁－氧化釷和氧化矽－氧化鋁－氧化鋯)。基質可為共凝膠形式。以結合的ZSM－48和黏合劑(餘者)計，結合的ZSM－48可含10至100重量%ZSM－48。
ZSM－48晶體作為觸媒的一部分，其亦可與金屬氫化反應組份併用。金屬氫化反應組份可源自以IUPAC系統為基礎之具有第1－18族的週期表的第6－12族，以第6和8－10族為佳。該金屬的例子包括Ni、Mo、Co、W、Mn、Cu、Zn、Ru、Pt或Pd，以Pt或Pd為佳。也可以使用氫化反應金屬之混合物，如，Co/Mo、Ni/Mo、Ni/W和Pt/Pd，以Pt/Pd為佳。氫化反應金屬的量可以是以觸媒計之0.1至5重量%。將金屬載於ZSM－48晶體上的方法已為習知且包括，如，ZSM－48觸媒以氫化反應組份的金屬鹽浸潤及加熱。含有氫化反應金屬的ZSM－48觸媒亦可於使用之前經硫化。此觸媒亦可於使用之前被通以水蒸汽。
ZSM－48觸媒可作為烴進料的去蠟觸媒。較佳進料是潤滑油進料。該進料是含蠟的進料，其於潤滑油範圍沸騰，基本上具有10%蒸餾點高於650℉(343℃)，此係藉ASTM D 86或ASTM D2887測定，且衍生自礦物或合成來源。此進料可衍生自數種來源，如，衍生自溶劑精煉法的油(如，萃剩物)、部分溶劑去蠟油、去瀝青油、餾出物、真空氣油、煉焦器氣油、碎煤蠟、油腳油和其類似物，及Fischer－Tropsch蠟。較佳進料是碎煤蠟和Fischer－Tropsch蠟。碎煤蠟基本上藉溶劑或丙烷去蠟而衍生自烴進料。碎煤蠟含有一些殘油且基本上已經去油。油腳油衍生自經去油的碎煤蠟。Fischer－Tropsch蠟係藉Fischer－Tropsch合成法製得。
進料可以具有高含量的氮和硫污染物。含有以進料計為至高0.2重量%氮和至高3.0重量%硫的進料可於本方法中處理。硫和氮含量可分別藉標準ASTM法D5453和D4629測定。
此進料可於去蠟之前經氫化處理。用於氫化處理，觸媒是那些有效用於氫化處理者，如，含有第6族金屬(以具有第1至18族的IUPAC週期表為基礎)、第8－10族金屬和其混合物的觸媒。較佳金屬包括鎳、鎢、鉬、鈷和它們的混合物。這些金屬或金屬之混合物基本上以氧化物或硫化物存在於耐火金屬氧化物載體上。金屬之混合物可以整體金屬觸媒存在，其中，以觸媒計，金屬量是30重量%或以上。適當的金屬氧化物載體包括氧化物，如，氧化矽、氧化鋁、氧化矽－氧化鋁或氧化鈦，以氧化鋁為佳。較佳的氧化鋁是多孔氧化鋁，如γ或η。以觸媒計，金屬量(個別或混合物)由約0.5至35重量%。以第9－10族金屬與第6族金屬之較佳混合物為例，以觸媒計，第9－10族金屬的存在量是0.5至5重量%，而第6族金屬存在量是5至30重量%。可藉由ASTM指定之用於個別金屬的方法測定金屬量，此包括原子吸收光譜或誘發偶合的電漿－原子發散光譜。
氫化處理條件包括溫度至高426℃，以150至400℃為佳，200至350℃較佳，氫分壓由1480至20786kPa(200至3000psig)，以2859至13891kPa(400至2000psig)為佳，空間速度由0.1至10小時－1 ，以0.1至5小時－1 為佳，及氫與進料比由89至1789立方米/立方米(500至10000scf/B)，以178至890立方米/立方米為佳。
去蠟條件包括溫度至高426℃，以250至400℃為佳，275至350℃較佳，壓力由791至20786kPa(100至3000psig)，以1480至17339kPa(200至2500psig)為佳，液體每小時空間速度由0.1至10小時－1 ，以0.1至5小時－1 為佳，及氫處理氣體速率由45至1780立方米/立方米(250至10000scf/B)，以89至890立方米/立方米為佳(500至5000scf/B)。
經去蠟的原料可經氫化修飾。希望對源自去蠟的產物進行氫化修飾，以將產物品質調整至所欲規格。氫化修飾係針對使潤滑範圍的烯烴和殘留的芳族物飽和及移除任何殘留的雜原子和有色物之溫和的氫化處理形式。後去蠟氫化修飾通常與去蠟步驟串聯進行。通常，氫化修飾於約150℃至350℃進行，以180℃至250℃為佳。總壓基本上由2859至20786kPa(約400至3000psig)。液體每小時空間速度基本上由0.1至5小時－1 ，以0.5至3小時－1 為佳，且氫處理氣體速率由44.5至1780立方米/立方米(250至10,000scf/B)。
氫化修飾觸媒是那些含有第6族金屬(以具有第1至18族的IUPAC週期表為基礎)、第8－10族金屬和其混合物的觸媒。較佳金屬包括至少一種具有強烈氫化作用的貴金屬，特別是鉑、鈀和其混合物。金屬之混合物可以整體金屬觸媒存在，其中，以觸媒計，金屬量是30重量%或以上。適當的金屬氧化物載體包括低酸性氧化物，如，氧化矽、氧化鋁、氧化矽－氧化鋁或氧化鈦，以氧化鋁為佳。用於芳族物飽和作用之較佳的氫化修飾觸媒將包含具有相當強烈氫化作用的金屬載於多孔載體上。典型的載體材料包括非晶狀或晶狀氧化物材料，如，氧化鋁、氧化矽和氧化矽－氧化鋁。就非貴金屬而言，觸媒的金屬含量通常高至約20重量%。貴金屬的存在量通常不高於約1重量%。較佳的氫化修飾觸媒是屬於觸媒的M41S類型或族群的中孔材料。觸媒的M41S族群是具有高氧化矽含量的中孔材料，其製備進一步述於J.Amer.Chem.Soc.,1992,114,10834。例子包括MCM－41、MCM－48和MCM－50。中孔係指觸媒的孔尺寸由15至100埃。此類的較佳者是MCM－41，其製備述於美國專利案第5,098,684號。MCM－41是一種具有六角排列之尺寸均勻的孔的無機、多孔、非層相。MCM－41的物理結構類似於一束麥桿，其中吸管的開口(孔的巢室直徑)由15至100埃。MCM－48具有立方形對稱且述於，如，美國專利案第5,198,203號，而MCM－50具有層狀結構。MCM－41可具有在中孔範圍內之不同尺寸的孔開口。此中孔材料可帶有金屬氫化反應組份，其為第8、9或10族金屬中之至少一者。較佳者是貴金屬，特別是第10族貴金屬，Pt、Pd或它們的混合物最佳。
根據本發明製得之ZSM－48晶體的氧化矽：氧化鋁比相當低。此較低的氧化矽：氧化鋁比意謂本觸媒更具酸性。不管此提高的酸性，其具有優良的活性和選擇性及極佳的產率。就晶體形式的健康效果觀之，它們亦具有環境優勢，且其小晶體尺寸亦有利於觸媒活性。
除了前述體系以外，另一體系中，本發明係關於氧化矽：氧化鋁比由70至110的高純度ZSM－48組成物，此ZSM－48沒有非ZSM－48晶種晶體和纖維狀晶體。較佳地，ZSM－48晶體亦具有低含量或無針狀晶體。另一體系係關於ZSM－48晶體，其為包含氧化矽：氧化鋁莫耳比由70至110之ZSM－48之所合成的形式，其由含有六甲銨指向劑的反應混合物(六甲銨：氧化矽莫耳比由0.01至0.05，以0.015至0.025為佳)形成。此體系中，所合成的ZSM－48晶體沒有非ZSM－48晶種晶體和纖維狀晶體。較佳地，ZSM－48晶體的針狀晶體含量低或者不含針狀晶體。
另一體系中，所合成的ZSM－48晶體經煅燒，藉此移除六甲銨結構指向劑，以形成高純度Na形式的ZSM－48。此Na形式的ZSM－48亦可經離子交換而形成H形式的ZSM－48。另一體系中，所合成形式的ZSM－48晶體或經煅燒的ZSM－48晶體(Na形式或H形式)與至少一種黏合劑和氫化反應金屬合併。
另一體系中，本發明係關於製造ZSM－48晶體的方法，其包含製備氧化矽或矽酸鹽、氧化鋁或鋁酸鹽、六甲銨鹽和鹼金屬鹼之含水混合物，其中混合物具有下列莫耳比：氧化矽：氧化鋁由70至110，鹼：氧化矽由0.1至0.3(0.14至0.18較佳)且六甲銨鹽：氧化矽由0.01至0.05(0.015至0.025較佳)；和於攪拌時，加熱此混合物直到時間和溫度足以形成晶體。選擇性地，可將ZSM－48晶種晶體加至反應混合物中。前述程序得到所合成的ZSM－48晶體，其含有六甲銨結構指向劑。
以下列實例進一步說明本發明。
實例1
自1200克水、40克六甲銨氯(56%溶液)、228克Ultrasil PM(得自Degussa)、12克鋁酸鈉溶液(45%)和40克50%氫氧化鈉溶液製得混合物。此混合物具有下列莫耳組成：SiO2 /Al2 O3 ＝106 H2 O/SiO2 ＝20.15 OH－ /SiO2 ＝0.17 Na＋ /SiO2 ＝0.17 模板/SiO2 ＝0.023
此混合物於320℉(160℃)於2升壓熱器(於250RPM攪拌)中反應48小時。嫻於此技術者瞭解壓熱器尺寸和攪拌機構類型會製造出所欲的其他攪拌速率和時間之類的關係。產物經過濾，以去離子(DI)水清洗並於250℉(120℃)乾燥。所合成的材料之XRD型式顯示典型純相的ZSM－48位相。所合成的材料之SEM顯示此材料由具有混合形態之晶體(針狀或不規則形狀的晶體)的聚集體所構成。所得ZSM－48晶體具有的SiO2 /Al2 O3 莫耳比約100/1。圖1是ZSM－48晶體的顯微照片。此模板：氧化矽比為0.023的比較例顯示有一些針狀晶體存在。
實例2
自水、六甲銨氯(56%溶液)、Ultrasil PM、鋁酸鈉溶液(45%)和50%氫氧化鈉溶液製得混合物。所製得的混合物具有下列莫耳組成：SiO2 /Al2 O3 ＝106 H2 O/SiO2 ＝20.15 OH－ /SiO2 ＝0.17 Na＋ /SiO2 ＝0.17 模板/SiO2 ＝0.018
此混合物於320℉(160℃)於壓熱器(於250RPM攪拌)中反應48小時。產物經過濾，以去離子(DI)水清洗並於250℉(120℃)乾燥。所合成的材料之XRD型式顯示典型純相的ZSM－48位相。所合成的材料之SEM顯示此材料由小且形狀不規則的晶體(平均晶體尺寸約0.05微米)的聚集體所構成。所得ZSM－48晶體具有的SiO2 /Al2 O3 莫耳比約94/1。圖2是所得ZSM－晶體的顯微照片。圖2顯示根據本發明之ZSM－48沒有針狀晶體存在。
實例3
自水、六甲銨氯(56%溶液)、Ultrasil Modified、鋁酸鈉溶液(45%)、50%氫氧化鈉溶液和5重量%(相對於氧化矽進料)ZSM－48晶種晶體製得混合物。此混合物具有下列莫耳組成：SiO2 /Al2 O3 ＝103 H2 O/SiO2 ＝14.8 OH－ /SiO2 ＝0.17 Na＋ /SiO2 ＝0.17 模板/SiO2 ＝0.029
此混合物於320℉(160℃)於壓熱器(於250RPM攪拌)中反應48小時。產物經過濾，以去離子(DI)水清洗並於250℉(120℃)乾燥。所合成的材料之XRD型式顯示典型純相的ZSM－48位相。所合成的材料之SEM顯示此材料由加長(針狀)晶體(平均晶體尺寸<1微米)的聚集體所構成。所得ZSM－48晶體具有的SiO2 /Al2 O3 莫耳比約95/1。圖3是所得ZSM－晶體的顯微照片。此比較例顯示自模板：氧化矽比為0.029的反應混合物合成ZSM－48時，會有針狀晶體存在。
實例4
自水、六甲銨氯(56%溶液)、Ultrasil Modified、鋁酸鈉溶液(45%)、50%氫氧化鈉溶液和5重量%(相對於氧化矽進料)ZSM－48晶種晶體製得混合物。此混合物具有下列莫耳組成：SiO2 /Al2 O3 ＝103 H2 O/SiO2 ＝14.7 OH－ /SiO2 ＝0.17 Na＋ /SiO2 ＝0.17 模板/SiO2 ＝0.019
此混合物於320℉(160℃)於壓熱器(於250RPM攪拌)中反應24小時。產物經過濾，以去離子(DI)水清洗並於250℉(120℃)乾燥。所合成的材料之XRD型式顯示典型純相的ZSM－48位相。所合成的材料之SEM顯示此材料由小且形狀不規則的晶體(平均晶體尺寸約0.05微米)的聚集體所構成。所得ZSM－48晶體具有的SiO2 /Al2 O3 莫耳比約89。圖4是所得ZSM－48晶體的顯微照片。此根據本發明之ZSM－48晶體的例子沒有針狀晶體存在。
實例5
自水、六甲銨氯(56%溶液)、Ultrasil Modified、鋁酸鈉溶液(45%)、50%氫氧化鈉溶液和3.5重量%(相對於氧化矽進料)ZSM－48晶種晶體製得混合物。此混合物具有下列莫耳組成：SiO2 /Al2 O3 ＝103 H2 O/SiO2 ＝14.6 OH－ /SiO2 ＝0.17 Na＋ /SiO2 ＝0.17 模板/SiO2 ＝0.015
此混合物於320℉(160℃)於壓熱器(於250RPM攪拌)中反應48小時。產物經過濾，以去離子(DI)水清洗並於250℉(120℃)乾燥。所合成的材料之XRD型式顯示ZSM－48和微量斜水矽鈉石雜質之混合物。
實例6
自水、六甲銨氯(56%溶液)、Ultrasil Modified、鋁酸鈉溶液(45%)、50%氫氧化鈉溶液和3.5重量%(相對於氧化矽進料)ZSM－48晶種晶體製得混合物。此混合物具有下列莫耳組成：SiO2 /Al2 O3 ＝102.4 H2 O/SiO2 ＝14.8 OH－ /SiO2 ＝0.20 Na＋ /SiO2 ＝0.20 模板/SiO2 ＝0.019
此混合物於320℉(160℃)於壓熱器(於250RPM攪拌)中反應48小時。產物經過濾，以去離子(DI)水清洗並於250℉(120℃)乾燥。自鹼：氧化矽比為0.20的反應混合物合成之所合成的材料之XRD型式顯示ZSM－48和微量斜水矽鈉石雜質之混合物。
實例7
自水、六甲銨氯(56%溶液)、Ultrasil PM、鋁酸鈉溶液(45%)、50%氫氧化鈉溶液和3.5重量%(相對於氧化矽進料)ZSM－48晶種晶體製得混合物。此混合物具有下列莫耳組成：SiO2 /Al2 O3 ＝102.4 H2 O/SiO2 ＝14.8 OH－ /SiO2 ＝0.15 Na＋ /SiO2 ＝0.15 模板/SiO2 ＝0.019
此混合物於320℉(160℃)於壓熱器(於250RPM攪拌)中反應48小時。產物經過濾，以去離子(DI)水清洗並於250℉(120℃)乾燥。所合成的材料之XRD型式顯示典型純相的ZSM－48位相。
實例8
自水、六甲銨氯(56%溶液)、Ultrasil PM、鋁酸鈉溶液(45%)和50%氫氧化鈉溶製得混合物。此混合物具有下列莫耳組成：SiO2 /Al2 O3 ＝90 H2 O/SiO2 ＝20.1 OH－ /SiO2 ＝0.17 Na＋ /SiO2 ＝0.17 模板/SiO2 ＝0.025
此混合物於320℉(160℃)於壓熱器(於250RPM攪拌)中反應48小時。產物經過濾，以去離子(DI)水清洗並於250℉(120℃)乾燥。所合成的材料之XRD型式顯示典型的ZSM－48位相和微量的ZSM－50雜質。此產物顯示有一些針狀的形態存在。
實例9
65份(基本成份，經煅燒538℃)高活性ZSM－48晶體(實例4)與35份擬一水軟鋁石(基本成份，經煅燒538℃)於Simpson研磨器中混合。在2” Bonnot擠壓機中添加足量的水以製造可擠壓的糊。ZSM－48、擬一水軟鋁石氧化鋁和含水的糊狀物之混合物經擠壓並於加熱爐中於121℃乾燥一夜。經乾燥的擠壓物在氮中於538℃煅燒以分解和移除有機模板。經N2 煅燒的擠壓物以飽和空氣潮濕化並以1N硝酸銨交換以移除鈉(光譜：<500ppm Na)。硝酸銨交換之後，擠壓物以去離子水清洗，以於乾燥之前移除殘留的硝酸根離子。經銨交換的擠壓物於121℃乾燥一夜並於空氣中於538℃煅燒。空氣煅燒之後，擠壓物於900℉通以水蒸汽達3小時。使用初潤法，通了水蒸汽的擠壓物以硝酸四銨鉑(0.6重量%Pt)浸潤。浸潤之後，擠壓物於250℉乾燥一夜並於空氣中於360℃煅燒以將硝酸四銨鹽轉化成氧化鉑。
實例10
實例9的去蠟觸媒於n－C10 氫化異構化試驗中測試。在流動的H2 (100sccm)於1大氣壓下，觸媒溫度由162改變至257℃，以將n－C10 轉化率由0調整至95%＋。含有高活性ZSM－48的觸媒於最少裂解(與n－C10 轉化率有關)和反應溫度下，展現極佳的iso－C10 產率。圖5顯示根據本發明之體系之觸媒及氧化矽：氧化鋁比約200的觸媒之iso－C10 產率與n－C10 轉化率之間的關係。
實例11
此實例係關於以具有規則ZSM－48晶體作為晶種，製備HA－ZSM－48。使用水、六甲銨氯(56%溶液)、Ultrasil PM、鋁酸鈉溶液(45%)和50%氫氧化鈉溶製得混合物。之後，約5重量%(相對於氧化矽進料)ZSM－48晶種加至混合物中。此混合物具有下列莫耳組成：SiO2 /Al2 O3 ＝103 H2 O/SiO2 ＝14.7 OH－ /SiO2 ＝0.17 Na＋ /SiO2 ＝0.17 模板/SiO2 ＝0.019
此混合物於320℉(160℃)於壓熱器(於250RPM攪拌)中反應24小時。產物經過濾，以去離子(DI)水清洗並於250℉(120℃)乾燥。所合成的材料之XRD型式顯示典型的ZSM－48位相。所合成的晶體藉由兩度離子交換(於室溫與硝酸銨溶液交換)而轉化成氫形式，之後於250℉(120℃)乾燥及於1000℉(540℃)煅燒6小時。所得ZSM－48晶體具有SiO2 /Al2 O3 莫耳比約88.5/1。
實例12
此實例係關於使用5重量%(相對於氧化矽進料)β晶體作為晶種，製備ZSM－48。使用β晶體的雜結構晶種述於美國專利案第6,923,949號。自1000克水、25克六甲銨氯(56%溶液)、190克Ultrasil PM(沉澱的氧化矽粉末，得自Degussa)、10克鋁酸鈉溶液(45%)和33.3克50%氫氧化鈉溶液製得混合物。10克β晶種(SiO2 /Al2 O3 ~35/1)加至此混合物中。此混合物具有下列莫耳組成：SiO2 /Al2 O3 ＝106 H2 O/SiO2 ＝20 OH－ /SiO2 ＝0.17 Na＋ /SiO2 ＝0.17 模板/SiO2 ＝0.018
此混合物於320℉(160℃)於壓熱器(於250RPM攪拌)中反應48小時。產物經過濾，以去離子(DI)水清洗並於250℉(120℃)乾燥。所合成的材料之XRD型式顯示典型純相的ZSM－48位相。清楚地，在合成的產物的XRD型式中未觀察到β相。所合成的晶體藉由兩度離子交換(於室溫與硝酸銨溶液交換)而轉化成氫形式，之後於250℉(120℃)乾燥及於1000℉(540℃)煅燒6小時。所得ZSM－48晶體具有SiO2 /Al2 O3 莫耳比~87.2。
實例13
此實例係關於使用10重量%(相對於氧化矽進料)β晶體作為晶種，製備ZSM－48。使用與實例2相同的反應物、調合物和程序，但添加兩倍量的β晶體作為晶種劑。所合成的材料之XRD型式顯示典型純相的ZSM－48位相。清楚地，在合成的產物的XRD型式中未觀察到β相。所合成的晶體藉由兩度離子交換(於室溫與硝酸銨溶液交換)而轉化成氫形式，之後於250℉(120℃)乾燥及於1000℉(540℃)煅燒6小時。所得ZSM－48晶體具有SiO2 /Al2 O3 莫耳比~80/1。
實例14
使用己烷吸附試驗測試實例11－13的產物。己烷吸附試驗用以測定任何選定的觸媒之孔觸媒。以前述方式製得之經煅燒的觸媒在熱重分析儀(TGA)中於氮中於500℃加熱30分鐘。經乾燥的觸媒於之後冷卻至90℃並暴於分壓為75托耳的正己烷中。藉TGA儀器中的微量天平測定重量變化(吸附的正己烷)。亦測定晶體的α值。觸媒的α值係觸媒活性相對於參考用觸媒之活性的標準化指標。其結果示於表1。
由表1所列的數據，添加的β晶種晶體未溶解於結晶反應中並留在所合成的產物中。此結論由實例12和13的正己烷吸附數據提高得到驗證。此結論亦由觸媒的α值隨著晶體中之β重量%的提高而提高而得到佐證。正己烷吸附作用和α值提高證實具有雜相晶種的ZSM－48晶體之反應性與具有均相晶種的ZSM－48晶體之反應性不同。
注意到α值約略指出觸媒相對於觸媒標準品的催化性裂解活性且其提供相對速率常數(每單位時間內每體積觸媒的正己烷轉化率之比率)。其係將高活性氧化矽－氧化鋁裂解觸媒之活性設定為α＝1(速率常數＝0.016秒－1 )。此α試驗為習知者，並述於，如，美國專利案第3,354,078號；Journal of Catalysis,vol.4,p.527(1965)；vol.6,p.278(1966)；和vol.61,p.395(1980)。
實例15
此實例比較根據本發明之ZsM－48和具有較高氧化矽：氧化鋁比的ZSM－48之活性。600N碎煤蠟於1000psig(6996kPa)、LHSV1.0升/小時和處理氣體速率2500scf/B(445立方米/立方米)的條件下去蠟。圖6顯示反應溫度與合乎370℃＋傾倒點所須溫度的關係圖。圖6中，上方線(代表具有較高氧化矽、氧化鋁比)和下方線(根據本發明之ZSM－48)之間的差異代表活性優勢。
圖1是以模板：氧化矽比為0.023製得之ZSM晶體的顯微照片，其顯示有一些針狀晶體存在。
圖2是以模板：氧化矽比為0.018之反應混合物製得之ZSM－48晶體的顯微照片，其顯示沒有針狀晶體存在。
圖3是以模板：氧化矽比為0.029之反應混合物製得之ZSM－48晶體的顯微照片，其顯示有針狀晶體存在。
圖4是以模板：氧化矽比為0.019之反應混合物製得之ZSM－48晶體的顯微照片，其顯示沒有針狀晶體存在。
圖5為iso－C10產率與n－C10轉化率的關係圖。
圖6為反應器溫度與合乎370℃＋傾倒點所須溫度的關係圖。

Claims (26)

  1. 一種包含ZSM-48晶體之組成物，其中的ZSM-48晶體之氧化矽：氧化鋁莫耳比為110或以下，且其具有均相ZSM-48晶種晶體，其中該組成物沒有非ZSM-48晶種晶體且沒有ZSM-50，其中該ZSM-48晶體沒有具有纖維形態的晶體。
  2. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該ZSM-48晶體的氧化矽：氧化鋁莫耳比低於100。
  3. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該ZSM-48晶體沒有非ZSM-48的晶體。
  4. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中另包含黏合劑和氫化反應金屬中之至少一者，其中以結合的ZSM-48和黏合劑(餘者)計，結合的ZSM-48可含10至100重量% ZSM-48，及其中氫化反應金屬的量，以氫化反應金屬與ZSM-48之總重量計，為0.1至5重量%。
  5. 如申請專利範圍第4項之組成物，其中氫化反應金屬是貴金屬。
  6. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該ZSM-48晶體是Na-形式、H-形式或合成之形式。
  7. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該ZSM-48晶體製自含有六甲銨(hexamethonium)結構指向劑之結構指向劑：氧化矽莫耳比為0.01至0.05之混合物。
  8. 如申請專利範圍第7項之組成物，其中混合物中之結構指向劑：氧化矽莫耳比由0.015至0.025。
  9. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中所合成的ZSM-48晶體具有的氧化矽：氧化鋁比是100或以下。
  10. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中所合成的ZSM-48晶體所具有的氧化矽：氧化鋁比至少70。
  11. 一種製造所合成之含有六甲銨結構指向劑之ZSM-48晶體之方法，其中所合成的ZSM-48晶體包括均相ZSM-48晶種晶體，且沒有ZSM-50和非ZSM-48晶種晶體，此方法包含：製備氧化矽或矽酸鹽、氧化鋁或鋁酸鹽、六甲銨鹽和鹼金屬鹼之含水混合物，其中混合物具有下列莫耳比：氧化矽：氧化鋁由70至110，鹼：氧化矽由0.1至0.3且六甲銨鹽：氧化矽由0.01至0.05；和於攪拌時，於100至250℃之溫度中加熱此混合物一段足以形成晶體之時間，其中所合成的ZSM-48晶體係使用ZSM-48晶種晶體製備，且其中該ZSM-48晶體沒有具有纖維形態的晶體。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中混合物具有的鹼：氧化矽莫耳比由0.14至0.18。
  13. 如申請專利範圍第11項之方法，其中混合物具有的六甲銨鹽：氧化矽莫耳比由0.015至0.025。
  14. 如申請專利範圍第11項之方法，其中所合成的ZSM-48晶體經煅燒以移除六甲銨結構指向劑。
  15. 如申請專利範圍第11項之方法，其中所合成的ZSM-48晶體與黏合劑和金屬氫化反應組份中之至少一者 合併，其中以結合的ZSM-48和黏合劑(餘者)計，結合的ZSM-48可含10至100重量% ZSM-48，及其中氫化反應金屬的量，以氫化反應金屬與ZSM-48之總重量計，為0.1至5重量%。
  16. 如申請專利範圍第11項之方法，其中所合成的ZSM-48晶體具有的氧化矽：氧化鋁比是70-110。
  17. 一種用於烴進料之去蠟之方法，其包含：使進料與ZSM-48觸媒於催化性去蠟條件下接觸以製造經去蠟的進料，此觸媒包含具有氧化矽：氧化鋁莫耳比由70至110、具有均相ZSM-48晶種晶體、且無非ZSM-48晶種晶體和ZSM-50的ZSM-48晶體，其中該ZSM-48晶體沒有具有纖維形態的晶體。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中該ZSM-48晶體沒有具有針狀形態的晶體。
  19. 如申請專利範圍第17項之方法，其中該ZSM-48晶體沒有斜水鈉矽石。
  20. 如申請專利範圍第17項之方法，其中進料與ZSM-48觸媒接觸之前，於氫化處理條件下經氫化處理。
  21. 如申請專利範圍第17項之方法，其中經去蠟的進料於氫化修飾條件下經氫化修飾。
  22. 如申請專利範圍第17項之方法，其中催化性去蠟條件包括溫度由250-426℃，壓力由791至20786kPa(100至3000psig)，液體每小時的空間速度由0.1至10小時-1 ，和氫處理氣體速率由45至1780立方米/立方米 (250至10000scf/B)。
  23. 如申請專利範圍第20項之方法，其中氫化處理條件包括溫度由150至426℃，氫分壓由1480至20786kPa(200至3000psig)，空間速度由0.1至10小時-1 ，和氫與進料比由89至1780立方米/立方米(500至10000scf/B)。
  24. 如申請專利範圍第21項之方法，其中氫化修飾條件包括溫度由約150至350℃，總壓力由2859至20786kPa(約400至3000psig)，液體每小時的空間速度由0.1至5小時-1 ，和氫處理氣體速率由44.5至1780立方米/立方米(250至10000scf/B)。
  25. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中ZSM-48晶體中均相ZSM-48晶種晶體之量為約3.5重量%至約5.0重量%(相對於氧化矽進料)。
  26. 如申請專利範圍第11項之方法，其中所合成的ZSM-48晶體中均相ZSM-48晶種晶體之量為約3.5重量%至約5.0重量%(相對於氧化矽進料)。
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