TWI450045B - 利用換氣裝置降低光罩霧化之曝光裝置及方法 - Google Patents

Description

利用換氣裝置降低光罩霧化之曝光裝置及方法

本發明是有關於一種積體電路製程之方法及裝置，且特別是有關於一種利用換氣裝置降低光罩霧化(haze)之曝光裝置及方法。

光罩係普遍用於半導體製造之微影製程中。光罩一般係由非常平坦的石英或玻璃製成，其中一面沉積一層鉻。在微影步驟時，二元式光罩(binary mask；BIM)或相移式光罩(phase shift mask；PSM)上的圖案係用於將其影像移轉至晶圓上。然而光罩上的污染物儼然成為問題，例如波長等於或小於248奈米(nanometer；nm)之微影製程中使用之精確度高的光罩特別容易受缺陷影響。

光罩污染的類型之一係指霧化污染。霧化污染係於曝光過程中為了清除光罩上來自於晶圓廠或工具環境中的化學殘留物或不純物而形成的沉澱物。舉例而言，利用含銨離子(NH₄ ⁺ )及硫酸根離子(SO₄ ^2- )的溶液清洗光罩後，光罩又暴露於例如波長為248nm或193nm之短波紫外光時，就會使污染變得明顯。

護膜框架(pellicle frame)發展多年來，其中引人關注的一個方面就是增加排氣孔(亦稱為壓力釋放閥或PRF)。在增加排氣孔前，經由空氣運送光罩時，會使護膜(pellicle membrane)在低壓下充氣。護膜膨脹後，有時會與收納護膜框架的盒蓋接觸。這種接觸甚至會使得光罩在進入製造晶 圓的無塵室前，因產生磨損而無法使用。為了減輕此一問題，於是在護膜框架鑽出小孔，使護膜內密封的空氣與週遭空氣之間的壓力差獲致平衡。在壓力平衡過程中，由於事實上微粒有可能被吸入小孔內而造成壓力數值變化不等於零，因此需要在小孔上覆蓋濾材，或將小孔切割成彎曲的路徑以穿過護膜框架，抑或二種方法都使用(如第2圖之所示)。

以能量源雷射(例如紫外光雷射)照射在具有護膜的光罩上，會在由護膜與光罩表面所限制的空間內產生高能量的環境。從護膜材料中釋出的化學物質、以及在雷射曝光過程中產生的高活性氧自由基及臭氧會充斥在前述環境中，造成光化學反應之理想的溫床，而此溫床有可能在光罩表面引起霧化缺陷的形成。

故此，亟需針對目前曝光裝置及方法提出較佳的換氣裝置及方法，以降低光罩霧化缺陷的形成。

因此本發明的觀點就是在提供一種降低光罩霧化之曝光裝置及方法，其係於印框護膜(framed pellicle)與光罩之間利用換氣裝置導入氣流，進而降低光罩霧化缺陷的形成。

根據本發明之上述觀點，提出一種降低光罩霧化之曝光方法。在一例示實施例中，此方法包括：(1)將印框護膜固定於光罩上，其中印框護膜至少包含護膜框架及與其連接之護膜，且印框護膜具有複數個孔徑，這些孔徑均連接第一空間與印框護膜外之第二空間，而第一空間則由光罩 印框護膜環設而成的；以及利用能量源穿過印框護膜及光罩對光阻層曝光時，同時使第一空間內之氣體經由孔徑而外流至印框護膜。其中，使第一空間內之氣體經由該第一孔徑而外流至該印框護膜之步驟至少包含：利用一管路使一正壓力氣體源對外相連至印框護膜；以及於管路鄰近每一孔徑處開設一開口，藉由管路內之氣流產生之一吸力，驅使第一空間內之氣體經由孔徑及開口流入管路。

根據本發明之上述觀點，再提出一種利用換氣裝置降低光罩霧化之曝光裝置。在一例示實施例中，此曝光裝置至少包含一腔室，此腔室配置成容納基材及光罩，其中基材上設有光阻層，光罩上固設有印框護膜，印框護膜包括護膜框架及與其連接之護膜，且印框護膜包括複數個孔徑，這些孔徑均連接第一空間與印框護膜外之第二空間，而第一空間則由光罩與印框護膜環設而成的。前述曝光設備更至少包含影像儀及換氣裝置，此影像儀配置成使曝光光線經由護膜框架及光罩照射於光阻層上，而影像儀在利用能量源穿過印框護膜及光罩對光阻層曝光時，換氣裝置同時配置成導引第一空間內之氣體經由孔徑而外流至印框護膜。其中，換氣裝置包括一管路，此管路使一正壓力氣體源對外相連至印框護膜，且此管路設有複數個開口分別鄰近於孔徑，藉由管路內之氣流產生之一吸力，驅使第一空間內之氣體經由孔徑及開口流入管路。前述之曝光裝置更可至少包含配置成容納基材之容置槽。前述之曝光裝置更可至少包含配置成容納光罩之容置槽。前述換氣裝置可包括容置槽，且容置槽係配置成將光罩與印框護膜之至少 一者對準基材。

根據本發明之上述觀點，又提出一種用於曝光裝置之換氣裝置。在一例示實施例中，此曝光裝置具有腔室及影像儀，其中腔室配置成容納基材及光罩，基材上設有光阻層，光罩上固設有印框護膜，印框護膜包括護膜框架及與其連接之護膜，且印框護膜包括複數個孔徑，這些孔徑均連接第一空間與印框護膜外之第二空間，而第一空間則由光罩與印框護膜環設而成的，且影像儀配置成使曝光光線經由護膜框架及光罩照射於光阻層上。前述換氣裝置至少包含氣流導向裝置，其係在影像儀使曝光光線穿過印框護膜及光罩照射於光阻層之同時，導引第一空間內之氣體經由孔徑而外流至印框護膜。其中，氣流導向裝置包括一管路，此管路使一正壓力氣體源對外相連至印框護膜，且此管路設有複數個開口分別鄰近於孔徑，藉由此管路內之氣流產生之一吸力，驅使第一空間內之氣體經由孔徑及開口流入管路。前述氣流導向裝置更至少包含配置成容納基材與光罩之至少一者的容置槽。前述氣流導向裝置更至少包含配置成使光罩與光罩護膜之至少一者對基材定位的容置槽。

由上述觀點可知，應用本發明之曝光裝置及方法，其係於印框護膜與光罩之間利用各種換氣裝置導入氣流，可有效降低光罩霧化缺陷的形成。

可以理解的是，以下揭露內容提供諸多不同實施例或 範例，以實施不同特徵之不同實施例。為簡化本揭露內容，以下係描述特定例示之元件及安排。然而，前述特定例示之元件及安排僅為例示，並無意限制本發明之範圍。此外，本揭露內容可於不同實施例中重複元件符號或元件文字。重複的目的在於簡化及清楚，並無意將元件限於上述提及的不同實施例及/或配置之間的關係。再者，就第一特徵形成於第二特徵上的敘述而言，其實施例可能包括第一特徵與第二特徵形成直接接觸，也可能包括形他特徵形成於第一特徵與第二特徵之間，使得第一特徵與第二特徵並無直接接觸。

請參閱第1圖，其係繪示習知裝置100之剖面圖，習知裝置100至少包含光罩基材105及固定於光罩基材105上之印框護膜110，其中印框護膜110包括護膜框架115及其相連之護膜120。曝光光線125穿過護膜120及光罩基材105，能產生活性化學物質130。活性化學物質130會累積並於光罩基材105上形成霧狀物或其他缺陷結構135，而對於曝光步驟有不良影響。

請參閱第2圖，其係繪示習知裝置200之立體圖，習知裝置200至少包含光罩基材205及固定於光罩基材205上之印框護膜210，其中印框護膜210包括護膜框架215及其相連之護膜220。習知裝置200可實質近似於第1圖所示之習知裝置100。然而，有一部分之護膜220未繪示於第2圖中，以證明多個孔徑225包含於護膜框架215內。印框護膜210內外的空間係藉由此些孔徑225以流體及/或其他方式連接或相通。

請參閱第3圖，其係根據本發明一個以上之觀點繪示一種曝光裝置300之剖面示意圖。曝光裝置300係配置用來使能量源穿過固定於光罩基材305上之印框護膜310而對光罩基材305曝光。光罩基材305及印框護膜310可實質近似於第1圖及/或第2圖所示者。舉例而言，印框護膜310可包括護膜框架315及其相連之護膜320，而護膜框架315包括第一孔徑325及第二孔徑330。

曝光裝置300包括影像儀335及換氣裝置，而此換氣裝置至少包含正壓力氣體源340。正壓力氣體源340係配置成產生氣流以遍佈於印框護膜310與光罩基材305內側的空間345，藉此迫使氣體進入第一孔徑325中。由於印框護膜310與光罩基材305內側定義出的空間345容積實質上為定值，因此被迫由第一孔徑325進入空間345之氣體就會遍佈於空間345內，然後經由第二孔徑330排出氣體。在第3圖中，氣流係以虛線繪示。操作過程中，當影像儀335以能量源例如波長193nm或其他波長的紫外光穿過印框護膜310及光罩基材305進行曝光時，換氣裝置係配置成維持氣流。結果，在曝光步驟時，利用影像儀335所產生的任何活性化學物質或其他光激化學物，在沉積於光罩基材305上形成霧狀物或以其他方式對曝光步驟有不利影響之前，就會被迫排出空間345。在一例示實施例中，正壓力氣體源340供應的氣體為或至少包含氮(N₂ )、氬(Ar)、及/或其他鈍氣組成，而且雖以其他流速供應氣體亦落於本發明之範圍內，不過，氣體供應的流速可介於約每分鐘1標準立方公分(standard cubic centimeter per minute；sccm)至 約1000sccm之間。

請參閱第4圖，其係根據本發明一個以上之觀點繪示另一曝光裝置400之剖面示意圖。曝光裝置400係配置用來使能量源穿過固定於光罩基材405上之印框護膜410而對光罩基材405曝光。光罩基材405及印框護膜410可實質近似於第1圖及/或第2圖所示者。舉例而言，印框護膜410可包括護膜框架415及其相連之護膜420，而護膜框架415包括第一孔徑425及第二孔徑430。

曝光裝置400包括影像儀435及換氣裝置，而此換氣裝置至少包含真空源440。真空源440係配置成產生氣流以遍佈於印框護膜410與光罩基材405內側的空間445，藉此經由第二孔徑430吸出氣體。在第4圖中，氣流係以虛線繪示。操作過程中，當影像儀435以波長193nm或其他波長的能量源穿過印框護膜410及光罩基材405進行曝光時，換氣裝置係配置成維持氣流。結果，在曝光步驟時，利用影像儀435所產生的任何活性化學物質或其他光激化學物，在沉積於光罩基材405上形成霧狀物或以其他方式對曝光步驟有不利影響之前，就會從空間445吸出。在一例示實施例中，第一孔徑425會被塞住或過濾，藉著真空源440或藉著操作真空源440減少空間445內產生的壓力，以避免額外的污染物被帶入空間445中。

請參閱第5圖，其係根據本發明一個以上之觀點繪示又一曝光裝置500之剖面示意圖。曝光裝置500係配置用來使能量源穿過固定於光罩基材505上之印框護膜510而對光罩基材505曝光。光罩基材505及印框護膜510可實 質近似於第1圖及/或第2圖所示者。舉例而言，印框護膜510可包括護膜框架515及其相連之護膜520，而護膜框架515包括第一孔徑525及第二孔徑530。

曝光裝置500包括影像儀535及換氣裝置，而此換氣裝置至少包含正壓力氣體源540及真空源542。正壓力氣體源540及真空源542係共同配置成合作產生氣流以遍佈於印框護膜510與光罩基材505內側的空間545，藉此同時迫使氣流通過第一孔徑525並由第二孔徑530吸出氣體。在第5圖中，氣流係以虛線繪示。操作過程中，當影像儀535以能量源例如波長193nm或其他波長的紫外光穿過印框護膜510及光罩基材505進行曝光時，換氣裝置係配置成維持氣流。結果，在曝光步驟時，利用影像儀535所產生的任何活性化學物質或其他光激化學物，在沉積於光罩基材505上形成霧狀物或以其他方式對曝光步驟有不利影響之前，就會從空間545被迫排出及/或吸出。在一例示實施例中，正壓力氣體源540供應的氣體為或至少包含氮(N₂ )、氬(Ar)、及/或其他鈍氣組成。

請參閱第6圖，其係根據本發明一個以上之觀點繪示再一曝光裝置之剖面示意圖。曝光裝置600係配置用來使能量源穿過固定於光罩基材605上之印框護膜610而對光罩基材605曝光。光罩基材605及印框護膜610可實質近似於第1圖及/或第2圖所示者。舉例而言，印框護膜610可包括護膜框架615及其相連之護膜620，而護膜框架615包括複數個孔徑625。

曝光裝置600包括換氣裝置，而此換氣裝置至少包含 正壓力氣體源640及一個以上的“柏努利(Bernoulli)”管路642。每一柏努利管路642包括管路642a，而管路642a係以流體連接正壓力氣體源640、一個以上之入口或與其個別相連之其他開口642b、鄰近相對應之護膜框架615的孔徑625、以及排氣口642c。正壓力氣體源640係配置成引導氣流穿過每一管路642a並由相對應之排氣口642c排出。由於柏努利原理提出，理想流體之流速隨著壓力減少而增加，氣流通過開口642b時，孔徑625附近就會產生低壓區。結果，因為印框護膜610與光罩基材605內側的空間645的壓力高過前述低壓區，氣體就會從空間645經由孔徑625及開口642b而進入管路642a。在第6圖中，氣流係以虛線繪示。操作過程中，當影像儀(此亦為裝置600之元件補過為清楚之目的而未繪示於第6圖)以能量源例如波長193nm或其他波長的紫外光穿過印框護膜610及光罩基材605進行曝光時，換氣裝置係配置成維持抽吸或真空效果。結果，在曝光步驟時，利用影像儀所產生的任何活性化學物質或其他光激化學物，在沉積於光罩基材605上形成霧狀物或以其他方式對曝光步驟有不利影響之前，就會從空間645被迫排出。在一例示實施例中，正壓力氣體源640供應的氣體為或至少包含氮(N₂ )、氬(Ar)、及/或其他鈍氣組成。

在本揭露內容範圍內前述或其他方面描述第3圖至第6圖的一個以上之例示實施例中，印框護膜的孔徑數可多於上述圖式之孔徑數。再者，前述任何實施例之氣體流速在不脫於本揭露內容之範圍內均得改變。舉例而言，本揭露 內容範圍內前述或其他方面提及一個以上正壓力氣體源所提供之氣體流速，可介於約1sccm至約1000sccm之間。氣體可為或至少包含一種以上鈍氣，除了其他鈍氣之外，可例如氮(N₂ )或氬(Ar)。本揭露內容範圍內之光罩基材得以改變。在一例示實施例中，光罩基材可為石英基材，其上設有鉻(Cr)圖案。

本揭露內容範圍內之換氣裝置亦得配置成協助光罩基材及/或印框護膜進行對準。舉例而言，在第6圖繪示之例示實施例中，曝光裝置600之柏努利管路642、正壓力氣體源640及/或其他元件可配置成容納印框護膜610之容置槽，如此一來，當設置印框護膜610之孔徑625以流體連接柏努利管路642之開口642b時，印框護膜610可正確對準以由影像儀進行曝光步驟。

再者，本揭露內容之投影式曝光裝置或“影像儀”至少包含光源為能量源之裝置，例如紫外光源的裝置，其光源為例如為氟準分子雷射。然而，其他影像裝置亦為本揭露內容範圍內。

請參閱第7圖，其係根據本揭露內容一個以上之觀點繪示半導體元件之製造方法700中至少一部分的流程圖。此方法700為上述一個以上觀點之例示實施方法。此方法700可包括步驟710，其中步驟710係設計線路以設計元件的功用及效能。此方法700更額外或選擇性包括步驟720，其中步驟720可能基於設計線路之步驟710，而形成一個以上之光罩。此方法700更額外或選擇性包括步驟730，其中步驟730係形成基材，可能形成元件之基本部分。

此方法700包括晶圓處理之步驟740，其係利用本揭露內容範圍內前述或其他方面描述之曝光裝置，例如第3圖至第6圖之曝光裝置之任一者，以於基材上暴露出光罩圖案。舉例而言，光罩圖案暴露於基材上時，可同時迫使氣體通過印框護膜及/或從印框護膜吸出氣體，以減少或排除霧狀物或其他缺陷形成於光罩上。此方法700更額外或選擇性包括元件組裝之步驟750，除了其他步驟外，步驟750尚包括切割、黏結及/或包覆等。此方法700更額外或選擇性包括檢測步驟760。

請參閱第8圖，其係根據本揭露內容一個以上之觀點繪示半導體元件之製造方法800中至少一部分的流程圖。此方法800為上述一個以上觀點之例示實施方法。此方法800可包括步驟805，其中步驟805係氧化晶圓表面。在另一步驟810中，可利用例如氣相沉積法及/或其他製程，於晶圓表面形成絕緣層。在另一步驟815中，可利用例如氣相沉積法及/或其他製程，於晶圓表面形成電極。在另一步驟820中，可於晶圓中植入離子。在另一步驟825中，可於晶圓上塗佈感光劑。

在另一步驟830中，可利用本揭露內容範圍內前述或其他方面描述之曝光裝置，例如第3圖至第6圖之曝光裝置之任一者，將線路圖案轉移至晶圓上。舉例而言，轉移線路圖案至晶圓時，可同時迫使氣體通過印框護膜及/或從印框護膜吸出氣體，以減少或排除霧狀物或其他缺陷形成於光罩上。

在另一步驟835中，可對曝光之晶圓進行顯影。在另 一步驟840中，除了經顯影之光阻影像外的光阻可經蝕刻。在另一步驟845中，任何殘留不必要的光阻可經蝕刻後而加以移除。可重複步驟805至步驟840之組合，可能依第8圖箭頭所指之順序，於晶圓上形成多層線路圖案，不過其他順序或其他序列之步驟亦包含與本揭露內容之範圍內。

基於以上觀點，本揭露內容顯然提出一種降低光罩霧化之曝光方法。在一例示實施例中，此方法包括：(1)將印框護膜固定於光罩上，其中印框護膜至少包含護膜框架及與其連接之護膜，且印框護膜具有第一孔徑與第二孔徑，第一孔徑與第二孔徑均連接第一空間與印框護膜外之第二空間，而第一空間則由光罩印框護膜環設而成的；以及利用能量源穿過印框護膜及光罩對光阻層曝光時，同時使第一空間內之氣體經由第一孔徑而外流至印框護膜。使第一空間內之氣體經由第一孔徑而外流至印框護膜之步驟可至少包含利用第二孔徑與正壓力氣體源相連。或者，使第一空間內之氣體經由第一孔徑而外流至印框護膜之步驟至少包含利用第一孔徑與真空源相連。抑或，使第一空間內之氣體經由第一孔徑而外流至印框護膜之步驟至少包含含利用第二孔徑與正壓力氣體源相連，且利用第一孔徑與真空源相連。另一種方式，使第一空間內之氣體經由第一孔徑而外流至印框護膜之步驟至少包含利用一管路使正壓力氣體源對外相連至印框護膜，並且於鄰近第一孔徑處開設一開口，藉由管路內之氣流產生之吸力，驅使第一空間內之氣體經由第一孔徑及開口流入管路中。

本揭露內容更提供一種利用換氣裝置降低光罩霧化之 曝光裝置，此曝光設備至少包含一腔室，此腔室配置成容納基材及光罩，其中基材上設有光阻層，光罩上固設有印框護膜，印框護膜包括護膜框架及與其連接之護膜，且印框護膜包括第一孔徑與第二孔徑，第一孔徑該第二孔徑均連接第一空間與印框護膜外之第二空間，而第一空間則由光罩與印框護膜環設而成的。前述曝光設備更至少包含影像儀及換氣裝置，此影像儀配置成使曝光光線經由護膜框架及光罩照射於光阻層上，而影像儀在利用能量源穿過印框護膜及光罩對光阻層曝光時，換氣裝置同時配置成導引第一空間內之氣體經由第一孔徑而外流至印框護膜。前述換氣裝置可包括以流體連接第一孔徑之正壓力氣體源。前述換氣裝置可包括以流體連接第二孔徑之真空源。前述換氣裝置可包括以流體連接第一孔徑之正壓力氣體源，以及以流體連接第二孔徑之真空源。前述之曝光裝置更可至少包含配置成容納基材之容置槽。前述之曝光裝置更可至少包含配置成容納光罩之容置槽。前述換氣裝置可包括容置槽，且容置槽係配置成將光罩與印框護膜之至少一者對準基材。前述換氣裝置可包括過濾裝置，且過濾裝置係配置成過濾第一空間與第二空間之間的氣流。

本揭露內容更採用一種用於曝光裝置之換氣裝置，此曝光裝置具有腔室及影像儀，其中腔室配置成容納基材及光罩，基材上設有光阻層，光罩上固設有印框護膜，印框護膜包括護膜框架及與其連接之護膜，且印框護膜包括第一孔徑與第二孔徑，第一孔徑與第二孔徑均連接第一空間與印框護膜外之第二空間，而第一空間則由光罩與印框護 膜環設而成的，且影像儀配置成使曝光光線經由護膜框架及光罩照射於光阻層上。前述換氣裝置至少包含氣流導向裝置，其係在影像儀使曝光光線穿過印框護膜及光罩照射於光阻層之同時，導引第一空間內之氣體經由第一孔徑而外流至印框護膜。前述氣流導向裝置可包括配置以流體連接第一孔徑之正壓力氣體源。前述氣流導向裝置可包括配置以流體連接第二孔徑之真空源。前述氣流導向裝置可包括配置以流體連接第一孔徑之正壓力氣體源，以及配置以流體連接第二孔徑之真空源。前述氣流導向裝置更至少包含配置成容納基材與光罩之至少一者的容置槽。前述氣流導向裝置更至少包含配置成使光罩與光罩護膜之至少一者對基材定位的容置槽。前述氣流導向裝置可至少包含過濾第一空間與第二空間之間的氣流之過濾裝置。

以上係概述數個實施例之特徵，藉此使本揭露內容所屬技術領域的技術人員更加了解本揭露內容之觀點。本揭露內容所屬技術領域的技術人員當可體會到，能輕易以本揭露內容為基礎，設計或修飾其他製程及結構，以實行及/或達成與此處採用的實施例相同之目的及/或優點。本揭露內容所屬技術領域的技術人員應亦可理解到前述均等結構並不脫離本揭露內容之精神和範圍內，且理解到他們在不脫離本揭露內容之精神和範圍內，可為各種的更動、替代與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧裝置

105‧‧‧光罩基材

110‧‧‧印框護膜

115‧‧‧護膜框架

120‧‧‧護膜

440‧‧‧真空源

445‧‧‧空間

500‧‧‧裝置

505‧‧‧光罩基材

510‧‧‧印框護膜

125‧‧‧曝光光線

130‧‧‧活性化學物質

135‧‧‧缺陷結構

200‧‧‧裝置

205‧‧‧光罩基材

210‧‧‧印框護膜

215‧‧‧護膜框架

220‧‧‧護膜

225‧‧‧孔徑

300‧‧‧裝置

305‧‧‧光罩基材

310‧‧‧印框護膜

315‧‧‧護膜框架

320‧‧‧護膜

325‧‧‧第一孔徑

330‧‧‧第二孔徑

335‧‧‧影像儀

340‧‧‧正壓力氣體源

345‧‧‧空間

400‧‧‧裝置

405‧‧‧光罩基材

410‧‧‧印框護膜

415‧‧‧護膜框架

420‧‧‧護膜

425‧‧‧第一孔徑

515‧‧‧護膜框架

520‧‧‧護膜

525‧‧‧第一孔徑

530‧‧‧第二孔徑

535‧‧‧影像儀

540‧‧‧正壓力氣體源

542‧‧‧真空源

545‧‧‧空間

600‧‧‧裝置

605‧‧‧光罩基材

610‧‧‧印框護膜

615‧‧‧護膜框架

620‧‧‧護膜

625‧‧‧孔徑

640‧‧‧正壓力氣體源

642‧‧‧柏努利管路

642a‧‧‧管路

642b‧‧‧開口

642c‧‧‧排氣口

645‧‧‧空間

700‧‧‧方法

710/720/730/740/750/760‧‧‧步驟

800‧‧‧方法

805/810/815/820/825/830/835 /840/845‧‧‧步驟

430‧‧‧第二孔徑

435‧‧‧影像儀

藉由上述詳細說明並配合以下圖式，使本發明之上述觀點能更易了解。惟需強調的是，根據業界標準常規，並未依比例繪製各種特徵。事實上，為了清楚討論，各種特徵之尺寸可任意增減。

第1圖係繪示習知裝置之剖面圖。

第2圖係繪示習知裝置之立體圖。

第3圖係根據本發明一個以上之觀點繪示一種曝光裝置之剖面示意圖。

第4圖係根據本發明一個以上之觀點繪示另一曝光裝置之剖面示意圖。

第5圖係根據本發明一個以上之觀點繪示又一曝光裝置之剖面示意圖。

第6圖係根據本發明一個以上之觀點繪示再一曝光裝置之剖面示意圖。

第7圖係根據本揭露內容一個以上之觀點繪示半導體元件之製造方法中至少一部分的流程圖。

第8圖係根據本揭露內容一個以上之觀點繪示半導體元件之製造方法中至少一部分的流程圖。

600‧‧‧裝置

605‧‧‧光罩基材

610‧‧‧印框護膜

615‧‧‧護膜框架

620‧‧‧護膜

625‧‧‧孔徑

640‧‧‧正壓力氣體源

642‧‧‧柏努利管路

642a‧‧‧管路

642b‧‧‧開口

642c‧‧‧排氣口

645‧‧‧空間

Claims (13)

1. 一種降低光罩霧化之曝光方法，至少包含：將一印框護膜固定於該光罩上，其中該印框護膜至少包含一護膜框架及與該護膜框架連接之一護膜，且該印框護膜具有複數個孔徑，該些孔徑均連接一第一空間與該印框護膜外之一第二空間，而該第一空間則由該光罩與該印框護膜環設而成的；以及利用能量源穿過該印框護膜及該光罩對該光阻層曝光時，同時使該第一空間內之氣體經由該些孔徑而外流至該印框護膜，其中使該第一空間內之氣體經由該些孔徑而外流至該印框護膜之步驟並未利用一過濾裝置過濾該第一空間內經由該些孔徑而外流至該印框護膜之氣體，且使該第一空間內之氣體經由該些孔徑而外流至該印框護膜之步驟至少包含：利用一管路使一正壓力氣體源對外相連至該印框護膜；以及於該管路鄰近每一該些孔徑處開設一開口，藉由該管路內之氣流產生之一吸力，驅使該第一空間內之氣體經由該些孔徑及該些開口流入該管路。
2. 如申請專利範圍第1項所述之降低光罩霧化之曝光方法，更至少包含提供一容置槽配置成容納該基材。
3. 如申請專利範圍第1項所述之降低光罩霧化之曝光 方法，更至少包含提供一容置槽配置成容納該光罩。
4. 如申請專利範圍第1項所述之降低光罩霧化之曝光方法，更至少包含提供一容置槽，該容置槽配置成將該光罩與該印框護膜之至少一者對準該基材。
5. 如申請專利範圍第1項所述之降低光罩霧化之曝光方法，其中該能量源為紫外光。
6. 一種利用換氣裝置降低光罩霧化之曝光裝置，至少包含：一腔室，該腔室配置成容納一基材及一光罩，其中該基材上設有一光阻層，該光罩上固設有一印框護膜，該印框護膜包括一護膜框架及與該護膜框架連接之一護膜，且該印框護膜包括複數個孔徑，該些孔徑均連接一第一空間與該印框護膜外之一第二空間，而該第一空間則由該光罩與該印框護膜環設而成的；一影像儀，該影像儀配置成使一曝光經由該護膜框架及該光罩照射於該光阻層上；以及一換氣裝置，在該影像儀利用能量源穿過該印框護膜及該光罩對該光阻層曝光時，同時該換氣裝置配置成導引該第一空間內之氣體經由該些孔徑而外流至該印框護膜，其中該換氣裝置包括一管路，該管路使一正壓力氣體源對外相連至該印框護膜，且該管路設有複數個開口分別鄰近於該些孔徑，藉由該管路內之氣流產生之一吸力，驅使該 第一空間內之氣體經由該些孔徑及該些開口流入該管路，該換氣裝置並未包含一過濾裝置來過濾該第一空間內經由該些孔徑及該些開口流入該管路之氣體。
7. 如申請專利範圍第6項所述之利用換氣裝置降低光罩霧化之曝光裝置，更至少包含配置成容納該基材之一容置槽。
8. 如申請專利範圍第6項所述之利用換氣裝置降低光罩霧化之曝光裝置，更至少包含配置成容納該光罩之一容置槽。
9. 如申請專利範圍第6項所述之利用換氣裝置降低光罩霧化之曝光裝置，其中該換氣裝置包括一容置槽，且該容置槽係配置成將該光罩與該印框護膜之至少一者對準該基材。
10. 如申請專利範圍第7項所述之利用換氣裝置降低光罩霧化之曝光裝置，其中該能量源為紫外光。
11. 一種用於曝光裝置之換氣裝置，該曝光裝置具有一腔室及一影像儀，其中該腔室配置成容納一基材及一光罩，該基材上設有一光阻層，該光罩上固設有一印框護膜，該印框護膜包括一護膜框架及與該護膜框架連接之一護膜，且該印框護膜包括複數個孔徑，該些孔徑均連接一第 一空間與該印框護膜外之一第二空間，而該第一空間則由該光罩與該印框護膜環設而成的，且該影像儀配置成使一曝光光線穿過該護膜框架及該光罩照射於該光阻層上，該換氣裝置至少包含：氣流導向裝置，其係在該影像儀使曝光光線穿過該印框護膜及該光罩照射於該光阻層之同時，導引該第一空間內之氣體經由該些孔徑而外流至該印框護膜，其中該氣流導向裝置包括一管路，該管路使一正壓力氣體源對外相連至該印框護膜，且該管路設有複數個開口分別鄰近於該些孔徑，藉由該管路內之氣流產生之一吸力，驅使該第一空間內之氣體經由該些孔徑及該些開口流入該管路，該氣流導向裝置並未包含一過濾裝置來過濾該第一空間內經由該些孔徑及該些開口流入該管路之氣體。
12. 如申請專利範圍第11項所述之用於曝光裝置之換氣裝置，更至少包含配置成容納該基材與該光罩之至少一者的一容置槽。
13. 如申請專利範圍第11項所述之用於曝光裝置之換氣裝置，更至少包含配置成使該光罩與該光罩護膜之至少一者對該基材定位的一容置槽。