TWI450026B - 用以評估具有重複圖案之物體的方法與系統 - Google Patents

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Description

用以評估具有重複圖案之物體的方法與系統
本發明技術領域主要涉及針對諸如具有重覆圖案的光罩或晶圓之類的物體進行自動光學評估。
諸如晶圓和光罩之類的物體可透過以輻射照明該物體並檢測從該物體分散、從該物體反射或穿過該物體的信號，來進行評估此等物體。輻射可包括光輻射、紫外線輻射和深紫外線輻射。
所檢測的信號由少數個衆所周知的缺陷檢測演算法中的其中一種進行處理。部分演算法包括將表示所檢查圖案的檢測信號與表示參考圖案的相應信號進行比較。後者可為例如經檢查的物體之另一區域中的相應類似圖案(通常稱為「晶片對晶片(Die－to－Die)」檢查)。另一實施例為透過適當的物理模製而產生的具有期望設計的合成圖案(稱為「晶片對資料庫」比較)。
在許多情形下，所檢查的物體包括有重覆圖案。重覆圖案包括多個規則性重覆的結構元素及它們的背景。這些多個規則性重覆的結構元素係光學上可與它們的背景區別。例如，當多個規則重覆的結構元素不透明時，背景為透明的。
對於任一方法，物體的檢測信號(其可形成所檢查物體的圖像)減去參考信號(其可形成參考物體的圖像)，並且該差值的簡單度量(諸如其最高絕對值)用於確定缺陷是否存在。
所檢查圖案的檢測信號的強度與所檢測物體相關聯的 電場的絕對(複)振幅平方成正比，但是額外地或替代地，其由於存在缺陷而可與場擾動成正比。
與在所產生的圖像電場具有巨大振幅的圖案的區域上出現的缺陷相比，表示在產生低振幅圖像電場的圖案的區域上出現的缺陷的缺陷資訊通常較弱(並且甚至不顯著)。
第1圖示出了物體10的重覆圖案11的部分12的非限制實施例。重覆圖案11包括多個基本不透明的規則性重覆的結構元素，諸如線14(1)、14(2)和14(3)，其在諸如透明線15之背景上形成。基本透明的缺陷16位於線14(3)上(或位於其內)，而另一基本不透明的缺陷17位於背景15上(或位於其內)。可預期到與缺陷16相關的缺陷資訊將難以被注意到，或者該缺陷資訊不像位於較高的圖案資訊值(振幅、場強度)之位置處的缺陷17一樣明顯。注意到，一般地，位於不同背景內的相似缺陷可產生不同的缺陷信號。
第2圖示出了掃描部分重覆圖案所獲得的現有技術的檢測信號。
振動曲線24示出了由於理想的不含缺陷的參考重覆圖案而形成於感測器上的期望電磁場。在缺陷16位置處(在感測器處)接收到的淨電磁場表示為26，而在缺陷17位置處接收到的電磁場表示為27。在第2圖的底部面板上，示出了在缺陷16和17的感測器處接收到的淨強度，分別表示為26’和27’。
可從第2圖中清晰地看出，由於缺陷16引起的電場差異遠小於由於缺陷17引起的差異。因此，與缺陷16相關的缺陷資訊難以透過檢測程序注意到。因此，需要能在圖案場的振幅較小的位置處也能進行缺陷檢測的系統和方 法。
一種用於評估具有重覆圖案的物體的系統，該系統包括包含光學裝置；其中該光學裝置包含照明光學組件、採集光學組件和輻射檢測器；其中該照明光學組件經調適用以以輻射點掃描該重覆圖案，從而產生包括多個衍射瓣(diffraction lobe))的衍射圖案；其中該採集光學組件經調適用以將來自該重覆圖案的輻射聚焦到檢測器上；其中所聚焦的輻射包含單一衍射瓣而不包含其他衍射瓣；其中該檢測器回應所採集到並聚焦的輻射而產生檢測信號；其中該光學裝置經調適用以在檢測器的檢測表面保持輻射圖案，該輻射圖案包含由該重覆圖案產生的第一輻射圖案成分和由缺陷產生的第二輻射圖案成分；其中該第一輻射圖案成分比該第二輻射成分強。該重覆圖案包含多個規則性重覆的結構元素，該規則性重覆的結構元素係光學上可與其背景區別。
合宜地，該第一輻射圖案成分係基本恒定。
合宜地，該採集光學組件經調適用以採集包括多個衍射瓣的輻射，且阻擋除了該單一衍射瓣之外的所有衍射瓣；以及經調適用以將來自包含該單一衍射瓣的該重覆圖案的輻射聚焦到該檢測器上。
合宜地，該採集光學組件經調適用以將來自該重覆圖案的輻射聚焦到該檢測器上；其中所聚焦的輻射包含單一衍射瓣和部分其他衍射瓣。
合宜地，該採集光學組件經調適用以採集包括多個衍射瓣的輻射，並阻擋除了該單一衍射瓣和該部分其他衍射 瓣之外的所有衍射瓣。
合宜地，該採集光學組件經調適用以採集包括單一衍射瓣的輻射，而不採集其他衍射瓣。
合宜地，該採集光學組件經調適用以採集包含單一衍射瓣以及至少部分其他衍射瓣的輻射，而不採集此外的衍射瓣。
合宜地，該些多個規則性重覆的結構元素及其背景中至少一個實體係至少部分為透明的，且其中該採集光學組件的至少一個透鏡及該照明光學組件的至少一個透鏡係分別設置在該物體的相對兩側。
合宜地，該些多個規則性重覆的結構元素及其背景係至少部分具有可反射性，且其中該採集光學組件的至少一個透鏡和該照明光學組件的至少一個透鏡係設置在該物體的相同側。
合宜地，該系統另包含處理裝置，該處理裝置經調適用以處理該些檢測信號以評估該物體。
一種用於評估具有重覆圖案的物體的方法，該方法包含以下步驟：(i)以輻射點掃描該重覆圖案，以產生包含多個輻射瓣的衍射圖案；其中該重覆圖案包含多個規則性重覆的結構元素，該些結構元素係光學上可與其背景區別；(ii)採集來自該重覆圖案的輻射並將包含單一衍射瓣而不包含其他衍射瓣的聚焦輻射聚焦到檢測器上；其中在檢測器的檢測表面，所聚焦的輻射具有輻射圖案，其包含由該重覆圖案產生的第一輻射圖案成分和由缺陷產生的第二輻射圖案成分；其中該第一輻射圖案成分比該第二輻射成分強；以及(iii)由該檢測器檢測所採集到並聚焦的輻射，並產生檢測信號作為回應。
合宜地，該第一輻射圖案成分係基本恒定。
合宜地，該方法另包含採集含有多個衍射瓣的輻射以及阻擋除了單一衍射瓣之外的所有衍射瓣之步驟。
合宜地，該採集步驟包含將包含單一衍射瓣和部分其他衍射瓣的輻射聚焦到該檢測器上之步驟。
合宜地，該方法另包含採集含有多個衍射瓣的輻射，以及阻擋除了單一衍射瓣和部分其他衍射瓣之外的所有衍射瓣之步驟。
合宜地，該方法另包含採集含有單一衍射瓣的輻射，而不採集其他衍射瓣之步驟。
合宜地，該方法另包含採集含有單一衍射瓣和至少部分其他衍射瓣的輻射，而不採集此外的衍射瓣之步驟。
合宜地，該些多個規則性重覆的結構元素及其背景係至少部分為透明，並且其中該方法另包含採集穿過該物體的輻射之步驟。
合宜地，該些多個規則性重覆的結構元素及其背景中至少一個實體係至少部分為可反射性，以及其中該方法另包含採集從該物體反射的輻射之步驟。
合宜地，該方法另包含處理該些檢測信號以評估該物體之步驟。
本發明提供一種用於評估包括重覆圖案的物體的方法和系統。注意到系統(或方法)可應用透射(transmissive)檢查方案、反射檢查方案，可使用脈衝光源或連續光源，可利用可見光，利用紫外光或利用深紫外光，可利用軸上照明、離軸照明，可包括多個檢測器，可包括一個或多空 間頻率濾波器或縫隙(aperture)，可執行缺陷檢測、缺陷複驗、度量等等。
為了便於解釋，以下附圖係關於透過透射檢測方案進行的光罩檢查。注意到可檢查其他物體(諸如但是不限於晶圓)。注意到即使光罩也可在反射模式下進行檢查。
本領域的普通技術人員將理解檢測信號的強度係與形成於檢測器上的電場的絕對(複)振幅平方成正比。因此，當檢測信號與參考信號進行比較時，兩種信號之間的差值(δ Ｉ )可回應以下項之和：(i)由缺陷引起的電磁場的微擾的平方(|δ E|2 )，以及(ii)由缺陷引起的電磁場的微擾(|δ E|)、無缺陷圖案引起的電磁場(E ref )和這些電磁場之間的相位角的余弦(cosΦ )的乘積。
以數學術語，參考強度(I ref )與所檢查圖案的強度(I )之間的差值(δ I )可表述為：δ I ＝I －I ref ＝|E ＋E ref |2 －|E ref |2 ＝(|E ref |2 ＋2 |E ref δE | cosΦ ＋|δ E|2 )－|E ref |2 ＝2 |E ref δE | cosΦ ＋|δ E|2 .
假設評估重覆圖案，則E ref (x)為來自理想的無缺陷參考重覆圖案(也稱為圖案資訊)的期望電磁場，δ E (x)為由於缺陷的存在而引起的對電磁場的微擾(也稱為缺陷資訊)，並且Φ 為這兩個場之間的相位。
在由圖案引起的電磁場與微擾δ E 相比之下係較弱的光罩的圖像區域中，即|E ref (x )|<<|δE (x )|，缺陷信號δ I 係由δ E 平方項主宰，也就是，δ I |δ E|2 。例如，當速明缺陷位於不透明規則性重覆的結構元素內時，這將發生。
相反地，在由圖案引起的電磁場與微擾δ E 相比下係較強的區域中，即|E ref (x )|>>|δE (x )|)，缺陷信號δ I 由截項2 |E ref δE | coaΦ 主宰，並因而隨δ E 線性變化。例如，當不透 明缺陷位於透明的規則性重覆的結構元素內時，這將發生。
當對這兩個制度進行比較時，注意到第二種情況對缺陷檢測更有利，原因在於其可能放大較弱的缺陷資訊，否則該缺陷資訊將太弱而不能被檢測系統捕獲。
因此，所提議的方法和系統可產生由未減小到比由缺陷存在而引起的電磁場還小的一振幅值的圖案所引起的電磁場，即所提出的方法和系統避免了其中|E ref (x )|<<|δE (x )|的情形。在檢測器處保持該關係。
合宜地，該系統和方法在檢測器的檢測表面處提供輻射圖案，該圖案包括由重覆圖案產生的第一輻射圖案成分以及由缺陷產生的第二輻射圖案成分。第一輻射圖案成分比第二輻射成分強。
上述檢測器不同於「經典的」暗場檢測器，原因在於其檢測部分的圖案資訊。上述檢測器包括與輻射相互作用的表面。該表面可稱為感應表面或檢測表面。
第3圖示出了根據本發明的實施方式的系統100。
系統100包括光學裝置110。光學裝置110經調適用於缺陷資訊相關方面，可光學地衰減重覆圖案資訊。光學裝置110抑制在檢測器處輻射圖案的調製並同時實現增強缺陷資訊。
光學裝置110包括照明光學組件120、採集光學組件130和檢測器140。注意到系統100可包括其他檢測器。
照明光學組件120經調適用以以輻射點掃描光罩10的重覆圖案11，從而產生包括多個衍射瓣(diffraction lobe)的衍射圖案。為了便於解釋，第3圖示出了零級衍射瓣210，以及兩個其他衍射瓣209(負一級衍射瓣)和211(第一級衍射瓣)。
照明光學組件120或系統100可包括輻射源(未示出)，其可以為准單色光源，諸如ArF Eximer 193nm雷射器。
合宜地，照明光學組件120包括含有縫隙(aperture，也稱之為光瞳面(pupil plane)縫隙)的空間頻率濾波器121，在到達光罩10之前輻射係透過該縫隙傳播。
空間頻率濾波器121可使照明光學組件120的數值孔徑區別於採集光學組件120的數值孔徑。δ 是照明光學組件數值孔徑與採集光學組件數值孔徑之間的比率。空間頻率濾波器121可影響δ 使其具有所欲之值。δ 可以為中等、較小、非常小、較大以及甚至非常大之值。
採集光學組件130經調適用以將來自重覆圖案11的輻射(也稱為聚焦輻射)230聚焦到檢測器140上。聚焦輻射230包括單一的衍射瓣(諸如零級衍射瓣210)而不包括其他衍射瓣。
採集光學組件130包括空間頻率濾波器131和物鏡132。其還可以包括其他透鏡(或其他光學元件)，其為了便於解釋沒有示出。這些其他透鏡可用於轉播已獲得的圖像、圖像放大或圖像縮小，但是這不是必須的。
注意到，儘管第3圖示出零級衍射瓣210係被導引朝向檢測器140，但是其他衍射瓣可聚焦到檢測器140上，例如透過執行離軸採集。還注意到可放置多個檢測器以接收不同級的衍射瓣。
檢測器140回應聚焦輻射230而產生檢測信號。該檢測器可以為電荷耦合裝置(Charged Coupled Device,CCD)陣列，但是這不是必需的。可使用其他圖像檢測器。
根據本發明的實施方式，採集光學組件130的數值孔 徑係足夠大以採集多個衍射瓣。為了僅允許單一衍射瓣聚焦到檢測器140上，空間頻率濾波器131阻擋源自圖案11的所有衍射級(或除了一個之外的所有衍射級)。空間頻率濾波器131可在物鏡132之前或之後。為了便於解釋，空間頻率濾波器131示出在物鏡132之前。空間頻率濾波器131可位於物鏡132的後焦平面中。物鏡132可包括多個透鏡並且在該情形下空間頻率濾波器131甚至可位於多個透鏡之間。
注意到，軸上照明可用於二元光罩及衰減相移光罩，而交替相移光罩可能需要離軸照明。
注意到，當照明純相移光罩時，在不存在任何吸收材料處，還可使用其中一種類型的照明(軸上或離軸)。
輻射圖案190示出在沒有空間頻率濾波器131時物鏡132可使三個衍射瓣209、210和211朝向檢測器140聚焦，但是由於空間頻率濾波器131，在零級衍射瓣210穿過空間頻率濾波器131的縫隙時，衍射瓣209和211被阻擋。空間頻率濾波器131的效應係由圍繞衍射瓣210而不是圍繞其他衍射瓣209和211的圓192來表示。
由於對於具有任何調製的像場來說，至少兩個獨特的相互相干光束必須投射到檢測器140上，因此系統100不僅確保像場不調製，而且其成為非零常數，其具有由光罩10的重覆圖案中的結構元素的透射比、相位和填充因數(filling factor)所確定的振幅。
例如，如果光罩10為衰減相移光罩，則系統100可照明此光罩並產生像場，由於光罩上的大透明區域，使得該像場的振幅為因數f 填充 [1＋T 1/2 cosφPSM ]乘以振幅。這裏f 填充 為透射T≠1的圖案面積的一部分，以及φPSM 為與其相 關聯的相移。對於在6%透射比MoSi相移光罩上的50%責任週期(duty-cycle)的線與空間圖案，該因數等於0.377。這將導致檢測信號的圖案資訊部分基本為常數且高於缺陷資訊振幅，因而可產生易於被檢測到的強缺陷信號。
根據本發明的另一實施方式，空間頻率濾波器131讓零級衍射瓣210和衍射瓣209及211中至少一個衍射瓣的一部分通過。合宜地，部分衍射瓣209和部分衍射瓣211可通過空間頻率濾波器131。此一過濾方案在第4圖中示出。
第5圖示出了根據本發明的實施方式在檢測器140的檢測表面處獲得的輻射圖案。輻射圖案包括由重覆圖案產生的第一輻射圖案成分29。該第一輻射圖案成分為平坦的，其在重覆圖案的圖像中不變化。由缺陷16和17產生的第二輻射圖案成分(26和27)比第一輻射圖案成分29弱。其係疊加在第一輻射圖案成分29上。
第6圖示出了根據本發明的另一實施方式的檢測器140的檢測表面處獲得的輻射圖案。輻射圖案包括由重覆圖案產生的第一輻射圖案成分28。該第一輻射圖案成分28不平坦，其包括以弱振盪方式在重覆圖案上變化的弱振盪成分。由缺陷16和17產生的第二輻射圖案成分(26’和27’)比第一輻射圖案成分28弱。該第二輻射圖案係疊加在第一輻射圖案成分28上。弱振盪可以為正弦曲線。
第7圖示出了根據本發明實施方式用於評估光罩或晶圓的圖案的方法300。
方法300可由系統100執行，但這不是必須的。
方法300由階段310開始，即以輻射點掃描重覆圖案，從而產生包括多個衍射瓣的衍射圖案；其中重覆圖案包括光學上可與其背景區別的多個規則性重覆的結構元素。
階段310之後為階段320，即採集來自重覆圖案的輻射並將包括單一衍射瓣而不包括其他衍射瓣的聚焦輻射聚焦到檢測器上。
階段320之後為階段330，即透過檢測器檢測所採集並聚焦的輻射，並產生檢測信號作為回應。在檢測器的檢測表面，聚焦輻射具有輻射圖案，該輻射圖案包含由重覆圖案產生的第一輻射圖案成分和由缺陷產生的第二輻射圖案成分。第一輻射圖案成分比第二輻射成分強。
合宜地，第一輻射圖案成分係基本恒定。
合宜地，階段320包括：採集包括多個衍射瓣的輻射的階段322和阻擋除了單一衍射瓣之外的所有衍射瓣的階段324。
合宜地，階段320包括將包括單一衍射瓣和部分其他衍射瓣的輻射聚焦到檢測器上。
合宜地，階段320包括：採集包括多個衍射瓣的輻射的階段322和阻擋除了單一衍射瓣和部分其他衍射瓣之外的所有衍射瓣的階段234’。
合宜地，階段320包括採集包括單一衍射瓣的輻射而不採集其他衍射瓣的階段326。
合宜地，階段320包括採集包括單一衍射瓣以及至少部分其他衍射瓣的輻射而不採集此外的衍射瓣的階段326’。
第8圖示出根據本發明之一實例方式之模擬光罩檢測系統之樣本結果300。
第8圖示出了缺陷尺寸(x－軸)和缺陷信號的經正規化振幅(y－軸)之間的關係。該缺陷為在衰減相移光罩的 周期線與空間的周期圖案中在6% MoSi線(不透明圖案)或者在玻璃背景上的小方形鉻(不透明缺陷)。兩個半間距(重覆圖案的)被考慮(65 nm和45 nm @ 1X,即在光罩平面的260 nm和180 nm)，並且鉻缺陷尺寸從10nm到半間距等級變化。
曲線302示出了當使用灰場檢測時鉻缺陷尺寸(當位於玻璃背景上時)與缺陷信號之間的關係。曲線304示出了當使用亮場(虛像)檢測時鉻缺陷尺寸(當位於玻璃背景上時)與缺陷信號之間的關係。曲線306示出了當使用灰場檢測時鉻缺陷尺寸(當位於MoSi線上時)與缺陷信號之間的關係。曲線308示出了當使用亮場(虛像)檢測時鉻缺陷尺寸(當位於MoSi線上時)與缺陷信號之間的關係。
缺陷信號係正規化為背景/圖案強度的最大值，以反應與亮場檢測相比，利用灰場檢測可得到的在動態範圍中的顯著增加。
在信噪比(signal－ti－noise,SNR)為1%級別下，大於60nm的缺陷易於被檢測到。事實上，第8圖示出了透過應用上述方法和系統，所有小缺陷的信號以[NA×缺陷尺寸]2 放大，而不管缺陷的特殊性質。其中NA為採集路徑的數值孔徑。
本領域的普通技術人員將易於理解到，在透過附屬的權利要求所限定的範圍下，各種變形和變化都可應用到以上所限定的本發明的實施方式。
10‧‧‧物體
11‧‧‧重覆圖案
14(1)、14(2)、14(3)‧‧‧線
15‧‧‧透明線
16‧‧‧透明缺陷
17‧‧‧不透明缺陷
24‧‧‧振動曲線
26、27‧‧‧淨電磁場
29‧‧‧第一輻射圖案成分
100‧‧‧系統
110‧‧‧光學裝置
120‧‧‧照明光學組件
121、131‧‧‧空間頻率濾波器
130‧‧‧採集光學組件
132‧‧‧物鏡
190‧‧‧輻射圖案
192‧‧‧圓
209、210、211‧‧‧衍射瓣
26’、27’‧‧‧磁場淨強度
28‧‧‧第一輻射圖案成分
為了理解本發明並明白其實際上如何實施，限制將參 照附圖，僅以非限制實施例方式，描述實施方式，其中：第1圖示出了部分重覆圖案和兩個缺陷；第2圖示出了透過掃描部分重覆圖案獲得的現有技術缺陷信號；第3圖示出了根據本發明的實施方式用於評估具有重覆圖案的物體的系統和光瞳縫隙；第4圖示出了根據本發明的另一實施方式的在物鏡上的輻射圖案；第5圖示出了根據本發明的實施方式的由第3圖的系統掃描圖案的部分重覆圖案獲得的檢測信號；第6圖示出了根據本發明的另一實施方式由第3圖的系統掃描部分重覆圖案所獲得的檢測信號；第7圖示出了根據本發明的實施方式用於評估具有重覆圖案的物體的方法；以及第8圖示出了由類比掩模檢查系統而獲得的樣本初步結果。

Claims (9)

  1. 一種用於評估一具有一重覆圖案的物體的系統，該系統包含一光學裝置；其中該光學裝置包含一照明光學組件、一採集光學組件和一灰場檢測器；其中該照明光學組件適於以一輻射點掃描一物體，該物體具有複數個規則性重複結構元件的一重覆圖案，從而產生一包含多個衍射瓣(diffraction lobe)的衍射圖案；其中該採集光學組件適於採集且過濾該等衍射圖案；其中該等經過濾的衍射圖案包含一單一衍射瓣而不包含其他衍射瓣，其中該採集光學組件適於採集與過濾該等衍射圖案以產生一經過濾的衍射圖案，該經過濾的衍射圖案由一單一衍射瓣組成；以及其中該灰場檢測器適於從該採集光學組件採集一經聚焦輻射圖案且產生檢測信號，其中該等檢測信號包含一第一圖案成分與一第二圖案成分，該第一圖案成分因掃瞄該重複圖案所致，該第二圖案成分因掃瞄該物體上的一缺陷所致；以及其中該採集信號包含該第一圖案成分的震盪信號以及該第二圖案成分的震盪信號，該光學單元適於光學性衰減該第一圖案成分的該震盪信號的至少一者以及該第二圖案成分的該震盪信號以弱化該第一圖案成分的該震盪信號以致於能與該第二圖案成分的該震盪信號作區分。
  2. 如申請專利範圖第1項所述之系統，其中該第一圖案成分係基本恒定。
  3. 如申請專利範圖第1項所述之系統，其中該物體包含一 背景以及一結構元件之至少一者，且該背景至少部分為透明的，且其中該採集光學組件的一部分以及該照明光學組件的一部分設置在該物體的相對兩側。
  4. 如申請專利範圖第1項所述之系統，另包含一處理裝置，該處理裝置經調適用以處理該些檢測信號以評估該物體。
  5. 一種用於評估一具有一重覆圖案的物體的方法，該方法包含以下步驟：利用一照明光學組件以一輻射點掃描一物體，該物體具有複數個規則性重複結構元件的一重覆圖案，例如產生一包含多個輻射瓣的一衍射圖案；利用採集光學組件來採集該衍射圖案；利用該採集光學組件來過濾該衍射圖案使得該經過濾衍射圖案由一單一衍射瓣組成；藉由一灰場檢測器採集採集該經過濾衍射圖案；藉由該灰場檢測器產生檢測信號，該等檢測信號包含一第一圖案成分與一第二圖案成分，該第一圖案成分因掃瞄該重複圖案所致，該第二圖案成分因掃瞄該物體上的一缺陷所致，且該檢測信號包含該第一圖案成分的震盪信號以及該第二圖案成分的震盪信號；以及光學性地衰減該第一圖案成分的該震盪信號的至少一者以及該第二圖案成分的該震盪信號以弱化該第一圖案成分的該震盪信號以致於能與該第二圖案成分的該震盪信號作區分。
  6. 如申請專利範圖第5項所述之方法，其中該第一圖案成分係基本恒定。
  7. 如申請專利範圖第5項所述之方法，該方法包含採集含有一單一衍射瓣的輻射，而不採集含有其他衍射瓣的輻射之步驟。
  8. 如申請專利範圖第5項所述之方法，其中該物體包含一背景以及一結構元件的至少一者且該背景至少部分為透明，該方法更包含：採集輻射，該輻射穿過該至少一個結構元件以及背景。
  9. 如申請專利範圖第5項所述之方法，另包含處理該些檢測信號以評估該物體之步驟。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100042924A (ko) * 2008-10-17 2010-04-27 삼성전자주식회사 포토 마스크의 헤이즈 모니터링 시스템 및 모니터링 방법
US9367911B2 (en) * 2012-06-13 2016-06-14 Applied Materials Israel, Ltd. Apparatus and method for defect detection including patch-to-patch comparisons
JP2014035326A (ja) * 2012-08-10 2014-02-24 Toshiba Corp 欠陥検査装置
KR102090862B1 (ko) 2013-08-23 2020-03-18 케이엘에이 코포레이션 블록-투-블록 레티클 검사
KR102242559B1 (ko) 2014-12-01 2021-04-20 삼성전자주식회사 광학 검사 장치
US9791786B1 (en) * 2016-04-08 2017-10-17 Applied Materials, Inc. Method to reduce line waviness
DE102016107900B4 (de) * 2016-04-28 2020-10-08 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Kantenermittlung eines Messobjekts in der optischen Messtechnik
KR101971272B1 (ko) * 2016-06-02 2019-08-27 주식회사 더웨이브톡 패턴 구조물 검사 장치 및 검사 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200612089A (en) * 2004-03-31 2006-04-16 Hoya Corp Unevenness defect inspection method and inspection device thereof
US7037627B2 (en) * 2002-10-25 2006-05-02 Sharp Kabushiki Kaisha Photomask defect testing method, photomask manufacturing method and semiconductor integrated circuit manufacturing method
TWI263772B (en) * 2004-05-28 2006-10-11 Hoya Corp Mura defect inspection mask, apparatus and method of inspecting the mura defect, and method of producing a photomask
JP2006330007A (ja) * 1998-07-28 2006-12-07 Hitachi Ltd 欠陥検査装置およびその方法
TWI276794B (en) * 2003-11-20 2007-03-21 Hoya Corp Method of inspecting unevenness defect of pattern and device thereof

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60708B2 (ja) * 1979-11-07 1985-01-09 株式会社東芝 欠陥検査装置
US4352564A (en) * 1980-05-30 1982-10-05 Rca Corporation Missing order defect detection apparatus
US4395122A (en) * 1981-04-29 1983-07-26 Rca Corporation Defect detection system
JP2695600B2 (ja) * 1993-10-01 1997-12-24 浜松ホトニクス株式会社 光学検査装置
US5774222A (en) * 1994-10-07 1998-06-30 Hitachi, Ltd. Manufacturing method of semiconductor substrative and method and apparatus for inspecting defects of patterns on an object to be inspected
US5838433A (en) * 1995-04-19 1998-11-17 Nikon Corporation Apparatus for detecting defects on a mask
EP0930498A3 (en) * 1997-12-26 1999-11-17 Nidek Co., Ltd. Inspection apparatus and method for detecting defects
US6137570A (en) * 1998-06-30 2000-10-24 Kla-Tencor Corporation System and method for analyzing topological features on a surface
US6690469B1 (en) * 1998-09-18 2004-02-10 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for observing and inspecting defects
JP3858571B2 (ja) * 2000-07-27 2006-12-13 株式会社日立製作所 パターン欠陥検査方法及びその装置
JP3990981B2 (ja) * 2000-12-15 2007-10-17 ケイエルエイ−テンコー コーポレイション 基板を検査するための方法及び装置
US6657714B2 (en) * 2001-09-24 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Defect detection with enhanced dynamic range
US7053999B2 (en) * 2002-03-21 2006-05-30 Applied Materials, Inc. Method and system for detecting defects
US7006224B2 (en) * 2002-12-30 2006-02-28 Applied Materials, Israel, Ltd. Method and system for optical inspection of an object
US7525659B2 (en) * 2003-01-15 2009-04-28 Negevtech Ltd. System for detection of water defects
JPWO2005064322A1 (ja) * 2003-12-26 2007-07-19 株式会社ニコン 欠陥検査装置および欠陥検査方法
US7315364B2 (en) * 2004-10-25 2008-01-01 Applied Materials, Israel, Ltd. System for inspecting a surface employing configurable multi angle illumination modes
JP4583155B2 (ja) * 2004-12-13 2010-11-17 Ｈｏｙａ株式会社 欠陥検査方法及びシステム、並びにフォトマスクの製造方法
KR20060070003A (ko) * 2004-12-20 2006-06-23 삼성전자주식회사 반도체 기판의 결함 검출 방법
KR20070010619A (ko) * 2005-07-19 2007-01-24 삼성전자주식회사 웨이퍼 검사 장치
US7345754B1 (en) * 2005-09-16 2008-03-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Fourier filters and wafer inspection systems
US7990546B2 (en) * 2007-07-16 2011-08-02 Applied Materials Israel, Ltd. High throughput across-wafer-variation mapping

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006330007A (ja) * 1998-07-28 2006-12-07 Hitachi Ltd 欠陥検査装置およびその方法
US7037627B2 (en) * 2002-10-25 2006-05-02 Sharp Kabushiki Kaisha Photomask defect testing method, photomask manufacturing method and semiconductor integrated circuit manufacturing method
TWI276794B (en) * 2003-11-20 2007-03-21 Hoya Corp Method of inspecting unevenness defect of pattern and device thereof
TW200612089A (en) * 2004-03-31 2006-04-16 Hoya Corp Unevenness defect inspection method and inspection device thereof
TWI266872B (en) * 2004-03-31 2006-11-21 Hoya Corp Unevenness defect inspection method and device of pattern
TWI263772B (en) * 2004-05-28 2006-10-11 Hoya Corp Mura defect inspection mask, apparatus and method of inspecting the mura defect, and method of producing a photomask

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Publication number Publication date
KR101275711B1 (ko) 2013-06-14
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KR20090006810A (ko) 2009-01-15

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