TWI446841B - 埋入式元件電路板與其製作方法 - Google Patents

Description

埋入式元件電路板與其製作方法

本發明係有關於一種埋入式元件電路板與其製作方法，特別是有關於一種具有01005晶片式電阻/電容之埋入式元件電路板與其製作方法。

隨著科技的日新月異，電子產品的外觀尺寸也越來越小。為了配合越來越小的電子產品，電路板的設計也日趨精密。

部份的電路板，可將電子元件，例如是主動元件(Active device)及被動元件(Passive device)等，埋入電路板之內層中，然後經由成導電孔等方式相互導通，稱之為元件埋入式元件電路板(Device embedded printed circuit board)。當元件內置於電路板中後，其外層兩面與一般的電路板並無差異，仍然可以搭載其他主動元件或被動元件而成為組裝板。

然而，由於被埋入的電子元件的規格尺寸並不相同，而使得壓合後易產生凹陷，以致於後續影像轉移線路可能因此產生斷路的問題。

此外，由於部份埋入式電子元件的尺寸十分的小巧，而利用導電孔連接時，亦有可能產生對準不易，以致於造成接觸不良的情況，然若進一步縮小導電孔的尺寸，則可能出現產品可靠度的問題。

因此，實有必要，進一步改善埋入小尺寸電子元件之埋入式元件電路板的產品可靠度，以及有效避免電路板產 生凹陷的情況，並進一步降低影像轉移線路的斷路的問題。

鑒於上述之先前技術中所述，由於元件埋入式元件電路板中被埋入的電子元件的規格尺寸並不相同，而使得壓合後易產生凹陷，將造成後續影像轉移線路可能因此產生斷路的問題。另，由於部份小尺寸的埋入式電子元件，由於電極端子的尺寸十分的小，以致於與導電孔對準不易，容易造成接觸不良的情況，但若是進一步縮小導電孔的尺寸，則可能出現產品可靠度的問題。

本發明之目的之一，係提供一種埋入式元件電路板與其製作方法，以避免電路板產生凹陷的情況，並降低影像轉移線路的斷路的問題，進一步提高埋入式元件電路板的產品可靠度。

根據以上所述之目的，本發明之一態樣，係揭露一種埋入式元件電路板的製作方法，包含有下列步驟，首先，提供一基材，具有一銅箔層、一承載層與一分離層；利用一黏著劑固定一埋入式元件於基材之上，其中埋入式元件包含一第一端電極與一第二端電極；壓合一第一絕緣膠片與一絕緣層於基材上，其中第一絕緣膠片與絕緣層具有開孔對應於埋入式元件；塗佈一絕緣膠至第一絕緣膠片與絕緣層的開孔中，其中絕緣膠的高度約等於絕緣層的高度；壓合一第二絕緣膠片與一金屬層於絕緣膠與絕緣層之上，以形成一核心層；以及由銅箔層上，剝離承載層與分離層，其中，銅箔層上形成有至少一開口，以露出第一端電極與 第二端電極。

在一實施例中，上述之埋入式元件電路板製作方法，更包含利用雷射移除銅箔層，以形成開口，開口的長度大於寬度；以及去除開口中的黏著劑，以露出第一端電極與第二端電極。上述之開口的寬度介於25微米(μm)至50微米之間，長度大於50微米，較佳地開口的寬度介於25微米(μm)至40微米之間，而長度大於100微米。

在一實施例中，上述之銅箔層亦可在第一端電極與第二端電極上分別形成有二個以上的開口。上述之開口的直徑約為25微米至50微米之間。

在一實施例中，上述之埋入式元件電路板製作方法，亦可以在利用一黏著劑固定一埋入式元件於基材之上之步驟之前，利用雷射形成開口銅箔層上。

在一實施例中，上述之埋入式元件電路板製作方法，更包含，利用雷射形成開口於銅箔層上，且開口是一長條形開口，由第一端電極經一非電極區域，延伸至第二端電極，移除長條形開口中的黏著劑，以由長條形開口中，露出第一端電極、第二端電極以及一非電極區域；形成一電鍍層；以及圖案化電鍍層，以形成一上方電路層、一下方電路層與二導電窗，並且同時電性隔離第一端電極與第二端電極上之二導電窗。上述之二導電窗的距離較佳地小於非電極區域的長度。

在一實施例中，上述之埋入式元件電路板製作方法，更包含，利用雷射形成開口於銅箔層上，且開口是一長條形開口，由第一端電極經一非電極區域，延伸至第二端電 極；移除長條形開口中的黏著劑，以由長條形開口中露出第一端電極、第二端電極以及一非電極區域；形成一導電層；形成一圖案化的光阻層於導電層之上；形成一電鍍層於圖案化的光阻層之中；移除圖案化的光阻層；以及蝕刻電鍍層開口中的銅箔層與導電層，以形成一上方電路層、一下方電路層與二導電窗，並且同時電性隔離第一端電極與第二端電極上之二導電窗。其中，上述之二導電窗的距離較佳地小於非電極區域的長度。

本發明之另一態樣係提供一種埋入式元件電路板，包含有一基材，具有一銅箔層、一承載層與一分離層；一埋入式元件，其中埋入式元件包含一第一端電極與一第二端電極；一黏著劑，固定埋入式元件於基材之上；一第一絕緣膠片與一絕緣層，壓合於基材上，其中第一絕緣膠片與絕緣層具有開孔對應於埋入式元件；一絕緣膠，塗佈至第一絕緣膠片與絕緣層的開孔中，其中絕緣膠的高度約等於絕緣層的高度；以及一第二絕緣膠片與一金屬層，壓合於絕緣膠與絕緣層之上，以形成一核心層，其中，銅箔層上形成有至少一開口，以露出第一端電極與第二端電極，且當第二絕緣膠片與金屬層，壓合於絕緣膠與絕緣層之後，承載層與分離層由基材上移除。

在一實施例中，上述之開口的寬度介於25微米(μm)至50微米之間，開口的長度大於50微米，較佳地開口的寬度介於25微米(μm)至40微米之間，開口的長度大於100微米。

在一實施例中，上述之銅箔層在第一端電極上形成有 二個以上的開口，而銅箔層在第二端電極上亦形成有二個以上的開口。而開口的直徑約為25微米至50微米之間。

在一實施例中，上述之開口是一長條形開口，由第一端電極經一非電極區域，延伸至第二端電極；以及二導電窗，形成於長條形開口，且二導電窗彼此電性隔離。其中上述之二導電窗的距離較佳地小於非電極區域的長度。

因此，本發明之埋入式元件電路板，可有效地避免埋入式元件電路板產生凹陷的情況，以改善影像轉移線路的斷路的問題，且可改善導電窗與元件電極對準不易的情況，進而提高埋入式元件電路板的產品可靠度。

本發明係揭露一種埋入式元件電路板與其製作方法，可有效地避免埋入式元件電路板產生凹陷的情況，並改善影像轉移線路的斷路的問題，進而提高埋入式元件電路板的產品可靠度。以下將以圖示及詳細說明清楚說明本發明之精神，如熟悉此技術之人員在瞭解本發明之較佳實施例後，當可由本發明所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本發明之精神與範圍。

第1A圖至第1I圖係繪示本發明之埋入式元件電路板製作方法之第一實施例之流程示意圖。參閱第1A圖，如圖中所示，當製作埋入式元件電路板時，首先提供一基板包含一銅箔層106與一承載層102。而銅箔層106與承載層102之中，可以設置一分離層104，以方便後續製程中進行分離。其中，承載層102、分離層104與銅箔層106 上設置有對位孔108，以便於後續製程中進行基板的對位。對位孔108可以是由機械鑽孔或雷射鑽孔的方式形成，然並不限定於此。

接著，參閱第1B圖，如圖中所示，印刷黏著劑112於銅箔層106之上，並放置埋入式元件110於黏著劑112，以將埋入式元件110固定於基板之上。黏著劑112較佳地具有高黏度的特性，以減少黏著劑的流動，黏度較佳地大於10 Pa．s。此外，黏著劑112較佳地更可以具備有低熱膨脹係數的特性。舉例來說，黏著劑112在玻璃轉移溫度以下之溫度的熱膨脹係數可小於80 ppm。而在玻璃轉移溫度以上之熱膨脹係數可小於160 ppm。

其中，埋入式元件110可以是主動元件(Active device)，例如是電晶體或二極體等，或者是被動元件(Passive device)，例如是電阻(resistor)、電容(capacitor)或電感(inductor)。其中，本發明之埋入式元件電路板製作方法較佳地可使用在01005晶片式電阻/電容之埋入製程中。埋入式元件110具有一第一端電極111與一第二端電極113以用來與銅箔層106或其他電路進行導通。

進一步參閱第1C圖，如圖中所示，接著壓合一絕緣膠片114以及一絕緣層116，其具有合適的開孔，以避開基板上的埋入式元件110。

參閱第1D圖，如圖中所示，塗佈一絕緣膠118至絕緣膠片114與絕緣層116的開孔中，較佳地一併抽真空，以達到填覆及無氣泡要求，然後再熱固化絕緣膠118。

參閱第1E圖，如圖中所示，進一步壓合一絕緣膠片 120與一金屬層122於其上，以形成一核心層。由於上述之絕緣膠片120與金屬層122壓合於具有絕緣膠片114以及絕緣層116之基材之上時，其開口已被絕緣膠118所填滿，並填補埋入式元件110與絕緣膠片114以及絕緣層116之高度差，例如是使兩者高度一致，故絕緣膠片120與金屬層122可以形成一較為平坦的表面，以改善埋入式元件110因高度不同，而造成凹陷的問題，進而提高後續的影像轉移的線路的品質。

在壓合絕緣膠片120與金屬層122於基材之後，接著將銅箔層106與承載層102利用分離層104剝離，亦即將承載層102與分離層104由銅箔層106上分離，以形成雙面均具有金屬層的電路板基材。

參閱第1F圖，利用雷射開窗以移除銅箔層106，並去除黏著劑112以形成開口124，進而露出部份的第一端電極111與第二端電極113。開口124的形狀構成導電窗160，其長度162大於寬度164，參閱上方之第1F圖(a)。

相較於傳統的導電窗，本發明之導電窗160的寬度164約介於25微米(μm)至50微米之間，較佳地介於25微米至40微米之間，更佳地介於25微米至30微米之間。而導電窗160的長度162大於導電窗160的寬度164，因此，導電窗160的長度162大於25微米，較佳地大於50微米之間，更佳地大於100微米。

同時參閱第5圖，以01005晶片式電阻/電容為例，01005晶片式電阻/電容的元件長度510約為400微米，元件寬度520約為200微米，而其電極長度530約為100微 米。因此，利用本發明之埋入式元件電路板製作方法，可形成一導電窗，其導電窗寬度540約為25微米，而導電窗長度550則可利用雷射平行01005晶片式電阻/電容的短邊方向延伸，使其長度形成約在150微米左右。因此，本發明可有效地增加導電窗的面積，且可以有效避免導電窗無法對準01005晶片式電阻/電容之電極之問題，進而避免搭接不良的情況。

此外，參閱第6圖，其係本發明之埋入式元件電路板之導電窗之另一實施例示意圖。如圖中所示，以01005晶片式電阻/電容為例，01005晶片式電阻/電容的元件長度610約為400微米，元件寬度620約為200微米，而其電極長度630約為100微米。因此，利用本發明之埋入式元件電路板製作方法，可在每一電極上形成複數個導電窗650，其數量大於兩個，較佳地大於3個。此外，導電窗直徑640約介於25微米至50微米之間。因此，本發明利用增加導電窗的數量，以有效避免導電窗無法對準01005晶片式電阻/電容之電極之問題，進而避免搭接不良的情況。

回到第1G圖，如圖所示，進行鑽孔並進行電鍍銅，以與基材上之銅箔層106以及金屬層122，較佳地亦為一銅箔層，形成所需的電鍍層128與金屬導孔126。然後參閱第1H圖，如圖中所示，進一步利用微影製程，以進行電路影像轉移，以在基材上方與下方之電鍍層128形成上方電路層130與下方電路層132。

參閱第1I圖，如圖中所示，本發明之埋入式元件電路板可進一步在其上方壓合一上方層板140，並在其下方壓 合一金屬導孔144，以增加電路板的電路變化。其中，上方層板140較佳地包含有一絕緣層142與一金屬導孔144，而下方層板150較佳地包含有一絕緣層152與一金屬導孔154。

第2A圖至第2I圖係繪示本發明之埋入式元件電路板製作方法之第二實施例之流程示意圖。參閱第2A圖，如圖中所示，當製作埋入式元件電路板時，首先提供一基板包含一銅箔層206與一承載層202。而銅箔層206與承載層202之中，可以設置一分離層204，以方便後續製程中進行分離。其中，承載層202、分離層204與銅箔層206上設置有對位孔208，以便於後續製程中進行基板的對位。對位孔208可以是由機械鑽孔或雷射鑽孔的方式形成，然並不限定於此。在此實施例中，基板進一步利用雷射在分離層204與銅箔層206上形成開口272，以在後續製程中形成所需之導電窗。

接著，參閱第2B圖，如圖中所示，印刷黏著劑212於銅箔層206之上，並放置埋入式元件210於黏著劑212，以將埋入式元件210固定於基板之上。黏著劑212較佳地具有高黏度的特性，以減少黏著劑的流動，黏度較佳地大於10 Pa．s。此外，黏著劑212較佳地更可以具備有低熱膨脹係數的特性。舉例來說，黏著劑212在玻璃轉移溫度以下之溫度的熱膨脹係數可小於80 ppm。而在玻璃轉移溫度以上之熱膨脹係數可小於160 ppm。

其中，此埋入式元件210亦可以是主動元件(Active device)，例如是電晶體或二極體等，或者是被動元件 (Passive device)，例如是電阻(resistor)、電容(capacitor)或電感(inductor)。本發明之埋入式元件電路板製作方法較佳地可使用在01005晶片式電阻/電容之埋入製程中。埋入式元件210具有一第一端電極211與一第二端電極213以用來與銅箔層206或其他電路進行導通。

進一步參閱第2C圖，如圖中所示，接著壓合一絕緣膠片214以及一絕緣層216，其具有合適的開孔，以避開基板上的埋入式元件210。

參閱第2D圖，如圖中所示，塗佈一絕緣膠218至絕緣膠片214與絕緣層216的開孔中，較佳地一併抽真空，以達到填覆及無氣泡要求，然後再熱固化絕緣膠218。

參閱第2E圖，如圖中所示，進一步壓合一絕緣膠片220與一金屬層222於其上，以形成一核心層。由於上述之絕緣膠片220與金屬層222壓合於具有絕緣膠片214以及絕緣層216之基材之上時，其開口已被絕緣膠218所填滿，並填補埋入式元件210與絕緣膠片214以及絕緣層216之高度差，例如是使兩者高度一致，故絕緣膠片220與金屬層222可以形成一較為平坦的表面，以改善埋入式元件210因高度不同，而造成凹陷的問題，進而提高後續的影像轉移的線路的品質。

在壓合絕緣膠片220與金屬層222於基材之後，接著將銅箔層206與承載層202利用分離層204剝離，亦即將承載層202與分離層204由銅箔層206上分離，以形成雙面均具有金屬層的電路板基材。

參閱第2F圖，去除黏著劑212以形成開口224，進而 露出部份的第一端電極211與第二端電極213。開口224的形狀構成導電窗260，其長度262大於寬度264，參閱上方之第2F圖(a)。

相較於傳統的導電窗，本發明之導電窗260的寬度264約介於25微米(μm)至50微米之間，較佳地介於25微米至40微米之間，更佳地介於25微米至30微米之間。而導電窗260的長度262大於導電窗260的寬度264。因此，導電窗260的長度262大於25微米，較佳地大於50微米之間，更佳地大於100微米。

同時參閱第5圖，以01005晶片式電阻/電容為例，01005晶片式電阻/電容的元件長度510約為400微米，元件寬度520約為200微米，而其電極長度530約為100微米。因此，利用本發明之埋入式元件電路板製作方法之第二實施例，可形成一導電窗，其導電窗寬度540約為25微米，而導電窗長度550則可利用雷射平行01005晶片式電阻/電容的短邊方向延伸，使其長度形成約在150微米左右。因此，本發明可有效地增加導電窗的面積，且可以有效避免導電窗無法對準01005晶片式電阻/電容之電極之問題，進而避免搭接不良的情況。

此外，參閱第6圖，其係本發明之埋入式元件電路板之導電窗之另一實施例示意圖。如圖中所示，以01005晶片式電阻/電容為例，01005晶片式電阻/電容的元件長度610約為400微米，元件寬度620約為200微米，而其電極長度630約為100微米。因此，利用本發明之埋入式元件電路板製作方法，可在每一電極上形成複數個導電窗 650，其數量大於兩個，較佳地大於3個。此外，導電窗直徑640約介於25微米至50微米之間。因此，本發明利用增加導電窗的數量，以有效避免導電窗無法對準01005晶片式電阻/電容之電極之問題，進而避免搭接不良的情況。

回到第2G圖，如圖所示，進行鑽孔並進行電鍍銅，以與基材上之銅箔層206以及金屬層222，較佳地亦為一銅箔層，形成所需的電鍍層228與金屬導孔226。然後參閱第2H圖，如圖中所示，進一步利用微影製程，以進行電路影像轉移，以在基材上方與下方之電鍍層228形成上方電路層230與下方電路層232。

參閱第2I圖，如圖中所示，本發明之埋入式元件電路板可進一步在其上方壓合一上方層板240，並在其下方壓合一金屬導孔244，以增加電路板的電路變化。其中，上方層板240較佳地包含有一絕緣層242與一金屬導孔244，而下方層板250較佳地包含有一絕緣層252與一金屬導孔254。

第3A圖至第3I圖係繪示本發明之埋入式元件電路板製作方法之第三實施例之流程示意圖。參閱第3A圖，如圖中所示，當製作埋入式元件電路板時，首先提供一基板包含一銅箔層306與一承載層302。而銅箔層306與承載層302之中，可以設置一分離層304，以方便後續製程中進行分離。其中，承載層302、分離層304與銅箔層306上設置有對位孔308，以便於後續製程中進行基板的對位。對位孔308可以是由機械鑽孔或雷射鑽孔的方式形成，然並不限定於此。

接著，參閱第3B圖，如圖中所示，印刷黏著劑312於銅箔層306之上，並放置埋入式元件310於黏著劑312，以將埋入式元件310固定於基板之上。黏著劑312較佳地具有高黏度的特性，以減少黏著劑的流動，黏度較佳地大於10 Pa．s。此外，黏著劑312較佳地更可以具備有低熱膨脹係數的特性。舉例來說，黏著劑312在玻璃轉移溫度以下之溫度的熱膨脹係數可小於80 ppm。而在玻璃轉移溫度以上之熱膨脹係數可小於160 ppm。

其中，埋入式元件310可以是主動元件(Active device)，例如是電晶體或二極體等，或者是被動元件(Passive device)，例如是電阻(resistor)、電容(capacitor)或電感(inductor)。其中，本發明之埋入式元件電路板製作方法較佳地可使用在01005晶片式電阻/電容之埋入製程中。埋入式元件310具有一第一端電極311與一第二端電極313以用來與銅箔層306或其他電路進行導通。

進一步參閱第3C圖，如圖中所示，接著壓合一絕緣膠片314以及一絕緣層316，其具有合適的開孔，以避開基板上的埋入式元件310。

參閱第3D圖，如圖中所示，塗佈一絕緣膠318至絕緣膠片314與絕緣層316的開孔中，較佳地一併抽真空，以達到填覆及無氣泡要求，然後再熱固化絕緣膠318。

參閱第3E圖，如圖中所示，進一步壓合一絕緣膠片320與一金屬層322於其上，以形成一核心層。由於上述之絕緣膠片320與金屬層322壓合於具有絕緣膠片314以及絕緣層316之基材之上時，其開口已被絕緣膠318所填 滿，並填補埋入式元件310與絕緣膠片314以及絕緣層316之高度差，例如是使兩者高度一致，故絕緣膠片320與金屬層322可以形成一較為平坦的表面，以改善埋入式元件310因高度不同，而造成凹陷的問題，進而提高後續的影像轉移的線路的品質。

在壓合絕緣膠片320與金屬層322於基材之後，接著將銅箔層306與承載層302利用分離層304剝離，亦即將承載層302與分離層304由銅箔層306上分離，以形成雙面均具有金屬層的電路板基材。

參閱第3F圖，利用雷射開窗以移除銅箔層306，參閱標號380去除部份黏著劑312及/或絕緣材料，以形成開口324，進而露出部份的第一端電極311、第二端電極313以及兩電極中間的非電極區域。開口324，亦即用來後續形成所需形狀之導電窗的開口360，其長度362大於寬度364，參閱上方之第3F圖(a)。

相較於傳統的導電窗，本發明之開口360的寬度364約介於25微米(μm)至150微米之間，較佳地介於50微米至125微米之間，更佳地介於75微米至100微米之間。而開口360的長度362大於開口360的寬度364。因此，開口360的長度362大於200微米，較佳地大於250微米之間，更佳地大於300微米。其中，於後續製程中，開口360中間將被電性隔離，以使其一分為二，使第一端電極311的導電窗與第二端電極313的導電窗電性隔離。

同時參閱第7圖，以01005晶片式電阻/電容為例，01005晶片式電阻/電容的元件長度710約為400微米，元 件寬度720約為200微米，而其電極長度730約為100微米，而電極中間的非電極區域的非電極區域的長度760約為200微米。因此，利用本發明之埋入式元件電路板製作方法，可形成一開口長度770約為300微米的導電窗，然後在去除部份電極中間的非電極區域的材料，使形成左右各一個的導電窗，其導電窗寬度740約為25微米，而開口770則係以雷射平行01005晶片式電阻/電容的長邊方向延伸，使其長度形成約在300微米左右，而當去除去除部份電極中間的非電極區域的導電窗材料後，左右的導電窗長度750約為50微米以上。因此，本發明可有效地增加導電窗的面積，且可以有效避免導電窗無法對準01005晶片式電阻/電容之電極之問題，進而避免搭接不良的情況。其中，左右的導電窗的距離可小於非電極區域的長度760。

回到第3G圖，如圖所示，進行鑽孔並進行電鍍銅，以與基材上之銅箔層306以及金屬層322，較佳地亦為一銅箔層，形成所需的電鍍層328與金屬導孔326。然後參閱第3H圖，如圖中所示，進一步利用微影製程，以進行電路影像轉移，以在基材上方與下方之電鍍層328形成上方電路層330與下方電路層332。此實施例在微影製程的同時，將連接兩電極的導電窗中間的部份移除，使形成兩獨立的導電窗，且整體導電窗係由雷射平行埋入式元件310的方向形成所需之開口，故有效地增加了導電窗的大小，使其確保與埋入式元件310的第一端電極311與第二端電極313電性連接。其中，導電窗中間的部份移除所形成之開口382的寬度較佳地小於200微米，更佳地小於150微 米。因此，所形成之導電窗甚至可連接埋入式元件310的第一端電極311與第二端電極313的側邊，以增加導電窗與電極的接觸面積。

參閱第3I圖，如圖中所示，本發明之埋入式元件電路板可進一步在其上方壓合一上方層板340，並在其下方壓合一金屬導孔344，以增加電路板的電路變化。其中，上方層板340較佳地包含有一絕緣層342與一金屬導孔344，而下方層板350較佳地包含有一絕緣層352與一金屬導孔354。

第4A圖至第4I圖係繪示本發明之埋入式元件電路板製作方法之第四實施例之流程示意圖。參閱第4A圖，如圖中所示，當製作埋入式元件電路板時，首先提供一基板包含一銅箔層406與一承載層402。而銅箔層406與承載層402之中，可以設置一分離層404，以方便後續製程中進行分離。其中，承載層402、分離層404與銅箔層406上設置有對位孔408，以便於後續製程中進行基板的對位。對位孔408可以是由機械鑽孔或雷射鑽孔的方式形成，然並不限定於此。

接著，參閱第4B圖，如圖中所示，印刷黏著劑412於銅箔層406之上，並放置埋入式元件410於黏著劑412，以將埋入式元件410固定於基板之上。黏著劑412較佳地具有高黏度的特性，以減少黏著劑的流動，黏度較佳地大於10 Pa．s。此外，黏著劑412較佳地更可以具備有低熱膨脹係數的特性。舉例來說，黏著劑412在玻璃轉移溫度以下之溫度的熱膨脹係數可小於80 ppm。而在玻璃轉移溫度 以上之熱膨脹係數可小於160 ppm。

其中，埋入式元件410可以是主動元件(Active device)，例如是電晶體或二極體等，或者是被動元件(Passive device)，例如是電阻(resistor)、電容(capacitor)或電感(inductor)。其中，本發明之埋入式元件電路板製作方法較佳地可使用在01005晶片式電阻/電容之埋入製程中。埋入式元件410具有一第一端電極411與一第二端電極413以用來與銅箔層406或其他電路進行導通。

進一步參閱第4C圖，如圖中所示，接著壓合一絕緣膠片414以及一絕緣層416，其具有合適的開孔，以避開基板上的埋入式元件410。

參閱第4D圖，如圖中所示，塗佈一絕緣膠418至絕緣膠片414與絕緣層416的開孔中，較佳地一併抽真空，以達到填覆及無氣泡要求，然後再熱固化絕緣膠418。

參閱第4E圖，如圖中所示，進一步壓合一絕緣膠片420與一金屬層422於其上，以形成一核心層。由於上述之絕緣膠片420與金屬層422壓合於具有絕緣膠片414以及絕緣層416之基材之上時，其開口已被絕緣膠418所填滿，並填補埋入式元件410與絕緣膠片414以及絕緣層416之高度差，例如是使兩者高度一致，故絕緣膠片420與金屬層422可以形成一較為平坦的表面，以改善埋入式元件410因高度不同，而造成凹陷的問題，進而提高後續的影像轉移的線路的品質。

在壓合絕緣膠片420與金屬層422於基材之後，接著將銅箔層406與承載層402利用分離層404剝離，亦即將 承載層402與分離層404由銅箔層406上分離，以形成雙面均具有金屬層的電路板基材。

參閱第4F圖，利用雷射開窗以移除銅箔層406，並參閱標號480去除部份黏著劑412及/或絕緣材料，以形成開口424，進而露出部份的第一端電極411、第二端電極413以及兩電極中間的非電極區域。開口424，亦即用來後續形成所需形狀之導電窗的開口460的長度462大於寬度464，參閱上方之第4F圖(a)。

相較於傳統的導電窗，本發明之開口460的寬度464約介於25微米(μm)至150微米之間，較佳地介於50微米至125微米之間，更佳地介於75微米至100微米之間。而開口460的長度462大於開口460的寬度464。因此，開口460的長度462大於200微米，較佳地大於250微米之間，更佳地大於300微米。其中，於後續製程中，開口460中間將被電性隔離，以使其一分為二分別形成所需的導電窗，使第一端電極411的導電窗與第二端電極413的導電窗電性隔離。

同時參閱第7圖，以01005晶片式電阻/電容為例，01005晶片式電阻/電容的元件長度710約為400微米，元件寬度720約為200微米，而其電極長度730約為100微米，而電極中間的非電極區域的非電極區域的長度760約為200微米。因此，利用本發明之埋入式元件電路板製作方法，可形成一開口長度770約為300微米的導電窗，然後在去除部份電極中間的非電極區域的材料，使形成左右各一個的導電窗，其導電窗寬度740約為25微米，而開口 770則係以雷射平行01005晶片式電阻/電容的長邊方向延伸，使其長度形成約在300微米左右，而當去除去除部份電極中間的非電極區域的導電窗材料後，左右的導電窗長度750約為50微米以上。因此，本發明可有效地增加導電窗的面積，且可以有效避免導電窗無法對準01005晶片式電阻/電容之電極之問題，進而避免搭接不良的情況。其中，左右的導電窗的距離可小於非電極區域的長度760。

回到第4G圖，如圖所示，進行鑽孔，並形成導電層490於基材的表面，接著再分別形成上方光阻層492與下方光阻層494於基材的兩面，並進行圖案化，使其產生所需之電路圖案，且於電極中間的非電極區域形成一中間光阻495，以用來隔離後續的導電窗。

接著，參閱第4H圖，如圖中所示，進行電鍍銅，以形成一圖案化的上方電鍍層496與圖案化的下方電鍍層498於導電層490之外，較佳地金屬層422以及導電層490亦為銅箔層。然後形成移除上方光阻層492與下方光阻層494，包含中間光阻495。

參閱第4I圖，如圖中所示，進行閃蝕(flash etching)，以移除未被圖案化的上方電鍍層496與圖案化的下方電鍍層498所覆蓋的銅箔層406、金屬層422以及導電層490，亦即利用閃蝕製程，以將電鍍層496與下方電鍍層498開口與周圍所露出的銅箔層406、金屬層422以及導電層490移除，以在基材上方與下方形成上方電路層430與下方電路層432。此實施例在微影製程的同時，利用中間光阻495，以形成兩獨立的導電窗。其中，導電窗中間的開口 482的寬度可小於非電極區域的長度，較佳地小於200微米，更佳地小於150微米。因此，所形成之導電窗甚至可連接埋入式元件410的第一端電極411與第二端電極413的側邊，以增加導電窗與電極的接觸面積。同時參閱第7圖左側的立體圖，導電窗的距離小於非電極區域的長度760，且下方電路層或銅墊的距離亦小於非電極區域的長度760。

如前所述，本發明之埋入式元件電路板亦可進一步在其上方壓合一上方層板，並在其下方壓合一金屬導孔，以增加電路板的電路變化。其中，上方層板較佳地包含有一絕緣層與一金屬導孔，而下方層板較佳地包含有一絕緣層與一金屬導孔。值得注意的是，此實施例較佳地是採用負光阻製程，而第3A圖至第3I圖較佳地則係採用正光阻製程。

因此，利用本發明之埋入式元件電路板，可有效地避免埋入式元件電路板產生凹陷的情況，以改善影像轉移線路的斷路的問題，且可改善導電窗與元件電極對準不易的情況，進而提高埋入式元件電路板的產品可靠度。

如熟悉此技術之人員所瞭解的，以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍。凡其它未脫離本發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍內。

102‧‧‧承載層

104‧‧‧分離層

106‧‧‧銅箔層

108‧‧‧對位孔

110‧‧‧埋入式元件

111‧‧‧第一端電極

112‧‧‧黏著劑

113‧‧‧第二端電極

114‧‧‧絕緣膠片

318‧‧‧絕緣膠

320‧‧‧絕緣膠片

322‧‧‧金屬層

324‧‧‧開口

326‧‧‧金屬導孔

328‧‧‧電鍍層

330‧‧‧上方電路層

332‧‧‧下方電路層

340‧‧‧上方層板

116‧‧‧絕緣層

118‧‧‧絕緣膠

120‧‧‧絕緣膠片

122‧‧‧金屬層

124‧‧‧開口

126‧‧‧金屬導孔

128‧‧‧電鍍層

130‧‧‧上方電路層

132‧‧‧下方電路層

140‧‧‧上方層板

142‧‧‧絕緣層

144‧‧‧金屬導孔

150‧‧‧下方層板

152‧‧‧絕緣層

154‧‧‧金屬導孔

160‧‧‧導電窗

162‧‧‧長度

164‧‧‧寬度

202‧‧‧承載層

204‧‧‧分離層

206‧‧‧銅箔層

208‧‧‧對位孔

210‧‧‧埋入式元件

211‧‧‧第一端電極

212‧‧‧黏著劑

213‧‧‧第二端電極

214‧‧‧絕緣膠片

216‧‧‧絕緣層

218‧‧‧絕緣膠

342‧‧‧絕緣層

344‧‧‧金屬導孔

350‧‧‧下方層板

352‧‧‧絕緣層

354‧‧‧金屬導孔

360‧‧‧開口

362‧‧‧長度

364‧‧‧寬度

380‧‧‧去除部份黏著劑

382‧‧‧開口

402‧‧‧承載層

404‧‧‧分離層

406‧‧‧銅箔層

408‧‧‧對位孔

410‧‧‧埋入式元件

411‧‧‧第一端電極

412‧‧‧黏著劑

413‧‧‧第二端電極

414‧‧‧絕緣膠片

416‧‧‧絕緣層

418‧‧‧絕緣膠

420‧‧‧絕緣膠片

422‧‧‧金屬層

424‧‧‧開口

426‧‧‧金屬導孔

430‧‧‧上方電路層

432‧‧‧下方電路層

460‧‧‧開口

462‧‧‧長度

220‧‧‧絕緣膠片

222‧‧‧金屬層

224‧‧‧開口

226‧‧‧金屬導孔

228‧‧‧電鍍層

230‧‧‧上方電路層

232‧‧‧下方電路層

240‧‧‧上方層板

242‧‧‧絕緣層

244‧‧‧金屬導孔

250‧‧‧下方層板

252‧‧‧絕緣層

254‧‧‧金屬導孔

260‧‧‧導電窗

262‧‧‧長度

264‧‧‧寬度

272‧‧‧開口

302‧‧‧承載層

304‧‧‧分離層

306‧‧‧銅箔層

308‧‧‧對位孔

310‧‧‧埋入式元件

311‧‧‧第一端電極

312‧‧‧黏著劑

313‧‧‧第二端電極

314‧‧‧絕緣膠片

316‧‧‧絕緣層

464‧‧‧寬度

480‧‧‧去除部份黏著劑

482‧‧‧開口

486‧‧‧開口

490‧‧‧導電層

492‧‧‧上方光阻層

494‧‧‧下方光阻層

495‧‧‧中間光阻

496‧‧‧圖案化的上方電鍍層

498‧‧‧圖案化的下方電鍍層

510‧‧‧元件長度

520‧‧‧元件寬度

530‧‧‧電極長度

540‧‧‧導電窗寬度

550‧‧‧導電窗長度

610‧‧‧元件長度

620‧‧‧元件寬度

630‧‧‧電極長度

640‧‧‧導電窗直徑

650‧‧‧導電窗

710‧‧‧元件長度

720‧‧‧元件寬度

730‧‧‧電極長度

740‧‧‧導電窗寬度

750‧‧‧導電窗長度

760‧‧‧非電極區域的長度

770‧‧‧開口長度

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例 能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1A圖至第1I圖係為本發明之埋入式元件電路板製作方法之第一實施例之流程示意圖。

第2A圖至第2I圖係為本發明之埋入式元件電路板製作方法之第二實施例之流程示意圖。

第3A圖至第3I圖係為本發明之埋入式元件電路板製作方法之第三實施例之流程示意圖。

第4A圖至第4I圖係為本發明之埋入式元件電路板製作方法之第四實施例之流程示意圖。

第5圖係為本發明之埋入式元件電路板之導電窗之第一實施例示意圖。

第6圖係為本發明之埋入式元件電路板之導電窗之第二實施例示意圖。

第7圖係為本發明之埋入式元件電路板之導電窗之第三實施例示意圖。

102‧‧‧承載層

104‧‧‧分離層

106‧‧‧銅箔層

108‧‧‧對位孔

110‧‧‧埋入式元件

111‧‧‧第一端電極

112‧‧‧黏著劑

113‧‧‧第二端電極

114‧‧‧絕緣膠片

116‧‧‧絕緣層

118‧‧‧絕緣膠

152‧‧‧絕緣層

154‧‧‧金屬導孔

160‧‧‧導電窗

162‧‧‧長度

164‧‧‧寬度

120‧‧‧絕緣膠片

122‧‧‧金屬層

124‧‧‧開口

126‧‧‧金屬導孔

128‧‧‧電鍍層

130‧‧‧上方電路層

132‧‧‧下方電路層

140‧‧‧上方層板

142‧‧‧絕緣層

144‧‧‧金屬導孔

150‧‧‧下方層板

Claims (15)

1. 一種埋入式元件電路板製作方法，包含：提供一基材，具有一銅箔層、一承載層與一分離層；利用一黏著劑固定一埋入式元件於該基材之上，其中該埋入式元件包含一第一端電極與一第二端電極；壓合一第一絕緣膠片與一絕緣層於該基材上，其中該第一絕緣膠片與該絕緣層具有開孔對應於該埋入式元件；塗佈一絕緣膠至該第一絕緣膠片與該絕緣層的開孔中，其中該絕緣膠的高度約等於該絕緣層的高度；壓合一第二絕緣膠片與一金屬層於該絕緣膠與該絕緣層之上，以形成一核心層；以及由銅箔層上，剝離該承載層與分離層，其中，該銅箔層上形成有至少一開口，以露出該第一端電極與該第二端電極，且係利用雷射移除該銅箔層，以形成該開口，該開口的長度大於寬度；以及去除該開口中的該黏著劑，以露出該第一端電極與該第二端電極，其中該開口的該寬度介於25微米(μm)至50微米之間，該長度大於50微米。
2. 一種埋入式元件電路板製作方法，包含：提供一基材，具有一銅箔層、一承載層與一分離層；利用一黏著劑固定一埋入式元件於該基材之上，其中該埋入式元件包含一第一端電極與一第二端電極；壓合一第一絕緣膠片與一絕緣層於該基材上，其中該 第一絕緣膠片與該絕緣層具有開孔對應於該埋入式元件；塗佈一絕緣膠至該第一絕緣膠片與該絕緣層的開孔中，其中該絕緣膠的高度約等於該絕緣層的高度；壓合一第二絕緣膠片與一金屬層於該絕緣膠與該絕緣層之上，以形成一核心層；以及由銅箔層上，剝離該承載層與分離層，其中，該銅箔層上形成有至少一開口，以露出該第一端電極與該第二端電極，且係利用雷射移除該銅箔層，以形成該開口，該開口的長度大於寬度；以及去除該開口中的該黏著劑，以露出該第一端電極與該第二端電極，其中該開口的該寬度介於25微米(μm)至40微米之間，該長度大於100微米。
3. 一種埋入式元件電路板製作方法，包含：提供一基材，具有一銅箔層、一承載層與一分離層；利用一黏著劑固定一埋入式元件於該基材之上，其中該埋入式元件包含一第一端電極與一第二端電極；壓合一第一絕緣膠片與一絕緣層於該基材上，其中該第一絕緣膠片與該絕緣層具有開孔對應於該埋入式元件；塗佈一絕緣膠至該第一絕緣膠片與該絕緣層的開孔中，其中該絕緣膠的高度約等於該絕緣層的高度；壓合一第二絕緣膠片與一金屬層於該絕緣膠與該絕緣層之上，以形成一核心層；以及由銅箔層上，剝離該承載層與分離層，其中，該銅箔 層上形成有至少一開口，以露出該第一端電極與該第二端電極，其中上述之銅箔層在該第一端電極上形成有二個以上的該開口，而該銅箔層在該第二端電極上亦形成有二個以上的該開口。
4. 如申請專利範圍第3項所述之埋入式元件電路板製作方法，其中上述之開口的直徑約為25微米至50微米之間。
5. 如申請專利範圍第1、2或3項所述之埋入式元件電路板製作方法，更包含，在該利用一黏著劑固定一埋入式元件於該基材之上之步驟之前，利用雷射形成該開口該銅箔層上。
6. 一種埋入式元件電路板製作方法，包含：提供一基材，具有一銅箔層、一承載層與一分離層；利用一黏著劑固定一埋入式元件於該基材之上，其中該埋入式元件包含一第一端電極與一第二端電極；壓合一第一絕緣膠片與一絕緣層於該基材上，其中該第一絕緣膠片與該絕緣層具有開孔對應於該埋入式元件；塗佈一絕緣膠至該第一絕緣膠片與該絕緣層的開孔中，其中該絕緣膠的高度約等於該絕緣層的高度；壓合一第二絕緣膠片與一金屬層於該絕緣膠與該絕緣層之上，以形成一核心層； 由銅箔層上，剝離該承載層與分離層，其中，該銅箔層上形成有至少一開口，以露出該第一端電極與該第二端電極；利用雷射形成該開口於該銅箔層上，且該開口是一長條形開口，由該第一端電極經一非電極區域，延伸至該第二端電極；移除該長條形開口中的該黏著劑，以由該長條形開口中，露出該第一端電極、該第二端電極以及一非電極區域；形成一電鍍層；以及圖案化該電鍍層，以形成一上方電路層、一下方電路層與二導電窗，並且同時電性隔離該第一端電極與該第二端電極上之該二導電窗。
7. 如申請專利範圍第6項所述之埋入式元件電路板製作方法，其中上述之二導電窗的距離小於該非電極區域的長度。
8. 一種埋入式元件電路板製作方法，包含：提供一基材，具有一銅箔層、一承載層與一分離層；利用一黏著劑固定一埋入式元件於該基材之上，其中該埋入式元件包含一第一端電極與一第二端電極；壓合一第一絕緣膠片與一絕緣層於該基材上，其中該第一絕緣膠片與該絕緣層具有開孔對應於該埋入式元件；塗佈一絕緣膠至該第一絕緣膠片與該絕緣層的開孔 中，其中該絕緣膠的高度約等於該絕緣層的高度；壓合一第二絕緣膠片與一金屬層於該絕緣膠與該絕緣層之上，以形成一核心層；由銅箔層上，剝離該承載層與分離層，其中，該銅箔層上形成有至少一開口，以露出該第一端電極與該第二端電極；利用雷射形成該開口於該銅箔層上，且該開口是一長條形開口，由該第一端電極經一非電極區域，延伸至該第二端電極；移除該長條形開口中的該黏著劑，以由該長條形開口中露出該第一端電極、該第二端電極以及一非電極區域；形成一導電層；形成一圖案化的光阻層於該導電層之上；形成一電鍍層於該圖案化的光阻層之中；移除該圖案化的光阻層；以及蝕刻該電鍍層開口中的該銅箔層與該導電層，以形成一上方電路層、一下方電路層與二導電窗，並且同時電性隔離該第一端電極與該第二端電極上之該二導電窗。
9. 如申請專利範圍第8項所述之埋入式元件電路板製作方法，其中上述之二導電窗的距離小於該非電極區域的長度。
10. 一種埋入式元件電路板，包含： 一基材，具有一銅箔層、一承載層與一分離層；一埋入式元件，其中該埋入式元件包含一第一端電極與一第二端電極；一黏著劑，固定該埋入式元件於該基材之上；一第一絕緣膠片與一絕緣層，壓合於該基材上，其中該第一絕緣膠片與該絕緣層具有開孔對應於該埋入式元件；一絕緣膠，塗佈至該第一絕緣膠片與該絕緣層的開孔中，其中該絕緣膠的高度約等於該絕緣層的高度；以及一第二絕緣膠片與一金屬層，壓合於該絕緣膠與該絕緣層之上，以形成一核心層，其中，該銅箔層上形成有至少一開口，以露出該第一端電極與該第二端電極，且當該第二絕緣膠片與該金屬層，壓合於該絕緣膠與該絕緣層之後，該承載層與該分離層由該基材上移除，其中該開口的寬度介於25微米(μm)至50微米之間，該開口的長度大於50微米。
11. 一種埋入式元件電路板，包含：一基材，具有一銅箔層、一承載層與一分離層；一埋入式元件，其中該埋入式元件包含一第一端電極與一第二端電極；一黏著劑，固定該埋入式元件於該基材之上；一第一絕緣膠片與一絕緣層，壓合於該基材上，其中該第一絕緣膠片與該絕緣層具有開孔對應於該埋入式元件； 一絕緣膠，塗佈至該第一絕緣膠片與該絕緣層的開孔中，其中該絕緣膠的高度約等於該絕緣層的高度；以及一第二絕緣膠片與一金屬層，壓合於該絕緣膠與該絕緣層之上，以形成一核心層，其中，該銅箔層上形成有至少一開口，以露出該第一端電極與該第二端電極，且當該第二絕緣膠片與該金屬層，壓合於該絕緣膠與該絕緣層之後，該承載層與該分離層由該基材上移除，其中該開口的寬度介於25微米(μm)至40微米之間，該開口的長度大於100微米。
12. 一種埋入式元件電路板，包含：一基材，具有一銅箔層、一承載層與一分離層；一埋入式元件，其中該埋入式元件包含一第一端電極與一第二端電極；一黏著劑，固定該埋入式元件於該基材之上；一第一絕緣膠片與一絕緣層，壓合於該基材上，其中該第一絕緣膠片與該絕緣層具有開孔對應於該埋入式元件；一絕緣膠，塗佈至該第一絕緣膠片與該絕緣層的開孔中，其中該絕緣膠的高度約等於該絕緣層的高度；以及一第二絕緣膠片與一金屬層，壓合於該絕緣膠與該絕緣層之上，以形成一核心層，其中，該銅箔層上形成有至少一開口，以露出該第一端電極與該第二端電極，且當該第二絕緣膠片與該金屬層，壓合於該絕緣膠與該絕緣層之後，該承載層與該分離層由該基材上移除，其中該銅箔層 在該第一端電極上形成有二個以上的該開口，而該銅箔層在該第二端電極上亦形成有二個以上的該開口。
13. 如申請專利範圍第12項所述之埋入式元件電路板，其中上述之開口的直徑約為25微米至50微米之間。
14. 一種埋入式元件電路板，包含：一基材，具有一銅箔層、一承載層與一分離層；一埋入式元件，其中該埋入式元件包含一第一端電極與一第二端電極；一黏著劑，固定該埋入式元件於該基材之上；一第一絕緣膠片與一絕緣層，壓合於該基材上，其中該第一絕緣膠片與該絕緣層具有開孔對應於該埋入式元件；一絕緣膠，塗佈至該第一絕緣膠片與該絕緣層的開孔中，其中該絕緣膠的高度約等於該絕緣層的高度；以及一第二絕緣膠片與一金屬層，壓合於該絕緣膠與該絕緣層之上，以形成一核心層，其中，該銅箔層上形成有至少一開口，以露出該第一端電極與該第二端電極，且當該第二絕緣膠片與該金屬層，壓合於該絕緣膠與該絕緣層之後，該承載層與該分離層由該基材上移除，其中該開口是一長條形開口，由該第一端電極經一非電極區域，延伸至該第二端電極；以及二導電窗，形成於該長條形開口，且該二導電窗彼此電性隔離。
15. 如申請專利範圍第14項所述之埋入式元件電路板，其中上述之二導電窗的距離小於該非電極區域的長度。