TWI446577B - Ｌｅｄ晶圓之接合方法、ｌｅｄ晶粒之製造方法及ｌｅｄ晶圓與基體之接合結構 - Google Patents

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Description

LED晶圓之接合方法、LED晶粒之製造方法及LED晶圓與基體之接合結構
本案是有關於一種晶圓之接合方法、晶粒之製造方法及晶圓與基體之接合結構，且特別是有關於一種LED晶圓之接合方法、LED晶粒之製造方法及LED晶圓與基體之接合結構。
目前主流發光二極體(LED)晶片型態可分為水平式結構(Sapphire base structure)、覆晶式結構(Flip-chip structure)與垂直式結構(Vertical structure)等三種型態。由於藍寶石基材(Sapphire)之機械性質佳且價格便宜，已成為目前主流氮化鎵(GaN)的成長基板。但藍寶石基材不導電且導熱性不佳，在發光面上的電極也會將減少出光效率，且有電流分佈不均的情形產生。
為了改良上述缺點，業界提出以覆晶(Flip-Chip)的形式來封裝LED晶片。其散熱途徑不需經過藍寶石基材而是由銲錫材料的替代，LED晶片之散熱能力可大幅上升。且此LED晶片之發光面上沒有電極的阻礙，LED晶片之發光效率將會大幅提升，但製程將會麻煩許多(包括銲錫成長、對位等步驟)，且還有無鉛銲錫議題需要考量。
另外，垂直式結構之LED晶片則是將LED晶圓先與高導電與高導熱材料進行接合，後續再利用準分子雷射將藍寶石基材剝除，此類型LED晶片具有高散熱能力，高出光效率，無電流群聚現象等優點。由於垂直式結構之LED晶片具有許多優點，近年來已成為高功率LED晶片之主流型態。
晶圓接合製程為製造垂直式結構LED晶片之關鍵步驟之一。所謂的晶圓接合製程是指將LED晶圓與高導熱高導電之材料對接之步驟。習知之晶圓接合方式有三種，第一種例如是台灣專利公開編號第200839857號「金/銀擴散低溫晶圓鍵結之方法」所述之固態原子擴散接合法，其製程為在LED晶圓蒸鍍上金，而在高導熱材上蒸鍍銀，後續在保護氣氛下，施加高壓力，再將兩者對接。由於金與銀具有相同之晶體結構，因此金與銀兩種金屬原子易於於金與銀的基材中進行擴散，達成接合效果，此製程雖可在低溫(100℃)環境中進行接合，但由於此製程是固/固擴散，接合時間冗長(大於半小時)。另外接合面需要高平整度，且在接合過程中需要高壓力與保護氣氛，實際操作將有其困難度。
第二種例如臺灣專利公告號第I261316「晶圓鍵合之方法」所述之低溫晶圓接合方法。此專利在晶圓接合製程時，導入超音波使接合表面離子化，如此將可降低加熱溫度(約需100℃-200℃)，減少熱應力防止晶圓損壞。此專利雖可降低接合溫度，但其設備極為昂貴複雜且若對位平整度不佳，超音波震動反而將使晶圓產生裂片之現象。
第三種例如是美國專利公開編號US 2008/0113463 A1「METHOD OF FABRICATING GAN DEVICE WITH LASER」所述之低溫晶圓接合方法。晶圓接合材料為銀膠，由於銀膠固化溫度約150℃左右，因此晶圓可在低溫環境下進行接合，但由於銀膠主要由高分子所組成，因此耐熱性、熱傳導性與機械強度不佳，所製作出來之LED晶片將無法具有最佳之光學效果。
本案係有關於一種LED晶圓之接合方法、LED晶粒之製造方法及LED晶圓與基體之接合結構。
根據本案之第一方面，提出一種發光二極體(LED)晶圓之接合方法。LED晶圓之接合方法用以結合一LED晶圓及一基體。接合方法包括以下步驟。形成一第一金屬薄膜層於LED晶圓上。形成一第二金屬薄膜層於基體上。形成一接合材料層於第一金屬薄膜層表面，接合材料層之熔點低於攝氏110度(℃)。置放LED晶圓於基體上，使接合材料層接觸第二金屬薄膜層。以一預固反應溫度加熱接合材料層一預固時間，以進行一預固反應並於第一金屬薄膜層及接合材料層之間形成一第一介金屬層，且於第二金屬薄膜層及接合材料層之間形成一第二介金屬層。以一擴散反應溫度加熱接合材料層一擴散時間，以進行一擴散反應，擴散反應後之第一介金屬層及第二介金屬層之熔點高於攝氏110度。
根據本案之一第二方面，提出一種發光二極體(LED)晶粒之製造方法。LED晶粒之製造方法包括以下步驟。形成一第一金屬薄膜層於一LED晶圓上。形成一第二金屬薄膜層於一基體上。形成一接合材料層於第一金屬薄膜層表面，接合材料層之熔點低於攝氏110度。置放LED晶圓於基體上，使接合材料層接觸第二金屬薄膜層。以一預固反應溫度加熱接合材料層一預固時間，以進行一預固反應並於第一金屬薄膜層及接合材料層之間形成一第一介金屬層，且於第二金屬薄膜層及接合材料層之間形成一第二介金屬層。以一擴散反應溫度加熱接合材料層一擴散時間，以進行一擴散反應，擴散反應後之第一介金屬層及第二介金屬層之熔點高於110度。剝除(Lift Off)LED晶圓之一基材並切割LED晶圓及基體，以形成數個LED晶粒。
根據本案之一第三方面，提出一種發光二極體(LED)晶圓與基體之接合結構。LED晶圓與基體之接合結構包括一基體、一第二金屬薄膜層、一第二介金屬層、一第一介金屬層、一第一金屬薄膜層及一LED晶圓。第二金屬薄膜層位於基體上，第二金屬薄膜層之材質係選自於金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)及鎳(Ni)所組成之群組。第二介金屬層位於第二金屬薄膜層上。第一介金屬層位於第二介金屬層上，第一介金屬層與第二介金屬的材質係獨立選自於由銅銦錫(Cu-In-Sn)介金屬、鎳銦錫(Ni-In-Sn)介金屬、鎳鉍(Ni-Bi)介金屬、金銦(Au-In)介金屬、銀銦(Ag-In)介金屬、銀錫(Ag-Sn)介金屬及金鉍(Au-Bi)介金屬所組成的群組。第一金屬薄膜層位於第一介金屬層之上，第一金屬薄膜層之材質係選自於金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)及鎳(Ni)所組成之群組。LED晶圓位於第一金屬薄膜層上。
為了對本案之上述及其他方面更瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
請參照第1～8圖，第1圖繪示本實施例發光二極體(LED)晶圓110與基體170之接合方法與LED晶粒300之製造方法的流程圖，第2～8圖繪示第1圖之各個步驟示意圖。
其中，步驟S101～S106為LED晶圓110與基體170之接合方法。如第7圖所示，待步驟S106完成後，即形成LED晶圓110與基體170之接合結構200。
步驟S101～S107則為LED晶粒300之製造方法。如第8圖所示，待步驟S107完成後，即形成複數個LED晶粒300。
如第2圖所示，在步驟S101中，形成一第一金屬薄膜層120於一LED晶圓110上。LED晶圓110例如是包括一基材111、一N型半導體層112、一發光材料層113及一P型半導體層114。發光材料層113設置於N型半導體層112及P型半導體層114之間，而構成P-I-N結構。基材111例如是一藍寶石基材(Sapphire)。N型半導體層112及P型半導體層114例如是但不侷限於氮化鎵(GaN)、氮化鎵銦(GaInN)、磷化鋁銦鎵(AlInGaP)、氮化鋁(AlN)、氮化銦(InN)、氮砷化銦鎵(InGaAsN)、磷氮化銦鎵(InGaPN)或其組合。
LED晶圓110所發出之光線的光譜可以是任何可見光光譜，例如是380～760奈米(nm)，或其他光譜。再者，LED晶圓110之型態可以是水平式結構、垂直式結構或覆晶式結構。
第一金屬薄膜層120之材質可以是金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)及鎳(Ni)或其組合。在此步驟中，第一金屬薄膜層120可以藉由電鍍、濺鍍或電子槍(E-Gun)蒸鍍等方式形成於LED晶圓110上，第一金屬薄膜層120之厚度可以是但不限於0.2～2.0微米(um)。
如第3圖所示，在步驟S102中，形成一第二金屬薄膜層160於一基體170上。基體170之材質例如是但不侷限於金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、矽(Si)、碳化矽(SiC)、氮化鋁(AlN)、金屬陶瓷複合材料或其組合。
第二金屬薄膜層160之材質可以是金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)或鎳(Ni)。在此步驟中，第二金屬薄膜層160可以藉由電鍍、濺鍍或蒸鍍等方式形成於基體170上，第二金屬薄膜層160之厚度可以是但不限於0.2～2.0微米(um)，例如是0.5～1.0微米(um)。
如第4圖所示，在步驟S103中，形成一接合材料層140於第一金屬薄膜層120表面。接合材料層140之材質例如是鉍銦(Bi-In)、鉍銦鋅(Bi-In-Zn)、鉍銦錫(Bi-In-Sn)、鉍銦錫鋅(Bi-In-Sn-Zn)或其組合。其中，接合材料層140之熔點例如是但不侷限低於攝氏110度。舉例來說，鉍銦(Bi-In)的熔點約為攝氏110度，鉍銦鋅(Bi-25In-18Zn)的熔點約為攝氏82度，鉍銦錫鋅(Bi-20In-30Sn-3Zn)的熔點約為攝氏90度，鉍銦鋅(Bi-33In-0.5Zn)的熔點約為攝氏110度。在此步驟中，接合材料層140可以藉由電鍍、濺鍍或蒸鍍等方式形成於第一金屬薄膜層120上，接合材料層140之厚度可以是但不限於0.2～5.0微米(um)，例如是0.5～1.0微米(um)。
如第5圖所示，置放LED晶圓110於基體170上，使接合材料層140接觸第二金屬薄膜層160。
如第6圖所示，以一預固反應溫度加熱接合材料層140一預固時間，以進行一預固反應並於第一金屬薄膜層120及接合材料層140之間形成一第一介金屬層130，且於第二金屬薄膜層160及接合材料層140之間形成一第二介金屬層150。其中，本實施例之預固反應可以是一液固反應。
此步驟之目的在於將LED晶圓110與基體170依當前的對位關係(Alignment)進行預先固定，俾利後續製程之進行。預固反應溫度可以是等於或高於接合材料層140之熔點，例如等於或高於攝氏80度，或是例如攝氏80到200度，且預固時間可以相當短，故前述對位關係將能有效被維持，且不會對LED晶圓110產生任何類似熱應力的影響。
其中若接合材料層140之材質為鉍銦錫(Bi-In-Sn)，則預固反應溫度可以是攝氏82度或攝氏82度以上。加熱之方式則可以採用雷射加熱、熱風加熱、紅外線加熱、熱壓加熱或超音波輔助熱壓加熱之方式。加熱之位置則可以是直接將環境溫度提高到預固反應溫度、或直接加熱於接合材料層140、或直接加熱於基體170再傳導熱能至接合材料層140。以第6圖為例，可以採用雷射直接加熱於基體170之底部，且其預固反應溫度為85度。
預固時間則可以是但不限於0.1～5秒(Sec)，例如是0.1～1秒。預固時間可以視預固反應的情況而適當地調整。也就是說，可以在第一金屬薄膜層120及接合材料層140之間形成足夠的第一介金屬層130，並且第二金屬薄膜層160及接合材料層140之間形成足夠的第二介金屬層150時停止預固反應，而預固反應所需的時間即為預固時間。而此步驟可以在形成非常薄的第一介金屬層130及第二介金屬層150時，立即停止預固反應，也可以在形成較厚的第一介金屬層130及第二金屬層150時，才停止預固反應。
其中，依據不同的第一金屬薄膜層120、接合材料層140及第二金屬薄膜層160，第一介金屬層130及第二介金屬層150之材質也會不同。第一介金屬層130及第二介金屬層150之材質例如是但不侷限於銅銦錫(Cu-In-Sn)介金屬、鎳銦錫(Ni-In-Sn)介金屬、鎳鉍(Ni-Bi)介金屬、金銦(Au-In)介金屬、銀銦(Ag-In)介金屬、銀錫(Ag-Sn)介金屬、金鉍(Au-Bi)介金屬或其組合。
接著，如第7圖所示，在步驟S106中，以一擴散反應溫度加熱接合材料層140一擴散時間，以進行一擴散反應。其中，擴散反應可以是一液固反應或一固固反應。擴散反應為液固反應時，擴散反應溫度可以等於或高於接合材料層140之熔點，例如攝氏80到200度，擴散時間為30分鐘到3小時。
擴散反應為固固反應時，擴散反應溫度係低於接合材料層140之熔點。由於此時擴散反應溫度低於接合材料層140之熔點，所以此步驟之擴散反應對於預固反應已完成之對位關係不致於會有影響，例如攝氏40到80度，擴散時間為30分鐘到3小時。
擴散反應為液固反應時，擴散反應溫度係高於接合材料層140之熔點。由於此時擴散反應溫度高於接合材料層140之熔點，所以此步驟之擴散反應可以增加定位LED晶圓110與基體170之動作，以增加LED晶圓110與基體170之對位關係的精準度。
此步驟之擴散時間可以依據擴散反應溫度的設定而調整。當擴散反應溫度較高時，擴散時間可以縮短；當擴散反應溫度較低時，擴散時間可以增加。在本實施例中，擴散時間例如是30分鐘到3小時。
此步驟之擴散反應過程的目的在於讓接合材料層140之合金元素與第一金屬薄膜層120及第二金屬薄膜層160的元素相互擴散。擴散時間可設定為大部分接合材料層140中的合金元素完成擴散所需之時間。也就是說，此步驟可以進行到擴散反應完畢為止。
在此步驟中，可以採用批次作業來處理，例如是統一以熱風式、烤箱、紅外線加熱或熱板加熱之方式來進行。
擴散反應後之第一介金屬層130及第二介金屬層150之熔點例如是高於110攝氏度。第一介金屬層130及第二介金屬層150之材質不同，其熔點也會不同。舉例來說，銀銦(Ag-In)介金屬之熔點至少約為攝氏250度以上，銀錫(Ag-Sn)介金屬之熔點至少約為攝氏450度以上，金鉍(Au-Bi)介金屬之熔點至少約為攝氏350度以上，金錫(Au-Sn)介金屬之熔點至少約為攝氏250度以上。
在擴散反應完成後，接合材料層140可能會有部份殘留於第一介金屬層130及第二介金屬層150之間，而形成中介層140’(如第7圖所示)。在一實施例中，接合材料層140也有可能被完全反應而消失。中介層140’之材質例如是錫(Sn)、鉍(Bi)、銦(In)、鋅(Zn)或其組合。
以第7圖為例，在步驟S101～S106完成之後，即完成了LED晶圓110與基體170之接合結構200。此接合結構200包括基體170、第二金屬薄膜層160、第二介金屬層150、中介層140’、第一介金屬層130、第一金屬薄膜層120及LED晶圓110。第二金屬薄膜層160位於基體170上。第二介金屬層150位於第二金屬薄膜層160上。中介層140’位於第二介金屬層150上。第一介金屬層130位於中介層140’上。第一金屬薄膜層120位於第一介金屬層130之上。LED晶圓110位於第一金屬薄膜層120上。
如第8圖所示，在步驟S107中，剝除(Lift Off)LED晶圓110之基材111並切割LED晶圓110及基體170，以形成數個LED晶粒300。在此步驟中，更包括電極、點測、分類等製程。最後則完成一顆顆的LED晶粒300。
本申請案提出一種LED晶圓110之接合方法、LED晶粒300之製造方法及LED晶圓110與基體170之接合結構，可以讓LED晶圓110在低溫環境(低於110℃)下進行接合，如此將可避免因熱膨脹係數(CTE)不同所造成之熱應力問題，且接合過程不需高壓力、高平整度，也不需保護氣氛。
並且由於接合材料層140為金屬且擴散反應後之第一介金屬層130、第二介金屬層150及中介層140’的熔點可提高至250℃以上，使得本申請案之LED晶圓110、LED晶粒300及接合結構200具有接合熱應力低、高散熱、高接合強度及耐高溫等特性。
綜上所述，雖然本案已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本案。本案所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本案之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
110．．．LED晶圓
111．．．基材
112．．．N型半導體層
113．．．發光材料層
114．．．P型半導體層
120．．．第一金屬薄膜層
130．．．第一介金屬層
140．．．接合材料層
140’．．．中介層
150．．．第二介金屬層
160．．．第二金屬薄膜層
170．．．基體
200．．．接合結構
300．．．LED晶粒
S101～S107．．．流程步驟
第1圖繪示本實施例發光二極體(LED)晶圓與基體之接合方法與LED晶粒之製造方法的流程圖。
第2～8圖繪示第1圖之各個步驟示意圖。
S101～S106．．．流程步驟

Claims (23)

  1. 一種發光二極體(LED)晶圓之接合方法，用以結合一LED晶圓及一基體，該接合方法包括：形成一第一金屬薄膜層於該LED晶圓上；形成一第二金屬薄膜層於該基體上；形成一接合材料層於第一金屬薄膜層表面，該接合材料層之熔點低於攝氏110度(℃)；置放該LED晶圓於該基體上，使該接合材料層接觸該第二金屬薄膜層；以一預固反應溫度加熱該接合材料層一預固時間，以進行一預固反應並於該第一金屬薄膜層及該接合材料層之間形成一第一介金屬層，且於該第二金屬薄膜層及該接合材料層之間形成一第二介金屬層，該預固反應溫度為攝氏80到200度；以及以一擴散反應溫度加熱該接合材料層一擴散時間，以進行一擴散反應，該擴散反應後之該第一介金屬層及該第二介金屬層之熔點高於攝氏110度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶圓之接合方法，其中該預固反應係為一液固反應，該預固反應溫度等於或高於該接合材料層之熔點。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶圓之接合方法，其中該預固時間為0.1秒到5秒。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶圓之接合方法，其中該擴散反應係為一液固反應或一固固反應，該擴散反應為該液固反應時，該擴散反應溫度等於或高於該接 合材料層之熔點，該擴散反應為該固固反應時，該擴散反應溫度係低於該接合材料層之熔點。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之LED晶圓之接合方法，其中該擴散反應為該液固反應時，該擴散反應溫度為攝氏80度到200度；該擴散反應為該固固反應時，該擴散反應溫度為攝氏40度到80度；且上述該擴散時間為30分鐘到3小時。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶圓之接合方法，其中該第一金屬薄膜層之材質選自於由金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)及鎳(Ni)所組成的群組。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶圓之接合方法，其中該接合材料層之材質選自於由鉍銦(Bi-In)、鉍銦鋅(Bi-In-Zn)、鉍銦錫(Bi-In-Sn)及鉍銦錫鋅(Bi-In-Sn-Zn)所組成的群組。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶圓之接合方法，其中該基體之材質選自於由金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、矽(Si)、碳化矽(SiC)、氮化鋁(AlN)及金屬陶瓷複合材料所組成之群組。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶圓之接合方法，其中該第一介金屬層及該第二介金屬層之材質係獨立選自於由銅銦錫(Cu-In-Sn)介金屬、鎳銦錫(Ni-In-Sn)介金屬、鎳鉍(Ni-Bi)介金屬、金銦(Au-In)介金屬、銀銦(Ag-In)介金屬、銀錫(Ag-Sn)介金屬及金鉍(Au-Bi)介金屬所組成之群組。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶圓之接合方 法，其中該接合材料層之厚度為0.2~5.0微米。
  11. 一種發光二極體(LED)晶粒之製造方法，包括：形成一第一金屬薄膜層於一LED晶圓上；形成一第二金屬薄膜層於一基體上；形成一接合材料層於第一金屬薄膜層表面，該接合材料層之熔點低於攝氏110度；置放該LED晶圓於該基體上，使該接合材料層接觸該第二金屬薄膜層；以一預固反應溫度加熱該接合材料層一預固時間，以進行一預固反應並於該第一金屬薄膜層及該接合材料層之間形成一第一介金屬層，且於該第二金屬薄膜層及該接合材料層之間形成一第二介金屬層，該預固反應溫度為攝氏80到200度；以一擴散反應溫度加熱該接合材料層一擴散時間，以進行一擴散反應，該擴散反應後之該第一介金屬層及該第二介金屬層之熔點高於攝氏110度；以及剝除(Lift Off)該LED晶圓之一基材並切割該LED晶圓及該基體，以形成複數個LED晶粒。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之LED晶粒之製造方法，其中該預固反應係為一液固反應，該預固反應溫度等於或高於該接合材料層之熔點。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之LED晶粒之製造方法，其中該預固時間為0.1秒到5秒。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之LED晶粒之製造方法，其中該擴散反應係為一液固反應或一固固反應，該 擴散反應為該液固反應時，該擴散反應溫度等於或高於該接合材料層之熔點，該擴散反應為該固固反應時，該擴散反應溫度係低於該接合材料層之熔點。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之LED晶粒之製造方法，其中該擴散反應為該液固反應時，該擴散反應溫度為攝氏80度到200度；該擴散反應為該固固反應時，該擴散反應溫度為攝氏40度到80度；且上述該擴散時間為30分鐘到3小時。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之LED晶粒之製造方法，其中該第一金屬薄膜層之材質選自於由金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)及鎳(Ni)所組成的群組。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之LED晶粒之製造方法，其中該接合材料層之材質選自於由鉍銦(Bi-In)、鉍銦鋅(Bi-In-Zn)、鉍銦錫(Bi-In-Sn)及鉍銦錫鋅(Bi-In-Sn-Zn)所組成的群組。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之LED晶粒之製造方法，其中該基體之材質選自於由金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、矽(Si)、碳化矽(SiC)、氮化鋁(AlN)及金屬陶瓷複合材料所組成之群組。
  19. 如申請專利範圍第11項所述之LED晶粒之製造方法，其中該第一介金屬層及該第二介金屬層之材質係獨立選自於由銅銦錫(Cu-In-Sn)介金屬、鎳銦錫(Ni-In-Sn)介金屬、鎳鉍(Ni-Bi)介金屬、金銦(Au-In)介金屬、銀銦(Ag-In)介金屬、銀錫(Ag-Sn)介金屬、金鉍(Au-Bi)介金屬及金錫(Au-Sn)介金屬所組成之群組。
  20. 如申請專利範圍第11項所述之LED晶粒之製造方法，其中該接合材料層之厚度為0.2~5.0微米。
  21. 一種發光二極體(LED)晶圓與基體之接合結構，包括：一基體；一第二金屬薄膜層，位於該基體上，該第二金屬薄膜層之材質係選自於金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)及鎳(Ni)所組成之群組；一第二介金屬層，位於該第二金屬薄膜層上；一第一介金屬層，位於該第二介金屬層上，該第一介金屬層與該第二介金屬的材質係獨立選自於由銅銦錫(Cu-In-Sn)介金屬、鎳銦錫(Ni-In-Sn)介金屬、鎳鉍(Ni-Bi)介金屬、金銦(Au-In)介金屬、銀銦(Ag-In)介金屬、銀錫(Ag-Sn)介金屬及金鉍(Au-Bi)介金屬所組成的群組；一第一金屬薄膜層，位於該第一介金屬層之上，該第一金屬薄膜層之材質係選自於金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)及鎳(Ni)所組成之群組；一LED晶圓，位於該第一金屬薄膜層上；以及一中介層，該中介層位於該第一介金屬層與該第二介金屬層之間，該第二介金屬層位於該第二金屬薄膜層及該中介層之間，該第一介金屬層位於該第一金屬薄膜層及該中介層之間。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體晶圓與基體之接合結構，其中該基體係選自於由金(Au)、銀 (Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、矽(Si)、碳化矽(SiC)、氮化鋁(AlN)或金屬陶瓷複合材料所組成之群組。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體晶圓與基體之接合結構，其中該中介層之材質選自於由錫(Sn)、鉍(Bi)、銦(In)及鋅(Zn)所組成的群組。
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