TWI445634B - 電子裝置殼體及其製作方法 - Google Patents

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Description

電子裝置殼體及其製作方法
本發明涉及一種電子裝置殼體及其製作方法。
習知金屬材質之電子裝置殼體表面之圖案一般藉由鑽雕、蝕刻等方法製成。該種方法製作之圖案視覺效果不強，尤其係不能呈現出如陶瓷般之視覺效果、及陶瓷觸感，且圖案不耐磨，難以吸引消費者眼球。
鑒於上述內容，有必要提供一種具有陶瓷視覺效果、圖案耐磨之電子裝置殼體。
有必要提供一種上述電子裝置殼體之製作方法。
一種電子裝置殼體，包括金屬基體及嵌設於金屬基體表面之圖案部，該圖案部由陶瓷材質製成，該圖案部為通過化學蝕刻該金屬基體之部分區域後，通過琺瑯工藝化處理該化學蝕刻區域形成。
一種電子裝置殼體之製作方法，包括以下步驟：提供一金屬基體；將金屬基體進行化學蝕刻處理，以在金屬基體表面形成凹槽； 對所述凹槽底面進行粗化處理；對金屬基體進行琺瑯工藝化處理，使金屬基體之凹槽內形成陶瓷，同時在金屬基體表面於凹槽上將形成多餘之陶瓷層；對所述金屬基體表面進行打磨處理，以去除多餘之陶瓷層，使金屬基體表面上顯露嵌設在凹槽內由陶瓷製成之圖案部。
本電子裝置殼體通過化學蝕刻在金屬基體上形成凹槽，通過琺瑯工藝在凹槽內形成陶瓷並通過打磨處理顯露形成在凹槽內由陶瓷製成之圖案部。該種殼體上之圖案具有陶瓷視覺效果、圖案耐磨。
10‧‧‧電子裝置殼體
11‧‧‧金屬基體
12‧‧‧圖案部
圖1係本發明較佳實施例一電子裝置殼體之正視示意圖；圖2係圖1所示之電子裝置殼體沿II-II方向之截面示意圖；圖3係圖1所示之電子裝置殼體表面製作圖案之方法流程圖。
請參閱圖1及圖2，本發明較佳實施例電子裝置殼體10，如手機外殼，包括一金屬基體11及嵌設在金屬基體11外表面由陶瓷材質製成之圖案部12。所述金屬基體11可為不銹鋼材質，其厚度在0.5mm及以上，較佳為0.5mm；所述圖案部12之深度在0.16-0.18mm之間，較佳深度為0.17mm。
請結合參閱圖3，該電子裝置殼體10之製作方法包括以下步驟：
S1：提供一金屬基體11，金屬基體11材質為不銹鋼，厚度為0.5mm。在該金屬基體11表面進行化學蝕刻，以在金屬基體11表面形成 與所述圖案部12形狀對應之凹槽，凹槽之深度在0.16-0.18mm之間。
S2：對凹槽底面進行粗化處理。具體過程如下：先將金屬基體11進行乾燥除油處理，以除去金屬基體11表面上之油脂等，如採用低濃度之草酸或者氫氧化鈉清洗金屬基體11之表面；然後對凹槽底面粗化處理，粗化處理採用噴砂之方法，先將金屬基體11表面上除凹槽以外之區域遮蔽，然後採用噴槍對凹槽區域噴砂，如此凹槽底面被粗化，粗糙度達Ra1.3-2.0μm之間，金屬基體11表面上遮蔽之區域由於被遮蔽而在粗化處理時不會被粗化。噴砂中所採用之噴砂材料可為金剛砂、鉻鐵合金砂、銅礦砂、石英砂、陶瓷砂中之一種。本實施例中選用80#白剛玉砂，其屬於金剛砂之一種。
S3：將金屬基體11進行琺瑯工藝化處理，以在凹槽內形成陶瓷。所述琺瑯工藝化處理係藉由高溫燒制將無機矽酸鹽牢固結合到凹槽內之塗層工藝，其包括施釉與燒釉過程，其中釉指用以形成陶瓷之所述無機矽酸鹽，包括後述製作過程中之靜電乾粉。所述施釉過程藉由利用高壓靜電電暈電場原理，將靜電乾粉在高壓靜電場下感應帶電，並使金屬基體11帶上與靜電乾粉相反之電荷，從而使得靜電乾粉均勻地吸附在粗化後之凹槽之底面，靜電乾粉之塗覆厚度可通過控制電場強度調節。所述燒釉過程為將凹槽內塗覆有靜電乾粉之金屬基體11放入烤爐內，升溫使靜電乾粉熔化，從而在凹槽內形成陶瓷。該種經過粗化處理之凹槽之底面，可提高該陶瓷與凹槽底表面之結合強度。在燒釉過程中，由於靜電乾粉熔化流動，如此將有部分熔融之靜電乾粉溢出凹槽在金屬基體 之表面流平，並且遮蓋凹槽在金屬基體11表面，形成多餘之陶瓷層。
S4：對所述金屬基體11表面進行打磨處理，去除金屬基體11表面上多餘之陶瓷層，顯露出所述圖案部12。具體過程如下：提供一環形砂帶機，環形砂帶機之砂輪沿金屬基體11之表面旋轉，從而打磨掉多餘之陶瓷層。該打磨處理包括粗磨和細磨兩個步驟，粗磨可選擇240#氧化鋁砂帶，以去除多餘之陶瓷層；細磨採用800#氧化鋁砂帶，以去除初磨時圖案部12表面以及在圖案部12以外之金屬基體11表面形成之砂帶痕。
S5：對金屬基體11之圖案部12區域進行精拋，以使該圖案部12具有鏡面效果。具體過程為：提供一平面研磨機，藉由該平面研磨機對該金屬基體11表面之圖案部12區域進行拋光處理，採用氧化鈰材料研磨，並且配合型號為TW-2080拋光液，拋光液主要組成為25%二氧化矽兌75%之水組成。
S6：對金屬基體11進行後處理工藝，以突顯圖案部12之亮度。如對金屬基體11表面上圖案部12週邊之區域進行噴砂或拉絲處理，如此不僅可消除精拋時對金屬基體11表面之刮傷，同時可突顯圖案部12之亮度。
本電子裝置殼體先通過化學蝕刻先在金屬基體表面形成與圖案對應之凹槽，然後對凹槽底面之粗化處理，以及在凹槽內形成陶瓷，並通過打磨去除凹槽上及其週邊多餘之陶瓷層，從而突顯所述圖案部12。該種方法制得之電子裝置殼體上之圖案部具有陶瓷視覺效果、圖案耐磨、且具備高亮度。
另外，琺瑯工藝中利用靜電乾粉施釉之技術，琺瑯工藝可應用於結構複雜之金屬產品，藉由控制靜電乾粉之塗覆厚度，可製造輕薄之電子裝置殼體，使得本電子裝置殼體之金屬基體厚度可為0.5mm，所述圖案部12可為0.16-0.18mm。同時，相較於傳統調製釉漿塗覆之技術，靜電乾粉可保存利用，而調製後之釉漿難以長時保存利用，提高了材料之利用率。
10‧‧‧電子裝置殼體
11‧‧‧金屬基體
12‧‧‧圖案部

Claims (10)

  1. 一種電子裝置殼體，包括金屬基體及嵌設於金屬基體表面之圖案部，其改良在於：該圖案部由陶瓷材質製成，該圖案部為通過化學蝕刻該金屬基體之部分區域後，通過琺瑯工藝化處理該化學蝕刻區域形成，該圖案部含有無機硅酸鹽。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置殼體，其中所述金屬基體之厚度在0.5mm及以上，所述圖案部嵌設在金屬基體表面之深度為0.16-0.18mm之間。
  3. 一種電子裝置殼體之製作方法，包括以下步驟：提供一金屬基體；將金屬基體進行化學蝕刻處理，以在金屬基體表面形成凹槽；對所述凹槽底面進行粗化處理；對金屬基體進行琺瑯工藝化處理，使金屬基體之凹槽內形成陶瓷，同時在金屬基體表面於凹槽上將形成多餘之陶瓷層；對所述金屬基體表面進行打磨處理，以去除多餘之陶瓷層，使金屬基體表面上顯露嵌設在凹槽內由陶瓷製成之圖案部。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之電子裝置殼體之製作方法，其中所述粗化處理包括先將金屬基體表面上除凹槽以外之區域遮蔽，然後採用噴槍對凹槽區域噴砂，所述凹槽底面在粗化後之粗糙度Ra為1.3-2.0μm之間。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之電子裝置殼體之製作方法，琺瑯工藝化處理包括施釉與燒釉過程，所述施釉過程包括利用高壓靜電電暈電場原理將靜電乾粉吸附在經過粗化後之凹槽內，所述燒釉過程包括將塗覆靜電乾粉後之金屬基體放入烤爐內，使靜電乾粉在凹槽內熔化並溢出凹槽而在 金屬基體之表面形成所述陶瓷層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之電子裝置殼體之製作方法，靜電乾粉主要成分為矽酸鹽顆粒。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之電子裝置殼體之製作方法，打磨處理包括粗磨和細磨兩個步驟，通過粗磨去除多餘之陶瓷層，通過細磨去除初磨時圖案部表面以及在圖案部以外之金屬基體表面形成之砂帶痕。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之電子裝置殼體之製作方法，粗磨選擇240#氧化鋁砂帶，細磨選擇800#氧化鋁砂帶。
  9. 如申請專利範圍第3項所述之電子裝置殼體之製作方法，製作方法還進一步包括在打磨處理後，對金屬基體之圖案部區域通過平面研磨機進行精拋，採用氧化鈰材料研磨，並且配合型號為TW-2080拋光液，拋光液主要組成為25%二氧化矽兌75%之水組成。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之電子裝置殼體之製作方法，製作方法還進一步包括在精拋後對金屬基體表面上圖案部週邊之區域進行噴砂或拉絲處理。
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