TWI439030B

TWI439030B - 軟啟動電路及其驅動方法

Info

Publication number: TWI439030B
Application number: TW101114668A
Authority: TW
Inventors: Chih Ning Chen; Yen Ming Chen
Original assignee: Anpec Electronics Corp
Priority date: 2012-04-25
Filing date: 2012-04-25
Publication date: 2014-05-21
Also published as: US20130285632A1; US8975883B2; TW201345125A

Description

軟啟動電路及其驅動方法

本發明係指一種軟啟動電路及其驅動方法，尤指一種利用一軟啟動電壓對應產生一抽取電流，進而控制一控制訊號之軟啟動電路及其驅動方法。

電子裝置通常包含有不同的元件，每一元件所需的操作電壓可能都不同。因此，在電子裝置中，需要透過直流對直流電壓轉換電路，達到電壓準位的調節(升壓或降壓)，並使之穩定在所設定的電壓數值。依不同的電源需求，可延伸出許多不同型態的直流對直流電壓轉換器，但其皆源自於降壓式轉換器(Buck/Step Down Converter)及升壓式轉換器(Boost/Step Up Converter)。顧名思義，降壓式轉換器可將輸入端的直流電壓下降至一預設電壓準位，而升壓式轉換器則可提升輸入端的直流電壓。不論降壓式轉換器或升壓式轉換器，隨著電路技術的演進，兩者皆已演變出許多變化，以適用於不同的架構，或符合不同的需求。另外，當需要一較高靈敏度之負載電壓變化，一使用者通常會選擇一反饋電壓接近一負載電壓之電路設計，以動態輸出使用者所需之負載電壓。

請參考第1圖，第1圖為習知一誤差放大器10之示意圖，由於誤差放大器10係用於一反饋電壓VFB接近一輸出電壓(圖中未示)之情形，因此，誤差放大器10僅能使用N型金氧半電晶體來作為一輸入級電路。誤差放大器10用於一電壓轉換器，其包含有一第一電流鏡100、一第二電流鏡102、一第一開關104、一第二開關106、一電流源108以及一第三電流鏡110。第一電流鏡100係由P型金氧半電晶體MP1、MP2所組成，第二電流鏡102係由P型金氧半電晶體MP3、MP4所組成。第一開關104與第二開關106係由N型金氧半電晶體MN1、MN2所實現。第三電流鏡110係由N型金氧半電晶體MN3、MN4所組成。其中，電晶體MP1、MP2、MP3、MP4之源極接收一輸入電壓VIN；電晶體MP1之閘極、電晶體MP2之閘極以及MP2之汲極相互連接；電晶體MP3之閘極、電晶體MP4之閘極以及電晶體MP3之汲極相互連接；電晶體MP1之汲極連接於電晶體MN3之汲極、電晶體MN3之閘極以及電晶體MN4之閘極；電晶體MP2之汲極連接於電晶體MN1之汲極，而電晶體MP3之汲極亦連接於電晶體MN2之汲極；電晶體MP4之汲極連接於電晶體MN4之汲極，用以輸出一控制訊號EO；電晶體MN1之源極與電晶體MN2之源極相互連接至電流源108之一端，而電流源108之另一端係接地；電晶體MN3之源極和電晶體MN4之源極係接地；至於電晶體MN1之閘極係接收反饋電壓VFB，而電晶體MN2之閘極係接收一參考電壓VREF。

換句話說，習知技術係利用反饋電壓VFB與參考電壓VREF，對應開啟第一開關104與第二開關106，在此情況下，第一電流鏡100、第二電流鏡102與第三電流鏡110係對應將反饋電壓VFB與參考電壓VREF之差值轉換為控制訊號EO，提供給一後端應用電路(圖中未示)所使用。然而，於誤差放大器10剛啟動的瞬間，由於反饋電壓VFB與參考電壓VREF之間的差值較大，於產生控制訊號EO同時將伴隨產生一突衝電流(In-rush current)，使接收控制訊號EO之後端應用電路產生毀損的可能性。請參考第2圖，第2圖為第1圖中一後端應用電路根據控制訊號EO對應產生之輸出電壓VOUT及輸出電流IOUT之示意圖。如第2圖所示，隨著輸出電壓VOUT增加的同時，輸出電流IOUT係以一震盪電流之形式呈現，但是啟動的瞬間將發生較大的突衝電流，即如第2圖中虛線圓圈標示之波形。除此之外，受限於參考電壓VREF的大小，據此對應產生的輸出電壓VOUT將會有一臨限值，進而也將影響誤差放大器10之應用範圍。再者，由於習知技術係使用N型金氧半電晶體為輸入級電路，也將無法適用於習知所用的軟體動電路。

因此，提出另一種更有效的控制電路，能避免後端應用電路突衝電流產生之可能，進而提供後端應用電路之保護，且可適用於習知所用的軟體動電路，已成為本領域重要的議題之一。

因此，本發明之主要目的即在於提供一種軟啟動電路及其控制方法，用以避免習知一後端應用電路產生一突衝電流之可能，進而提供後端應用電路之保護機制。

本發明揭露一種軟啟動電路，包含有一誤差放大器，更包含有一第一電流鏡，用來接收一輸入電壓；一第二電流鏡，耦接於該第一電流鏡，用來接收該輸入電壓；一第一開關，包含有一第一端耦接於該第一電流鏡，一第二端接收一反饋電壓以及一第三端；一第二開關，包含有一第一端耦接於該第二電流鏡，一第二端接收一參考電壓，以及一第三端耦接於該第一開關之該第三端與一電流源；以及一第三電流鏡，耦接於該第一電流鏡以及該第二電流鏡，用來根據該參考電壓與該反饋電壓之一差值，產生一控制訊號；一反饋電路，耦接於該誤差放大器，用來根據一輸出電壓，產生該反饋電壓；一內部電壓源，用來產生一軟啟動電壓；以及一抽取電路，耦接於該誤差放大器、該反饋電路、以及該內部電壓源，更包含有一第一轉換模組，用來根據該軟啟動電壓，對應產生一第一轉換電流；一第二轉換模組，用來根據該反饋電壓，對應產生一第二轉換電流；一比較模組，耦接於該第一轉換模組與該第二轉換模組，用來根據該第一轉換電流與該第二轉換電流，產生一比較結果；以及一輸出模組，耦接於該比較模組，用來根據該比較結果，產生一抽取電流，以控制該控制訊號之輸出情形。

本發明另揭露一種驅動一軟啟動電路之方法，包含有接收一輸入電壓；根據一反饋電壓與一參考電壓之一差值，產生一控制訊號；根據一輸出電壓，產生該反饋電壓；根據一軟啟動電壓，對應產生一第一轉換電流；根據該反饋電壓，對應產生一第二轉換電流；根據該第一轉換電流與該第二轉換電流，產生一比較結果；以及根據該比較結果，產生一抽取電流，以控制該控制訊號之輸出情形。

請參考第3圖，第3圖為本發明實施例一軟啟動電路30之示意圖。如第3圖所示，軟啟動電路30除了包含有習知技術之誤差放大器10外，軟啟動電路30更包含有一抽取電路300、一內部電壓源302、一反饋電路304、一後端應用電路306以及一參考電壓源308。誤差放大器10耦接於參考電壓源308、抽取電路300以及後端應用電路306，並接收一輸入電壓VIN、參考電壓源308產生之一參考電壓VREF以及一反饋電壓VFB，至於誤差放大器10之細部電路結構與詳細操作方式，已於前述段落說明，在此不贅述。另外，抽取電路300耦接於內部電壓源302以及反饋電路304，並接收內部電壓源302產生之一軟啟動電壓VSS、輸入電壓VIN以及反饋電壓VFB，據以產生一抽取電流I_SINK。後端應用電路306係根據一使用者需求可為各種靴帶式升/降壓轉換器，以接收誤差放大器10所產生之控制訊號EO。簡單來說，軟啟動電路30除了透過誤差放大器10轉換輸入電壓VIN為一控制訊號EO外，抽取電路300更依據軟啟動電壓VSS與反饋電壓VFB之差值，對應產生抽取電流I_SINK，進而調整控制訊號EO之輸出情形。值得注意地，在此實施例中，控制訊號EO係以電壓形式來表示，因此，抽取電流I_SINK係對應調升或調降控制訊號EO之一電壓變化。當然，本領域具通常知識者亦可透過電流方式或其他訊號種類來表示控制訊號EO，並透過抽取電流I_SINK調整一電流變化或一訊號變化，亦為本發明之範疇。

請繼續參考第4圖，第4圖為第3圖中抽取電路300之詳細示意圖。如第4圖所示，抽取電路300包含有一第一轉換模組400、一第二轉換模組402、一比較模組404以及一輸出模組406。第一轉換模組400包含有一第四電流鏡4000、一第三開關4002、一第一驅動模組4004、一第一開關電路4006以及一第一輸出電晶體4008。第二轉換模組402包含有一第一接收電晶體4020、一第四開關4022、一第二驅動模組4024以及一第二開關電路4026。在第一轉換模組400中，第四電流鏡4000係由P型金氧半電晶體MP5、MP6所組成，第三開關4002係由P型金氧半電晶體MP7所組成，第一驅動模組4004係由N型金氧半電晶體MN5、MN6以及電阻R1、R2所組成，第一開關電路4006係由P型金氧半電晶體MP8及N型金氧半電晶體MN7所組成，以及第一輸出電晶體4008係由N型金氧半電晶體MN11所組成。此外，在第二轉換模組402中，第一接收電晶體4020係由P型金氧半電晶體MP10所組成，第四開關4022係由P型金氧半電晶體MP11所組成，第二驅動模組4024係由N型金氧半電晶體MN8、MN9以及電阻R3、R4所組成，以及第二開關電路4026係由P型金氧半電晶體MP12及N型金氧半電晶體MN10所組成。另外，比較模組404係由P型金氧半電晶體MP9與N型金氧半電晶體MN12所組成，而輸出模組406係由N型金氧半電晶體MN13、MN14所組成。此外，輸入電壓VIN係耦接電流源CS1、CS2，以產生參考電壓VR1、VR2。

請再參考第5圖，第5圖為第3圖中反饋電路304之詳細示意圖。如第5圖所示，反饋電路304係由分壓電阻R_D1、R_D2所組成，並分別具有電阻值Rest_1、Rest_2，進一步根據分壓電阻R_D1、R_D2之電阻值比例Rest_1/(Rest_1+Rest_2)，將後端應用電路306之一輸出電壓VOUT轉換為反饋電壓VFB。一般來說，電阻值Rest_1除以電阻值Rest_2之值愈小者，對應產生之反饋電壓VFB具有愈高之靈敏度，即愈能即時透過反饋電壓VFB對應影響輸出電壓VOUT之電壓值。當然，使用者係根據其不同的需求，對應挑選合適之電阻值比例，能動態地隨輸出電壓VOUT來產生反饋電壓VFB者，皆為本發明之範疇。

請繼續參考第4圖，第一轉換模組400之操作方式如下所述。電晶體MP5之源極及電晶體MP6之源極係連接輸入電壓VIN，此外，電晶體MP5之汲極透過第一開關電路4006耦接至第一驅動模組4004，且電晶體MP5之汲極更連接電晶體MP5之閘極與電晶體MP6之閘極；電晶體MP7之閘極接收軟啟動電壓VSS，以控制電晶體MP7之導通情形；至於第一驅動模組4004，其包含有兩條導通電路，第一條導通電路係為電晶體MN5與電阻R1，第二條導通電路係為電晶體MN6與電阻R2，且兩者分別根據參考電壓VR1、軟啟動電壓VSS以及電晶體MP7之導通情形依序導通。因此，當第一開關電路4006導通時，電晶體MP5所流過之電流係依據軟啟動電壓VSS、第三開關4002及第一驅動模組4004，以對應產生一導通電流I_C1，而電晶體MP6複製電晶體MP5之導通電流I_C1，以轉換軟啟動電壓VSS為一第一轉換電流I_T1。最後再由第一輸出電晶體4008之汲極耦接至電晶體MP6之汲極，以輸出第一轉換電流I_T1至比較模組404。

至於第二轉換模組402之操作方式，係與第一轉換模組400之操作方式相似。電晶體MP10之源極係連接輸入電壓VIN，此外，電晶體MP10之汲極透過第二開關電路4026耦接至第二驅動模組4024，且電晶體MP10之汲極更連接電晶體MP10之閘極與比較模組404電晶體MP9之閘極；電晶體MP11之閘極接收反饋電壓VFB，用以控制電晶體MP11之導通情形；至於第二驅動模組4024亦包含有兩條導通電路，第一條導通電路係為電晶體MN8與電阻R3，第二條導通電路係為電晶體MN9與電阻R4，且兩者分別根據參考電壓VR2、反饋電壓VFB以及電晶體MP11之導通情形依序導通。因此，當第二開關電路4026導通時，電晶體MP10所流過之電流係依據反饋電壓VFB、第四開關4022與第二驅動模組4024，對應產生一導通電流I_C2，以轉換反饋電壓VFB為一第二轉換電流I_T2。最後電晶體MP10結合比較模組404之電晶體MP9來形成一電流鏡，複製電晶體MP10之第二轉換電流I_T2以輸出至比較模組404。

另外，比較模組404係利用電晶體MN12接收第一轉換電流I_T1，以及利用電晶體MP9接收第二轉換電流I_T2，對應將第一轉換電流I_T1與第二轉換電流I_T2之差值，產生一差值電流I_D。至於輸出模組406之電晶體MN13係接收差值電流I_D，並透過電晶體MN14複製差值電流I_D，以產生抽取電流I_SINK。

值得注意地，第一開關電路4006與第二開關電路4026之導通情形，係透過一致能訊號VOK(或是致能訊號之反相訊號)，進而控制第一開關電路4006之電晶體MP8、MN7以及第二開關電路4026之電晶體MP12、MN10的導通情形，對應電性導通電晶體MP5與第一轉換模組400及電性導通電晶體MP10與第二轉換模組402，其中致能訊號VOK(或是)之產生，於本實施例中係根據差值電流I_D之變化情形來對應產生，當然亦可透過內/外部任意產生之一控制訊號來實現致能訊號VOK(或是)，非用以限制本發明之範疇。換句話說，使用者可適性地開啟或關閉第一開關電路4006與第二開關電路4026，以對應控制抽取電路300之導通情形，進而提供一關閉機制。當使用者不需使用軟啟動電路30時，藉由上述關閉機制，可節省軟啟動電路30消耗之電力，以提升軟啟動電路30之應用範圍。當然，本領域具通常知識者係可依據第一開關電路4006與第二開關電路4026之概念，搭配其他開關元件或是電路導通機制，進而控制抽取電路300之開啟或關閉，皆為本發明之範疇。

請再繼續參考第3圖，誤差放大器100所輸出之一誤差放大器電流I_DD，係大致等於抽取電流I_SINK加總一輸出電流I_EO，在此情況下，本實施例利用調整抽取電流I_SINK之大小，以調整輸出電流I_EO之大小，進而可控制控制訊號EO之電壓變化。換句話說，本發明實施例係同時利用誤差放大器10與抽取電路300，以將參考電壓VREF以及反饋電壓VFB之差值產生為控制訊號EO，再傳送至後端應用電路306產生輸出電壓VOUT。於軟啟動電路30剛起動時，本實施例先比較軟啟動電壓VSS與反饋電壓VFB之差異，產生電流I_SINK，而電流I_DD扣除抽取電流I_SINK後所得之輸出電流I_EO，係提供給後端應用電路306作為軟啟動操作。在此情況下，由於軟啟動電壓VSS仍大於反饋電壓VFB，故本實施例透過抽取電路300減少所產生之抽取電流I_SINK，以對應增加輸出電流I_EO之大小，進而加速控制訊號EO之增加幅度。隨著控制訊號EO係逐漸增加，反饋電壓VFB將接近軟啟動電壓VSS之大小，在此情況下，本實施例再利用抽取電路300增加所產生抽取電流I_SINK之大小，以對應減少輸出電流I_EO之大小，進而減緩控制訊號EO之增加幅度。一旦反饋電壓VFB達到參考電壓VREF時，本實施例係透過致能訊號VOK(或是)關閉抽取電路300，恢復僅用誤差放大器100產生控制訊號EO，進而完成後端應用電路306之軟啟動操作。

簡單來說，本發明實施例之軟啟動電路30係同時利用誤差放大器10及抽取電路300，並動態調整抽取電流I_SINK之大小，以轉換參考電壓VREF以及反饋電壓VFB之差值為控制訊號EO。更進一步，軟啟動電路30之操作方式可歸納為一軟啟動電路控制流程60，如第6圖所示。軟啟動電路控制流程60包含有以下步驟：

步驟600：開始。

步驟602：誤差放大器10根據輸入電壓VIN、反饋電壓VFB與參考電壓VREF，產生控制訊號EO。

步驟604：反饋電路304根據輸出電壓VOUT，產生反饋電壓VFB。

步驟606：第一轉換模組400根據軟啟動電壓VSS，對應產生第一轉換電流I_T1。

步驟608：第二轉換模組402根據反饋電壓VFB，對應產生第二轉換電流I_T2。

步驟610：比較模組404根據第一轉換電流I_T1與第二轉換電流I_T2，產生差值電流I_D。

步驟612：輸出模組406根據差值電流I_D，產生抽取電流I_SINK，以控制控制訊號EO之輸出電壓變化。

步驟614：結束。

軟啟動電路控制流程60之詳細操作可同時參考第1圖、第3圖、第4圖與第5圖，以及軟啟動電路30之相關段落，在此不贅述。值得注意地，相較於習知技術，軟啟動電路控制流程60係同時利用步驟602與步驟612，調整控制訊號EO之輸出電壓變化。因此，本領域具通常知識者可進一步直接組合步驟602與步驟612之操作手法，同時比較參考電壓VREF、反饋電壓VFB與軟啟動電壓VSS之差值，以調整抽取電流I_SINK之大小，進而達到調升或降低控制訊號EO之變化情形，皆為本發明之範疇。

除此之外，請參考第7圖，第7圖為本發明實施例利用耦接有軟啟動電路30之後端應用電路306所對應產生之輸出電壓VOUT與輸出電流I_OUT之示意圖。如第7圖所示，軟啟動電路30啟動後，於抽取電路300以及誤差放大器10同時操作下，後端應用電路306之輸出電壓VOUT係呈現一平緩之斜直線，至於後端應用電路306之輸出電流I_OUT亦無如第2圖所示之突衝電流的產生，僅為一震盪電流(在此僅畫出輸出電流I_OUT於震盪過程中最大值所連之曲線)，且於後端應用電路306剛啟動的時間，例如從開始到600微秒前，輸出電流I_OUT的數值也小於習知之輸出電流IOUT，即可提供後端應用電路306較佳的軟啟動操作，並避免習知因為僅單獨利用誤差放大器10而產生突衝電流之情形，進而提供後端應用電路306較佳之保護機制。

值得注意地，當輸入電壓VIN與參考電壓VREF接近時，本發明所提供之軟啟動電路30仍可正常運作，相較於習知技術(僅包含有誤差放大器10)係無法達到相同的軟啟動操作。另外，本領域具通常知識者係可依據本實施例，進一步結合複數個抽取電路300，並對應提供複數個不同之軟啟動電壓VSS來和反饋電壓VFB相比，對應提供多元的比較/調控機制，相較於習知技術僅單獨比較參考電壓VREF和反饋電壓VFB，已能大幅提升軟啟動電路30之應用範圍。

較佳地，本發明所提供之軟啟動電路30，由於其係結構對稱，即使所使用的P型或N型金氧半電晶體有基板效應(body effect)，也不影響軟啟動電路30提供的功能操作，自然亦不需限制基極(bulk/body)之接腳位置。

綜上所述，本發明係提供一軟啟動電路，利用一抽取電路比較一軟啟動電壓與一反饋電壓之差值，以產生一抽取電流，進而調整一誤差放大器所輸出之誤差放大器電流之大小，據此以控制一控制訊號之輸出電壓變化，進一步更利用軟啟動電壓與反饋電壓之一比較結果，適性地控制抽取電路之導通情形，一方面已可節省軟啟動電路消耗之電力，另一方面更避免習知技術中產生一突衝電流之可能，進而提供一負載電路之保護機制，同時提高軟啟動電路之應用範圍。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

10．．．誤差放大器

100．．．第一電流鏡

102．．．第二電流鏡

104．．．第一開關

106．．．第二開關

108．．．電流源

110．．．第三電流鏡

30．．．軟啟動電路

300．．．抽取電路

302．．．內部電壓源

304．．．反饋電路

306．．．後端應用電路

308．．．參考電壓源

400．．．第一轉換模組

4000．．．第四電流鏡

4002．．．第三開關

4004．．．第一驅動模組

4006．．．第一開關電路

4008．．．第一輸出電晶體

402．．．第二轉換模組

4020．．．第一接收電晶體

4022．．．第四開關

4024．．．第二驅動模組

4026．．．第二開關電路

404．．．比較模組

406．．．輸出模組

60．．．軟啟動電路控制流程

600、602、604、606、608、610、612、614．．．步驟

MP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8、MP9、MP10、MP11、MP12．．．P型金氧半電晶體

MN1、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6、MN7、MN8、MN9、MN10、MN11、MN12、MN13、MN14．．．N型金氧半電晶體

R_D1、R_D2．．．分壓電阻

R1、R2、R3、R4．．．電阻

I_T1．．．第一轉換電流

I_T2．．．第二轉換電流

I_D．．．差值電流

I_DD．．．誤差放大器電流

I_OUT、I_EO．．．輸出電流

I_C1、I_C2．．．導通電流

I_SINK．．．抽取電流

EO．．．控制訊號

VR1、VR2．．．參考電壓

VFB．．．反饋電壓

VIN．．．輸入電壓

VOUT．．．輸出電壓

VREF．．．參考電壓

VSS．．．軟啟動電壓

VOK、．．．致能訊號

第1圖為習知一誤差放大器之示意圖。

第2圖為第1圖中一後端應用電路根據控制訊號對應產生之輸出電壓及輸出電流之示意圖。

第3圖為本發明實施例一軟啟動電路之示意圖。

第4圖為第3圖中抽取電路之詳細示意圖。

第5圖為第3圖中反饋電路之詳細示意圖。

第6圖為本發明實施例一軟啟動電路控制流程之示意圖。

第7圖為本發明實施例利用耦接有軟啟動電路之後端應用電路306所對應產生之輸出電壓與輸出電流之示意圖。

10‧‧‧誤差放大器

30‧‧‧軟啟動電路

300‧‧‧抽取電路

302‧‧‧內部電壓源

304‧‧‧反饋電路

306‧‧‧後端應用電路

308‧‧‧參考電壓源

EO‧‧‧控制訊號

I_DD‧‧‧誤差放大器電流

I_EO‧‧‧輸出電流

I_SINK‧‧‧抽取電流

VFB‧‧‧反饋電壓

VIN‧‧‧輸入電壓

VOUT‧‧‧輸出電壓

VREF‧‧‧參考電壓

VSS‧‧‧軟啟動電壓

Claims

一種軟啟動電路，包含有：一誤差放大器，更包含有：一第一電流鏡，用來接收一輸入電壓；一第二電流鏡，耦接於該第一電流鏡，用來接收該輸入電壓；一第一開關，包含有一第一端耦接於該第一電流鏡，一第二端接收一反饋電壓以及一第三端；一第二開關，包含有一第一端耦接於該第二電流鏡，一第二端接收一參考電壓，以及一第三端耦接於該第一開關之該第三端與一電流源；以及一第三電流鏡，耦接於該第一電流鏡以及該第二電流鏡，用來根據該參考電壓與該反饋電壓之一差值，產生一控制訊號；一反饋電路，耦接於該誤差放大器，用來根據一輸出電壓，產生該反饋電壓；一內部電壓源，用來產生一軟啟動電壓；以及一抽取電路，耦接於該誤差放大器、該反饋電路以及該內部電壓源，更包含有：一第一轉換模組，用來根據該軟啟動電壓，對應產生一第一轉換電流；一第二轉換模組，用來根據該反饋電壓，對應產生一第二轉換電流；一比較模組，耦接於該第一轉換模組與該第二轉換模組，用來根據該第一轉換電流與該第二轉換電流，產生一比較結果；以及一輸出模組，耦接於該比較模組，用來根據該比較結果，產生一抽取電流，以控制該控制訊號之輸出情形。
如請求項1所述之軟啟動電路，其中該第一轉換模組，更包含有：一第三開關，用來根據該軟體動電壓，決定該第三開關之導通情形；一第一驅動模組，包含有至少一電晶體，其一第一端耦接於該第三開關，一第二端耦接於一電阻，一第三端係根據該第三開關之導通情形，以決定該第一驅動模組之一導通電流；一第四電流鏡，包含有一端接收該輸入電壓，另一端耦接於該第一驅動模組，用來根據該第一驅動模組之導通電流，產生該第一轉換電流；以及一第一輸出電晶體，耦接於該第四電流鏡，用來輸出該第一轉換電流。
如請求項1所述之軟啟動電路，其中該第二轉換模組，更包含有：一第四開關，用來根據該反饋電壓，決定該第四開關之導通情形；一第二驅動模組，包含有至少一電晶體，其一第一端耦接於該第四開關，一第二端耦接於一電阻，一第三端係根據該第四開關之導通情形，決定該第二驅動模組之一導通電流；以及一第一接收電晶體，包含有一端接收該輸入電壓，另一端耦接於該第二驅動模組，用來根據該第二驅動模組之該導通電流，產生該第二轉換電流。
如請求項1所述之軟啟動電路，其中該比較模組係利用兩個相互耦接之電晶體以對應產生該比較結果，而該比較結果係根據該第一轉換電流與該第二轉換電流之差值，對應產生一差值電流。
如請求項4所述之軟啟動電路，其中該輸出模組係根據該差值電流，對應產生該抽取電流，以調升或降低該控制訊號之一電壓變化或一電流變化。
如請求項1所述之軟啟動電路，其中該抽取電路更包含有複數個開關電路，其中每一開關電路係根據一控制訊號，對應控制該每一開關電路之導通情形。
如請求項6所述之軟啟動電路，其中該每一開關電路包含有一P型金氧半電晶體與一N型金氧半電晶體，且該P型金氧半電晶體之一閘極與該N型金氧半電晶體之一閘極係接收該比較結果，以控制該每一開關電路之導通情形。
如請求項1所述之軟啟動電路，其中該反饋電路更包含有複數個分壓電阻，用來根據該複數個分壓電阻之一電阻值比例，轉換該控制訊號為該反饋電壓。
如請求項1所述之軟啟動電路，其更包含有一後端應用電路耦接於該第三電流鏡以及該反饋電路。
如請求項9所述之軟啟動電路，其係同時比較該參考電壓與該反饋電壓之差異以及該軟啟動電壓與該反饋電壓之差異，用以控制該後端應用電路之一電壓變化或一電流變化。
如請求項9所述之軟啟動電路，其中該後端應用電路係根據該控制訊號，對應產生該輸出電壓。
一種控制一軟啟動電路之方法，包含有：接收一輸入電壓；根據一反饋電壓與一參考電壓之一差值，產生一控制訊號；根據一輸出電壓，產生該反饋電壓；根據一軟啟動電壓，對應產生一第一轉換電流；根據該反饋電壓，對應產生一第二轉換電流；根據該第一轉換電流與該第二轉換電流，產生一比較結果；以及根據該比較結果，產生一抽取電流，以控制該控制訊號之輸出情形。
如請求項12所述之方法，其中該比較結果係根據該第一轉換電流與該第二轉換電流之差值，對應產生一差值電流。
如請求項13所述之方法，其更包含有根據該比較電流，產生該抽取電流，以對應調升或降低該控制訊號之一電壓變化或一電流變化。
如請求項12所述之方法，其更包含有同時比較該參考電壓與該反饋電壓以及該軟啟動電壓與該反饋電壓之差異，用以控制一後端應用電路之一電壓變化或一電流變化。
如請求項12所述之方法，其更包含有根據該控制訊號，對應產生該輸出電壓。