TWI433930B - 富水的剝除及清潔配方及其使用方法 - Google Patents

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Description

富水的剝除及清潔配方及其使用方法
本發明係關於富水的配方及使用該富水的配方移除巨大的光阻劑、蝕刻後和灰化後的殘餘物、Al後段製程互連件結構的殘餘物以及污染物之方法。
用於含有灰化和未灰化基材的Al後段製程(Al BEOL)清潔之習用的剝除及清潔配方經常含有羥基胺、溶劑(任意)、烷醇胺(任意)、水及腐蝕抑制劑或螯合劑。習用的化學藥品經常含有大部分的有機成分和胺類及少部分的水。在US5911835、US6110881、US6319885、US7051742及US7144849中能見到此類化學藥品的典型實例。在上面列舉的專利中，其二羥基-芳香族腐蝕抑制劑常使用苯鄰二酚(二羥基苯)。苯鄰二酚已經被用作鋁的腐蝕抑制劑。此外，苯鄰二酚已經被用作螯合劑以延長含羥基胺的配方之安定性。
此技藝中的人士眾所皆知的是有效率的清潔劑的關鍵性質為其攻擊及/或溶解蝕刻後及/或灰化後的殘餘物而不會實質攻擊下方的互連件介電質或金屬之能力，也就是說，該腐蝕抑制劑的選擇是控制金屬蝕刻速率的關鍵。
在關於Al互連件結構的BEOL應用中，該腐蝕抑制劑必須能抑制鋁和其他互連件金屬/膜的蝕刻，然而因為鋁具有非常高的電化學活性，所以最容易腐蝕及/或蝕刻。
因此希望提供能移除那些不想要的殘餘物而不會腐蝕、溶解或弄鈍該等互連件結構的暴露表面之清潔配方及方法。羥基胺從半導體基材移除殘餘物及未灰化的光阻劑時非常有效，但是容易分解，即使於室溫亦同。重要的事是尋找用於含有羥基胺的清潔配方之成分，該等成分能使羥基胺安定化或不會加速羥基胺分解。因此，希望能控制鋁蝕刻速率及使用於該含有羥基胺的清潔配方之羥基胺安定化。
因此，本發明之一形態為一種用於移除光阻劑、蝕刻後和灰化後的殘餘物、Al後段製程互連件結構的殘餘物以及污染物之富水的配方。
在一具體實施例中，本發明提供一種富水的配方，其包含：羥基胺、羥基胺鹽化合物及其混合物；烷基-二羥基苯；羥基喹啉；可與該羥基胺混溶的烷醇胺；及水；其中該富水的配方具有至少50重量%的水。
在另一具體實施例中，本發明提供一富水的配方，其包含：羥基胺、羥基胺鹽化合物及其混合物；烷基-二羥基苯；羥基喹啉；水溶性溶劑；及水；其中該富水的配方具有至少50重量%的水。
還有，在另一具體實施例中，本發明提供一種富水的配方，其包含：羥基胺、羥基胺鹽化合物及其混合物；烷基-二羥基苯；羥基喹啉；可與該羥基胺混溶的烷醇胺；水 溶性溶劑；及水；其中該富水的配方具有至少50重量%的水。
根據本發明之另一形態，提供從基材移除蝕刻後和灰化後的殘餘物及污染物的方法，其包含：將上述配方施於基材以從該基材移除該光阻劑、蝕刻後和灰化後的殘餘物以及污染物。
灰化和未灰化的基材的Al BEOL(後段製程)清潔需要清潔配方。此技藝中的人士眾所皆知的是有效率的清潔劑的關鍵性質為其攻擊及溶解蝕刻後及灰化後的殘餘物而不會實質攻擊下方的互連件介電質或金屬之能力；該腐蝕抑制劑的選擇是控制金屬蝕刻速率的關鍵。
鋁具有非常高的電化學活性，最容易腐蝕及/或蝕刻。關於Al互連件結構，該腐蝕抑制劑必須能抑制鋁和其他互連件金屬及/或膜的蝕刻。
習用的清潔配方經常含有羥基胺、溶劑(任意)、烷醇胺(任意)、水及腐蝕抑制劑或螯合劑。一種調整清潔配方中的羥基胺類(和胺類)的腐蝕效果之方法為經由保持低水量及使用高濃度的溶劑，因此為富溶劑的配方。在許多上面列舉的專利中，苯鄰二酚已經被用作鋁的腐蝕抑制劑及/或螯合劑以延長含羥基胺的富溶劑的配方之安定性。
本發明已經研發出供Al BEOL清潔用的含羥基胺之富水的配方。文中，“富水”表示該配方具有至少50重量%的 水。
該等富水的配方經常包含1至30重量%的至少一種選自羥基胺、羥基胺鹽化合物及其混合物者；0.1至5重量%的腐蝕抑制劑；選自由5重量%至45重量%的水溶性溶劑、5重量%至45重量%可與該羥基胺混溶的烷醇胺及該二者的組合所構成的群組之一成分。
該水溶性溶劑包括但不限於乙二醇、丙二醇、苯甲醇、二甲基亞碸、二甲基脲、丙三醇、二丙二醇單甲基醚、N-甲基吡咯烷酮、四氫呋喃甲醇、四甲氧基乙烷及其混合物。
該可與該羥基胺混溶的烷醇胺包括但不限於單乙醇胺、胺基乙氧基乙醇、胺基丙基嗎啉、單乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、第三丁基二乙醇胺、異丙醇胺、2-胺基-1-丙醇、3-胺基-1-丙醇、2-胺基-1-丁醇、異丁醇胺、2-胺基-2-乙氧基丙醇、2-胺基-2-乙氧基乙醇及其混合物。
不同腐蝕抑制劑已經用於本發明中的富水的配方。除了苯鄰二酚之外，已經測試過有機化合物的組合，明確地說，烷基二羥基苯類及羥基喹啉類。烷基二羥基苯類包括但不限於具有含2至6個碳原子的線性或分支烷基者，例如，第三丁基苯鄰二酚。羥基喹啉類包括但不限於2-羥基喹啉、4-羥基喹啉、6-羥基喹啉及8-羥基喹啉。
在下列加工實施例中，實施例1至3測試苯鄰二酚， 及實施例4至5中測試第三丁基苯鄰二酚和8-羥基喹啉的組合。
實施例
下列實施例係供用於進一步舉例說明本發明的目的但是絕非意圖限本發明。
實施例1 苯鄰二酚作為腐蝕抑制劑/螯合劑
在此實施例中測試三個具有不同量的水、溶劑及羥基胺的配方。用苯鄰二酚作為該腐蝕抑制劑。這些實驗選擇苯鄰二酚的原因是其係此領域中眾所皆知的腐蝕抑制劑而且是上列專利中的共有成分。
表1列舉三個配方的鋁蝕刻速率。
表1中的配方A及B的水量較低(<20%)，但是單乙醇胺溶劑的量較高(>50%)。因此，配方A及B為富溶劑的配方。相反地，配方18647-76I含有大量(>50%)的水及小量的單乙醇胺溶劑(20%或更少)。因此，配方18647-76I為富水的配方。
如表1所示，當苯鄰二酚作為腐蝕抑制劑時配方A及B具有較低的鋁蝕刻速率。當苯鄰二酚作為腐蝕抑制劑時配方18647-76I具有較高的鋁蝕刻速率(比配方A及B更高7倍)。很清楚地，以苯鄰二酚作為腐蝕抑制劑的效率對於水量低(約20%或更低)的情況有利。當水量提高時，該鋁蝕刻速率即實質地提高。
實施例2 描述使用苯鄰二酚的腐蝕速率之電化學特徵
該腐蝕速率的特徵化係經由使用電化學中眾所皆知的塔菲爾分析法(Tafel analysis method)來進行。圖1顯示相對於參考物的電極電位對腐蝕電流密度的對數典型作圖。
在一系列富水的羥基胺清潔配方中測量關於Al/0.5重量% Cu樣品的電化學電位對電流密度的關係，以敘述各種不同抑制劑的腐蝕抑制特徵。
圖2中顯示用苯鄰二酚作為該腐蝕抑制劑的配方之塔菲爾圖。在圖2中顯示配方A(富溶劑的配方)及配方18647-76I(富水的配方)二者以供比較。
配方A具有比配方18647-76I更低的腐蝕刻電流，指示以苯鄰二酚作為該腐蝕抑制劑在配方A中發揮比較好的作用。再者，據顯示苯鄰二酚在富水的系統中為不良的腐蝕抑制劑。這與表1所示的較高的Al蝕刻速率數值一致。
實施例3 在使用苯鄰二酚的富水的配方中之羥基胺安定性
在數個美國專利中明確地使用苯鄰二酚及二羥基苯作為螯合劑以控制該清潔配方的安定性(參見US5911835、US6110881、US6319885、US7051742及US7144849)。該螯合劑的主要角色在於使在溶液中的羥基胺安定化並且預防其降解。
進行在具有作為螯合劑的苯鄰二酚的富水的配方18647-76I中之羥基胺安定性(或該羥基胺的分解)的測量。更明確地說，於室溫、40℃、50℃及60℃為樣品測量視為時間的函數之配方18647-76I的溶液中之標準化羥基胺濃度。將結果顯示於圖3中。
結果指示當該樣品溫度提高時，留在溶液中的羥基胺的量急遽下降。事實上當該配方保持於60℃時，在一周內損失97%的羥基胺。
在相同條件之下測試配方18647-78E，其含有與18647-76相同量的單乙醇胺和羥基胺，但是不含苯鄰二酚。更明確地說，配方18647-78E，含有20重量%單乙醇胺、7.5重量%羥基胺及72.5重量%的水。
將結果顯示於圖4中。圖4指示在配方18647-78E中沒有羥基胺的降解，即使是樣品維持於提高的溫度亦同。該等富水的配方沒有該“安定劑”：苯鄰二酚更安定。基於此數據，能合理歸納出苯鄰二酚為富水的配方中的羥基胺分解的觸媒而非安定劑的結論。
注意，這些結果與先前技藝中的揭示內容完全相反。我們的結果指示在富水的配方中使用苯鄰二酚不能有效使該羥基胺安定化及，事實上，使用苯鄰二酚能有效催化羥基胺的分解或降解。
實施例4 不會催化羥基胺分解之Al蝕刻用的有效腐蝕抑制劑
在此實施例中測試富水的配方18647-76K、18647-79A及18647-78F。使該等配方中的烷醇胺及羥基胺濃度保持於類似的水準(參見表2)。至於該腐蝕抑制劑，配方18647-76K含有1重量%的第三丁基苯鄰二酚(tBC)及1重量%的8-羥基喹啉(8HQ)，18647-79A含有1重量%的8-羥基喹啉(8HQ)，及配方18647-78F含有1重量%的第三丁基苯鄰二酚(tBC)。
圖5中顯示兩個配方18647-76K、18647-79A的塔菲爾結果。關於18647-79A的陽極極化曲線顯示強烈的鈍性指示，試著達到極限電流，而關於18647-76K，陽極極化曲線指示完美的活性極化。這指示就18647-79A而言鈍性膜可能形成在Al表面上，而18647-76K則不可能。就清潔的觀點來看，這暗示藉由配方18647-76K移除形成在Al上的鈍性膜不需要費額外的心力，然而對於18647-79A可能形成鈍性膜，其必需費額外的心力移除。不要留下鈍化膜在該金屬膜上很重要，因為這樣的膜會影響該半導體裝置的電氣效能。
圖6中顯示兩個配方18647-76K及18647-78F的塔菲爾結果。關於18647-78F的陽極極化曲線顯示強烈的鈍性 指示，試著於較高電位達到極限電流。再者，指示就18647-78F而言鈍化膜可能形成在Al表面上，及該鈍化膜將難以移除。
如表2中所示，配方18647-79A和18647-78F的腐蝕電流均比配方18647-76K更高，而且配方18647-79A更高大約2.5個數量級。在實施例2中的圖2的配方18647-76I之腐蝕電流也列在表2中以供比較。
圖5和6及表2中的數據顯示驚人的結果，t-BC和8HQ的組合得到比單獨任一成分更好的Al腐蝕之腐蝕抑制作用。再者，該混合腐蝕抑制劑的塔菲爾曲線並未顯示極限腐蝕電流，指示在所評估的電位範圍以內有完美的鈍化作用。這顯示在18647-76K中的腐蝕抑制劑組合之協同效應。
測量含有1重量%的苯鄰二酚和1重量%的8-羥基喹啉(8HQ)之配方18657-76B的Al蝕刻速率，及含有1重量%的第三丁基苯鄰二酚(tBC)和1重量%的8-羥基喹啉(8HQ)之配方18647-76K，並且顯示於表3中。把該等配方中的烷醇胺和羥基胺濃度保持於相同水準。
表3中的結果顯示關於18647-76B於45℃的蝕刻速率比18647-76K高許多。這指示該苯鄰二酚和8HQ的混合物為Al的不良腐蝕抑制劑。
相反地，卻一致地顯示該tBC和8HQ的混合物為Al的優良腐蝕抑制劑。
實施例5 在使用第三丁基苯鄰二酚(tBC)和8-羥基喹啉(8HQ)的組合之富水的配方中的羥基胺安定性
測量在具有1重量%的tBC和1重量%的8HQ之組合的富水的配方18647-76K中的羥基胺安定性(或該羥基胺的分解)。結果顯示於圖7中。
結果顯示配方18647-76K在廣大範圍的溫度經過超過6周具有非常穩定的羥基胺濃度。因此，該tBC和8HQ的 組合作為富水的剝除劑配方中的腐蝕抑制劑，不會使羥基胺降解，最重要的是不會催化該羥基胺的分解。
實施例6
電耦合電流(GCC)為電化學活性金屬與電解液接觸而電連接至另一金屬時的氧化作用(蝕刻速率)之度量標準。
製備一系列配方(參見表4)並且作為電耦合電流測量中的電解液進行測試。
在這些試驗中，Al/0.5重量% Cu為活性電極並且將其連至TiN及湲在一清潔配方(電解液)中。使用恆電流器/恆電位器測量此二金屬之間的電流。較高的電耦合電流指示較高的腐蝕速率。
更明確地說，把250ml的配方填入400ml鐵氟龍燒杯中。在加熱板上將該樣品加熱至35℃及使用磁攪拌器攪拌此溶液。把一片8cm x 2cm的Al/0.5%Cu晶圓浸到該配方的4cm深處。把類似尺寸的TiN片也浸到該配方內到相同深度。把該等晶圓樣品分開4cm的距離。Al/0.5% Cu為工作電極，TiN為相反及參考電極。因為Al/0.5% Cu對於TiN具有電化學活性，所以該GCC表示有鋁的腐蝕速率。接著把Gamry恆電流器/恆電位器連至該2片。測量該GCC超過900秒。
以不同溶劑製備前三組配方。
配方83A、83B和83C含有丙二醇。配方83D、83E和83F含有二丙二醇單甲基醚。配方83G、83H和83I含 有四氫呋喃甲醇。
製備不含溶劑的第四組配方：其係18647-76K、18647-78F和18647-79A。
在各群組當中，把該腐蝕抑制劑改為1重量%第三丁基苯鄰二酚(tBC)和1重量%的8-羥基喹啉(8HQ)的混合物、僅有1% tBC或僅有1重量% 8HQ。
結果顯示於底下表4中。
經由比較該等群組當中的前三組配方的電耦合電流(GCC)，評估那些腐蝕抑制劑降低該GCC(亦即，抑制Al腐蝕)最有效。
表4指示當使用1重量% tBC和1重量% 8HQ的混合物時總是獲得最低的電耦合電流。含有僅1% tBC或僅1% 8HQ的配方具有較高的GCC，指示較高的Al腐蝕速率。這些數據指示該二抑制劑的混合物比任一者單獨都更好。
以具有甲基二羥基苯與8-羥基喹啉組合的腐蝕抑制劑製備第五組配方。使用兩種甲基二羥基苯類：2-甲基間苯二酚(2MR)及甲基對苯二酚(MHQ)：表5中顯示具有2MR的4B和4G，表6中顯示具有MHQ的4C和4H。
表5及6二者中顯示具有甲基二羥基苯類與8-羥基喹啉組合的配方對於GCC的作用。配方4B、4G、4C和4H也與配方18647-79A作比較。
具有甲基二羥基苯類[2-甲基間苯二酚(2MR)和甲基對 苯二酚(MHQ)]的配方與tBC與8HQ組合相比顯示不同的GCC表現，具有2MR和MHQ的配方顯示GCC值比其單獨在該配方中時更高。這指示該等甲基二羥基苯類存8HQ存在之下增進腐蝕作用。
以不同水溶性溶劑而且沒有單乙醇胺製備第七組配方：使用二丙二醇單甲基醚製備配方9M、9N、9O。
以不同濃度的腐蝕抑制劑(參見表8)製備第八組配方：配方10A、10B及9F。該等腐蝕抑制劑均為tBC和8HQ的組合。
表8中顯示該腐蝕抑制劑濃度變換的衝擊。配方10A、10B及9F使用總共4%的tBC和8HQ。再者，該二腐蝕抑制劑的組合得到比其任一者單獨使用更低的GCC。
此技藝中之士明瞭該腐蝕抑制劑必需可溶於該溶液才有效。添加腐蝕抑制劑至溶液超越其溶解度時將不會改善腐蝕抑制而且將會造成半導體晶圓清潔時的其他問題，例如固體粒子沉積在該晶圓表面上。該等配方具有不多於5%的腐蝕抑制劑總量上限。
從實施例1至3的結果顯示苯鄰二酚並非一有效的腐蝕抑制劑而且無法有效使該羥基胺安定化。事實上，使用苯鄰二酚能有效催化該等富水的配方中所含有的羥基胺之分解或降解。
從實施例4及5的結果顯示tBC和8HQ的組合為鋁的優良腐蝕抑制劑及該等富水的配方中所含有的羥基胺的優良安定劑。這些結果係與苯鄰二酚單獨使用時，任一成分：tBC或8HQ個別單獨使用時，及苯鄰二酚與該等成分任一者的混合物所作的比較。
從實施例6的結果有數個教旨。
當使用tBC和8HQ的混合物時，與其任一者個別使用時作比較，能獲得最低的電耦合電流。此結果與該等配方 含有單乙醇胺而沒有水溶性溶劑、水溶性溶劑而沒有單乙醇胺，或單乙醇胺和不同水溶性溶劑的組合時相同。再者，這些結果指示tBC和8HQ的組合為鋁的優良腐蝕抑制劑。
再者，據發現該甲基二羥基苯類存8HQ存在之下能增進腐蝕作用。
最後，據發現該配方中的腐蝕抑制劑總量有一上限。
總而言之，具有烷基二羥基苯類(例如第三丁基苯鄰二酚或t-BC)和羥基喹啉(例如8-羥基喹啉或8HQ)的混合成分之含有羥基胺的富水的配方具有：(1)較低的Al腐蝕速率(由電化學測量來測定)，及(2)在該配方中的羥基胺的優良安定性。
前述的實施例及較佳具體實施例的說明應該視為舉例說明，而非限制經由申請專利範圍所界定的發明。能輕易明白的是，上述特徵的許多變化和組合可加以利用而不會悖離申請專利範圍所述的發明。此等變化不得視為本發明的精神和範疇的悖離，而且意欲將所有此等變化涵括於下列申請專利範圍的範疇以內。
圖1. 塔菲爾分析顯示相對於參考物的電極腐蝕電位對腐蝕電流密度的對數作圖。
圖2. 富水和富溶劑的配方之塔菲爾分析，二者均具有作為腐蝕抑制劑的苯鄰二酚。
圖3. 把羥基胺的安定性視為具有作為腐蝕抑制劑的 苯鄰二酚之富水的配方中的溫度之函數。
圖4. 把羥基胺的安定性視為沒有作為腐蝕抑制劑的苯鄰二酚之富水的配方中的溫度之函數。
圖5. 富水的配方之塔菲爾分析，該富水的配方具有(a)第三丁基苯鄰二酚(tBC)及8-羥基喹啉(8HQ)；及(b)8-羥基喹啉(8HQ)。
圖6. 富水的配方之塔菲爾分析，該富水的配方具有(a)第三丁基苯鄰二酚(tBC)及8-羥基喹啉(8HQ)；及(b)第三丁基苯鄰二酚(tBC)。
圖7. 把羥基胺的安定性視為具有第三丁基苯鄰二酚(tBC)及8-羥基喹啉(8HQ)之富水的配方中的溫度之函數。

Claims (24)

  1. 一種富水的剝除及清潔配方，其包含：1至30重量%的至少一種選自羥基胺、羥基胺鹽化合物及其混合物者；0.1至5重量%的腐蝕抑制劑，其係選自烷基二羥基苯，羥基喹啉，和烷基二羥基苯和羥基喹啉的混合物所組成之群組；5重量%至45重量%可與該羥基胺混溶的烷醇胺；及至少50重量%的水。
  2. 如申請專利範圍第1項之配方，其中該烷基二羥基苯具有含2至6個碳原子的線性或分支烷基，及該羥基喹啉係選自由2-羥基喹啉、4-羥基喹啉、6-羥基喹啉及8-羥基喹啉所構成的群組。
  3. 如申請專利範圍第1項之配方，其中該烷醇胺係選自由下列所構成的群組：單乙醇胺、胺基乙氧基乙醇、胺基丙基嗎啉、單乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、第三丁基二乙醇胺、異丙醇胺、2-胺基-1-丙醇、3-胺基-1-丙醇、2-胺基-1-丁醇、異丁醇胺、2-胺基-2-乙氧基丙醇、2-胺基-2-乙氧基乙醇及其混合物。
  4. 如申請專利範圍第1項之配方，其中該烷基二羥基苯為第三丁基苯鄰二酚，該羥基喹啉為8-羥基喹啉，及該烷醇胺為單乙醇胺。
  5. 如申請專利範圍第1項之配方，其另外包含5重量%至45重量%的水溶性溶劑。
  6. 如申請專利範圍第5項之配方，其中該水溶性溶劑係選自由下列所構成的群組：乙二醇、丙二醇、苯甲醇、二甲基亞碸、二甲基脲、丙三醇、二丙二醇單甲基醚、N-甲基吡咯烷酮、四氫呋喃甲醇、四甲氧基乙烷及其混合物。
  7. 如申請專利範圍第1項之配方，其中該腐蝕抑制劑是烷基二羥基苯和羥基喹啉的混合物。
  8. 一種富水的剝除及清潔配方，其包含：1至30重量%的至少一種選自羥基胺、羥基胺鹽化合物及其混合物者；0.1至5重量%的含有烷基二羥基苯和羥基喹啉的混合物之腐蝕抑制劑；5重量%至45重量%的水溶性溶劑；及至少50重量%的水。
  9. 如申請專利範圍第8項之配方，其中該烷基二羥基苯具有含2至6個碳原子的線性或分支烷基，及該羥基喹啉係選自由2-羥基喹啉、4-羥基喹啉、6-羥基喹啉及8-羥基喹啉所構成的群組。
  10. 如申請專利範圍第8項之配方，其中該水溶性溶劑係選自由下列所構成的群組：乙二醇、丙二醇、苯甲醇、二甲基亞碸、二甲基脲、丙三醇、二丙二醇單甲基醚、N-甲基吡咯烷酮、四氫呋喃甲醇、四甲氧基乙烷及其混合物。
  11. 如申請專利範圍第10項之配方，其中該烷基二羥基苯為第三丁基苯鄰二酚，及該羥基喹啉為8-羥基喹啉。
  12. 如申請專利範圍第8項之配方，其另外包含5重量%至45重量%的烷醇胺。
  13. 如申請專利範圍第12項之配方，其中該烷醇胺係選自由下列所構成的群組：單乙醇胺、胺基乙氧基乙醇、胺基丙基嗎啉、單乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、第三丁基二乙醇胺、異丙醇胺、2-胺基-1-丙醇、3-胺基-1-丙醇、2-胺基-1-丁醇、異丁醇胺、2-胺基-2-乙氧 基丙醇、2-胺基-2-乙氧基乙醇及其混合物；及該水溶性溶劑係選自由乙二醇、丙二醇、苯甲醇、二甲基亞碸、二甲基脲、丙三醇、二丙二醇單甲基醚、N-甲基吡咯烷酮、四氫呋喃甲醇、四甲氧基乙烷及其混合物所構成的群組。
  14. 如申請專利範圍第12項之配方，其中該烷基二羥基苯第三丁基苯鄰二酚，該羥基喹啉為8-羥基喹啉，該烷醇胺為單乙醇胺，及該水溶性溶劑係選自由乙二醇、丙二醇、苯甲醇、二甲基亞碸、二甲基脲、丙三醇、二丙二醇單甲基醚、N-甲基吡咯烷酮、四氫呋喃甲醇、四甲氧基乙烷及其混合物所構成的群組。
  15. 一種從半導體基材移除光阻劑、蝕刻或灰化殘餘物及污染物的方法，其包含：使該半導體基材與一配方接觸，該配方包含：1至30重量%的至少一種選自羥基胺、羥基胺鹽化合物及其混合物者；0.1至5重量%的腐蝕抑制劑，其係選自烷基二羥基苯，羥基喹啉，和烷基二羥基苯和羥基喹啉的混合物所組成之群組；選自由5重量%至45重量%可與該羥基胺混溶的烷醇胺、5重量%至45重量%的水溶性溶劑及其組合所構成的群組之一成分；及 至少50重量%的水。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該烷基二羥基苯具有含2至6個碳原子的線性或分支烷基，及該羥基喹啉係選自由2-羥基喹啉、4-羥基喹啉、6-羥基喹啉及8-羥基喹啉所構成的群組。
  17. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該一成分為選自由下列所構成的群組之烷醇胺：單乙醇胺、胺基乙氧基乙醇、胺基丙基嗎啉、單乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、第三丁基二乙醇胺、異丙醇胺、2-胺基-1-丙醇、3-胺基-1-丙醇、2-胺基-1-丁醇、異丁醇胺、2-胺基-2-乙氧基丙醇、2-胺基-2-乙氧基乙醇及其混合物。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中該烷基二羥基苯為第三丁基苯鄰二酚，該羥基喹啉為8-羥基喹啉，及該烷醇胺為單乙醇胺。
  19. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該一成分為選自由下列所構成的群組之水溶性溶劑：乙二醇、丙二醇、苯甲醇、二甲基亞碸、二甲基脲、丙三醇、二丙二醇單甲基醚、N-甲基吡咯烷酮、四氫呋喃甲醇、四甲氧基乙 烷及其混合物。
  20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中該烷基二羥基苯為第三丁基苯鄰二酚，及該羥基喹啉為8-羥基喹啉。
  21. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該一成分為可與該羥基胺混溶的烷醇胺和該水溶性溶劑的組合。
  22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該烷醇胺係選自由下列所構成的群組：單乙醇胺、胺基乙氧基乙醇、胺基丙基嗎啉、單乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、第三丁基二乙醇胺、異丙醇胺、2-胺基-1-丙醇、3-胺基-1-丙醇、2-胺基-1-丁醇、異丁醇胺、2-胺基-2-乙氧基丙醇、2-胺基-2-乙氧基乙醇及其混合物；及該水溶性溶劑係選自由下列所構成的群組：乙二醇、丙二醇、苯甲醇、二甲基亞碸、二甲基脲、丙三醇、二丙二醇單甲基醚、N-甲基吡咯烷酮、四氫呋喃甲醇、四甲氧基乙烷及其混合物。
  23. 如申請專利範圍第22項之方法，其中該烷基二羥基苯為第三丁基苯鄰二酚，該羥基喹啉為8-羥基喹啉，及該烷醇胺為單乙醇胺。
  24. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該腐蝕抑制劑是烷基二羥基苯和羥基喹啉的混合物。
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