TWI433916B - 用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物及其用途 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種研磨組成物，特定言之，係關於一種用於研磨矽通孔(through-silicon via，TSV)晶圓之研磨組成物。本發明亦關於一種使用該組成物研磨TSV晶圓之方法。
TSV晶圓1之原始結構如第1圖所示，其包含一積體電路層11、一位於該積體電路層11上之矽晶圓層12及導電材料13。其中，導電材料係埋設於矽晶圓層12中，概呈垂直於矽晶圓層12之表面121且連接於積體電路層11。一般而言，在未經研磨之TSV晶圓中，導電材料13的端面131距離矽晶圓層12的表面121約數百微米。
表面121隨後將藉由「粗拋」(grinding)研磨，使矽晶圓層12快速薄化，同時使導電材料13之端面131與矽晶圓層12的表面121間之距離減少至約數十微米。
待粗拋並薄化矽晶圓層12後，靠近表面121的地方會形成一損害層(damage layer)14，如第2圖所示；因此，在粗拋步驟後需以化學機械研磨(chemical mechanical polishing，簡稱為「CMP」)對表面121進行「精拋」(fine polishing)，以修飾並移除損害層14，並進一步使TSV晶圓1研磨至所欲狀態。
TSV晶圓1於精拋後之理想狀態端視後續製程之需求而有所不同；例如可使導電材料13的端面131與包繞於其周圍之矽晶圓層12的頂面121齊平(如第3圖所示)，或是使端面131凸出於該頂面121(如第4圖所示)。
在實務操作上，當TSV晶圓1接受CMP製程時，矽晶圓層12與導電材料13通常是同時進行研磨，因此，對於需研磨大量TSV晶圓的廠商而言，若可使矽晶圓層12與導電材料13同時且快速地被移除至一適當的狀態，則可在製備程序上省下極可觀的工時成本；然而，目前市面上的專用研磨組成物，主要都是針對僅具有矽或導電材料之單一材質的一般晶圓所設計，並不適合直接用來研磨TSV晶圓。
用於研磨矽晶圓之研磨組成物可例如美國專利第4,169,337號所揭示者，其包含膠態二氧化矽(SiO2
)研磨粒子或矽膠(silica gel)與水溶性胺；美國專利第5,230,833號則揭露另一種用於研磨矽晶圓之研磨組成物，其包含膠態二氧化矽研磨粒子、有機鹼及殺菌劑。如今，業界的看法是含有二氧化矽研磨粒子與有機鹼之研磨組成物可對矽展現明顯的研磨效果。
導電材料研磨組成物則可如美國專利號5,225,034號之研磨組成物，其包含硝酸銀(AgNO3
)、固體研磨物質，與選自以下群組之氧化劑：過氧化氫(H2
O2
)、次氯酸(HOCl)、次氯酸鉀(KOCl)及醋酸(CH3
COOH)。一般而言，本業界常用之導電材料研磨組成物中常含有酸性化合物與氧化劑，以展現明顯之對導電材料的研磨效果。
上述的研磨組成物皆適合用以研磨矽或導電材料之單一特定材質，然而，若同時研磨矽與導電材料，兩材質之移除速率(remove rate)將會差異過大，且難以藉由增加研磨組成物中之特定組份含量使矽及導電材料的研磨速率同步提升；例如，增加研磨組成物中有機鹼的濃度時(如乙二胺)，矽之移除速率的提升幅度顯然超過導電材料者甚多，即，此時矽之移除速率可能超過約10,000埃米/分鐘(/min)以上，但導電材料之移除速率卻可能僅為1,000埃米/分鐘左右。
類似地，過氧化氫，一種常用於研磨組成物中之氧化劑，可幫助研磨導電材料，但是卻可能使矽容易氧化為堅硬的二氧化矽。於是，當研磨組成物中過氧化氫的含量增加時，導電材料的移除速率也將隨之提升，但矽的移除速率則反而明顯降低。
由此看來，過氧化氫並不適用於作為同時研磨矽與導電材料之研磨組成物中的組份。至此，半導體業界需要一種適合研磨同時具有矽與導電材料之TSV晶圓、可使TSV晶圓待研磨的導電材料與矽一併被快速移除(特別是使該兩者之移除速率皆達到6000埃米/分鐘以上)，且所使用之原物料是易於取得之研磨組成物，以及相關的研磨方法。
本案發明人嘗試以亞氯酸鹽、溴酸鹽為氧化劑與有機鹼性化合物同時作為研磨組成物中之所含物料。所配製出的研磨組成物竟出人意表地同時對矽與導電材料展現出極為優異的研磨效果，且經實驗證實，在研磨壓力不大於3磅/吋(psi)，研磨墊轉速及研磨頭轉速不大於100轉/分鐘(rpm)等機台操作條件下，兩材質之移除速率甚至可一同超過9,500埃米/分鐘。
因此，本發明之目的旨在提供一種用於研磨TSV晶圓之研磨組成物，該研磨組成物包括有機鹼性化合物，選自於以下群組之氧化劑：亞氯酸鹽、溴酸鹽及此等之組合，氧化矽研磨粒子，及溶劑。
本發明之另一目的在於提供一種使用上述研磨組成物以同時將TSV晶圓上待研磨的導電材料與矽快速移除之研磨方法，包含：以一研磨組成物對TSV晶圓之表面進行一研磨處理，使該TSV晶圓上的矽與導電材料以各自之移除速率被移除。
藉由本發明之研磨組成物與使用該組成物之研磨方法，可在未使用過氧化氫的前提下，使TSV晶圓上之矽與導電材料同時以較令人滿意之速率被移除，並為TSV晶圓之CMP製程提供了一個新穎、可靠的研磨組成物與研磨方法。
本發明旨在提供一種用於研磨TSV晶圓之研磨組成物，根據本發明，研磨組成物之pH值、各成分之特定種類或濃度並無特定限制。然考慮本發明研磨組成物之成本、所發揮之研磨功效，及配合業界習慣，以下將分別針對各成分所選用之明確物料及含量範圍，提供進一步說明及建議。
在本發明之研磨組成物中，有機鹼性化合物較佳地是選自以下群組：二胺類、三胺類、四胺類及此等之組合；其中，二胺類可使用的例如有乙二胺(ethylenediamine)、N-(2-羥乙基)乙二胺(N-(2-hydroxyethyl)ethylenediamine)、1,2-二胺丙烷(1,2-diaminopropane)或此等之組合。於以下實施例中，所示範使用之二胺類有乙二胺、N-(2-羥乙基)乙二胺與1,2-二胺丙烷。三胺類可使用的例如為二伸乙三胺(diethylenetriamine)；四胺類可使用的則例如為三伸乙四胺(triethylenetetramine)，該二者皆於以下實施例中被示範使用。
有機鹼性化合物的含量較佳是佔本發明研磨組成物的約0.01重量%至10重量%，更佳地是佔約0.1重量%至約5重量%。於以下實施例中，所示範之有機鹼性化合物濃度是約0.5重量%至2重量%。
在本發明方法中，該研磨組成物中所含的氧化劑是選自以下群組：亞氯酸鹽、溴酸鹽及此等之組合。例如，該氧化劑可選自以下群組：亞氯酸鹼金屬鹽(alkaline chlorites)、亞氯酸銨鹽(ammonium chlorites)、溴酸鹼金屬鹽(alkaline bromates)、溴酸銨鹽(ammonium bromates)及此等之組合。較佳地，該氧化劑係選自以下群組：亞氯酸鈉、亞氯酸鉀、亞氯酸銨、亞氯酸四甲基銨(tetramethylammonium chlorite)、溴酸鈉、溴酸鉀、溴酸銫、溴酸銨及此等之組合。於以下實施例中，所示範使用之氧化劑為亞氯酸鈉及溴酸鉀。
較佳地，於本發明研磨組成物含有以ClO2 -
及BrO3 -
之總濃度計為約0.005重量莫耳濃度至約1重量莫耳濃度，更佳為約0.01重量莫耳濃度至約0.5重量莫耳濃度之氧化劑。即，於1,000公克的本發明研磨組成物中，ClO2 -
及BrO3 -
之總莫耳數較佳為約0.005莫耳至約1莫耳，更佳約0.01莫耳至約0.5莫耳。根據本發明之部分實施態樣，氧化劑為亞氯酸鹽且以約0.02重量莫耳濃度至約0.4重量莫耳濃度的ClO2 -
濃度存在於研磨組成物中；或者，該氧化劑為溴酸鹽且以約0.04重量莫耳濃度至約0.3重量莫耳濃度的BrO3 -
濃度存在於研磨組成物中。
另外，該溶劑可為水，如以下實施例中所示範者。
該氧化矽研磨粒子是可選自以下群組：膠態氧化矽(colloid silica)、煙霧狀氧化矽(fumed silica)、沉澱氧化矽(precipitated silica)及此等之組合。於以下實施例中，所示範使用之氧化矽研磨粒子為膠態氧化矽。
於本發明研磨組成物中，氧化矽研磨粒子較佳是佔約0.01重量%至約30重量%，更佳是佔約0.1重量%至約15重量%。於以下實施例中，所示範之氧化矽研磨粒子含量是佔約1.25重量%至約10重量%。
視情況需要，根據本發明之研磨組成物可進一步包括胺基酸，其是用為幫助移除導電材料之添加劑。合適的胺基酸包含：丙胺酸(alanine)、β-丙胺酸(β-alanine)、天門冬胺酸(aspartic acid)、精胺酸(arginine)、麩胺酸(glutamic acid)、乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic acid，EDTA)、二乙三胺五乙酸(diethylenetriaminepentaacetic acid，DTPA)、丙二胺四乙酸(propylenediaminetetraacetic acid，PDTA)、甘胺酸(glycine)或此等之組合。於以下實施例中，所示範使用之胺基酸為甘胺酸。
當本發明研磨組成物進一步包括胺基酸時，其含量較佳是佔研磨組成物的約0.01重量%至約5重量%，更佳是佔約0.1重量%約2重量%。於以下實施例中，所示範之胺基酸含量是佔本發明研磨組成物的約0.3重量%約0.5重量%。
根據本發明，研磨組成物之pH值範圍較佳是大於9，更佳是大於10。
本發明亦提供一種使用上述研磨組成物之研磨TSV晶圓的方法，特定言之，本發明之研磨方法是以上述本發明研磨組成物來對TSV晶圓之一表面進行一研磨處理。於研磨處理進行時，研磨組成物是以一流速流向研磨墊與TSV晶圓，同時TSV晶圓是被施以一研磨壓力以接觸研磨墊，且此兩者具有各自的轉速，如此使TSV晶圓被研磨。
須先說明的是，上述「TSV晶圓之表面」，係指該TSV晶圓中遠離其積體電路層11的表面，其可能為矽晶圓層之表面121(如第1圖所示)，或者同時包含導電材料13之端面131(如第3圖所示)。
在此操作下，TSV晶圓上之導電材料與矽的移除速率可同時超過6,000埃米/分鐘以上，甚至8,000埃米/分鐘以上，又甚至超過9,500埃米/分鐘；其中，導電材料較佳地是選自於銅、鎢、鋁及多晶矽。於以下實施例中，所示範之導電材料的材質為銅。
需說明的是，本發明方法可配合各式研磨機台之構件設計、或使用者的操作習慣加以調整。各物料可先摻混成本發明研磨組成物後，再透過該研磨機台而流出，或者是使各物料同步且分別地輸入該研磨機台之不同流道後，再一併流出並混合成本發明研磨組成物；另，為便於組合物的穩定性，運輸、或使用者儲放物料之便利性，亦可將本發明研磨組成物分開或合併配置成濃縮液。於以下實施例中，是以「先將各物料混摻成較佳濃度之研磨組成物，再透過研磨機台流出」的操作方式來進行示範。
以下將以各實施例及比較例來說明本發明之實施態樣與功效，各實施例與比較例之研磨組成物中的物料種類與含量係列於表1中。該等實施例與比較例將使用到下列化學品與設備，且須注意的是，該等實施例僅為例示說明之用，不應作為限制本發明範圍之解釋。
若未特別說明，各實施例與比較例中之研磨方法皆是在常溫常壓的環境下，以水為溶劑配製成各自的研磨組成物，並各對一矽空白晶圓與一銅空白晶圓在一預定時間內進行研磨。矽與銅之研磨速率則是於研磨開始前及結束後量測晶圓厚度並計算而得。各實施例與比較例的研磨方法皆使用相同的機台參數【即研磨壓力3磅/吋、研磨頭轉速(亦即TSV晶圓轉速)87轉/分鐘、研磨墊轉速93轉/分鐘、研磨組成物之流速200毫升/分鐘、研磨時間1分鐘】。
物料與器材包含：(1)研磨機台：商購自韓國G&P公司之POLI-500；(2)研磨墊：商購自美商Cabot Microelectronics公司之EPIC D100研磨墊；(3)矽空白晶圓(bare silicon wafer)：商購自美商Silicon Valley Microelectronics,Inc.之一般矽空白晶圓；(4)銅空白晶圓(blanket copper wafer)：商購自美商SKW Associates,Inc.、銅膜厚度為1.5微米之銅空白晶圓；(5)氧化矽研磨粒子：商購自Akzo Nobel Inc.(阿姆斯特丹，荷蘭)之BINDZIL SP599L；(6)商購自數家供應商包含如ACROS(吉爾，比利時)、MERCK KGaA(達姆施塔特，德國)、Showa Chemical(東京，日本)之純度99%或以上之化學試劑：乙二胺、二伸乙三胺、三伸乙四胺、N-(2-羥乙基)乙二胺、1,2-二胺丙烷、氫氧化鉀、亞氯酸鈉、溴酸鉀、過氧化氫，以及甘胺酸。
參見表1中之比較例1至4，前三者是以氧化矽研磨粒子、氫氧化鉀，並另外搭配其他氧化劑所配製成之研磨組成物，其等對於銅並無任何的研磨效果；然而，比較例4之研磨組成物除氧化矽研磨粒子及溶劑外，僅含有乙二胺。該組成物可展現出高達9,450埃米/分鐘的矽移除速率，但銅移除速率太低，僅有350埃米/分鐘。
參照比較例1與2，以及比較例5至8，其等組成物皆以過氧化氫為氧化劑。然而所展現出之矽移除速率卻顯然隨過氧化氫的含量增加而明顯地下降，從而可知過氧化氫的確不適合作為研磨組成物中的成分。
而在比較例5至8中，各研磨組成物含有等量的乙二胺，與逐量增加的過氧化氫。雖然，此舉會使矽的移除速率一路自9,450埃米/分鐘遞減到1,736埃米/分鐘，並使銅之移除速率則自350埃米/分鐘提升到9,640埃米/分鐘，然而無論過氧化氫之含量如何調整，矽及銅的移除速率顯然無法同步超過6,000埃米/分鐘。
此外，比較例9之研磨組成物除了水與氧化矽研磨粒子以外，僅含有作為單一氧化劑且同屬於亞氯酸鹽之亞氯酸鈉，結果發現比較例9之研磨組成物對銅竟毫無研磨能力，對矽也不過僅具些許研磨能力而已。
相較於比較例9，實施例2之研磨組成物僅額外添加1.5重量%的乙二胺，然而，此添加卻超乎意料地使矽與銅之移除速率同時快速提升；其中，矽的移除速率自3,062埃米/分鐘提升至9,636埃米/分鐘，銅者則自0埃米/分鐘提升至7,174埃米/分鐘。
實施例1、7與比較例4的差異則在於實施例1及7的研磨組成物中額外含有亞氯酸鈉或溴酸鉀；結果顯示，實施例1及7研磨組合物對矽與銅的移除速率皆達到超過6,000埃米/分鐘之程度，顯然實施例1及7在此功效上確實勝過比較例4；另外，配合實施例2與比較例9之結果可知，二胺類與亞氯酸鈉或溴酸鉀同時存在於研磨組成物中時，確實可同時使矽、銅以較高的移除速率被移除，故此研磨組成物適合用以研磨TSV晶圓。
實施例12至15及20中，其研磨組合物是使用三胺類、四胺類等有機鹼性化合物，且對矽及銅亦展現良好的功效。故如三胺類、四胺類等有機鹼性化合物，也和二胺類一樣可用於配製本發明研磨組成物。
實施例1至3之組成物的差異僅在於氧化劑之含量，且氧化劑含量越多者，銅的移除速率越高，而矽的移除速率則逐漸降低，顯然氧化劑的存在有助於銅之研磨。
綜觀表1中的各實施例，其皆是以亞氯酸鈉或溴酸鉀為氧化劑，並以多種二胺類、三胺類，或四胺類等有機鹼性化合物所配製出之研磨組成物，且皆對矽與銅都有6,000埃米/分鐘以上，甚至有8,000埃米/分鐘以上的移除速率(如實施例3至5、8、10、15及16所達到之功效)，其中實施例5及10的矽與銅之研磨速率皆超過9,500埃米/分鐘。
進一步地，參見實施例12、14之研磨組成物，除了含有等量的二氧化矽研磨粒子與鹼性化合物外，實施例14之氧化劑含量為實施例12的兩倍。基於「氧化劑的存在有助於研磨銅」的前述結論，在未實際進行研磨處理之前，可合理地預知實施例14所得的銅研磨速率應是高於實施例12所得者。
事實上，實施例12所得的銅研磨速率為9,768埃米/分鐘，反而高於實施例14所得的7,900埃米/分鐘，且實施例12的矽研磨速率仍有良好的表現，推測此結果可能是實施例12中更包含之0.4重量%胺基酸所致；另見實施例13及15，其等成分差異的情況類似於實施例12及14，但在功效方面，實施例15不僅較實施例13展現大幅增進的銅研磨速率，連矽研磨速率的表現也是更佳的。因此，胺基酸與鹼性化合物之間的中和作用，顯然並不會大幅地負面影響矽的研磨速率。
由上述之諸多實施例可證實，本發明之研磨TSV晶圓之方法可使TSV晶圓上之導電材料與矽質材料被同步研磨，甚至是使該兩者一併展現出超過9,500埃米/分鐘之極為優異的研磨效果，此為在本發明方法中使用亞氯酸鹽及/或溴酸鹽為氧化劑，並配合摻有氧化矽粒子、有機鹼性化合物與溶劑的本發明研磨組成物所致的結果；另外當本發明研磨組成物中更含有胺基酸時，其將有助於提升導電材料之研磨速率或一併有助於提升矽之研磨速率。
因此，本發明研磨組成物與TSV晶圓之研磨方法為現有TSV晶圓之CMP領域提供了一可同時快速地研磨矽材質與導電材料，並且大幅地節約工時成本之技術方案。
所有列於本文中之文獻(包含出版物、專利公開案、專利案)皆列於此處以供參考，如同該等文獻已單獨且具體地引述於本文中。
除非文中有另外說明或在文意中已清楚否定，於本說明書中(尤其是在後述專利申請範圍中)所使用之「一」、「該」及類似用語應理解為包含單數及複數形式。除非其它說明，「包括」、「包含」、「具有」等用語應理解為開放式用語(意指「包含提及者，但不非限於此」)。除非額外說明，在本文數值範圍之記載形式僅作為各別說明各個落於所載範圍之獨立數值的簡記方式，且各個獨立數值應視為已各別列於本文之中。除非額外說明或文亦中已清楚否定，本文中所有方法均可以任何適當順序實施。除非額外主張，本文中任何及所有實施例之用法、或表示示範之用語(如「例如」)係用來具體說明本發明，蓋其無限制本發明之含意。在本說明書所有關乎實施本發明之用語皆不應視為非主張要件。
本文已說明本發明之較佳實施態樣(包含本案發明人所悉知之最佳實施態樣)。在本說明指引下，在本領域中具有通常技藝者當明瞭該等較佳實施態樣之變化態樣，本案發明人希望本領域之技藝人士可適當運用本案之變化態樣並應用本發明於未陳述之技術領域。至此，根據現行法律，本發明當包含所有專利申請範圍中所列標的之調整變化及等意範圍。此外，除非額外說明或文意中已清楚否定，任何本文中所述要件之組合亦包含於本發明範圍中。
1．．．TSV晶圓
11．．．積體電路層
12．．．矽晶圓層
121．．．矽晶圓層之頂面
13．．．導電材料
131．．．導電材料之端面
14．．．損害層
第1圖為一未經研磨之TSV晶圓之原始結構示意圖；
第2圖為TSV晶圓經粗拋前後之各構件之相對狀況示意圖；以及
第3與4圖各為經CMP研磨後導電材料之端面示意圖，其中導電材料的端面是齊平於或凸出於該矽晶圓層的表面。
1．．．矽通孔晶圓
11．．．積體電路層
12．．．矽晶圓層
121．．．矽晶圓層之頂面
13．．．導電材料
131．．．導電材料之端面
Claims (25)
- 一種用於研磨矽通孔(TSV)晶圓之研磨組成物，包含：有機鹼性化合物；氧化劑，其係選自以下群組：亞氯酸鹽、溴酸鹽及此等之組合；氧化矽研磨粒子；以及溶劑。
- 如請求項1之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該有機鹼性化合物係選自以下群組：二胺類、三胺類、四胺類及此等之組合。
- 如請求項2之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該有機鹼性化合物係選自以下群組：乙二胺、N-(2-羥乙基)乙二胺、1,2-二胺丙烷、二伸乙三胺、三伸乙四胺及此等之組合。
- 如請求項3之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該有機鹼性化合物是乙二胺。
- 如請求項1之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該有機鹼性化合物之含量是佔該研磨組成物的約0.01重量%至約10重量%。
- 如請求項5之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該有機鹼性化合物之含量是佔該研磨組成物的約0.1重量%至約5重量%。
- 如請求項6之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該有機鹼性化合物之含量是佔該研磨組成物的約0.5重量%至約2重量%。
- 如請求項1之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該氧化劑係選自以下群組：亞氯酸鹼金屬鹽、亞氯酸銨鹽、溴酸鹼金屬鹽、溴酸銨鹽及此等之組合。
- 如請求項8之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該氧化劑係選自於以下群組：亞氯酸鈉、亞氯酸鉀、亞氯酸銨、亞氯酸四甲基銨、溴酸鈉、溴酸鉀、溴酸銫、溴酸銨及此等之組合。
- 如請求項9之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該氧化劑係選自以下群組：亞氯酸鈉、溴酸鉀及此等之組合。
- 如請求項1之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該研磨組成物含有以ClO2 - 及BrO3 - 之總濃度計是約0.05重量莫耳濃度至約1重量莫耳濃度之該氧化劑。
- 如請求項11之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該研磨組成物含有以ClO2 - 及BrO3 - 之總濃度計為約0.01重量莫耳濃度至約0.5重量莫耳濃度之該氧化劑。
- 如請求項12之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該氧化劑為亞氯酸鹽且以約0.02重量莫耳濃度至約0.4重量莫耳濃度的ClO2 - 濃度存在於該研磨組成物中；或者，該氧化劑為溴酸鹽且以約0.04重量莫耳濃度至約0.3重量莫耳濃度的BrO3 - 濃度存在於該研磨組成物中。
- 如請求項1之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該氧化矽研磨粒子之含量是佔該研磨組成物的約0.01重量%至約30重量%。
- 如請求項14之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該氧化矽研磨粒子之含量是佔該研磨組成物的約0.1重量%至約15重量%。
- 如請求項15之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該氧化矽研磨粒子之含量是佔該研磨組成物的約1.25重量%至約10重量%。
- 如請求項1之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該溶劑是水。
- 如請求項1之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其更包含胺基酸。
- 如請求項18之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該胺基酸係選自以下群組：丙胺酸、β-丙胺酸、天門冬胺酸、精胺酸、麩胺酸、乙二胺四乙酸(Ethylenediaminetetraacetic acid,EDTA)、二乙三胺五乙酸(Diethylenetriaminepentaacetic acid,DTPA)、丙二胺四乙酸(Propylenediaminetetraacetic acid,PDTA)、甘胺酸及此等之組合。
- 如請求項19之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該胺基酸是甘胺酸。
- 如請求項18之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該胺基酸之含量是佔該研磨組成物的約0.01重量%至約5重量%。
- 如請求項21之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該胺基酸之含量是佔該研磨組成物的約0.1重量%至約2重量%。
- 如請求項22之用於研磨矽通孔晶圓之研磨組成物，其中該胺基酸之含量是佔該研磨組成物的約0.3重量%至約0.5重量%。
- 一種研磨矽通孔晶圓之方法，包含使用一如請求項1至23中任一項之研磨組成物對一矽通孔晶圓之表面進行一研磨處理，以使該矽通孔晶圓上之矽與導電材料以各自之移除速率一併移除。
- 如請求項24之研磨矽通孔晶圓之方法，其中該導電材料之材質為銅。
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| TW98131531 | 2009-09-18 | ||
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