TWI432099B - 產生極紫外線輻射或軟ｘ光輻射之方法及裝置 - Google Patents

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Description

產生極紫外線輻射或軟X光輻射之方法及裝置
本發明係關於一種製造極紫外線輻射(EUV)或軟X光輻射之方法與裝置。
本發明之較佳應用範圍包含需要1-20奈米(nm)頻譜範圍的軟X光應用，亦即，EUV光線。最突出的應用是13.5奈米(nm)操作波長的EUV投射微影，其中需要小巧，強大，具成本效益與可靠的光源。另外的應用領域包含X光解析方法，如光電子光譜學，螢光X光分析，其利用軟X光輻射的頻譜範圍，該範圍可以用於實驗室的尺度。此外，該方法與裝置可以用來特徵化X光光學或X光偵測器，最後當作所謂水窗口(water window)頻譜範圍之EUV顯微鏡中的光源，可觀察有機體內的生物組織。
使用電漿當作EUV光線，以及軟與硬X光的光源是為人所熟知的。幾乎與產生雷射的方法無關，發射電漿必須夠熱(亦即，>150,000K)與稠密(亦即，>1017 電子立方公分)，以發射X光與/或EUV輻射。
已知產生EUV輻射的不同技術，可以滿足上述條件。這些技術可以區分成基於放電或基於電漿源雷射的觀念。
對於所謂氣體放電產生的電漿(GDPP)源，脈衝放電產生「似火花」電漿，其在若干10奈秒至若干微秒間，有若干5至100千安培(kA)的電流，流經電漿。為藉由額外的加熱與壓縮，以增加EUV的轉換，所謂的夾斷效應(pinch effect) 可能對該過程有幫助。不同的放電電漿觀念在電極的結構，電壓-壓力範圍，電漿動力學，發火策略與電子產生器上都有所差異。此一放電電漿之各種不同的實例，生為稠密電漿聚焦Z夾斷(Z-pinch)放電，毛細放電，與中空陰極引發夾斷效應(hollow cathode triggered pinch)。此一放電電漿觀念的不同版本，揭示於美國專利文件第6,389,106號，美國專利第6,6064,072號，與WO專利第99/34395號。
對於所謂的雷射產生電漿(LPP)，雷射光束會對某稠密度(>1019 原子/立方公分)的物質(最常稱為目標)聚焦。如果強度超過若干1010 瓦/平方公分(W/cm2 )，則EUV或甚至軟x光輻射幾乎將從任何物質發出。使用雷射輻射目標作來產生電漿，已經揭示於專利文件WO 02/085080，WO 02/32197，WO 01/30122與美國專利US 5,577,092。
以目前的技術而言，具有介於0.5與2%之間最大轉換效能的源觀念(source concepts)，50.000瓦(W)至100.000瓦(W)的激發功率通常必須與發射電漿耦合，以獲得工業應用之足夠的EUV功率(80-120瓦)，如EUV微影。依據源觀念，其直接在源位置上，將300瓦(W)EUR輻射的產生，轉移至超過1,000瓦EUR輻射的產生。對於現有之源觀念LPP與GDPP，許多因素使其非常困難滿足這些要求的EUV功率標準：
1.對於LPP觀念，係受兩因素限制：首先，預期具有若干10千瓦(kW)功率的雷射成本，遠超過具有經濟效益之製造成本所定義的經費。其次，驅動雷射所需之功率(通常約1 百萬瓦(MW))與所需之冷卻，很可能超過半導體工業可以接受的範圍。
2.對於GDPP觀念，限制如下。功率通常必須饋入發射輻射體積之103 倍的體積中。對於1立方毫米(mm3 )之可接受源體積，典型的放電體積約為1立方釐米(cm3 )。當放電電極或絕緣材料完成此一體積之限制時，因為其距離熱電漿的距離，只允許是在若干毫米至釐米的尺度，這些材料會被嚴重地加熱與侵蝕。
因此，這兩種雷射產生電漿(LPP)與氣體放電產生電漿(GDPP)似乎需要調整成工業應用之最新的需求，特別是極紫外線輻射微影(EUVL)。因此，對新穎的技術解決方案有迫切的要求，其似乎也是遵循IRTS準則(2009)與英特爾(Intel)準則(2007)，成功引進EUVL不可或缺的條件。
因此，本發明之目的在於提供一種方法與裝置，其補救上述氣體放電產生電漿與雷射產生電漿兩種基本觀念的缺點，並使其能夠以較經濟的情況，應用於頻譜範圍大約13.5奈米(nm)的EUV微影，而不需要增加產生電漿之裝置的功率，同時提供使用者將該裝置應用於不同需求的高度彈性。
根據本發明之方法與裝置，由於出乎預料的協同效應，其減少先前技藝的缺點，同時保持此等先前技藝的主要缺點。
經由產生極紫外線線(UEV)或軟X光輻射，可以達到本發明之目的，其中電漿係以混合的方式，結合雷射源產生的 雷射輻射與電極產生的電極放電來產生與加熱，其中雷射源將超過106 瓦/平方公分(W/cm2 )的強度，聚焦至一目標，而該電極則是與產生快速電子放電的裝置結合，其中雷射產生電漿膨脹時間的常數，超過放電的常數特徵時間。
本發明係關於一種混合的方法，其以結合單一解決方案之優點，同時避免已知方法之缺點的方式，將電漿的產生與/或加熱，結合雷射輻射，以及將電漿的產生與或加熱及或電漿的壓縮，結合放電。
該目標可以是超過1019 原子/立方公分的氣體，液體，液體噴霧，粉塵噴霧或固態媒體，如塊狀或箔片目標。
根據第一具體實施例，首先將雷射輻射聚焦於雷射作用區域中的稠密目標，以產生EUV電漿，接著在雷射作用區域中引發放電。請注意，即使雷射不再耦合成電漿，放電還是會持續有效率地將能量耦合成EUV電漿。因此，放電可以當作初始雷射產生電漿的觸媒，因而可以使用便宜的電子功率，有效地強化EUV光線的製造。此一觀念稱為放電促進雷射產生電漿(DBLPP)。
根據第二具體實施例，雷射輻射聚焦於該目標以產生冷電漿塵霧(plume)，接著在電漿塵霧的電子移位作用區域主動觸發，加熱並壓縮更侷限之EUV光線放射的電漿，如此產生冷電漿。此一觀念稱為雷射輔助氣體放電產生電漿(LAGDPP)。
根據第三具體實施例，使用傳統放電組態來產生高密度的放電電漿。可是，在夾斷(pinch)過程期間，電漿變得足 夠稠密，以局部地允許額外的雷射加熱，此一程序允許變更與/或最佳化離子總數，以強化EUV輻射(如，13.5奈米(nm)之EUV微影)。此一第三個概念稱為雷射促進氣體放電產生電漿(LBGDPP)。
從一般的觀點來說，以上所陳述的這三種混合方法，DBLPP，LAGDPP與LBGDPP，可以用下列來區分：(1)各自對來自雷射的電漿加熱與放電，其係以注入EUV發射器電漿的能量與激發持續時間來描述，(2)時間延遲與兩互補之加熱機制的前後順序。
對GDPP與LPP兩種觀念而言，通常是選擇目標的組成元素，使發射的頻譜分佈與應用的需求有最佳的匹配。對於EUVL的特殊情況而言，通常考慮將寬頻發射體氙氣當作最適合的材料之一，因為(1)其在感興趣的頻譜範圍內，顯示最高的轉換係數之一，(2)它是化學中性的，及(3)因為其高的Z值，其可由雷射良好加熱。可是，在GDPP或LPP觀念中，也已經有研究其他的發射體，如氧氣，鋰，錫，銅或碘。
在電漿中，經由電極所施加之電流脈衝，係由儲存能量之快速放電所提供。
在電漿中，選擇經由電極所施加之電流脈衝，其週期之範圍為1至3位數奈秒。
在電漿中，最好選擇經由電極施加之電流脈衝，其振幅範圍為2至3位數千安培的範圍。
在電漿中，經由電極所施加之電流脈衝，係以和雷射源產生之雷射脈衝發射所定義的短暫關係來轉換。
所產生之電漿的溫度範圍為6位數凱氏溫度(亦即，100,000-400,000K)。
產生電漿的氣體壓力，係選擇成低於10帕(Pa)的範圍。
電漿發射波長短於50奈米(nm)的輻射。
本發明之目的，可以經由產生極紫外線(EUV)或軟X光輻射的裝置來實現，該裝置包括一雷射源與電極，其中該雷射源係用來產生一雷射輻射，並將強度超過106 瓦/平方公分(W/cm2 )聚焦於一目標上，以產生電漿，該電極位於雷射源產生之電漿路徑周圍，其與用來在電漿中產生快速電子放電的裝置結合，其中放電具有一特徵時間常數，該時間常數小於雷射產生電漿膨脹之時間常數(最好是200奈秒或更小的尺度)。
用來產生快速電子放電的裝置，可以包括用來儲存電能的裝置，如電容器組，或脈衝壓縮器。
在使用電容器組的情況中，電極可以直接連接至電容器組，以產生快速電子放電。
或者是，電極可以經由一功率開關，連接至該電容器組，其中該開關係由一邏輯控制元件打開，以產生該快速電子放電。
電極的放電時間超過100奈秒(ns)與200奈秒(ns)，但是雷射源產生之雷射脈衝的持續時間是數奈秒(ns)，且不會超過60奈秒(ns)。
根據本發明之一特殊具體實施例，其最好結合第一具體實施例(DBLPP)，其中該裝置包括一噴嘴，用來將冷噴射目 標，如微液體噴射，噴霧目標，群集目標或噴發的氣體目標，注入一接合的真空腔中，該真空腔至少配備一電子絕緣的塊狀物，以將電極固定於目標之雷射作用區域的周圍。
電子絕緣的塊狀物呈現高的熱傳導率，而且其最好是低溫冷卻的，從而能夠消除接收未使用之頻寬內與頻寬外輻射所產生的熱負載。
電子絕緣的塊狀物可以進一步當作致冷目標注射器夾斷(pinch)，星狀夾斷或毛細管放電配置的熱護罩。
根據本發明之第一具體實施例，該裝置包括一雷射源，用來產生一雷射輻射，並將超過106 瓦/平方公分(W/cm2 )的強度，打在稠密的目標，以產生電漿。
根據本發明之第二具體實施例，雷射源產生之雷射束照射一固體塊狀物，固體箔片，液體，噴霧，群集或噴發氣體目標，以產生冷電漿塵霧(plume)，放電電極係用來產生熱，其安排於電漿塵霧與作用區域的路徑上，此外並壓縮電漿以產生更限制性的EUV輻射。
在此一情況中，該裝置可以包括一脈衝產生器，其連接至電極，並於電漿塵霧浸入電極之間的空間時，觸發電子放電。
根據本發明之第三具體實施例，該裝置包括一放電電極，一雷射源，與一裝置，其中該放電電極安排於噴射目標旁邊，並使用傳統GDPP放電組態，以於電漿的路徑上，產生高密度的電漿，該雷射源以維持EUV輻射照射的方式，照射該電漿，而該裝置係用來觸發該雷射脈衝，當夾 斷過程使電漿密度夠稠密時，該裝置允許額外的雷射加熱。
該裝置進一步包括一第二真空腔，其經由一孔道(orifice)，連接該第一真空腔，其中該孔道係用來接收位於EUV光線之輻射區域下游，未使用的目標物質。
根據本發明，可以避免上述X射線源只有單獨使用雷射產生方法，或只有單獨使用電漿產生方法所產生的缺點，其中本發明係使用兩種觀念的特殊協調組合，而該兩種觀念包括各種混合的來源具體實施例。
圖1A，1B與2係關於第一具體實施例，其可以稱為放電促進雷射產生電漿源(DBLPP)。
根據本發明之第一具體實施例，用來產生極紫外線(EUV)或軟X光輻射之裝置，包括一輻射源與電極，其中該輻射源係用來產生一雷射輻射，並將超過106 瓦/平方公分(W/cm2 )的強度，打在稠密的目標上，以產生電漿，而該電極則位於由該雷射源所產生之電漿的路徑周圍，該電極與在電漿中以特徵時間常數產生快速電子放電的裝置結合，其中該時間常數小於雷射產生電漿膨脹時間(在DBLPP裝置的情況)的時間常數。
本發明在此一較佳形式中，係以下列方式運作：以噴嘴或其他類似的裝置2，將冷的(亦即，液體或固體)噴射目標，噴霧目標，群集目標或噴發之氣體目標1，注入真空腔3中，其中該真空腔係當作作用腔。電極5圍繞目標區域上之該雷射作用區域4，其中該等電極5亦由一些電子絕緣之塊狀物6 所固定，並構成一放電單元。該等電極係排列成Z夾斷(pinch)，中空陰極夾斷，星狀夾斷，或毛細管放電組態。電子絕緣之塊狀物6最好是低溫冷卻的，並且呈現高的熱傳導率，從而能夠消除接收未使用之頻寬內與頻寬外輻射所產生的熱負載。此一塊狀物6也可以當作可能之致冷目標注射器的熱護罩。該注射目標進入第二真空腔7，而該第二真空腔7則經由孔道8，連接至源真空腔3。打在作用區域4之目標1上的雷射，產生電漿(無論是不是放射EUV輻射)，而該電漿觸發放電(意指放電電源供應本身不需具有觸發單元)。可以用大的圓錐收集有用的EUV光線，其中該圓錐之對稱軸垂直圖1A之繪圖平面，並指向讀者。圖2中可以看到大的圓錐10，其顯示圖1A之側面圖，並顯示雷射源21所產生之雷射束，與其聚焦於作用區域4上，所產生之有用的EUV輻射，該輻射將光線射入較大的圓錐10中。
圖1A進一步顯示第一與第二真空腔3，7之注入裝置9。真空腔3，7中的氣體壓力最好是選擇成低於10帕(Pa)的範圍。
在存在電漿的作用區域4中，從電極5流出的電流脈衝，係由電容儲存能量之快速放電所提供。
電極系統5可以產生快速放電，其中該電極系統係直接連接至一電容器組(未顯示)。或者是，可以經由功率開關來達成快速放電，其中該開關係由一邏輯控制元件打開，並連接於該等電極5與該電容器組之間。
施加於電極5之電壓，高於使用之壓力的氣體放電的觸發電壓。
電極5所提供之電流脈衝，係以和雷射脈衝之點火限定的關係來開關。
LPP膨脹時間的時間常數，超過放電的特徵時間常數。
雷射與放電之間的同步化，係由雷射源12所控制。
儲存電容的電容器連接至較佳之放電路徑，而此一路徑具有如此低之阻抗，以致於其放電時間比100奈秒(ns)長，但其最好小於200奈秒(ns)(亦即，最好介於100至200奈秒之間)。
使用雷射產生與放電產生方法之混合來產生極紫外線(EUV)或軟X光輻射的裝置，最好產生短波長輻射，以使大部分驅動功率是小的功率，而雷射電漿則使放電發生於較高之密度與/或儘可能更侷限的放電，從而使雷射電漿引發放電發生於離電極較遠的距離，以避免腐蝕並限定熱負載。
圖1B僅顯示一冷噴射目標，其可於上述文件WO 02/085080中獲得。
圖3說明本發明之第二具體實施例，其類似於圖1A與圖1B。因為類似於圖2之雷射源12與雷射束11，因此圖3中並沒有顯示雷射源與雷射束。
可是，圖3顯示固體目標104，雷射點105，其中雷射束打在固體目標104上，並使目標104與電子移位作用區域106熔損，其中電子移位作用區域106構成實際的EUV源，而電子放電則發生於電極102。
電極102係安裝於電子絕緣之塊狀物101上，其類似於圖1A與2之塊狀物6。
參考數字107係關於電漿塵霧，而參考數字110則關於射入大圓錐中之有用的EUV輻射。
圖3說明所謂的電漿輔助氣體放電產生電漿(LAGDPP)，其中冷電漿係由雷射脈衝(區域105)所產生。經由電極102之後續放電，加熱並壓縮此一電漿至更有效率與更侷限的EUV輻射(區域106)，其中後續放電係使用雷射產生電漿當作放電管道。
根據本發明之第二具體實施例，產生極紫外線(EUV)或軟X光輻射的裝置，包括一雷射，放電電極與一脈衝產生器，其中該雷射將固體或液體目標蒸發，以產生冷電漿塵霧，該放電電極安排於電漿塵霧的路徑上，而該脈衝產生器則連接該等電極，當電漿塵霧進入電極之間的空間時，電極便觸發電子放電，放電會加熱並壓縮電漿至更侷限的EUV輻射。
在LAGDPP觀念中，本發明使用一種雷射，其蒸發固體或液體目標物質(舉例來說，錫或鋰或其他)，其中該等目標物質係用作氣體放電產生電漿之活化物質，其亦可配合一或更多種緩衝氣體。當電漿塵霧107一進入電極102之間的空間時，便主動觸發放電。有用的EUV輻射最好是以大的圓錐110放射。舉例來說，LAGDPP氣體放電電漿與錫之轉換效率，超過1.3%(對放電電漿而言，頻帶內EUV輻射與電子輸入能量的比是2%)。
在本發明之第一具體實施例(DBLPP)中，雷射產生小延展性的高密度電漿，並使用便宜的放電能量： a)加熱電漿，使輻射超過長的時間週期(產生EUV源之耐用的循環)，b)使電漿侷限於有效的輻射超過一段較長的時間。
此外，DBLPP允許：a)初始化放電，使放電以高密度，在較小的體積中發生，b)迫使氣體放電產生電漿發生於遠離電極與其他硬體的地方，以避免侵蝕。
根據本發明之第三具體實施例，產生極紫外線(EUV)或軟X光輻射之裝置，包括一放電電極，一雷射源，與一裝置，其中該放電電極安排於噴射目標旁邊，並使用傳統GDPP放電組態，以於電漿的路徑上，產生高密度的電漿，該雷射源以維持EUV輻射照射的方式，照射該電漿，而該裝置係用來觸發該雷射脈衝，當夾斷過程使電漿密度夠稠密時，該裝置允許額外的雷射加熱(LBGDPP裝置的情況)。
在本發明之第三具體實施例，稱為雷射促進氣體放電產生電漿(LBGDPP)的實例中，產生放射EUV輻射的傳統GDPP。雷射與放電主動同步化，並聚焦於此一電漿上，以維持EUV放射一對長的時間，或是有效地激發可以促進強化EUV產率之輻射頻道。根據電漿激發之方式，此一觀念有三個主要的方法。為了延長電漿放射時間，僅需要109 -1010 瓦/平方公分(W/cm2 )範圍內的強度。為了開啟新的放射頻道，最好是1012 瓦/平方公分(W/cm2 )範圍的強度。超過1014 瓦/平方公分(W/cm2 )的強度，可噁以激發非線性的效應。
總之，因為DBLPP觀念的混合特徵，有許多協調的效果，特別是：
1.該過程係以發出13.5奈米(nm)之EUV光線的雷射產生電漿起始。從而，雷射電漿導致放電的觸發，而甚至是在雷射脈衝已經結束時，維持電漿溫度也僅需較少的能量。接著，夾斷(pinch)效應會以最長的可能EUV放射時間(時間尺度遠大於典型的雷射脈衝持續時間)來侷限電漿。
2.由於運作中的LPP電漿，GDPP可以用更長的電漿-電極距離來運作，而沒有嚴重的空間緊迫問題(這是由雷射焦距之穩定度所定義)。此外，DBLPP將保持先前LPP電漿的特徵電漿尺度。最後，由於強化的侷限與冷雷射目標(GDPP無法與低溫致冷目標或固體目標一起作用，因此在LAGDPP觀念中，需要使用雷射以準備後續GDPP的目標)，雷射焦距周圍與放電電極之間的殘餘氣體壓力是非常低的。此一情況使放電路線完全經由運作中之雷射產生電漿來進行。因此，雷射焦距的位置總是定義發出火花的路徑。(這與早期雷射觸發放電的實驗相反，其中在早期的實驗中，整個空腔是充滿氣體的。結果，雷射觸發放電允許隨機的閃光路線。)
3.運作中的LPP允許在放電發生之前，由磁場禁閉。
至於混合源觀念的最佳化操作，可以主動地控制雷射與放電之間的同步化(LAGDPP與LBGDPP)，或者甚至可以自發性地發生(DBLPP)。與GDPP觀念相比，EUV放射的絕對時間是非常小的，因為其係由原處之雷射電漿的產製所控 制，因此不需要由一些額外的電源供應所控制。
1‧‧‧目標
2‧‧‧噴嘴或其他類似之裝置
3、7‧‧‧真空腔
4、104‧‧‧雷射作用區域
5、102‧‧‧電極
6、101‧‧‧電子絕緣之塊狀物
8‧‧‧孔道(orifice)
10‧‧‧圓錐
11‧‧‧雷射束
12、21‧‧‧雷射源
104‧‧‧固體目標
105‧‧‧雷射點
106‧‧‧電子移位作用區域
107‧‧‧電漿塵霧
110‧‧‧有用的EUV輻射
為了例證的目的，現在將參考附圖，敘述本發明，其中附圖說明較佳具體實施例，其中：圖1A係本發明之一特殊具體實施例之概圖，其中使用冷液滴噴霧目標，藉由雷射產生的電漿，觸發並限制放電，圖1B係圖1A之特殊具體實施例的概圖，但是其具有另一種類型的噴射目標(微液體噴射)，圖2係圖1A之具體實施例的側面圖，其顯示雷射束聚焦於作用區域，而所產生之有用的EUV輻射則射入大的區域，及圖3係雷射輔助放電源(LAGDPP)之一特殊具體實施例的概圖，其係根據本發明。
1‧‧‧目標
7‧‧‧真空腔
6‧‧‧電子絕緣之塊狀物
8‧‧‧孔道(orifice)
10‧‧‧圓錐
11‧‧‧雷射束
12‧‧‧雷射源

Claims (28)

  1. 一種用來產生極紫外線(EUV)或軟X光輻射之方法，其中以混合的方式，經由雷射輻射與電子放電的結合，產生並加熱一電漿，其中該雷射輻射由一雷射源產生，其將超過106 瓦/平方公分(W/cm2 )之強度聚焦於一雷射作用區域之一目標上，而該電子放電係由電極所產生，該電極與產生快速電子放電的裝置結合，其中雷射產生電漿之電漿膨脹的時間常數超過放電的特徵時間常數。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該目標係一氣體、液體、液體噴霧、群集噴霧或固態媒體，如超過1019 原子/立方公分(atoms/cm3 )之塊狀或箔片目標。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中首先由該雷射輻射聚焦於該目標上以產生EUV電漿，該目標係該雷射作用區域中之一稠密目標，接著在該雷射作用區域中引發放電，從而促進初始雷射產生電漿，並加強全部EUV光線的製造。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中冷電漿係由雷射輻射聚焦於目標上產生冷電漿塵霧，接著在電漿塵霧之電子移位的作用區域中主動觸發放電，以加熱並壓縮電漿至更侷限之EUV光線放射來產生。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中經由電極施加於電漿之電流脈衝，係由儲存能量之電容器的快速放電所提供。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中經由電極施加於 電漿之電流脈衝，係選擇1至3位數奈秒範圍內的週期。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中經由電極施加於電漿之電流脈衝，係選擇2至3位數千安培範圍內的振幅。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中將經由電極施加於電漿之電流脈衝，係以和雷射源產生之雷射脈衝發射所定義的短暫關係來轉換。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中產生之電漿具有6位數凱氏溫度範圍的溫度。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中以低於10帕(Pa)之氣體壓力範圍產生電漿。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該電漿發出波長比50奈米(nm)短的輻射。
  12. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該目標係選自下列材料：氙，錫，銅，鋰，氧，碘。
  13. 一種用來產生極紫外線(EUV)或軟X光輻射之裝置，其包括一雷射源與電極，其中該雷射源產生一雷射輻射，其將超過106 瓦/平方公分(W/cm2 )之強度聚焦於一雷射作用區域之一目標上，以產生電漿，該等電極位於由該雷射源產生之電漿的路徑附近，該等電極與在電漿中產生快速電子放電的裝置結合，其中在電漿中產生快速放電的特徵時間常數小於雷射產生電漿之電漿膨脹的時間常數。
  14. 如申請專利範圍第13項之裝置，其中用來施加電能之裝置包括脈衝壓縮器。
  15. 如申請專利範圍第13項之裝置，其中用來儲存電能之裝置包括電容器組。
  16. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該等電極直接連接電容器組，以產生該快速放電。
  17. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該等電極經由一電源開關，連接至電容器組，其中該電源開關係由一邏輯控制元件打開，以產生該快速放電。
  18. 如申請專利範圍第13至17項中任一項之裝置，其中該等電極之間的放電時間，介於100奈秒(ns)與200奈秒之間，而雷射源所產生雷射脈衝的雷射脈衝持續時間是數奈秒，並且不超過60奈秒。
  19. 如申請專利範圍第13至17項中任一項之裝置，其中其包括一噴嘴，其用來噴射該目標將其注入一接合真空腔中，該目標係一冷噴射目標，微液體噴射，液滴噴霧目標，群集噴射目標或噴發氣體目標，該真空腔配備至少一電子絕緣之塊狀物，以將該等電極固定於該目標之該雷射作用區域周圍。
  20. 如申請專利範圍第19項之裝置，其中電子絕緣之塊狀物具有高的熱傳導率。
  21. 如申請專利範圍第20項之裝置，其中電子絕緣之塊狀物是低溫冷卻的，並且允許消除接收未使用之頻寬內與頻寬外輻射所產生的熱負載。
  22. 如申請專利範圍第20項之裝置，其中該電子絕緣之塊狀物也當作致冷目標噴嘴的熱護罩。
  23. 如申請專利範圍第19項之裝置，其中其進一步包括一第二真空腔，其經由一孔道(orifice)連接該接合真空腔，該孔道係用來接收EUV光線輻射區域下游未使用的目標物質。
  24. 如申請專利範圍第19項之裝置，其中該等電極排列成Z夾斷(pinch)，中空陰極夾斷，星狀夾斷，或毛細管放電組態。
  25. 如申請專利範圍第13至17項中任一項之裝置，其中用來產生一雷射輻射之該雷射源聚焦於該目標上以產生電漿，該目標係一稠密目標。
  26. 如申請專利範圍第13至17項中任一項之裝置，其中藉由該雷射源產生之雷射照射該目標以產生冷電漿塵霧(plume)，該目標係一固體塊狀物、固體箔片、液體、噴霧、群集或噴發氣體目標，及該等電極安排於電漿塵霧與該雷射作用區域的路徑上，該等電極產生熱並壓縮電漿以產生更限制性的EUV輻射。
  27. 如申請專利範圍第26項之裝置，其中其包括一脈衝產生器，其連接至該等電極，當電漿塵霧進入電極之間的空間時，其觸發電子放電。
  28. 如申請專利範圍第13至17項中任一項之裝置，其中其包括該等電極，該等電極安排於該目標旁邊，該目標係一噴射目標，以使用傳統GDPP放電組態，以於電漿的路徑上，產生高密度的電漿，該雷射源以維持EUV輻射照射的方式，照射該電漿，而該裝置係用來觸發該雷射脈衝，當夾斷過程使電漿密度夠稠密時，該裝置允許額外的雷射加熱。
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