JPH0636449B2 - 高出力を有するプラズマ再結合レーザー - Google Patents
高出力を有するプラズマ再結合レーザーInfo
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- JPH0636449B2 JPH0636449B2 JP57501223A JP50122382A JPH0636449B2 JP H0636449 B2 JPH0636449 B2 JP H0636449B2 JP 57501223 A JP57501223 A JP 57501223A JP 50122382 A JP50122382 A JP 50122382A JP H0636449 B2 JPH0636449 B2 JP H0636449B2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明の背景 本発明はプラズマ再結合レーザーの分野に係る。
プラズマ再結合中ポピユレーシヨン・インバージヨンを
生成させるという考えは、エル，アイ，グゼンコ（Ｌ．
Ｉ．Gudzeko）及びエル．エー．シエルピン（Ｌ．Ａ．S
helepin）による“非平衡水素プラズマ中の負性吸収”
と題する論文、ソ連物理学会誌（Sov.Phys.JETP）第１
８巻、１９６４，９９８−１０００頁で最初に提案され
た。この型のレーザーの実験的観察は、１９７７年に行
われた。これらのレーザーの基本となるポピユレーシヨ
ン・インバージヨンについては、ダブリユー．テー．シ
ルフヴアスト（Ｗ．Ｔ．Silfvast）、エル．エツチ．ツ
エト（Ｌ．Ｈ．Szeto）及びオー．アール．ウツド
（Ｏ．Ｒ．Wood）による“拡大するCO2レーザーにより
発生するアルゴン，クリプトン及びキセノンプラズマ中
の再結合レーザー”と題する論文、応用物理論文集（Ap
plied Phys. Letts.）第３１巻、１９７７，３３４−３
３７頁及びヴイ．ヴイ．ツコフ（Ｖ．Ｖ．Zhukov）イ
ー．エル．ラツシユ（Ｅ．Ｌ．Latush），ヴイ．エス．
ミカレフスキ（Ｖ．Ｓ．Mikhalevskii）、及びエル．エ
フ．セム（Ｍ．Ｆ．Sem）による“化学要素の気体を用
いた再結合レーザーＩ．再結合条件下の刺激放射実現の
原理”と題する論文、ソ連量子エレクトロン誌（Sov.J.
Quautum Electron.）、第７巻、１９７７，７０４−７
０８頁に述べられている。
生成させるという考えは、エル，アイ，グゼンコ（Ｌ．
Ｉ．Gudzeko）及びエル．エー．シエルピン（Ｌ．Ａ．S
helepin）による“非平衡水素プラズマ中の負性吸収”
と題する論文、ソ連物理学会誌（Sov.Phys.JETP）第１
８巻、１９６４，９９８−１０００頁で最初に提案され
た。この型のレーザーの実験的観察は、１９７７年に行
われた。これらのレーザーの基本となるポピユレーシヨ
ン・インバージヨンについては、ダブリユー．テー．シ
ルフヴアスト（Ｗ．Ｔ．Silfvast）、エル．エツチ．ツ
エト（Ｌ．Ｈ．Szeto）及びオー．アール．ウツド
（Ｏ．Ｒ．Wood）による“拡大するCO2レーザーにより
発生するアルゴン，クリプトン及びキセノンプラズマ中
の再結合レーザー”と題する論文、応用物理論文集（Ap
plied Phys. Letts.）第３１巻、１９７７，３３４−３
３７頁及びヴイ．ヴイ．ツコフ（Ｖ．Ｖ．Zhukov）イ
ー．エル．ラツシユ（Ｅ．Ｌ．Latush），ヴイ．エス．
ミカレフスキ（Ｖ．Ｓ．Mikhalevskii）、及びエル．エ
フ．セム（Ｍ．Ｆ．Sem）による“化学要素の気体を用
いた再結合レーザーＩ．再結合条件下の刺激放射実現の
原理”と題する論文、ソ連量子エレクトロン誌（Sov.J.
Quautum Electron.）、第７巻、１９７７，７０４−７
０８頁に述べられている。
第１図はポピユレーシヨン・インバージヨン機構を示
す。ここで、ＥZ+は元素ＥのＺ+hイオン化段階の基底状
態を表し、Ｅ(z+1)+は（Ｚ＋１）+hイオン化段階の基底
状態を表す。第１図中の段階(１)であるプラズマの加熱
中、高密度で高度にイオン化したプラズマが、電気放電
又はレーザー生成プラズマにより形成される。この時点
で元素Ｅの原子は好ましくは気体媒体中で励起され、そ
のうちあるものは段階Ｅ(z+1)+にイオン化される。形成
後プラズマは第１図中の段階２で示されるように、拡大
ができるようになる。この拡大段階で、プラズマ電子は
周囲の気体との衝突を経て冷却される。この冷却の結
果、電子−イオン再結合速度は著しく増加する。再結合
電子は自由電子連続体との衝突により、第１図中の段階
３の高度に励起された状態Ｅz+を通し、その荷電状態の
エネルギーレベル中に著しい間隙が実現するまで、エネ
ルギー的に下方に移動する。間隙を越えた衝突減衰速度
が減少することにより、隘路が生じ、この隘路は１ない
し複数の下位レベルに対して形成されるポピユレーシヨ
ン・インバージヨンを発生させる。レーザー動作は間隙
を越えた遷移の下位レベルに対し高い減衰速度が存在す
る時、そのような遷移により起る。
す。ここで、ＥZ+は元素ＥのＺ+hイオン化段階の基底状
態を表し、Ｅ(z+1)+は（Ｚ＋１）+hイオン化段階の基底
状態を表す。第１図中の段階(１)であるプラズマの加熱
中、高密度で高度にイオン化したプラズマが、電気放電
又はレーザー生成プラズマにより形成される。この時点
で元素Ｅの原子は好ましくは気体媒体中で励起され、そ
のうちあるものは段階Ｅ(z+1)+にイオン化される。形成
後プラズマは第１図中の段階２で示されるように、拡大
ができるようになる。この拡大段階で、プラズマ電子は
周囲の気体との衝突を経て冷却される。この冷却の結
果、電子−イオン再結合速度は著しく増加する。再結合
電子は自由電子連続体との衝突により、第１図中の段階
３の高度に励起された状態Ｅz+を通し、その荷電状態の
エネルギーレベル中に著しい間隙が実現するまで、エネ
ルギー的に下方に移動する。間隙を越えた衝突減衰速度
が減少することにより、隘路が生じ、この隘路は１ない
し複数の下位レベルに対して形成されるポピユレーシヨ
ン・インバージヨンを発生させる。レーザー動作は間隙
を越えた遷移の下位レベルに対し高い減衰速度が存在す
る時、そのような遷移により起る。
電子−イオン衝突再結合プロセスに対する電子温度の重
要性は、よく知られている。水素状イオンに対する全三
体結合速度は、ヤ．ビー．ツエルドビツチ（Ｙａ．Ｂ．
Zeldovich）及びユ．ピー．ライツエル（Ｙｕ．Ｐ．Rai
zer）による衝撃波及び高温流体現象の物理（Waves and
High Temperature Hydrodynamec Phenomena）第１巻、
アカデミツク・プレス，ニユーヨーク，１９６６中に示
された式で与えられる。
要性は、よく知られている。水素状イオンに対する全三
体結合速度は、ヤ．ビー．ツエルドビツチ（Ｙａ．Ｂ．
Zeldovich）及びユ．ピー．ライツエル（Ｙｕ．Ｐ．Rai
zer）による衝撃波及び高温流体現象の物理（Waves and
High Temperature Hydrodynamec Phenomena）第１巻、
アカデミツク・プレス，ニユーヨーク，１９６６中に示
された式で与えられる。
（τ3）-1＝8.78×１０-27ZeNe 2Te -4.5 (１) ここで、Ｚは核電荷、Neは電子密度、Teは電子温度であ
る。この衝突再結合プロセスは放射再結合プロセスのTe
-.75より、温度にTe-4.5と感度が高い。プラズマが完全
にイオン化した時、プラズマはプラズマ電子が冷却可能
となるまで、衰弱しない。ジエー．ブルマー（Ｊ．Boul
mer），エフ，デボス（Ｆ．Devos）、ジエー．スチーブ
フエルト（Ｊ．Stevefelt）及びジエー．エフ．デルペ
ツチ（Ｊ．Ｆ．Delpech）による“ヘリウムのリユード
ベリ準位間の衝突放射遷移とHe+の電子再結合”と題す
る論文、物理学理学革新協会（Phy.Rev.A）、第１５
巻、１９７７，１５０２−１５１２頁には、再結合プラ
ズマからの放射は外部ソースによる電子の加熱により急
冷できると述べられている。シルフヴアスト，ツエト及
びウツドによる“周期的ポンピングを用いたキセノン中
の超高利得レーザー生成プラズマレーザー”と題する論
文、応用物理論文集、第３４巻，１９７９，２１３−２
１５頁には、プラズマ冷却速度はキセノン中のCO2レー
ザー生成プラズマ再結合レーザーからの出力に、著しい
効果を及ぼすことが明らかになつている。
る。この衝突再結合プロセスは放射再結合プロセスのTe
-.75より、温度にTe-4.5と感度が高い。プラズマが完全
にイオン化した時、プラズマはプラズマ電子が冷却可能
となるまで、衰弱しない。ジエー．ブルマー（Ｊ．Boul
mer），エフ，デボス（Ｆ．Devos）、ジエー．スチーブ
フエルト（Ｊ．Stevefelt）及びジエー．エフ．デルペ
ツチ（Ｊ．Ｆ．Delpech）による“ヘリウムのリユード
ベリ準位間の衝突放射遷移とHe+の電子再結合”と題す
る論文、物理学理学革新協会（Phy.Rev.A）、第１５
巻、１９７７，１５０２−１５１２頁には、再結合プラ
ズマからの放射は外部ソースによる電子の加熱により急
冷できると述べられている。シルフヴアスト，ツエト及
びウツドによる“周期的ポンピングを用いたキセノン中
の超高利得レーザー生成プラズマレーザー”と題する論
文、応用物理論文集、第３４巻，１９７９，２１３−２
１５頁には、プラズマ冷却速度はキセノン中のCO2レー
ザー生成プラズマ再結合レーザーからの出力に、著しい
効果を及ぼすことが明らかになつている。
再結合レーザーに関してはもつと多くの理論的情報があ
るが、問題はそのようなレーザーは比較的効率が低く、
そのパワー出力を増加させる必要がある。
るが、問題はそのようなレーザーは比較的効率が低く、
そのパワー出力を増加させる必要がある。
このことは本発明に従い実現される。
本発明の要約 本発明に従うと、再結合型レーザーに(a)プラズマを発
生させる、(b)電子密度レーザー動作に最適な範囲に落
ちるまで、再係合が起らない高温に、それを維持するよ
うにエネルギーを与える。エネルギーは単一ソース又は
複数のソースから供給でき、異なるエネルギー源を用い
ることもできる。
生させる、(b)電子密度レーザー動作に最適な範囲に落
ちるまで、再係合が起らない高温に、それを維持するよ
うにエネルギーを与える。エネルギーは単一ソース又は
複数のソースから供給でき、異なるエネルギー源を用い
ることもできる。
図面の簡単な説明 第１図はプラズマ−再結合レーザーが動作する物理的原
理を示す図、 第２図は分割されたプラズマ励起再結合（ＳＰＥＲ）レ
ーザーの実施例を示す図、 第３図は通常のプラズマ励起パルスにより生ずるレーザ
ー出力と本発明に従い発生する励起パルスを用いて得ら
れるレーザー出力をグラフで示す図、 第４図は図に挿入された型の励起パルスで得られるレー
ザー出力をグラフで示す図、 第５図は異なる励起パルスにより生ずるレーザー出力を
グラフで示す図、 第６−１７図は本発明に従い構成された再結合レーザー
を示す図、 第１８図は本発明に従う一励起パルスを発生させるため
に用いられる回路を示す図である。
理を示す図、 第２図は分割されたプラズマ励起再結合（ＳＰＥＲ）レ
ーザーの実施例を示す図、 第３図は通常のプラズマ励起パルスにより生ずるレーザ
ー出力と本発明に従い発生する励起パルスを用いて得ら
れるレーザー出力をグラフで示す図、 第４図は図に挿入された型の励起パルスで得られるレー
ザー出力をグラフで示す図、 第５図は異なる励起パルスにより生ずるレーザー出力を
グラフで示す図、 第６−１７図は本発明に従い構成された再結合レーザー
を示す図、 第１８図は本発明に従う一励起パルスを発生させるため
に用いられる回路を示す図である。
詳細な記述 第２図は周知の型の分割されたプラズマ励起再結合（Ｓ
ＰＥＲ）レーザーを示す。典型的なデバイスは厚さ１m
m、幅２mm、長さ１２mmの多数の周知の型のレーザー物
質の帯（１００−１０６）から成り、それらは帯の各対
間に２mmの間隙を残すように、絶縁性基板（１０）上に
端と端を接して配置されている。電圧源（５）から１５
KV，接続時間２．５μsecの５０−１５０アンペアのパ
ルスがこの一連の帯の端部に印加された時、高密度金属
蒸気プラズマ（１２０−１２５）が各間隙に形成され
る。一度形成されると、基本的に気化した帯状物質から
成るプラズマ（１２０−１２５）は間隙から球状に、
２．５−３Torrにヘリウムガスを満した共振空胴中に広
がる。鏡（１１）及び（１２）により形成された共振空
胴の光学軸は、帯の平行にその上７mmのところに配置さ
れる。レーザーは図示されていない周知の容器により、
閉じ込められる。また、異なるレーザー周波数を得るた
めに、各種の異なる材料をそのようなレーザー中で用い
ることがきるが、そのような材料はよく知られているの
でここではリストに入つていない。
ＰＥＲ）レーザーを示す。典型的なデバイスは厚さ１m
m、幅２mm、長さ１２mmの多数の周知の型のレーザー物
質の帯（１００−１０６）から成り、それらは帯の各対
間に２mmの間隙を残すように、絶縁性基板（１０）上に
端と端を接して配置されている。電圧源（５）から１５
KV，接続時間２．５μsecの５０−１５０アンペアのパ
ルスがこの一連の帯の端部に印加された時、高密度金属
蒸気プラズマ（１２０−１２５）が各間隙に形成され
る。一度形成されると、基本的に気化した帯状物質から
成るプラズマ（１２０−１２５）は間隙から球状に、
２．５−３Torrにヘリウムガスを満した共振空胴中に広
がる。鏡（１１）及び（１２）により形成された共振空
胴の光学軸は、帯の平行にその上７mmのところに配置さ
れる。レーザーは図示されていない周知の容器により、
閉じ込められる。また、異なるレーザー周波数を得るた
めに、各種の異なる材料をそのようなレーザー中で用い
ることがきるが、そのような材料はよく知られているの
でここではリストに入つていない。
ＳＰＥＲレーザーのこの実施例は、２９８３Åないし
１．８３８μｍの波長で、紫外、可視及び近赤外領域に
おいてレーザー動作する。第３図中の曲線（２００）は
従来技術で用いられた１６０Ａ励起パルスのオシロスコ
ープでの軌跡である。第３図中の曲線（２０１）は曲線
（２００）の励起パルスにより生じたInIII中の３００
８Å遷移で動作するＳＰＥＲレーザーからの、レーザー
強度のオシロスコープ軌跡を示す。レーザー強度の増加
方向は、下方である。曲線（２００）の励起パルスは約
３μsec の持続時間をもち、立下りは急峻である。
１．８３８μｍの波長で、紫外、可視及び近赤外領域に
おいてレーザー動作する。第３図中の曲線（２００）は
従来技術で用いられた１６０Ａ励起パルスのオシロスコ
ープでの軌跡である。第３図中の曲線（２０１）は曲線
（２００）の励起パルスにより生じたInIII中の３００
８Å遷移で動作するＳＰＥＲレーザーからの、レーザー
強度のオシロスコープ軌跡を示す。レーザー強度の増加
方向は、下方である。曲線（２００）の励起パルスは約
３μsec の持続時間をもち、立下りは急峻である。
第３図中の曲線（２０２）は本発明の実施例に従い発生
される１６０Ａ励起パルスのオシロスコープでの軌跡で
ある。曲線（２０３）は曲線（２０１）を発生した同じ
ＳＰＥＲレーザーから得られるレーザー強度の軌跡を示
す。パワー出力の著しい増加は、特に整形された励起パ
ルス（２０２）で得られるプラズマ中の電子再結合速度
が制御されたことに、直接起因する。
される１６０Ａ励起パルスのオシロスコープでの軌跡で
ある。曲線（２０３）は曲線（２０１）を発生した同じ
ＳＰＥＲレーザーから得られるレーザー強度の軌跡を示
す。パワー出力の著しい増加は、特に整形された励起パ
ルス（２０２）で得られるプラズマ中の電子再結合速度
が制御されたことに、直接起因する。
本発明のもう一つの実施例に従い用いられる励起パルス
の各種部分のそれぞれの具体的な関数が、第４図に示さ
れた結果からわかる。パルス（２０５）は５３７５Åで
CdII遷移により動作するカドミウムＳＰＥＲレーザーに
印加された。パルスの最初の部分は１００Ａで３μsec
の持続時間をもち、カドミウムプラズマを発生させ加熱
する。励起パルス（２０５）の次に続く部分は１０Ａの
振幅と０−２５μsecの範囲で変る持続時間を有し、プ
ラズマの拡大により電子密度が下るまで電子温度を保
つ。プラズマの拡大はレーザー動作に対して最適な値
で、バツクグラウンドガスと拡大したプラズマとの均一
な混合が起るまで続く。電流パルスが終ると、第４図中
の曲線（２０６）で示されるように、５３７８Åでただ
ちにレーザー動作が起る。エネルギー（又は励起）パル
スは本発明に従い整形され、カドミウムＳＰＥＲレーザ
の利得、パワー及び温度のふるまいに対し、高度の制御
性をもつ。その理由はレーザー動作は励起パルスの低電
流部分の遅延時間により決まる時間遅れの後にのみ起
る。
の各種部分のそれぞれの具体的な関数が、第４図に示さ
れた結果からわかる。パルス（２０５）は５３７５Åで
CdII遷移により動作するカドミウムＳＰＥＲレーザーに
印加された。パルスの最初の部分は１００Ａで３μsec
の持続時間をもち、カドミウムプラズマを発生させ加熱
する。励起パルス（２０５）の次に続く部分は１０Ａの
振幅と０−２５μsecの範囲で変る持続時間を有し、プ
ラズマの拡大により電子密度が下るまで電子温度を保
つ。プラズマの拡大はレーザー動作に対して最適な値
で、バツクグラウンドガスと拡大したプラズマとの均一
な混合が起るまで続く。電流パルスが終ると、第４図中
の曲線（２０６）で示されるように、５３７８Åでただ
ちにレーザー動作が起る。エネルギー（又は励起）パル
スは本発明に従い整形され、カドミウムＳＰＥＲレーザ
の利得、パワー及び温度のふるまいに対し、高度の制御
性をもつ。その理由はレーザー動作は励起パルスの低電
流部分の遅延時間により決まる時間遅れの後にのみ起
る。
パルス（２０５）を発生させるための回路の例が、第１
８図に示されている。ナノフアーストモデル５６８デユ
アル・デイレイ発生器（７０５）は最初のパルスをアク
セル・モデル４００９５トリガ発生器（７０４）に送
る。トリガ発生器（７０４）はＮ−スパークキヤツプ
（７０３）をトリガし、それによつて０−１５Kv dc源
（７００）、１０ＭΩ抵抗（７０１）及び１５００ft R
G−８Ｕ同軸ケーブル（７０２）により発生した１００
Ａ，３μsec のパルスが、ＳＰＥＲレーザーすなわち金
属帯（１００，１０１等）に印加される。デユアル・デ
イレイ発生器（７０５）は第１のパルスから３μsec 遅
れた第２のパルスを、コバール・モデル６０６高出力パ
ルス発生器（７０７）に印加する。パルス発生器（７０
７）は、第４図中の曲線（２０５）の低振幅部分の形を
有するパルスを発生する。パルス発生器（７０７）によ
り生ずるパルスは、１メガワツト増幅用ラデイエーシヨ
ン・パルスト・モジユレータ・モデル９に送られる。増
幅されたパルスはＳＰＥＲレーザーに印加される。得ら
れる結果は、第４図の励起パルス（２０５）で、その低
振幅部分の遅延時間は、パルス発生器（７０７）から出
るパルスの幅を変えることにより変えられる。
８図に示されている。ナノフアーストモデル５６８デユ
アル・デイレイ発生器（７０５）は最初のパルスをアク
セル・モデル４００９５トリガ発生器（７０４）に送
る。トリガ発生器（７０４）はＮ−スパークキヤツプ
（７０３）をトリガし、それによつて０−１５Kv dc源
（７００）、１０ＭΩ抵抗（７０１）及び１５００ft R
G−８Ｕ同軸ケーブル（７０２）により発生した１００
Ａ，３μsec のパルスが、ＳＰＥＲレーザーすなわち金
属帯（１００，１０１等）に印加される。デユアル・デ
イレイ発生器（７０５）は第１のパルスから３μsec 遅
れた第２のパルスを、コバール・モデル６０６高出力パ
ルス発生器（７０７）に印加する。パルス発生器（７０
７）は、第４図中の曲線（２０５）の低振幅部分の形を
有するパルスを発生する。パルス発生器（７０７）によ
り生ずるパルスは、１メガワツト増幅用ラデイエーシヨ
ン・パルスト・モジユレータ・モデル９に送られる。増
幅されたパルスはＳＰＥＲレーザーに印加される。得ら
れる結果は、第４図の励起パルス（２０５）で、その低
振幅部分の遅延時間は、パルス発生器（７０７）から出
るパルスの幅を変えることにより変えられる。
第５図中の曲線（２０７）はInIII中の３００８Å遷移
で動作するＳＰＥＲレーザーからの自然放射のグラフを
示す。特定の励起パルス（２０８）は“リング”を用
い、くり返しＯ電流値まで落ちることに注意するべきで
ある。リンギングは自然放射パルスの列を生ずるように
観察される。この観察、すなわち線放射をくり返しスイ
ツチオン及びオフできるということは、プラズマ再結合
機構はきわめて制御性がよいことの直接の証拠である。
で動作するＳＰＥＲレーザーからの自然放射のグラフを
示す。特定の励起パルス（２０８）は“リング”を用
い、くり返しＯ電流値まで落ちることに注意するべきで
ある。リンギングは自然放射パルスの列を生ずるように
観察される。この観察、すなわち線放射をくり返しスイ
ツチオン及びオフできるということは、プラズマ再結合
機構はきわめて制御性がよいことの直接の証拠である。
上で述べたように、エネルギーは最初にプラズマを生成
し加熱して、次にプラズマが十分広がり最適レーザー動
作をするように、十分な時間電子−プラズマ再結合速度
を下げるように、レーザーに供給される。遅延も可能で
ある。なぜならば、完全にイオン化したプラズマは、プ
ラズマ電子が冷却するかまたはプラズマが封入容器の壁
に当るまで、再結合しないからである。電子密度がプラ
ズマの拡大によりレーザー動作のための最適値に落るま
で、かつ拡大したプラズマがバツクウラウンドガスと均
一に混合し、屈折率勾配、衝撃波等が存在しなくなるま
で、電子温度を高く保つことは有用である。本発明に従
い外部制御を用いることは、２５μsec もの時間イオン
の形でエネルギーを蓄積し、次に制御して蓄積したエネ
ルギーを用いるために有用であつた。このように、イオ
ンはゆつくり発生でき、エネルギーはそれらの捕獲され
ない放射寿命に比べ長い時間、その中に蓄積できる。こ
の蓄積されたエネルギーはそれによつて必要な時使える
ようにすることができる。本発明の更に別に実施例につ
いて、所望の励起パルスを得るために以下に述べる。
し加熱して、次にプラズマが十分広がり最適レーザー動
作をするように、十分な時間電子−プラズマ再結合速度
を下げるように、レーザーに供給される。遅延も可能で
ある。なぜならば、完全にイオン化したプラズマは、プ
ラズマ電子が冷却するかまたはプラズマが封入容器の壁
に当るまで、再結合しないからである。電子密度がプラ
ズマの拡大によりレーザー動作のための最適値に落るま
で、かつ拡大したプラズマがバツクウラウンドガスと均
一に混合し、屈折率勾配、衝撃波等が存在しなくなるま
で、電子温度を高く保つことは有用である。本発明に従
い外部制御を用いることは、２５μsec もの時間イオン
の形でエネルギーを蓄積し、次に制御して蓄積したエネ
ルギーを用いるために有用であつた。このように、イオ
ンはゆつくり発生でき、エネルギーはそれらの捕獲され
ない放射寿命に比べ長い時間、その中に蓄積できる。こ
の蓄積されたエネルギーはそれによつて必要な時使える
ようにすることができる。本発明の更に別に実施例につ
いて、所望の励起パルスを得るために以下に述べる。
第６図は絶縁性基板（１０）に固着された金属部分（１
００−１０５）を有するＳＰＥＲレーザーを示す。高電
圧−高電流パルス源（１５０）が、帯（１００）及び帯
（１０５）に電流パルス（１６０）を印加する。パルス
（１６０）を印加すると、プラズマ（１２０−１２４）
が生成されこのプラズマは鏡（１１）及び（１２）によ
り形成されたレーザー空胴中に広がる。最初、パルス
（１６０）の高電流部分が十分長時間プラズマ（１２０
−１２４）を加熱し、それによつてレーザー空胴中にプ
ラズマが広がると、再結合及び効率のよいレーザー動作
に適した電子密度が得られる。
００−１０５）を有するＳＰＥＲレーザーを示す。高電
圧−高電流パルス源（１５０）が、帯（１００）及び帯
（１０５）に電流パルス（１６０）を印加する。パルス
（１６０）を印加すると、プラズマ（１２０−１２４）
が生成されこのプラズマは鏡（１１）及び（１２）によ
り形成されたレーザー空胴中に広がる。最初、パルス
（１６０）の高電流部分が十分長時間プラズマ（１２０
−１２４）を加熱し、それによつてレーザー空胴中にプ
ラズマが広がると、再結合及び効率のよいレーザー動作
に適した電子密度が得られる。
第７図の実施例において、励起源（１５１）は第６図の
実施例中のプラズマを発生させるために、金属帯（１０
０）及び（１０５）に高電圧、高電流パルスを供給す
る。しかし、この実施例及び以下に述べる実施例におい
て、プラズマ温度を制御するために、独立したエネルギ
ー源が用いられる。従つて、この実施例において、制御
電極（１３０−１３９）の対が金属帯間の間隙に近接し
て、基板（１０）と接触する。制御源（１５２）が各間
隙間に電流パルスを印加し、この電流パルスは励起源
（１５１）により生ずる電流パルスの振幅とは異なる振
幅をもつ。電流パルス（１５２）の長さは励起源（１５
１）により生ずる電流パルスより、持続時間が長く、従
つてプラズマ温度を制御するために役立つ。励起源パル
ス（１５１）と制御源パルス（１５２）の組合せによ
り、上で述べたような合成励起入力ができる。
実施例中のプラズマを発生させるために、金属帯（１０
０）及び（１０５）に高電圧、高電流パルスを供給す
る。しかし、この実施例及び以下に述べる実施例におい
て、プラズマ温度を制御するために、独立したエネルギ
ー源が用いられる。従つて、この実施例において、制御
電極（１３０−１３９）の対が金属帯間の間隙に近接し
て、基板（１０）と接触する。制御源（１５２）が各間
隙間に電流パルスを印加し、この電流パルスは励起源
（１５１）により生ずる電流パルスの振幅とは異なる振
幅をもつ。電流パルス（１５２）の長さは励起源（１５
１）により生ずる電流パルスより、持続時間が長く、従
つてプラズマ温度を制御するために役立つ。励起源パル
ス（１５１）と制御源パルス（１５２）の組合せによ
り、上で述べたような合成励起入力ができる。
第８図の実施例において、プラズマ（１２０−１２４）
もまた励起源（１５１）により生ずる。ＲＦ（１５３）
はｒｆ電磁界を生成させるため、コイル（１５５）に信
号を供給する。ｒｆ電界からのエネルギーは、プラズマ
（１２０−１２４）により吸収される。励起源（１５
１）により生ずる励起電流パルスとrf源（１５３）によ
り生ずるrf電界からのエネルギーは、組合さり上で述べ
た本発明に従う必要な励起パルスを形成する。
もまた励起源（１５１）により生ずる。ＲＦ（１５３）
はｒｆ電磁界を生成させるため、コイル（１５５）に信
号を供給する。ｒｆ電界からのエネルギーは、プラズマ
（１２０−１２４）により吸収される。励起源（１５
１）により生ずる励起電流パルスとrf源（１５３）によ
り生ずるrf電界からのエネルギーは、組合さり上で述べ
た本発明に従う必要な励起パルスを形成する。
第９図の実施例において、マイクロ波源（１５６）はマ
イクロ波導波路（１５７）にエネルギーを供給する。マ
イクロ波導波路（１５７）は励起源（１５１）により生
じたプラズマ（１２０−１２３）を包むように、レーザ
ー空間の周囲に配置される。マイクロ波導波路（１５
７）中に発生したマイクロ波エネルギーは、プラズマ
（１２０−１２３）により吸収される。励起源（１５
１）により供給される励起電流パルス及びマイクロ波源
（１５６）により行われる励起が組合さり、必要な励起
パルスを形成する。
イクロ波導波路（１５７）にエネルギーを供給する。マ
イクロ波導波路（１５７）は励起源（１５１）により生
じたプラズマ（１２０−１２３）を包むように、レーザ
ー空間の周囲に配置される。マイクロ波導波路（１５
７）中に発生したマイクロ波エネルギーは、プラズマ
（１２０−１２３）により吸収される。励起源（１５
１）により供給される励起電流パルス及びマイクロ波源
（１５６）により行われる励起が組合さり、必要な励起
パルスを形成する。
第１０図の実施例において、ターゲツト材料（４００−
４０２）は絶縁性基板（１０）に固定される。レーザー
源（４１０）はレーザービーム（４２０）を発生する。
レーザービーム（４２０）は部分的に反射し、部分的に
透過す鏡（４２１−４２３）に入射し、レーザービーム
（４３１−４３３）を形成する。レーザービーム（４３
１−４３３）はそれぞれレンズ（４４１−４４３）によ
り、ターゲツト（４００−４０２）上に焦点が合わされ
る。これによつてプラズマ（４５１−４５３）か生じ
る。プラズマ（４５１−４５３）は鏡（１１）及び（１
２）により形成されるレーザー空胴中に広がる。制御電
極対（１３０−１３５）がターゲツト（４００−４０
２）の領域中の絶縁性基板（１０）上に配置される。制
御源（１５２）は電極対（１３０−１３５）に電流パル
スを印加し、この電流パルスはプラズマ（４５１−４５
３）にエネルギーを加える。レーザー放射と制御源（１
５２）からの電流パルスを組合せて印加することによ
り、必要な励起パルスが形成される。
４０２）は絶縁性基板（１０）に固定される。レーザー
源（４１０）はレーザービーム（４２０）を発生する。
レーザービーム（４２０）は部分的に反射し、部分的に
透過す鏡（４２１−４２３）に入射し、レーザービーム
（４３１−４３３）を形成する。レーザービーム（４３
１−４３３）はそれぞれレンズ（４４１−４４３）によ
り、ターゲツト（４００−４０２）上に焦点が合わされ
る。これによつてプラズマ（４５１−４５３）か生じ
る。プラズマ（４５１−４５３）は鏡（１１）及び（１
２）により形成されるレーザー空胴中に広がる。制御電
極対（１３０−１３５）がターゲツト（４００−４０
２）の領域中の絶縁性基板（１０）上に配置される。制
御源（１５２）は電極対（１３０−１３５）に電流パル
スを印加し、この電流パルスはプラズマ（４５１−４５
３）にエネルギーを加える。レーザー放射と制御源（１
５２）からの電流パルスを組合せて印加することによ
り、必要な励起パルスが形成される。
第１１及び１２図の実施例は第１０図の実施例と同様
で、レーザー源（４１０）は励起パルスを供給し、それ
はプラズマ（４５１−４５３）を形成する。第１１図に
おいて、rf源（１５３）及びrfコイル（１５５）は第８
図に示された実施例について上で述べたものと同じ機能
を果す。第１２図において、マイクロ波源（１５６）及
びマイクロ波導波路（１５７）は、第９図に示された実
施例について上で述べたものと同じ機能を果す。導波路
（１５７）は導波路ヘのレーザー放射の通過を可能に窓
（４６１−４６３）を有する。
で、レーザー源（４１０）は励起パルスを供給し、それ
はプラズマ（４５１−４５３）を形成する。第１１図に
おいて、rf源（１５３）及びrfコイル（１５５）は第８
図に示された実施例について上で述べたものと同じ機能
を果す。第１２図において、マイクロ波源（１５６）及
びマイクロ波導波路（１５７）は、第９図に示された実
施例について上で述べたものと同じ機能を果す。導波路
（１５７）は導波路ヘのレーザー放射の通過を可能に窓
（４６１−４６３）を有する。
第１３図の実施例において、第７図のそれと同様、源
（１７０）により間隙に印加される励起パルスの部分
は、遅延手段（５０１−５０３）により遅れる。遅延手
段は遅延（５０１）＞遅延（５０２）＞遅延（５０３）
となるように調整される。遅延時間のこの調整は、レー
ザー動作でレーザー空胴に渡る進行波が形成されるよう
に行われる。励起パルスの第２の部分を印加するため
に、制御電極を用いるとき、あるいは第８図に示される
ように、rf源を用いてもよく、あるいは第９図に示され
るようにマイクロ波源を用いてもよく、その時源（１７
０）は高電圧、高電流源でよい。
（１７０）により間隙に印加される励起パルスの部分
は、遅延手段（５０１−５０３）により遅れる。遅延手
段は遅延（５０１）＞遅延（５０２）＞遅延（５０３）
となるように調整される。遅延時間のこの調整は、レー
ザー動作でレーザー空胴に渡る進行波が形成されるよう
に行われる。励起パルスの第２の部分を印加するため
に、制御電極を用いるとき、あるいは第８図に示される
ように、rf源を用いてもよく、あるいは第９図に示され
るようにマイクロ波源を用いてもよく、その時源（１７
０）は高電圧、高電流源でよい。
第１４図の実施例は第１３図のそれと同様であるが、プ
ラズマは第１０図の実施例のようなレーザーパルスを用
いることにより形成される。
ラズマは第１０図の実施例のようなレーザーパルスを用
いることにより形成される。
第１５図の実施例において、プラズマ（１２０−１２
３）はパルス（５）からの高電圧、高電流パルスを印加
することにより形成される。長波長レーザー源（６０
０）から放射されるレーザー放射ビーム（６２０）は、
ビームスプリツタ（６３１−６３４）を通り、それぞれ
プラズマ（１２０−１２３）に入射するように向けられ
る。レーザー放射は本発明に従い制御されてエネルギー
を吸収する。
３）はパルス（５）からの高電圧、高電流パルスを印加
することにより形成される。長波長レーザー源（６０
０）から放射されるレーザー放射ビーム（６２０）は、
ビームスプリツタ（６３１−６３４）を通り、それぞれ
プラズマ（１２０−１２３）に入射するように向けられ
る。レーザー放射は本発明に従い制御されてエネルギー
を吸収する。
第１６図は第１０図に示されたのと同様の実施例を示
す。プラズマ（４５１−４５３）はレーザー源（４１
０）からのレーザー放射を照射することにより形成され
る。波長波レーザー（６００）から放射されるレーザー
放射ビーム（６２０）は、第１５図の実施例のように、
ビームスプリツタ（６３１−６３３）を通りそれぞれプ
ラズマ（４５１−４５３）に入射するように向けられ
る。
す。プラズマ（４５１−４５３）はレーザー源（４１
０）からのレーザー放射を照射することにより形成され
る。波長波レーザー（６００）から放射されるレーザー
放射ビーム（６２０）は、第１５図の実施例のように、
ビームスプリツタ（６３１−６３３）を通りそれぞれプ
ラズマ（４５１−４５３）に入射するように向けられ
る。
第１７図は第１４図に示されるものと同様の増幅された
自然放射の実施例を示し、プラズマ（４５１−４５３）
はレーザー源（４１０）からのレーザー放射により形成
される。長波長レーザー（６００）から放射されるレー
ザー放射ビームは、ビームスプリツタ（６３１−６３
３）を通り、それぞれプラズマ（４５１−４５３）に入
射するように向けられる。ビームスプリツタ（６３１−
６３３）及びターゲツト（４００−４０２）はビーム
（６２１，６２３）及び（６２５）からの放射が順に並
んだ各プラズマ（４５３，４５２，４５１）に到達する
ように間をあけられる。遅延時間のこの構成は、レーザ
ー動作でレーザー空胴に渡る進行波として形成されるよ
うに行う。
自然放射の実施例を示し、プラズマ（４５１−４５３）
はレーザー源（４１０）からのレーザー放射により形成
される。長波長レーザー（６００）から放射されるレー
ザー放射ビームは、ビームスプリツタ（６３１−６３
３）を通り、それぞれプラズマ（４５１−４５３）に入
射するように向けられる。ビームスプリツタ（６３１−
６３３）及びターゲツト（４００−４０２）はビーム
（６２１，６２３）及び（６２５）からの放射が順に並
んだ各プラズマ（４５３，４５２，４５１）に到達する
ように間をあけられる。遅延時間のこの構成は、レーザ
ー動作でレーザー空胴に渡る進行波として形成されるよ
うに行う。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウツド・オバ−ト・リ−ヴス・セカンド アメリカ合衆国10010ニユ−ヨ−ク・ニユ −ヨ−ク・レキシントン・アヴエニユ−１ (56)参考文献 特開 昭48−56084（ＪＰ，Ａ) 特公 昭46−34873（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭39−16043（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭54−2555（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭55−35825（ＪＰ，Ｂ２) 米国特許4041414（ＵＳ，Ａ) 「ＰＨＹＳＩＣＳ ＴＯＤＡＹ」 Ｊｕ ｎｅ，1975 （Ｐ．43〜Ｐ．45)
Claims (12)
- 【請求項１】共振レーザー空胴(11，12) および該共振
レーザー空胴中にプラズマレーザー媒体を生成する手段
から成るプラズマ再結合レーザーにおいて、 該プラズマレーザー媒体を生成する手段は、材料（第６
図、100-105 ）と少なくとも２つの時間区分で該材料に
エネルギーを供給する手段であって第１の時間区分中の
エネルギーは該共振レーザー空胴中へ拡大するところの
プラズマが該材料から生ずるのに十分でありそして第２
の時間区分中のエネルギーは該プラズマ中での電子−イ
オン再結合をそれが所望される迄は防止するのに十分な
高いプラズマ電子温度を保つようにしているエネルギー
を供給する手段(150) とから成ることを特徴とするプラ
ズマ再結合レーザー。 - 【請求項２】請求の範囲第１項に記載されたプラズマ再
結合レーザーにおいて、 帯状片の対の少なくとも１つの間に間隙が残るように、
絶縁性基板(10) 上に端と端を接して配置された少なく
とも一組の一連の帯状片の中に、該材料が配置されるこ
とを特徴とするプラズマ再結合レーザー。 - 【請求項３】請求の範囲第２項に記載されたプラズマ再
結合レーザーにおいて、 エネルギーを供給する該手段が、該少なくとも一組の一
連の該帯状片に、高電圧−高電流パルスを印加するパル
ス発生器から成ることを特徴とするプラズマ再結合レー
ザー。 - 【請求項４】請求の範囲第２項に記載されたプラズマ再
結合レーザーにおいて、 エネルギーを供給する該手段が、該少なくとも一組の一
連の該帯状片に高電圧−高電流パルスを印加する第１の
電気的手段（第７図、151）と、電極の各対のそれぞれ
がその間に間隙を有し該間隙が該帯状片間の間隙の近傍
に配置される複数の電極対（130-139)と、該第２の時間
区分中複数の該電極対に第２の電気パルスを印加する第
２の電気的手段（152)とから成ることを特徴とするプラ
ズマ再結合レーザー。 - 【請求項５】請求の範囲第２項に記載されたプラズマ再
結合レーザーにおいて、 該第２の時間区分の間に該ｒｆ電界から該プラズマにエ
ネルギーを移すエネルギーを供給する該手段が、 該少なくとも一組の一連の該帯状片に高電圧−高電流パ
ルスを印加する第１の電気的手段と、該第２の時間区分
中少なくとも一組の一連の該帯状片を囲むようにｒｆ電
界を発生させるための手段（第８図、153,155）とから
成ることを特徴とするプラズマ再結合レーザー。 - 【請求項６】請求の範囲第２項に記載されたプラズマ再
結合レーザーにおいて、 該第２の時間区分の間に該マイクロ波電界から該プラズ
マにエネルギーを移すエネルギーを供給する該手段が、
該少なくとも１組の一連の該帯状片に高電圧−高電流パ
ルスを印加する第１の電気的手段と、少なくとも一組の
一連の該帯状片を囲むマイクロ波導波路（第９図、15
7）と、該第２の時間区分中、該導波路中にマイクロ波
電界を発生させるためのマイクロ波源（156）とから成
ることを特徴とするプラズマ再係合レーザー。 - 【請求項７】請求の範囲第１項に記載されたプラズマ再
結合レーザーにおいて、 該材料は少なくとも２個の空間的に分離された帯状片か
ら成り、 エネルギーを供給する該手段が、 レーザー放射のレーザー源（第１０図、410）と、 該レーザー放射から分離されたビームを形成し（421-42
3）かつ少なくとも２つの帯状片上に入射するように該
ビームを向ける手段（441-443）と、 電極の各対がそれらの間に間隙を有し、該間隙が該帯状
片の近傍に配置された複数の電極対（130-135）と、 該第２の時間区分中、複数の該電極対に電気パルスを印
加する手段（152）とから成ることを特徴とするプラズ
マ再結合レーザー。 - 【請求項８】請求の範囲第１項に記載されたプラズマ再
結合レーザーにおいて、 該材料は少なくとも２個の空間的に分離された帯状片か
らなり、 該第２の時間区分の間に該ｒｆ電界から該プラズマにエ
ネルギーを移すエネルギーを供給する該手段が、 レーザー放射のレーザー源（第１１図、410）と、 該レーザー放射から分離されたビームを形成する手段
（421-423）及び少なくとも２個の該帯状片上に入射す
るように該ビームを向ける手段（441-443）と、 該第２の時間区分中少なくとも２個の該帯状片を囲むｒ
ｆ電界を発生する手段とから成ることを特徴とするプラ
ズマ再結合レーザー。 - 【請求項９】請求の範囲第１項に記載されたプラズマ再
結合レーザーにおいて、 該材料が少なくとも２個の空間的に分離された帯状片か
ら成り、 該第２の時間区分の間に該マイクロ波電界から該プラズ
マにエネルギーを移すエネルギーを供給する該手段が、 レーザー放射のレーザー源（第１２図、421）と、 該レーザー放射から分離されたビームを形成する手段
（421-423）及び少なくとも２個の該帯状片に入射する
ように、該ビームを向ける手段（441-443）と、 少なくとも２個の該帯状片を囲むマイクロ波導波路（15
7）と、 該第２の時間区分中、該導波路中にマイクロ波電界を発
生させるマイクロ波源（156）とから成ることを特徴と
するプラズマ再結合レーザー。 - 【請求項１０】請求の範囲第１項に記載されたプラズマ
再結合レーザーにおいて、 エネルギーを供給する該手段が、該間隙中にプラズマを
形成するために、少なくとも一組の一連の該帯状片に、
高電圧−高電流パルスを印加する電気的手段（第１５
図、５）と、 レーザー放射のレーザー源（600）と、 該レーザー放射から分離されたビームを形成し、かつ該
第２の時間区分中に、該プラズマ上に入射するように該
ビームを向ける手段（631-634）とから成ることを特徴
とするプラズマ再結合レーザー。 - 【請求項１１】請求の範囲第１項に記載されたプラズマ
再結合レーザーにおいて、 エネルギーを供給する該手段が、レーザー放射の第１の
レーザー源（第１６図、410）と、 該第１のレーザー放射から分離されたビームを形成し
（421-423）、かつプラズマを形成するために少なくと
も２個の該帯状片に入射するように該ビームを向ける手
段（441-443）と、 第２のレーザー放射の第２のレーザー源（600）と、 該第２のレーザー放射から分離されたビームを形成し、
かつ該第２の時間区分中該プラズマ上に入射するように
該ビームを向ける手段（631-633）とから成ることを特
徴とするプラズマ再結合レーザー。 - 【請求項１２】プラズマ再結合進行波レーザーにおい
て、 少なくとも２個の空間的に分離された材料の帯状片と、 第１の時間区分において該帯状片の材料から少なくとも
２つのプラズマを形成するための手段（第１４図、410,
421-423,441-443）と、 第２の時間区分の間に該少なくとも２つのプラズマにエ
ネルギーを印加して該プラズマ中の実質的な電子−イオ
ン再結合をそれが所望される迄の間防止するのに十分に
高いプラズマ電子温度を保持するようにするための手段
とを含み、該エネルギー印加手段は、 該２つのプラズマに対し、所定の時系列でエネルギーを
与えるため、連続的に配置された複数の遅延手段（501-
503）を利用して該エネルギーを加えるための手段（17
0）から成ることを特徴とするプラズマ再結合進行波レ
ーザー。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/251,168 US4388720A (en) | 1981-04-06 | 1981-04-06 | External control of recombination rate for electron-ion recombination lasers |
| US251168GBEJP | 1981-04-06 | ||
| PCT/US1982/000272 WO1982003504A1 (en) | 1981-04-06 | 1982-03-05 | A plasma-recombination laser having high power output |
| US251168 | 1999-02-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58500503A JPS58500503A (ja) | 1983-03-31 |
| JPH0636449B2 true JPH0636449B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=22950779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57501223A Expired - Lifetime JPH0636449B2 (ja) | 1981-04-06 | 1982-03-05 | 高出力を有するプラズマ再結合レーザー |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4388720A (ja) |
| EP (1) | EP0075581B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0636449B2 (ja) |
| CA (1) | CA1168744A (ja) |
| DE (1) | DE3279762D1 (ja) |
| IL (1) | IL65414A0 (ja) |
| WO (1) | WO1982003504A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US4441189A (en) * | 1982-04-09 | 1984-04-03 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Foil electrode SPER light source |
| US4498182A (en) * | 1982-06-18 | 1985-02-05 | At&T Bell Laboratories | Continuous wave sper laser |
| US4504955A (en) * | 1982-08-13 | 1985-03-12 | At&T Bell Laboratories | Low voltage operation of arc discharge devices |
| US6804327B2 (en) | 2001-04-03 | 2004-10-12 | Lambda Physik Ag | Method and apparatus for generating high output power gas discharge based source of extreme ultraviolet radiation and/or soft x-rays |
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| US7796885B2 (en) * | 2002-11-05 | 2010-09-14 | Lightfleet Corporation | Distribution optical elements and compound collecting lenses for broadcast optical interconnect |
| JP4290652B2 (ja) * | 2002-11-05 | 2009-07-08 | ライトフリート コーポレイション | 光学的ファンアウト・ブロードキャスト接続 |
| US20080028246A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-01-31 | Witham Timothy D | Self-monitoring and self-adjusting power consumption computer control system |
| WO2008097648A1 (en) * | 2007-02-07 | 2008-08-14 | Lightfleet Corporation | Fabric generated monotonically increasing identifier |
| US8848808B2 (en) | 2007-03-01 | 2014-09-30 | Lightfleet Corporation | Time domain symbols |
| US20100166430A1 (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | Steve Alten | Broadcast optical interconnect using a MEMS mirror |
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