TWI430392B - Plasma processing apparatus and method - Google Patents
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Description
本發明係關於具有載置基板的基板支承台之電漿處理裝置及使用該電漿處理裝置之電漿處理方法。
作為以往技術，在電漿處理裝置，作為基板的載置之基板支承台的支承構造，大致可分成從真空容器的底面進行支承之構造和從真空容器的側面進行支承之構造的2種類(專利文獻1、2)。
[專利文獻1]日本特開平9-167762號公報
[專利文獻2]日本特開2002-208584號公報
在從真空容器的底面支承基板支承台的支承構造之情況時，會產生以下這種的問題。對此，參照圖7進行說明。再者，圖7係具有從真空容器的底面支承基板支承台的支承構造之以往的電漿CVD裝置的斷面圖。再者，在圖7中，省略電漿產生機構、氣體供給機構、真空機構等的圖示。
圖7所示的電漿CVD裝置40具有：內部作成為真空，用來產生電漿P之真空容器41；安裝於真空容器41的凸緣41a之底面42；安裝於底面42的中央部，可伸縮之波紋管43；用來封住波紋管43，並且藉由球形螺絲46的驅動來進行上下移動之驅動板44；安裝於驅動板44上面，與驅動板44一同地上下移動之驅動構件45；以及安裝於驅動構件45上面，用來載置基板48之載置台47。即，電漿CVD裝置40係具有從真空容器41的底面42支承基板支承台(載置台47、驅動構件45)的支承構造，並且亦具有可使基板支承台本身上下移動之驅動機構。
如圖7所示，基板支承台的部分係被支承於底面42側，當要進行維修時，需要將此底面42取下，但，該取下作業不容易。又，在這樣的支承構造，不易在底面42設置真空用的排氣口，多數係在真空容器41的側面設置真空用的排氣口49。在這種情況，由於真空容器41內的排氣偏移，故，在較高的壓力的真空度，即，成為接近分子流之黏性流之區域，亦會影響到成膜程序、清洗程序的氣體流動。
又，從真空容器的側面支承基板支承台之支承構造之情況時，會產生以下這種的問題。對此，參照圖8進行說明。再者，圖8係為具有從真空容器的側面支承基板支承台之支承構造之以往的電漿CVD裝置的斷面圖。再者，在圖8中，亦省略電漿產生機構、氣體供給機構、真空機構等的圖示。
圖8所示的電漿CVD裝置50具有：內部作成為真空，用來產生電漿P之真空容器51；從真空容器51的側面朝中央部延設，藉由板件52所支承的腕構件53；及被支承於腕構件53上面，用來載置基板55之基板支承台54。
如圖8所示，基板支承台54係藉由1個腕構件53，支承於真空容器51的側面，成為所謂的單臂懸樑構造。當要進行維修時，在從真空容器51的側面取下支承台單元(腕構件53、基板支承台54)後，插入新的支承台單元即可，但是這為1個大的更換零件，昂貴且具重量，此更換作業並不容易進行。在這樣的支承構造，雖然可在真空容器51的底面設置真空用的排氣口56，但是，由於為單臂懸樑構造，故，還是會有真空容器51內的排氣偏移產生，在較高的壓力的真空度，即，成為接近分子流之黏性流之區域，會影響成膜程序、清洗程序等的氣體流動。
本發明是為了解決上述課題而開發完成的發明，其目的係在於提供不會有排氣的偏移，且，容易進行檢修的方式來支承基板支承台之電漿處理裝置及方法。
用來解決上述課題之第1發明之電漿處理裝置，係為對圓筒狀的真空容器內供給期望的氣體，並且使用安裝於前述真空容器的下部之壓力控制閥與安裝於前述壓力控制閥的下部之真空泵浦，控制前述真空容器內的壓力，對載置於前述真空容器內的圓筒狀的基板支承台上之基板實施期望的電漿處理之電漿處理裝置，其特徵為：在內部具有貫通相對向的前述真空容器的側壁之貫通孔，且將通過前述真空容器的中心而橫斷的支承樑與前述真空容器形成為一體，在前述支承樑上面的中央部，設有安裝前述基板支承台用之開口部，經由將真空側與大氣側密封之第1密封構件，來將前述基板支承台安裝於前述開口部。
用來解決上述課題之第2發明之電漿處理裝置，係為對圓筒狀的真空容器內供給期望的氣體，並且使用安裝於前述真空容器的下部之鐘擺式閘閥與安裝於前述鐘擺式閘閥的下部之真空泵浦，控制前述真空容器內的壓力，對載置於前述真空容器內的圓筒狀的基板支承台上之基板，實施期望的電漿處理之電漿處理裝置，其特徵為：在內部具有貫通相對向的前述真空容器的側壁之貫通孔，且將通過前述真空容器的中心而橫斷的支承樑與前述真空容器形成為一體，在前述支承樑上面的中央部，設有安裝前述基板支承台用之開口部，經由將真空側與大氣側密封之第1密封構件，來將前述基板支承台安裝於前述開口部，以對前述真空容器的軸中心，前述鐘擺式閘閥的開口率的使用推荐值(recommended value)的中心值之開口區域的面積中心一致的方式，朝前述支承樑的橫斷方向或與橫斷方向呈垂直的方向偏心，將前述鐘擺式閘閥安裝於前述真空容器。
用來解決上述課題之第3發明之電漿處理裝置係如上述第1、第2發明所記載的電漿處理裝置，其中，前述基板支承台係具有：經由前述第1密封構件，將下端側安裝於前述支承樑的開口部的周圍之圓筒狀的內筒；配置於前述內筒的外周側，並且藉由熔接或經由第2密封構件，將上端側安裝於前述內筒上端側之波紋管；配置於前述波紋管的外周側，並且藉由熔接或經由第3密封構件，將下端側安裝於前述波紋管的下端側之圓筒狀的外筒；以封住前述外筒上端側的開口部的方式，經由第4密封構件加以安裝，用來載置前述基板之圓盤狀的載置台；以覆蓋前述外筒全面的方式，與前述外筒密接而設置，由具腐蝕耐性的材料所構成之圓筒狀的覆設構件；通過前述開口部及前述內筒的內部，安裝於前述載置台的裏面之驅動構件；以及設置於前述貫通孔的內部，藉由驅動前述驅動構件，來變更已載置於前述載置台上之基板的位置之驅動機構。
用來解決上述課題之第4發明之電漿處理方法係使用上述第1、第2發明所記載的電漿處理裝置之電漿處理方法，其特徵為：對前述真空容器內供給氣體，使用前述壓力控制閥及前述真空泵浦，控制前述真空容器內的壓力，產生前述氣體的電漿，對已載置於前述基板支承台上之基板，實施電漿處理。
若依據第1發明，因在橫斷真空容器之支承樑上，安裝圓筒狀的基板支承台，所以，在基板支承台的部分，以基板支承台作為軸之軸對稱的方式均等地進行排氣，在支承樑的部分，以支承樑的部分作為面之面對稱的方式，均等地進行排氣。又，因將基板支承台安裝於與真空容器呈一體的支承樑上的開口部，所以，容易進行基板支承台的定位，又，當要進行維修時，基板支承台的取下、組裝、更換等也變得容易。其結果，能夠抑制排氣的偏移，且，可提升維修性。
若依據第2發明，因在橫斷真空容器之支承樑上安裝圓筒狀的基板支承台，且，以鐘擺式閘閥的開口率的使用推荐值的中心值之開口區域的面積中心與真空容器的軸中心一致的方式，朝支承樑的橫斷方向或與橫斷方向呈垂直的方向偏心，來將鐘擺式閘閥安裝於真空容器，所以，在基板支承台的部分，藉由以基板支承台作為軸之軸對稱，可均等地進行排氣，在支承樑的部分，藉由以支承樑的部分作為面之面對稱，可均等地進行排氣。又，因在與真空容器一體的支承樑上的開口部安裝基板支承台，所以，容易進行基板支承台的定位，又，當要進行維修時，基板支承台的取下、組裝、更換等也變得容易。其結果，可進一步抑制排氣的偏移，且，使維修性提升。
若依據第3發明，即使在具備基板支承台可變更基板的位置之驅動機構的情況，也能在支承樑內部的貫通孔配置驅動機構，所以，不會對真空容器內的排氣造成影響，能夠均等地進行排氣。
若依據第4發明，在使用第1～第2發明所記載的電漿處理裝置進行電漿處理之情況，因可抑制排氣的偏移，所以，能夠提升對載置於基板支承台上之基板所實施的電漿處理之面內均等性。
參照圖1～圖6，說明關於本發明之電漿處理裝置及方法的實施形態例。再者，在此，以電漿CVD裝置為例進行說明，但不限於電漿CVD裝置，亦適用於電漿蝕刻裝置。
關於本實施例的電漿CVD裝置，參照圖1～圖2進行說明。在此，圖1(a)係本實施例的電漿CVD裝置的斷面圖，圖1(b)係與圖1(a)正交的位置之電漿CVD裝置的斷面圖。又，圖2(a)係圖1所示的電漿CVD裝置的下部室之斜視圖，圖2(b)係圖1所示的電漿CVD裝置的下部室、上部室及基板支承台部分之斜視圖。再者，在圖1、圖2，對真空容器內供給期望的氣體之氣體供給機構、使真空容器內產生電漿之電漿產生機構、控制真空容器內的壓力之真空機構等的圖式省略。
在本實施例，電漿處理裝置10係具有構成圓筒狀的真空容器之下部室11、上部室16及頂板17。下部室11與上部室16係藉由凸緣11b、16c安裝著，藉由未圖示的O形環等的密封構件，密封成可將內部作成為真空。又，在上部室16上部開口部的凸緣16b安裝有頂板17，藉由未圖示的O形環等的密封構件，密封成可將內部作成為真空。再者，下部室11的下部的凸緣11c係為一般的圓形凸緣，依次安裝有控制真空容器內的壓力之壓力控制閥、真空泵浦(例如後述的圖4所示這樣的鐘擺式閘閥、渦輪分子泵浦)，但，在此，省略這些構件之圖式。
又，在真空容器的內部，設有由用來載置基板15之圓盤狀的載置台13b、和用來支承載置台13b的圓筒狀的支承筒13a所構成之基板支承台13，對載置於此基板支承台13上之基板15，實施期望的電漿處理。再者，載置台13b與支承筒13a之間，係藉由未圖示的O形環等的密封構件加以密封著。
又，作為用來支承基板支承台13之支承構造，在下部室11，設有通過下部室11的中心並朝直徑方向橫斷之支承樑12。支承樑12係為在上面具有平面之矩形斷面狀者，從圓筒狀的側壁11a的一方側，隔著下部室11的中心，設置至與該一方側相對向的側壁11a的另一方側。且，在支承樑12的內部，設有矩形斷面狀的貫通孔12c。即，支承樑12的貫通孔12c係形成為，通過下部室11的中心，將相對向的圓筒狀的側壁11a朝直徑方向貫通。此支承樑12係與下部室11形成為一體。再者，下部室11亦可與上部室16形成為一體。
又，在支承樑12上面的中央部分，設有用來設置基板支承台13之圓形狀上面開口部12a，在此上面開口部12a，經由未圖示的O形環等的密封構件(第1密封構件)安裝有基板支承台13的支承筒13a，將真空側與大氣側加以密封。又，在上面開口部12a相面對的支承樑12的下面的中央部分，設有當進行維修時可連到貫通孔12c的部分用之下面開口部12b，在此下面開口部12b，經由未圖示的O形環等的密封構件安裝著封閉板18。再者，因支承樑12上面、下面係為平面，所以容易成圓形狀上面開口部12a、下面開口部12b的形成作業變得容易。
因此，基板支承台13的內部係經由支承樑12的貫通孔12c來與真空容器外部連通，包含貫通孔12c在內，成為大氣狀態。另外，基板支承台13的外部係被由上述的下部室11、上部室16及頂板17所構成之真空容器所封住，可藉由真空泵浦，作成為真空狀態。
如此，藉由支承樑12所構成之支承構造係為所謂的雙臂懸樑，在作為雙臂懸樑之支承樑12上設置基板支承台13。
在載置台13b，一般設有静電吸附用的電極、偏流施加用的電極、加熱用的加熱器、溫度檢測用的感測器、冷卻用的流路等。又，藉由上述支承構造，使得基板支承台13的內部、支承樑12的貫通孔12c成為大氣狀態，所以，上述機器等在大氣側被連接。在該情況時，與真空狀態的情況不同，在施加有高電壓之電極部分，不會引起放電。又，就算從冷卻用的流路等漏出有冷媒，也因是在大氣側洩漏，所以，不會影響到真空容器內。且，如後述的實施例2所示，因當組裝使基板支承台上下移動之驅動機構時，因設置於基板支承台13的內部、支承樑12的貫通孔12c的內部即可，所以能夠將真空機構(壓力控制閥、真空泵浦等)配置於真空容器的正下方。
又，因支承樑12係與下部室11形成為一體，所以，當進行維修時所取下的部分僅有輕量的載置台13b、支承筒13a，使得維修變得極為容易。例如，當要進行維修時，首先，取下頂板17，接著取下載置台13b、支承筒13a即可，當需要進行更換的情況，僅更換較支承樑12更上面的載置台13b、支承筒13a即可。又，因支承筒13a的設置場所之上面開口部12a，預先形成於支承樑12，所以，僅進行設置，即可進行基板支承台13的定心，其定位也變得非常容易。如此，由於支承構造之支承樑12極為簡單，故，容易進行基板支承台13的取下、組裝、更換等的檢修。
又，關於真空容器內的排氣，由於在基板支承台13的部分，基板支承台13的部分呈圓筒狀，故，以基板支承台13作為軸之軸對稱，可均等地進行排氣，而在支承樑12的部分，以支承樑12的部分作為面之面對稱，可均等地進行排氣。其結果，可使對載置於基板支承台13上之基板15所實施的電漿處理(例如，藉由電漿CVD所成膜之薄膜等)的面內均等性提升。
本實施例係以實施例1的構造為前提，作為基板支承台，採用可使基板的位置上下移動者。因此，在圖3顯示可上下移動的構造的基板支承台的斷面圖，參照圖3說明關於本實施例。
在本實施例，基板支承台20具有：於支承樑12上面開口部12a的周圍，安裝有成為下端側之下部凸緣22a的圓筒狀的內筒22；配置於內筒22的外周側，並且在內筒22的上端側的外周面，安裝有成為上端側之上部凸緣23a的波紋管23；配置於波紋管23的外周側，並且下端側安裝於成為波紋管23的下端側之下部凸緣23b的圓筒狀的外筒24；以及以封住外筒24上端側的開口部的方式，安裝於上部凸緣24a之載置台26。又，在外筒24的外周，設有以覆蓋外筒24的全面的方式密接於外周面之蓋構件25(覆設構件)。即，在載置台26的正下方，內筒22配置於最內周側，徑相互不同的圓筒狀的內筒22、波紋管23、外筒24及蓋構件25依次自內側起，呈同心圓狀加以設置之構造。
又，支承樑12與下部凸緣22a之間是經由O形環等的密封構件(第1密封構件)安裝著。同樣地，內筒22與上部凸緣23a之間是經由O形環等的密封構件(第2密封構件)，又，下部凸緣23b與外筒24之間是經由O形環等的密封構件(第3密封構件)，又，上部凸緣24a與載置台26之間是經由O形環等的密封構件(第4密封構件)加以安裝著。即，支承樑12、內筒22、波紋管23、外筒24、載置台26彼此之間是經由密封構件安裝著，依據這樣的結構，作成為可一邊將真空容器內部保持真空，可一邊藉由驅動機構(未圖示)使載置台26可上下移動的結構。再者，在內筒22、波紋管23及外筒24，內筒22與波紋管23之間、波紋管23與外筒24之間的至少其中一方，能夠藉由熔接等來熔接成無漏失，並予以一體化，來保持真空的結構。
又，內筒22、波紋管23及外筒24中，由於至少外筒24即使在高溫下，也可保持支承載置台26之構造，故，期望為較高融點的金屬或合金，例如，不銹鋼製等。又，蓋構件25，為了避免因腐蝕性氣體造成外筒24的高溫腐蝕，由具有腐蝕耐性之材料所構成，例如，由將表面進行了氧皮鋁加工之鋁，或高純度氧化鋁等的陶瓷所形成。特別是由於載置台26會有被設定成400℃左右的高溫，故與載置台26直接接觸之上部凸緣24a的部分係無間隙地密接蓋構件25為佳。例如，如圖3所示，在上部凸緣24a朝外周側突出之情況，蓋構件25的上端部25a也仿效其形狀而形成，無間隙地密接著。其結果，能將外筒24儘可能地不暴露於腐蝕性氣體中。
再者，在蓋構件25的更外周側，亦能以覆蓋蓋構件25的全面的方式設置圓筒狀的裙構件(外裝構件)28。此裙構件28是與蓋構件25同樣地，由具腐蝕耐性的材料所構成，例如，表面進行了氧皮鋁加工之鋁、或高純度氧化鋁等的陶瓷所形成。藉由設置裙構件28，可將流動於其外周側之氣體進行整流，而均等地進行排氣，並且，可防止氣體進入到外筒24、波紋管23及內筒22側，其結果，可防止外筒24、波紋管23及內筒22的腐蝕，並能防止因腐蝕所產生之金屬污染，並且可增長這些製品的使用壽命。
又，在載置台26的裏面側，通過開口部12a及內筒22的內部而安裝有驅動構件21，利用以未圖示的驅動機構讓此驅動構件21上下移動，可使載置台26及基板15上下移動，而變更基板15的位置。驅動機構係可設置於基板支承台20的內部、支承樑12的貫通孔12c的內部，不會妨礙真空機構(壓力控制閥、真空裝置等)配置到真空容器的正下方。因此，與實施例1同樣地，關於真空容器內的排氣，在具有驅動機構之基板支承台20的部分，由於基板支承台20的部分為圓筒狀，故，以基板支承台20作為軸之軸對稱的方式，均等地進行排氣，而在支承樑12的部分，以支承樑12的部分作為面之面對稱的方式，均等地進行排氣。其結果，可使對載置於基板支承台20上之基板15所實施的電漿處理(例如，藉由電漿CVD所成膜之薄膜等)的面內均等性提升。
且，在基板支承台20，即使將載置台26加熱至400℃左右，外筒24也被蓋構件25保護，高溫部分暴露於腐蝕性氣體中之可能性變小，抑制高溫腐蝕。又，波紋管23、內筒22，由於從載置台26之路程遠，不易進行熱傳導，故，不會成為高溫，即使就算暴露於腐蝕性氣體，也可以抑制
高溫腐蝕。因此，在金屬製的構件之內筒22、波紋管23及外筒24，可抑制這些構件的高溫腐蝕，能夠使這些構件的製品壽命變長，並且能夠抑制來自這些構件之金屬污染。
又，在基板支承台20，因當進行基板15的搬送時而延伸的波紋管23，在對基板15進行電漿處理時會收縮，所以，附著於波紋管23的表面之生成物、副生成物等變少。特別是電漿CVD裝置之情況時，因對波紋管23的表面之成膜變少，所以，造成已成膜之薄膜的剝離之原因的微粒之產生也變少。
又，在基板支承台20，因以波紋管23上部凸緣23a為境界，僅使載置台26側上下移動，而內筒22側係固定，所以可縮小在真空容器內部之被驅動部分之體積、重量，可減少對驅動機構之負擔。又，即使因驅動機構的故障等，造成大氣壓之壓力作用於載置台26的裏面，在該情況時，因使波紋管23朝收縮的方向動作，所以比起延伸的方向，處於安全的狀態，不會有波紋管23斷裂等的情況產生。
本實施例係以實施例1的構造為前提者，但是其特徵係在於，設置於真空容器的下部之鐘擺式閘閥的位置。因此，將包含鐘擺式閘閥之電漿處理裝置的斷面圖顯示於圖4，並且將圖4的A-A線箭號視角斷面圖顯示於圖5，以下，參照圖4、圖5，說明關於本實施例。再者，在圖4中，省略了電漿產生機構、氣體供給機構等的圖式。
在本實施例，如圖4所示，作為實施例1(參照圖1等)所示的電漿處理裝置10的排氣構造，具有：經由經由連接構件31，安裝於下部室11的下部，用來進行真空容器內部的壓力的控制之鐘擺式閘閥32；及安裝於鐘擺式閘閥32的下部，來將真空容器內部的環境進行排氣之TMP(渦輪分子泵浦)34者。再者，連接構件31係安裝至下部室11的凸緣11c，鐘擺式閘閥32係藉由從上方插入的螺栓33，來安裝於連接構件31的凸緣31c，TMP34係藉由從下方插入的螺栓33，來將TMP34本身的凸緣安裝於鐘擺式閘閥32。
在本實施例，鐘擺式閘閥32係以偏心的方式安裝於下部室11。具體而言，如圖5所示，以圓筒狀的下部室11的軸中心Cc與鐘擺式閘閥32的開口區域M之面積中心Mc呈一致的方式，來將鐘擺式閘閥32偏心配置。開口區域M當然會因鐘擺式閘閥32的開口率產生變化，但是，在本實施例，以鐘擺式閘閥32之開口率的使用推荐值(10%~50%)的中心值30%之開口區域M作為基準，求出該開口區域M的面積中心Mc，以將軸中心Cc與面積中心Mc呈一致的方式，來將鐘擺式閘閥32偏心配置。因此，鐘擺式閘閥32的開口部32a的全開時之中心Gc係對下部室11的軸中心Cc，朝進行開口部32a的開閉之閥體32b的開方向D偏心。再者，上部室16的軸中心係與下部室11的軸中心Cc一致。又，TMP34的連接部中心係配置成與鐘擺式閘閥32的開口部32a的中心Gc一致。
鐘擺式閘閥32的配置位置係對位於其上方之支承樑12
，朝支承樑12的橫斷方向偏心，當將支承樑12設想為1個面時，則對支承樑12，鐘擺式閘閥32的開口區域M位於呈面對稱之位置。即，設想有通過軸中心Cc=面積中心Mc之支承樑12的橫斷方向的中心線時，該中心線係將開口區域M的形狀呈線對稱的方式分成2等分，而將面積分成2等分。
因此，若配置成上述位置關係，當將鐘擺式閘閥32之開口率控制在30%附近，而將真空容器內部控制成期望的壓力時，在基板支承台13的部分，由於基板支承台13的部分呈圓筒狀，故，能以基板支承台13作為軸之軸對稱的方式，均等地進行排氣，而在支承樑12的部分，能以支承樑12的部分作為面之面對稱的方式，均等地進行排氣。當以偏移30%的開口率，將真空容器內部控制成期望的壓力時，比起開口率30%時，稍會成為不均等，但此時，比起使鐘擺式閘閥的開口部中心與真空容器的軸中心一致之情況，還是可均等地進行排氣。其結果，可使對載置於基板支承台13上之基板15所實施的電漿處理(例如，藉由電漿CVD所成膜之薄膜等)的面內均等性進一步提升。
此效果在較高壓力的真空度之程序中尤其顯著呈現。例如，電漿CVD裝置之電漿清洗在較高的壓力之真空度下實施。以往，在電漿清洗會有偏移的情況，為了實施所定清洗，會有消耗多餘的氣體，或對一部份另外多餘進行清洗產生電漿受損的情況產生。相對於此，在本實施例，藉由使用上述的排氣構造，對下部室11、上部室16、基板支承台13，可實施均等的電漿清洗，其結果，減低多餘氣體的使用、電漿受損等，亦可減低維修頻度、謀求零件的使用長壽命化。
再者，亦可使鐘擺式閘閥32朝與支承樑12的橫斷方向呈垂直的方向偏心，在該情況，上述的中心線並非將開口區域M的形狀呈線對稱地分成兩等分，而是將面積分成2等分，能夠獲得接近與使鐘擺式閘閥32朝支承樑12的橫斷方向偏心之情況的效果。
又，為了將鐘擺式閘閥32偏心安裝，連接構件31的開口部31a偏心設置，此偏心方向也朝閥體32b的開方向D偏心。其結果，在偏心之相反側的部分產生空間，與鐘擺式閘閥32的側方鄰接，而於下部室11的下部設置粗略吸引用排氣配管35之埠31b，即使埠位於下部室11的側壁，在下部室11的正下方，也能配置粗略吸引配管35、閥36等。因此，在本實施例，為了進行真空容器內部的粗略吸引，在成為真空容器的底部之埠31b連接粗略吸引配管35，經由閥36及排氣配管38，與粗略吸引用真空泵浦39連接，又，經由閥37，在TMP34的排氣埠連接著排氣配管38。如此，在下部室11的正下方，可配置粗略吸引配管35、閥36等，在處理裝置的內部空間，能夠與TMP34等一同有效率地進行配置。
又，為了將鐘擺式閘閥32偏心連接，而將待機部32e配置於真空容器的側壁更外側。因此，成為較凸緣32d的位置外側，使得對待機部32e連接也變得容易。因此，藉由以旋轉軸32c為中心而使閥體32b旋轉，讓閥體32b朝待機部32e的位置移動，能夠進行對閥體32b之維修，亦可提升對鐘擺式閘閥32之維修性。
依據將鐘擺式閘閥32偏心連接，則會將位於待機部32e的相反側之螺栓33配置於更前側，能夠減低其螺栓33的拴鎖、取下之困難性。
再者，在圖4、圖5，連接構件31係為在圓形平板狀的構件設有偏心的開口部31a之單純構造，但，為了進行更圓滑的排氣，亦可作成為如圖6所示的連接構件31’這樣的構造。連接構件31’，具體而言，是與連接構件31同樣地，具有偏心的開口部31a’、粗略吸引配管用的埠31b’者，但是，從連接構件31’之上部的開口部分到開口部31a’的範圍形成有傾斜部31c’，朝開口部31a’圓滑地進行排氣之構造。再者，在連接構件31’，上部凸緣31d’係連接到下部室11的凸緣11c，而下部凸緣31e’是連接到鐘擺式閘閥32。且，本實施例亦可與實施例2所記載之基板支承台20相互組合。
本發明係可理想地適用於用在半導體裝置的製造之電漿CVD、實施電漿蝕刻等的電漿處理之電漿處理裝置及方法。
10．．．電漿CVD裝置
11．．．下部室
12．．．支承樑
12a．．．上面開口部
12c．．．貫通孔
13、20．．．基板支承台
13a．．．支承筒
13b．．．載置台
15．．．基板
16．．．上部室
17．．．頂板
31、31’．．．連接構件
32．．．鐘擺式閘閥
34．．．TMP
圖1係顯示本發明之電漿處理裝置的實施形態的一例之圖，(a)、(b)為在電漿CVD裝置中，相互90°不同之位置的斷面圖。
圖2(a)係圖1所示的電漿CVD裝置的下部室之斜視圖，(b)係圖1所示的電漿CVD裝置的下部室、上部室及基板支承台部分之斜視圖。
圖3係顯示可上下移動的基板支承台的一例之斷面圖。
圖4係顯示安裝於圖1所示的電漿CVD裝置的下部之排氣構造的一例之斷面圖。
圖5係圖4的A-A線箭號視角斷面圖。
圖6是顯示圖4所示的連接構件的變形例之斜視圖。
圖7是具有從真空容器的底面支承基板支承台的支承構造之以往的電漿CVD裝置的斷面圖。
圖8係具有從真空容器的側面支承基板支承台之支承構造之以往的電漿CVD裝置的斷面圖。
10．．．電漿CVD裝置
11．．．下部室
11a．．．側壁
11b、11c．．．凸緣
12．．．支承樑
12a．．．上面開口部
12b．．．下面開口部
12c．．．貫通孔
13．．．基板支承台
13a．．．支承筒
13b．．．載置台
15．．．基板
16．．．上部室
16b、16c．．．凸緣
17．．．頂板
18．．．封閉板
P．．．電漿
Claims (4)
- 一種電漿處理裝置，係為對圓筒狀的真空容器內供給期望的氣體，並且使用安裝於前述真空容器的下部之壓力控制閥與安裝於前述壓力控制閥的下部之真空泵浦，控制前述真空容器內的壓力，對載置於前述真空容器內的圓筒狀的基板支承台上之基板，實施期望的電漿處理之電漿處理裝置，其特徵為：在內部具有貫通前述真空容器的下部室的相對向之側壁之貫通孔，且將通過前述下部室的中心而橫斷的支承樑與前述下部室形成為一體，在前述支承樑上面的中央部，設有安裝前述基板支承台用之開口部，經由將真空側與大氣側密封之第1密封構件，來將前述基板支承台安裝於前述開口部。
- 一種電漿處理裝置，係為對圓筒狀的真空容器內供給期望的氣體，並且使用安裝於前述真空容器的下部之鐘擺式閘閥與安裝於前述鐘擺式閘閥的下部之真空泵浦，控制前述真空容器內的壓力，對載置於前述真空容器內的圓筒狀的基板支承台上之基板，實施期望的電漿處理之電漿處理裝置，其特徵為：在內部具有貫通相對向的前述真空容器的側壁之貫通孔，且將通過前述真空容器的中心而橫斷的支承樑與前述真空容器形成為一體，在前述支承樑上面的中央部，設有安裝前述基板支承 台用之開口部，經由將真空側與大氣側密封之第1密封構件，來將前述基板支承台安裝於前述開口部，以對前述真空容器的軸中心，前述鐘擺式閘閥的開口率的使用推荐值的中心值之開口區域的面積中心一致的方式，朝前述支承樑的橫斷方向或與橫斷方向呈垂直的方向偏心，將前述鐘擺式閘閥安裝於前述真空容器。
- 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，前述基板支承台係具有：經由前述第1密封構件，將下端側安裝於前述支承樑的開口部的周圍之圓筒狀的內筒；配置於前述內筒的外周側，並且藉由熔接或經由第2密封構件，將上端側安裝於前述內筒上端側之波紋管；配置於前述波紋管的外周側，並且藉由熔接或經由第3密封構件，將下端側安裝於前述波紋管的下端側之圓筒狀的外筒；以封住前述外筒上端側的開口部的方式，經由第4密封構件加以安裝，用來載置前述基板之圓盤狀的載置台；以覆蓋前述外筒全面的方式，與前述外筒密接而設置，由具腐蝕耐性的材料所構成之圓筒狀的覆設構件；通過前述開口部及前述內筒的內部，安裝於前述載置台的裏面之驅動構件；以及設置於前述貫通孔的內部，藉由驅動前述驅動構件， 來變更已載置於前述載置台上之基板的位置之驅動機構。
- 一種電漿處理方法，係使用如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置所進行的電漿處理方法，其特徵為：對前述真空容器內供給氣體，使用前述壓力控制閥及前述真空泵浦，控制前述真空容器內的壓力，產生前述氣體的電漿，對已載置於前述基板支承台上之基板，實施電漿處理。
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