TW201937588A - 電漿處理裝置 - Google Patents

Abstract

[課題] 提供一種可以提升運作率或是處理效率的電漿處理裝置。 　　[解決手段] 一種電漿處理裝置，係具備：圓筒形的架台，係被配置在構成試料台的金屬製的基材之下方，其內部空間是被設成大氣壓而在該空間上方載置有前記基板及與其締結之前記基材以及絕緣構件的狀態下，與前記基板連接；和板狀的梁部，係在前記架台的前記空間內與前記基板的下表面之間隔著間隙而被配置，係為從前記空間之中心往外側呈T或Y字狀地延伸；和複數根插銷，係將該梁部與前記基板、絕緣構件及基材予以貫通並在前記試料台之上方將前記試料支持在尖端上而使其做上下移動；和前記複數根插銷的驅動部，係被安裝在前記梁部的中央部下表面；和密封件，係被配置在，讓被配置在前記梁部之插銷做貫通之貫通孔之周圍，並將內外做氣密地密封。

Description

電漿處理裝置

本發明係有關於，將真空容器內部的被減壓的處理室內的試料台上所被配置的處理對象之試料，使用在該處理室內所形成的電漿而進行處理的電漿處理裝置。

在半導體晶圓等之被處理物之處理的真空處理裝置中，例如，真空處理室內部已減壓的狀態下對該內部導入處理用氣體，將已被導入之處理用氣體予以電漿化，藉由與自由基的化學反應或電子的濺鍍，以進行被保持在具備靜電吸盤之試料台上的半導體晶圓等之被處理物的處理。

在真空處理裝置中係使用處理用氣體，將處理用氣體予以電漿化而將被處理物(晶圓)進行處理之際，反應生成物會附著在真空處理室內部。一旦在被配置在處理室內部的零件之表面附著有反應生成物，則由於該零件的劣化導致反應生成物變成微小粒子而從表面剝離，落下而變成異物而附著在晶圓等而導致污染的問題發生。為了抑制此事，處理室內部的零件係會定期更換或清掃，將成為異物之原因的反應生成物等予以去除，或進行各零件之表面的再生處理(維修)。維修的期間，處理室內部係對大氣壓的氛圍呈開放因而無法進行處理，裝置的運作會停止，因此處理的效率會降低。

甚至近年來，被處理物的半導體晶圓正朝向大口徑化邁進。因此，真空處理裝置也跟著大型化，構成其的各個零件也跟著大型化同時其重量也有增加的傾向，零件的拆卸或移動、安裝等並非容易而也料想到維修所需時間會變長，恐怕會使維修效率更加降低。

用來提升如此的真空處理裝置的維修效率所需的技術，係被揭露在例如專利文獻1。又，關於真空處理氣密室內所被使用的靜電吸盤，係被揭露在例如專利文獻2。

專利文獻1中係揭露，在外側氣密室的內部具備：構成進行被處理物之處理之處理室的上部內筒氣密室和試料台、及被配置在排氣部側的下部內筒氣密室的真空處理裝置。在本真空處理裝置係在維修之際，被配置在上部內筒氣密室之上部，構成生成電漿之放電室的放電室基底板，使其以被配置在搬送室側的鉸鏈部為支點做旋轉般地往上方抬起，以確保上部內側氣密室的作業空間，藉此而將上部內側氣密室往上方抬起而從外側氣密室取出。然後，以試料台的鉛直方向之中心為軸而繞軸配置而被固定的支持梁，具備其的環狀之支持基底構件(試料台區塊)所被固定的試料台基底板，使其以被配置在搬送室側的鉸鏈部為支點做旋轉般地往上方抬起，以確保下部內側氣密室的作業空間，藉此而將下部內側氣密室往上方抬起而從外側氣密室取出的技術，係被記載。此外，將支持梁以試料台的鉛直方向之中心為軸而做軸對稱地配置(亦即相對於試料台的中心軸而言氣體流路形狀是呈略同軸軸對稱)，藉此，上部內筒氣密室內的試料台上的空間的氣體等(處理氣體、電漿中的粒子或反應生成物)，會通過該支持梁彼此之間的空間而透過下部內筒氣密室而被排氣。藉此，被處理物圓周方向上的氣體的流動會變得均勻，可對被處理物做均勻的處理。

將該放電室基底板及試料台基底板以鉸鏈部為支點而拉抬的技術，在適用於大口徑化的被加工物的維修的情況下，放電基底板或試料台所被固定的支持梁會大型化而增加重量，因此想要藉由人手來將這些往上部拉抬會變得困難，而恐怕難以確保上部內筒氣密室或下部內筒氣密室的作業空間。又，排氣部的維修會變成是從外側氣密室的上部往內窺視的方式來進行，但由於裝置的大型化而恐怕會導致手搆不到而難以充分地清掃等。甚至，已被往上部拉抬的放電基底板或試料台的構成零件的整修或更換等之非定期維修時，恐怕會導致站立處不穩定的情況。即使藉由吊機等將放電基底板或試料台所被固定之支持梁予以拉抬，後者的2個問題仍沒有被解決。

又，專利文獻2中係揭露，(水平方向地)通過被設在真空處理氣密室之側壁的開口部，而可對氣密室做安裝、拆卸，搭載有靜電吸盤總成的單持的基板支持部。將該技術適用於大口徑化的被加工物之維修時，基板支持部係被氣密室側壁的開口部做真空密封，因此一旦重量增加則對真空密封部的荷重負荷會變大而恐怕難以保持真空。又，由於是單持因此相對於試料支持部的中心軸而言氣體流路形狀不呈同軸的軸對稱，被處理物的周方向上的氣體的流動會變得不均勻，料想對被處理物難以進行均勻的處理。

作為用來解決如此先前技術所需的技術，先分成構成試料台或靜電吸盤的部分與上下夾住它們而被配置的複數個部分然後將彼此之間予以密封而構成真空容器，構成試料台或靜電吸盤的部分，係在與真空處理裝置或處理單元本體連結的狀態下使本體朝水平方向旋轉而移動，而可依序拆卸上下的部分，藉由如此構成以提升維修效率的技術，已為人所知。作為此種技術的例子，先前已知有被揭露於日本特開2015-141908號公報(專利文獻3)者。

專利文獻3係揭露，具有真空容器的真空處理裝置，該真空容器係具備：被配置在基底板上的圓筒形的下部容器、在內側具備支持試料台之支持梁的試料台基底、圓筒形的上部容器及圓筒形的放電區塊、以及將放電區塊的上部予以封閉的介電體製的蓋構件。在本先前技術的處理單元中，真空容器的構件彼此之間係被密封而對被構成在真空容器內部的處理室內，藉由透過蓋構件所被供給的微波或者VHF或UHF帶的高頻電場與來自圍繞放電區塊之上方及側方周圍而被配置之螺線管線圈的磁場，被供給至處理室內的處理用氣體的原子或分子會被激發而形成電漿，被載置於試料台上表面上方而被保持的半導體晶圓等之基板狀的試料會被處理。

再者，構成真空容器的構件或是構成處理室內表面的構件的清掃或交換等之維護、檢修進行之際，將處理室內設成大氣壓或近似於可看作如此程度的壓力值後，使蓋構件或放電區塊與其他部分分離，上部容器的拆卸，或是使試料台基底對每一試料台朝水平地旋轉而從下方的下部容器或基底板以及配置在基底板下方的渦輪分子泵浦等之真空泵浦的上方移動而做退避。進行上部容器或下部容器的交換或維護檢修、或是試料台和連結其的零件的更換或維護、檢修的作業的作業者，係在將各部分從其他部分拆卸下來或是使其他部分退避的狀態下，可確保充分的空間來進行作業，可提升作業的效率，可縮短真空處理裝置未進行試料處理的時間爾而提升其運轉的效率。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2005-252201號公報 　　[專利文獻2] 日本特開2005-516379號公報 　　[專利文獻3] 日本特開2015-141908號公報

[發明所欲解決之課題]

上記的先前的技術，係在以下的點考慮不足，因此會產生問題。

亦即，半導體晶圓等之試料，通常是被設成適合處理或被容許的範圍內的溫度然後才實施處理，但因為是在該範圍內調節試料台或試料的溫度，為了偵測試料台的溫度而在試料台會配置有偵測溫度的感測器等之偵測器。如此的偵測器，係一旦被安裝至試料台的狀態不同，則即使對相同的溫度之值仍會有不同輸出的情況，因此有必須要對預先判明的特定溫度設定輸出之值或是必須要進行修正所需的校正者。

在具備複數個如此的偵測器的試料台中，有幾個偵測器裝著至試料台，在對該試料台的裝著之後就需要實施幾次的校正作業。另一方面，試料台的上表面或側面係面對電漿，是構成處理室的內表面的構件，因此從表面清淨的狀態起開始試料的處理，隨著累積的枚數增大而附著在表面的處理中所產生的反應生成物等之附著物，為了將其去除，於上記維修的作業中必須要將構成該內側表面的構件也就是構成試料台的部分予以拆卸然後進行洗淨或清掃、或是更換。

於上記先前技術中偵測器所被裝著的部分係為該更換之對象的情況下，如此的維修在每次作業時都需要偵測器的校正作業，因此真空處理裝置沒有處理試料的時間會增大，損及運轉的效率或可動率或是處理的效率。

又，使晶圓在試料台的上方做上下運動的複數個插銷，使其做上下移動的插銷驅動部係被配置在中心，因此對試料台施加的高頻電力的供電點並未被配置在試料台中心，供電點在高頻施加時會變成特異點，在將晶圓進行電漿處理之際會損及晶圓面內的均勻性。

對於如此的課題，在上記先前技術中並未被充分地考慮，而會產生問題。

本發明的目的在於提供一種，可縮短因實施維護、檢修等之作業而未處理試料的時間，提升運作率或處理效率，且可均勻地處理晶圓面內，可促使良率提升的電漿處理裝置。 [用以解決課題之手段]

上記目的係藉由：一種電漿處理裝置，係具備：處理室，係被配置在真空容器內部而內側係被排氣而被減壓；和試料台，係被配置在該處理室內而處理對象之晶圓係被載置於其上表面；和開口，係被配置在該試料台之下方而與將處理室內部進行排氣的排氣泵浦做連通；係為使用在前記試料台上方的前記處理室內所被形成的電漿而將前記試料進行處理，其中，前記試料台係具備：金屬製的基材，係在其上表面具備有讓前記晶圓載置的介電體製的膜；和金屬製的基板，被配置在該基材之下方而與該基材夾著絕緣構件而被絕緣；和連接器，係從該基板之下方插入至前記基材的中心部而被安裝在該基板下表面而對前記基材供給高頻電力；和圓筒形的架台，係被配置在前記基板之下方，其內部空間是被設成大氣壓而在該空間上方載置有前記基板及與其締結之前記基材以及絕緣構件的狀態下，與前記基板連接；和板狀的梁部，係在前記架台的前記空間內與前記基板的下表面之間隔著間隙而被配置，係為從前記空間之中心往外側呈T或Y字狀地延伸的梁部，其端部係與前記架台的內周壁面連接；和複數根插銷，係將該梁部與前記基板、絕緣構件及基材予以貫通並在前記試料台之上方將前記試料支持在尖端上而使其做上下移動；和前記複數根插銷的驅動部，係被安裝在前記梁部的中央部下表面；和密封件，係被配置在前記梁部且被配置在前記複數根插銷之每一者所貫通的貫通孔之周圍而將該插銷之每一者之周圍與被設成大氣壓的前記架台內的前記空間之間，予以氣密地密封而達成。 [發明效果]

若依據本發明，則可提供一種使處理的效率提升的電漿處理裝置。

發明人等，作為用來達成上記目的所需的手段，是想到以下的點。亦即，(1)為了確保良好的處理均勻性，相對於載置被處理物的試料台的中心軸而言，要把處理氣密室形狀設成略同軸軸對稱。

(2)為了能夠容易地定期維修，即使支援大口徑化，仍可從定期維修的對象零件也就是氣密室構件，迅速地去除反應生成物等。此外，此處所謂的容易定期維修係包含電源纜線切離、進行水冷卻排清等，非定期維修之際所進行之作業設為不需要。(3)為了能夠容易地非定期維修，即使支援大口徑化，非定期維修對象的放電用電極頭或各種感測器仍可容易地拉出。

再者，作為實現上記的構成，而想到了以下的構成。

針對(1)，係至少將真空處理室的水平剖面的內壁形狀設成圓形狀，支持試料台的支持梁，係以試料台的鉛直方向之中心為軸而配置成軸對稱，固定在環狀的支持基底構件。針對(2)，進行定期維修的零件係設計成可交換(更換)。亦即，附著有反應生成物等的零件並非當場清掃，而是可和新的零件或是清掃完畢的零件做更換。再者，將非定期維修對象零件按照各關連零件而整合成單元，以單元單位而設計成可朝水平方向移動，在定期維修之際可使它們容易地迴避而不會變成作業的障礙。針對(3)，係使非定期維修對象零件按照各關連零件所整合成的單元在維修之際朝水平方向移動，在周圍設置作業空間。

在以下說明的實施例中係說明，於具備如此構成的電漿處理裝置中，具備達成上記目的之構成的例子。此外，於圖中相同符號係表示相同構成要素。 [實施例]

本發明的實施例所述之電漿處理裝置，以下使用圖1乃至圖11來說明。圖1係說明本發明的實施例所述之電漿處理裝置的構成之概略的俯視圖及斜視圖。

本實施例的電漿處理裝置100也就是電漿處理裝置，係具有大氣區塊101和真空區塊102。大氣區塊101係為在大氣壓下將半導體晶圓等之被處理物(試料)予以搬送、決定收納位置等的部分，真空區塊102係為在從大氣壓減壓的壓力下將晶圓等之試料進行搬送、處理等，在載置試料的狀態下使壓力增減的部分。

大氣區塊101係具備：大氣搬送室106、和被安裝在該大氣搬送室106的前面側，收納有處理用或清潔用之試料的晶匣係被載於其上表面的複數個晶匣台107。大氣區塊101，係為將晶匣台107上的各晶匣的內部中所被收納的處理用或清潔用之晶圓在與被連結至大氣搬送室106之背面的真空區塊102之間做遞送的場所，在大氣搬送室106內部，係為了搬送如此的晶圓而配置有，具備晶圓保持用之手臂的大氣搬送機器人109。

真空區塊102係具備：進行減壓而處理試料的複數個真空處理室200-1、200-2、200-3、200-4；和具備與這些真空處理室連結並在其內部將試料在減壓下予以搬送的真空搬送機器人110-1、110-2的真空搬送室104-1、104-2；及將該真空搬送室104-1與大氣搬送室106做連接的閉鎖室105、將真空搬送室104-1與真空搬送室104-2做連接的搬送中間室108。該真空區塊102係由，其內部係被減壓而可維持高真空度之壓力的單元所構成。這些大氣搬送機器人或真空搬送機器人的動作、或真空處理室中的處理之控制，係藉由控制裝置而進行。

圖3係圖1所示的實施例的真空處理室的構成之概略的模式圖示的縱剖面圖。尤其是，在圖3中係圖示了，真空處理室200中的真空處理室的構成之略圖。在本實施例中雖然配置了相同結構的真空處理室，但亦可組裝具有其他結構的真空處理室。

圖3所示的真空處理室係具備：含有上部容器230或下部容器250的真空容器；和連結於其而被配置的下方的排氣泵浦270；和上方的第1高頻電源201及螺線管線圈206。上部容器或下部容器係具有水平剖面形狀為圓形狀的內壁，在其內部的中央部係配置有圓筒形狀的試料台241。

上部容器或下部容器的外壁係構成了真空隔壁。試料台241係藉由被設在試料台基底242的支持梁而被保持，支持梁係以試料台的鉛直方向之中心為軸而被配置成軸對稱(亦即相對於試料台的中心軸290而言氣體流路形狀係為略同軸軸對稱)。

上部容器230內的試料台241上的空間的氣體等(處理氣體、電漿中的粒子或反應生成物)，係通過該支持梁彼此之間的空間而透過下部容器250而被排氣，因此載置有被處理物(試料)300的試料台241的周方向上的氣體的流動係變得均勻，可對被處理物300做均勻的處理。此外，試料台基底242係具有具備支持梁的環形狀，該環部分係在真空容器的下部容器與上部上記的周圍而被保持，而被真空密封，因此即使試料台等之重量有所增加仍可對應之。

真空處理室，在本實施例中係由包含在基底板260上被依序層積的圓筒形狀的下部容器250、具備支持梁的環狀的試料台基底242、圓筒形狀的上部容器230、接地環225、圓筒形狀的放電區塊224、氣體導入環204的複數個構件所構成，各個構件係藉由O型環207而被真空密封。放電區塊224的內側係被配置有圓筒形狀的石英內筒205。又，在試料台基底242係被固定有具有試料台底部蓋245的試料台241而構成試料台單元，被安裝有加熱器222的放電區塊224係被固定在放電區塊基底221而構成了放電區塊單元。

又，上部容器230、下部容器250、基底板260具有凸緣部，上部容器230與下部容器250係藉由凸緣部而分別以螺絲固定在基底板260。此外，在本實施例中，雖然構成真空處理室的構件係具有圓筒形狀，但關於外壁形狀係即使水平剖面形狀並非圓形也無妨，可為矩形，也可為其他形狀。

在真空處理室的上方係配置有，構成真空容器的具有圓板形狀的蓋構件202和在其下方構成真空處理室的屋頂面的圓板形狀的淋浴板203。這些蓋構件202與淋浴板203係為石英等之介電體製的構件。因此，這些構件係被構成為可讓微波或UHF、VHF波等之高頻電場透通，來自被配置在上方之第1高頻電源的電場係可通過它們而被供給至真空處理室內。又，在真空容器的外側側壁的外周係包圍其而被配置有磁場的形成手段(螺線管線圈)206，被夠成為可將所產生的磁場供給至真空處理室內。

在淋浴板203係配置有複數個貫通孔也就是處理用氣體的導入孔，從氣體導入環204所被導入之處理用氣體係通過該導入孔而被供給至真空處理室內。淋浴板203的導入孔，係在試料台241的上表面也就是試料的載置面的上方繞著試料台241的中心軸290而在軸對稱的領域中被配置複數個，通過被均等配置的導入孔，具有所定之組成而由不同的氣體成分所構成的處理用氣體，會被導入至真空處理室內。

已被導入至真空處理室內部的處理用氣體，係藉由電場形成手段的第1高頻電源201與磁場形成手段的螺線管線圈206所產生的電磁波及磁場被供給至真空處理室內，而被激發，於試料台241上方的放電區塊224內的空間中被電漿化。此時，處理用氣體分子係被電離成電子與離子，或是被解離成自由基。該電漿所被生成的領域，係其周圍係被配置在放電區塊基底221上的放電區塊224所包圍，該放電區塊224的外周側壁上係被安裝有，將其包圍並被連接至第1溫度控制器223的加熱器222，可將與電漿接觸的石英內筒205進行加熱。

藉由如此的構成，可減低反應生成物對石英內筒205或放電區塊224的附著。因此，這些構件係可從定期維修的對象除外。

載置晶圓的試料台241，係在真空處理室的內部與該淋浴板203的中心軸290吻合地而被配置。電漿所致之處理進行之際，身為被處理物300的晶圓係被載置於試料台241的上表面也就是圓形的載置面，而在被構成該面的介電體的膜靜電所吸附而被保持(靜電吸附)的狀態下，被進行處理。

在本實施例中，考慮試料也就是半導體晶圓係使用直徑450mm者，因此圓筒形狀的真空處理室的內徑係設成800mm。但是，亦可設計成該尺寸以下(600mm左右)。

又，試料台241內部所被配置的電極係連接有高頻偏壓電源(第2高頻電源)243，藉由所被供給的高頻電力，藉由被形成在試料台241及被載於其上之試料300之上方的高頻偏壓，電漿中的帶電粒子就會被引誘而衝擊試料的表面，藉由如此所致之物理反應與前記自由基和晶圓表面的化學反應的交互反應，而進行蝕刻處理。又，試料台的溫度係可藉由第2溫度控制器244控制成所望的溫度。

對試料台241的高頻偏壓之施加或試料台241的溫度控制，係透過被配置在包含支持梁的試料台基底242內部中所被形成之空洞內的電源用配線電線或溫度控制用的配線電線或是冷媒用配管，而被進行。此外，雖然未圖示，但除了前記配線電線以外，亦可包含有溫度感測器或靜電吸盤用配線電線。由於被配置在試料台241之周邊的上部容器230係容易有反應生成物附著，因此係為定期維修的對象構件。

在真空處理室之下方係被配置有，隔著其底部與具有排氣開口之基底板260而被連結的排氣泵浦270。被設在基底板260的排氣開口，係被配置在試料台241的正下方，將被配置在排氣開口上的具有略圓板形狀的排氣部蓋261藉由活塞262而做上下移動，可調整排氣阻力，而可調節藉由排氣泵浦270而被排出至真空處理室外的內部的氣體或電漿、生成物的量、速度。

該排氣部蓋261係在處理被處理物之際係被開放，供給處理用氣體並且藉由排氣泵浦270等之排氣手段的動作而保持平衡，真空處理室內部的空間的壓力係被維持在所望的真空度。在本實施例中，處理中的壓力係在0.1～4Pa的範圍內而被調節成預先決定之值。

於本實施例中，作為排氣泵浦是使用渦輪分子泵浦及電漿處理裝置所被設置之屋舍內所具備的轉子泵浦等之粗抽泵浦。此外，排氣部蓋261係被構成為，在維修之際係會關閉而可將排氣泵浦藉由O型環予以真空密封。

再者，於本實施例中，符號111係表示第1閘門閥，符號112係表示第2閘門閥，符號115係表示閥盒，符號280係表示支柱。

在本實施例中，已被導入至真空處理室內的處理用氣體、及電漿或處理之際的反應生成物，係藉由排氣泵浦270等之排氣手段的動作，從真空處理室上部通過試料台241的外周側的空間，透過下部容器250而移動至被設在下方之基底板260的開口。下部容器250係容易有反應生成物附著，因此係為定期維修的對象構件。

蝕刻處理中的真空處理室內部的壓力係藉由真空計(未圖示)而被監視，藉由排氣部蓋261來控制排氣速度以控制真空處理室內部的壓力。這些處理用氣體的供給或電場形成手段、磁場形成手段、高頻偏壓、排氣手段的動作係藉由未圖示的被連接成可通訊的控制裝置所調節。

電漿處理中所使用的處理用氣體係採用，按照各製程的各條件而將單一種類的氣體、或是複數種類的氣體，以最佳的流量比所混合而成的氣體。該混合氣體，其流量是藉由氣體流量控制器(未圖示)而被調節，透過被連結於其的氣體導入環204而被導入至真空容器上部的真空處理室上方的淋浴板203與蓋構件202之間的氣體滯留用的空間。在本實施例中係使用不鏽鋼製的氣體導入環。

接著，關於被處理物往真空處理室內的搬入、從真空處理室的搬出的程序，使用圖2～圖4來說明。圖2，係圖1所示的實施例所述之電漿處理裝置中的被處理物的搬送之說明用的要部概略俯視圖。

圖2(a)係為，閘門閥為開的狀態，搬送機器人正在將被處理物搬入至真空處理室的狀態，或是欲搬出的狀態)。圖2(b)係為真空搬送室104中已經有晶圓300被搬入的狀態，閘門閥為閉的狀態，圖示被處理物已被搬入至真空搬送室的狀態。

首先，於大氣區塊中，從晶匣藉由大氣搬送機器人而被取出的晶圓係經過閉鎖室而被搬送往真空搬送室104。真空處理室與真空搬送室係隔著第1閘門閥111和第2閘門閥而被連接。

在本圖中閘門閥係雙方都被關閉，以O型環207而被真空密封。符號115係為閥盒，符號210係為迴旋昇降機(移動手段)。

關於迴旋昇降機210將於後述。接著，使真空處理室與真空搬送室的壓力一致之後，如圖2(a)所示，使用具備手臂之真空搬送機器人110，從真空搬送室104往真空處理室將晶圓300予以搬入。

此時，第1及第2閘門閥111、112係兩者都是開的狀態。接下來，如圖3所示，將晶圓300載置於真空處理室內的試料台241，真空搬送機器人係回到真空搬送室，第1、第2閘門閥111、112係被關閉。

於真空處理室內一旦對晶圓300的處理完成，則在真空處理室與真空搬送室的壓力調整後，如圖4所示般地，將第1、第2閘門閥111、112設成開狀態。圖4係為圖1所示的實施例的真空處理室的構成之概略的模式圖示的縱剖面圖，圖示了第1、第2閘門閥111、112係為被開放的狀態。

從該狀態起，和圖2(a)所示同樣地使用真空搬送機器人110從試料台241將晶圓300往上方抬起而從試料台241上表面遊離。接下來，如圖2(b)所示，將晶圓300搬入至真空搬送室104。其後，晶圓300係在其他真空處理室中被處理後，或是未被處理，透過閉鎖室而被搬送至晶匣。

接著，關於定期維修的程序，使用圖5～圖11來說明。圖5係表示，將圖3、4所示的真空處理室的構成中摘除螺線管線圈206和第1高頻電源201，並且將被連接至排氣泵浦270的基底板260的開口部以排氣部蓋261予以阻塞而設成真空密封之構成，圖5(a)係為平面圖，(b)係為剖面圖。

藉由排氣部蓋261而將排氣泵浦270予以真空密封，使排氣泵浦270運作，就可縮短維修後的真空處理室的開機時間。此外，圖5(b)所示的剖面圖，係為了說明迴旋昇降機210，而與圖3或圖4的觀看方向不同。

亦即，在圖3或圖4所示的剖面圖中，係於圖5(a)所示的平面圖中從右側觀看的圖，但在圖5(b)所示的剖面圖中，係於圖5(a)所示的平面圖中從下側觀看的圖。圖6～圖11所示的縱剖面圖，係從與圖5(b)所示的剖面圖相同方向觀看的圖。

接著，如圖6所示，將石英板202、其下方的淋浴板203及石英內筒205往上方移動而拆卸。藉此，在真空處理室的上端係有氣體導入環204露出。

又，在真空處理室內部，係有試料台241和試料台基底242的支持梁的部分露出。接下來，如圖7所示，使氣體導入環204往上方移動而拆卸。

接下來，如圖8所示，將包含被固定在迴旋昇降機210之可動部的放電區塊基底221、和被安裝在其上的放電區塊224及加熱器222的放電區塊單元220，如箭頭310所示邊地以迴旋軸211為中心而往上方移動後，使其水平地往反時鐘方向迴旋，從鉛直上方來看，移動至真空處理室的領域外。在本實施例中雖然是將放電區塊單元往反時鐘方向迴旋，但亦可將迴旋昇降機的位置變更成相反側(將圖中的右側配置變成左側配置)而使其往時鐘方向迴旋的構成。

使放電區塊單元220往上方移動的距離，係設成超過接地環225的突起部的高度以上。在本實施例中雖然是設成5cm，但不限定於此。

此外，若接地環的突起部的高度較低的情況下，則設成讓O型環207會從放電區塊單元220或是接地環225遠離的高度(數cm)以上。又，雖然迴旋角度是設成180度，但亦可設成90度以上270度以下。

但是，若考慮到作業性則180度±20度係較為合適。藉由使非定期維修對象的放電關連構件與放電區塊單元220一起迴旋，就可使它們迅速且容易地從真空處理室的上部回避。藉由使放電區塊單元220做回避，在真空處理室的上端就會有接地環225露出。

接著，如圖9所示，使接地環225及主要的定期維修對象構件也就是上部容器230往上方移動而拆卸。亦即，在可交換(更換)之狀態下可容易地拆卸上部容器230。

於本實施例中，構成真空處理室的真空隔壁本身(上部容器)係為可更換。藉此，可使從真空處理室的拆解起算的上部容器230的維修時間，被抑制成最小限度。

此外，進行維修之際，第1閘門閥係設成閉，第2閘門閥係設成開。第1閘門閥111設成閉而將真空搬送室104設成真空密封狀態，藉此，其他真空處理室的處理就成為可能，可使身為電漿處理裝置的運作率的降低，被抑制成最小限度。

另一方面，藉由把第2閘門閥112設成開放狀態，就可使上部容器230與閥盒115分離。上部容器230的拆卸，係將上部容器230與基底板260以凸緣部加以固定的螺絲予以卸下而進行之。

放電區塊單元的移動，係藉由控制迴旋昇降機的控制裝置而進行。該控制裝置係亦可為迴旋昇降機專用，但亦可組入作為電漿處理裝置全體的控制裝置的一部分。藉由將上部容器230予以拆卸，試料台241與支持梁、還有試料台基底242的環部分就會露出。

接下來，如圖10所示，將包含被固定在迴旋昇降機210之可動部的試料台基底242、和被安裝在其上的試料台241及試料台底部蓋245的試料台單元240，如箭頭320所示邊地以迴旋軸211為中心而往上方移動後，使其水平地往反時鐘方向迴旋，從鉛直上方來看，移動至真空處理室的領域外。在本實施例中雖然是將試料台單元往反時鐘方向迴旋，但亦可將迴旋昇降機的位置變更成相反側(將圖中的右側配置變成左側配置)而使其往時鐘方向迴旋的構成。

使試料台單元240往上方移動的距離，係設成O型環207會從試料台單元240或下部容器250剝落的高度以上。在本實施例中雖然是設成2cm，但不限定於此。

又，迴旋角度係設定成和放電區塊單元220相同，較為理想。藉此，從鉛直上方觀看時，放電區塊單元220與試料台單元240之兩者的合計面積可以縮小。

藉由使非定期維修對象的試料台關連構件與試料台單元240一起迴旋，就可使它們迅速且容易地從真空處理室的上部回避。試料台單元240的移動，係藉由控制迴旋昇降機的控制裝置而進行。

該控制裝置係亦可為迴旋昇降機專用，但亦可組入作為電漿處理裝置全體的控制裝置的一部分。藉由使試料台單元240做回避，在真空處理室的上端就會有下部容器250露出。又，排氣部蓋261的全表面係會露出。

接下來，將下部容器250與基底板260以凸緣部做固定的螺絲被卸下後，如圖11所示，使主要的定期維修對象構件也就是下部容器250往上方移動而拆卸。

亦即，在可交換(更換)之狀態下可容易地拆卸下部容器250。藉此，可使從真空處理室的拆解起算的下部容器250的維修時間，被抑制成最小限度。

將下部容器250拆卸後，進行基底板260的表面或排氣部蓋261的表面的檢修、整修。通常，基底板260的露出部係被下部容器250所覆蓋因此反應生成物的附著較少。

又，排氣部蓋261的上部表面，係在處理被處理物之際被配置在試料台之下，因而反應生成物的附著較少，但可因應需要而做清掃。基底板260的周邊係沒有構成真空處理室的壁等(維修上的障礙物)而為平坦，因此可使作業者400(在圖10B中係未圖示)的維修作業效率提升。

進行了定期維修對象的構件的清掃、或檢修、整修、更換(尤其是上部容器和下部容器)之後，以和上記說明相反的程序進行組裝，供作真空處理。

接著，說明非定期維修的程序。非定期維修的對象構件係主要是構成放電區塊單元220的構件和構成試料台單元240的構件。

構成放電區塊單元220的構件的情況，係如圖8所示般地將放電區塊單元220往上方抬起，往水平方向迴旋後，就可從所望之方向，進行加熱器222的檢修、更換，放電區塊224的內壁的檢修、清掃等之維修。放電區塊單元220，係從構成其他真空處理室的構件回避開來因此可謀求作業效率的提升。

構成試料台單元240的構件的情況，係如圖10所示般地將試料台單元往上方抬起，往水平方向迴旋後，如圖11(b)所示般地將試料台底部蓋予以拆卸然後就可從所望之方向，進行各種電源電線或感應器之配線、溫度調節用部品等維修。支持梁內部的空洞中係被配置有：為了使被處理物被靜電吸附在試料台而被使用的配線電線、為了對試料台施加高頻偏壓而被使用的配線電線、為了控制試料台的溫度而被使用的配線電線或是冷媒用配管、為了偵測試料台的溫度而被使用的配線電線之其中至少一者，這些都是非定期維修的對象。

此外，放電區塊單元220變成作業障礙的情況下，則可使其順時鐘方向迴旋，直到從鉛直上方觀看的真空處理室所被配置的領域、或到其附近為止。藉此，可謀求試料台單元240的作業效率的提升。又，藉由使放電區塊單元和試料台單元的迴旋角度適度地錯開，就可同時維修兩單元，因此可提升作業效率。

此外，在本實施例中，雖然是將放電區塊單元或試料台單元，往上方抬起後朝水平方向迴旋，但亦可構成為抬起後朝水平方向直線狀拉出。藉此，可使移動範圍變成最小限度。又，可謀求移動機構之構成的簡略化。但是，往水平方向的迴旋的話，在確保維修的作業空間上，較為有利。

又，在本實施例中，雖然不只上部容器就連下部容器也更換，但亦可構成為安裝內櫬(遮蓋物)來覆蓋下部容器內面，而更換該內櫬。

又，在本實施例中雖然是將迴旋昇降機設成1個，使放電區塊單元與試料台單元朝相同方向迴旋，但在可確保作業領域的情況下亦可設置2個迴旋昇降機，使其分別朝不同的方向迴旋。藉由分別設置放電區塊單元用的迴旋昇降機和試料台單元用的迴旋昇降機，就可自由地設定各個單元的高度。又，由於可以配置更多的作業者因此可容易同時進行作業，可在短時間內結束作業，提升作業效率。

又，在上記實施例中，使用迴旋昇降機而進行移動的放電區塊單元或試料台單元以外的構成零件的移動是以人手進行，但亦可使用吊機等之起重機。

接著，使用圖12乃至圖15，更詳細說明本實施例所述之真空處理室的構成。圖12係圖3所示的實施例所述之真空處理室的構成之概略的模式圖示的縱剖面圖。

圖12(a)係將圖3或圖4所示的真空處理室200-1乃至4之任一者的下部予以特別放大圖示的縱剖面圖，被配置在真空處理室200-1乃至4之上部的第1高頻電源201、蓋構件202、線圈206等之構件係被省略。亦即，從圖3或4所示的真空處理室200-1乃至4之任一者的上部容器230往下側的部分予以放大圖示。

將圖3或4所示的真空處理室200-1乃至4之任一者，於以下圖12乃至圖15的說明中稱之為真空處理單元2001。本圖所示的真空處理單元2001係大致分成具備：真空容器及被配置在其下方的將該真空容器從下方支持的架台，與該架台之下方所連接的真空容器內的空間連通而將其內部進行排氣的排氣手段。

此外，在本圖中，圖3等之前說明過的圖式中所標示符號的部分，在沒有必要的情況下，省略說明。再者，將被配置在真空容器之側壁的真空容器內的空間的內部與外部之間予以連通的開口也就是閘門，在其周圍與側壁抵接而將閘門予以閉塞而做氣密地密封或開放的第2閘門閥112，和將其具備在內部的箱盒115，係被圖示。

本圖的真空處理室2001的真空容器，係和圖3、4的實施例同樣地，具備上部容器230及其下方的試料台基底242以及被配置在其下方的下部容器250，這些是在上下方向形成層的方式而被堆載而構成。下部容器250，其下表面係接觸於基底板260上表面而被載於其上。藉由下部容器250、試料台基底242及上部容器230以及對閘門內部插入其閥體的凸部而與閘門外周側的上部容器230外壁夾著密封構件而抵接以將其閉塞的第2閘門閥112、和未圖示的上部容器230上方的接地環225、放電區塊單元220，而從外部所劃分出來的內部的空間，係為在試料台241上表面載有晶圓300的狀態下會被形成電漿而與該電漿內的粒子反應的該晶圓300會被處理的空間，以下稱之為反應處理室2002。

又，真空處理單元2001，係在架台也就是基底板260的下表面下方且為真空處理單元2001所被配置的屋舍的地面上方之間，具備其上端部是被連接至基底板260而與基底板206將其上方的真空容器加以支持的複數根支柱280。又，在基底板260被支柱280所支持而形成的基底板260下表面與地面之間的空間中，具備與被配置在基底板260之中央部的內部的排氣用的排氣口做連通而被配置在該貫通孔之下方的排氣泵浦270、和使被配置在下部容器250之內側而將排氣口予以開放或氣密地閉塞的排氣部蓋261相對於排氣口做上下驅動的致動器也就是活塞262。

此外，真空處理單元2001的真空容器中也是，基底板260係與接地電極做電性連接而被設成接地電位。因此，與基底板260的下表面接觸而連接的下部容器250、試料台基底242、上部容器230係被設成接地電位。

排氣手段，係具備：下部容器250及被配置在基底板260的貫通孔也就是排氣口在其下方與其連通而被配置的渦輪分子泵浦等之排氣泵浦270、和將排氣泵浦270的入口與排氣口做連結而使其彼此連通的排氣風管(未圖示)。此外，於本圖的真空處理單元2001中也是，排氣泵浦270的排出口係被連結至，預先配置在真空處理單元2001所被接地之屋舍中的轉子泵浦等之粗抽泵浦，而且從排氣口所被排出的排氣之流量或速度，係藉由排氣部蓋261因活塞262被驅動而對排氣口做上下移動，使得往排氣口的排氣之流路的面積有所增減，藉此而調節之。

圖12(b)係含有圖12(a)所示之試料台基底242的主要部的構成加以放大而模式性圖示的縱剖面圖。尤其是，被連結至試料台基底242而被配置在由上部容器230、試料台基底242及下部容器250所構成的真空容器的內部的反應處理室2002內，將載於上表面的晶圓300予以保持的試料台241的構成，係被更詳細地放大而圖示。

和圖12(a)同樣地，本圖中所示的真空處理單元2001，係真空容器、被配置在其下方的基底板260、被配置在其下方的排氣手段是朝上下方向而被配置。再者，真空容器，係內部的側壁面為具有圓筒形的上部容器230、試料台基底242、下部容器250的各者是朝上下方向而被連接，被配置在使其上下方向的中心軸彼此在水平方向上吻合、或是近似於可看作如此程度的位置而被構成。

試料台區塊，係大致分成具備：構成下部的試料台基底242、和含有被載於其上方而被連接而具有圓筒形的頭部1201的試料台241、以及在試料台基底242上方且為試料台241的外周側將其圍繞而被環狀配置的外周環1202而被構成。在本實施例中，這些部分，係在真空處理單元2001被進行零件更換或檢修等之維護的作業中，真空容器內部係被設成大氣壓而被開放的狀態下，從真空容器或下方的部分做裝卸而可更換地構成。

構成試料台241之上部的頭部1201，係具備具有圓形的金屬製的板狀的構件也就是基底板1203、和被載於其上方的具有圓板或圓筒形的金屬製的基材、以及覆蓋基材的具有圓形之上表面而被配置的介電體製的膜而被構成。所謂具有這些基底板1203與介電體製的膜的基材，係如後述，被連結而可一體地裝卸地被構成。

試料台基底242，係將試料台241載於其上方的作為架台之機能的構件，具備：圓筒形狀的基底活塞、和被載於基底活塞的中央部上方而被連接同時上方係載有頭部1201而與基底板1203外周下表面連接的T凸緣1205、和這些基底活塞及T凸緣1205內側的空間也就是收納空間1207。收納空間1207，係如後述，將晶圓300在頭部1201上方使其上下的複數個插銷做上下移動的插銷驅動部1208、或連接至頭部1201的通往感測器或電極的連接器等是被配置在內部的空間中，是被設成和大氣壓或真空處理單元2001被接地的屋舍內部相同的壓力。

基底活塞，係具備：構成最外周部而其上下是被上部容器230及下部容器250所夾而構成真空容器的環狀的基底環1204、和被配置在基底環1204之中心側的具有圓筒形的中央圓筒、和將它們之間連結而一體構成的複數根支持梁1206，而被構成。於本實施例中，基底環1204的內周及中央圓筒的外周係具有被配置在上下方向的中心為吻合或近似於可看作如此程度的水平方向之位置的半徑不同的圓筒形，支持梁1206係其軸是從該中心軸的位置呈放射狀地沿著半徑方向而被配置，相鄰者的彼此之軸間的角度係為相等或設成近似於可看作如此程度的值而被配置。

中央圓筒的下表面，係構成為試料台部蓋245是可裝卸，對中央圓筒，將內部的收納空間1207氣密地密封而予以閉塞地而被安裝。收納空間1207係在各支持梁1206及基底環1204的內部含有將中央圓筒的內部與到真空處理單元2001的外部為止將其貫通而連通而被配置的筒狀的空間。

T凸緣1205，係具有圓筒形的外周部和在內部構成收納空間1207的空間，在空間內配置有插銷驅動部1208。圓筒形的外周部，其上端部是與上方的基底板1203外周緣部下表面，其下端部是與下方的基底活塞的中央圓筒上端部，分別夾著O型環等之密封構件而對向或抵接。

在試料台基底242內部的收納空間1207內部，係除了插銷驅動部1208以外，還配置有向頭部1201供給的冷媒的配管或通往感測器或是電極的供電纜線等之配線。然後，構成收納空間1207的支持梁1206內的通路，係成為被配置在試料台241與真空處理單元2001外部的電源或冷媒的供給源之間做連結的配管或纜線所被設置的空間。

被插入至被配置在基材之內部的複數個凹陷部內而偵測基材之溫度的複數個溫度感測器，其端部是被配置在收納空間1207內，通過支持梁1206內的空間而該端部與被配置在基底環1204或真空處理單元2001外部的容器控制器1209是藉由纜線而可通訊地連接，晶圓300的處理中所發出的各溫度感測器的輸出係可被容器控制器1209所接收而被構成。又，插銷驅動部1208也同樣地，與容器控制器1209藉由纜線而被可通訊地連接，隨應於來自容器控制器1209的指令訊號而調節插銷驅動部1208的動作。

又，金屬製的基材係將比形成電漿所需之電場的頻率還小之頻率的高頻電力在晶圓300的處理中做供給，在載於介電體製的膜之上表面的晶圓300上形成偏壓電位。在本實施例中，用來接受來自第2高頻電源243的偏壓電位形成用的高頻電力所需的連接器係被插入至基材而被電性連接而被安裝在頭部1201，將被配置在收納空間1207內部的該連接器之端部與第2高頻電源243之間做電性連接的供電用的纜線係被配置在包含特定之支持梁1206內部之空間的收納空間1207內。

再者，在金屬製的基材的內部係配置有，讓溫度是被調節成所定之範圍內之值的冷媒被供給而做循環的冷媒流路。如此的冷媒係於冷卻器等之具備使用冷凍循環之溫度調節器的第2溫度控制器244中被調節溫度而藉由內部的泵浦，被供給至基材內部的冷媒流路而做熱更換，被排出的冷媒係回到第2溫度控制器244而再度被調節溫度後，再次被供給至基材內部的冷媒流路。將冷媒流路與第2溫度控制器244做連接的冷媒的配管也是被配置在包含支持梁1206空間的收納空間1207內。

容器控制器1209，係含有演算裝置，被配置在真空處理單元2001或真空容器外部，與被配置在試料台241及收納空間之內部的插銷驅動部1209等之複數個機器，可通訊地連接。容器控制器1209，係從可通訊地連接之機器接收訊號而偵測訊號中所含之資訊，對這些機器發出指令訊號以調節其動作。

本實施例的容器控制器1209，係具備：由半導體裝置所構成的演算器、與機器之間收送訊號的介面、將資料儲存在內部而進行記錄或記憶的RAM或ROM等之記憶體裝置或是硬碟機等之記憶裝置，這些是在容器控制器1209內部被可通訊地連接。將來自外部的訊號透過介面而予以接收的容器控制器1209，演算器係從該訊號偵測出資訊而儲存在記憶裝置內，並且，將記憶裝置內部所被預先儲存的軟體予以讀出而依照其中所被記載的演算法而算出對應於之前的訊號的指令訊號，透過介面而向控制對象之機器發出指令訊號。

容器控制器1209的記憶裝置係亦可為，即使被收納在容器控制器1209內部，仍是可對外部可通訊地配置。本實施例的容器控制器1209，係與溫度感測器及插銷驅動部1208可通訊地連接。

將圖12(b)的試料台區塊的主要部的構成予以放大而更具體地說明。圖13係圖12所示的實施例所述之真空處理室的試料台的構成加以放大而模式性圖示的縱剖面圖。於本例中圖13(a)、(b)係將試料台241及試料台基底242在不同方向上在通過它們的中心軸的縱方向的面上切開的剖面的圖示。

圖13(a)所示的試料台區塊，係含有試料台241和試料台基底242和外周環1202而被構成。試料台區塊，係如圖10所示，將真空處理單元2001的含有上部容器230的試料台基底242還要上側的部分，從試料台基底242拆卸後，使試料台基底242繞著迴旋昇降機210的上下方向的軸而旋轉，而可與試料台241一體地從下方的下部容器250上方做移動而被構成。

如圖13(a)、(b)所示，試料台區塊，係在試料台基底242的上方，載有下表面具有基底板1203的試料台241，它們是透過螺絲等之締結手段而被可裝卸地連接而被構成。在此狀態下，在試料台241的外周側且基底板1203的外周緣上表面上方，係配置有金屬製的外周環1202。

試料台基底242係具備：具備外周環1205和支持梁1206和中央圓筒的基底活塞，和在其上方與其夾著O型環等之密封構件而抵接或是對向而被配置的T凸緣1205。然後，具備這些係被連接而配置在內部的收納空間1207而被構成。

T凸緣1205係具有：如上記的具有圓筒形並將試料台基底242的真空處理單元2001內的外周側壁予以構成的圓筒部、和被配置在該圓筒部內部之收納空間1207內與圓筒部的具有圓筒形之內周壁一體連接或形成的T字狀或Y字狀的梁部1301。再者，圓筒部係上端部是在試料台241的頭部1201的基底板1203，下端部是在基底活塞的中央圓筒隔著O型環而被夾住而被配置，收納空間1207係對真空處理單元2001而被氣密地密封。

又，T字狀或Y字狀的梁部1301係其端部是對圓筒部的內周壁面被一體地連接或形成而被配置在圓筒部的內部，從梁部1301之中央往圓筒部的內周壁面延伸的複數個梁彼此之間，形成了構成收納空間1207的空間。如此的梁間的空間係成為，通過基底板1203而被連結至頭部1201內部的上記感測器或連接器的纜線等配線或冷媒或氣體的配管所被配置而經過的路徑。

梁部1301係包含各梁而為板狀的構件且各梁的尖端部是對圓筒部的具有圓筒形的內周壁面的高度方向上下端的中間的位置而被被一體地連接或形成，在T凸緣1205上方載置基底板1203而內部是被密封的狀態下，梁部1301的上表面與上方的基底板1203下表面之間會形成空間，與該基底板1203之間的空間也是作為上記連接器或感測器所被配置的空間而利用。再者，對梁部1301的中央部下表面係如上記被連接有插銷驅動部1208的上端部，在各梁係配置有，被連結至插銷驅動部1208之下端部而隨應於插銷驅動部1208的上下方向之伸縮動作而往上下方向移動的複數根(在本實施例係為3根)插銷1302所貫通的孔。

這些插銷1302，係將包含上方之基底板1203的頭部1201予以貫通而被插入至，與構成該頭部1201之上表面的介電體製的膜上所被配置之開口連通的貫通孔1303內，藉由上記上下方向之移動，使介電體製的膜上方所被載置的晶圓300，相對於頭部1201或試料台241的上表面而朝上下進行遠離、接近、載置的動作。因此位於收納部1207內的插銷1302的外周側的空間係會與真空處理單元2001連通，在梁部的插銷用的貫通孔的上下的收納空間1207與插銷之間與插銷1302外周側的真空處理單元2001內部連通的空間之間為了做氣密地密封，而在梁部的插銷用的貫通孔的周圍配置O型環等之密封構件。

亦即，在基底板1203的下部，係從其周圍的基底板1203的下表面往下方突出的具有圓筒形或圓錐台形狀而讓上記各插銷1302貫通而被收納於內側的貫通孔1303是被配置在中央部而成的凸部1203’，是被配置在複數個場所(在本實施例中係為3處)。基底板1203與T凸緣1205是被上下連結的狀態下，各凸部1203’的下端面與被配置在梁部1301之各梁的插銷用的貫通孔的外周的上表面是做抵接或對向而夾著O型環等之密封構件，而將各梁的插銷用的貫通孔及頭部1201內的貫通孔1303的內側的空間與外側的收納空間1207之間做氣密地密封。

各插銷1302，係藉由於收納空間1207內部在梁部1301中央部的下表面有上端部被連結的插銷驅動部1208的上下的伸縮的動作而被連接至被連接在插銷驅動部1208下端部的3根手臂的尖端部上表面，從該各手臂尖端部上表面延伸到頭部1201內部的貫通孔1303內部。各插銷的上尖端係位於插銷驅動部1208最為收縮之狀態下的試料台241上表面之上方的最大之高度，插銷驅動部1208最為伸長之狀態下，位於頭部1201內的貫通孔1303內。

在梁部1301的位於各梁下方的各插銷1302的外周係被配置有，將各梁下表面與各插銷1302所被連接之各手臂的上表面之間予以連接而隨應於手臂及插銷1302的上下的移動而收縮的伸縮管1304。與各梁下表面及各手臂上表面做連接的伸縮管1034的上下端，係與梁下表面及手臂上表面之間夾著O型環等之密封構件而抵接或對向而被連結，各插銷1302係透過被收納於內部的貫通孔1303及梁部1301的梁的貫通孔而與真空處理單元2001內部連通之伸縮管1302內側與外側的收納空間1207之間，是被氣密地密封。

藉由如此的構成，隨應於被來自容器控制器1209的指令訊號所驅動的插銷驅動部1207的最大、最小之間的伸縮，插銷1302會朝上下方向移動而伸縮管1304係會伸縮。即使對於如此的插銷1302之移動及伸縮管1304的伸縮之動作，伸縮管及貫通孔1302的內部與收納空間1207之間係仍被氣密地密封。因此，即使在處理晶圓300的真空處理單元2001的運轉之中，仍可抑制真空處理單元2001內所被形成之電漿或處理用氣體的具有反應性之粒子或反應生成物的粒子，對被配置在收納空間1207內的插銷驅動部1208或感測器或連接器等之端子造成不良影響。

本實施例的構成試料台241的頭部1201，係具備基底板1202和被載於其上方之絕緣構件1305和被載於其上方的金屬製的基材1306而被構成，在具有圓板或圓筒形狀的基材1306的具有圓形的上表面係配置有，將晶圓300載置於其上的載置面予以構成的含有氧化釔或是氧化鋁等之陶瓷而被構成的介電體膜1307。又，基底板1202、絕緣構件1305、基材1306的各者之間，係夾著O型環等之密封構件而被一體地連接，真空處理單元2001內部和與收納空間1207連通的試料台區塊的內部的空間是被氣密地密封，同時，將頭部1201作為一體的構件而可對試料台基底242做安裝、可在上方拆卸而被構成。

亦即，基底板1202係具有圓板形狀，藉由通過被配置在外周側部分的貫通孔而從基底板1202下方插入的金屬製的螺絲1308，隔著被載於上方的絕緣構件1305，而與上方的基材1306做締結。藉此，基底板1203、絕緣構件1305、基材1306係被一體地連結。

再者，具有圓板形狀的基底板1202的直徑係設成比外周是具有圓板或圓筒形的被配置在上方的絕緣構件1305及基材1306還大，在基底板1202外周緣部下表面之下方夾著O型環而與上端部是與其對向或抵接的T凸緣1205的圓筒部的上端部藉由螺絲，在絕緣構件1305的外周側被締結。藉此而構成為，藉由解除外周側的螺絲的締結，就可將頭部1201視為一體而從T凸緣1305或試料台基底242上方拆卸。

如圖13(b)所示，基材1306係為，使具有圓板或圓筒形狀的金屬製的2個上部基材1306a及下部基材1306b各自的上表面與下表面做抵接，藉由焊接或摩擦攪拌等之手段而被接合成一體的構件，在下部基材1306b內部配置有冷媒流路1313。然後，被形成在上部基材1306a內部之中央部的圖中下方具有開口地而被形成的凹陷部中，係被插入從第2高頻電源242供給高頻電力的受電連接器1310，而與基材1306連接。

受電連接器1310的下部，係和與供電用的纜線的尖端部連接的供電連接器1309相接而和其做電性連接。藉由從第2高頻電源243供給至基材1306的高頻電源，相應於頭部1201或其載置面上方所承載的晶圓300上表面之上方所被形成的偏壓電位與電漿的電位的差，電漿中的帶電粒子會被引誘至晶圓300上表面方向而促進碰撞所致之處理，同時晶圓300及其下方的基材會被加熱。

在本實施例中，為了將藉由該加熱而產生變化的晶圓300及基材1306或頭部1201的溫度，調節成適合處理的所望之範圍內的值，在基材1306內部的冷媒流路1313中係被供給著於第2溫度控制器244中被設成所定溫度的冷媒並循環，同時，在基材1306上的介電體膜1307上表面與其上所被承載而被吸附保持的晶圓300的背面之間，會被供給He等之具有熱傳導性的氣體。在本實施例中，在基材1306的外周側被環狀配置而熱傳導性的氣體會在內部流通的氣體流路1317，及將該氣體流路1317與晶圓300及介電體膜1307之間的間隙做連通而與構成基材1306上之載置面的介電體膜1307上表面所被配置的開口連通的貫通路也就是氣體供給路1318，係被具備在試料台241。

從氣體供給路1318通過開口而被供給至具有熱傳導性之氣體與介電體膜1307上表面之間的間隙，晶圓300與基材1306乃至於對內部的冷媒的循環路1313所被供給而循環的冷媒之間的熱的傳導會被促進，而其量係被設成很大。晶圓300或基材1306上表面的溫度，係可藉由這些冷媒的溫度之值或流量或是其速度、甚至熱傳導性氣體之間隙中的壓力之值與其分布，來做調節。

如上記，金屬製的基材1306，係具有相較於晶圓300而相對較大的熱容量，而從第2溫度控制器244被供給著被設成所定之範圍內之溫度的冷媒。基材1306，係成為被載於上方而身為溫度調節對象之晶圓300的溫度之值的基盤，並且，作為用來在晶圓300上方形成偏壓電位所需的高頻電力所被供給的電極而發揮機能。

如上述，金屬製的圓板或圓筒形構件也就是上部基材1306a，係被配置有，其外周側部分是圍繞中央側而被環狀配置的凹陷部，藉由該凹陷部而被圍繞的中央側部分係為從凹陷部之底面朝向上方具有凸形狀的圓筒形的部分。上部基材1306a的凸狀部分的圓形的上表面，係被介電體膜1307所被覆而該介電體膜1307上表面係作為晶圓300的載置面而被使用。

凸狀部分上表面的具有圓形之載置面係具有和晶圓300相同或近似的直徑，晶圓300係在其處理的期間中及其前後被承載於載置面的狀態下藉由從複數個直流電源對介電體膜1307內部的複數個場所供給著其值是被調節的電力，在晶圓300與介電體膜1307之間會形成靜電力而對介電體膜1307上表面做吸附而被保持，或是藉由所被供給的直流電力而產生熱，以調節晶圓300的溫度之值或其分布。

亦即，介電體膜1307，係使用含有氧化釔或氧化鋁的陶瓷作為材料而被構成，在本實施例中係藉由熔射法而在比包含上部基材1306a之載置面的全領域還大的上表面的領域，將材料的粒子以半熔融狀態進行噴鍍而被形成為膜狀。對介電體膜1307內部係配置有：被供給著用來形成用來吸附晶圓300所需之靜電力所需的直流電力的複數個膜狀的ESC(靜電吸附)電極1311、及用來將晶圓300的溫度加熱調節至適合處理之所望的範圍內之值所需的作為加熱器而被使用的複數個膜狀的加熱器電極1312。

ESC電極1311係為，在有晶圓300被承載的狀態下，在其所覆蓋的介電體膜1307的載置面的投影面之下方的領域中所被配置的複數個膜狀的電極。本實施例的ESC電極1311，係藉由和介電體膜1307同樣的熔射法而被形成。

複數個ESC電極1311之中的2個，係分別與不同的直流電源1319連接而被賦予彼此互異之極性的電位，夾著構成介電體膜1307的陶瓷材料而在晶圓300內使電荷分極而被累積而形成了朝介電體膜1307的方向將處理中的晶圓300予以吸引並保持的靜電力。然後，藉由對這些ESC電極1311在晶圓300的處理後賦予和處理中相反極性，即使電漿消失後，為了形成在處理前或處理中吸附晶圓300的靜電力而被累積的電荷的分極就會被緩和或是容易被去除。

各ESC電極1311，係與被安裝在基底板1203下表面的ESC電極供電纜線連接器單元1320上部，隔著將基底板1203、絕緣構件1305以及基材1306予以貫通的供電路徑而被電性連接。再者，在與複數個ESC電極做電性連接的ESC電極供電纜線連接器單元1320上部之下方與其連接的ESC電極供電纜線連接器單元1320下部，係透過被配置在真空處理單元2001外部配置且對該複數個ESC電極1311供給直流電力地而被分配的直流電源1319之一個與被配置在收納空間1207的1個供電纜線，而被電性連接。

直流電源1319，係被構成為，可調節所輸出之電流或電壓的大小，並且與容器控制器1209可通訊地連接。從直流電源1319往容器控制器1209係發送表示上記電流或電壓之值的訊號，從接收到容器控制器1209使用演算器所算出而發出的指令訊號的直流電源1319，基於該指令訊號而被直流電源1319調節過電壓或電流的大小的直流電力，會對其所連接之複數個ESC電極1311，通過試料台241外部的供電纜線及試料台241內部的複數個供電路徑而被供給。

加熱器電極1312，係被為被配置在介電體膜1307內部的高度方向下方之位置的金屬製的膜狀的複數個電極，分別是以和介電體膜1307同樣的熔射法而被形成，具有圓形或扇狀或是圓弧狀。各個加熱器電極1312，係透過各自之下方所被配置的複數個加熱器供電連接器1322之每一者及至少1個加熱器供電連接器單元1323而被電性連接，於直流電源1321中電流或電壓被調節成所望之值的直流電力會被供給而所產生的熱量會被調節。

在各個加熱器電極1312之下方與其做電性連接的加熱器供電連接器1322，係如圖13(b)所示，具有將加熱器電極1312之下方的介電體膜1307下部及其下方的基材1306予以貫通而從下部基材1306b的下表面下方往收納空間1207內露出的下端部。加熱器供電連接器1322的下端部，係透過通過其絕緣用構件的內部而被電性連接至連接端子的連接纜線1322’，而貫通基底板1203而與位於下部基材1306b下方的加熱器供電連接器單元1323做電性連接。

又，加熱器供電連接器1322，係具備：其內部與連接纜線1322’做電性連接並構成供電路徑所需的金屬製的連接端子、和被配置在其外周側而將基材1306與連接端子做絕緣的介電體製的絕緣凸座。各加熱器供電連接器1322，係從基材1306之下方插入至配置於其的插入孔內而被安裝至基材1306。

在此狀態下，在插入孔的內部，加熱器供電連接器1322的連接端子，係與和加熱器電極1312做電性連接而從插入孔的上部往下方延伸的加熱器側的連接端子在加熱器供電連接器1322的絕緣凸座的內側做接觸，或是一方是被嵌入他方的內部，上下的連接端子之兩者係被連接。加熱器供電連接器1322的下端部係在絕緣體內部的供電路徑與被安裝在基底板1203之加熱器供電連接器單元1323的上部與基底板1203與基材1306之間的絕緣構件1305內部的空間中，透過連接纜線1322’而被連接。

如後述，絕緣構件1305及基材1306的中央側之間隙或空間係與收納空間1207連通而構成了其一部分的空間，藉由在它們外周側將它們圍繞而配置的O型環等之密封構件，內部與外部係被氣密地密封。因此，上記空間中所被配置的供電路徑上的連接器或纜線的連接部分，係和收納空間1207同樣地，無關於真空處理單元2001有無運轉，都是被設成大氣壓或近似於可看作如此程度的值的壓力。

加熱器供電連接器單元1323，係在被安裝在基底板1203之供電路徑上具備進行連接、切斷之端子的連接器，具備上下2個部分。

加熱器供電連接器單元上部1323a是與複數個加熱器供電連接器1322的連接纜線1323’，於基底板1203上表面與基材1306的下表面之間的場所中被連接。加熱器供電連接器單元下部1323b是與被連接至加熱器用直流電源1321的供電纜線，於基底板1203的下表面下方的收納空間中被連接。

這些加熱器供電連接器單元上部1323a及加熱器供電連接器單元下部1323b係被構成為可裝卸，兩者被一體連接的狀態下，與各個內部中所具備的纜線做電性連接的連接端子係做連接而使直流電源1321與複數個加熱器供電連接器1322做電性連接。藉此，從直流電源1321所被輸出的直流的電力，係被並聯地供給至，複數個加熱器供電連接器1322及它們各自所被電性連接的複數個加熱器電極1312。

如此內藏ESC電極1311及加熱器電極1312的介電體膜1307，係將各個材料藉由熔射法予以噴鍍層積而被形成。首先，在為了使材料容易附著而預先被形成有凹凸的上部基材1306a的上表面，使用以陶瓷為材料的粒子以熔射法而形成介電體膜1307的下層的被膜，在其上形成加熱器電極1312的膜。

將這些下層的被膜及加熱器電極1312的膜上表面予以覆蓋而以陶瓷為材料而將介電體膜1307的中間的層藉由熔射法予以形成後，在中間的層上以熔射法形成ESC電極1311。其後，將中間的層及ESC電極1311的膜層予以覆蓋而以熔射法形成介電體膜1307的上層的膜。

藉由熔射法而被層積的介電體膜1307，係至少構成載置面的面會被切削，使藉由熔射而被形成的表面的粒子彼此之間的孔被阻塞同時調整形狀。晶圓300是被承載於構成載置面的介電體膜1307上表面而藉由靜電力而被吸附的狀態下，晶圓300的背面與載置面的上表面之間所被形成的間隙中，係被供給He等之具有熱傳導性之氣體等之流體，晶圓300與試料台241之間的熱傳導會被促進，但晶圓300與構成載置面的介電體膜1307之間所接觸的面積係為了使得兩者之間能夠獲得所望之熱傳導的量，而進行上記表面的形狀的調節。

如圖13(a)所示，對金屬製的基材1306係有金屬製的受電連接器1310被插入而接觸，在真空處理單元2001內形成電漿的晶圓300的處理中，來自第2高頻電源243的高頻電力係通過被配置在收納空間1207的纜線而透過供電連接器1309及連接於其的受電連接器1310而被供給至電極的基材1306。藉由該高頻電力的供給而被承載於試料台241的載置面而被靜電吸附而被保持的狀態下，在晶圓300上方，隨著與電漿的電位之間的電位差，形成使電漿中的帶電粒子引誘至晶圓300上表面的方向而碰撞至表面上的處理對象之膜層而促進蝕刻等之處理的偏壓電位。

具有圓板或圓筒形狀的下部基材1306b的上部，係被配置有繞著其中心而同心或螺旋狀地被配置的在半徑方向被形成多重的溝，藉由與上部基材1306a接合，在基材1306內部形成了冷媒流路1313。冷媒流路1313的入口及出口，係與第2溫度控制器244連接的冷媒供給或返回用的配管1314的端部，隔著被配置在基底板1203下方的連接用的連接器，而在收納空間1207內側被連接。

使用第2溫度控制器244的冷卻器等之冷凍循環而被設在所定範圍內之溫度的冷媒，係通過配管1314而通過入口而被供給至冷媒流路1313內，於基材1306內經過熱交換而溫度上升的冷媒係通過冷媒流路1313的出口及連接於其的配管1314而回到第2溫度控制器244後，溫度被再度調節成所定範圍內之值之後被供給至基材1306內的冷媒流路1313，在封閉的環路內做循環。藉由如此的冷媒的順環與供給，基材1306會被調節成適合處理的所望的範圍內之值。

在本實施例中，將基材1306上部的具有圓筒形的凸部及覆蓋該凸部的具有圓形之上表面而構成晶圓300載置面的介電體膜1307予以貫通而被配置的複數個氣體供給路1318及與其連通的介電體膜1307上表面的載置面的外周側的複數個場所所被配置的開口，係被具備。將上部基材1306a的載置面的外周緣予以覆蓋的介電膜1307的其外周緣部分，係圍繞上表面的中央側而被環狀地配置，其平坦的上表面，被載於介電體膜1307的載置面上方的晶圓300被吸附的狀態下與晶圓300的背面做抵接的環凸部1307’係被配置，沿著該環凸部1307’而在其中央側的凹陷的載置面的表面係被配置有上記複數個開口。

在承載晶圓300的狀態下從開口往環凸部1307’的中央側的圓形的領域也就是凹陷部內的晶圓300與介電體膜1307之間隙所被供給的熱傳導性的氣體，係藉由環凸部1307’而上記領域的外周側的端部是被封閉，或熱傳導性的氣體僅微小量地往試料台241外部的真空處理單元2001內漏出的狀態，充滿凹陷部內而晶圓300的面內的方向上的熱傳導的量的變動(分布)會變小，同時，於晶圓300的外周緣的附近的周方向的領域中也可使熱傳導的量或晶圓300的溫度接近於所期的值。

絕緣構件1305係為藉由介電體製的材料所被構成的構件，被夾在藉由螺絲1308而被上下方向締結的金屬製的基材1306與金屬製的基底板1203之間而被配置，它們間及與如圖13(a)所示，被安裝在基底板1203並通過其而插入至基材1306內的溫度感測器1315與之間，係被絕緣。再者，絕緣構件1305與基底板1203及基材1306之間，係有O型環等之密封構件而被夾著而變形而被保持，與收納空間1207連通之基底板1203上方的絕緣構件1305及基材1306的內側之間隙等之空間與外側的真空處理單元2001內部之間，係被氣密地密封。

本實施例的絕緣構件1305係大致分成由2個構件所構成。亦即，具備被配置在外周側具有環形狀外周側壁是具有圓筒形而以氧化鋁等之陶瓷為材料而被構成的絕緣環1305’、和在絕緣環1305’的中央側被配置在圍繞其之領域以聚四氟乙烯等之具有彈性的樹脂為材料而被構成的上下2枚的絕緣板1305a、1305b而被構成，在它們之間係被配置有間隙。

藉由螺絲1308所致之基材1306與基底板1203的締結，外周側的絕緣環1305’的上下的端部係具有平滑的面，在該平滑的面與上下的基材1306及基底板1203的外周側的面之間係夾著有O型環等密封構件。藉此，絕緣環1305’的內側的空間與使用螺絲1308而與絕緣環1305’夾著其而在上下方向被締結的基材1306及基底板1203與的內側的收納空間1207所連通的間隙的空間，係與外部做氣密地密封。

再者，絕緣環1305’係以剛性相對較高的氧化鋁等之陶瓷為材料而被構成，變形係被抑制，被締結而兩者係成為其位置是可被視為固定的狀態。絕緣環1305’的變形係相對較小，因此從該狀態起，藉由使用螺絲1308的基材1306及基底板1203的締結，兩者之間的上下方向的距離的變動會小於所期值以下，溫度感測器1315或基底板1203與基材1306做接觸或是做電性通電而導致損及它們之間的絕緣這件事情的發生係可受到抑制，同時，可減少被安裝在基底板1203或基材1306的配管、纜線或感測器這類機器，因為上記締結的作業或締結後的試料台241上的晶圓300的處理中的溫度之增減所致之構成頭部1201之各構件的形狀、尺寸的變化而導致位移或受到外力而損傷、或導致感知、偵測的性能發生變動等等。絕緣環1305’，係將頭部1201及絕緣構件1305的外周側的部分予以構成的環狀的構件，被夾在上方的基材1306與下方的基底板1203之間而被保持。在其上部，係在外周側的部分具有往上方突出而圍繞中央側的環狀的凸部、和在該環狀的凸部的內周(中央)側的上下方向的高度是比凸部還低的部分為平坦的上表面。

又，將基材1306的下部予以構成的下部基材1306b的下部的外周側的領域，係上下方向的厚度為較小，從下部基材1306下表面觀看往上方凹陷的凹陷部，是圍繞中央側的部分而被環狀地配置。絕緣環1307’被基底板1203與基材1306夾住而被保持的狀態下，絕緣環1307’的環狀的凸部，係與下部構件1306b的外周側的凹陷部卡合並進入到凹陷部內，凸部的平坦的上表面與凸部的內周側的平坦的上表面係與上方的基材1306，平坦的下表面係與下方的基底板1203上表面，夾著O型環等密封構件而連接或是隔著間隙而對向。

再者，絕緣環1305’，係將基材1306與基底板1203係藉由螺絲1308而將兩者加以締結的螺絲1308是將上下貫通內部的貫通孔，在環狀凸部的內周側的上表面具有開口而具備之，螺絲1308係從基底板1203的貫通孔之下方被插入至內部，在其上方將軸方向做吻合而被配置的絕緣環1305’的貫通孔予以貫通而被插入至上方的基材1306的雌螺絲孔而被螺合，基材1306與下方的基底板1203是夾著絕緣環1305’及它們之間的O型環而被連結而締結。

在本實施例中，絕緣環1305’上部的凸部是被嵌合至下部基材1306b外周側的凹陷部內而兩者夾著O型環而抵接或表面彼此隔著間隙而對向而被連結的狀態下，從試料台241或頭部1201的上下方向的中心軸起算的絕緣環1305’的環狀的凸部的內周側壁面與下部基材1306b的凹陷部的外周側壁面的半徑方向的位置係前者是比較大，在兩者之間關於半徑方向為所定之長度(寬度)之間隙，是繞著其中心而被環狀地形成。該環狀之間隙，係與被連接至未圖示的氣體源的配管的連接器透過基底板1203的配管用的貫通孔而被氣密地連結，形成讓He等之導熱性高的氣體係被供給至內部而在頭部1201內部的外周側的部分做環狀地通流的氣體流路1317。

被供給至氣體流路1317的He等之氣體，係在其內部往頭部1201的周方向擴散，從彼此繞著試料台241的中心而以同等之角度而被配置的複數個氣體供給路1318之每一者而被導入至載置面的外周側部分。在晶圓300背面的外周側的複數個部分以同等之流量或速度而供給熱傳導性的氣體，隔著介電體膜1307的晶圓300與基材1306或其內部的冷媒流路1313內的冷媒之間的熱傳導的量的周方向的參差、乃至於晶圓300的溫度的參差，係被減低。

頭部1201的中央側的領域中所被配置的上下2枚絕緣板1305a、1305b係為以相較於絕緣環1305’而剛性相對較小的樹脂為材料而被構成的構件，在本實施例中係分別，從基底板1203的圖中下方將其貫通而被插入至基材1306內部的複數個溫度感測器1315是被配置在內側的貫通孔，係被複數配置。然後，在絕緣板1305a、1305b的中央部，貫通基底板1203而被插入至基材1306的受電連接器1310是被配置在內側的貫通孔，係被配置。

受電連接器1310及各溫度感測器1315，係從基材1306的圖中下方往圖中上方而被插入，它們的下端部，係在基材1306是夾著絕緣構件1305而被締結在基底板1203的狀態下，被安裝至基底板1203而其位置係被固定。

上下堆積重疊而被配置的樹脂製的絕緣板1305a、1305b，係配合貫通它們的溫度感測器1315、受電連接器1310而配置有貫通孔。在本實施例中，溫度感測器1315、受電連接器1310被安裝在基底板1203之狀態下，在絕緣板1305a、1305b的貫通孔的內周壁面與溫度感測器1315的外周側壁面及受電連接器1310的外周側壁面之間，係被配置有所定之間隙。

本例的溫度感測器1315，係分別具備：在上部具有棒狀之形狀而沿著其軸被配置在中心側的領域而往軸方向延伸的感測器本體也就是熱電對、在軸方向具有所定高度而圍繞熱電對的外周而被配置的金屬製的鞘、和與鞘及熱電對做連結或耦合而被安裝在基底板1203下表面的連接器部，連接器部係連接有，與熱電對被絕緣而在一方中通過內部而與熱電對做電性連接而來自熱電對的訊號會通過內部而被發送的纜線。各溫度感測器1315的來自連接器部的複數個纜線，係被連接至被連結至基底板1203的下表面而被配置的1個感測器纜線連接器單元1316，從該感測器纜線連接器單元1316作為被整合成一束的纜線而可通訊地連接至容器控制器1209。

各溫度感測器1315，係通過被配置在基底板1203的複數場所及其上方之對應位置的絕緣板1305a、b還有被配置在下部基材1306b的各個複數場所的貫通孔，從基底板1203之下方被插入至貫通孔而熱電對及鞘的尖端部係被插入至被配置在上部基材1306a的上記貫通孔的對應位置的圓筒形的凹陷部內。連接器部被安裝在基底板1203之狀態下，各溫度感測器1315的熱電對係不與上部基材1306a的凹陷部內壁面做接觸。

此外，各溫度感測器所插入的上記貫通孔及被配置在其對應位置的上部基材1306a的凹陷部，係被配置在，關於具有圓筒或圓板形狀的試料台241或基材1306的上表面而在半徑方向及周方向上為不同的場所。在此狀態下，溫度感測器1315的熱電對偵測溫度而得的訊號，係被發送至容器控制器1209而由被配置在容器控制器1209內部的演算器依照構成內部的記憶裝置中所記憶的軟體的演算法而偵測各溫度感測器1315之場所的溫度之值及它們的分布。

各溫度感測器1315的金屬製的鞘，係在該溫度感測器1315的連接器部是被安裝在基底板1203的狀態下，於其下端部或與連接器部之連接部中與基底板1203做接觸而被電性連接。又，各溫度感測器1315的鞘，係在熱電對的外周側保持距離而圍繞著其而被配置而具有圓筒形狀，係與熱電對絕緣。

各溫度感測器1315在試料台241從基底板1203下方被插入而安裝的狀態下，各溫度感測器1315的鞘係與基材1306保持距離而被配置。亦即，鞘係與基材1306做電性絕緣且與基底板1203做電性連接。

基底板1203係與隔著下方的試料台基底242及下部容器250而被設成接地電位的基底板260做電性連接而被設成接地電位。因此各溫度感測器1315的鞘也被設成接地電位，藉此，可以抑制從第2高頻電源243供給至基材1306的高頻電力的成分重疊於從溫度感測器1315所被輸出的訊號而變成雜訊這件事情，可抑制容器控制器1209中的試料台241內部或其上表面的溫度之值或是其半徑方向或是周方向的分布的偵測的精度降低。

在本實施例中，如上記，從第2高頻電源所被輸出的高頻電力，係通過供電用的纜線而透過被配置在被連接至其一端在基底板1203下方的收納空間1207的中央部的供電連接器1309和連接於其的受電連接器1210，而被供給至該受電連接器1210是被插入至中心部而被連接的基材1306。在基材1306與基底板1203之間的絕緣板1305a、b的中心部也配置有，讓這些供電連接器1309及受電連接器1310被插入至內部的貫通孔。

朝被安裝在基底板1203下表面的供電連接器1309的收納空間1207露出的端部，其一端是被連接至，與第2高頻電源244連接的供電纜線。藉由與容器控制器1209可通訊地連接的第2高頻電源244，隨應於來自該容器控制器1209的指令訊號所輸出的高頻電力的大小或是量係被調節，藉由通過受電連接器1310而被供給的高頻電力，被形成在頭部1201上方的偏壓電位的大小與其分布係被調節。

在本實施例中，受電連接器1310係為具有L字或倒T字形狀的構件。受電連接器1310係具備金屬等之導電體製的上方構件(上部)及在其上端具有與其上部做電性連接，在其下部的端部與供電連接器1309連接的連接端子，具有L或倒T字形狀的下方構件(下部)。

受電連接器1310，係被插入至基底板1203及絕緣板1305a或絕緣板1305b的中央部所被配置之貫通孔的內部，在上部與下部被連接的狀態下，其下部係被插入至該貫通孔內部而被安裝在基底板1203下表面。

受電連接器1310的上部，係為金屬製的棒狀構件，被插入至下部基材1306b的中央部的貫通孔而貫通並在其貫通該上方被配置在上部基材1306a之中央部的凹陷部也就是嵌入穴內，而與上部基材1306a做電性連接。又，上部的下端部係在被連接至受電連接器1310下部的狀態下，嵌入至被配置在下部之金屬製之連接端子的凹陷部內。

受電連接器1210的下部係為具有L字或倒T字形狀的構件。然後，在金屬製的上部的下端部所被連接的端子及L或倒T字的下部的端部與供電連接器1209連接的端子與這些端子彼此之間所被連接的供電用的路徑，是具有在由介電體或絕緣體材料所構成的構件的內部。

在該下部的上端部係被配置有端子，其係在受電連接器1210之上部與下部是被一體連接的狀態下，具有構成上部的金屬製的棒狀的構件的下端部會被嵌入而連接的嵌入孔。然後，受電連接器1210的具有L字或倒T字狀之形狀的下部，係在上部與下部是被連接的狀態下，朝基底板1203下表面下方的收納空間1207露出，其一端的連接端子上係被連接有，被配置在收納空間1207內的供電連接器1209。

供電連接器1209，係被配置在由介電體或絕緣體的材料所構成之本體的中心部，是具備與來自第2高頻電源244的高頻電力所通過之供電纜線做電性連接的連接端子的高頻供電用的連接器。其一端係有連接端子露出，他端部係與供電纜線連接，或在內部被電性連接至連接端子的供電纜線係被拉出而延伸。

對第2高頻電源244透過供電纜線而被連接的供電連接器1209，係被構成為，於受電連接器1210與收納空間1207內可進行裝卸作業。這些的裝卸，係對受電連接器1210被安裝在頭部1201或基底板1203之該L字或倒T字之下方部分且朝基底板1203下表面下方的收納空間1207內露出之部分的端部而進行。

本實施例，係受電連接器1310的下部，係在其朝基底板1203下表面下方露出而被安裝於其的狀態下，將第2高頻電源244之間做電性連接的供電纜線所被拉出的供電連接器1309的上端部，係被安裝。然後，基底板1203與上方的絕緣構件1305及基材1306被一體安裝的狀態下，供電連接器1309與受電連接器1310係被構成為可進行裝卸作業，頭部1201係被構成為可對試料台基底242視為一體而進行裝卸。

又，在受電連接器1310的棒狀的上部與下部所被連接的場所的外周側具備圍繞於其而由陶瓷等之具有絕緣性之材料或是介電體所構成的具有圓筒形狀或環形狀的絕緣凸座。絕緣凸座係為，在受電連接器1310是被安裝至頭部1201的狀態下，在絕緣板1305a、b及基底板1203的中央部關於半徑方向而在絕緣板1305a、或1305b及基底板1203與受電連接器1310的上部下部所被連接的場所之間，與它們保持間隙，關於上下方向而在下部基材1306b下表面及基底板1203上表面之間保持間隙而被配置的構件，將它們與受電連接器1310的供電路徑做絕緣。

在如此的本實施例的頭部1201中，首先，對基材1306安裝受電連接器1310的上部而將兩者連接。其後，絕緣環1305’及其中央側的絕緣板1305a、b是被配置在基材1306下表面的圖中下方，同時，於中央部，受電連接器1310上部係被插入至其內側的貫通孔而配置有絕緣凸座。

其後，基底板1203與基材1306，係將絕緣構件1305及絕緣凸座夾在中間而使用螺絲1308而被締結。以陶瓷材料所構成的絕緣凸座也是，不只在受電連接器1310與基底板1203之間，其上下端面係隔著所定之些微間隙而與基材1306中央部的下表面及基底板1203中央部的上表面做對向配置，與絕緣構件1305同樣地作為將基材1306及基底板1203之間做絕緣的構件而發揮機能，並且作為將兩者之間的上下方向的空間距離(高度)抑制在所期之值以下的構件而發揮機能。

如圖13(b)所示，在頭部1201內係配置有，與介電體膜1307內部的複數個加熱器電極1312各個下表面做電性連接的複數個加熱器供電連接器1322。這些加熱器供電連接器1322各個下端部，係構成往加熱器電極1312之供電路徑的連接纜線1323是從內部的連接端子被拉出，與位於基底板1203上表面上方的加熱器供電連接器單元1324的加熱器供電連接器單元上部1324a做連接，透過加熱器供電連接器單元1324而從加熱器用的直流電源1321接收直流電力的構成。

加熱器供電連接器單元1324係具備：被安裝在基底板1203而朝基底板1203上表面上方露出的加熱器供電連接器單元上部1324a、和對該加熱器供電連接器單元上部1324a下表面可從下方進行裝卸而與內部的供電路徑做電性連接而與加熱器用的直流電源1321做電性連接的加熱器供電連接器單元下部1324b。

絕緣板1305a、b之每一者係具備：與加熱器供電連接器1322各個基材1306內的位置對合而被配置的貫通孔，絕緣板1305是被夾在基材1306與基底板1203之間而頭部1201是被一體構成的狀態下，加熱器供電連接器1322的下端部係在其周圍保持間隙而被收納在該各個貫通孔內部。絕緣板1305a、b，係被夾在基材1306與基底板1203之間而構成頭部1201的狀態下，在它們之間形成有間隙，在該間隙內配置有將各加熱器供電連接器1322與加熱器供電連接器單元1324之間做電性連接的複數根連接纜線1323。

本實施例的加熱器供電連接器1322之每一者係具備：由介電體或絕緣體材料所構成之具有圓筒形的凸座和被配置在其內部的連接端子。連接端子，係在加熱器供電連接器1322是被插入至基材1306而被安裝的狀態下，其上端部係與加熱器電極1312側的連接端子做連接而與其做電性連接，下端部係與連接纜線1323做電性連接。

加熱器供電連接器1322之每一者係被插入至，由下部基材1306b的貫通孔與被配置在上部基材1306a之圓筒形的穴所構成的插入孔內，被配置在該插入孔內部之上端部(底部)而與上方的加熱器電極1322做電性連接，與朝下方延伸的加熱器側的連接端子，是在凸座的內側與圍繞外周的基材1306絕緣的狀態下，被嵌合而接觸。如此一來，與收納空間1207內部連通而被設成大氣壓的插入孔內部，加熱器電極1312與加熱器用的直流電源1321之間係被電性連接。

各個供電纜線1323，係在絕緣板1305a、b之間的間隙，將各個加熱器供電連接器1322的下端部與位於基底板1203上表面上方的加熱器供電連接器單元1324上部1324a做連接。加熱器供電連接器單元下部1324b與直流電源1321之間係由1條或集結成一束的供電纜線所連接，來自加熱器用的直流電源1321的直流電力，係通過從加熱器供電連接器單元上部1324a所分岐的連接纜線1323之每一者及連接於其的各個加熱器供電連接器1322而被並聯地供給至複數個加熱器電極1312。

於本實施例中，由樹脂材料所構成的絕緣板1305a、b，係在配置於周圍的構件之間保持間隙而被配置，即使在隨應於晶圓300的處理中的溫度而導致基材1306發生變形的情況下，仍可抑制供電纜線1323的端部與加熱器供電連接器1322或是加熱器供電連接器單元1324之間的連接部分發生損傷、或是切斷等等。

本實施例的外周環1202，係為被配置在試料台241的外周側而覆蓋其周圍的環狀的構件，大致分成具備：承接環1325、覆蓋環1326、封閉環1327而被構成。這些構件，係對試料台241或是不具有相互締結手段地單純被承載於試料台241的外周側。

在外周環1202是被承載於試料台241的狀態下，承接環1325係被配置在上部基材1306a上部外周側，覆蓋環1326係被配置在承接環135下方且在基底板1203上方頭部1201的外周側面的周圍，封閉環1327係被配置在基底板1203上方且覆蓋環1326外周側。又，這些構件彼此的對向的表面之間係被配置有所定之大小的間隙。

在本實施例中外周環1203係對試料台241或頭部1201，裝著了覆蓋環1326之後，承接環1326及封閉環1327係依序被裝著至試料台241。以下雖然依照覆蓋環1326裝著後裝著封閉環1327、然後裝著承接環1325的順序做說明，但隨著試料台的形狀或規格，亦可先裝著承接環1325。

首先，覆蓋環1326係為由氧化鋁或是氧化釔等之陶瓷材料所構成的具有環狀或是圓筒形狀的構件。在基底板1203與基材1306夾著絕緣構件1305而被締結而構成的頭部1201的其具有圓筒形之外側壁形狀的絕緣構件1305的絕緣環1305’的圓筒形之外周側壁的外周側，其內周壁面是保持所定之間隙而從上方被嵌入而被載於基底板1203的外周緣部上表面的上方。

在本實施例中，覆蓋環1326的內周壁面的大小(高度)係和絕緣環1305’的外周側壁相同，但不限於此構成，而可覆蓋絕緣環1305’的外周側壁而被配置。又，覆蓋環1326的平坦的下端面，係在被載於基底板1203上表面上方的狀態下，對於從絕緣環1305’的外周端至基底板1203上表面的外周端為止之間的上表面將其覆蓋而被承載。

封閉環1327，係在金屬製的基體的表面具備由氧化鋁或是氧化釔等之陶瓷材料所構成之被膜的環狀的構件，縱方向的剖面係具備具有圓筒形之內周側部分與從內周側部分的上端部往外周方向延伸的環板狀的凸緣部。就這點來說，封閉環1327係為具備逆L字狀之剖面的構件。

封閉環1327的內周側部分的圓筒形的內周側壁的直徑係略大於覆蓋環1326的外周側壁的直徑，在對試料台241裝著了覆蓋環1326的狀態下，在覆蓋環1326的外周側從上方保持間隙而被嵌入而被載於覆蓋環1326的外周側的基底板1203外周緣部上表面上方。在此狀態下，覆蓋環1326或封閉環1327，係將從絕緣環1305’的外周側的基底板1203外周緣部的上方被插入而將基底板1203與T凸緣1205做締結的複數根螺絲的上方，對真空處理單元2001做覆蓋。

封閉環1327的圓筒形的內周側部分的底面係有金屬製的基材露出。封閉環1327在覆蓋環1326的外周側被承載於基底板1203的外周緣部上表面而在兩者做抵接的狀態下，該露出之底面與基底板1203的露出之金屬製的構件係做抵接而被電性連接。

因此，封閉環1327係隔著基底板1203及T凸緣1205而與下部容器250做電性連接，和它們同樣地，在晶圓300的處理中被設成接地電位。被設成如此電位的封閉環1327的凸緣部，係於真空處理單元2001內在試料台241的外周側在真空處理單元2001的內周壁面之間的空間中，圍繞試料台241的該周圍而被配置。

封閉環1327的具備環圓板狀之形狀的凸緣部，係被配置有複數個朝上下方向而將上下表面予以貫通的貫通孔。真空處理單元2001的該試料台241的外周側的空間，係試料台241的上方的空間中所被形成之電漿或真空處理單元2001內所被供給之氣體或是晶圓300的處理中所被形成之反應生成物等之粒子會在下方通過而往流動試料台241下方移動而被排氣，成為所謂的通路。

封閉環1327係其凸緣部是在該通路內橫切於上記流動的方向而被配置，藉此，通過貫通孔而使氣體的粒子或電漿中的中性的粒子移動，抑制電漿內的帶電粒子往下方移動。亦即，抑制電漿到達封閉環1327之下方的試料台241或是試料台242的外周側壁面或真空處理單元2001的內壁面的表面而與構成它們的構件的材料發生相互作用，或抑制其附著至其表面等等。

再者，試料台241的外周側的通路且在頭部1201或基材1306上表面的晶圓300的載置面接近高度方向的場所被設成接地電位的所謂電極是圍繞試料台241或載置面上的晶圓300的外周而被配置。封閉環1327係與基底板1203之間穩定地維持電性連接，同時，將頭部1201締結於T凸緣1205上所需的螺絲的上表面係被電極所覆蓋，藉此，可抑制該螺絲與電漿或其帶電粒子或具備反應性之粒子接觸而發生相互作用，在晶圓300的處理中可抑制電漿的異常放電的發生而使處理變得穩定，而且又還抑制了其所致之真空處理單元2001內的構件的消耗，提升晶圓300的處理的重現性。

在本實施例中，封閉環1327被裝著在覆蓋環1326的外周側後，圍繞頭部1201之上部外周而在覆蓋環1326的上方，承載承接環1325。承接環1325係為由氧化鋁或是氧化釔等之陶瓷材料所構成的環狀的構件。

承接環1325，係在上部基材1306的上部外周側的部分將晶圓300的載置面的外周予以圍繞而被配置，被插入至其表面的高度是被設成較低(有落差)的凹陷部而將被上部基材1306a的凹陷部所圍繞的圓筒形的凸狀部的上表面也就是由介電體膜1307所構成的圓形的晶圓300的載置面或被載於其之晶圓300予以圍繞，將凹陷部的上表面或是凸狀部分的外周側壁面對真空處理單元2001內的電漿做覆蓋。

本實施例的承接環1325，係在被裝著於基材1306上部的凹陷部的狀態下，其內周緣的基材1306或晶圓300的載置面的中心起算的半徑方向的位置，係略大於被凹陷部所圍繞之凸狀部分或載置面的外周緣的半徑方向的位置，在它們之間係被配置有間隙。又，在晶圓300是被承載於載置面的狀態下，晶圓300的外周緣的上記半徑方向的位置，係被設成比承接環1326的內周緣還往外周側略大，其結果為，在晶圓300被承載於載置面上而被保持的狀態下，外周緣是比凸狀部分及位於其外周側之承接環1326的內周緣還往半徑方向的外側而位於懸垂的位置。

再者，本實施例的承接環1326的上表面的高度，係被設成，比上部基材1306a的載置面的高度，或是被配置在介電體膜1307的載置面或凸狀部分的外周端部將中央川部分予以圍繞的介電體膜1307所形成之環凸部1307’的平坦的上表面的高度還小。晶圓300係在載置面上被配置成，其懸垂之外周緣部的背面是覆蓋其下方的承接環1325的內周緣部上表面。

甚至，雖然未圖示，但承接環1325的內周緣部的外周側的上表面的高度是被設成比內周緣部還高，因此晶圓300會被配置在，承接環1326的該被設得較高之環狀的部分的中央側的凹陷的(高度被設成較低的)上表面形狀為圓形的領域內。藉此，晶圓300在試料台241或是載置面上被承載之際，就會自己跑到位於比較中央側。

又，本實施例的承接環1325，其上下方向的厚度係為，外周側的部分是大於內周側。該承接環1325的內周側的部分係在嵌入至凹陷部的狀態下被承載於凹陷部的上表面(底面)，外周側的厚度較大之部分係將上部基材1306a的外周側壁面的外周予以圍繞而覆蓋之。 　　再者，該厚度較大的外周側的部分的平坦的下表面，係保持間隙而與覆蓋環1326的上端面做對向配置。如此間隙的大小或承接環1325的上下方向的高度位置，係藉由與上部基材1306a的凹陷部的底面做抵接的內周側部分的厚度，而被決定。

藉由承接環1326的下端面及覆蓋環1326與封閉環1327之間的間隙，真空處理單元2001的內部的電漿或是帶電粒子與將基底板1203及T凸緣做締結之螺絲上端之間的距離會被設成沿面，藉此而抑制該螺絲與電漿或帶電粒子發生相互作用。

以下，使用圖14，說明本實施例的試料台241被分解的動作的流程。圖14係為圖12及圖13所示的實施例所述之試料台被分解成複數個零件之狀態的模式圖示的縱剖面圖。

於本圖中，圖14(a)中係圖示，試料台241的頭部1201被安裝在試料台基底242的狀態下，外周環1202從試料台241朝上方被拆卸之狀態。圖14(b)係圖示，從圖14(a)所示的狀態起，再將頭部1201從試料台基底242上方拆卸的狀態。

圖14所示的試料台241的分解，係真空處理單元2001中的晶圓300的處理的枚數或是在內部形成有電漿的時間的累積之值到達預先決定之值這件事情一旦被容器控制器1209所偵測，則該真空處理單元2001係停止該晶圓300的處理運轉，變更成用來維護、檢修所需的運轉。此維護、檢修的運轉中，會將真空處理單元2001內部對大氣壓做開放，作業者可將真空處理單元2001內部的構件予以拆下或進行更換、清掃、洗淨然後再度進行安裝等等作業。

在早於如此的作業之前，容器控制器1209，係一旦確認到，處理完畢之晶圓300是已經從真空處理單元2001被取出，就將以維護檢修的運轉模式進行運轉之事實，告知給使用者或是作業者。其後，將閘門關閉而將真空處理單元2001內予以密封之後，對真空處理單元2001內導入氮氣或氬氣等之惰性氣體，將真空處理單元2001內的壓力上升至大氣壓或可視為與其同等之程度為止。

然後，利用迴旋昇降機210等，將包含真空處理單元2001的上部容器230的上側的部分予以拆卸，而從試料台區塊的上方取除。然後，使試料台241與試料台基底242些微上升後，使其繞著迴旋昇降機210的上下方向的軸而旋轉，從下部容器250予以拆下而使其從其上方移動至基底板260的周圍的維修用的空間。

在此狀態下，試料台241及試料台基底242係被移動到其上方及下方不會對零件或構件的作業造成干擾的位置為止，作業者對它們施行作業上所必須的空間係被確保，可抑制損及其作業的效率。

於本實施例中，作業者係首先可從試料台241將外周環1202予以拆卸。於圖14(a)中，在被安裝在試料台基底242的試料台241的上方，構成外周環1202的承接環1325、覆蓋環1326、封閉環1327係模式性地被整個拆卸般地被圖示，但它們係為一次1個地被拆卸。

在該拆卸之際，係按照其被安裝至試料台241之際的順序的相反順序，而將這些構件予以拆卸。亦即，和使用圖13所說明的情況相反地，依照承接環1325、封閉環1327、覆蓋環1326的順序，在試料台241的上方將它們分別予以拆卸。又，在本實施例中，構成外周環1202的這些構件彼此及其他構件都未被締結。因此，作業者，在拆卸之際是只要將這些構件從試料台241上方取下即可，可降低作業量而減低維護或檢修的作業所需要的時間。一旦外周環1202的覆蓋環1326被從試料台241拆卸，則將基底板1203的外周緣部與T凸緣1205做締結的螺絲1401的上表面係朝作業者側露出。在此狀態下，作業者係可容易解除它們的締結而容易將試料台241的頭部1201從試料台基底242的上方拆卸。

外周環1202從其外周側的場所被拆卸的狀態下，試料台241係其頭部1201是從試料台基底242朝上方而被一體地拆卸。此時，在基底板1203的外周側將其締結於T凸緣1205上端部的複數根螺絲1401係被拆卸，被安裝至基底板1203下表面的感測器、配管或供電纜線的連接器的安裝係被解除，因此被安裝在基底板1203之感測器或纜線、連接器等都在上方而頭部1201係被拆卸。

亦即，在本實施例中，繞著試料台241的中心軸而以等角度或是近似於其之角度之間隔而在周方向上被配置的螺絲1401，是從基底板1203的上表面外周側部分被拆卸。在此之前，試料台基底242的構成底面的試料台部蓋245係朝下方被拆卸，收納空間1207係朝下方而被開放。藉此，作業者係可被安裝在基底板1203下表面的供電纜線或感測器或配管的連接器的安裝解除作業，從試料台基底242之下方就能加以進行之，因此可提升作業效率。

作業者，係從朝下方開放的試料台基底242下方進入收納空間1207內部，將供電連接器1209與受電連接器1210之間、感測器纜線連接器單元1316的上部與下部之間、還有ESC電極連接器單元1320的上部與下部之間、甚至加熱器供電連接器單元上部1324a與加熱器供電連接器單元下部1324b之間的連接，予以解除。同樣地，雖然未圖示，但作業者係將被供給至冷媒流路1313的冷媒是被循環供給的配管1314與基底板1203或頭部1201之間的連接，予以解除。

作業者，係將被安裝在基底板1203之下表面的纜線、配管等之連接器的連接已被拆卸的頭部1201，在其基材1306或是絕緣構件1305內部是配置有複數個溫度感測器1315或加熱器供電連接器1322的狀態下，可朝試料台基底242上方予以拆卸。該取出之際也是，複數個溫度感測器1315，係各個下部是被安裝於基底板1203的下表面而位置係被固定，輸出的訊號所通過的複數個纜線係於基底板1203下方的收納空間1207內與被安裝在基底板1203之感測器纜線連接器單元1316的上部做連接，而另一方面，複數條係被整合成一條的纜線與容器控制器1209之間做連接的感測器纜線連接器單元1316的下部，係在收納空間1207內藉由作業者而從上部被切離。

同樣地，複數個加熱器供電連接器1322的下部，係從下部基材1306b下表面往下方延伸而在基底板1203上方被連通於絕緣環1305’內側的收納空間1207，透過於頭部1201內的空間中通過絕緣板1305a、1305b之間而被配置的供電纜線1323，而被連接至加熱器供電連接器單元上部1324a。另一方面，與直流電源1321做電性連接的加熱器供電連接器單元下部1324b係在基底板1203下方被從加熱器供電連接器單元1324a切離。

至於其他連接器也是同樣地，在構成底面的試料台部蓋245已被開放的收納空間1207的內部，藉由作業者從下方施行的作業，與頭部1201的連接或與基底板1203的連結係被切離。

如此一來，在本實施例中，真空處理單元2001中的晶圓300的處理的枚數或是電漿所被形成之時間的累積之值是到達需要進行零件更換或檢修等維修的所定之值的這件事情被容器控制器1209所偵測而被開始的真空處理單元2001的維修所需的運轉中，構成這些之構件的表面堆積有附著物或是表面的構件有所消耗的頭部1201，係整個視為一個構件(單元)而被一體地拆卸，預先準備好的表面已被洗淨或是由新製造的構件所構成的頭部1201是以單元的方式而被更換，新的頭部1201是與覆蓋表面之介電體製的覆膜已被洗淨者或被更換成新品的試料台基底242的T凸緣1205上端，藉由複數根螺絲1401而被締結連接。

包含該基底板1203的試料台241上部往上方的拆卸之際，被配置在基底板1203下表面而從該下表面往下方突出的具有圓筒形或圓錐台形狀而讓上記各插銷1302貫通而被收納於內側的貫通孔1303是被配置在中央部的凸部1203’的下端面，與夾著O型環等之密封構件的梁部1301的各梁上所被配置的插銷1303用的貫通孔的外周的上表面的抵接或對向，以及各梁的插銷用的貫通孔及頭部1201內的貫通孔1303的內側的空間與外側的收納空間1207之間的密封，係被解除，包含插銷1303用的貫通孔周圍的部分的梁部1301上表面係暴露於大氣。

如上述，本實施例的試料台241的基底板1203與基材1306在中間夾著絕緣構件1305而被締結而被構成的頭部1201係被構成為，在溫度感測器1315、加熱器供電連接器1322及將它們各者之間以纜線而被連接的感測器纜線連接器單元1316、加熱器供電連接器單元1324的上部是已被安裝的狀態下，包含基底板1203的試料台241上部係可一體地從試料台基底242做拆卸。藉由作為一體的單元的方式而進行更換，維修運轉之際的零件的更換或安裝後的調節等作業的量會被減低，可抑制真空處理單元2001未進行晶圓300的處理所需之運轉，所謂的下線時間變大或該真空處理單元2001的運轉的效率降低。

在本實施例中，藉由基底板1203、絕緣構件1305、基材1306的外周側的部分彼此間所被夾著的O型環等之密封構件而被氣密地密封，上記溫度感測器1315或加熱器供電連接器1322所被配置的頭部1201的內側的空間，係與收納空間1207連通，即使在晶圓300的處理中，仍是被設成大氣壓或近似於可看作如此程度之值的壓力。就這點來說，頭部1201內部的空間，係成為所謂的收納空間1207的一部分。

該收納空間1207，係在頭部1201是被安裝在試料台基底242上方而被配置在真空處理單元2001內的狀態下，與真空處理單元2001內的空間係被氣密地劃分。因此，即使真空處理單元2001中晶圓300被處理的枚數或電漿被形成的時間的累積有所增大，溫度感測器1315的溫度偵測部分或連接器的連接端子彼此的接觸部分的周圍的空間係不只壓力就連氣體或具有反應性的粒子都不會進入，條件隨時間經過的變動係被抑制得較小。

藉由在如此條件變動較小的環境中配置溫度感測器1315或加熱器供電連接器1322的連接用端子，伴隨晶圓300的處理枚數或電漿所形成的時間之累積的增大而測知的輸出或偵測之結果的變化係會被抑制。再者，基於使用如此的測知或偵測的結果而被算出被發送的用來實現所期之條件所需的指令訊號，對頭部1201內之電極所被供給的電力或冷媒等之大小的調節的精度降低係可被減低。藉此，真空處理單元2001中的晶圓300的處理良率或重現性係會被提升。

又，如此整合成1個構件而成為單元的頭部1201內部所被配置的溫度感測器1315等之偵測器，係在與偵測對象之距離或配置的相對位置有所變化的情況下，將該情況每次發生而作為偵測結果的輸出之訊號與此後所被偵測的溫度的相關關係，以足以在實際之值(或非常近似且可視為其的值)下運轉的精度加以調整、校正的作業係為必要，這是常識。另一方面，在本實施例中，僅預先準備的頭部1201是在另外組裝之際所被安裝的溫度感測器1315的校正，係在維修運轉之際被安裝至真空處理單元2001的試料台基底242以前，會被實施。

亦即，以為了更換而被準備的頭部1201被安裝有複數個溫度感測器1315之狀態的頭部1201單體，或是被承載於為了校正用而被準備的試料台基底242，包含氛圍的條件是被設成與晶圓300的處理中同等或近似於可看作如此程度，而進行溫度感測器1315的校正。被實施過如此校正的複數個溫度感測器1315所被安裝而構成的構件係其表面會被洗淨或是新品的頭部1201係與晶圓300的處理中所被使用過的頭部1201做更換，而被安裝至試料台基底242後的收納空間1207內的溫度或壓力或是內部的與粒子的相互作用的量等之環境的條件係與被實施過校正的條件的差異係經時性變化較小，因此使用溫度感測器1315的偵測之精度的變化也會被抑制。

因此，安裝前先在大氣壓下實施校正，將頭部1201安裝至試料台242上方後，溫度感測器1315的重新進行校正的必要性就會被減低，藉由將其省略，在維護或檢修的作業之後，真空處理單元2001中的晶圓300之處理所需之運轉的重開為止的準備所需的運轉所需要的時間，會被縮短。再者，真空處理單元2001中所被實施的晶圓300之處理的重現性的經時性變化會被抑制，處理的良率或效率係被提升。

使用圖15來說明本實施例所具備的T凸緣1205的構成。圖15係為圖12乃至14所示的實施例所述之真空處理室的T凸緣的構成之概略的模式圖示的俯視圖。

本實施例的T凸緣1205係具備：將試料台基底242的上部外周側壁予以構成的外周側的圓筒部1501、和被配置在該圓筒形的內周壁面內側將內周壁面彼此之間予以連接而構成為一體的梁部1301。再者，本實施例的梁部1301，係具有從上方觀看其平面形狀係為具有T字或Y字形狀並從圓筒部1501的中央部往半徑方向延伸的3根板狀的梁，各個梁上係被配置有讓插銷1302插入其內側的插銷用的貫通孔1502。

再者，在梁部1301中央部的下表面係連結有插銷驅動部1208。插銷驅動部1208的上端部，係被安裝於梁部1301的下表面而被定位，在下端部具備長度會藉由流體或馬達等之電動而伸縮的圓筒狀的致動器。在該致動器下端係被連接有，和梁部1301相同的T字或Y字狀的板構件也就是手臂1208’，被收納於收納空間1207內部而不與周圍的壁面接觸而進行上下動作的手臂1208’的3個尖端部係分別被配置有，從3根插銷1302的下端部及插銷1302下端部周圍的手臂1208’上表面至位於其上方之梁部1301的梁的下表面為止被連接而伴隨著手臂1208’的上下運動所致之手臂1208’上表面與梁部1301的下表面之間的距離的增減而伸縮的具有風箱形狀部分的金屬製的伸縮管1304。

又再者，在圍繞貫通孔1502的外周側的梁部1301上表面，係為基底板1203的凸部1203’的環狀的下表面是隔著O型環等之密封構件而抵接，或是使其端面彼此隔著間隙而對向的場所。伸縮管1304的上下端的面與梁部1301下表面及手臂1208’上表面之間，及凸部1203’下端面與梁部1301上表面，係隔著間隙而抵接著O型環而收納著插銷1302，包含伸縮管1304之內側的貫通孔1502內部的空間與外周部分的收納空間1207之間係被氣密地密封。

T凸緣1205，係在貫通孔1502的外周側的T字或Y字形狀的梁部1301上表面，具有將該梁部1301與基底板1203間做氣密地密封所需的O型環1503是被嵌埋在內部而被組裝的環狀的溝1504。再者，伸縮管1304的周圍的收納空間1207係於上方透過該插銷1302所被收納的基材1306的貫通孔1303而與真空處理單元2001連通。亦即，上記梁部1301的上下表面與伸縮管1304及手臂1208’上表面之間，係為收納空間1207與反應處理室2002內部之間被氣密地密封的場所。

圓筒部1501的上下端面與其上方的基底板1203的外周緣部下表面之間，及與基底活塞的中央圓筒的上端面之間也是，都夾著O型環等之密封構件，這些構件的內側的空間也就是收納空間1207與外側的空間也就是真空處理單元2001內部係被氣密地密封。

本實施例的T凸緣1205的梁部1301，係將圓筒部1501的內周壁面的對向之場所彼此予以連接的板狀的梁3根是在圓筒部1501的中央部被連接成一個，從上方觀看具有T或Y字狀的形狀。梁部1301係與圓筒部一體形成或是由被連接至圓筒部而成為一體的其他構件所構成。於此構成中，即使對端部是與圓筒部呈一體的梁部1301施加外力的情況下，仍可抑制梁部1301的上下表面的位置之變動。

插銷驅動部1208，其上端面是被連接至梁部1301的中央部下表面而被安裝於此。在插銷驅動部1208的下端部係具備：尖端位置會朝上下方向移動而其長度會增減的筒狀的致動器，該致動器的上端部係被收納在插銷驅動部1208本體內而下端部是被連接至與梁部1301相同具有T字或Y字的平面形的手臂1208’。

本例的手臂1208’，係與梁部1301同樣地具備從中央部往外周側延伸的3根板狀的梁，其尖端部上表面係有插銷1302的下端部被安裝而定位。手臂1208’的梁的長度係比上方的梁部1301還短，伴隨著插銷驅動部1208的致動器的上下方向的伸縮的動作，即使在上下的高度有移動時，尖端部仍不會接觸於收納空間1208內部的構件而被配置。又，插銷1302係伴隨著手臂1208’的上下的移動而插銷1302也在貫通孔1303及1502內做上下移動，藉此，可使承載於其尖端上而被支持的晶圓300做上下移動。

藉由上記的構成，伴隨著插銷驅動部1208的驅動而導致被連接在梁部1301之下表面的插銷驅動部1208的安裝位置變動、或被連接於其上表面的夾著O型環而被連接的基底板1203的凸部1203’的環狀的下端面與上表面之間的密封被破壞等事情會被抑制，真空處理單元2001所致之晶圓300的處理的信賴性會被提升。

使用圖16來說明本實施例所具備的試料台單元241的構成。圖16係為圖13所示的實施例所述之試料台的構成之概略的模式圖示的仰視圖。尤其是模式性圖示了，沿著圖13(a)的A-A線的試料台單元241的剖面從下方觀看時的構成之概略。

於本實施例中，試料台單元241的T凸緣1205，係具備將試料台基底242與試料台241之間做連接的6根支持梁1206，這些支持梁1206係於試料台241外周側的周圍以繞著試料台241的上下方向的中心軸而為均等或近似於可看作如此程度的角度而朝半徑方向被延伸配置。又，支持梁1206的內部係配置有，構成收納空間1207的一部分並與試料台241下方的收納空間1207的一部分連通的空間。

對試料台241的高頻偏壓的施加或試料台241的溫度控制，係透過包含支持梁1206的試料台基底242及試料台241內部的收納空間1207內所被配置的電源用配線電線或溫度控制用的配線電線或是冷媒用配管而進行。再者，用來供給偏壓形成用的第2高頻電力所需的供電用的纜線，係一端是與第2高頻電源244連接，同時，通過支持梁1206內的收納空間1207的一部分而被配置在收納空間1207內部，他端是被連接至供電連接器1309。

又，對用來增減晶圓300溫度所需的加熱器222從直流電源1321供給直流電力的纜線或晶圓300或偵測基材1306溫度的溫度感測器1315或插銷驅動部1208與容器控制器1209之間的訊號通訊用的纜線或是將基材1306內的冷媒流路1313與第2溫度控制器244之間做連接的冷媒供給及返回用的2個配管1314，係分別和上記同樣地被配置在構成收納空間1207的支持梁1206各個內部的空間及試料台241的基底板1203下方的空間內，各自的一端是分別被連接至基底板1203下表面的加熱器供電連接器單元1324、感測器纜線連接器單元1316、冷媒流路1313的出入口，他端側的部分係從被配置在試料台基底242之外周側壁的各個支持梁1206內的收納空間1207的出口開口往真空容器外部拉出。再者，對用來把晶圓300藉由靜電力吸附在試料台241上表面所需的ESC電極1311從直流電源1319所供給的直流電力用的配線電線也是同樣地，被配置在試料台基底242的呈現空洞的一個支持梁1206內部與基底板1203下方的收納空間1207，他端側的部分係從支持梁1206內的與收納空間1207連通之開口往試料台基底242外周側的真空容器外部被拉出，一端是被連接至基底板1203下表面的ESC電極供電纜線連接器單元1320。

於本實施例中，以繞著圖16的試料台241的上下方向的中心軸而為均等或近似於可看作如此程度的角度而被放射狀地配置的6根支持梁1206之中，圖中最上方所示的支持梁1206a，係被配置在，試料台241或基底板1203下方且為上記中心軸上所被配置的插銷驅動部1208與閥盒115或第2閘門閥112或是真空搬送室之間，是正對於上記中心軸或是插銷驅動部1208而被配置。亦即，沿著與該支持梁1206a的中心軸相同方向而延伸的內部的收納空間1207的中心軸，係平行於反應處理室2002與真空搬送室之間所被搬送的晶圓300之搬送或真空搬送機器人的手臂尖端部的移動方向而被配置。再者，該支持梁1206a內部的收納空間1207的試料台基底242外周壁面的開口，係對向於閥盒115或被配置在其下方的第2閘門閥112的驅動部而被配置，該收納空間1207內係未收納上記的纜線或配管1313。

又，於試料台241內的基底板1203下方的收納空間1207內部，橫切於支持梁1206a所延伸的晶圓300的搬送方向而與T凸緣1205被一體形成或連接的T字形狀的梁部1301之中，在與T凸緣1205被一體形成或連接的兩端側的部分配置有具備貫通孔1502的梁部1301a，在與T凸緣1205被一體形成或連接的端部中，具備貫通孔1502的另一梁部1301b是與梁部1301a的2個貫通孔1502之間的中央部被一體連接。在梁部1301a的2個貫通孔1502內係配置有將各者予以上下貫通的2個插銷1302，在這些插銷1302是從試料台241上部的介電體膜1307的貫通孔1303上部的開口往上方突出的狀態下，在這些插銷1302之間，真空搬送機器人的手臂的尖端部會通過第2閘門閥112開放後的閘門而進入，或是手臂尖端部會進入而位於介電體膜1307上方的狀態下，插銷1302會針對該手臂尖端部的進入或退出方向而朝兩側突出，藉此，在插銷1302與手臂尖端部之間，晶圓300會被移交。

在圖16所示的實施例中，上記訊號的通訊用或供電用的纜線或是冷媒用的配管1313，係將基底板1203下方的收納空間與真空容器外部之間除了支持梁1206a以外的其他支持梁1206內的收納空間1207之間被跨越配置。這些基底板1203下方的收納空間1207側的端部，係通過從下方觀看是被梁部1301a與1301b與T凸緣的圓筒形的外周壁所劃分的2個領域或是空間之任一者而與基底板1203下表面連接。

若依據以上的實施例，則真空處理單元2001並未進行晶圓300的處理所需的運轉，所謂下線時間的變大或該真空處理單元2001的運轉的效率的降低，會被抑制。

又，對試料台施加高頻電力的供電點是配置在試料台中心，藉此，不會損及晶圓面內的均勻性，因此可進行高良率的處理。

再者，藉由在條件變動較小的環境中配置溫度感測器1315或加熱器供電連接器1322的連接用端子，伴隨晶圓300的處理枚數或電漿所形成的時間之累積的增大而測知的輸出或偵測之結果的變化係會被抑制。再者，基於使用如此的測知或偵測的結果而被算出被發送的用來實現所期之條件所需的指令訊號，對頭部1201內之電極所被供給的電力或冷媒等之大小的調節的精度降低係可被減低。

藉此，真空處理單元2001中的晶圓300的處理良率或重現性係會被提升。再者，維護或檢修的作業之後，到真空處理單元2001的晶圓300的處理所需之運轉的重開為止的準備所需的運轉所需要的時間會被縮短。再者，真空處理單元2001中所被實施的晶圓300之處理的重現性的經時性變化會被抑制，處理的良率或效率係被提升。

此外，在本實施例中，作為電漿處理裝置雖然是使用ECR型的電漿處理裝置，但不限於此，亦可適用於ICP型的裝置等等。又，雖然使用具備以鏈結方式而被排列之真空處理單元2001的電漿處理裝置，但不限於此，亦可適用於叢集方式的裝置。

此外，本發明係不限定於上記的實施例，可包含有各式各樣的變形例。例如，上記的實施例係為了容易理解本發明地進行說明因此詳細做了說明，但並非限定於一定要具備所說明的全部構成。又，亦可將某構成的一部分置換成其他構成，又，亦可對某構成增加其他構成。

100‧‧‧電漿處理裝置

101‧‧‧大氣區塊

102‧‧‧真空區塊

104、104-1、104-2‧‧‧真空搬送室

105‧‧‧閉鎖室

106‧‧‧大氣搬送室

107‧‧‧晶匣台

108‧‧‧搬送中間室

109‧‧‧大氣搬送機器人

110、110-1、110-2‧‧‧真空搬送機器人

111‧‧‧第1閘門閥

112‧‧‧第2閘門閥

115‧‧‧閥盒

200、200-1、200-2、200-3、200-4‧‧‧真空處理室

201‧‧‧第1高頻電源

202‧‧‧蓋構件(石英板)

203‧‧‧淋浴板

204‧‧‧氣體導入環

205‧‧‧石英內筒

206‧‧‧線圈

207‧‧‧O型環

210‧‧‧迴旋昇降機

211‧‧‧迴旋軸

220‧‧‧放電區塊單元

221‧‧‧放電區塊基底

222‧‧‧加熱器

223‧‧‧第1溫度控制器

224‧‧‧放電區塊

225‧‧‧接地環

230‧‧‧上部容器

240‧‧‧試料台單元

241‧‧‧試料台

242‧‧‧試料台基底

243‧‧‧第2高頻電源

244‧‧‧第2溫度控制器

245‧‧‧試料台底部蓋

250‧‧‧下部容器

260‧‧‧基底板

261‧‧‧排氣部蓋

262‧‧‧活塞

263‧‧‧附帶閥盒基底板

270‧‧‧排氣泵浦

280‧‧‧支柱

290‧‧‧中心軸

300‧‧‧被處理物(晶圓，試料)

310‧‧‧放電區塊單元的運動方向

320‧‧‧試料台單元的運動方向

400‧‧‧作業者

[圖1] 說明本發明的實施例所述之電漿處理裝置的構成之概略的俯視圖及斜視圖。 　　[圖2] 圖1所示的實施例所述之電漿處理裝置中的被處理物的搬送之說明用的要部概略俯視圖。 　　[圖3] 圖1所示的實施例的電漿處理室的構成之概略的模式圖示的縱剖面圖。 　　[圖4] 圖1所示的實施例的電漿處理室的構成之概略的模式圖示的縱剖面圖。 　　[圖5] 圖1所示的本發明的實施例所述之電漿處理裝置的真空處理室中的維修的程序之說明用的俯視圖及縱剖面圖。 　　[圖6] 圖1所示的本發明的實施例所述之電漿處理裝置的真空處理室中的維修的程序之說明用的俯視圖及縱剖面圖。 　　[圖7] 圖1所示的本發明的實施例所述之電漿處理裝置的真空處理室中的維修的程序之說明用的俯視圖及縱剖面圖。 　　[圖8] 圖1所示的本發明的實施例所述之電漿處理裝置的真空處理室中的維修的程序之說明用的俯視圖及縱剖面圖。 　　[圖9] 圖1所示的本發明的實施例所述之電漿處理裝置的真空處理室中的維修的程序之說明用的俯視圖及縱剖面圖。 　　[圖10] 圖1所示的本發明的實施例所述之電漿處理裝置的真空處理室中的維修的程序之說明用的俯視圖及縱剖面圖。 　　[圖11] 圖1所示的本發明的實施例所述之電漿處理裝置的真空處理室中的維修的程序之說明用的俯視圖及縱剖面圖。 　　[圖12] 圖3所示的實施例所述之真空處理室的構成之概略的模式圖示的縱剖面圖。 　　[圖13] 圖12所示的實施例所述之真空處理室的試料台的構成加以放大而模式性圖示的縱剖面圖。 　　[圖14] 圖12及圖13所示的實施例所述之試料台被分解成複數個零件之狀態的模式圖示的縱剖面圖。 　　[圖15] 圖12乃至14所示的實施例所述之真空處理室的T凸緣的構成之概略的模式圖示的俯視圖。 　　[圖16] 圖13所示的實施例所述之真空處理室的試料台之概略的模式圖示的仰視圖。

Claims (5)

1. 一種電漿處理裝置，係具備： 　　處理室，係被配置在真空容器內部而內側係被排氣而被減壓；和 　　試料台，係被配置在該處理室內而處理對象之晶圓係被載置於其上表面；和 　　開口，係被配置在該試料台之下方而與將處理室內部進行排氣的排氣泵浦做連通； 　　使用在前記試料台上方的前記處理室內所被形成的電漿而將前記試料進行處理的電漿處理裝置，其中， 　　前記試料台係具備： 　　金屬製的基材，係在其上表面具備有讓前記晶圓載置的介電體製的膜；和 　　金屬製的基板，被配置在該基材之下方而與該基材夾著絕緣構件而被絕緣；和 　　連接器，係從該基板之下方插入至前記基材的中心部而被安裝在該基板下表面而對前記基材供給高頻電力；和 　　圓筒形的架台，係被配置在前記基板之下方，其內部空間是被設成大氣壓而在該空間上方載置有前記基板及與其締結之前記基材以及絕緣構件的狀態下，與前記基板連接；和 　　板狀的梁部，係在前記架台的前記空間內與前記基板的下表面之間隔著間隙而被配置，係為從前記空間之中心往外側呈T或Y字狀地延伸的梁部，其端部係與前記架台的內周壁面連接；和 　　複數根插銷，係將該梁部與前記基板、絕緣構件及基材予以貫通並在前記試料台之上方將前記試料支持在尖端上而使其做上下移動；和 　　前記複數根插銷的驅動部，係被安裝在前記梁部的中央部下表面；和 　　密封件，係被配置在前記梁部且被配置在前記複數根插銷之每一者所貫通的貫通孔之周圍而將該插銷之每一者之周圍與被設成大氣壓的前記架台內的前記空間之間，予以氣密地密封。
2. 如請求項1所記載之電漿處理裝置，其中， 　　在前記基材已被安裝在前記架台的狀態下，前記梁部上表面的前記密封件的密封係被形成。
3. 如請求項1或2所記載之電漿處理裝置，其中， 　　在前記連接器已被安裝在前記基板的狀態下，該基板及與其締結之前記基材以及絕緣構件是被構成為可從前記架台拆卸。
4. 如請求項1或2所記載之電漿處理裝置，其中， 　　前記梁部上表面與前記基板下表面之間的前記間隙與通過前記空間而供給前記高頻電力的高頻電力之間，係被可裝卸地連接。
5. 如請求項1或2所記載之電漿處理裝置，其中， 　　對前記基材供給電力的纜線或供給氣體或是流體的配管是通過前記梁部的複數個T或Y字狀的梁彼此之間的前記空間而被連接至前記基板。