TWI429129B - 電極製造系統 - Google Patents

Description

電極製造系統

本發明係關於製造電極的電極製造系統。

本發明根據2009年12月22日於日本提出申請之特願2009-290931號專利申請案來主張優先權，於此處援用其內容。

電池，例如鋰離子二次電池等所使用的電極，係藉由在鋁等金屬箔以特定的塗佈量塗佈活性物質混合劑而製造的。被塗佈於此金屬箔的活性物質混合劑的膜厚的不均，對於鋰離子二次電池的容量造成很大的影響。

為此，測量活性物質混合劑的膜厚控制前述塗佈量的技術已被提出(參照專利文獻1)。記載於專利文獻1的技術，係往金屬箔塗佈活性物質混合劑，進而以乾燥爐使其乾燥後測定活性物質混合劑的膜厚，以因應於該測量的膜厚之資訊改變前述特定的塗佈量而使其成為特定的膜厚的方式被控制的。此外，再有偏離特定膜厚的場合藉由進行標記，而可以容易地除去缺陷部分。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2007-066821號公報

然而，記載於專利文獻1的技術，係使被塗佈的活性物質混合劑乾燥之後，再測定其厚度。亦即藉由乾燥除去包含於活性物質混合劑的有機溶媒後，其厚度會減少所以側定其不均的誤差被要求很高的精度。

而且，於專利文獻1所記載之技術，必須要把被標記的缺陷部分的尺寸以數個cm² 或是數個m² 之寬廣範圍當作是不良而予以排除，所以電極的生產效率很差。

本發明之目的在於提供可以解決前述課題之電極製造系統。

本發明之電極製造系統，具有塗佈活性物質混合劑而於金屬箔形成塗佈區域與非塗佈區域的塗佈部、使在前述塗佈部被塗佈的金屬箔乾燥之乾燥部、以及由在前述乾燥部被乾燥的金屬箔沖壓複數之電極的沖壓部。

前述塗佈部，具備進行前述塗佈的塗佈手段、測定前述塗佈區域的膜厚之膜厚測定手段、在對應於前述被測定的膜厚在特定範圍外的前述塗佈區域之起點的位置之前述金屬箔賦予起點標記，同時在對應於前述特定範圍外的前述塗佈區域的終點的位置之前述金屬箔賦予終點標記的畫線手段。

前述沖壓部，具備分別檢測出前述起點標記與前述終點標記的標記檢測手段，至少將前述起點標記起至前述終點標記之間以外的前述金屬箔予以沖壓形成前述複數電極之電極沖壓手段，以及廢棄掉至少前述起點標記起至前述終點標記之間的前述金屬箔之廢棄手段。

根據本發明的話，藉由活性物質混合劑之乾燥前進行測定其膜厚，即使藉由比較廉價且精度並不是很高的測定裝置，也可以容易地測定其不均。

此外，根據本發明的話，可以使用起點標記與中點標記自動地精度佳地廢棄在活性物質混合劑之膜厚有不均的缺陷區域，所以可以抑制電極生產效率的降低。

以下通過發明的實施型態說明本發明，但以下之實施型態並非用來限定相關於申請專利範圍之發明者。

圖1係顯示相關於本實施型態之電極製造系統100之製造部之一例之圖。

於以下之說明，參照圖1敘述電極製造系統100之概要。

電極製造系統100，係製造使用於鋰離子二次電池的電極之系統。又，於本實施型態作為電池針對前述之鋰離子二次電池來進行說明，但並不特別以此為限。例如還適用於一次電池，或者是鋰離子二次電池以外之其他二次電池等，種種之電池。電極製造系統100，係依序排列塗佈裝置110、乾燥裝置120、狹縫裝置130、壓縮裝置140、真空乾燥裝置150、以及沖壓裝置160而被構成的。

塗佈裝置100，係於金屬箔塗佈活性物質混合劑之裝置。金屬箔，係將銅或鋁等金屬製作成10～20μm厚的程度之極薄的長尺寸狀者，在被捲成滾筒狀的狀態安裝於塗佈裝置110。此金屬箔，成為電極的集電體。

活性物質混合劑，係包含使用於正極或負極的活性物質之混合劑。例如正極之活性物質混合劑，係將正極活性物質之鈷酸鋰(LiCoO₂ )、乙炔黑(acetylene black)或石墨等碳材料系導電體，及結合劑(binder)溶解於溶劑之物予以混練成為漿狀物者。

於塗佈裝置110，這樣的漿狀之活性物質混合劑，例如藉由刮片(doctor blade)法等之塗佈方法，於前述金屬箔上以特定的膜厚被塗佈。該場合，被塗佈活性物質混合劑的區域，成為沿著金屬箔的長邊方向的長尺寸之區域。此塗佈區域，亦可為在金屬箔的寬幅方向上隔著特定間隔之複數區域。

接著，於塗佈裝置110，測定被塗佈的活性物質混合劑的膜厚，並因應於電池設計而賦予可以辨識出比預定的膜厚更薄或更厚的區域的標記。又，塗佈裝置110係相關於本發明的塗佈部之一例。

以下，參照圖2至圖4詳述塗佈裝置110的構成以及根據塗佈裝置110之處理。

如圖2、圖3所示，塗佈裝置110，具有2個刀刃(blade)111a、111b(以下總稱為刀刃111)、雷射位移計112、控制操縱裝置113、以及雷射畫線器(marker)114。金屬箔200以被捲為滾筒狀的狀態設置於塗佈裝置110，藉由輸送帶115搬送。刀刃111、雷射位移計112、及雷射畫線器114，依序被配置於金屬箔200被搬送的路徑上。

首先，於塗佈裝置110，藉由刀刃111於金屬箔200上塗佈活性物質混合劑(S101)。刀刃111，係於金屬箔200塗佈活性物質混合劑之手段。又，如圖3所示，刀刃111，係與藉由輸送帶115拉出來的金屬箔200的長尺寸方向直交，同時係以其刃尖具有特定的俯角的方式被配置。此外，刀刃111，可以藉由未圖示的驅動機構而對輸送帶的搬送面在鉛直方向上進行上下移動。於刀刃111的兩側，以使活性物質混合劑不突出的方式，設有未圖示的隔板。

接著，藉由在刀刃111的刃尖被配置於金屬箔200的表面上的狀態下，於刀刃111與金屬箔200之間注入活性物質混合劑，而在金屬箔200的表面塗佈此活性物質混合劑。圖中所示之210a及210b，顯示活性物質混合劑被塗佈的區域(以下總稱為塗佈區域210)。此外，220a～c，顯示活性物質混合劑未被塗佈的區域(以下總稱為非塗佈區域220)。

如圖所示，塗佈區域210，係具有特定的寬幅延伸於金屬箔200的長尺寸方向的帶狀區域。此塗佈區域210，可以挾著特定寬幅的非塗佈區域220而形成為複數。於圖示之例，顯示塗佈區域210有2列的場合，但亦可為1列，此外成為3列以上亦可。在該場合，設置之刀刃111的數目對應於必要的塗佈區域210的數目。又，刀刃111為塗佈手段之一例。

接著，於塗佈裝置110，藉由雷射位移計112測定被塗佈於金屬箔200上的活性物質混合劑的膜厚(S102)。雷射位移計112，係把雷射振盪器及接受該雷射振盪器所輸出的雷射光在被塗佈於金屬箔200的活性物質混合劑的表面被反射之反射光之受光器所構成之組(由雷射震盪器與受光器所構成之組)，配置複數個於與輸送帶115的行進方向垂直的方向(塗佈區域210的寬幅方向)且為輸送帶115的正上方之三角測量方式的非接觸位移計。因為在前述寬幅方向上鋪塞而配置複數組前述雷射振盪器與受光器所構成之組，所以雷射位移計112可以跨全區域即時地測量塗佈區域210的寬幅方向的膜厚(但是，嚴密地說，是測量前述複數之雷射振盪器的雷射光所照射到的複數光點處之膜厚)。

雷射位移計112，把測量到的前述寬幅方向之顯示各光點的膜厚的資料送訊至控制操縱裝置113。又，雷射位移計112為膜厚測定手段之一例。

接著，在塗佈裝置110，進行根據雷射畫線器114之往非塗佈區域220之畫線(S103)。具體而言，係如下述般進行畫線。

首先，控制操縱裝置113，由雷射位移計112接受顯示前述各光點的膜厚之資料。接著，控制操縱裝置113根據接受的顯示膜厚的資料，特定出塗佈不均211a、211b(以下，總稱為塗佈不均211)的範圍。例如，控制操縱裝置113，記憶著顯示活性物質混合劑的膜厚的容許範圍的資料(例如，容許範圍為設定膜厚的±0.5μm以內)，藉由從雷射位移計112接受的前述各光點的資料而判定顯示的膜厚之值是否在容許範圍內。

接著控制操縱裝置113，在判定前述膜厚為容許範圍之外的場合，把成為該範圍之外的膜厚被檢測出來的位置決定為塗佈不均211的起點212a、212b(以下，總稱為起點212)。

控制操縱裝置113，決定塗佈不均211的起點212之後，經過了特定的時間後，將標記訊號送訊至雷射畫線器114。

此處，所謂的前述特定的時間，係塗佈不均211的起點212通過雷射位移計112的測定位置之後起直到到達雷射畫線器114的正下方為止所花費的時間。於本實施型態輸送帶115的搬送速度係屬已知，所以使用此搬送速度與雷射位移計112之正下方起到雷射畫線器114正下方為止的距離，可以計算出前述的特定的時間。

接受標記訊號的雷射畫線器114對金屬箔200的非塗佈區域220進行標記。具體而言，係把顯示塗佈區域210a的塗佈不均212a的起點之起點標記222a標記於非塗佈區域220a，此外把顯示塗佈區域210b的塗佈不均212b的起點之起點標記222b標記於非塗佈區域220b。

塗佈不均211，多係以延伸於金屬箔200的長尺寸方向的方式擴展。又，即使被塗佈的活性物質混合劑混入有條紋線條的場合，也是塗佈不均211之一例。

亦即，塗佈區域210a上的前述複數之光點之中，即使只有1點是成為容許範圍之外的膜厚的資料之場合，控制操縱裝置113，也會以標記起點標記222a的方式控制雷射畫線器114。接著，一旦標記了起點標記222a之後，塗佈區域210a上的前述複數光點之中在所有的光點都得到成為容許範圍內的膜厚的資料的場合，控制操縱裝置113判定為塗佈不均211的終點，決定其位置同時以標記終點標記223a的方式控制雷射畫線器114。

此處，進行終點標記223a的標記時，也與進行起點標記222a的標記時同樣，控制操縱裝置113，在經過前述特定時間之後，把標記訊號送訊給雷射畫線器114。接著，接受到標記訊號的雷射畫線器114，進行終點標記223a的標記。

又，塗佈區域210b之起點標記222b，終點標記223b也同樣地被標記。

起點標記222及終點標記223，係以後述之沖壓裝置160容易辨識的方式，把一方做成圓形另一方做成星形等方式，使起點標記222與終點標記223為不同的標記形狀。

此外，雷射畫線器114係相關於本發明的標記手段之一例。

如此般於電極製造系統100，以藉由塗佈裝置110於金屬箔200塗佈活性物質混合劑，同時可以特定其塗佈不均211的位置的方式，在分別對應於金屬箔200的長尺寸方向之塗佈不均211的起點212與終點213的位置分別標記上起點標記222及終點標記223。

接著，根據塗佈裝置110的處理結束之後，藉由乾燥裝置120除去包含於活性物質混合劑的溶劑使該活性物質混合劑乾燥。其後，藉由在存在於金屬箔200的2個塗佈區域(220a及220b)之間的非塗佈區域220c導入狹縫的狹縫裝置130，把金屬箔200分割為2捲。

接著，藉由輥式壓製機(roll-press)等壓縮裝置140，壓縮前述分割的分別的金屬箔200的活性物質混合劑。

藉由真空乾燥裝置150乾燥前述分割的金屬箔200之各個之後，對於其各個，進行根據沖壓裝置160之處理。

在乾燥裝置120或真空乾燥裝置150，即使是被塗佈的活性物質混合劑很少量也存在著因熱而收縮的可能性，所以作為結果，金屬箔200有收縮的可能性。此外，在壓縮裝置140，壓延金屬箔200。因此，離開塗佈裝置110而進入乾燥裝置120以前的金屬箔200之起點標記222至終點標記223的距離，與以真空乾燥裝置150進行乾燥後的金屬箔200之起點標記222起至終點標記223之距離很少會相同，通常會視不同的。

亦即，即使對塗佈不均211進行標記，假設標記只有1點的話，於塗佈裝置110起至真空乾燥裝置150為止之間進行伸縮的金屬箔200，進行塗佈不均211的廢棄必須要預估很大的餘裕(margin)。

然而，於金屬箔200伸縮的場合，也因為在本實施型態藉由使後述的沖壓裝置160認識起點標記222及終點標記223之2個標記，而可以正確地廢棄包含塗佈不均211的電極230。

又，沖壓裝置160係相關於本發明的沖壓部之一例。

以下，參照圖5及圖6敘述沖壓裝置160的構成以及根據沖壓裝置160之處理。

如圖5所示，沖壓裝置160，具有標記感測器161、沖壓機162、檢查機163、控制操縱裝置164、及電極層積機構165。

金屬箔200以被捲為滾筒狀的狀態設置於沖壓裝置160，以藉由輸送帶166搬送的方式被拉出。此處，輸送帶166，與前述之輸送帶115不同，如後述般，進行間歇運轉之間歇動作。

標記感測器161、沖壓機162、及2個電極層積機構165a、165b(以下，總稱為電極層積機構165)，於金屬箔200被拉出的路程上，依此順序分別被配置於輸送帶166上。

於以下之說明，針對處理被形成塗佈區域120a的金屬箔200a之例加以敘述。

首先，於沖壓裝置160，如前所述藉由雷射畫線器114對金屬箔200a所賦予的起點標記222a及終點標記223a之2個標記，藉由標記感測器161依序被檢測出(S201)。標記感測器161，係光學地感測被賦予金屬箔200a的前述2個標記之感測器。標記感測器161，係以位於金屬箔200a的非塗佈區域220a的正上方的方式被配置。

接著，標記感測器161，在輸送帶166上被搬送來的金屬箔200a的非塗佈區域220a有起點標記222a或是終點標記223a時，將其檢測出，把通知檢測出這些標記的情形的資料送訊至控制操縱裝置164。又，標記感測器161係相關於本發明的標記檢測手段之一例。

接著，於沖壓裝置160，藉由沖壓機162沖壓出電極的形狀(S202)。於沖壓機162被安裝特定形狀的沖壓模，沖壓機162藉由對輸送帶166的金屬箔200a的搬送面進行鉛直方向的運動，將金屬箔沖壓成如模具的形狀。又，輸送帶166，以與沖壓機162的沖壓動作同步的方式進行間歇動作，於沖壓機162沖壓金屬箔200a時停止其動作。圖中所示之230a～2301，顯示藉由沖壓機162沖出的電極(以下總稱為電極230)。

圖5所示之電極230，係由從塗佈區域210沖出的本體部231，與由非塗佈區域220沖出的耳片部232所構成。接著，在被沖出的電極230的周圍，殘留不作為電極230使用的金屬箔200a的殘留部。又，沖壓機162，係相關於本發明的電極沖壓手段之一例。

接著，於沖壓裝置160，藉由檢查機163檢查沖壓出的電極的狀態(S203)。檢查機163，例如藉由影像處理來檢查被沖壓出的電極是否有缺陷。作為電極上產生缺陷之例，例如有電極230卷縮，或是發生毛邊，或者活性物質脫離等缺陷。接著，檢查機163，檢測到發生缺陷的電極230的場合，把通知係屬缺陷的要旨的資料送訊至控制操縱裝置164。接受到該資料的控制操縱裝置164，把後述之層積停止訊號及層積開始訊號以特定的計時適當地送訊至電極層積機構165。針對此點稍後詳述。

接著在上述檢查之後，沖壓裝置160，進行根據電極層積機構165的電極的層積以及缺陷電極的廢棄(S204)。

控制操縱裝置164，將通知檢測出起點標記222的情形之資料，與通知檢測出終點標記223的情形之資料依序由標記感測器161接收到時，包含由起點標記222至終點標記223之間的塗佈區域210，以不層積被沖壓出的電極230的方式來控制電極層積機構165。進而，不含起點標記222至終點標記223之間的塗佈區域210地把被沖壓出的電極230以層積於後述的工作臺167的方式來控制電極層積機構165。

關於此動作於以下詳述。

於經過檢查機163的輸送帶166之旁側，置有供層積被沖壓出的電極230之用的工作臺167a、167b(以下，總稱為工作臺167)。

電極層積機構165a與165b個別具有可旋轉的臂，使用吸盤等吸附手段來吸附分別被配置於特定的位置的輸送帶上的電極230g與230h，依序層積於工作臺167a、167b。

輸送帶166進行前述間歇運轉，但此時，於前述特定位置配置電極而停止。在此，輸送帶166進行於電極230的寬幅方向，但在電極230的寬幅的中心前述臂把可以吸附此電極的位置作為前述特定位置。

圖5中，於金屬箔200a呈現電極的形狀(約略長方形)的透白的部分，顯示藉由電極層積機構165沖壓掉電極230後的痕跡。

接著電極層積機構165，由控制操縱裝置164接受到以不層積電極230的方式進行命令的要旨之控制訊號(層積停止訊號)時，停止電極230之往工作臺167的層積。

接著，電極層積機構165，由控制操縱裝置164接受到以開始電極230的層積方式進行命令的要旨之控制訊號(層積開始訊號)時，開始電極230之往工作臺167的層積。未藉由電極層積機構165吸附的缺陷電極與金屬箔200a的殘餘部，直接藉由輸送帶166搬送，自動往設置在輸送帶166的端部的垃圾箱168落下。垃圾箱168，以缺陷電極或殘餘部在落下時不發生粉塵的方式，使用緩衝性高的材料來製作為較佳。

缺陷電極與金屬箔200a的殘餘部，被回收至垃圾箱168而被廢棄。除了被回收至垃圾箱168以外，採用被捲為滾筒狀而回收的型態亦可。又，電極層積機構165係相關於本發明的廢棄手段之一例。

控制操縱裝置164送訊出前述層積停止訊號與層積開始訊號的時機如下。

控制操縱裝置164，由標記感測器161接收到通知檢測出起點標記222的情形之資料時，經過特定時間之後對電極層積機構165送訊出層積停止訊號。接著，控制操縱裝置164，由標記感測器161接收到通知檢測出終點標記223的情形之資料時，控制操縱裝置164，在經過特定時間之後對電極層積機構165送訊出層積開始訊號。

此處，塗佈不均211，如果也包含在以沖壓機162沖壓出的電極230的一部分的話，此電極230為缺陷電極。控制操縱裝置164以此缺陷電極不被層積於工作臺167的方式送訊出前述層積停止訊號與層積開始訊號。

具體而言，沖壓機162與電極層積機構165配合於輸送帶166之間歇動作而進行動作，所以控制操縱裝置164係由此間歇動作的速度或者時機，與被配置在前述特定位置的電極230的寬幅方向之2個端面(電極寬幅預先被設計為特定值)之各個起到標記感測器161之感測的金屬箔200的位置所對應的塗佈區域為止的距離，來演算出前述層積停止訊號以及前述層積開始訊號的送訊時機。接著，在被配置於前述特定的位置之電極230包含塗佈不均211的場合，未包含塗佈不均211的前一個電極230藉由前述臂而層積在工作檯167的時間點，以不層積有對應的塗佈不均211的電極230的方式，由控制操縱裝置164對電極層積機構165a或165b送訊前述層積停止訊號。

另一方面，包含塗佈不均211的電極230被配置於前述特定的位置，藉由次一個間歇動作使未包含塗佈不均211的電極230被配置於前述特定位置的場合，以在此沒有塗佈不均211的電極230被配置在前述特定位置的時間點，層積對應的此電極230的方式，由控制操縱裝置164對電極層積機構165a或165b送訊前述層積開始訊號。

檢查機163檢測到發生缺陷的電極230的場合，控制操縱裝置164也接收通知檢查機163送訊的缺陷之要旨的資料，而控制操縱裝置164以特定的計時適當地對電極層積機構165送訊出層積停止訊號及層積開始訊號。

在此場合，也與有塗佈不均的場合同樣，控制操縱裝置164係由此間歇動作的速度或者時機，與被配置在前述特定位置的電極230的寬幅方向之2個端面(電極寬幅預先被設計為特定值)之各個起到檢查機163感測到的塗佈區域的缺陷位置為止的距離，來演算出前述層積停止訊號以及前述層積開始訊號的送訊時機。接著，在被配置於前述特定的位置之電極230包含缺陷的場合，未包含缺陷的前一個電極230藉由前述臂而被層積在工作檯167的時間點，以不層積對應的缺陷電極的方式，由控制操縱裝置164對電極層積機構165a或165b送訊層積停止訊號。

另一方面，缺陷電極被配置於前述特定的位置，藉由次一個間歇動作使沒有缺陷的電極被配置於前述特定位置的場合，以在此沒有缺陷的電極被配置在前述特定位置的時間點，層積對應的此電極230的方式，由控制操縱裝置164對電極層積機構165a或165b送訊前述層積開始訊號。

於本實施型態，雷射畫線器114僅施以塗佈不均的起點標記222與終點標記223，但並不以此為限。例如塗佈不均的起點標記222起直到終點標記223為止之間藉由雷射畫線器114進行繼續性的標記亦可，於此間進行斷續性的標記亦可。

此外，於本實施型態，針對藉由雷射畫線器114標記的起點標記222以及終點標記223之間的塗佈區域210也藉由沖壓機162進行沖壓，但是並不以此為限。例如對於藉由雷射畫線器114標記的起點標記222以及終點標記223之間的塗佈區域210，亦可由控制操縱裝置164來進行停止沖壓機162的動作之控制。

由標記感測器161至沖壓機162為止的距離為特定之值，所以與前述層積停止訊號與前述層積開始訊號之送訊時機同樣，控制操縱裝置164可以進行供使沖壓機162的動作停止的控制之用的演算。

於此場合，通過電極層積機構165的金屬箔200a之中於起點標記222及終點標記223之間，變成不存在被沖壓的電極。實際上使其不進行沖壓，也因為原本預定形成電極的預定沖壓的電極位置在前述金屬箔上是很清楚的，所以對於控制操縱裝置164的前述演算並不會造成障礙。藉由在起點標記222及終點標記223之間不被沖壓，可以謀求沖壓機的動作電力的削減，進而前述回收、廢棄會變得容易。

又，於本實施型態，作為膜厚測定手段採用雷射位移計，但是膜厚測定手段只要是可以非接觸的方式測定活性物質混合劑的膜厚之測定器即可，亦可採用雷射位移計112以外之測定器。

此外，於本實施型態，作為標記手段採用雷射畫線器114，但作為標記手段只要是能夠分清楚塗佈不均的範圍的方式賦予標記者即可，亦可以採用雷射畫線器114以外的標記裝置，例如進行物理性沖壓的裝置。

以上，使用實施型態說明本發明，但本發明之技術範圍不限定於前述實施型態所記載之範圍。於前述實施型態，可以進行多樣化的變更或加以改良對於該項技藝之業者而言是顯而易見的。

100．．．電極製造系統

110．．．塗佈裝置

111．．．刀刃(blade)

112．．．雷射位移計

113．．．控制操縱裝置

114．．．畫線器(marker)

115．．．輸送帶

120．．．乾燥裝置

130．．．狹縫裝置

140．．．壓縮裝置

150．．．真空乾燥裝置

160．．．沖壓裝置

161．．．標記感測器

162．．．沖壓機

163．．．檢查機

164．．．控制操縱裝置

165．．．電極層積機構

166．．．輸送帶

167．．．工作臺

168．．．垃圾箱

200．．．金屬箔

210．．．塗佈區域

211．．．塗佈不均

212．．．起點

213．．．終點

220．．．非塗佈區域

222．．．起點標記

223．．．終點標記

230．．．電極

231．．．本體部

232．．．耳片(tab)部

圖1係顯示相關於本實施型態之電極製造系統100之製造部之一例之圖。

圖2係顯示相關於本實施型態之塗佈裝置110的構成之平面圖。

圖3係顯示相關於本實施型態之塗佈裝置110的構成之側面圖。

圖4係顯示根據電極製造系統100的塗佈裝置110的處理之一例之圖。

圖5係顯示相關於本實施型態之沖壓裝置160的構成之平面圖。

圖6係顯示根據電極製造系統100的沖壓裝置160的處理之一例之圖。

160．．．沖壓裝置

161．．．標記感測器

162．．．沖壓機

163．．．檢查機

164．．．控制操縱裝置

165a、165b．．．電極層積機構

166．．．輸送帶

167a、167b．．．工作臺

168．．．垃圾箱

200a．．．金屬箔

210a．．．塗佈區域

211a．．．塗佈不均

212a．．．起點

220a、220c．．．活性物質混合劑未被塗佈的區域

222a．．．起點標記

223a．．．終點標記

230a～2301．．．沖壓機沖出的電極

231．．．本體部

232．．．耳片(tab)部

Claims (3)

1. 一種電極製造系統，係具有：塗佈活性物質混合劑而於金屬箔形成塗佈區域與非塗佈區域的塗佈部、使在前述塗佈部被塗佈的金屬箔乾燥之乾燥部、以及由在前述乾燥部被乾燥的金屬箔沖壓複數之電極的沖壓部，其中：前述塗佈部，具備：進行前述塗佈的塗佈手段、測定前述塗佈區域的膜厚之膜厚測定手段、在對應於前述被測定的膜厚在特定範圍外的前述塗佈區域之起點的位置之前述金屬箔賦予起點標記，同時在對應於前述特定範圍外的前述塗佈區域的終點的位置之前述金屬箔賦予終點標記的畫線手段，前述沖壓部，具備：分別檢測出前述起點標記與前述終點標記的標記檢測手段，至少將前述起點標記起至前述終點標記之間以外的前述金屬箔予以沖壓形成前述複數電極之電極沖壓手段，以及廢棄掉至少前述起點標記起至前述終點標記之間的前述金屬箔之廢棄手段。
2. 如申請專利範圍第1項之電極製造系統，其中前述畫線手段，於前述非塗佈區域賦予前述起點標記與前述終點標記。
3. 如申請專利範圍第1或2項之電極製造系統，其中前述沖壓部，進而具備依序層積前述電極沖壓手段形成的前述複數之電極的電極層積機構；前述電極層積機構，依序層積不含前述起點標記起至前述終點標記之間的前述金屬箔的前述電極，前述金屬箔的部位之中，以前述廢棄手段廢棄被層積的前述電極以外的部位。