TWI429109B - 發光裝置之反射表面子組體製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種發光裝置，例如發光二極體(Light emitting diode，LED)以及雷射二極體(Laser diode，LD)，更具體言之，其係關於這類裝置的反射表面子組體。
本發明使用LED作為發光裝置的典型範例來解釋相關技術的狀態僅是為了避免過度重複所揭示之內容而又不失其通則。
LED的運作原理係以半導體的p-n接面特性為主。當p-n接面被施以正偏壓時，即正電壓施加在p型半導體上而負電壓則施加在n型半導體上，電子與電洞這兩種電荷載子會流入該接面。當電子與電洞碰撞時，該電子與電洞會重新結合，且因為該電子掉落至較低能階，多餘的能量(等於該等電子能階與電洞能階之間的差值)會以光子的形式釋出。這種效果稱為電激發光，且該光線的顏色會由該半導體的能隙來決定。
因為電子與電洞之間的碰撞在本質上為統計性質，所以光子將從該p-n接面往隨機方向射出。為了改善從該發光裝置p-n接面的光線萃取量，其可在表面上塗覆一層反射材料，此材料對於在非吾人所欲之發射方向上所發出的波長而言係為透明或具有低反射比。反射比就是對入射光的反射比例。為了達到最佳的可能發光效率，吾人可使用具有高反射比的材料，例如Pt、Au、Ag這類的貴重金屬或像是Al這類其他材料。然而，對於使用某些這類的材料(例如Pt、Au)，其不論從該等材料的成本以及將該等材料塗覆於表面上的製程成本觀點而言皆相對昂貴，例如Al這類材料雖然相對便宜，但是需要昂貴的拋光處理，且經常會在含氧環境中氧化。然而，即使經過大量且昂貴的拋光處理後，Al的反射能力還是低於已拋光的Ag。此外，雖然拋光可增加總反射比，但其是因為鏡面反射比增加之故。然而如以下所更詳細論述者，該材料應具有漫射比而非鏡面反射比。Ag(其因為優異的反射比而優於Al)容易氧化及/或失去光澤，尤其是當Ag表面與發光裝置製程中所使用的某些化學物品接觸時。這類例子為在LEDs中使用螢光劑來進行光轉換。再者，Ag塗覆之基板需要徹底的濕氣防護，這會增加LED封裝的總成本，卻不保證能達成吾人所需的效能水平及/或穩定性，即抵抗該發光裝置參數隨時間的改變。例如：儘管製程期間已經採取所有適當的預防措施，不過由於發光裝置之殼體在其所佈署的環境下可能未完全密封之事實，所以氧化還是可能隨時間經過而發生，因而導致反射比、光線均勻度以及其他參數等隨時間經過而劣化。
據此，本技術具有改善發光裝置以提高光輸出、簡化製程、降低成本並提供對本領域技藝人士而言不言自明之額外優點。
在本發明揭示的一態樣中，其揭示了根據所附獨立請求項一用於發光裝置的反射表面子組體。較佳之額外態樣則揭示在附屬請求項中。
文中將參照本發明理想組態的示意圖式來描述本發明的多種態樣。如此，可預期該等圖式會因如製程技術及/或公差之緣故而有形狀上的差異。因此通篇說明書中所揭示之本發明多種態樣不應被理解成是受限於文中所例示和描述的特定元件形狀(例如區域、層結構、區段、基板等)，而是要含括如因製造所產生各種在形狀上的偏差。舉例而言，被例示或描述為矩形的元件可具有圓形或弧形的特徵及/或梯度遞減的邊緣，而非其元件間有不連續的梯度變化。因此，圖式中所例示之元件係為示意性質，其形狀並非意欲用於表明該些元件的精確形狀，亦非意欲要限制本發明之範圍。
吾人將可瞭解到，當區域、層、區段、基板等元件被描述成是位於另一元件「之上」時，它可以是直接位於該另一元件之上或是中間存在有其他元件。相反地，當一元件被描述成「直接位於」另一元件上時，便表示其間沒有任何中介元件。吾人將進一步瞭解到，當一元件被描述成是「形成於」另一元件之上時，其表示它可以成長、沈積、蝕刻、附著、連接、耦合或是準備或製造等方式形成在該另一元件或中介元件上。
再者，文中可以使用「下」或「底」以及「上」或「頂」等相對性詞彙來描述如圖中所示一個元件與另一元件之間的關係。吾人將瞭解到，相對性詞彙係要用來涵蓋圖式內所描繪方位以外其他不同的設備方位。藉由範例之方式，若將該等圖式內的設備翻轉，則原本被揭露是位在其他元件「下方」的元件就會變成位在其他元件的「上方」。因此，根據設備之特定方位，「下方」一詞可能會視設備的特定方位而定而同時了涵蓋「下方」與「上方」兩者。同樣地，若圖式中的設備被翻轉，則原本位在其他元件「之下」或「底下」的元件就會變成位在其他元件「之上」。因此，「之下」或「底下」等詞可能會同時涵蓋之上與之下。
除非另有定義，否則文中所用的所有詞彙(包含技術性與科學性詞彙)將與本領域所屬一般技藝人士所認知者意義相同。吾人將進一步瞭解到該些詞彙(像是那些常用字典內所定義者)應被解譯成具有與其在相關技術及本發明情境中一致之意涵。
如文中所使用者，除非上下文中另有明確指出，否則單數型態的「一」和「該」等詞也意欲含括複數的型態。吾人將進一步瞭解到，「包含」一詞在說明書中使用時係指明了所陳述之特徵、整體、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但並不排除還有一或多個其他的特徵、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其中之群組的存在或加入。「及/或」一詞包含一或多個所列出相關項目的任何與所有組合。
本發明所揭示的多種態樣可參照一或多個示範性組態來說明。文中所使用的「示範」一詞係意味著「作為一範例、實例或例示」，且應不需被視為是較文中所揭示的其他組態來的優先或為佳。
再者，文中所使用的多種描述性詞彙，像是「之上」與「透明」等，應被給予在本說明書上下文中所可能的最廣意涵。例如：當一層結構被說成是位於另一層「之上」時，吾人應瞭解該層可以以直接或間接地沈積、蝕刻、附著或者製備或製造等方式形成於另一層結構之上或之下。此外，被描述為「透明」的物體應被理解成是具有不會顯著阻礙或吸收相關特定波長(或多個波長)範圍內電磁輻射之特性，除非其有提供特定的透射率。
第一(a)圖描繪出根據本發明一態樣中一發光裝置的反射表面子組體100之概念性截面圖。除了作為機械支撐外，一大體上平坦的基板102通常會用來作為發光裝置的散熱手段。當用於後者的功能時，該基板102會以高導熱性材料製成。這類材料可包含金屬(如Al、Cu、Si基材料)，或其導熱性適用於論述中發光裝置的任何其他材料。本領域之熟習技藝人士將理解到，適用於如功耗為35毫瓦(mW)的發光裝置之材料與適用於如功耗為350 mW的發光裝置之材料是不同的。在平坦度係指不規則區域的間隔大於粗糙度取樣長度的觀念下，吾人應能瞭解平坦度係不同於粗糙度。若平坦度內的不規則區域不會導致光線受這種不規則區域影響而反射，則材料會被視為是大體上平坦的。
該基板102的上表面104不需要進行如拋光、磨光或任何其他的處理來獲取任何特定的反射率。反而，藉由將高反射率的一材料層106施予在該上表面104的選擇區上可達成吾人所欲之反射率。參照第二圖將更能闡明此概念。第一圖與第二圖之間相同的元件不會被重複描述，該等相同元件的元件符號相差100，即第一圖的元件符號102在第二圖中會變為元件符號202。
請參閱第二圖，該基板202的該上表面204係被描繪成具有粗糙度，其以一參數Rt_substrate
表示。該Rt_substratet
為該上表面204中該最高峰值高度與該最深谷值深度間之差值。直接施予於該基板202的該上表面204的該層206係被描繪為具有一上表面207。該層206的可變厚度以一參數Rt_layer
表示。該Rt_layer
為該上表面207與該上表面204中最深谷值深度之間的差值。只要Rt_layer Rt_substrate
，該層206會填滿該上表面204中的不規則區域。換言之，該層206的材料會蓋滿該基板202直至該上表面204的水平207。因此，該基板202不會影響反射比，該反射比會單獨由該層206的組成來決定。本領域的技藝人士將瞭解到，儘管該層206係直接施予於該基板202的該上表面204上，亦可如下文所詳述般施予一額外、厚度不變的薄層(未圖示)，其厚度根本上仿照(因此不改變)該上表面204的粗糙度
本領域之技藝人士都清楚的知道，降低表面粗糙度會提高製造成本，適當地選擇該層206的材料以及/或用以將該層206直接施予於該基板202的該上表面204上之技術將可影響到吾人所需的粗糙度。在一態樣中，該上表面204的粗糙度係介於0.05至5微米之間。
復參照第一(a)圖，若該層106的總反射比大於或等於75%，則其材料會被視為具有高反射比。如同下文中所詳細論述者，該層106的材料亦應擁有漫射比而非鏡面反射比。在至少75%的總反射比中，至少有50%應為漫射比。當然，漫射比的比例越高，照明效率越好，因此最好是使用具有70%總反射比或是接近100%總反射比之材料。該層106額外所需的材料特性可以是如非氧化表面、低成本以及容易施予於該基板上等。
該層106所施予之區域會根據該基板102上發光裝置組合108所決定的放置位置來選擇，使得從該發光裝置組合108往不預期方向發出的光子會被該層106反射。該發光裝置組合108之位置是取決於多種考量的設計選擇，例如：發光裝置組合的類型、發光裝置組合的數量與排列方式、材料106的導熱性以及該領域之技藝人士所知的其他考量。
據此，第一(a)圖中描述出一種所選區域不會包含那些在設計期間被設定來為該發光裝置組合108所佔用的區域之設計。雖然第一(a)圖中描述了n個發光裝置組合108(1)-108(n)，本發明揭露同樣可適用於單一的發光裝置組合108，即僅考量第一圖中箭頭114所侷限的該部分。
如所描繪者，每一發光裝置組合108包含一個發光裝置晶片110，該發光裝置晶片110底部具有一高反射比的材料層112。為了避免第一圖過於雜亂，所以圖中僅描繪出帶有元件符號110(1)和112(1)的第一發光裝置組體108(1)。這種發光裝置組合108在商業上可用於高功率的發光裝置，其中該層112更可提供散熱效能。因此，該層112可達成該層106的功能，即反射那些朝該發光裝置晶片110底部方向發出的光子，以及提供低熱阻給該基板102。
雖然在原理上該層106亦可施予在該發光裝置組合108所佔用的區域上，不過此舉可能會增加該發光裝置組合108與該基板102之間的熱阻。本領域之技藝人士將瞭解到，包含該層112的材料可與包含該層106的材料一致(但非必要)。
相較之下，某些功率較低的發光裝置組合省略該層112，因此只包含該發光裝置晶片110。如上文所述者，因為該基板102並未進行處理來獲得任何特定的反射比，所以其可能會使朝該發光裝置組合底部方向發出的光子被吸收而導致發光效率損失。第一(b)圖描繪出根據本發明所揭示這類態樣中一發光裝置的反射表面子組體100範例之概念性截面圖。如果吾人無法接受照明反射比潛在的損失，則可在該發光裝置晶片110所佔用的區域上(未示於第一圖中)施予該層材料106。雖然這類設計可能會增加該發光裝置組合108與該基板102之間的熱阻，不過由於該發光裝置的功率低，所以該設計適合作為一替代設計，即為將該發光裝置組合108放置在該基板上，並對該發光裝置晶片110下方的該基板102進行處理以提供特定的反射比。
現在下文中將參照第三圖說明用於該層106且具有高反射比的材料之散射特性所能帶來之好處。第一圖與第三圖之間相同的元件不會被重複描述，該等相同元件的元件符號相差了100的倍數，即第一圖中的元件符號102在第三圖中會變為元件符號302。
現在請參照第三(a)圖，一發光裝置的反射表面子組體300進一步包含一外殼316。該外殼316係作為一使裝置免受周圍環境影響的保護手段，且視情況其亦可作為將發出的光子往吾人所欲方向集中或散射的手段。該發光裝置組合308(n)發出的光子318會沿著虛線箭頭320所描繪之路徑傳播，通過折射係數為n1
的介質，而到達以折射係數為n2
的材料所製成之該外殼316。該等折射係數n1
、n2
之間的差異造成了一反射介面。根據該等折射係數n1
、n2
以及光子318到達時與該外殼316法線所呈之角度，可使光子318從該外殼316反射而回。之後反射的光子318會傳回並到達以折射係數為n3
的材料所製成之該層106。如此，折射係數n1
、n3
的差異會造成一反射介面，且若該層306為鏡面反射性質，則依照反射定律，其會以等於朝向該外殼316的入射角之反射角反射。此行為會一直重複直到光子318的能量消失。
如第三(b)圖所描繪者，上述機制會因為該層材料306為漫射性質(diffusively reflective)而改變。因為該材料306的漫射層表面粗糙不平之緣故，光子318會以不同的角度反射，因此，由於該外殼316處的入射角已然改變，故當光子318到達該外殼316時不會被反射。
請參閱第一圖和第三圖，該層106(306)係被描繪成與該發光裝置組合108(308)相鄰，即未被該層106(306)覆蓋之區域等同於該發光裝置組合108(308)之區域。本領域之技藝人士將瞭解到，「相鄰」與「等同於」兩詞應依照技術而非嚴格的字面意義來解譯，亦即該層106(306)與該發光裝置組合108(308)之間的裝配並非零公差。然而，因為該發光裝置晶片110(310)所產生的一些光子會朝讓該等光子到達該基板102(302)的該上表面104(304)並為之反射的方向發射，而非到達該層106(306)，故這類非零公差對光萃取度下降的影響可忽略不計。無論如何，要在生產環境中達到這樣的裝配條件是困難且/或昂貴的。因此，第四圖描繪出一種替代性配置。第一圖、第二圖和第四圖之間相同的元件不會重複描述，該等相同元件的元件符號相差100的倍數。
請參照第四(a)圖，該層406與該發光裝置組合408之間的裝配需求已然放寬。在未相鄰之情況下，該層406會延伸至該發光裝置組合408典型尺寸的鄰近處，產生一凹穴422。因此，由於該發光裝置晶片410所產生的一些光子會朝讓該些光子得以到達該凹穴422底部的方向發出，因而其會由該基板402的該上表面404反射，而非由該層406反射，導致發光效率會有不可忽略的下降現象。發光效率的下降可用其他措施緩和，例如將至少該凹穴內的該基板402的該上表面404拋光，或採用第四(b)圖中所描繪的替代性態樣。
第四(b)圖與第四(a)圖的不同之處在於該基板402的該上表面404上增設有一額外的反射材料層424，以藉由改善光子到達凹穴422底部的反射條件進一步改善光萃取能力。如上文中所論述者，該額外的反射材料層424具有固定的厚度，因此本質上可以複製，因而不會改變該上表面404的粗糙度。這種反射材料可為如上述貴重金屬中的任一種。如第四(b)圖中所描繪者，該層424延伸至該發光裝置組合408所佔用的該整個區域下方。因此，該發光裝置組合408可以只包含該發光裝置晶片410，因為該層424已經提供了該層412的功能。在替代例中(未圖示)，該層424可與該發光裝置組合408所佔用的區域相鄰，其中該發光裝置組合408應該包含該發光裝置晶片410與該層412兩者。
本領域的技藝人士將瞭解到，光萃取度下降的可忽略與否係取決於其應用。因此例如：對於要用於指示「開」(LED發光)與「關」(LED熄滅)狀態的LED應用而言，數個百分點或甚至幾十百分點的光萃取度下降都可忽略不計。而另一方面，對於要用於發光的LED應用而言，只有個位數的百分點或甚至更少的百分點才可忽略不計。
雖然如所理解者，任何具有漫射性質且滿足所揭示參數的高反射率材料都可以使用，但本發明者發現，氧化鈦或其他氧化物相或組成例如TiO2
、Ti2
O3
等類似物都可達到良好的結果。視基板/發光裝置組合的外型特徵而定，本發明在發光效率方面的改善可超出使用貴重金屬系的塗佈之相關技術約5至25%，即使已知氧化鈦的鏡面反射率係低於上述該等貴重金屬的鏡面反射率。此結果進一步確認了如上述氧化鈦或其他氧化物相或組成如TiO2
、Ti2
O3
等類似物中固有的漫射比之重要性。該漫射比係由氧化鈦或其他氧化物相或組成例如TiO2
、Ti2
O3
等類似物的隨機結晶方位所提供。除了高總反射比與漫射比以外，根據本發明揭露所採用的氧化鈦或其他氧化物相或組成會具有許多該層106材料所需的特性，即非氧化表面、漫散、相對低的成本等。
復參照第一圖，可使用不同的方法將該層106直接施予在該基板102上，例如使用分散、刷塗法等。然而，目前業已發現採用已知的厚膜技術(如網印法)非常有效，特別是對於二氧化鈦層106。因此，為了簡化起見，文中將就二氧化鈦來描述該製程。然而，本領域之技藝人士將瞭解到，根據文中所揭示之概念，該製程同樣適用於可能包含層106的其他材料。本領域之技藝人士將進一步瞭解到，「厚膜」一詞係代表一種特定的技術，且不限於對每一層的任何特定厚度。
完成該發光裝置之設計後，一基板102係以適當的材料來製造。之後準備具有選取區域的模板或網板來將可固化的二氧化鈦糊狀物其固化後會形成該層106直接轉印到所選取之該基板102上。使用包含聚合物基質、二氧化鈦填充劑、以及額外的流變添加劑(調整該糊狀物之流變特性)的二氧化鈦糊狀物組成物可達成良好的結果。該等額外的流變添加劑包含如矽石(silica)、礬土(alumna)、氧化鋅、氧化鎂、滑石(talc)和本領域技藝人士已知的其他添加劑，其可單獨或結合使用。該等組成物元素，如聚合物之選擇、顆粒大小、載量等，都需要進行最佳化以確保該糊狀物的流變性遵循擬塑性行為(pseudo-plastic behavior)。
根據上述要求，在一態樣中，該聚合物基質可包含任何可確保該二氧化鈦糊狀物與所選取的該基板102的表面結合良好之可固化矽膠。最好選擇具有氫化物、氫氧基或其他反應性官能基等具有優異結合特性的聚合物。該二氧化鈦填充劑可包含平均大小介於100奈米至20微米之間的顆粒，且視該等二氧化鈦粒子的特定表面積而定，其載量可介於10%至75%之間。該等流變添加劑的顆粒大小與載量係經過選擇，以便如上文所述般適當地調整其流變特性。因此，藉由範例之方式，如未處理過的燻矽(fumed silica)等這類矽石可包含平均大小為幾十微米的粒子，且其載量介於0%至4%，來結合如燻鋁等載量介於0.1%至2%的這類礬土。
只要根據文中所揭示之指南準備該二氧化鈦糊狀物，該二氧化鈦糊狀物便可被轉移至該網印機上的網板，並根據本技術中已知的方法進行網印。因此可用習知的網印機來將二氧化鈦糊狀物網印到所選取的該基板上。在將二氧化鈦糊狀物轉印至該基板上時，溫度在第一時間間隔期間會維持在室溫。在一態樣中，該第一間隔為20分鐘。之後將其上具有該二氧化鈦糊狀物的該基板放在爐子內，在第二時間間隔期間進行預先固化。在一態樣中，該爐子的溫度在第二間隔期間會上升至110 ℃。在一態樣中，該第二時間間隔為一到兩小時。之後溫度會上升，而該二氧化鈦糊狀物在此第三溫度下會固化一段第三時間間隔。在一態樣中，視該糊狀物的組成而定，該第三溫度大約是150 ℃，且該第三時間間隔介於2至4小時之間。
文中提供了本發明揭露的多種態樣讓本領域的技藝人士可實行本發明。本領域之技藝人士將可輕易瞭解對於通篇揭露書中所呈現之多種態樣的修改例，且文中所揭示的該等概念可延伸至其他應用。因此，本案之申請專利範圍並不侷限於本發明揭示中所呈現用於發光裝置反射表面的多種態樣，而係要給予與該申請專利範圍用語一致的完整範圍。與通篇揭露書中所描述的多種態樣之元件等同的所有結構性與功能性均等物在此都明確地併於文中作為參考，且意欲涵蓋在申請專利範圍之內。再者，不論申請專利範圍中是否明確地引述本發明所揭示者，文中所揭示之內容皆非專門針對公眾所示。再者，除非其中的元件是使用「功能手段性(means for)」片語明確地引述，或者是在方法請求項中使用「用於…之步驟(step for)」片語來引述該元件，否則文中沒有任何的請求項元件是以35 U.S.C. §12第六章之條文來理解。
100．．．子組體
102．．．基板
104．．．上表面
106．．．層/材料
108(1)-108(n)．．．發光裝置組合
110．．．發光裝置晶片
112．．．層
114．．．箭頭
202．．．基板
204．．．上表面
206．．．層
207．．．上表面
300．．．子組體
302．．．基板
304．．．上表面
306．．．層/材料
308．．．發光裝置組合
310．．．發光裝置晶片
316．．．外殼
318．．．光子
320．．．箭頭
402．．．基板
404．．．上表面
406．．．層
408．．．發光裝置組合
410．．．發光裝置晶片
412．．．層
422．．．凹穴
424．．．層
參照下列說明並配合附圖將可更輕易地理解文中下述的多種實施態樣，其中：
第一圖描繪出根據本發明所揭示之態樣中一發光裝置範例的概念性截面圖；
第二圖描繪出一其上施予有一漫射層的基板之概念性截面圖；
第三圖描繪出根據本發明所揭示另一態樣中一發光裝置範例的概念性截面圖；以及
第四圖描繪出一發光裝置組合周遭區域的細節，即反射層形成了一凹穴。
100．．．子組體
102．．．基板
104．．．上表面
106．．．層/材料
108(1)-108(n)．．．發光裝置組合
110．．．發光裝置晶片
112．．．層
114．．．箭頭
Claims (15)
- 一種發光裝置之反射表面子組體製造方法，該方法包括：提供一基板；在該基板的表面上決定至少一區域來放置一發光裝置；及在所選取的該基板表面區域上施予一漫射層，其中當該發光裝置放置在該至少一區域上，則該漫射層會反射該發光裝置發出的光子；其中該施予一漫射層之步驟包含施予一糊狀物包含：一聚合物基質；一氧化鈦或其他氧化物相或組成之填充劑；及一流變添加劑。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置之反射表面子組體製造方法，其中該提供一基板之步驟包含製作一大致平坦的基板。
- 如申請專利範圍第2項之發光裝置之反射表面子組體製造方法，其中該大致平坦的基板之粗糙度介於約0.05至5微米之間。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置之反射表面子組體製造方法，其中該漫射層之特徵為至少50%的漫射比。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置之反射表面子組體製造方法，其中該漫射層之特徵為至少70%的漫射比。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置之反射表面子組體製造方法，其中該施予一漫射層之步驟填平該基板表面上的不規則區域。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置之反射表面子組體製造方法，其中該糊狀物之施予係使用一模板來定義該基板表面的所選取區域，且更進一步包含在施予後固化該糊狀物。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置之反射表面子組體製造方法，其中該流變添加劑包含一或多個矽石與礬土。
- 如申請專利範圍第8項之發光裝置之反射表面子組體製造方法，其中該糊狀物成分的載量包含：含量10%-75%的該氧化鈦或其他氧化物相或組成之填充劑；含量0%-4%的該矽石；以及含量0.1%-2%的該礬土。
- 如申請專利範圍第8項之發光裝置之反射表面子組體製造方法，其中該氧化鈦或其他氧化物相或組成之 填充劑包含二氧化鈦填充劑。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置之反射表面子組體製造方法，其中施予有該漫射層於其上之上該所選取的該基板表面區域會排除保留來放置該發光裝置之該至少一區域。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置之反射表面子組體製造方法，其中該所選取的該基板表面區域包含保留來放置該發光裝置之該至少一區域。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置之反射表面子組體製造方法，其中決定保留來放置該發光裝置的該至少一區域之步驟包含預定至少一大於要放置在所保留之該至少一區域內的該發光裝置之面積的區域。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置之反射表面子組體製造方法，其中該在所選取的該基板表面區域上施予一漫射層之步驟包含藉由網印方式在該所選取的該基板表面區域上施予一漫射層。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置之反射表面子組體製造方法，更包含將一發光裝置組合放置在保留來放置該發光裝置的該至少一區域。
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