TWI425291B - 調焦模組及調焦模組的製造方法 - Google Patents

Description

調焦模組及調焦模組的製造方法

本發明涉及一種調焦模組及調焦模組的製造方法。

隨著電子產品朝著小型化、微型化方向發展，微型數位鏡頭模組已廣泛運用於手機以及手提電腦等多項產品中。然而由於微型數位鏡頭模組過於微小，傳統相機所使用的調焦以及對焦功能的機構，如馬達以及齒輪等元件，由於體積以及重量等限制，並不能運用於微型數位鏡頭模組內，從而大部分微型數位鏡頭模組都不具備調焦功能。

隨著人們物質需求的增長，人們越來越希望一種具備調焦功能的微型數字鏡頭出現。

有鑒於此，有必要提供一種結構緊湊、體積微小的調焦模組。

一種調焦模組，其包括基座、保持體及鏡片。所述鏡片固定於所述保持體上，所述保持體與所述基座相對設置，所述保持體能夠相對所述基座沿鏡片光軸方向移動。所述基座設置有第一磁體，所述保持體橫截面係矩形，所述調焦模組還包括彈性件及第二磁體，所述第二磁體固定於所述保持體上，所述第二磁體與所述第 一磁體相對，所述彈性件呈長條狀，所述彈性件包括第一端部、第二端部及至少一個“ㄈ”型彎折，所述彈性件設置於所述保持體邊緣，所述彈性件的“ㄈ”型彎折的兩條側邊與所述保持體邊緣平行，所述彈性件的橫截面垂直於所述鏡片的光軸，所述彈性件的第一端固定於所述保持體上，所述彈性件的第二端固定於所述基座上，所述第一磁體及第二磁體中至少有一個磁體極性可變。

一種調焦模組製造方法，其包括以下步驟：提供一個第一晶圓，該第一晶圓具有一個第一晶圓第一表面及一個第一晶圓第二表面；在第一晶圓第一表面一側採用鍍膜及微影光蝕刻技術定義通光孔的位置；在第一晶圓第二表面一側利用鍍膜技術製作第一絕緣層；在第一絕緣層上用先蝕刻定義導線的位置再鍍金屬膜形成導線的方法製作第二磁體與外界連通的導線；利用鍍膜技術製作第二絕緣層；在第二絕緣層上利用微影光蝕刻技術製作連接於導線與第二磁體之間的導通槽；在第二絕緣層上利用微影技術定義出第二磁體的位置，再電鍍金屬製作第二磁體；根據定義出的通光孔的位置加工通光孔；提供一個第二晶圓，該第二晶圓具有一個第二晶圓第一表面及一個第二晶圓第二表面；在第二晶圓第一表面一側通過微影技術定義出金屬層的位置，再電鍍鎳製作出第一磁體；在第二晶圓第二表面一側利用微影光刻技術製作彈性件及載鏡孔；提供一個鏡片，將鏡片固定於載鏡孔內；將彈性件一端相對所述基座固定，製成調焦模組。

本發明所提供的調焦模組通過第一磁體及第二磁體磁性相斥或相 吸來改變保持體與基座之間的距離，以此實現鏡片位置的變化，達到調焦的功能，由於省去傳統的馬達、齒輪等零件，所以大大的減小了調焦模組的體積。

1‧‧‧調焦模組

10‧‧‧基座

10a‧‧‧基座第一表面

10b‧‧‧圓形通光孔

11‧‧‧第一磁體

11a、11b‧‧‧電訊號輸入端子

21‧‧‧框架

21a‧‧‧內表面

22‧‧‧保持體

22a‧‧‧保持體第二表面

22b‧‧‧載鏡孔

22c‧‧‧保持體側面

23‧‧‧彈性件

23a‧‧‧彈性件第一端

23b‧‧‧彈性件第二端

23c‧‧‧“ㄈ”型彎折

230c、231c‧‧‧“ㄈ”型彎折側邊

24‧‧‧第二磁體

30‧‧‧鏡片

200‧‧‧第一晶圓

201‧‧‧第一晶圓第一表面

202‧‧‧第一晶圓第二表面

203‧‧‧第一金屬薄膜

204‧‧‧第一光阻劑

205‧‧‧第一凹槽

206‧‧‧第一絕緣層

207‧‧‧第二光阻劑層

208‧‧‧第二金屬薄膜

208a‧‧‧導線

209‧‧‧第二絕緣層

210‧‧‧第三光阻劑層

210a‧‧‧通槽

211‧‧‧第一電鍍起始層

212‧‧‧第四光阻劑層

212a‧‧‧線圈槽

300‧‧‧第二晶圓

301‧‧‧第二晶圓第一表面

302‧‧‧第二晶圓第二表面

303‧‧‧第五光阻劑層

303a‧‧‧第二凹槽

304‧‧‧第三電鍍起始層

305‧‧‧第三金屬薄膜

306‧‧‧第六光阻劑層

307‧‧‧第三凹槽

308‧‧‧第四金屬薄膜

309‧‧‧第七光阻劑層

309a‧‧‧彈性體凹槽

圖1為本發明實施方式提供的調焦模組的示意圖；圖2為圖1的調焦模組的分解圖；圖3為圖1的調焦模組未通電的狀態示意圖；圖4為圖1的調焦模組的保持體被排斥運動的示意圖；圖5為圖1的調焦模組的保持體被吸引運動的示意圖；圖6至圖18為本發明實施方式提供的調焦模組的製造方法的示意圖。

下面將結合附圖，對本發明作進一步的詳細說明。

請參閱圖1及圖2，本發明實施方式提供的一種調焦模組1，其包括基座10、框架21、保持體22、彈性體23、第二磁體24及鏡片30。所述鏡片30固定於保持體22上，所述保持體22與所述基座10相對，所述保持體22能夠相對所述基座10沿鏡片30光軸OO’方向移動。

本實施方式中，所述基座10係由半導體制程技術製成的多層複合基板。所述基座10的橫截面係矩形。

所述基座10包括四個第一磁體11，所述第一磁體11固定於基座10 的第一表面10a上，所述基座10中心加工有圓形通光孔10b。所述四個第一磁體11沿通光孔10b邊緣呈矩形排列。所述第一磁體11可以係電磁線圈或永磁體。本實施方式中，所述第一磁體11係在基座10上利用半導體制程電鍍銅製成的線圈。所述第一磁體11具有兩個電訊號輸入端子11a、11b。所述電訊號輸入端子11a、11b通過半導體制程在所述基座10內佈設的導電層與所述第一磁體11連接。當電訊號輸入端子11a、11b接入不同極性的電壓，所述第一磁體11產生不同的磁極性。

所述框架21、保持體22及彈性件23為一體結構。本實施方式中，所述框架21、保持體22及彈性件23通過半導體制程利用矽加工而成。所述框架21利用膠粘結於所述基座10的電訊號輸入端子11a、11b上。

所述保持體22容置於所述框架21內。所述框架21及保持體22橫截面均為矩形。所述框架21與所述保持體22之間通過所述彈性件23連接。所述保持體22包括第二表面22a、載鏡孔22b及側面22c，所述鏡片30容置於所述載鏡孔22b內。本實施方式中，利用膠將所述鏡片30固定於所述載鏡孔22b內。所述第二表面22a面向所述基座10的第一表面10a，所述載鏡孔22b中心、鏡片30中心及所述基座10的通光孔10b中心均位於同一光軸OO’上。所述框架21包括內表面21a。

所述彈性件23連接於所述框架21與保持體22之間。所述彈性體23呈長條狀，所述彈性件23的橫截面垂直於所述鏡片30的光軸OO’。所述彈性件23包括第一端23a、第二端23b及至少一個“ㄈ”型 彎折23c。所述彈性件23的“ㄈ”型彎折23c的兩條側邊230c、231c與所述保持體22邊緣22c平行。本實施方式中，所述彈性體23為長片狀結構，且包含一個“ㄈ”型彎折。所述彈性件23的第一端23a固定於所述保持體22側面22c上，所述彈性件的第二端23b固定於所述基座10上。本實施方式中，所述彈性件23的第二端23b固定於所述框架21的內表面21a上。可以理解，所述彈性件的第二端23b也可以固定於固定所述基座10的鏡筒(圖中未標示)內。

所述彈性件23由於其形狀係“几”字形，有力學知識分析可以知道在長軸方向，即在X方向剛性最強，而在短軸方向，即圖中的Y軸方向稍弱。在垂直於橫截面的Z方向剛性最差，最容易產生變形。由此，該彈性件23連接在所述保持體22及框架21之間時，可以保證保持體22在鏡片30的光軸OO’方向受到很小的力就可以實現鏡片30的移動，從而用於進行調焦。而由於彈性件23設計成“几”字型，可以保證彈性件23在與鏡片30光軸OO’垂直的平面上剛性強，從而在相機發生晃動時有效的減低鏡片30的偏移。在實現結構微型化的同時增強了抗抖動的能力。

請參閱圖3、圖4及圖5。所述第二磁體24可以係電磁線圈或永磁體。本實施方式中，所述第二磁體24採用永磁體制成的磁性薄膜。所述第二磁體24可以利用粘結劑粘結於所述保持體22上，或利用機械力固定於保持體22上。本實施方式中，在所述保持體22的表面22a上利用電鍍鍍一層具有磁性的鎳薄膜作為所述第二磁體24。

該調焦模組1固定於鏡筒(圖中未標示)中。當所述調焦模組1工作時，在第一磁體11的電訊號輸入端子11a、11b接入不同極性的電壓，使得所述第一磁體11產生不同的磁極性，由於所述第二磁體24也帶有磁極性，根據同性相斥，異性相吸的原理，所述第二磁體24由於受到吸引或排斥，從而靠近或遠離所述第一磁體11，由此帶動鏡片30沿光軸OO’前後移動，從而用於實現調焦。

本發明還提供一種調焦模組1的製造方法，其包括以下步驟：

(a)請參閱圖6，首先提供一個第一晶圓200，該第一晶圓200具有第一晶圓第一表面201及第一晶圓第二表面202；

(b)請參閱圖7，在第一晶圓第一表面201一側採用鍍膜及微影光蝕刻技術定義通光孔10b的位置。首先在所述第一晶圓第一表面201上形成一層第一金屬薄膜203。本實施方式中，所述第一金屬薄膜203採用金屬鋁。該第一金屬薄膜203可以採用濺鍍或蒸鍍的方式形成在所述第一晶圓第一表面201上。本實施方式中，所述第一金屬薄膜203採用濺鍍的方式形成在所述第一晶圓第一表面201上，再通過微影光蝕刻技術定義出通光孔10b的位置。該定義通光孔10b的步驟具體包括以下幾個過程。首先，在所述第一金屬薄膜203上塗布一層第一光阻劑層204，所述第一光阻劑204可以係正型光阻劑，也可以係負型光阻劑。本實施方式中，所述第一光阻劑層204係負型光阻劑。對上述第一光阻劑層204利用預先繪製的有圖案的光罩(圖中未標示)進行曝光，本實施方式中，將預先繪製有圖案的光罩架設於所述第一光阻劑層204一側的上方，採用黃光光源對第一光阻劑層204進行曝光，再進行顯影 。本實施方式中，採用耦合電漿蝕刻法將光罩的圖案轉寫到第一光阻劑層204上。最後進行蝕刻，形成第一凹槽205，該凹槽205可以通過濕法化學蝕刻或耦合電漿蝕刻。本實施方式中，採用耦合電漿蝕刻第一金屬薄膜203，形成第一凹槽205定義出通光孔10b的位置，並去除第一光阻劑層204。

(c)請參閱圖8，在第一晶圓第二表面202一側利用鍍膜技術製作第一絕緣層206。在所述第一晶圓第二表面202上沉積氮化矽薄膜，該氮化矽薄膜作為第一絕緣層206。本實施方式中，所述第一絕緣層206採用化學氣相沉積的方法進行鍍膜。

(d)請參閱圖9，在第一絕緣層206上先蝕刻定義導線208a的位置再鍍金屬膜形成導線的方法製作第一磁體11與外界連通的導線208a。本實施方式中，通過微影光蝕刻技術定義出導通第二磁體與外界的導線208a的位置。首先在所述第一氮化矽薄膜206上塗布一層第二光阻劑層207，所述第二光阻劑207可以係正型光阻劑，也可以係負型光阻劑。本實施方式中，所述第二光阻劑層207係負型光阻劑。對第二光阻劑層207利用預先繪製的有圖案的光罩(圖中未標示)進行曝光，本實施方式中，將預先繪製有電路圖的光罩架設於所述第二光阻劑層207一側的上方，採用黃光光源對第二光阻劑層207進行曝光，再進行顯影。本實施方式中，採用耦合電漿蝕刻法將光罩的電路圖案轉寫到第二光阻劑層207上，定義出導線208a的位置。

製作導線208a。鍍第二金屬薄膜208，所述第二金屬薄膜208採用金屬鋁。去除第二光阻劑層207，留下鍍於第一絕緣層206上的第 二金屬薄膜208，形成導通第二磁體與外界的導線208a。

(e)請參閱圖10，利用鍍膜技術製作第二絕緣層209。本實施方式中，採用化學氣相沉積的方法鍍一層氮化矽薄膜作為第二絕緣層290。

(f)請參閱圖11，在所述第二絕緣層209上利用微影光蝕刻技術製作連接於導線208a與第一磁體11之間的導通槽210a。首先，在所述第二絕緣層209上塗布一層第三光阻劑層210，所述第三光阻劑層210可以係正型光阻劑，也可以係負型光阻劑。本實施方式中，所述第三光阻劑層210係負型光阻劑。對上述第三光阻劑層210利用預先繪製的有圖案的光罩(圖中未標示)進行曝光。本實施方式中，將預先繪製有圖案的光罩架設於所述第三光阻劑層210一側的上方，採用黃光光源對第三光阻劑層210進行曝光，再進行顯影。本實施方式中，採用耦合電漿蝕刻法將光罩的圖案轉寫到第三光阻劑層210上，定義出導通槽210a的位置。最後進行蝕刻，在所述第二絕緣層209上形成導通槽210a。蝕刻第二絕緣層209可以通過濕法化學蝕刻或耦合電漿蝕刻。本實施方式中，採用耦合電漿蝕刻第二絕緣層209，形成導通槽210a。

(g)請參閱圖12，利用微影技術定義出第一磁體11及電訊號輸入端子11a、11b的位置，再電鍍金屬製作第一磁體11及電訊號輸入端子11a、11b。由於銅結合強度很差，為使隨後的銅電鍍層結合牢固。本實施方式中，鍍一層第一電鍍起始層211。所述第一電鍍起始層211可以係金或鈦。本實施方式中，所述第一電鍍起始層211採用金。

通過微影技術定義出第一磁體11的位置。該制程包括：首先在所述第一電鍍起始層211上塗布一層第四光阻劑層212，所述第四光阻劑層212可以係正型光阻劑，也可以係負型光阻劑。本實施方式中，所述第四光阻劑層212係負型光阻劑。對上述第四光阻劑層212利用預先繪製的有圖案的光罩(圖中未標示)進行曝光。本實施方式中，將預先繪製有線圈圖案的光罩架設於所述第四光阻劑層212一側的上方，採用黃光光源對第四光阻劑層212進行曝光，再進行顯影。本實施方式中，採用耦合電漿蝕刻法將光罩的線圈圖案轉寫到第四光阻劑層212上，形成用於生成第一磁體11的線圈槽212a。

在所述線圈槽213內電鍍銅形成第一磁體11。本實施方式中，在所述線圈槽213內電鍍銅形成線圈作為第一磁體11。去除第四光阻劑層212，蝕刻第一電鍍起始層211，留下第一電鍍起始層211被第一磁體11覆蓋的部分。在第一磁體11上加工電訊號輸入端子11a、11b。

(h)請參閱圖13，根據定義出的通光孔10b的位置加工通光孔10b。本實施方式中，根據步驟b定義出的通光孔10b的位置，在每個基座10中心開孔形成通光孔10b，製成基座10。

(i)請參閱圖14，提供一個第二晶圓300，該第二晶圓300具有一個第二晶圓第一表面301及一個第二晶圓第二表面302。

(j)請參閱圖15，通過微影技術定義出金屬層的位置，再電鍍鎳製作出第二磁體24。為使隨後的鎳電鍍層結合效果更好，在所 述第二晶圓第一表面301上形成第二電鍍起始層302，所述第二電鍍起始層302可以係金或鈦。本實施方式中，所述第二電鍍起始層302採用金。然後通過微影技術定義出第二磁體24的位置。該微影制程包括：首先，在所述第二電鍍起始層302上塗布一層第五光阻劑層303。所述第五光阻劑層303可以係正型光阻劑，也可以係負型光阻劑。本實施方式中，所述第五光阻劑層303係負型光阻劑。對上述第五光阻劑層303利用預先繪製的有圖案的光罩(圖中未標示)進行曝光。本實施方式中，將預先繪製有圖案的光罩架設於所述第五光阻劑層303一側的上方，採用黃光光源對第五光阻劑層303進行曝光，形成用於形成第二磁體24的第二凹槽303a。在所述第二凹槽303a內電鍍鎳，去除第五光阻劑層303及第五光阻劑層303下對應的部分第二電鍍起始層302，形成第二磁體24。

(k)請參閱圖16，利用微影光刻技術製作彈性件23及載鏡孔22b。為使隨後的鋁電鍍層結合效果更好，電鍍第三電鍍起始層304。本實施方式中，鍍一層第三電鍍起始層304。所述第三電鍍起始層304可以係金或鈦。本實施方式中，所述第三電鍍起始層304採用金。

在第二晶圓第二表面302上形成一層金屬鋁的第三金屬薄膜305；該金屬鋁可以採用濺鍍或蒸鍍的方式進行。本實施方式中，所述第三金屬薄膜305採用濺鍍的方式進行鍍膜。通過微影光刻技術定義出彈性件23、載鏡孔22b及框架21的位置。通過微影光刻技術定義出彈性件23、載鏡孔22b及框架21的位置。該微影光刻制 程包括：首先在所述第三金屬薄膜305上塗布一層第六光阻劑層306，所述第六光阻劑層306可以係正型光阻劑，也可以係負型光阻劑。本實施方式中，所述第六光阻劑層306係負型光阻劑。對上述第六光阻劑層306利用預先繪製的有圖案的光罩(圖中未標示)進行曝光。本實施方式中，將預先繪製有圖案的光罩架設於所述第六光阻劑層306一側的上方，採用黃光光源對第六光阻劑層306進行曝光。再進行顯影，本實施方式中，採用耦合電漿蝕刻法將光罩的圖案轉寫到第六光阻劑層306上。最後進行蝕刻，形成第三凹槽307。所述第三凹槽307可以通過濕法化學或耦合電漿進行蝕刻。本實施方式中，採用耦合電漿蝕刻第三金屬薄膜305，形成第三凹槽307，定義出彈性件23、載鏡孔22b及框架21的位置。

在所述第三電鍍起始層304上形成第四金屬薄膜308。本實施方式中，所述第四金屬薄膜308材料採用鋁。通過微影光刻技術定義出彈性體23的形狀。首先，在所述第四金屬薄膜308上塗布一層第七光阻劑層309，所述第七光阻劑層309可以係正型光阻劑，也可以係負型光阻劑。本實施方式中，所述第七光阻劑層309係負型光阻劑。對上述第七光阻劑層309利用預先繪製的有圖案的光罩(圖中未標示)進行曝光。本實施方式中，將預先繪製有圖案的光罩架設於所述第七光阻劑層309一側的上方，採用黃光光源對第六光阻劑層306進行曝光。再進行顯影，形成彈性體凹槽309a。本實施方式中，採用耦合電漿蝕刻法將光罩的圖案轉寫到第七光阻劑層309上。最後進行蝕刻，定義出彈性體的23位置。 本實施方式中，分別蝕刻第四金屬薄膜308、第三電鍍起始層304定義出彈性體的23的形狀。蝕刻第四金屬薄膜308可以通過濕法化學蝕刻或耦合電漿蝕刻。本實施方式中，採用耦合電漿蝕刻技術蝕刻第四金屬薄膜308。

蝕刻形成彈性件23、載鏡孔22b及框架21。本實施方式中，先利用第三凹槽307蝕刻第二晶圓，加工出彈性體23的厚度及容置鏡片30的載鏡孔22b。再利用利用彈性體凹槽309a蝕刻第二晶圓300形成彈性體23及週邊的框架21。

去除第七光阻劑層309，去除第三電鍍起始層304鋁薄膜及第三金屬薄膜305。

(1)請參閱圖17，提供一個鏡片30，將鏡片30固定於載鏡孔22b內。本實施方式中，利用膠將所述鏡片30固定於所述載鏡孔22b內。

(m)請參閱圖18，將彈性件23一端相對所述基座10固定，製成調焦模組1。本實施方式中，由於所述彈性件23的第二端23b與所述框架21相連接，所以利用膠將框架21固定於所述基座10的電訊號輸入端子11a、11b上。所述第二磁體24與所述第一磁體11相對。

通過該制程，可以製作出結構緊湊，體積微小的調焦模組1。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士爰依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

1‧‧‧調焦模組

10‧‧‧基座

11a、11b‧‧‧電訊號輸入端子

21‧‧‧框架

21a‧‧‧內表面

22‧‧‧保持體

22c‧‧‧保持體側面

23‧‧‧彈性件

23a‧‧‧第一端

23b‧‧‧第二端

23c‧‧‧“ㄈ”型彎折

230c、231c‧‧‧“ㄈ”型彎折側邊

30‧‧‧鏡片

Claims (9)

1. 一種調焦模組，其包括基座、保持體及鏡片，所述鏡片固定於所述保持體上，所述保持體與所述基座相對設置，所述保持體能夠相對所述基座沿鏡片光軸方向移動，其改進在於，所述基座設置有第一磁體，所述保持體橫截面係矩形，所述調焦模組還包括彈性件及第二磁體，所述第二磁體固定於所述保持體上，所述第二磁體與所述第一磁體相對，所述彈性件呈長條狀，所述彈性件包括第一端部、第二端部及至少一個“ㄈ”型彎折，所述彈性件設置於所述保持體邊緣，所述彈性件的“ㄈ”型彎折的兩條側邊與所述保持體邊緣平行，所述彈性件的橫截面垂直於所述鏡片的光軸，所述彈性件的第一端固定於所述保持體上，所述彈性件的第二端固定於所述基座上，所述第一磁體及第二磁體中至少有一個磁體極性可變。
2. 如申請專利範圍第1項所述之調焦模組，其中，所述調焦模組還包括一框架，所述框架固定於所述基座上，所述框架圍繞所述保持體設置，所述框架與所述保持體之間通過所述彈性件連接，所述彈性件的第二端固定於所述框架上。
3. 如申請專利範圍第1項所述之調焦模組，其中，所述第一磁體係一磁性膜，所述第二磁體係電磁線圈。
4. 如申請專利範圍第3項所述之調焦模組，其中，第二磁體上設置有電訊號輸入及輸出端。
5. 如申請專利範圍第1項所述之調焦模組，其中，所述第一磁體係 電磁線圈，所述第二磁體係一環型磁鐵。
6. 如申請專利範圍第5項所述之調焦模組，其中，第一磁體上設置有電訊號輸入及輸出端。
7. 如申請專利範圍第1項所述之調焦模組，其中，所述基座開設有通光孔，沿通光孔邊緣設置四個矩形排列的第二磁體。
8. 如申請專利範圍第2項所述之調焦模組，其中，所述框架、保持體及彈性件為一體結構。
9. 一種調焦模組製造方法，其包括以下步驟：提供一個第一晶圓，該第一晶圓具有一個第一晶圓第一表面及一個第一晶圓第二表面；在第一晶圓第一表面一側採用鍍膜及微影光蝕刻技術定義通光孔的位置；在第一晶圓第二表面一側利用鍍膜技術製作第一絕緣層；在第一絕緣層上用先蝕刻定義導線的位置再鍍金屬膜形成導線的方法製作第二磁體與外界連通的導線；利用鍍膜技術製作第二絕緣層；在第二絕緣層上利用微影光蝕刻技術製作連接於導線與第二磁體之間的導通槽；利用微影技術定義出第二磁體的位置，再電鍍金屬製作第二磁體；根據定義出的通光孔的位置加工通光孔；提供一個第二晶圓，該晶圓具有一個第二晶圓第一表面及一個第二晶圓第二表面；在第二晶圓第一表面一側通過微影技術定義出金屬層的位置，再 電鍍鎳製作出第一磁體；在第二晶圓第二表面一側利用微影光刻技術製作彈性件及載鏡孔；提供一個鏡片，將鏡片固定於載鏡孔內；將彈性件一端相對所述第一晶圓固定，製成調焦模組。