TWI425058B - 具有極低折射率的抗反射構造及含有此構造的裝置 - Google Patents

Description

具有極低折射率的抗反射構造及含有此構造的裝置 相關申請案相互參照

本專利申請案請求2009年7月3日申請的台灣專利申請案第98122686號及2009年12月29日申請的第12/655,342號的權益，在此以引用的方式將其全文併入本文以供參考。

本發明關於具有極低折射率，例如可低至1.1，的抗反射構造。

美國專利案第7,135,523 B2號揭示用於製造一系列奈米級微結構的方法，該奈米級微結構包括螺旋形微結構及圓柱形微結構。本方法包括下列步驟：(1)形成含有眾多對掌性第一聚合物團塊及第二聚合物團塊的對掌性團聯共聚物，其中該等對掌性第一聚合物團塊具有介於20至49%的體積分率；(2)造成該對掌性團聯共聚物的相分離。在較佳具體實施例中，該對掌性團聯共聚物為聚(乙烯)-聚(L-乳酸)(PS-PLLA)對掌性團聯共聚物，而且該共聚合方法為活性共聚合方法，其包括下列步驟：(a)使乙烯與BPO及4-OH-TEMPO混合以形成以4-羥基-TEMPO-為末端的聚苯乙烯；及(2)使該4-羥基-TEMPO-為末端的聚苯乙烯與[(η₃ -EDBP)Li₂ ]₂ [(η₃ -"Bu)Li(0.5Et₂ O)]₂ 及L-乳酸在有機溶劑，較佳為CH₂ Cl₂ ，中混合以形成該聚(乙烯)-聚(L-乳酸)對掌性團聯共聚物。穿透式電子顯微鏡(TEM)及小X-射線散射(SAXS)研究顯示當該聚(L-乳酸)的體積分率為約35至37%時，觀察到具有43.8奈米的間距及34.4奈米直徑的奈米級螺旋。

美國專利申請案第2004/0265548 A號揭示製造奈米級物體時使用的奈米圖案化模板。該奈米圖案化模板含有具有週期排列的多孔地形學之奈米多孔性薄膜，該奈米多孔性薄膜係由包含下列步驟的方法製成：(a)利用團聯共聚法製備包含第一及第二聚合物團塊的團聯共聚物，該第一及第二聚合物團塊彼此不相容；(b)在使該等第一聚合物團塊能形成週期性排列形貌的條件之下形成薄膜；及(c)將該等第一聚合物團塊選擇性降解以造成該薄膜變成具有週期排列的多孔地形學的奈米多孔材料。在較佳具體實施例中，該團聯共聚物為聚(乙烯)-b-聚(L-乳酸)(PS-PLLA)對掌性團聯共聚物，該第一聚合物為聚(L-乳酸)，而且該第二聚合物為聚苯乙烯。實驗結果顯示該等第一聚合物團塊可以其垂直於該薄膜表面的軸形成六角的圓柱形地形學。等水解以使該等第一聚合物團塊選擇性降解之後，獲得具有一系列重複奈米級六角-圓柱形通道的薄膜。

美國專利申請案第2006/0124467 A號揭示金屬奈米點陣列及其製造方法。將團聯共聚物的膜沉積在導電基材上。該團聯共聚物包含第一聚合物及第二聚合物團塊，其中該等第一聚合物團塊具有週期排列形態。將該等第一聚合物團塊選擇性降解以形成包含週期性排列的奈米通道的奈米圖案化模板。藉由電鍍，將金屬沉積於暴露出該導電基材的奈米通道中，由此形成金屬奈米點陣列。

Rong-Ming Ho等人在標題為"Helical Nanocomposites from Chiral Block Copolymer Templates"，J. AM. CHEM. SOC. 2009，131，1356-1357，的文章中揭示以結合可分解性之團聯共聚物的自組裝及溶液-凝膠化學所製備的三維排列螺旋形奈米複合體。水解之後先由該PS-PLLA對掌性團聯共聚物的自組裝，接著作為模板製備具有螺旋形奈米通道的PS。藉由活用該奈米反應器概念，接著在該模板中進行溶液-凝膠反應以便製造螺旋形奈米複合體。在UV曝光之下將PS模板降解之後獲得SiO₂ 奈米螺旋體。

本案的發明的發明人在2010年11月3日公告在網絡上之標題為"Inorganic Gyroid with Exceptionally Low Refractive Index from Block Copolymer Templating"，Nano Lett. 2010，10，4944-5000，的文章中揭示具有極低折射率，例如可低至1.1，的SiO₂ 五角三八面體之抗反射構造，該抗反射構造係先利用旋塗及溶劑退火形成PS-PLLA對掌性團聯共聚物的層，接著上述的水解、溶液-凝膠程序及PS模板的降解製備而成。

在此以引用的方式將前述美國專利案及專利公告中的揭示內容細節及前述文章併入本文。

本發明之一主要目的提供一種具有極低折射率，例如可低至1.1，的抗反射構造。

本發明之另一目的提供一種具有極低折射率的抗反射構造之裝置，例如平板顯示器、太陽能電池、單向反射器、發光二極體、LCD背光模組及窗戶。

為了完成本發明的目的，根據本發明建構的抗反射構造包含基材及在該基材表面上的多孔性無機五角三八面體網絡層。較佳地，該基材為石英、玻璃、聚合物或半導體。較佳地，該玻璃基材為氧化銦錫(ITO)玻璃基材或經塗佈碳的玻璃基材。較佳地，該半導體基材為矽晶圓或氧化矽基材。

較佳地，該多孔性無機五角三八面體網絡為選自由Al、Si、Ti、Zn、Zr及Ba所組成的群組之陶瓷氧化物或陶瓷混合氧化物，它們可經由溶液-凝膠程序被合成。另，具有低折射率且可經由溶液-凝膠程序被合成的MgF₂ 或CaF₂ 也可被用作為該多孔性無機五角三八面體網絡。更佳地，該多孔性無機五角三八面體網絡為SiO₂ 、TiO₂ 或BaTiO₃ ，及最佳地為SiO₂ 。

較佳地，該多孔性無機五角三八面體網絡層具有約100 nm至約200 nm的厚度；更佳地，為約120 nm至約160 nm；最佳地，該厚度為約130 nm至約150 nm。

本發明亦提供一種具有極低折射率之抗反射構造之製備方法，其包含下列步驟：

a)　在以有機材料改質的基材上塗佈具有第一聚合物團塊及第二聚合物團塊的團聯共聚物之有機溶劑溶液的層，其中該第一聚合物係選自由聚(L-乳酸)、聚(D-乳酸)、聚(乳酸)、聚(己內酯)所組成的群組，而且該第二聚合物係選自由聚(乙烯)、聚(乙烯基吡啶)及聚(丙烯腈)所組成的群組；

b)　將來自步驟a)的塗佈基材放在含有非優先性溶劑的蒸氣之氣氛中以使步驟a)所得的塗層進行溶劑退火，以便形成具有作為主體的第二聚合物團塊及在該主體中之具有五角三八面體奈米構造的第一聚合物團塊之團聯共聚物膜；

c)　選擇性降解該第一聚合物團塊以形成在該膜的主體中之對應的五角三八面體奈米通道；

d)　在填料前驅物的液態混合物中及在溶液-凝膠條件下把無機填料填入該膜的主體的五角三八面體奈米通道中；及

e)　藉由使用紫外線曝光、煅燒、有機溶劑、超臨界流體或其組合移除該層的第二聚合物團塊主體以獲得在該基材上的多孔性無機五角三八面體網絡層。

較佳地，步驟a)中的塗佈法為旋塗法、狹縫塗佈法、凹版塗佈法或刮刀塗佈法，及更佳地，為旋塗法。較佳地，該旋塗法具有1000至5000 rpm的轉速，更佳地，1500至4000 rpm的轉速。較佳地，該有機溶劑溶液具有介於1.5 至10重量%的該團聯共聚物濃度，更佳地，約3重量%。該有機溶劑為二氯苯、氯苯、二氯甲烷、甲苯或四氫呋喃等等，較佳地，該有機溶劑為二氯苯。

較佳地，步驟a)中的塗層具有約100 nm至約200 nm的厚度，更佳地，約120 nm至約160 nm，及最佳地，約130 nm至約150 nm。

較佳地，該基材為石英、玻璃或半導體。更佳地，用以使該基材改質的有機材料為以羥基為末端的聚苯乙烯、以羥基為末端的聚(乙烯基吡啶)或以羥基為末端的聚(丙烯腈)，及更佳地，為以羥基為末端的聚苯乙烯。較佳地，該以羥基為末端的聚苯乙烯具有5000至10000的分子量，更佳地，為約9000。

較佳地，該方法在步驟e)之前另外包含：d')在控制器濕度之下於室溫至70℃歷經1至6小時的時期使填於該膜中的無機填料老化。

較佳地，該團聯共聚物為聚(乙烯)-聚(L-乳酸)對掌性團聯共聚物，該第一聚合物團塊為聚(L-乳酸)，而且該第二聚合物團塊為聚苯乙烯。較佳地，在該團聯共聚物中的第一聚合物團塊的體積分率介於36%至50%，更佳地為約40%。

較佳地，在步驟b)中該非優先性溶劑為二氯甲烷或氯仿。於本發明的一較佳具體實施例中該有機蒸氣為二氯甲烷。

較佳地，在步驟c)中該第一聚合物團塊係藉由水解予以選擇性降解。

較佳地，在步驟e)中該第二聚合物團塊主體係藉由使用有機溶劑予以移除，例如四氫呋喃(THF)或甲苯。

較佳地，在步驟e)中該第二聚合物團塊主體係藉由使用紫外線曝光予以移除，例如254 nm的波長及3 mW/cm² 的強度。

較佳地，在步驟d)中該無機填料為選自由Al、Si、Ti、Zn、Zr及Ba所組成的群組之陶瓷氧化物或混合氧化物，它們可經由溶液-凝膠程序被合成。另，具有低折射率且可經由溶液-凝膠程序被合成的MgF₂ 或CaF₂ 也可被用作為本發明的無機填料。更佳地，其中該無機填料為SiO₂ 、TiO₂ 或BaTiO₃ ，及最佳地為SiO₂ 。

較佳地，其中該填料前驅物為原矽酸四乙酯、異丙基鈦(IV)或氫氧化鋇/異丙基鈦(IV)。

更佳地，其中該無機填料為SiO₂ ，而且該填料前驅物為原矽酸四乙酯。

美國專利案第7,135,523 B2號已經揭示該聚(乙烯)-聚(L-乳酸)(PS-PLLA)對掌性團聯共聚物及其製備方法，其形成奈米級微結構，該奈米級微結構依據PLLA的體積分率包括螺旋形微結構及圓柱形微結構。美國專利申請案第2004/0265548 A號揭示製造奈米級物體時使用的奈米圖案化模板，其中對在基材上之經旋塗的PS-PLLA層施以水解以致於PLLA被移除而形成週期排列的奈米多孔性形貌。Rong-Ming Ho等人在標題為"Helical Nanocomposites from Chiral Block Copolymer Templates"，J. AM. CHEM. SOC. 2009，131，1356-1357，的文章中另外使用美國專利案第7,135,523 B2號所揭示的OS-PLLA的奈米級微結構以藉著該溶液-凝膠化學的併入製備三維排列的螺旋形奈米複合體，以便製造SiO₂ 奈米螺旋體。

本發明的發明人先先藉由對該基材應用表面改質及在該經旋塗的PS-PLLA層上之溶劑退火以製備具有極低折射率，例如可低至1.1，的抗反射構造。這些技術有助於達成在該基材上形成多孔性無機五角三八面體網絡層。

下列經由實驗程序提供的實施例為例示性並且試圖示範本發明的具體實施例，然而，其應不得將本發明的具體實施例視為限於指定的具體實施例，而是僅為了說明及理解的目的，因為熟悉此技藝者將顯而易見眾多的修飾及變化。

實驗 縮寫：

L-LA：L-乳酸

PS：聚苯乙烯

PS-OH：以羥基為末端的聚苯乙烯

PLLA：聚(L-乳酸)

PS-PLLA BCP：聚(乙烯)-聚(L-乳酸)對掌性團聯共聚物

PDI：聚分散度

TEOS：原矽酸四乙酯

DI：去離子水

BCP：團聯共聚物

PS-PLLA BCP的合成

該PS-PLLA BCP係藉由雙頭聚合順序製備。我們在之前已經描述過該PS-PLLA樣品的合成[Ho,R. M.;Chen,C. K.;Chiang,Y. W.;Ko,B. T.;Lin,C. C. Adv. Mater. 2006,18,2355-2358]。該PS的數量平均分子量及分子量分佈(聚分散度)係藉由GPC來測定。該PS-PLLA的聚分散度係藉由GPC來測定並且該L-LA重複單元的數目係藉由¹ H NMR分析測定為乙烯重複單元的數目之函數。該PS及PLLA的數量平均分子量及該PS-PLLA的PDI分別為34000 g mol^-1 、27000 g mol^-1 及1.26。假設PS and PLLA的密度分別為1.02及1.248 g cm^-3 ，由此算出PLLA的體積分率為f _PLLA ^v =0.39。

形成五角三八面體的薄膜之製備

用異丙醇、丙酮溶液清潔石英或矽晶圓，並且接著以去離子水沖洗。結果，以具有9000的分子量之羥基為末端的聚苯乙烯(PS-OH)將該基材表面改質以提高該基材與用於後續水解程序的PS-PLLA薄膜之間的黏附力。將PS-OH(<5%)的有機溶液旋塗在具有約數奈米(約5nm)基材的表面上，並且於170℃退火10 min以致於PS-OH接枝於該基材表面上。藉著以有機溶劑例如THF沖洗自該基材移除未接枝的PS-OH。藉由旋塗法由於50℃之PS-PLLA的3重量%氯苯溶液將該PS-PLLA薄膜旋塗在以該PS-OH作為刷毛改質的基材上。將旋塗膜放在於室溫之充滿二氯甲烷的艙中。該二氯甲烷蒸氣使該薄膜膨潤並且使其退火以達成形成良好定義的五角三八面體的薄膜之形成。

PLLA的水解

藉由水解作用移除該PS-PLLA薄膜的PLLA團塊，該水解作用使用將2g的氫氧化鈉溶於40/60(以體積計)的甲醇/水溶液所製備的0.5M鹼溶液。由於薄的厚度，所以僅耗費約30分鐘。我們預期更長時間的水解可用以確使所有PLLA團塊完全被移除。水解之後，使用去離子水及甲醇沖洗該經水解的樣品，並且接著作為隨後的溶液-凝膠反應的模板。

溶液-凝膠程序

藉由將該模板浸在TEOS/HCl_(aq.) (0.1M)/甲醇混合物(TEOS/HCl_(aq.) (0.1M)/甲醇的重量比例=10/1/25)中配合於室溫下攪拌將該氧化矽前驅物混合物引入該PS模板中，並且接著在經控制的濕度之下於50℃處理3小時或更短進行老化程序。乾燥之後，製備PS/SiO₂ 五角三八面體奈米混成樣品。

PS模板的降解

為了製造形成該形成五角三八面體的SiO₂ 奈米構造，藉由於UV下曝光使該PS/SiO₂ 五角三八面體奈米混成體的奈米多孔PS模板降解。使用UV來源在大氣條件之下進行該降解反應24小時。調整該UV來源的強度以供該奈米多孔PS模板有效降解並且不會影響該形成無機五角三八面體的SiO₂ 構造之模板化織構。曝光於具有254 nm的波長及3mW/cm² 的強度之UV之下。結果，在該石英或矽晶圓上輕易獲得該奈米多孔五角三八面體SiO₂ 。

除了UV曝光以外，可使用有機溶劑例如THF或甲苯來移除PS模板以獲得奈米多孔五角三八面體薄膜。

結果

在此實驗中，為了達成具有150 nm左右之經控制的厚度的良好定義的五角三八面體奈米構造(參見關於厚度控制細節的圖1)，該經控制的厚度滿足作為可見光用的抗反射構造的尺寸需求，先進行用於薄膜形成的旋塗法以便產生具有均勻厚度的薄膜。隨後，進行溶劑退火程序以獲得具有大規模取向的五角三八面體奈米構造的均衡形態。為了減輕基材的效應，使用具有羥基鏈末端的聚苯乙烯製備經化學改質的基材。藉由此改質可製備為了PS-PLLA而進行過基材的中性或非優先性潤濕之基材。如圖2所示，該等薄膜形態不同於當該PS-PLLA薄膜的厚度為大約小於該(211)_G 平面的d-間隔之4倍時之整個樣品的形態。結果，具有大於130 nm的厚度之樣品(參見圖3)可獲得如五角三八面體奈米構造的形態。儘管由於該溶劑退火處理有可能造成表面粗糙化，但是厚度的變化可藉由如在此所研究的案例之夠厚的樣品專用的溶劑移除予以合理控制。

關於實際的應用，應該可利用不同的塗佈方法，例如狹縫塗佈法及凹版塗佈法，以提供形成大面積塗層的成本有效方法。事實上，藉由使用供此目的用的刮刀塗佈法完成嘗試性試驗。要注意具有五角三八面體奈米構造的薄膜樣品的形成為此研究中經由溶劑退火處理達到的熱力學驅動程序。結果，可達成控制由BCP自組裝及模板化所產生的形態學演變的類似結果。

圖4呈現在石英基材上具有不同構成成份之形成五角三八面體的奈米構造的正交入射透射光譜。黑色虛線(a)表示石英基材的透射率。關於可見光(400 nm至800 nm)，該奈米多孔五角三八面體SiO₂ 樣品擁有最高透射度，如圖4，線(b)。值得注意地，該奈米多孔PS模板(線(e))遭遇到低透射度的問題。除了PS的吸收度以外我們推測該低透射度的成因歸因於構成成份的折射率之間具有顯著不同之良好定義的兩相材料之可見光的散射。因此，該PS/SiO₂ 五角三八面體奈米混成體(線(c))及該PS-PLLABCP(線(d))的透射度由於散射問題的減輕而比該奈米多孔PS模板的透射度高。結果，BCP模板可成功達成具有低折射率(預估為1.1)的無機五角三八面體之形成。

圖1為顯示根據本發明的方法將BCP薄膜的厚度變化視為轉速的函數之圖形。

圖2為根據本發明的方法在二氯甲烷蒸氣中進行溶劑退火之後在經PS-OH刷毛接枝的矽晶圓基材上具有漸增膜厚度之PS-PLLA薄膜的捲輕敲式(tapping mode) SPM高度影像，其中將膜厚度標示於各個影像的左上角。

圖3為根據本發明的方法在二氯甲烷蒸氣中進行溶劑退火之後在經PS-OH刷毛接枝的矽晶圓基材上的旋塗PS-PLLA薄膜之形成五角三八面體的形態的輕敲式SPM(a)高度及(b)相影像。該樣品的膜厚度為150 nm。

圖4顯示在石英基材上具有不同構成成份之形成五角三八面體的奈米構造(200 nm厚度)的正交入射透射光譜。(a)石英；(b)由本發明的方法所製備的奈米多孔五角三八面體SiO₂ ；(c) PS/SiO₂ 五角三八面體奈米混成體；(d) PS-PLLA BCP；(e)奈米多孔PS模板。

Claims (39)

1. 一種具有抗反射構造的組件，其包含基材及在該基材表面上的多孔性無機五角三八面體網絡層，其中該基材為矽晶圓或氧化矽基材；而且該多孔性無機五角三八面體網絡為選自由Al、Si、Ti、Zn、Zr及Ba所組成的群組之陶瓷氧化物或混合氧化物；MgF₂ 或CaF₂ 。
2. 如申請專利範圍第1項之組件，其中該多孔性無機五角三八面體網絡為SiO₂ 、TiO₂ 或BaTiO₃ 。
3. 如申請專利範圍第2項之組件，其中該多孔性無機五角三八面體網絡為SiO₂ 。
4. 如申請專利範圍第1項之組件，其中該多孔性無機五角三八面體網絡層具有約100nm至約200nm的厚度。
5. 如申請專利範圍第4項之組件，其中該厚度為約120nm至約160nm。
6. 如申請專利範圍第5項之組件，其中該厚度為約130nm至約150nm。
7. 一種具有抗反射構造的組件，其包含基材及在該基材表面上的多孔性無機五角三八面體網絡層，其中該基材為石 英、玻璃、聚合物或半導體；而且該多孔性無機五角三八面體網絡為SiO₂ ，其中該多孔性無機五角三八面體網絡層具有約100nm至約200nm的厚度。
8. 一種具有申請專利範圍第1項所定義之組件之裝置，該裝置為平板顯示器、太陽能電池、單向反射器、發光二極體、LCD背光模組或窗戶。
9. 一種製備抗反射構造之方法，其包含下列步驟：a)在以有機材料改質的基材上塗佈具有第一聚合物團塊及第二聚合物團塊的團聯共聚物之有機溶劑溶液的層，其中該第一聚合物係選自由聚(L-乳酸)、聚(D-乳酸)、聚(乳酸)、聚(己內酯)所組成的群組，而且該第二聚合物係選自由聚(乙烯)、聚(乙烯基吡啶)及聚(丙烯腈)所組成的群組；b)將來自步驟a)的塗佈基材放在含有非優先性溶劑的蒸氣之氣氛中以使步驟a)所得的塗層進行溶劑退火，以便形成具有作為主體的第二聚合物團塊及在該主體中之具有五角三八面體奈米構造的第一聚合物團塊之團聯共聚物膜；c)選擇性降解該第一聚合物團塊以形成在該膜的主體中之對應的五角三八面體奈米通道；d)在填料前驅物的液態混合物中及在溶液-凝膠條件下把無機填料填入該膜的主體的五角三八面體奈米通道中；及 e)藉由使用紫外線曝光、煅燒、有機溶劑、超臨界流體或其組合移除該層的第二聚合物團塊主體以獲得在該基材上的多孔性無機五角三八面體網絡層。
10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中步驟a)中的塗佈法為旋塗法、狹縫塗佈法、凹版塗佈法或刮刀塗佈法。
11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中步驟a)中的塗佈法為旋塗法。
12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該旋塗法具有1000至5000rpm的轉速。
13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該旋塗法具有1500至4000rpm的轉速。
14. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該有機溶劑溶液具有介於1.5至10重量%的該團聯共聚物濃度。
15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中該濃度為約3重量%。
16. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該有機溶劑為二氯苯、氯苯、二氯甲烷、甲苯或四氫呋喃。
17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該有機溶劑為二氯苯。
18. 如申請專利範圍第9項之方法，其中步驟a)中的塗層具有約100nm至約200nm的厚度。
19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中步驟a)中的塗層具有約120nm至約160nm的厚度。
20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中步驟a)中的塗層具有約130nm至約150nm的厚度。
21. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該基材為石英、玻璃或半導體。
22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中用以使該基材改質的有機材料為以羥基為末端的聚苯乙烯、以羥基為末端的聚(乙烯基吡啶)或以羥基為末端的聚(丙烯腈)。
23. 如申請專利範圍第22項之方法，其中用以使該基材改質的有機材料為以羥基為末端的聚苯乙烯。
24. 如申請專利範圍第23項之方法，其中該以羥基為末端 的聚苯乙烯具有5000至10000的分子量。
25. 如申請專利範圍第9項之方法，其另外包含在步驟e)之前，d')在控制器濕度之下於室溫至70℃歷經1至6小時的時期使填於該膜中的無機填料老化。
26. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該團聯共聚物為聚(乙烯)-聚(L-乳酸)對掌性團聯共聚物，該第一聚合物團塊為聚(L-乳酸)，而且該第二聚合物團塊為聚苯乙烯。
27. 如申請專利範圍第26項之方法，其中在該團聯共聚物中的第一聚合物團塊的體積分率介於36%至50%。
28. 如申請專利範圍第27項之方法，其中該體積分率為約40%。
29. 如申請專利範圍第9項之方法，其中在步驟b)中該非優先性溶劑為二氯甲烷或氯仿。
30. 如申請專利範圍第29項之方法，其中該非優先性溶劑為二氯甲烷。
31. 如申請專利範圍第9項之方法，其中在步驟c)中該第一聚合物團塊係藉由水解予以選擇性降解。
32. 如申請專利範圍第9項之方法，其中在步驟e)中該第二聚合物團塊主體係藉由使用有機溶劑予以移除。
33. 如申請專利範圍第32項之方法，其中在步驟e)中該第二聚合物團塊主體係藉由使用四氫呋喃或甲苯的有機溶劑予以移除。
34. 如申請專利範圍第9項之方法，其中在步驟e)中該第二聚合物團塊主體係藉由使用紫外線曝光予以移除。
35. 如申請專利範圍第34項之方法，其中在步驟e)中該第二聚合物團塊主體係藉由使用具有254nm的波長及3mW/cm² 的強度之紫外線曝光予以移除。
36. 如申請專利範圍第9項之方法，其中在步驟d)中該無機填料為選自由Al、Si、Ti、Zn、Zr及Ba所組成的群組之陶瓷氧化物或混合氧化物；MgF₂ 或CaF₂ 。
37. 如申請專利範圍第36項之方法，其中該無機填料為SiO₂ 、TiO₂ 或BaTiO₃ 。
38. 如申請專利範圍第37項之方法，其中該填料前驅物為原矽酸四乙酯、異丙基鈦(IV)或氫氧化鋇/異丙基鈦(IV)。
39. 如申請專利範圍第38項之方法，其中該無機填料為SiO₂ ，而且該填料前驅物為原矽酸四乙酯。