TWI421896B - 場發射電子器件及場發射顯示裝置 - Google Patents

Description

場發射電子器件及場發射顯示裝置

本發明涉及一種場發射電子器件及場發射顯示裝置，尤其涉及一種平面型場發射電子器件及場發射顯示裝置。

場發射電子器件在低溫或者室溫下工作，與熱電子發射器件相比具有功耗低、回應速度快以及低放氣等優點。場發射電子器件在場發射顯示裝置中具有廣泛的應用。

先前技術中的場發射顯示裝置包括一絕緣基底、複數個畫素單元、以及複數個行電極引線與複數個列電極引線。其中，所述複數個行電極引線與複數個列電極引線分別平行且等間隔設置於絕緣基底表面。所述複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置，且每兩個相鄰的行電極引線與兩個相鄰的列電極引線形成一網格。所述複數個畫素單元按照預定規律排列，間隔設置於上述網格中，且每個網格中設置一個畫素單元。所述畫素單元包括一陰極電極，一設置於該陰極電極表面的電子發射體，一與該陰極電極間隔設置的陽極電極，以及一設置於該陽極電極表面的螢光粉層。當在該陰極電極與陽極電極之間施加一電壓，電子發射體發射電子，以轟擊螢光粉層發光。

然而，上述場發射顯示裝置中，由於每個象素單元僅包括一個陰極電極和一個陽極電極間隔設置，故，該場發射顯示裝置的電子 發射效率較低，從而使得場發射顯示裝置亮度較差。

有鑒於此，提供一種電子發射效率較高的場發射電子器件和具有較高亮度的場發射顯示裝置實為必要。

一種場發射電子器件，包括：一絕緣基底具有一表面；複數個行電極引線與複數個列電極引線分別平行且間隔設置於所述絕緣基底的表面，該複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置定義複數個交叉處，所述行電極引線與列電極引線在交叉處電絕緣設置；以及複數個電子發射單元設置於絕緣基底表面，且每個電子發射單元對應設置於一個交叉處，其中，所述每個電子發射單元進一步包括：一第二電極與所述列電極引線電連接；一第一電極與該第二電極間隔設置且至少部分環繞所述第二電極設置，該第一電極與所述行電極引線電連接；以及複數個電子發射體設置於所述第一電極和所述第二電極中的至少一個電極的表面。

一種場發射顯示裝置，其包括：一絕緣基底具有一表面；複數個行電極引線與複數個列電極引線分別平行且間隔設置於所述絕緣基底的表面，該複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置定義複數個交叉處，所述行電極引線與列電極引線在交叉處電絕緣設置；以及複數個畫素單元設置於絕緣基底表面，每個電子發射單元對應設置於一個交叉處，其中，每個畫素單元包括：一陽極電極與所述列電極引線電連接；一陰極電極與該陽極電極間隔設置且至少部分環繞所述陽極電極設置，且該陰極電極與行電極引線電連接；複數個電子發射體設置於所述陰極電極表面且至少部分環繞所述陽極電極設置；以及一螢光粉層設置於該陽極 電極表面。

一種場發射顯示裝置，其包括：一絕緣基底具有一表面；複數個行電極引線與複數個列電極引線分別平行且間隔設置於所述絕緣基底的表面，該複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置定義複數個交叉處，所述行電極引線與列電極引線在交叉處電絕緣設置；以及複數個畫素單元設置於絕緣基底表面，每個電子發射單元對應設置於一個交叉處，其中，每個畫素單元包括：一陰極電極與所述列電極引線電連接；一陽極電極與該陰極電極間隔設置且至少部分環繞所述陰極電極設置，且該陽極電極與行電極引線電連接；一螢光粉層設置於該陽極電極表面且至少部分環繞所述陰極電極設置；以及複數個電子發射體設置於所述陰極電極表面。

相較於先前技術，所述場發射電子器件的一電極至少部分環繞另一電極設置，且複數個電子發射體設置於至少一個電極的表面，從而使得場發射顯示裝置具有較高場發射電流，且採用該場發射電子器件的場發射顯示裝置具有較高的亮度。

200,300,400,500,600,700‧‧‧場發射顯示裝置

202,302,402,502,602,702‧‧‧絕緣基底

204,304,404,504,604,704‧‧‧行電極引線

206,406,606‧‧‧列電極引線

208,308,408,508,608,708‧‧‧電子發射體

210,310,410,510,610,710‧‧‧第二電極

3102,5122‧‧‧承載面

212,312,412,512,612,712‧‧‧第一電極

214‧‧‧交叉處

216‧‧‧介質絕緣層

218,318,418,518,618,718‧‧‧螢光粉層

220,320,420,520,620,720‧‧‧畫素單元

222,322,422,522,622‧‧‧電子發射端

224‧‧‧固定元件

726‧‧‧第三電極

圖1為本發明第一實施例提供的場發射顯示裝置的俯視示意圖。

圖2為圖1所示的場發射顯示裝置沿線II-II的剖面示意圖。

圖3為本發明第二實施例提供的場發射顯示裝置的結構示意圖。

圖4為本發明第三實施例提供的場發射顯示裝置的俯視示意圖。

圖5為圖4所示的場發射顯示裝置沿線V-V的剖面示意圖。

圖6為本發明第四實施例提供的場發射顯示裝置的結構示意圖。

圖7為本發明第五實施例提供的場發射顯示裝置的俯視示意圖。

圖8為圖7所示的場發射顯示裝置沿線VIII-VIII的剖面示意圖。

圖9為本發明第六實施例提供的場發射顯示裝置的剖面示意圖。

以下將結合附圖對本發明的場發射電子器件及場發射顯示裝置作進一步的詳細說明。可以理解，所述場發射電子器件及場發射顯示裝置可以包括複數個畫素單元，本發明實施例附圖僅給出部分畫素單元為例進行說明。

請參閱圖1、圖2，本發明第一實施例提供一種場發射顯示裝置200，其包括一絕緣基底202，複數個畫素單元220、以及複數個行電極引線204與複數個列電極引線206。

所述複數個行電極引線204與複數個列電極引線206分別平行、間隔設置於所述絕緣基底202的表面。優選地，所述複數個行電極引線204與複數個列電極引線206分別平行、等間隔設置。所述複數個行電極引線204與複數個列電極引線206相互交叉設置以定義複數個交叉處214和複數個網格(圖未標)。所述複數個行電極引線204與複數個列電極引線206在交叉處214電絕緣，優選地，每個行電極引線204在交叉處214斷開。所述每個交叉處214定位一個畫素單元220。所述複數個畫素單元220對應交叉處214一一設置，從而形成一矩陣。可以理解，所述場發射顯示裝置200工作時需要封裝在一真空環境中。

所述絕緣基底202為一絕緣基板，如陶瓷基板、玻璃基板、樹脂 基板、石英基板等。所述絕緣基底202的大小與厚度不限，本領域技術人員可以根據實際需要選擇。本實施例中，所述絕緣基底202優選為一玻璃基板，其厚度大於1毫米，邊長大於1厘米。

所述行電極引線204與列電極引線206為導電體，如金屬層等。本實施例中，該複數個行電極引線204與複數個列電極引線206優選為採用導電漿料列印的橫截面為矩形的平面導電體，且該複數個行電極引線204的行間距為50微米~2厘米，複數個列電極引線206的列間距為50微米~2厘米。該行電極引線204與列電極引線206的寬度為30微米~100微米，厚度為10微米~50微米。本實施例中，該行電極引線204與列電極引線206的交叉角度為10度到90度，優選地，該行電極引線204與列電極引線206相互垂直。本實施例中，通過絲網列印法將導電漿料列印於絕緣基底202表面製備行電極引線204與列電極引線206。該導電漿料的成分包括金屬粉、低熔點玻璃粉和黏結劑；其中，該金屬粉優選為銀粉，該黏結劑優選為松油醇或乙基纖維素。其中，金屬粉的重量比為50~90%，低熔點玻璃粉的重量比為2~10%，黏結劑的重量比為8~40%。本實施例中，將所述行電極引線204的延伸方向定義為X方向，所述列電極引線206的延伸方向定義為Y方向。

所述每個畫素單元220設置於交叉處214相鄰的至少兩個網格中。所述每個畫素單元220包括一第一電極212、一第二電極210、複數個電子發射體208、以及一螢光粉層218。所述第一電極212與第二電極210間隔設置於絕緣基底202表面，且該第一電極212至少部分環繞所述第二電極210設置。所謂“至少部分環繞所述第二電極210設置”指所述第一電極212至少部分圍繞所述第二電極 210延伸，從而形成“L”形、“U”形、“C”形、半環形或環形等。優選地，所述第二電極210設置於行電極引線204與列電極引線206的交叉處214，且設置於交叉處214相鄰的四個網格中。所述第一電極212環繞第二電極210設置，也設置於交叉處214相鄰的四個網格中。所述第一電極212與列電極引線206交疊處設置有一介質絕緣層216。所述第二電極210與行電極引線204間隔設直。

所述第一電極212作為陰極電極，且分別與交叉處214兩側斷開的行電極引線204電連接，從而使得斷開的行電極引線204電連接。所述第二電極210作為陽極電極，且與所述列電極引線206電連接。所述複數個電子發射體208設置於所述第一電極212表面，且至少部分環繞所述第二電極210設置。所述螢光粉層218設置於所述第二電極210的一表面。所述電子發射體208發射的電子可以打到螢光粉層218而使之發光。

所述第二電極210為導電體，如金屬層、ITO層、導電漿料等。所述第二電極210直接與所述列電極引線206接觸，從而實現電連接。所述第二電極210為一平面導電體，其形狀和尺寸依據實際需要決定。本實施例中，所述第二電極210為一正方形平面導電體。所述第二電極210的邊長為30微米~1.5厘米，厚度為10微米~500微米。優選地，所述第二電極210的邊長為100微米~700微米，厚度為20微米~100微米。

所述第一電極212為導電體，如金屬層、ITO層、導電漿料等。所述第一電極212為一橫截面為矩形的平面導電體，其形狀和尺寸依據實際需要決定。優選地，所述第一電極212的厚度大於所述 第二電極210的厚度，以防止相鄰畫素單元220之間的電場干擾。本實施例中，所述第一電極212的厚度大於所述第二電極210的厚度可以防止第二電極210的電場覆蓋到相鄰畫素單元220的第一電極212表面。本實施例中，所述第一電極212為方框形，且將所述第二電極210全部環繞。所述第一電極212的寬度為30微米~1000微米，厚度為10微米~500微米。所述第一電極212與第二電極210的材料均為導電漿料。所述第一電極212與第二電極210可通過絲網列印法列印於所述絕緣基底202表面。可以理解，所述第二電極210可以與所述列電極引線206一體列印形成。所述第一電極212可以與所述行電極引線204一體列印形成。

所述螢光粉層218設置於所述第二電極210遠離絕緣基底202的表面。所述螢光粉層218的材料可為白色螢光粉，也可以為單色螢光粉，例如紅色，綠色，藍色螢光粉等，當電子轟擊螢光粉層218時可發出白光或其他顏色可見光。該螢光粉層218可以採用沈積法、列印法、光刻法或塗敷法設置於第二電極210的表面。該螢光粉層218的厚度可為5微米至50微米。

所述複數個電子發射體208設置於所述第一電極212表面，且至少部分環繞所述第二電極210設置。所述每個電子發射體208具有一。電子發射端222與所述第二電極210間隔設置。優選地，所述複數個電子發射體208為設置於所述第一電極212與第二電極210之間的線狀體。所述電子發射體208的一端與所述第一電極212電連接，另一端指向所述第二電極210，並向第二電極210延伸作為電子發射端222。所述複數個電子發射體208與所述絕緣基底202間隔設置，且沿著平行於絕緣基底202表面的方向延伸。所述電子發 射體208可選自矽線、奈米碳管、碳纖維及奈米碳管線等中的一種或複數種。本實施例中，所述複數個電子發射體208為複數個平行排列的奈米碳管線，每個奈米碳管線的一端與第一電極212電連接，另一端指向第二電極210表面的螢光粉層218，作為電子發射體208的電子發射端222。該電子發射端222與第二電極210之間的距離為10微米~500微米。優選地，該電子發射端222與第二電極210之間的距離為50微米~300微米。所述電子發射體208的延伸方向基本平行於所述螢光粉層218的表面。可以理解，所述電子發射體208的電子發射端222也可以懸空設置於螢光粉層218的上方。

所述電子發射體208一端與第一電極212的電連接方式可以為直接電連接或通過一導電膠電連接，也可以通過分子間力或者其他方式實現。該奈米碳管線的長度為10微米~1厘米，且相鄰的奈米碳管線之間的間距為1微米~500微米。該奈米碳管線包括複數個沿奈米碳管線長度方向排列的奈米碳管。該奈米碳管線可為複數個奈米碳管組成的純結構，所述“純結構”指該奈米碳管線中奈米碳管未經過任何化學修飾或功能化處理。優選地，所述奈米碳管線為自支撐結構。所謂“自支撐結構”即該奈米碳管線無需通過一支撐體支撐，也能保持自身特定的形狀。所述奈米碳管線中的奈米碳管通過凡得瓦(Van Der Waals)力相連，奈米碳管的軸向均基本沿奈米碳管線的長度方向延伸，其中，每一奈米碳管與在該延伸方向上相鄰的奈米碳管通過凡得瓦力首尾相連。所述奈米碳管線中的奈米碳管包括單壁、雙壁及多壁奈米碳管中的一種或複數種。所述奈米碳管的長度範圍為10微米~100微米，且奈米碳管的直徑小於15奈米。

所述複數個電子發射體208可以通過列印奈米碳管漿料層或鋪設奈米碳管膜的方法製備。所述奈米碳管漿料包括奈米碳管、低熔點玻璃粉以及有機載體。其中，有機載體在烘烤過程中蒸發，低熔點玻璃粉在烘烤過程中熔化並將奈米碳管固定於電極表面。

具體地，本實施例中的電子發射體208的製備方法包括以下步驟：步驟一，提供至少兩個奈米碳管膜。

所述奈米碳管膜從一奈米碳管陣列拉取獲得。該奈米碳管膜中包括複數個首尾相連且定向排列的奈米碳管。所述奈米碳管膜的結構及其製備方法請參見范守善等人於2007年2月12日申請的，於2010年7月11公告的第I327177號台灣公告專利申請“奈米碳管薄膜結構及其製備方法”，申請人：鴻海精密工業股份有限公司。

步驟二，將該至少兩個奈米碳管膜交叉鋪設覆蓋於第一電極212和第二電極210表面。

本實施例中，所述兩個奈米碳管膜中的奈米碳管的延伸方向分別沿著行電極引線204與列電極引線206的長度方向，即兩個奈米碳管膜中的奈米碳管的延伸方向基本垂直。可以理解第一電極212為其他形狀，如圓環形時，可以將複數個奈米碳管薄膜沿不同的交叉角度重疊鋪設於第一電極212和第二電極210表面，以確保奈米碳管膜中的奈米碳管的延伸方向均基本為從第一電極212向第二電極210延伸。進一步的，可用有機溶劑對所述奈米碳管膜進行處理，該有機溶劑為揮發性有機溶劑，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿，本實施例中優選採用乙醇。該有機溶劑揮發後 ，在揮發性有機溶劑的表面張力的作用下所述奈米碳管膜會部分聚集形成奈米碳管線。

步驟三，切割奈米碳管膜，使第一電極212與第二電極210之間的奈米碳管膜斷開，形成複數個平行排列的奈米碳管線固定於第一電極212表面作為電子發射體208。

所述切割奈米碳管薄膜結構的方法為鐳射燒蝕法、電子束掃描法或加熱熔斷法。本實施例中，優選採用鐳射燒蝕法切割奈米碳管膜。在雷射光束掃描時，空氣中的氧氣會氧化鐳射照射到的奈米碳管，使得奈米碳管蒸發，從而使奈米碳管膜產生斷裂，在奈米碳管膜的斷裂處會形成一電子發射端222，且電子發射端222與第二電極210之間形成一間隔。本實施例中，所用的雷射光束的功率為10~50瓦，掃描速度為0.1~10000毫米/秒。所述雷射光束的寬度為1微米~400微米。該步驟中，同時將行電極引線204與列電極引線206表面以及網格中多餘的奈米碳管膜去除。

進一步，該場發射顯示裝置200的每個畫素單元220可以進一步包括一固定元件224設置於第一電極212表面，以將複數個電子發射體208固定於第一電極212表面。所述固定元件224可由絕緣材質或導電材質構成。本實施例中，該固定元件224為導電漿料層。

請參閱圖3，本發明第二實施例提供一種場發射顯示裝置300，其包括一絕緣基底302，複數個畫素單元320、以及複數個行電極引線304與複數個列電極引線。所述場發射顯示裝置300與本發明第一實施例提供的場發射顯示裝置200的結構基本相同，其區別在於：所述第二電極310具有至少一個與第一電極312相對設置且背向所述絕緣基底302設置的承載面3102。

所謂“相對第一電極312設置”指所述承載面3102面對所述第一電極312設置，從而使得所述第一電極312和第二電極310分別位於承載面3102的兩側。所謂“背向所述絕緣基底302設置”指所述承載面3102至少部分面向遠離所述絕緣基底302的方向。所述承載面3102可以為平面或曲面。當所述承載面3102為平面時，所述承載面3102與絕緣基底302的表面形成一大於零度且小於90度的夾角。優選地，該夾角的角度大於等於30度且小於等於60度。當所述承載面3102為曲面時，該承載面3102可以為凸面或凹面。所述承載面3102可以與絕緣基底302的表面直接相交或間隔設置。

具體地，本實施例中，所述第二電極310為四棱錐體，其邊長沿著遠離絕緣基底302的方向逐漸減小，從而使該第二電極310具有四個分別與四周的第一電極312相對設置的斜面作為承載面3102。所述螢光粉層318分別設置於所述第二電極310的四個承載面3102。所述每個承載面3102與絕緣基底302表面的夾角大於等於30度且小於等於60度。所述第二電極310可通過複數次列印導電漿料，且逐漸減小列印的導電漿料層的邊長的方法形成。由於導電漿料本身具有一定的流淌性，從而形成承載面3102。

本實施例中，由於所述第二電極310具有四個分別與四周的電子發射端322相對設置且背向所述絕緣基底302設置的承載面3102，且所述螢光粉層318分別設置於四個承載面3102，使得螢光粉層318不但具有較大的面積，而且容易被電子發射端322發射的電子轟擊到，從而使得場發射顯示裝置300具有較高的亮度。

請參閱圖4和圖5，本發明第三實施例提供一種場發射顯示裝置 400，其包括一絕緣基底402，複數個畫素單元420、以及複數個行電極引線404與複數個列電極引線406。所述場發射顯示裝置400與本發明第一實施例提供的場發射顯示裝置200的結構基本相同，其區別在於：所述第二電極410為圓形平面導電體，所述第一電極412為圓環形，所述第一電極412用作陽極電極，所述第二電極410用作陰極電極，所述複數個電子發射體408設置於所述第二電極410表面，所述螢光粉層418設置於第一電極412表面。

具體地，本實施例中，所述第一電極412為橫截面為矩形的圓環形平面導電體。進一步，本實施例中，所述第一電極412的厚度大於所述第二電極410的厚度可以防止相鄰畫素單元420的第一電極412的陽極電場覆蓋到該第二電極410表面。所述螢光粉層418設置於所述第一電極412遠離絕緣基底402的表面。所述複數個電子發射體408設置於第二電極410表面，且電子發射體408的電子發射端422分別向周圍的第一電極412方向延伸。本實施例中，所述複數個電子發射體408為複數個橫穿第二電極410且交叉設置的奈米碳管線。

本實施例中，所述第二電極410表面設置有複數個電子發射體408，且複數個電子發射體408的電子發射端422分別指向周圍的第一電極412，故，提高每個畫素單元420的場發射電流。而且，所述螢光粉層418設置於環繞所述第二電極410的環形第一電極412表面，具有較大的發光面積。故，所述場發射顯示裝置400具有較高的亮度。

請參閱圖6，本發明第四實施例提供一種場發射顯示裝置500，其包括一絕緣基底502，複數個畫素單元520、以及複數個行電極引 線504與複數個列電極引線。所述場發射顯示裝置500與本發明第三實施例提供的場發射顯示裝置400的結構基本相同，其區別在於：所述第一電極512具有一與第二電極510相對設置且背向所述絕緣基底502設置的承載面5122。

具體地，本實施例中，所述第一電極512的寬度均沿著遠離絕緣基底502的方向逐漸減小，從而使該第一電極512具有一與電子發射端522相對設置的環形斜面作為承載面5122。所述螢光粉層518設置於所述第一電極512的承載面5122。所述複數個電子發射體508的電子發射端522分別指向周圍承載面5122的螢光粉層518。

本實施例中，所述第一電極512具有一與電子發射體508相對設置且背向所述絕緣基底502設置的環形承載面5122，且所述螢光粉層518設置於所述環形承載面5122，具有較大的面積，且容易被電子發射體508轟擊到，故，提高所述場發射顯示裝置500的亮度和顯示均勻度。

請參閱圖7和圖8，本發明第五實施例提供一種場發射顯示裝置600，其包括一絕緣基底602，複數個畫素單元620、以及複數個行電極引線604與複數個列電極引線606。所述場發射顯示裝置600與本發明第一實施例提供的場發射顯示裝置200的結構基本相同，其區別在於：所述第一電極612和第二電極610表面均設置有複數個電子發射體608和螢光粉層618。

具體地，所述複數個電子發射體608分別設置於所述第一電極612和第二電極610遠離絕緣基底602的表面，且第一電極612和第二電極610表面的電子發射體608相對且間隔設置。所述螢光粉層618分別設置於所述第一電極612和第二電極610遠離絕緣基底602 的表面，且將複數個電子發射體608部分覆蓋。所述第一電極812表面的電子發射體608分別向第二電極610方向延伸，且其電子發射端622指向第二電極610表面的螢光粉層618。所述第二電極610表面的電子發射體608分別向第一電極612方向延伸，且其電子發射端622指向第一電極612表面的螢光粉層618。

本實施例中，所述第一電極612和第二電極610可以交替用作陰極電極和陽極電極，從而提高場發射顯示裝置600的使用壽命。優選地，所述第一電極612和第二電極610之間可以施加一交流電壓，從而使所述第一電極612和第二電極610可以交替用作陰極電極和陽極電極。

請參閱圖9，本發明第六實施例提供一種場發射顯示裝置700，其包括一絕緣基底702，複數個畫素單元720、以及複數個行電極引線704與複數個列電極引線。所述場發射顯示裝置700與本發明第一實施例提供的場發射顯示裝置200的結構基本相同，其區別在於：進一步包括一第三電極726與所述絕緣基底702平行且間隔設置，所述螢光粉層718設置於該第三電極726相對所述絕緣基底702的表面，且每個螢光粉層718與一畫素單元720相對設置。

具體地，所述第三電極726與絕緣基底702平行且間隔設置，所述複數個畫素單元720，行電極引線704和複數個列電極引線設置於第三電極726與絕緣基底702之間。所述場發射顯示裝置700工作時，第一電極712用作陰極電極，第二電極710用作柵極電極，第三電極726用作陽極電極。所述電子發射體608在第二電極710作用下發射電子，且發射的電子在第三電極726作用下向第三電極726方向加速運動，以轟擊螢光粉層718。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

200‧‧‧場發射顯示裝置

202‧‧‧絕緣基底

204‧‧‧行電極引線

206‧‧‧列電極引線

208‧‧‧電子發射體

214‧‧‧交叉處

216‧‧‧介質絕緣層

218‧‧‧螢光粉層

220‧‧‧畫素單元

224‧‧‧固定元件

Claims (15)

1. 一種場發射電子器件，包括：一絕緣基底具有一表面；複數個行電極引線與複數個列電極引線分別平行且間隔設置於所述絕緣基底的表面，該複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置定義複數個交叉處和複數個網格，所述行電極引線與列電極引線在交叉處電絕緣設置；以及複數個電子發射單元設置於絕緣基底表面，且每個電子發射單元對應設置於一個交叉處相鄰的至少兩個網格中，其中，所述每個電子發射單元進一步包括：一第二電極與所述列電極引線電連接；一第一電極與該第二電極間隔設置且至少部分環繞所述第二電極設置，該第一電極與所述行電極引線電連接；以及複數個電子發射體設置於所述第一電極和所述第二電極中的至少一個電極的表面。
2. 如請求項第1項所述的場發射電子器件，其中，所述複數個電子發射體的一端與第一電極電連接，另一端與第二電極間隔設置且向第二電極延伸，所述電子發射體環繞所述第二電極設置。
3. 如請求項第1項所述的場發射電子器件，其中，所述第一電極環繞所述第二電極設置，所述複數個電子發射體的一端與第二電極電連接，另一端與第一電極間隔設置且向第一電極延伸。
4. 如請求項第1項所述的場發射電子器件，其中，所述複數個電子發射體分別設置於所述第一電極和所述第二電極的表面且相對設置，相對的電子 發射體之間存在間隙。
5. 如請求項第4項所述的場發射電子器件，其中，所述場發射電子器件工作時，向複數個行電極引線和複數個列電極引線接入交流電壓。
6. 如請求項第1項所述的場發射電子器件，其中，所述第一電極與所述列電極引線電絕緣，所述第二電極與所述行電極引線電絕緣。
7. 如請求項第1項所述的場發射電子器件，其中，所述第一電極與所述行電極引線為一體成型結構，所述第二電極與所述列電極引線為一體成型結構。
8. 如請求項第1項所述的場發射電子器件，其中，所述第一電極為“L”形、“U”形、“C”形、半環形或環形環繞所述第二電極延伸。
9. 如請求項第1項所述的場發射電子器件，其中，所述複數個電子發射體與所述絕緣基底間隔設置，且沿著平行於絕緣基底表面的方向延伸。
10. 如請求項第1項所述的場發射電子器件，其中，所述電子發射體選自矽線、奈米碳管、碳纖維及奈米碳管線中的一種或複數種。
11. 如請求項第1項所述的場發射電子器件，其中，進一步包括一第三電極與所述絕緣基底平行且間隔設置。
12. 一種場發射顯示裝置，其包括：一絕緣基底具有一表面；複數個行電極引線與複數個列電極引線分別平行且間隔設置於所述絕緣基底的表面，該複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置定義複數個交叉處和複數個網格，所述行電極引線與列電極引線在交叉處電絕緣設置；以及複數個畫素單元設置於絕緣基底表面，每個電子發射單元對應設置於一個交叉處相鄰的至少兩個網格中，其中，每個畫素單元包括： 一陽極電極與所述列電極引線電連接；一陰極電極與該陽極電極間隔設置且至少部分環繞所述陽極電極設置，且該陰極電極與行電極引線電連接；複數個電子發射體設置於所述陰極電極表面且至少部分環繞所述陽極電極設置；以及一螢光粉層設置於該陽極電極表面。
13. 如請求項第12項所述的場發射顯示裝置，其中，所述陽極電極具有至少一個與陰極電極相對設置且背向所述絕緣基底設置的承載面，所述螢光粉層設置於該承載面。
14. 一種場發射顯示裝置，其包括：一絕緣基底具有一表面；複數個行電極引線與複數個列電極引線分別平行且間隔設置於所述絕緣基底的表面，該複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置定義複數個交叉處和複數個網格，所述行電極引線與列電極引線在交叉處電絕緣設置；以及複數個畫素單元設置於絕緣基底表面，每個電子發射單元對應設置於一個交叉處相鄰的至少兩個網格中，其中，每個畫素單元包括：一陰極電極與所述列電極引線電連接；一陽極電極與該陰極電極間隔設置且至少部分環繞所述陰極電極設置，且該陽極電極與行電極引線電連接；一螢光粉層設置於該陽極電極表面且至少部分環繞所述陰極電極設置；以及複數個電子發射體設置於所述陰極電極表面。
15. 如請求項第14項所述的場發射顯示裝置，其中，所述陽極電極具有至少 一個與陰極電極相對設置且背向所述絕緣基底設置的承載面，所述螢光粉層設置於該承載面。