TWI421895B - 場發射電子器件及場發射顯示裝置 - Google Patents

Description

場發射電子器件及場發射顯示裝置

本發明涉及一種場發射電子器件及場發射顯示裝置，尤其涉及一種平面型場發射電子器件及場發射顯示裝置。

場發射電子器件在低溫或者室溫下工作，與熱電子發射器件相比具有功耗低、回應速度快以及低放氣等優點。場發射電子器件在場發射顯示裝置中具有廣泛的應用。

先前技術中的場發射顯示裝置包括一絕緣基底、複數個畫素單元、以及複數個行電極引線與複數個列電極引線。其中，所述複數個行電極引線與複數個列電極引線分別平行且等間隔設置於絕緣基底表面。所述複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置，且每兩個相鄰的行電極引線與兩個相鄰的列電極引線形成一網格。所述複數個畫素單元按照預定規律排列，間隔設置於上述網格中，且每個網格中設置一個畫素單元。所述畫素單元包括一陰極電極，一設置於該陰極電極表面的電子發射體，一與該陰極電極間隔設置的陽極電極，以及一設置於該陽極電極表面的螢光粉層。當在該陰極電極與陽極電極之間施加一電壓，電子發射體發射電子，以轟擊螢光粉層發光。

然而，上述場發射顯示裝置中，由於每個象素單元僅包括一個陰極電極和一個陽極電極間隔設置，故，該場發射顯示裝置的電子 發射效率較低，從而使得場發射顯示裝置亮度較差。

有鑒於此，提供一種電子發射效率較高的場發射電子器件和具有較高亮度的場發射顯示裝置實為必要。

一種場發射電子器件，其包括：一絕緣基底具有一表面；複數個行電極引線與複數個列電極引線分別平行且間隔設置於所述絕緣基底的表面，該複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置，且每兩個相鄰的行電極引線與兩個相鄰的列電極引線形成一個網格；以及複數個電子發射單元設置於絕緣基底的表面，每個電子發射單元對應一個網格設置，且每個電子發射單元包括一第一電極、一第二電極與該第一電極間隔設置、以及複數個電子發射體；其中，所述第一電極至少部分環繞所述第二電極設置，且所述複數個電子發射體設置於所述第一電極和第二電極中的至少一個電極的表面。

一種場發射顯示裝置，其包括：一絕緣基底具有一表面；複數個行電極引線與複數個列電極引線分別平行且間隔設置於所述絕緣基底的表面，該複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置，且每兩個相鄰的行電極引線與兩個相鄰的列電極引線形成一個網格；以及複數個畫素單元設置於絕緣基底的表面，每個畫素單元對應一個網格設置，且每個畫素單元包括一陰極電極、複數個電子發射體與該陰極電極電連接、一陽極電極與該陰極電極間隔設置、以及一螢光粉層設置於該陽極電極表面；其中，所述陰極電極和所述複數個電子發射體至少部分環繞所述陽極電極設置。

一種場發射顯示裝置，其包括：一絕緣基底具有一表面；複數個行電極引線與複數個列電極引線分別平行且間隔設置於所述絕緣基底的表面，該複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置，且每兩個相鄰的行電極引線與兩個相鄰的列電極引線形成一個網格；以及複數個畫素單元設置於絕緣基底的表面，每個畫素單元對應一個網格設置，且每個畫素單元包括一陰極電極、一複數個電子發射體與該陰極電極電連接、一陽極電極與該陰極電極間隔設置、以及一螢光粉層設置於該陽極電極表面；其中，所述陽極電極和螢光粉層至少部分環繞所述陰極電極設置。

一種場發射顯示裝置，其包括：一絕緣基底具有一表面；複數個行電極引線與複數個列電極引線分別平行且間隔設置於所述絕緣基底的表面，該複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置，且每兩個相鄰的行電極引線與兩個相鄰的列電極引線形成一個網格；以及複數個畫素單元設置於絕緣基底的表面，每個畫素單元對應一個網格設置，且每個畫素單元包括一第一電極、一第二電極與該第一電極間隔設置、複數個電子發射體、以及複數個螢光粉層；其中，所述第一電極至少部分環繞所述第二電極設置，且所述第一電極和第二電極表面均設置有電子發射體和螢光粉層。

相較於先前技術，所述場發射電子器件的一電極至少部分環繞另一電極設置，且複數個電子發射體設置於至少一個電極的表面，從而使得場發射顯示裝置具有較高場發射電流，且採用該場發射電子器件的場發射顯示裝置具有較高的亮度。

200,300,400,500,600,700,800‧‧‧場發射顯示裝置

202,302,402,502,602,702,802‧‧‧絕緣基底

204,304,404,504,604,704,804‧‧‧行電極引線

206,306,406,506,606,706,806‧‧‧列電極引線

208,308,408,508,608,708,808‧‧‧電子發射體

210,310,410,510,610,710,810‧‧‧第二電極

3102,5122‧‧‧承載面

6104,7104‧‧‧導線

212,312,412,612,712,812‧‧‧第一電極

2121,4121,5121,8121‧‧‧第一子電極

2123,4123,5123,8123‧‧‧第二子電極

2125,4125,5125‧‧‧第三子電極

214,614,714‧‧‧網格

216‧‧‧絕緣層

218,318,418,518,618,718,818‧‧‧螢光粉層

220,320,420,520,620,720,820‧‧‧畫素單元

222,322,422,522,622,722,822‧‧‧電子發射端

224‧‧‧固定元件

圖1為本發明第一實施例提供的場發射顯示裝置的俯視示意圖。

圖2為圖1所示的場發射顯示裝置沿線II-II的剖面示意圖。

圖3為本發明第二實施例提供的場發射顯示裝置的結構示意圖。

圖4為本發明第三實施例提供的場發射顯示裝置的俯視示意圖。

圖5為圖4所示的場發射顯示裝置沿線V-V的剖面示意圖。

圖6為本發明第四實施例提供的場發射顯示裝置的結構示意圖。

圖7為本發明第五實施例提供的場發射顯示裝置的俯視示意圖。

圖8為本發明第六實施例提供的場發射顯示裝置的俯視示意圖。

圖9為本發明第七實施例提供的場發射顯示裝置的俯視示意圖。

圖10為圖9所示的場發射顯示裝置沿線X-X的剖面示意圖。

以下將結合附圖對本發明的場發射電子器件及場發射顯示裝置作進一步的詳細說明。可以理解，所述場發射電子器件及場發射顯示裝置可以包括複數個畫素單元，本發明實施例附圖僅給出部分畫素單元為例進行說明。

請參閱圖1、圖2，本發明第一實施例提供一種場發射顯示裝置200，其包括一絕緣基底202，複數個設置於該絕緣基底202表面的畫素單元220、以及複數個行電極引線204與複數個列電極引線206。

所述複數個行電極引線204與列電極引線206分別平行、間隔設置，優選的，所述複數個行電極引線204與列電極引線206分別平行 、等間隔設置。所述複數個行電極引線204與複數個列電極引線206相互交叉設置，並在行電極引線204與列電極引線206交叉處設置有一介質絕緣層216。該介質絕緣層216將行電極引線204與列電極引線206電隔離，以防止短路。每兩個相鄰的行電極引線204與兩個相鄰的列電極引線206形成一網格214，且每個網格214定位一個畫素單元220。所述複數個畫素單元220對應網格214設置成一陣列。可以理解，所述場發射顯示裝置200工作時需要封裝在一真空環境中。

所述絕緣基底202為一絕緣基板，如陶瓷基板、玻璃基板、樹脂基板、石英基板等。所述絕緣基底202的大小與厚度不限，本領域技術人員可以根據實際需要選擇。本實施例中，所述絕緣基底202優選為一玻璃基板，其厚度大於1毫米，邊長大於1厘米。

所述行電極引線204與列電極引線206為導電體，如金屬層等。本實施例中，該複數個行電極引線204與複數個列電極引線206優選為採用導電漿料列印的橫截面為矩形的平面導電體，且該複數個行電極引線204的行間距為50微米~2厘米，複數個列電極引線206的列間距為50微米~2厘米。該行電極引線204與列電極引線206的寬度為30微米~100微米，厚度為10微米~50微米。本實施例中，該行電極引線204與列電極引線206的交叉角度為10度到90度，優選為90度，該行電極引線204與列電極引線206相互垂直。本實施例中，可通過絲網列印法將導電漿料列印於絕緣基底202表面製備行電極引線204與列電極引線206。該導電漿料的成分包括金屬粉、低熔點玻璃粉和黏結劑；其中，該金屬粉優選為銀粉，該黏結劑優選為松油醇或乙基纖維素。該導電漿料中，金屬粉的重量 比為50~90%，低熔點玻璃粉的重量比為2~10%，黏結劑的重量比為8~40%。本實施例中，將所述行電極引線204的延伸方向定義為X方向，所述列電極引線206的延伸方向定義為Y方向。

所述複數個畫素單元220對應設置於上述網格214中，且每個網格214中設置一個畫素單元220。每個畫素單元220包括一第一電極212、一第二電極210、複數個電子發射體208、以及一螢光粉層218。所述第一電極212與第二電極210間隔設置於絕緣基底202表面，且該第一電極212至少部分環繞所述第二電極210設置。所謂“至少部分環繞所述第二電極210設置”指所述第一電極212至少部分圍繞所述第二電極210延伸，從而形成“L”形、“U”形、“C”形、半環形或環形等。所述第一電極212作為陰極電極，且與所述列電極引線206電連接。所述第二電極210作為陽極電極，且與所述行電極引線204電連接。所述複數個電子發射體208設置於所述第一電極212表面，且與所述第二電極210間隔設置。所述螢光粉層218設置於所述第二電極210的一表面。所述電子發射端222發射的電子可以打到螢光粉層218而使之發光。

所述第二電極210為導電體，如金屬層、ITO層、導電漿料等。所述第二電極210直接與所述行電極引線204接觸，從而實現電連接。本實施例中，所述第二電極210為一橫截面為矩形的平面導電體，其尺寸依據網格214的尺寸決定。優選地，所述第二電極210為沿Y方向上延伸的長條狀。所述第二電極210在Y方向上延伸的長度為30微米~1.5厘米，在X方向上延伸的寬度為20微米~1厘米，厚度為10微米~500微米。優選地，所述第二電極210在Y方向上延伸的長度為100微米~700微米，在X方向上延伸的寬度為50微米 ~500微米，厚度為20微米~100微米。

所述第一電極212為導電體，如金屬層、ITO層、導電漿料等。本實施例中，所述第一電極212為一橫截面為矩形的平面導電體。所述第一電極212包括一第一子電極2121，一第二子電極2123，以及一第三子電極2125。所述第一子電極2121和第二子電極2123分別設置於第二電極210兩側，且位於第二電極210與相鄰的兩個列電極引線206之間。所述第三子電極2125連接所述第一子電極2121和第二子電極2123從而形成一“U”形的一體結構，以將所述第二電極210環繞。本實施例中，所述第一電極212與第二電極210的材料均為導電漿料。所述第一電極212與第二電極210可通過絲網列印法列印於所述絕緣基底202表面。優選地，所述第一電極212與列電極引線206一體成型。所述第二電極210與行電極引線204一體成型。

所述螢光粉層218設置於所述第二電極210遠離絕緣基底202的表面，具體的，所述螢光粉層218可設置於第二電極210的部分表面或全部表面。當螢光粉層218設置於所述第二電極210的部分表面時，所述螢光粉層218設置於第二電極210與複數個電子發射體208相對的部分。所述螢光粉層218的材料可為白色螢光粉，也可以為單色螢光粉，例如紅色，綠色，藍色螢光粉等，當電子轟擊螢光粉層218時可發出白光或其他顏色可見光。該螢光粉層218可以採用沈積法、列印法、光刻法或塗敷法設置於第二電極210的表面。該螢光粉層218的厚度可以為5微米至50微米。

可以理解，所述場發射顯示裝置200還可以進一步包括一第三電極(圖未示)與所述絕緣基底202平行且間隔設置，所述螢光粉 層218設置於該第三電極相對所述絕緣基底202的表面，且每個螢光粉層218與一畫素單元220相對設置。此時，所述場發射顯示裝置200工作時，第一電極212用作陰極電極，第二電極210用作柵極電極，第三電極用作陽極電極。所述電子發射體208在第二電極210作用下發射電子，且發射的電子在第三電極作用下向第三電極方向加速運動，以轟擊螢光粉層218。

所述複數個電子發射體208設置於所述第一電極212表面，且至少部分環繞所述第二電極210設置或設置於所述第二電極210的至少兩側。所述複數個電子發射體208與所述絕緣基底202間隔設置，優選地，平行於絕緣基底202表面設置。所述電子發射體208的至少一端沿著遠離所述第一電極212的方向延伸作為電子發射體208的電子發射端222。所述電子發射端222與所述第二電極210間隔設置。本實施例中，所述複數個電子發射體208分別設置於所述第一子電極2121和第二子電極2123表面，且每個電子發射體208為線狀體，具有一電子發射端222指向所述第二電極210方向。可以理解，所述複數個電子發射體208也可以進一步設置於所述第三子電極2125表面。所述電子發射體208可選自矽線、奈米碳管、碳纖維及奈米碳管線等中的一種或複數種。而且，電子發射體208包括一電子發射端222，該電子發射端222為電子發射體208遠離第一電極212的一端。本實施例中，所述複數個電子發射體08為複數個平行排列的奈米碳管線，每個奈米碳管線的一端與第一電極212電連接，另一端指向第二電極210表面的螢光粉層218，作為電子發射體208的電子發射端222。該電子發射端222與第二電極210之間的距離為10微米~500微米。優選地，該電子發射端222與第二電極210之間的距離為50微米~300微米。所述電子發射 體208的延伸方向基本平行於所述螢光粉層218的表面。可以理解，所述電子發射體208的電子發射端222也可以懸空設置於螢光粉層218的上方。

所述電子發射體208一端與第一電極212的電連接方式可以為直接電連接或通過一導電膠電連接，也可以通過分子間力或者其他方式實現。該奈米碳管線的長度為10微米~1厘米，且相鄰的奈米碳管線之間的間距為1微米~500微米。該奈米碳管線包括複數個沿奈米碳管線長度方向排列的奈米碳管。該奈米碳管線可為複數個奈米碳管組成的純結構，所述“純結構”指該奈米碳管線中奈米碳管未經過任何化學修飾或功能化處理。優選地，所述奈米碳管線為自支撐結構。所謂“自支撐結構”即該奈米碳管線無需通過一支撐體支撐，也能保持自身特定的形狀。所述奈米碳管線中的奈米碳管通過凡得瓦(Van Der Waals)力相連，奈米碳管的軸向均基本沿奈米碳管線的長度方向延伸，其中，每一奈米碳管與在該延伸方向上相鄰的奈米碳管通過凡得瓦力首尾相連。所述奈米碳管線中的奈米碳管包括單壁、雙壁及多壁奈米碳管中的一種或複數種。所述奈米碳管的長度範圍為10微米~100微米，且奈米碳管的直徑小於15奈米。

所述複數個電子發射體208可以通過列印奈米碳管漿料層或鋪設奈米碳管膜的方法製備。所述奈米碳管漿料包括奈米碳管、低熔點玻璃粉以及有機載體。其中，有機載體在烘烤過程中蒸發，低熔點玻璃粉在烘烤過程中熔化並將奈米碳管固定於電極表面。

具體地，本實施例中的電子發射體208的製備方法包括以下步驟：

步驟一，提供至少一個奈米碳管膜。

所述奈米碳管膜從一奈米碳管陣列拉取獲得。該奈米碳管膜中包括複數個首尾相連且定向排列的奈米碳管。所述奈米碳管膜的結構及其製備方法請參見范守善等人於2007年2月12日申請的，於2010年7月11公告的第I327177號台灣公告專利申請“奈米碳管薄膜結構及其製備方法”，申請人：鴻海精密工業股份有限公司。

步驟二，將該奈米碳管膜鋪設覆蓋於第一電極212和第二電極210表面。

可以理解，當將至少兩個奈米碳管薄膜重疊鋪設於第一電極212和第二電極210表面時，相鄰兩個奈米碳管膜中的奈米碳管的軸向延伸方向基本相同。將奈米碳管膜鋪設覆蓋於上述第一電極212和第二電極210時，要確保該奈米碳管膜中的奈米碳管的延伸方向均基本為從第一電極212向第二電極210延伸。本實施例中，由於在後續步驟中要將奈米碳管膜加工成複數個平行且等間隔排列的奈米碳管線，故，奈米碳管膜的層數不易太多，優選為1~5層。進一步的，可用有機溶劑對所述奈米碳管膜進行處理，該有機溶劑為揮發性有機溶劑，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿，本實施例中優選採用乙醇。該有機溶劑揮發後，在揮發性有機溶劑的表面張力的作用下所述奈米碳管膜會部分聚集形成奈米碳管線。

步驟三，切割奈米碳管膜，使第一電極212與第二電極210之間的奈米碳管膜斷開，形成複數個平行排列的奈米碳管線固定於第一電極212表面作為電子發射體208。

所述切割奈米碳管薄膜結構的方法為鐳射燒蝕法、電子束掃描法或加熱熔斷法。本實施例中，優選採用鐳射燒蝕法切割奈米碳管膜，具體包括以下步驟：首先，採用一定寬度的雷射光束沿著每個行電極引線204進行掃描，去除不同行的電極之間的奈米碳管膜，使得留下的奈米碳管膜僅設置於同一行的第一電極212與第二電極210之表面。

其次，採用一定寬度的雷射光束沿著每個列電極引線206進行掃描，去除列電極引線206與相鄰第二電極210之間的奈米碳管膜，並使得同一網格214中的第一電極212與第二電極210之間的奈米碳管膜與第二電極210斷開。

該步驟中，在雷射光束掃描時，由於當該奈米碳管膜被鐳射照射後溫度升高，從而在垂直於奈米碳管延伸方向上產生收縮減小，形成奈米碳管線。並且在雷射光束照射的過程中，空氣中的氧氣會氧化鐳射照射到的奈米碳管，使得奈米碳管蒸發，從而使奈米碳管膜產生斷裂，在奈米碳管膜的斷裂處會形成一電子發射端222，且電子發射端222與第二電極210之間形成一間隔。本實施例中，所用的雷射光束的功率為10~50瓦，掃描速度為0.1~10000毫米/秒。所述雷射光束的寬度為1微米~400微米。

進一步，該場發射顯示裝置200的每個畫素單元220可以進一步包括一固定元件224設置於第一電極212表面，以將複數個電子發射體208固定於第一電極212表面。所述固定元件224可由絕緣材質或導電材質構成。本實施例中，該固定元件224為導電漿料層。

請參閱圖3，本發明第二實施例提供一種場發射顯示裝置300，其 包括一絕緣基底302，複數個畫素單元320、以及複數個行電極引線304與複數個列電極引線306。所述場發射顯示裝置300與本發明第一實施例提供的場發射顯示裝置200的結構基本相同，其區別在於：所述第二電極310具有兩個分別與兩側的第一電極312相對設置且背向所述絕緣基底302設置的承載面3102。

所謂“相對第一電極312設置”指所述承載面3102面對所述第一電極312設置，從而使得所述第一電極312和第二電極310分別位於承載面3102的兩側。所謂“背向所述絕緣基底302設置”指所述承載面3102至少部分面向遠離所述絕緣基底302的方向。所述承載面3102可以為平面或曲面。當所述承載面3102為平面時，所述承載面3102與絕緣基底302的表面形成一大於零度且小於90度的夾角。優選地，該夾角的角度大於等於30度且小於等於60度。當所述承載面3102為曲面時，該承載面3102可以為凸面或凹面。所述承載面3102可以與絕緣基底302的表面直接相交或間隔設置。

具體地，本實施例中，所述第二電極310為長條形，且所述第二電極310的寬度沿著遠離絕緣基底302的方向逐漸減小，從而使該第二電極310具有兩個分別與兩側的第一電極312相對設置的斜面作為承載面3102。所述螢光粉層318分別設置於所述第二電極310的兩個承載面3102，且所述電子發射端322指向螢光粉層318。所述兩個承載面3102之間的夾角大於等於30度且小於等於120度，所述每個承載面3102與絕緣基底302表面的夾角大於等於30度且小於等於75度。優選地，所述兩個承載面3102之間的夾角為大於等於60度且小於等於90度，所述每個承載面3102與絕緣基底302 表面的夾角大於等於45度且小於等於60度。本實施例中，所述兩個承載面3102之間的夾角，以及兩個承載面3102與絕緣基底302表面的夾角均為60度。

本實施例中，所述第二電極310可通過複數次列印導電漿料，且逐漸減小列印的導電漿料的寬度的方法形成。由於每次列印的導電漿料的寬度逐漸減小，且導電漿料本身具有一定的流淌性，從而形成承載面3102。

本實施例中，由於所述第二電極310具有兩個分別與兩側的電子發射端322相對設置且背向所述絕緣基底302設置的承載面3102，且所述螢光粉層318分別設置於兩個承載面3102，使得螢光粉層318不但具有較大的面積，而且容易被電子發射端322發射的電子轟擊到，從而使得場發射顯示裝置300具有較高的亮度。

請參閱圖4和圖5，本發明第三實施例提供一種場發射顯示裝置400，其包括一絕緣基底402，複數個畫素單元420、以及複數個行電極引線404與複數個列電極引線406。本實施例附圖僅給出一個畫素單元420。所述場發射顯示裝置400與本發明第一實施例提供的場發射顯示裝置200的結構基本相同，其區別在於：所述第一電極412用作陽極電極，所述第二電極410用作陰極電極，所述複數個電子發射體408設置於所述第二電極410表面，所述螢光粉層418設置於第一電極412表面。

具體地，本實施例中，所述第一電極412為橫截面為矩形的平面導電體。所述螢光粉層418設置於所述第一子電極4121和第二子電極4123遠離絕緣基底402的表面。所述複數個電子發射體408設置於第二電極410表面，且電子發射體408的電子發射端422分為 兩部分，分別向所述第一子電極4121和第二子電極4123方向延伸。本實施例中，所述複數個電子發射體408為複數個橫穿第二電極410的奈米碳管線，且每個奈米碳管線的兩端分別指向位於所述第一子電極4121和第二子電極4123表面的螢光粉層418。可以理解，所述螢光粉層418也可以進一步設置於所述第三子電極4125遠離絕緣基底402的表面，且複數個電子發射體408的部分電子發射端422指向第三子電極4125。

本實施例中，所述第二電極410表面設置有複數個電子發射體408，且複數個電子發射體408的電子發射端422分為兩部分，分別指向位於所述第一子電極4121和第二子電極4123，故，提高每個畫素單元420的場發射電流。故，所述場發射顯示裝置400具有較高的亮度。

請參閱圖6，本發明第四實施例提供一種場發射顯示裝置500，其包括一絕緣基底502，複數個畫素單元520、以及複數個行電極引線504與複數個列電極引線506。本實施例附圖僅給出一個畫素單元520。所述場發射顯示裝置500與本發明第三實施例提供的場發射顯示裝置400的結構基本相同，其區別在於：所述第一子電極5121和第二子電極5123均具有一與電子發射端522相對設置且背向所述絕緣基底502設置的承載面5122。

具體地，本實施例中，所述第一子電極5121和第二子電極5123的寬度均沿著遠離絕緣基底502的方向逐漸減小，從而使該第一子電極5121和第二子電極5123分別具有一與複數個電子發射體508相對設置的斜面作為承載面5122。所述螢光粉層518分別設置於所述第一子電極5121和第二子電極5123的承載面5122，且所述電 子發射端522指向螢光粉層518。所述承載面5122與絕緣基底502的表面形成一大於零度且小於90度的夾角。優選地，該夾角的角度大於等於30度且小於60度。本實施例中，所述承載面5122與絕緣基底502表面的夾角為45度。

本實施例中，所述第一子電極5121和第二子電極5123均具有一與電子發射體508相對設置且背向所述絕緣基底502設置的承載面5102，且所述螢光粉層518分別設置於所述兩個承載面5102，故，提高所述場發射顯示裝置500的亮度和顯示均勻度。

請參閱圖7，本發明第五實施例提供一種場發射顯示裝置600，其包括一絕緣基底602，複數個畫素單元620、以及複數個行電極引線604與複數個列電極引線606。本實施例附圖僅給出一個畫素單元620。所述場發射顯示裝置600與本發明第一實施例提供的場發射顯示裝置200的結構基本相同，其區別在於：所述第一電極612將第二電極610全包圍，所述第二電極610周圍的第一電極612表面均設置有複數個電子發射體608。

具體地，所述第二電極610的形狀與網格614的形狀相同，且設置於網格614的中央位置。所述第二電極610通過一一體成型的導線6104與行電極引線604電連接。所述第一電極612圍繞第二電極610設置，且所述第一電極612與導線6104的交叉位置設置一絕緣層或形成一開口從而使第一電極612與導線6104電絕緣。所述複數個電子發射體608圍繞第二電極610設置，且電子發射體的電子發射端622指向螢光粉層618。可以理解，所述第二電極610與第一電極612的形狀不限於上述形狀，只要第一電極612將第二電極610包圍即可。如，所述第二電極610為圓形，所述第一電極612 為圓環或“C”形。

請參閱圖8，本發明第六實施例提供一種場發射顯示裝置700，其包括一絕緣基底702，複數個畫素單元720、以及複數個行電極引線704與複數個列電極引線706。本實施例附圖僅給出一個畫素單元720。所述場發射顯示裝置700與本發明第五實施例提供的場發射顯示裝置600的結構基本相同，其區別在於：所述第一電極712用作陽極電極，所述第二電極710用作陰極電極，且所述第二電極710周圍的第一電極712表面均設置有螢光粉層718。

具體地，所述第二電極710的形狀與網格714的形狀相同，所述第一電極712圍繞第二電極710設置，且所述第一電極712與導線7104的交叉位置形成一開口。所述螢光粉層718設置於所述第一電極712表面，且環繞所述第二電極710設置。所述複數個電子發射體708設置於所述第二電極710的表面，且所述複數個電子發射體708的電子發射端722指向周圍的螢光粉層718。所述複數個電子發射體708可以通過在第二電極710表面交叉鋪設奈米碳管膜，然後鐳射切割的方法形成。

請參閱圖9和圖10，本發明第七實施例提供一種場發射顯示裝置800，其包括一絕緣基底802，複數個畫素單元820、以及複數個行電極引線804與複數個列電極引線806。本實施例附圖僅給出一個畫素單元820。所述場發射顯示裝置800與本發明第一實施例提供的場發射顯示裝置200的結構基本相同，其區別在於：所述第一電極812和第二電極810表面均設置有複數個電子發射體808和螢光粉層818。

具體地，所述複數個電子發射體808分別設置於所述第一子電極 8121，第二子電極8123和第二電極810遠離絕緣基底802的表面。所述螢光粉層818分別設置於所述第一子電極8121，第二子電極8123和第二電極810遠離絕緣基底802的表面，且將複數個電子發射體808部分覆蓋。所述第一子電極8121和第二子電極8123表面的電子發射體808分別向第二電極810方向延伸，且其電子發射端822指向第二電極810表面的螢光粉層818。所述第二電極810表面的電子發射體808分別向第一子電極8121和第二子電極8123方向延伸，且其電子發射端822指向第一子電極8121和第二子電極8123表面的螢光粉層818。

本實施例中，所述第一電極812和第二電極810可以交替用作陰極電極和陽極電極，從而提高場發射顯示裝置800的使用壽命。優選地，所述第一電極812和第二電極810之間可以施加一交流電壓，從而使所述第一電極812和第二電極810可以交替用作陰極電極和陽極電極。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

200‧‧‧場發射顯示裝置

202‧‧‧絕緣基底

204‧‧‧行電極引線

206‧‧‧列電極引線

208‧‧‧電子發射體

210‧‧‧第二電極

212‧‧‧第一電極

2121‧‧‧第一子電極

2123‧‧‧第二子電極

2125‧‧‧第三子電極

214‧‧‧網格

216‧‧‧絕緣層

218‧‧‧螢光粉層

220‧‧‧畫素單元

222‧‧‧電子發射端

224‧‧‧固定元件

Claims (11)

1. 一種場發射電子器件，其包括：一絕緣基底具有一表面；複數個行電極引線與複數個列電極引線分別平行且間隔設置於所述絕緣基底的表面，該複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置，且每兩個相鄰的行電極引線與兩個相鄰的列電極引線形成一個網格；以及複數個電子發射單元設置於絕緣基底的表面，每個電子發射單元對應一個網格設置，且每個電子發射單元包括一第一電極用作陽極電極、一第二電極用作陰極電極且與該第一電極間隔設置、以及複數個第一電子發射體；其改良在於，所述第一電極至少部分環繞所述第二電極設置，且所述複數個第一電子發射體設置於所述第一電極的表面。
2. 如請求項第1項所述的場發射電子器件，其中，所述第一電極至少部分圍繞所述第二電極延伸，所述第一電極為“L”形、“U”形、“C”形、半環形或環形。
3. 如請求項第1項所述的場發射電子器件，其中，所述複數個第一電子發射體設置於所述第一電極的表面，且所述複數個第一電子發射體至少部分環繞所述第二電極設置。
4. 如請求項第1項所述的場發射電子器件，其中，所述每個電子發射單元還包括複數個第二電子發射體設置於所述第二電極的表面，且所述第二電子發射體具有一電子發射端指向第一電極設置。
5. 如請求項第4項所述的場發射電子器件，其中，所述第一電極和第二電極 交替用作陰極電極和陽極電極。
6. 如請求項第5項所述的場發射電子器件，其中，所述場發射電子器件工作時，向複數個行電極引線和複數個列電極引線接入交流電壓。
7. 如請求項第4項所述的場發射電子器件，其中，所述第一和第二電子發射體為線狀，且所述第一和第二電子發射體平行於所述絕緣基底表面設置。
8. 如請求項第7項所述的場發射電子器件，其中，所述和第二電子發射體選自矽線、奈米碳管、碳纖維及奈米碳管線中的一種或複數種。
9. 如請求項第1項所述的場發射電子器件，其中，進一步包括一第三電極與所述絕緣基底平行且間隔設置。
10. 一種場發射顯示裝置，其包括：一絕緣基底具有一表面；複數個行電極引線與複數個列電極引線分別平行且間隔設置於所述絕緣基底的表面，該複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置，且每兩個相鄰的行電極引線與兩個相鄰的列電極引線形成一個網格；以及複數個畫素單元設置於絕緣基底的表面，每個畫素單元對應一個網格設置，且每個畫素單元包括一陰極電極、一複數個電子發射體與該陰極電極電連接、一陽極電極與該陰極電極間隔設置、以及一螢光粉層設置於該陽極電極表面；其改良在於，所述陽極電極和螢光粉層至少部分環繞所述陰極電極設置。
11. 一種場發射顯示裝置，其包括：一絕緣基底具有一表面；複數個行電極引線與複數個列電極引線分別平行且間隔設置於所述絕緣 基底的表面，該複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置，且每兩個相鄰的行電極引線與兩個相鄰的列電極引線形成一個網格；以及複數個畫素單元設置於絕緣基底的表面，每個畫素單元對應一個網格設置，其改良在於，每個畫素單元包括一第一電極、一第二電極與該第一電極間隔設置、複數個第一電子發射體設置於該第一電極表面、複數個第二電子發射體設置於該第二電極表面、一第一螢光粉層設置於該第一電極表面、以及一第二螢光粉層設置於該第二電極表面；且所述第一電極至少部分環繞所述第二電極設置，且所述第一電極和第二電極交替用作陰極電極和陽極電極。