CN102768930B - 场发射电子器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种场发射电子器件，包括：一绝缘基底具有一表面；多个行电极引线与多个列电极引线分别平行且间隔设置于所述绝缘基底的表面，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置定义多个交叉处，所述行电极引线与列电极引线在交叉处电绝缘设置；以及多个电子发射单元设置于绝缘基底表面，且每个电子发射单元对应设置于一个交叉处，其中，所述每个电子发射单元进一步包括：一第二电极与所述列电极引线电连接；一第一电极与该第二电极间隔设置且至少部分环绕所述第二电极设置，该第一电极与所述行电极引线电连接；以及多个电子发射体设置于所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极的远离绝缘基底的表面。
Description
技术领域
本发明涉及一种场发射电子器件，尤其涉及一种平面型场发射电子器件。
背景技术
场发射电子器件在低温或者室温下工作，与热电子发射器件相比具有功耗低、响应速度快以及低放气等优点。场发射电子器件在场发射显示装置中具有广泛的应用。
现有技术中的场发射显示装置包括一绝缘基底、多个像素单元、以及多个行电极引线与多个列电极引线。其中，所述多个行电极引线与多个列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底表面。所述多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，且每两个相邻的行电极引线与两个相邻的列电极引线形成一网格。所述多个像素单元按照预定规律排列，间隔设置于上述网格中，且每个网格中设置一个像素单元。所述像素单元包括一阴极电极，一设置于该阴极电极表面的电子发射体，一与该阴极电极间隔设置的阳极电极，以及一设置于该阳极电极表面的荧光粉层。当在该阴极电极与阳极电极之间施加一电压，电子发射体发射电子，以轰击荧光粉层发光。
然而，上述场发射显示装置中，由于每个象素单元仅包括一个阴极电极和一个阳极电极间隔设置，所以该场发射显示装置的电子发射效率较低，从而使得场发射显示装置亮度较差。
发明内容
有鉴于此，确有必要提供一种电子发射效率较高的场发射电子器件。
一种场发射电子器件，包括：一绝缘基底具有一表面；多个行电极引线与多个列电极引线分别平行且间隔设置于所述绝缘基底的表面，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置定义多个交叉处，所述行电极引线与列电极引线在交叉处电绝缘设置；以及多个电子发射单元设置于绝缘基底表面，且每个电子发射单元对应设置于一个交叉处，其中，所述每个电子发射单元进一步包括：一第二电极与所述列电极引线电连接；一第一电极与该第二电极间隔设置且至少部分环绕所述第二电极设置，该第一电极与所述行电极引线电连接；以及，多个电子发射体设置于所述第一电极和所述第二电极中的一个电极的远离绝缘基底的表面并向另一电极延伸，荧光粉层设置于所述第一电极和所述第二电极中的另一个电极的远离绝缘基底的表面，所述电子发射体的延伸方向平行于所述荧光粉层的表面，电子发射端指向荧光粉层。
相较于现有技术，所述场发射电子器件的一电极至少部分环绕另一电极设置，且多个电子发射体设置于至少一个电极的表面，从而使得场发射显示装置具有较高场发射电流，且采用该场发射电子器件的场发射显示装置具有较高的亮度。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的场发射显示装置的俯视示意图。
图2为图1所示的场发射显示装置沿线II-II的剖面示意图。
图3为本发明第二实施例提供的场发射显示装置的结构示意图。
图4为本发明第三实施例提供的场发射显示装置的俯视示意图。
图5为图4所示的场发射显示装置沿线V-V的剖面示意图。
图6为本发明第四实施例提供的场发射显示装置的结构示意图。
图7为本发明第五实施例提供的场发射显示装置的俯视示意图。
图8为图7所示的场发射显示装置沿线VIII-VIII的剖面示意图。
图9为本发明第六实施例提供的场发射显示装置的剖面示意图。
主要元件符号说明
场发射显示装置 200,300,400,500,600,700
绝缘基底 202,302,402,502,602,702
行电极引线 204,304,404,504,604,704
列电极引线 206,406,606
电子发射体 208,308,408,508,608,708
第二电极 210,310,410,510,610,710
承载面 3102,5122
第一电极 212,312,412,512,612,712
交叉处 214
介质绝缘层 216
荧光粉层 218,318,418,518,618,718
像素单元 220,320,420,520,620,720
电子发射端 222,322,422,522,622
固定元件 224
第三电极 726
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明的场发射电子器件及场发射显示装置作进一步的详细说明。可以理解，所述场发射电子器件及场发射显示装置可以包括多个像素单元，本发明实施例附图仅给出部分像素单元为例进行说明。
请参阅图1、图2，本发明第一实施例提供一种场发射显示装置200，其包括一绝缘基底202，多个像素单元220、以及多个行电极引线204与多个列电极引线206。
所述多个行电极引线204与多个列电极引线206分别平行、间隔设置于所述绝缘基底202的表面。优选地，所述多个行电极引线204与多个列电极引线206分别平行、等间隔设置。所述多个行电极引线204与多个列电极引线206相互交叉设置以定义多个交叉处214和多个网格(图未标)。所述多个行电极引线204与多个列电极引线206在交叉处214电绝缘，优选地，每个行电极引线204在交叉处214断开。所述每个交叉处214定位一个像素单元220。所述多个像素单元220对应交叉处214一一设置，从而形成一矩阵。可以理解，所述场发射显示装置200工作时需要封装在一真空环境中。
所述绝缘基底202为一绝缘基板，如陶瓷基板、玻璃基板、树脂基板、石英基板等。所述绝缘基底202的大小与厚度不限，本领域技术人员可以根据实际需要选择。本实施例中，所述绝缘基底202优选为一玻璃基板，其厚度大于1毫米，边长大于1厘米。
所述行电极引线204与列电极引线206为导电体，如金属层等。本实施例中，该多个行电极引线204与多个列电极引线206优选为采用导电浆料印制的横截面为矩形的平面导电体，且该多个行电极引线204的行间距为50微米～2厘米，多个列电极引线206的列间距为50微米～2厘米。该行电极引线204与列电极引线206的宽度为30微米～100微米，厚度为10微米～50微米。本实施例中，该行电极引线204与列电极引线206的交叉角度为10度到90度，优选地，该行电极引线204与列电极引线206相互垂直。本实施例中，通过丝网印刷法将导电浆料印制于绝缘基底202表面制备行电极引线204与列电极引线206。该导电浆料的成分包括金属粉、低熔点玻璃粉和粘结剂；其中，该金属粉优选为银粉，该粘结剂优选为松油醇或乙基纤维素。其中，金属粉的重量比为50～90％，低熔点玻璃粉的重量比为2～10％，粘结剂的重量比为8～40％。本实施例中，将所述行电极引线204的延伸方向定义为X方向，所述列电极引线206的延伸方向定义为Y方向。
所述每个像素单元220设置于交叉处214相邻的至少两个网格中。所述每个像素单元220包括一第一电极212、一第二电极210、多个电子发射体208、以及一荧光粉层218。所述第一电极212与第二电极210间隔设置于绝缘基底202表面，且该第一电极212至少部分环绕所述第二电极210设置。所谓“至少部分环绕所述第二电极210设置”指所述第一电极212至少部分围绕所述第二电极210延伸，从而形成“L”形、“U”形、“C”形、半环形或环形等。优选地，所述第二电极210设置于行电极引线204与列电极引线206的交叉处214，且设置于交叉处214相邻的四个网格中。所述第一电极212环绕第二电极210设置，也设置于交叉处214相邻的四个网格中。所述第一电极212与列电极引线206交叠处设置有一介质绝缘层216。所述第二电极210与行电极引线204间隔设置。
所述第一电极212作为阴极电极，且分别与交叉处214两侧断开的行电极引线204电连接，从而使得断开的行电极引线204电连接。所述第二电极210作为阳极电极，且与所述列电极引线206电连接。所述多个电子发射体208设置于所述第一电极212表面，且至少部分环绕所述第二电极210设置。所述荧光粉层218设置于所述第二电极210的一表面。所述电子发射体208发射的电子可以打到荧光粉层218而使之发光。
所述第二电极210为导电体，如金属层、ITO层、导电浆料等。所述第二电极210直接与所述列电极引线206接触，从而实现电连接。所述第二电极210为一平面导电体，其形状和尺寸依据实际需要决定。本实施例中，所述第二电极210为一正方形平面导电体。所述第二电极210的边长为30微米～1.5厘米，厚度为10微米～500微米。优选地，所述第二电极210的边长为100微米～700微米，厚度为20微米～100微米。
所述第一电极212为导电体，如金属层、ITO层、导电浆料等。所述第一电极212为一横截面为矩形的平面导电体，其形状和尺寸依据实际需要决定。优选地，所述第一电极212的厚度大于所述第二电极210的厚度，以防止相邻像素单元220之间的电场干扰。本实施例中，所述第一电极212的厚度大于所述第二电极210的厚度可以防止第二电极210的电场覆盖到相邻像素单元220的第一电极212表面。本实施例中，所述第一电极212为方框形，且将所述第二电极210全部环绕。所述第一电极212的宽度为30微米～1000微米，厚度为10微米～500微米。所述第一电极212与第二电极210的材料均为导电浆料。所述第一电极212与第二电极210可通过丝网印刷法印制于所述绝缘基底202表面。可以理解，所述第二电极210可以与所述列电极引线206一体印刷形成。所述第一电极212可以与所述行电极引线204一体印刷形成。
所述荧光粉层218设置于所述第二电极210远离绝缘基底202的表面。所述荧光粉层218的材料可为白色荧光粉，也可以为单色荧光粉，例如红色，绿色，蓝色荧光粉等，当电子轰击荧光粉层218时可发出白光或其它颜色可见光。该荧光粉层218可以采用沉积法、印刷法、光刻法或涂敷法设置在第二电极210的表面。该荧光粉层218的厚度可为5微米至50微米。
所述多个电子发射体208设置于所述第一电极212表面，且至少部分环绕所述第二电极210设置。所述每个电子发射体208具有一电子发射端222与所述第二电极210间隔设置。优选地，所述多个电子发射体208为设置于所述第一电极212与第二电极210之间的线状体。所述电子发射体208的一端与所述第一电极212电连接，另一端指向所述第二电极210，并向第二电极210延伸作为电子发射端222。所述多个电子发射体208与所述绝缘基底202间隔设置，且沿着平行于绝缘基底202表面的方向延伸。所述电子发射体208可选自硅线、碳纳米管、碳纤维及碳纳米管线等中的一种或多种。本实施例中，所述多个电子发射体208为多个平行排列的碳纳米管线，每个碳纳米管线的一端与第一电极212电连接，另一端指向第二电极210表面的荧光粉层218，作为电子发射体208的电子发射端222。该电子发射端222与第二电极210之间的距离为10微米～500微米。优选地，该电子发射端222与第二电极210之间的距离为50微米～300微米。所述电子发射体208的延伸方向基本平行于所述荧光粉层218的表面。可以理解，所述电子发射体208的电子发射端222也可以悬空设置于荧光粉层218的上方。
所述电子发射体208一端与第一电极212的电连接方式可以为直接电连接或通过一导电胶电连接，也可以通过分子间力或者其他方式实现。该碳纳米管线的长度为10微米～1厘米，且相邻的碳纳米管线之间的间距为1微米～500微米。该碳纳米管线包括多个沿碳纳米管线长度方向排列的碳纳米管。该碳纳米管线可为多个碳纳米管组成的纯结构，所述“纯结构”是指该碳纳米管线中碳纳米管未经过任何化学修饰或功能化处理。优选地，所述碳纳米管线为自支撑结构。所谓“自支撑结构”即该碳纳米管线无需通过一支撑体支撑，也能保持自身特定的形状。所述碳纳米管线中的碳纳米管通过范德华力相连，碳纳米管的轴向均基本沿碳纳米管线的长度方向延伸，其中，每一碳纳米管与在该延伸方向上相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连。所述碳纳米管线中的碳纳米管包括单壁、双壁及多壁碳纳米管中的一种或多种。所述碳纳米管的长度范围为10微米～100微米，且碳纳米管的直径小于15纳米。
所述多个电子发射体208可以通过印刷碳纳米管浆料层或铺设碳纳米管膜的方法制备。所述碳纳米管浆料包括碳纳米管、低熔点玻璃粉以及有机载体。其中，有机载体在烘烤过程中蒸发，低熔点玻璃粉在烘烤过程中熔化并将碳纳米管固定于电极表面。
具体地，本实施例中的电子发射体208的制备方法包括以下步骤：
步骤一，提供至少两个碳纳米管膜。
所述碳纳米管膜从一碳纳米管阵列拉取获得。该碳纳米管膜中包括多个首尾相连且定向排列的碳纳米管。所述碳纳米管膜的结构及其制备方法请参见范守善等人于2007年2月9日申请的，于2010年5月26公告的第CN101239712B号中国大陆公告专利申请“碳纳米管薄膜结构及其制备方法”，申请人：清华大学，鸿富锦精密工业(深圳)有限公司)。
步骤二，将该至少两个碳纳米管膜交叉铺设覆盖于第一电极212和第二电极210表面。
本实施例中，所述两个碳纳米管膜中的碳纳米管的延伸方向分别沿着行电极引线204与列电极引线206的长度方向，即两个碳纳米管膜中的碳纳米管的延伸方向基本垂直。可以理解第一电极212为其他形状，如圆环形时，可以将多个碳纳米管薄膜沿不同的交叉角度重叠铺设于第一电极212和第二电极210表面，以确保碳纳米管膜中的碳纳米管的延伸方向均基本为从第一电极212向第二电极210延伸。进一步的，可用有机溶剂对所述碳纳米管膜进行处理，该有机溶剂为挥发性有机溶剂，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿，本实施例中优选采用乙醇。该有机溶剂挥发后，在挥发性有机溶剂的表面张力的作用下所述碳纳米管膜会部分聚集形成碳纳米管线。
步骤三，切割碳纳米管膜，使第一电极212与第二电极210之间的碳纳米管膜断开，形成多个平行排列的碳纳米管线固定于第一电极212表面作为电子发射体208。
所述切割碳纳米管薄膜结构的方法为激光烧蚀法、电子束扫描法或加热熔断法。本实施例中，优选采用激光烧蚀法切割碳纳米管膜。在激光束扫描时，空气中的氧气会氧化激光照射到的碳纳米管，使得碳纳米管蒸发，从而使碳纳米管膜产生断裂，在碳纳米管膜的断裂处会形成一电子发射端222，且电子发射端222与第二电极210之间形成一间隔。本实施例中，所用的激光束的功率为10～50瓦，扫描速度为0.1～10000毫米/秒。所述激光束的宽度为1微米～400微米。该步骤中，同时将行电极引线204与列电极引线206表面以及网格中多余的碳纳米管膜去除。
进一步，该场发射显示装置200的每个像素单元220可以进一步包括一固定元件224设置于第一电极212表面，以将多个电子发射体208固定于第一电极212表面。所述固定元件224可由绝缘材质或导电材质构成。本实施例中，该固定元件224为导电浆料层。
请参阅图3，本发明第二实施例提供一种场发射显示装置300，其包括一绝缘基底302，多个像素单元320、以及多个行电极引线304与多个列电极引线。所述场发射显示装置300与本发明第一实施例提供的场发射显示装置200的结构基本相同，其区别在于：所述第二电极310具有至少一个与第一电极312相对设置且背向所述绝缘基底302设置的承载面3102。
所谓“相对第一电极312设置”指所述承载面3102面对所述第一电极312设置，从而使得所述第一电极312和第二电极310分别位于承载面3102的两侧。所谓“背向所述绝缘基底302设置”指所述承载面3102至少部分面向远离所述绝缘基底302的方向。所述承载面3102可以为平面或曲面。当所述承载面3102为平面时，所述承载面3102与绝缘基底302的表面形成一大于零度且小于90度的夹角。优选地，该夹角的角度大于等于30度且小于等于60度。当所述承载面3102为曲面时，该承载面3102可以为凸面或凹面。所述承载面3102可以与绝缘基底302的表面直接相交或间隔设置。
具体地，本实施例中，所述第二电极310为四棱锥体，其边长沿着远离绝缘基底302的方向逐渐减小，从而使该第二电极310具有四个分别与四周的第一电极312相对设置的斜面作为承载面3102。所述荧光粉层318分别设置于所述第二电极310的四个承载面3102。所述每个承载面3102与绝缘基底302表面的夹角大于等于30度且小于等于60度。所述第二电极310可通过多次印刷导电浆料，且逐渐减小印刷的导电浆料层的边长的方法形成。由于导电浆料本身具有一定的流淌性，从而形成承载面3102。
本实施例中，由于所述第二电极310具有四个分别与四周的电子发射端322相对设置且背向所述绝缘基底302设置的承载面3102，且所述荧光粉层318分别设置于四个承载面3102，使得荧光粉层318不但具有较大的面积，而且容易被电子发射端322发射的电子轰击到，从而使得场发射显示装置300具有较高的亮度。
请参阅图4和图5，本发明第三实施例提供一种场发射显示装置400，其包括一绝缘基底402，多个像素单元420、以及多个行电极引线404与多个列电极引线406。所述场发射显示装置400与本发明第一实施例提供的场发射显示装置200的结构基本相同，其区别在于：所述第二电极410为圆形平面导电体，所述第一电极412为圆环形，所述第一电极412用作阳极电极，所述第二电极410用作阴极电极，所述多个电子发射体408设置于所述第二电极410表面，所述荧光粉层418设置于第一电极412表面。
具体地，本实施例中，所述第一电极412为横截面为矩形的圆环形平面导电体。进一步，本实施例中，所述第一电极412的厚度大于所述第二电极410的厚度可以防止相邻像素单元420的第一电极412的阳极电场覆盖到该第二电极410表面。所述荧光粉层418设置于所述第一电极412远离绝缘基底402的表面。所述多个电子发射体408设置于第二电极410表面，且电子发射体408的电子发射端422分别向周围的第一电极412方向延伸。本实施例中，所述多个电子发射体408为多个横穿第二电极410且交叉设置的碳纳米管线。
本实施例中，所述第二电极410表面设置有多个电子发射体408，且多个电子发射体408的电子发射端422分别指向周围的第一电极412，所以提高了每个像素单元420的场发射电流。而且，所述荧光粉层418设置于环绕所述第二电极410的环形第一电极412表面，具有较大的发光面积。因此，所述场发射显示装置400具有较高的亮度。
请参阅图6，本发明第四实施例提供一种场发射显示装置500，其包括一绝缘基底502，多个像素单元520、以及多个行电极引线504与多个列电极引线。所述场发射显示装置500与本发明第三实施例提供的场发射显示装置400的结构基本相同，其区别在于：所述第一电极512具有一与第二电极510相对设置且背向所述绝缘基底502设置的承载面5122。
具体地，本实施例中，所述第一电极512的宽度均沿着远离绝缘基底502的方向逐渐减小，从而使该第一电极512具有一与电子发射端522相对设置的环形斜面作为承载面5122。所述荧光粉层518设置于所述第一电极512的承载面5122。所述多个电子发射体508的电子发射端522分别指向周围承载面5122的荧光粉层518。
本实施例中，所述第一电极512具有一与电子发射体508相对设置且背向所述绝缘基底502设置的环形承载面5122，且所述荧光粉层518设置于所述环形承载面5122，具有较大的面积，且容易被电子发射体508轰击到，所以提高了所述场发射显示装置500的亮度和显示均匀度。
请参阅图7和图8，本发明第五实施例提供一种场发射显示装置600，其包括一绝缘基底602，多个像素单元620、以及多个行电极引线604与多个列电极引线606。所述场发射显示装置600与本发明第一实施例提供的场发射显示装置200的结构基本相同，其区别在于：所述第一电极612和第二电极610表面均设置有多个电子发射体608和荧光粉层618。
具体地，所述多个电子发射体608分别设置于所述第一电极612和第二电极610远离绝缘基底602的表面，且第一电极612和第二电极610表面的电子发射体608相对且间隔设置。所述荧光粉层618分别设置于所述第一电极612和第二电极610远离绝缘基底602的表面，且将多个电子发射体608部分覆盖。所述第一电极812表面的电子发射体608分别向第二电极610方向延伸，且其电子发射端622指向第二电极610表面的荧光粉层618。所述第二电极610表面的电子发射体608分别向第一电极612方向延伸，且其电子发射端622指向第一电极612表面的荧光粉层618。
本实施例中，所述第一电极612和第二电极610可以交替用作阴极电极和阳极电极，从而提高了场发射显示装置600的使用寿命。优选地，所述第一电极612和第二电极610之间可以施加一交流电压，从而使所述第一电极612和第二电极610可以交替用作阴极电极和阳极电极。
请参阅图9，本发明第六实施例提供一种场发射显示装置700，其包括一绝缘基底702，多个像素单元720、以及多个行电极引线704与多个列电极引线。所述场发射显示装置700与本发明第一实施例提供的场发射显示装置200的结构基本相同，其区别在于：进一步包括一第三电极726与所述绝缘基底702平行且间隔设置，所述荧光粉层718设置于该第三电极726相对所述绝缘基底702的表面，且每个荧光粉层718与一像素单元720相对设置。
具体地，所述第三电极726与绝缘基底702平行且间隔设置，所述多个像素单元720，行电极引线704和多个列电极引线设置于第三电极726与绝缘基底702之间。所述场发射显示装置700工作时，第一电极712用作阴极电极，第二电极710用作栅极电极，第三电极726用作阳极电极。所述电子发射体608在第二电极710作用下发射电子，且发射的电子在第三电极726作用下向第三电极726方向加速运动，以轰击荧光粉层718。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
Claims (17)
1.一种场发射电子器件，包括：
一绝缘基底具有一表面；
多个行电极引线与多个列电极引线分别平行且间隔设置于所述绝缘基底的表面，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置定义多个交叉处，所述行电极引线与列电极引线在交叉处电绝缘设置；以及
多个电子发射单元设置于绝缘基底表面，且每个电子发射单元对应设置于一个交叉处，
其特征在于，所述每个电子发射单元进一步包括：
一第二电极与所述列电极引线电连接；
一第一电极与该第二电极间隔设置且至少部分环绕所述第二电极设置，该第一电极与所述行电极引线电连接；以及
多个电子发射体设置于所述第一电极和所述第二电极中的一个电极的远离绝缘基底的表面并向另一电极延伸，荧光粉层设置于所述第一电极和所述第二电极中的另一个电极的远离绝缘基底的表面，所述电子发射体的延伸方向平行于所述荧光粉层的表面，电子发射端指向荧光粉层。
2.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射体的一端与第一电极电连接，另一端与第二电极间隔设置且向第二电极延伸，所述电子发射体环绕所述第二电极设置。
3.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射体的一端与第二电极电连接，另一端与第一电极间隔设置且向第一电极延伸。
4.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射体分别设置于所述第一电极和所述第二电极的表面且相对设置，相对的电子发射体之间存在间隙。
5.如权利要求4所述的场发射电子器件，其特征在于，所述场发射电子器件工作时，向多个行电极引线和多个列电极引线接入交流电压。
6.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述第一电极与所述列电极引线电绝缘，所述第二电极与所述行电极引线电绝缘。
7.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述第一电极与所述行电极引线为一体成型结构，所述第二电极与所述列电极引线为一体成型结构。
8.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述电子发射体选自硅线、碳纳米管、碳纤维及碳纳米管线中的一种或多种。
9.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射体与所述绝缘基底间隔设置，且沿着平行于绝缘基底表面的方向延伸。
10.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，进一步包括一第三电极与所述绝缘基底平行且间隔设置。
11.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述第一电极为框形，且全部环绕所述第二电极设置。
12.如权利要求2所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射体平行排列，每一电子发射体的一端与第一电极电连接，另一端指向第二电极的表面，作为电子发射端。
13.如权利要求12所述的场发射电子器件，其特征在于，所述荧光粉层，设置于所述第二电极远离绝缘基底的表面。
14.如权利要求13所述的场发射电子器件，其特征在于，所述每一电子发射体的电子发射端悬空设置于荧光粉层的上方。
15.如权利要求13所述的场发射电子器件，其特征在于，所述每一电子发射体的电子发射端与第二电极之间的距离为10微米～500微米。
16.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射体通过第一电极或第二电极与绝缘基底间隔一定距离设置。
17.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射体设置在同一平面。
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