TWI420461B - 半導體裝置、具有該半導體裝置之顯示裝置及電子用具 - Google Patents

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Description

半導體裝置、具有該半導體裝置之顯示裝置及電子用具
本發明係有關半導體裝置，尤其，本發明係有關主動矩陣型顯示器中之圖素的結構，而主動矩陣型顯示器包含發光元件，且係使用半導體裝置來予以製造的。況且，本發明係有關配備有該半導體裝置之顯示裝置，及配備有該顯示裝置之電子用具。
在本文中所敘述之半導體裝置表示能夠藉由使用半導體特性而作用之任何裝置。
近幾年來，對主要應用於TVs、PC監視器、移動式終端機等等之薄型顯示器的需求已快速地增加，並且已經提升進一步發展。薄型顯示器包含液晶顯示裝置(LCD)及配備有發光元件之顯示裝置，特別是，期望使用發光元件之主動矩陣型顯示器做為下一代顯示器，因為其除了有習知LCD的優點，例如，薄、重量輕、及高的影像品質之外，還有高的反應速度、寬廣的視角等特色。
在使用發光元件之主動矩陣型顯示器中，給予圖17A所示之結構做為最基本的圖素結構(見非專利文件1：M.Mizukami,K.Inukai,H.Yamagata等人,SID ’00 Digest,vol.31,pp.912－915)。在圖17A中，各圖素具有一用以控制到發光元件204之電流供應的驅動器電晶體202、一用以藉由掃描線205而將資料線206之電位帶入驅動器電晶體202之閘極節點G的開關電晶體201、以及一用以保持節點G之電位的保持電容器203。
在圖17A中，發光元件204係能夠藉由類比驅動方法或數位驅動方法來予以驅動。在類比驅動方法中，將一類比值供應至驅動器電晶體202之閘極節點G，並且連續改變該類比值，藉以表示灰度(grayscale)。在數位驅動方法中，將一數位值供應至閘極節點G，藉以表示灰度。灰度之表示係藉由數位時間灰度法來予以實施，而在數位時間灰度法中，連續地改變發光周期。當與類比驅動做比較時，以高的影像品質而論，數位驅動係有利的，因為數位驅動較難受到TFTs的變動所影響。
當驅動圖17A中之圖素之電位關係和操作時序的特定例被顯示於圖17B中，並且敘述其操作。此時，藉由數位驅動方法來驅動發光元件204。
在圖17A中，發光元件204之相對電極(counter electrode)的電位被設定為GND(在下文中為0 V)，電流供應線207之電位被設定為7 V，資料線206之高(High)電位被設定為7 V且其低(Low)電位被設定為0 V，以及掃描線205之高電位被設定為10 V且其低電位被設定為0 V。
在掃描線205具有10 V之電位的周期中，使開關電晶體201打開，因而資料線206的電位被供應至節點G。在當掃描線205的電位從10 V被切換到0 V時的時刻之資料線206的電位被保持在節點G，如果所保持的電位為高電位7 V，則驅動器電晶體202被關閉，且發光元件204係處於非光發射狀態，如果所保持的電位為低電位0 V，則驅動器電晶體202被打開，且發光元件204係處於光發射狀態。此時，因為驅動器電晶體202操作於線性區域中，所以Vds(源極－汲極電壓)係非常低，且在發光元件204的相向電極(opposite electrode)之間產生約7 V之電位差，因而電流流動於發光元件204中。
在敘述於此之圖素結構中，資料線206的電位被寫入於節點G中。因為驅動器電晶體202視節點G之電位而被打開或關閉，所以必須是至少資料線206的高電位係等於或高於電流供應線207之電位，並且在數位驅動的情況中，低電位為在線性區域中打開驅動器電晶體202之電位。
選擇脈波依序從掃描線驅動器電路被輸出至該掃描線205的個別列，並且資料訊號依據選擇脈波而從資料線驅動器電路被輸出至該資料線206的個別行。
用以充電/放電資料線206之資料線驅動器電路中之緩衝器部分中的電力係佔在驅動器電路中之電力耗損的大部分，電力耗損P係通常計算自下面的公式(1)，其中，F為頻率，C為電容，及V為電壓。
P＝FCV2 (1)
因此，從公式(1)了解到資料線206之振幅的減小係有效於降低電力耗損。
但是，考慮到由於驅動器電晶體202之間的溫度、保持周期中的雜訊、開關電晶體201的非漏洩(off－leak)、等等之臨界值上的變動及臨界值上的擾動，並不容易減小資料線206之振幅。況且，在時間灰度法中，一個框周期被分成多個子框周期，以控制光發射周期；因此，充電/放電資料線206之次數增加，其進一步影響資料線驅動器電路的電力耗損。
有鑒於上面的問題，本發明提供一種半導體裝置及其驅動方法，其中，藉由不將資料線的電位寫於驅動器電晶體中而使資料線的振幅小，以減少電力耗損。
本發明之半導體裝置包含一發光元件；一掃描線；一資料線；一電流供應線；一節點；一第一電晶體，其閘極係連接至該節點，且其源極和汲極之其中一者係連接至該電流供應線，而另一者係連接至該發光元件的一個電極；一第二電晶體，其係視該資料線的電位而被打開或關閉，且其決定該節點的電位；以及一設定機構，用以設定該節點的電位，以便為一關閉該第一電晶體之電位，而不需視該資料線的電位。
本發明之半導體裝置包含一發光元件；一掃描線；一資料線；一電流供應線；第一及第二節點；一第一電晶體，其閘極係連接至該第一節點，且其源極和汲極之其中一者係連接至該電流供應線，而另一者係連接至該發光元件的一個電極；一第二電晶體，其係視該資料線的電位而被打開或關閉，且其決定該第二節點的電位；一設定機構，用以設定該第二節點的電位，以便為一關閉該第一電晶體之電位，而不需視該資料線之電位的擾動；以及一開關，用以控制該第一節點與該第二節點間之電連接或斷開。
在本發明的這些半導體裝置，電流供應線之電位係高於該發光元件之另一個電極的電位。況且，該第一電晶體為一P－通道電晶體，且該第二電晶體為一N－通道電晶體。
本發明之半導體裝置包含一第一電晶體，其源極和汲極之其中一者係連接至電流供應線；一發光元件，其一個電極係連接至該第一電晶體之該源極和汲極的另一者；以及一第二電晶體，其源極和汲極之其中一者係連接至掃描線，且其中，該第二電晶體之該源極和汲極的另一者係連接至該第一電晶體的閘極。
本發明之半導體裝置包含一第一電晶體，其源極和汲極之其中一者係連接至電流供應線；一發光元件，其一個電極係連接至該第一電晶體之該源極和汲極的另一者；一第二電晶體，其源極和汲極之其中一者係連接至第一掃描線；以及一第三電晶體，其閘極係連接至資料線，且其中，該第二電晶體之該源極和汲極的另一者係經由該第三電晶體而被連接至該第一電晶體的閘極。
本發明之半導體裝置包含一第一電晶體，其源極和汲極之其中一者係連接至電流供應線；一發光元件，其一個電極係連接至該第一電晶體之該源極和汲極的另一者；一第二電晶體，其源極和汲極之其中一者係連接至第一掃描線；一第三電晶體，其閘極和源極及汲極之其中一者係連接至該第一掃描線；以及一第四電晶體，其閘極係連接至第二掃描線，其中，該第二電晶體之閘極係連接至資料線，其中，該第二電晶體之該源極和汲極的另一者係經由該第四電晶體而被連接至該第一電晶體的閘極，且其中，該第二電晶體之該源極和汲極的另一者係該第三電晶體之該源極和汲極的另一者。
本發明之半導體裝置包含一第一電晶體，其源極和汲極之其中一者係連接至電流供應線；一發光元件，其一個電極係連接至該第一電晶體之該源極和汲極的另一者；一第二電晶體，其源極和汲極之其中一者係連接至第一掃描線；一第三電晶體，其閘極係連接至該第一掃描線，且源極和汲極之其中一者係連接至導線(wire)；以及一第四電晶體，其閘極係連接至第二掃描線，其中，該第二電晶體之閘極係連接至資料線，其中，該第二電晶體之該源極和汲極的另一者係經由該第四電晶體而被連接至該第一電晶體的閘極，且其中，該第二電晶體之該源極和汲極的另一者係該第三電晶體之該源極和汲極的另一者。此外，該電流供應線能夠被使用做為該導線。
本發明中之該第三電晶體可以為一二極體，其一個電極係連接至該第一掃描線，且其另一個電極係連接至該第二電晶體之該源極或該汲極。
況且，該半導體裝置可以具有用以輸入用來關閉該第一電晶體之訊號到該第一電晶體之該閘極的機構，除了即將從該資料線被輸入至該第二電晶體之該閘極之用來控制該發光元件之光發射周期或非光發射周期的訊號以外。
此外，該半導體裝置可以具有在輸入即將從該資料線被輸入至該第二電晶體之該閘極之用來控制該發光元件之光發射周期或非光發射周期的訊號之前，用以輸入用來關閉該第一電晶體之訊號到該第一電晶體之該閘極的機構。
本發明之該第一電晶體可以為一P－通道電晶體，且該第二電晶體可以為一N－通道電晶體。
本發明之該電流供應線的電位係高於該發光元件之相對電極的電位。
在本發明之該半導體裝置中所包含的發光元件為一具有展現電致發光(在下文中被稱為EL)於一對電極之間的發光層之EL元件。
來自其發光層係形成以有機化合物之EL元件的電致發光包含當從單激發狀態返回到接地狀態(螢光)時所產生的光發射和當從三重激發狀態返回到接地狀態(磷光)時所產生的光發射。本發明之發光元件能夠使用任一光發射。
其發光層係形成以無機材料之EL元件以從絕緣層與該發光層間之介面所取出的電子被加速於高電場且係藉由與局部光發射中心相碰撞來予以激發如此之方式來發射光。給予ZnS,SrS,BaAl2 S4 等等做為無機材料。此外，給予Mn,Tb,Tm,Eu等等做為即將被添加於該無機材料之光發射中心。
藉由使用本發明之半導體裝置的圖素結構，有可能分開地設定即將被施加於驅動器電晶體之閘極的開/關電位和資料線的振幅。因此，考慮到光發射周期中的切換雜訊、臨界值、非漏洩等等，即將被施加於本發明之半導體裝置之驅動器電晶體之閘極的電位能夠具有足夠的邊限(margin)。
此外，藉由使用本發明之半導體裝置的圖素結構，該資料線的振幅能夠被設定為小。因此，能夠急遽地減少電力耗損。
 [實施例模式1]
在本發明之半導體裝置的基本結構中，資料線係連接至選擇電晶體之閘極電極，且該選擇電晶體之源極電極和汲極電極的其中之一係電連接至驅動器電晶體之閘極電極。
參照圖1來詳細敘述特定的圖素結構及驅動時序。在此’雖然僅顯示一個圖素，但是半導體裝置的圖素部分真正具有多個呈矩陣方式配置於列方向和行方向上的圖素。
本發明之各圖素具有一選擇電晶體101(也被稱為第二電晶體)及一重設電晶體102(也被稱為第三電晶體)，它們藉由第一掃描線107和資料線109來決定節點D的電位、一開關電晶體103(也被稱為第四電晶體)，用以藉由第二掃描線108來電連接節點D和節點G、一驅動器電晶體104(也被稱為第一電晶體)，用以藉由節點G的電位來控制從電流供應線110(也被稱為電源線)到發光元件106的電流供應、以及一保持電容器105，用以保持節點G的電位。第一電晶體104為一P－通道電晶體，而第二電晶體101、第三電晶體102、及第四電晶體103為N－通道電晶體。但是，各電晶體之極性並不被限制，祇要連接至該等電晶體之端子的導線之電位被適當地改變，使得該等電晶體以和本發明之電晶體相同的方式操作。況且，在此說明書中，節點G也被稱為第一節點，而節點D也被稱為第二節點。
第一電晶體104之源極和汲極的其中一者係連接至電流供應線110。況且，第一電晶體104之源極和汲極的另一者係連接至發光元件106的一個電極，發光元件106的另一個電極用做相對電極111。第二電晶體101之源極和汲極的其中一者係連接至第一掃描線107，第二電晶體101之閘極係連接至資料線109，第二電晶體101之源極和汲極的另一者係連接至第四電晶體103之源極和汲極的其中一者，第四電晶體103之閘極係連接至第二掃描線108，第四電晶體103之源極和汲極的另一者係連接至第一電晶體104之閘極。況且，保持電容器105的一個電極係連接至第一電晶體104之閘極，而另一個電極係連接至電流供應線110。第三電晶體102之閘極與源極和汲極的其中一者係連接至第一掃描線107，第三電晶體102之源極和汲極的另一者係連接至第二電晶體101之源極和汲極的的另一者。
在此實施例模式中，驅動器電晶體104之閘極電容可以被使用來形成電容器。在此情況下，不需要提供保持電容器105。
在此實施例模式中，二極體可以被提供來代替第三電晶體(重設電晶體)102，如同能夠從第三電晶體102被連接以便用做二極體之事實而清楚地看到。
發光元件106的相對電極111具有比電流供應線110還低的電位(Vss)，Vss滿足Vss<Vdd，其中，Vdd為一基準，其係在圖素之光發射周期中電流供應線110的電位。舉例來說，Vss可以等於GND(地電位)。
接著，參照圖2A及2B和圖3A及3B來敘述圖1之圖素結構。
圖2A為本發明之圖素結構中，第一掃描線107、第二掃描線108、資料線109、節點D、和節點G之電位的時序圖表。在本發明之圖素結構中，各圖素是否發光係藉由重設周期、選擇周期、或維持(sustain)周期(也被稱為光發射周期或非光發射周期)來予以選擇。
在本發明之圖素結構中，用以打開或關閉第一電晶體(驅動器電晶體)之電位並非輸入自資料線，用以關閉驅動器電晶體之電位事先被輸入至圖素中之驅動器電晶體的閘極(第一節點)，亦即，保持電容器。在此說明書中，用以關閉驅動器電晶體之訊號事先被輸入至圖素中之驅動器電晶體的閘極(第一節點)之周期被稱為重設周期。
圖2B顯示在圖1之圖素結構中的重設周期中，導線之電位和電晶體的打開或關閉。為了敘述驅動，電流供應線之特定電位被設定如下：資料線109之高電位為3 V且其低電位為0 V、第一掃描線107和第二掃描線108之高電位為10 V且其低電位為0 V、電流供應線110之電位為8 V、及發光元件106的相對電極111之電位為0 V。在此所示之導線的特定電位僅係例子，並且本發明並不限於這些，祇要該等電位為用來打開或關閉該等電晶體的電位。
首先，在重設周期中，選擇脈波被輸出至第一掃描線107和第二掃描線108以提供10 V的電位，藉以打開重設電晶體102及開關電晶體103。此時，如果在各電晶體中之臨界值的絕對值為1 V，則節點D和節點G之電位減低至9 V，因為該電位從第一掃描線107的電位減少重設電晶體102的臨界值。因為電流供應線110具有8 V的電位，所以驅動器電晶體104被關閉。
在此重設周期中，選擇電晶體101根據資料線109之電位的改變而被打開。舉例來說，在節點D於重設周期之前具有0 V的電位之情況中，當資料線109具有3 V的電位時，選擇電晶體101被打開。但是，在該重設周期中，來自重設電晶體102之電位的輸入係主宰(dominant)於節點D中，並且當節點D的電位取得高於選擇電晶體101的閘極電位時，選擇電晶體101被關閉。因此，假如資料線109之電位改變，驅動器電晶體104之閘極端子的電位並不改變。
圖3 A及3B顯示在圖1之圖素結構中的選擇周期中選擇發光元件之光發射狀態或非光發射狀態的情況中，導線之電位和電晶體的打開或關閉。在該選擇周期中，第一掃描線107具有0 V的電位。
此時，當做為光發射訊號之3 V的電位被輸入至資料線109時，選擇電晶體101被打開，節點D和節點G之電位變成第一掃描線107之0 V的電位，驅動器電晶體104被打開，且電流從電流供應線110流到發光元件106的相對電極111，藉此，發光元件106發射光，如圖3A所示。
況且，當做為非光發射訊號之0 V的電位被輸入至資料線109時，選擇電晶體101仍然被關閉，且節點D和節點G之電位也仍然保持9 V，並且驅動器電晶體104也仍然被關閉，如圖3B所示。
隨後，光發射周期開始，第二掃描線108具有0 V的電位，且開關電晶體103被關閉。然後，在選擇周期中所決定之節點G的電位係藉由保持電容器105來予以保持。
如這樣所述，藉由使用本發明之半導體裝置的圖素結構，有可能分開地設定即將被施加於第一電晶體(驅動器電晶體)之閘極電極的開/關電位和資料線的振幅。因此，資料線的振幅能夠被設定成為小的振幅，藉此，能夠急遽地減少電力耗損。
此實施例模式能夠自由地和其他實施例模式和實施例相結合。
[實施例模式2]
實施例模式2將顯示一例，而在此例中，圖1中所示之圖素結構中之重設電晶體102的連接已經被改變。圖4顯示根據其而做成此敘述之特定結構，在此，雖然僅顯示一個圖素，但是半導體裝置之圖素部分真正具有多個呈矩陣方式配置於列方向和行方向上的圖素。
本發明之各圖素具有一選擇電晶體(也被稱為第二電晶體)301及一重設電晶體302(也被稱為第三電晶體)，它們藉由第一掃描線307和資料線309來決定節點D的電位、一開關電晶體303(也被稱為第四電晶體)，用以藉由第二掃描線308來電連接節點D和節點G、一驅動器電晶體304(也被稱為第一電晶體)，其藉由節點G的電位來控制從電流供應線310到發光元件306的電流供應、以及一保持電容器305，用以保持節點G的電位。
在此實施例模式中，驅動器電晶體304之閘極電容可以被使用來形成電容器。在此情況下，不需要形成保持電容器305。
第一電晶體304之源極和汲極的其中一者係連接至電流供應線110，而第一電晶體304之源極和汲極的另一者係連接至發光元件306的一個電極，發光元件306的另一個電極用做相對電極311。第二電晶體301之源極和汲極的其中一者係連接至第一掃描線307，第二電晶體301之閘極係連接至資料線309，第二電晶體301之源極和汲極的另一者係連接至第四電晶體303之源極和汲極的其中一者，第四電晶體303之閘極係連接至第二掃描線，而第四電晶體303之源極和汲極的另一者係連接至第一電晶體304之閘極。保持電容器305的一個電極係連接至第一電晶體304之閘極，而其另一個電極係連接至電流供應線310。第三電晶體302之閘極係連接至第一掃描線307，第三電晶體302之源極和汲極的其中一者係連接至電流供應線310，而第三電晶體302之源極和汲極的另一者係連接至第二電晶體301之源極和汲極的另一者。
類似於圖1之重設電晶體102，重設電晶體302在重設周期中將節點D之電位設定於10V的高電位，藉以關閉驅動器電晶體304。在重設周期、選擇周期、及光發射周期中之驅動方法、時序等等係類似於圖2A及2B和圖3A及3B之重設周期、選擇周期、及光發射周期中的驅動方法、時序等等。
在此實施例模式中，重設電晶體302之源極和汲極的其中一者係連接至電流供應線310；但是，可額外提供一電流供應線而被連接至重設電晶體302之源極和汲極的另一者。
此實施例模式能夠自由地和其他實施例模式和實施例相結合。
[實施例模式3]
實施例模式3將顯示圖素結構之一例，其係不同於圖1中所示之圖素結構。圖5顯示根據其而做成此敘述之特定結構，在此，雖然僅顯示一個圖素，但是半導體裝置之圖素部分真正具有多個呈矩陣方式配置於列方向和行方向上的圖素。
如圖5所示，此實施例模式之各圖素具有一選擇電晶體401(也被稱為第二電晶體)及一重設電晶體402(也被稱為第三電晶體)，它們藉由掃描線408和資料線409來決定節點D的電位、一驅動器電晶體404(也被稱為第一電晶體)，其根據節點G的電位來控制從電流供應線410到發光元件406的電流供應、以及一保持電容器405，用以保持節點G的電位。注意到，第一電晶體404為一P－通道電晶體，且第二電晶體401及第三電晶體402為N－通道電晶體。但是，各電晶體之極性並不特別限制，祇要連接至電晶體之端子的導線之電位被適當改變，使得該等電晶體以和本發明之電晶體相同的方式操作。
在此實施例模式中，驅動器電晶體404之閘極電容可以被使用提供電容器。在此情況下，並非一定需要保持電容器405。
此外，在此實施例模式中，能夠提供二極體來代替第三電晶體(重設電晶體)402，這從第三電晶體402被連接而使得第三電晶體402用作二極體之事實而係明顯的。
發光元件406的相對電極311被設置而具有係低於電流供應線410之電位Vss，Vss滿足Vss<Vdd，其中，Vdd為一基準，其係在光發射周期中電流供應線410之電位。舉例來說，Vss可以等於GND(地電位)。
況且，掃描線408之高電位被設定為高於電流供應線410之電位，其在選擇周期中之電位(此電位在下文中被稱為低電位1)被設定為和資料線409之低電位相同，且其在光發射周期中之電位(此電位在下文中被稱為低電位2)被設定為和資料線409之高電位相同。
接著，參照圖6A及6B和圖7A及7B來敘述圖5之圖素結構。
圖6A為顯示本發明之圖素結構中，掃描線408、資料線409、和節點G之電位的時序圖表。在本發明之圖素結構中，各圖素之光發射狀態或非光發射狀態係依據重設周期、選擇周期、或維持周期(也被稱為光發射周期或非光發射周期)來予以選擇。
在本發明之圖素結構中，用以打開或關閉第一電晶體(驅動器電晶體)之電位並非輸入自資料線，用以關閉驅動器電晶體之電位事先被輸入至圖素中之驅動器電晶體的閘極(第一節點)，亦即，保持電容器。在此說明書中，用以關閉驅動器電晶體之訊號事先被輸入至圖素中之驅動器電晶體的閘極(第一節點)之周期被稱為重設周期。
圖6B顯示在圖5之圖素結構中的重設周期中，導線之電位和電晶體的打開或關閉。為了解釋驅動，資料線409之高電位被設定為0 V且其低電位為－3 V、掃描線408之高電位被設定為10 V，其低電位1被設定為0 V，其低電位2被設定為－3 V、電流供應線410之電位被設定為8 V、及發光元件406的相對電極411之電位被設定為0 V。個別之導線的這些特定電位僅係例子，並且本發明並不限於這些，祇要該等電晶體能夠藉由這些導線的電位來予以打開或關閉。
首先，在重設周期中，選擇脈波被輸出至掃描線408而使得掃描線408之電位從0 V改變至10 V，藉以打開重設電晶體402。此時，如果該等電晶體之臨界值的絕對值皆為1 V，則節點G具有9 V之電位，因為該電位從掃描線408的電位減少重設電晶體402的臨界值。因為電流供應線410具有10 V的電位，所以驅動器電晶體404被關閉。
在此重設周期中，選擇電晶體401根據資料線409之電位的改變而被打開。舉例來說，如果節點D在重設周期之前具有0 V的電位，且資料線具有3 V的電位，則選擇電晶體401被打開。但是，在該重設周期中，當來自重設電晶體之電位的輸入係主宰於節點D中，導致節點D具有高於選擇電晶體401之閘極電位的電位時，選擇電晶體401被關閉。因此，即使資料線409之電位改變，驅動器電晶體404之閘極端子的電位也不改變。
圖7A及7B顯示在圖5之圖素結構中的選擇周期中選擇發光元件之光發射狀態或非光發射狀態的情況中，導線之電位和電晶體的打開或關閉。在該選擇周期中，掃描線408具有－3 V的電位。
此時，如果做為光發射訊號之0 V的電位被輸入至資料線409時，選擇電晶體401被打開，如圖7A所示，且節點G具有－3 V之電位，其係和掃描線408的電位相同，使得驅動器電晶體404被打開。因此，電流從電流供應線410饋送到發光元件406的相對電極411，藉此，發光元件406發射光。
當做為非光發射訊號之－3 V的電位被輸入至資料線409時，選擇電晶體401仍然被關閉，如圖7B所示。因此，節點G之電位仍然保持9 V，並且驅動器電晶體404也仍然被關閉。
隨後，光發射周期開始，且掃描線408具有0 V的電位。在選擇周期中，如果節點G具有9 V之電位，則選擇電晶體401仍然保持關閉，且節點G的電位(9 V)係保持於保持電容器105。在節點G於選擇周期中具有－3 V之電位的情況中，如果資料線409具有0 V之高電位，即使僅在光發射周期中一次，則選擇電晶體401被打開。此時，如果選擇電晶體401之臨界電壓為1 V，則節點G具有－1 V之電位，因為該電位從掃描線408的電位(0 V)減少選擇電晶體401的臨界值。但是，驅動器電晶體404仍然被打開。
此時，在各圖素中之驅動器電晶體404被打開的情況中，Vgs(介於閘極電極與源極電極之間的電壓)視光發射周期中之資料線409的電位而為－7 V或－11 V。但是，Vgs並不影響發光元件406的亮度那麼多，因為發光元件406在任一情況中係驅動於線性區域中。
此實施例模式能夠自由地和其他實施例模式和實施例相結合。
[實施例1]
實施例1將參照附圖來敘述配備有本發明之半導體裝置之發光裝置的剖面結構，在此，參照圖8來敘述發光裝置之多層結構的剖面，而發光裝置包含一選擇電晶體101、一驅動器電晶體104、及一發光元件。
做為具有絕緣表面之基體1201(第一基體)，能夠使用玻璃基體、石英基體、不銹鋼基體等等。也能夠使用形成以例如壓克力(丙烯酸)或塑膠之可撓性合成樹脂的基體，壓克力(丙烯酸)或塑膠之代表為聚對苯二甲酸乙酯(PET)、聚萘二甲酸乙酯(PEN)等，祇要該基體能夠抵抗製造程序中的處理溫度。
在基體1201之上，首先形成一基底膜1202，該基底膜1202能夠藉由使用絕緣膜(例如，氧化矽膜、氮化矽膜、或氧氮化矽膜)來予以形成。其次，一非晶系半導體膜被形成於基底膜1202之上，該非晶系半導體膜之厚度的範圍為從25到100 nm，不僅矽而且矽鍺能夠被使用做為非晶系半導體膜之材料。而後，非晶系半導體膜視需要而被結晶化，藉以形成結晶系半導體膜。做為結晶化方法，能夠使用加熱爐、雷射照射、以發射自燈之光的照射、或其組合。舉例來說，一金屬元素被添加於該非晶系半導體膜中，且使用加熱爐來施加熱處理，以形成結晶系半導體膜。以此方式來添加金屬元素係較佳的，這是因為能夠以低溫來實施結晶化。
因為形成以結晶系半導體之薄膜電晶體(TFT)比形成以非晶系半導體之TFT具有更高的電場效遷移率和更大的ON電流，所以形成以結晶系半導體之TFT更適合於半導體裝置。
接著，實施蝕刻以使結晶系半導體膜成型為預定的形狀。然後，形成用做閘極絕緣膜之絕緣膜，該絕緣膜被形成為厚度從10到150 nm，以便覆蓋半導體膜。舉例來說，氮氧化矽膜、氧化矽膜等等能夠被形成於單層或多層結構中。
接著，一用做閘極電極之導電膜被形成於結晶系半導膜之上，且具有閘極絕緣膜置於其間，閘極電極可以具有單層或多層結構，並且在此，閘極電極係藉由堆疊多個導電膜來予以形成的。導電膜1203A及1203B係形成以一選自Ta,W,Ti,Mo,Al,及Cu之元素，或含有上述元素之任何一者做為其主要成分的合金或化合物材料。在此實施例中，導電膜1203A係使用具有10到50 nm之厚度的氮化鉭膜來予以形成的，且導電膜1203B係使用具有200到400 nm之厚度的鎢膜來予以形成的。
其次，一雜質元素係藉由使用閘極電極做為遮罩而被添加於結晶系半導體膜，藉以形成雜質區域。此時，除了高濃度雜質區域之外，還可以形成低濃度雜質區域，該低濃度雜質區域被稱為LDD(輕度掺雜汲極)區域。
接著，形成用做層間絕緣膜的絕緣膜1204及1205。絕緣膜1204較佳係藉由使用含有氮之絕緣膜來予以形成的，並且在此，藉由電漿CVD法來形成100 nm厚的氮化矽膜，絕緣膜1205較佳係形成以有機材料或無機材料，做為有機材料，能夠使用聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯胺、聚醯亞胺－醯胺、苯並環丁烯、或矽氧烷，矽氧烷具有骨架結構，其具有矽(Si)和氧(O)的鍵。做為取代基，使用含有至少氫之有機基團(例如，烷基或芳香族烴)。做為取代基，可使用氟基或含有至少氫之氟基及有機基團。做為無機材料，能夠使用含有氧或氮之絕緣膜，例如，氧化矽(SiOx )膜、氮化矽(SiNx )膜、或氮氧化矽(SiOx Ny )(x>y，x及y為自然數)膜、或氮氧化矽(SiNx Oy )(x<y，x及y為自然數)膜。注意，含有有機材料之膜具有適合的平坦性，而有機材料吸收濕氣和氧氣。為了防止濕氣和氧氣的吸收，含有無機材料之絕緣膜較佳被形成在含有有機材料的絕緣膜之上。
接著，在形成接觸孔於層間絕緣膜1206中之後，形成用做電晶體之源極配線和汲極配線的導電膜1207，導電膜1207係能夠形成以選自鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、及矽(Si)、或含有這些元素之任一者的合金。在此實施例中，導電膜1207係形成以包含鈦膜、氮化鈦膜、鈦－鋁合金膜、及另一鈦膜的多層膜。
接著，形成一絕緣膜1208以便覆蓋導電膜1207。絕緣膜1208係能夠形成以如同層間絕緣膜1206之材料所提及的材料。其次，一圖素電極(也被稱為第一電極)1209係形成在設置於絕緣膜1208中之開口部分中。在該開口部分，為了改善圖素電極1209的段差覆蓋率(step coverage)，該開口部分的段差邊緣較佳具有圓的形狀，以便具有多個曲率半徑。
圖素電極1209係較佳形成以導電材料，例如，金屬、合金、導電化合物、及其混合物等等，各自具有高的功函數(4.0 eV或更高的功函數)。做為導電材料的特定例，能夠給予含有氧化鎢之氧化銦(IWO)、含有氧化鎢之氧化銦鋅(IWZO)、含有氧化鈦之氧化銦(ITiO)、含有氧化鈦之氧化錫銦(ITTiO)、等等。不用說，也能夠使用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、添加有氧化矽之氧化銦錫(ITSO)等等。
導電材料的組成比係如下。含有氧化鎢之氧化銦的組成比可以是氧化鎢：氧化銦＝1.0 wt%：99.0 wt%，含有氧化鎢之氧化銦鋅的組成比可以是氧化鎢：氧化鋅：氧化銦＝1.0 wt%：0.5 wt%：98.5 wt%，含有氧化鈦之氧化銦的組成比可以是氧化鈦：氧化銦＝1.0 wt%到5.0 wt%：99.0 wt%：95.0 wt%，氧化銦錫(ITO)的組成比可以是氧化錫：氧化銦＝10.0 wt%：90.0 wt%，氧化銦鋅(IZO)的組成比可以是氧化鋅：氧化銦＝10.7 wt%：89.3 wt%，含有氧化鈦之氧化銦錫的組成比可以是氧化鈦：氧化錫：氧化銦＝5.0 wt%：10.0 wt%：85.0 wt%，這些組成比祇是例子，且組成比可以被適當地決定。
接著，藉由蒸鍍法或噴墨法來形成一電致發光層1210’電致發光層1210係藉由適當地組合一電子－注入層(EIL)、一電子－傳送層(ETL)、一發光層(EML)、一電洞－傳送層(HTL)、一電洞－注入層(HIL)、等等而形成以有機材料或無機材料，並不一定需要個別層之間的邊界係清楚明確的。在一些情況中，諸層的材料被局部混合，導致介面並不清楚明確。
電致發光層係較佳形成以多個具有不同功能的層，例如，電洞－注入/傳送層、發光層、電子－注入/傳送層等等。
電洞－注入/傳送層係較佳形成以具有電洞－傳送性質之有機化合物材料，以及相對於有機化合物材料而具有電子－接收性質之無機化合物材料，此結構產生大量的電洞載子於有機化合物中，其起初幾乎沒有固有載子，以提供優異的電洞－注入/傳送性質。因此，驅動電壓能夠比習知的驅動電壓還低。此外，因為電洞－注入/傳送層能夠被做得厚而沒有使驅動電壓上升，所以能夠減少由於灰塵等等所造成之發光元件的短路。
做為具有電洞－傳送性質之有機化合物，舉例來說，銅苯二甲藍(縮寫為CuPc)、釩苯二甲藍(縮寫為VOPc)、4,4’,4”－三(N,N－二苯基胺基)三苯胺(縮寫為TDATA)、4,4’,4”－三[N－(3－甲基胺基)－N－苯胺基]三苯胺(縮寫為MTDATA)、1,3,5－三[N,N－二(間－甲苯基)胺基]苯(縮寫為m－MTDAB)、N,N’－二苯－N,N’－雙(3－甲苯雙)－1,1’－聯苯－4,4’－二胺(縮寫為TPD)、4,4’－雙[N－(1－萘基)－N－苯胺基]聯苯(縮寫為NPB)、4,4’－雙{N－[4－二(間－甲苯基)胺基]苯基－N－苯基胺基}聯苯(縮寫為DNTPD)、4,4’,4”－三(N－咔唑基)三苯胺(縮寫為TCTA)等等被給予做為例子。但是，有機化合物並不限於這些。
做為具有電子－接收性質之無機化合物，給予氧化鈦、氧化鋯、氧化釩、氧化鉬、氧化鎢、氧化錸、氧化鋅等等。特別是，氧化釩、氧化鉬、氧化鎢、及氧化錸係較佳的，因為這些無機化合物係能夠藉由真空蒸鍍來予以形成且很容易予以處理。
電子－注入/傳送層係形成以具有電子－傳送性質之有機化合物材料，明確地說，三(8－喹啉)鋁(縮寫為Alq3 )、三(4－甲基－8－喹啉)鋁(縮寫為Almq3 )、雙(10－羥苯[h]喹啉)鈹(縮寫為Beq2 )、雙(2－甲基－8－喹啉)(4－苯基酚)鋁(縮寫為BAlq)、雙[2－(2’－羥苯基)苯並噁唑]鋅(縮寫為Zn(BOX)2 )、雙[2－(2’－羥苯基)苯並噻唑]鋅(縮寫為Zn(BTZ)2 )、浴菲啉(bathophenanthroline)(縮寫為BPhen)、浴銅靈(bathocuproin)(縮寫為BCP)、2－(4－聯苯基)－5－(4－第三－丁基苯基)－1,3,4－並雙噁唑(縮寫為PBD)、1,3－雙[5－(4－第三－丁基苯基)－1,3,4－並雙噁唑－2－基]苯(縮寫為OXD－7)、2,2’,2”－(1,3,5－苯三基)－三(1－苯基－1H－苯並咪唑(縮寫為TPBI)、3－(4－聯苯基)－4－苯基－5－(4－第三－丁基苯基)－1,2,4－三唑(縮寫為TAZ)、3－(4－聯苯基)－4－(4－乙基苯基)－5－(4－第三－丁基苯基)－1,2,4－三唑(縮寫為p－EtTAZ)、等等被給予。但是，有機化合物材料並不限於這些。
做為發光層，能夠給予下面的化合物做為例子：9,10－二(2－萘基)蒽(縮寫為DNA)、9,10－二(2－萘基)－2－第三－丁基蒽(縮寫為t－BuDNA)、4,4’－雙(2,2－二苯乙烯)聯苯基(縮寫為DPVBi)、香豆素30、香豆素6、香豆素545、香豆素545T、苝、紅螢烯、哌昱富蘭辛(periflanthene)、2,5,8,11－四(第三－丁基)苝(縮寫為TBP)、9,10－二苯基蒽(縮寫為DPA)、5,12－二苯基並四苯、4－(二氰基甲撐)－2－甲基－[p－(二甲基胺基)苯乙烯]－4H－哌喃(縮寫為DCM1)、4－(二氰基甲撐)－2－甲基－6－[2－(咯啶－9－基)乙烯]－4H－哌喃(縮寫為DCM2)、4－(二氰基甲撐)－2－6－雙[p－(二甲基胺基)苯乙烯]－4H－哌喃(縮寫為BisDCM)等等。除此之外，也能夠使用能夠產生磷光的化合物，例如，雙[2－(4’,6’－二氟苯基)吡啶－N,C2 ’ ]銥(甲基吡啶) (縮寫為FIrpic)、雙{2－[3’,5’－雙(三氟甲基)苯]吡啶－N,C2 ’ }銥(甲基吡啶)(縮寫為Ir(CF3 ppy)2 (pic))、三(2－苯基吡啶－N,C2 ’ )銥(縮寫為Ir(ppy)3 )、雙(2－苯基吡啶－N,C2 ’ )銥(乙醯丙酮)(縮寫為Ir(ppy)2 (acac))、雙[2－(2’－噻吩基)吡啶－N,C3 ’ ]銥(乙醯丙酮)(縮寫為Ir(thp)2 (a cac))、雙(2－苯基喹啉－N,C2 ’ )銥(乙醯丙酮)(縮寫為Ir(pq)2 (acac))、或雙[2－(2’－苯並噻吩基)吡啶－N,C3 ’ ]銥(乙醯丙酮)(縮寫為Ir(btp)2 (acac))。
發光層可以使用一重激發發光材料及包含金屬錯合物的三重激發材料，舉例來說，在紅色發光圖素、綠色發光圖素、和藍色發光圖素中，其亮度減半期(half－reduced period)係相對短的紅色發光圖素係形成以三重激發發光材料，而其他則係形成以一重激發發光材料。由於高的發光效率，三重激發發光材料的功率耗損係比一重激發發光材料的功率耗損還少，以獲得到相同的亮度。換言之，如果紅色發光圖素係形成以三重激發發光材料，則其可靠度能夠被改善，因為即將被饋送至紅色發光圖素之發光元件的電流量小。為了減少功率耗損，紅色發光圖素和綠色發光圖素可以係形成以三重激發發光材料，並且藍色發光圖素可以係形成以一重激發發光材料。藉由以三重激發發光材料來形成綠色發光元件(其對人類眼睛具有高的可能度)，能夠達成功率耗損的進一步減少。
發光層可以具有用以藉由形成發光層而以顏色來顯示的結構，而發光層之各圖素具有不同的光發射波長帶。典型上，形成各自對應於R(紅色)、G(綠色)、及B(藍色)之各個顏色的發光層。甚至在此情況中，藉由具有一結構，而在此結構中，用以讓具有該光發射波長帶之光通過的過濾器係設置於該圖素之光發射側上，能夠增加顏色純度，並且能夠防止圖素部分的反射(眩光閃耀)。藉由設置該過濾器，有可能省略習知上一直需要的圓形偏極化板(polarizing plate)，並且防止發射自發光層之光的損失。況且，能夠減少發生於當傾斜地觀看圖素部分(顯示螢幕)時之色調的改變。
除此之外，做為可應用於發光層之電致發光材料，給予高分子量材料，例如，以聚對伸苯連乙烯基為底的材料、以聚對伸苯為底的材料、以聚噻吩為底的材料、以聚芴為底的材料。
無論如何，能夠修正電致發光層的層結構。在用以達成做為發光元件之功能的範圍內，可允許以具有相同目的之電極層來取代預定的電洞或電子注入/傳送層及發光層或者藉由被擴散來提供發光材料如此之修正。
況且，可形成一濾色器(著色層)於密封基體之上，能夠藉由蒸鍍法或液滴排放法來形成該濾色器(著色層)，藉由使用該濾色器(著色層)，能夠實施高清晰度顯示，因為濾色器(著色層)能夠補償在RGB之各顏色中之光發射頻譜中寬廣的峰值而變成為尖銳的峰值(peak)。
此外，能夠藉由形成表示單一顏色之光發射的材料，並且組合該材料與濾色器或顏色轉換層來達成全色顯示，該濾色器(著色層)或顏色轉換層可被形成於，舉例來說，第二基體(密封基體)之上，且黏貼於基體1201。
然後，一相對電極(也被稱為第二電極)1211係藉由濺鍍法或蒸鍍法來予以形成。圖素電極1209或相對電極1211的其中一個用作陽極而另一個用作陰極。
做為陰極材料，較佳使用各自具有低的功函數(3.8 eV或更低的功函數)之金屬、合金、導電化合物、或其混合物等等。做為陰極材料的特定例，能夠使用屬於周期表中之第一族或第二族的元素，亦即，鹼金屬，例如，Li或Cs、鹼土金屬，例如，Mg,Ca,或Sr、含有這些材料之合金，例如，Mg：Ag或Al：Li、含有這些材料之化合物，例如，LiF,CsF,或CaF2 、或者含有稀土金屬之過渡金屬。但是，因為陰極需要具有光透射性質，所以含有該金屬的這些金屬或合金被形成得非常薄，並且另一金屬，例如，ITO(包含合金)，被堆疊於其上。
在那之後，包含氮化矽膜或DLC(類鑽石碳)膜之保護膜可被提供以便覆蓋相對電極1211。經由上面的步驟，完成本發明之發光裝置。
此實施例能夠自由地與上面的實施例模式及另一實施例相結合。
[實施例2]
實施例2將參照圖9來敘述使用本發明之圖素結構的主動矩陣型顯示器之例。
主動矩陣型顯示器包含一基體501，而一電晶體及一配線被形成於基體501之上、一用來連接配線與外部的FPC 508、一發光元件、及一用來密封發光元件之相對基體502。
一包含多個配置成矩陣形式之圖素的顯示部分506、一資料線驅動器電路503、一掃描線驅動器電路A 504、一掃描線驅動器電路B 505、及一即將被連接至各種電源和訊號被輸入到那裡之FPC 508的FPC連接部分507被設置於基體501之上。
資料線驅動器電路503具有例如，移位暫存器、鎖存器、位準偏移器、及緩衝器之電路，並且資料訊號被輸出至各行的資料線。掃描線驅動器電路A 504和掃描線驅動器電路B 505各自具有例如，移位暫存器、位準偏移器、及緩衝器之電路，掃描線驅動器電路A 504將序列的選擇脈波輸出至各列的第二掃描線，而掃描線驅動器電路B 505將序列的選擇脈波輸出至各列的第一掃描線。
依據以選擇脈波係輸出自掃描線驅動器電路A 504和掃描線驅動器電路B 505如此之時序而被寫入各圖素中之資料訊號來控制發光元件是否發光。
除了上面的驅動器電路之外，例如CPU及控制器之電路可以被整體形成於基體501之上。這使其可能減少即將被連接之外部電路(ICs)的數目，並且進一步減小重量和厚度，其對移動式終端機等等係特別有效的。
在此說明書中，如圖9所示，已經實施黏貼FPC於其之步驟並且其使用EL元件做為發光元件的面板被稱為EL模組。
此實施例能夠自由地與上面的實施例模式及另一實施例相結合。
[實施例3]
實施例3將敘述一例，而在此例中，電流供應線的電位被補償來抑制由於因周圍溫度及轉換時間的改變所造成之發光元件之電流值的擾動所產生的影響。
使用發光層中之有機化合物的發光元件具有其電阻值(內電阻值)視周圍溫度而比使用無機材料之發光元件更容易改變這樣的性質。明確地說，當室溫被設定於正常溫度時，如果該溫度高於正常溫度，則電阻值減小，而如果該溫度低於正常溫度，則電阻值增加。因此，如果該溫度增加，在施加相同電壓的情況中，電流值增加，致使亮度超過所想要的亮度。如果該溫度減少，在施加相同電壓的情況中，電流值減少，致使亮度落在所想要的亮度之下。發光元件具有電流值在時間上減少這樣的性質。明確地說，當光發射周期和非光發射周期被累積時，電阻值隨著發光元件的退化而增加。因此，如果光發射周期和非光發射周期被累積，則在施加相同電壓的情況中，電流值減少， 致使亮度落在所想要的亮度之下。
由於發光元件之上述性質，亮度由於周圍溫度或轉換時間的改變而變化。在此實施例中，藉由使用本發明之電流供應線的電位來做補償，有可能抑制由於因周圍溫度及轉換時間的改變所造成之發光元件之電流值的擾動所產生的影響。此實施例係特別有效於當發光元件為其電阻值很容易因周圍溫度或轉換時間的改變而擾動的有機EL元件。
圖10顯示一電路結構，在一圖素中，如圖1所示之半導體裝置被設置，省略對和圖1中之相同部分的敘述。在圖10中，電流供應線1401和相對電極1402係經由如圖1所示之驅動器電晶體1403和發光元件1404而彼此互相連接。然後，電流從電流供應線1401流到相對電極1402，發光元件1404依據從電流供應線1401流到相對電極1402之電流的量而發光，參考數字1405表示資料線驅動器電路。
在如此之圖素結構的情況中，如果電流供應線1401和相對電極1402的電位係固定的，且電流保持流到發光元件1404，則發光元件1404的特性退化。況且，發光元件1404的特性依據周圍溫度而改變。
明確地說，如果電流保持流到發光元件1404，則電壓－電流特性開始偏移。換言之，發光元件1404的電阻值增加，使得即使施加相同量的電壓，流動電流的量變得較小。況且，雖然饋入相同量的電流，但是發光效率減小而降低亮度。至於溫度特性，如果溫度減少，則電壓－電流特性偏移，其使發光元件1404的電阻值上升。
因此，藉由使用監視器電路來補償因擾動而導致的上述退化及影響。在此實施例中，藉由調整電流供應線1401的電位，因發光元件1404之溫度而導致的退化及影響被補償。
在此，敘述監視器電路的結構。第一監視器電源線1406和第二監視器電源線1407係經由監視器電流源1408和監視器發光元件1409而彼此互相連接。用以輸出監視器發光元件1409之電位的輸入端子係連接至監視器發光元件1409與監視器電流源1408的連接點，電流供應線1401係連接至取樣電路1410的輸出端子。因此，電流供應線1401的電位係藉由取樣電路1410的輸出來予以控制。
接著，敘述監視器電路的操作。首先，監視器電流源1408饋送具有使發光元件以最大數目的灰度來發光所需之量的電流，此時之電流值為Imax。
然後，在監視器發光元件1409之相反端，施加具有需要饋送具有Imax之量的電流之位準的電壓。如果監視器發光元件1409之電壓－電流特性係依據該退化、該溫度等等而改變，則即將被施加於監視器發光元件1409之相反端的電壓也改變而為最佳值。因此，能夠補償監視器發光元件1409中之擾動(例如，退化或溫度改變)的影響。
即將被施加於監視器發光元件1409之電壓被輸出至取樣電路1410的輸入端子。因此，取樣電路1410之輸出端子的電位，亦即，電流供應線1401的電位係藉由監視器電路來予以補償，藉此，能夠補償因該退化或該溫度之發光元件1404的擾動。
取樣電路1410可以是任何類型的電路，祇要能夠輸出依據輸入電流之電壓。舉例來說，電壓隨耦器電路也是一種放大器電路；但是，該電路並不限於此，該電路係可使用運算放大器、雙極電晶體、及MOS電晶體或這些之組合的任何一者。
希望監視器發光元件1409係形成於相同的基體之上，同時，且係藉由和圖素之發光元件1404相同的製造方法，因為如果監視器之發光元件的特性和即將被配置於圖素中之發光元件的特性不同，則補償將會不對準一致(misaligned)。
因為配置於圖素中之發光元件1404常常具有一電流並不流動於其中之周期，所以如果電流保持流到監視器發光元件1409，則退化進展於監視器發光元件1409中，而不是在發光元件1404中。因此，即將輸出自取樣電路1410之電位變成過度補償的電位。因而，輸出自取樣電路1410之電位可以接著該圖素之真正的退化角度之後，舉例來說，如果整個螢幕的明暗比(lighting ratio)平均為30%，則針對對應於30%之亮度的周期，電流可以被饋送至監視器發光元件1409。在那時，監視器發光元件1409具有一電流並不流動於其中之周期；但是，必須恆定地從取樣電路1410的輸出端子供應電壓。為了達成此，取樣電路1410的輸入端子可以設置有一電容器元件，而在此電容器元件中，產生於當電流被饋送至監視器發光元件1409之電位被保持著。
如果依據最大數目的灰度來操作監視器電路，則過度補償的電位被輸出。但是，因為在圖素處之老化(burning－in)(由於在每一個圖素之退化角度上的擾動而導致之亮度上的變化)變得不顯著，所以希望監視器電路係依據最大數目的灰度來予以操作。
在此實施例中，驅動器電晶體1403更佳係操作於線性區域中，驅動器電晶體1403約略係操作為一係操作於線性區域中之開關。因此，有可能抑制因驅動器電晶體1403之退化、溫度等等而在特性上之擾動的影響。在驅動器電晶體1403僅操作於線性區域中的情況中，電流是否被饋送至發光元件1404常常係以數位方式來予以控制。在此情況下，為了增加灰度的數目，較佳結合時間灰度法、面積灰度法等等。
此實施例能夠自由地與上面的實施例模式及實施例相結合。
[實施例4]
做為配備有本發明之半導體裝置的電子用具，給予電視接收器用具、視頻照相機或數位照相機之照相機、護目鏡型顯示器、導航系統、聲音再生裝置(例如，汽車聲頻組件)、電腦、遊戲機、移動式資訊終端機(例如，移動式電腦、移動式電話、移動式遊戲機、或電子書)、配備有記錄媒體之影像再生裝置(明確地說，用來再生例如數位影音光碟片(DVD)之記錄媒體的裝置，其係配備有用來顯示再生影像之顯示器)等等，這些電子用具的特定例係顯示於圖11、圖12、圖13A及13B、圖14A及14B、圖15、和圖16A到16E。
圖11顯示顯示面板5001及電路基體5011係組合於其中之EL模組，控制電路5012、訊號分開電路5013、等等係形成在電路基體5011之上，且顯示面板5001與電路基體5011係經由連接導線5014而互相連接。
此顯示面板5001係配備有一多個圖素係設置於其中之圖素部分5002、一掃描線驅動器電路5003、及一用來供應視頻訊號至所選擇之圖素的資料線驅動器電路5004。在製造EL模組的情況中，構成圖素部分5002中之圖素的半導體裝置可以藉由使用上面的實施例來予以製造。此外，例如掃描線驅動器電路5003和資料線驅動器電路5004之控制驅動器電路部分係能夠藉由使用由上面實施例所形成之TFTs來予以製造。因此，能夠完成圖11中所示之EL模組。
圖12為顯示EL電視接收機器之主要組成的方塊圖。視頻訊號和聲頻訊號係以調諧器5101來予以接收，視頻訊號係藉由一影像訊號放大電路5102、一用來將輸出自影像訊號放大電路5102之訊號轉換成對應於紅色、綠色、或藍色之顏色訊號的影像訊號處理電路5103、及一用以依據驅動器IC之輸入規格來轉換影像訊號的控制電路5012來予以處理，控制電路5012將訊號分別輸出至掃描線側和資料線側。在數位驅動的情況中，訊號分開電路5013可被設置在資料線側上，使得所輸入之數位訊號可以被分成m數目的訊號且被供應。
在以調諧器5101所接收到的訊號中，聲頻訊號被送到聲頻訊號放大電路5105，且經由聲頻訊號處理電路5106而被輸出至揚聲器5107，控制電路5108從輸入部分5109接收例如接收站(接收頻率)或音量的控制資訊，並且將訊號送到調諧器5101或聲頻訊號處理電路5106。
如圖13A所示，電視接收機器能夠藉由將EL模組結合於殼體5201中來予以完成。有了EL模組，顯示螢幕5202被形成。此外，適當地提供揚聲器5202、操作開關5204等等。
圖13B顯示僅能夠無線式地承載顯示器之電視接收用具’殼體5212結合電池及訊號接收器，且顯示部分5213及揚聲器部分5217係以電池來予以驅動，電池可以用電池充電器5210來予以重複充電，電池充電器5210能夠發送與接收視頻訊號，且能夠將視頻訊號送到顯示器中的訊號接收器。殼體5212係藉由操作鍵5216來予以控制的，因為圖13B所示之用具能夠藉由操作該操作鍵5216而將訊號從殼體5212送到電池充電器5210，所以該用具也能夠被稱為雙向視頻/聲頻通訊裝置。況且，藉由操作該操作鍵5216，訊號能夠從殼體5212被送到電池充電器5210，而且該訊號能夠進一步從電池充電器5210被送到另一電子用具，使得另一電子用具的通訊控制也是可能的。因此，其也被稱為通用遙控裝置。本發明能夠被應用於顯示部分5213。
藉由使用圖11、圖12、和圖13A及13B所示之電視接收用具中的本發明之半導體裝置，有可能分開地設定即將被施加於第一電晶體(驅動器電晶體)之閘極電極的開/關電位，以及顯示部分之圖素中資料線之振幅的電位。因此，資料線之振幅能夠被設定為小，藉此，能夠提供消耗更加少電力的半導體裝置。因而，能夠將具有急遽抑制之功率耗損的產品提供給消費者。
自不待言，本發明並不限於電視接收機器，且本發明能夠被應用於各種目的，例如，用於個人電腦、像是在火車站或機場之資訊顯示板或者街道上之廣告顯示板的大型顯示媒體之監視器。
圖14A顯示顯示面板5301及印刷配線基體5302係組合於其中之模組。顯示面板5301係配備有一多個圖素係設置於其中之圖素部分5303、一第一掃描線驅動器電路5304、一第二掃描線驅動器電路5305、及一用來供應視頻訊號至所選擇之圖素的資料線驅動器電路5306。
印刷配線基體5302係配備有一控制器5307、一中央處理單元(CPU)5308、一記憶體5309、一電源電路5310、一聲頻處理電路5311、一發送/接收電路5312等等，印刷配線基體5302和顯示面板5301係藉由可撓配線基體(FPC)5313而互相連接，印刷配線基體5302可設置有一電容器元件、一緩衝器電路等等，使得能夠防止電源電壓及訊號上的雜訊和訊號上升時間的延遲。況且，控制器5307、聲頻處理電路5311、記憶體5309、CPU 5308、電源電路5310等等能夠藉由COG(玻璃上晶片)法而被安裝於顯示面板5301上。藉由COG法，能夠縮減印刷配線基體5302的尺寸。
各種控制訊號係經由提供給印刷配線基體5302之介面(I/F)部分5314而被輸入/輸出。況且，用以接收訊號於天線與印刷配線基體5302之間的天線埠5315被提供給印刷配線基體5302。
圖13B為顯示圖14A所示之模組的方塊圖。此模組具有一VRAM 5316、一DRAM 5317、一快閃記憶體5318等等做為記憶體5309，VRAM 5316儲存即將被顯示於面板上之影像資料，DRAM 5317儲存影像資料或聲頻資料，且快閃記憶體5318儲存各種程式。
電源電路5310供應用來操作顯示面板5301、控制器5307、CPU 5308、聲頻處理電路5311、記憶體5309、及發送/接收電路5312之電力，電源電路5310有時候係配備有一電流源，視面板之規格而定。
CPU 5308具有一控制訊號產生電路5320、一解碼器5321、一暫存器5322、一算術電路5323、一RAM 5324、一用於CPU 5308之介面(I/F)部分5319等等，經由介面部分5319而被輸入至CPU 5308的各種訊號在被保持於暫存器5322中一次之後被輸入至算術電路5323、解碼器5321等等，算術電路5323根據所輸入之訊號來實施計算，並且指定一將各種指令送至那裡之位址。此時，輸入至解碼器5321之訊號被解碼，並且經解碼之訊號被輸入至控制訊號產生電路5320，控制訊號產生電路5320根據所輸入之訊號而產生一包含各種指令之訊號，並且將該訊號送到由算術電路5323所指定之位址，特別是到記憶體5309、發送/接收電路5312、聲頻處理電路5311、控制器5307等等。
記憶體5309、發送/接收電路5312、聲頻處理電路5311、及控制器5307依據所接收到的指令而操作，該操作被概略敘述於下文中。
輸入自輸入機構5325之訊號係經由I/F部分5314而被送到安裝在印刷配線基體5302上之CPU 5308，控制訊號產生電路5320依據發送自輸入機構5325(例如，指向裝置或鍵盤)之訊號而將儲存在VRAM 5316中之影像資料轉換成預定的格式，並且將所轉換之影像資料送到控制器5307。
控制器5307依據面板的規格來處理已經從CPU 5308送來之包含影像資料的訊號，並且將該訊號供應至顯示面板5301，控制器5307根據輸出自CPU 5308之各種訊號以及輸出自電源電路5310之電源電壓而產生Hsync訊號、Vsync訊號、時鐘訊號CLK、交流電壓(AC Cont)、及切換訊號L/R，並且將這些訊號供應至顯示面板5301。
發送/接收電路5312處理已經被發送且用天線5328而被接收做為電波的訊號，且明確地說，包含一高頻電路，例如，隔離器、帶通濾波器、VCO(電壓控制振盪器)、LPF(低通濾波器)、耦合器或平衡－不平衡電路(balun)。在發送至與接收自發送/接收電路5312的訊號中，一包含聲頻資訊之訊號依據來自CPU 5308之指令而被送到聲頻處理電路5311。
已經依據來自CPU 5308之指令而被發送之包含聲頻資訊的訊號在聲頻處理電路5311中被解調變成聲頻訊號，並且被送到揚聲器部分5327。已經發送自麥克風5326之聲頻訊號被調變於聲頻處理電路5311中且依據來自CPU 5308之指令而被送到發送/接收電路5312。
在此實施例中，控制器5307、CPU 5308、電源電路5310、聲頻處理電路5311、及記憶體5309能夠被安裝為一封裝組件，此實施例能夠被應用於除了高頻電路，例如，隔離器、帶通濾波器、VCO(電壓控制振盪器)、LPF(低通濾波器)、耦合器或平衡－不平衡電路以外之任何電路。
圖15顯示包含圖14A及14B所示之模組的移動式電話之模式。顯示面板5301係可拆卸式地結合於殼體5330中，殼體5330依據顯示面板5301的尺寸而能夠具有任何的形狀及尺寸，具有顯示面板5301固定於其中之殼體5330係裝配於印刷基體5331中且被組合成一模組。
顯示面板5301係經由FPC 5313而被連接至印刷基體5331，印刷基體5331係設置有一揚聲器5332、一麥克風5333、一發送/接收電路5334、一包含CPU之訊號處理電路5335、一控制器等等。如此之模組係與一輸入機構5336、一電池5337、及一天線5340相結合，且被置於殼體5339中，提供顯示面板5301之圖素部分，以便從形成在殼體5339中之開放視窗被觀看。
此實施例之移動式電話能夠依據功能和所想要的目的而被改變成各種模式，舉例來說，可以設置多個顯示面板，或者該殼體可以被適當地分成多個殼體，並且該等殼體可以用鉸鏈而互相連接，以便打開和關閉。
圖15所示之移動式電話具有一結構，而在此結構中，在半導體裝置中所包含之類似於實施例模式1中所敘述之圖素的圖素在顯示面板5301中被排列成矩陣。在該半導體裝置中，能夠分開地設定即將被施加於驅動器電晶體之閘極電極的開/關電位，以及圖素中資料線之振幅的電位。因此，資料線之振幅能夠被設定為小，且能夠急遽抑制半導體裝置之功率耗損。因為包含該半導體裝置之顯示面板5301具有類似特性，所以功率耗損的急遽縮減被達成於該移動式電話中。此特性使其可能急遽地減少電源電路的數目或減小其尺寸；因此，殼體5339的重量能夠更輕。因為本發明之移動式電話消耗更少的電力且重量更輕，所以具有改良之可攜帶性的產品能夠被提供給消費者。
圖16A顯示包含殼體6001、支架6002、顯示部分6003等等之電視裝置。在此電視裝置中，在半導體裝置中所包含之類似於實施例模式1中所敘述之圖素的圖素在顯示部分6003中被排列成矩陣。在該半導體裝置中，能夠分開地設定即將被施加於驅動器電晶體之閘極電極的開/關電位，以及圖素中資料線之振幅的電位。因此，資料線之振幅能夠被設定為小，且能夠急遽抑制半導體裝置之功率耗損。因為包含該半導體裝置之顯示部分6003具有類似特性，所以功率耗損的急遽縮減被達成於該電視裝置中。因為此特性使其可能急遽地減少電源電路的數目或減小其尺寸，所以殼體6001的重量能夠更輕。因為本發明之電視裝置消耗更少的電力且重量更輕，所以適合於居住環境之產品能夠被提供給消費者。
圖16B顯示包含主體6101、殼體6102、顯示部分6103、鍵盤6104、外部連接埠6105、指向滑鼠6106等等之電腦。在此電腦中，在半導體裝置中所包含之類似於實施例模式1中所敘述之圖素的圖素在顯示部分6103中被排列成矩陣。在該半導體裝置中，能夠分開地設定即將被施加於驅動器電晶體之閘極電極的開/關電位，以及圖素中資料線之振幅的電位。因此，資料線之振幅能夠被設定為小，且能夠急遽抑制半導體裝置之功率耗損。因為包含該半導體裝置之顯示部分6103具有類似特性，所以功率耗損的急遽縮減被達成於該電腦中。此特性使其可能急遽地減少電源電路的數目或減小其尺寸；因此，主體6101及殼體6102的重量能夠更輕。因為本發明之電腦消耗更少的電力且重量更輕，所以具有高便利性之產品能夠被提供給消費者。
圖16C顯示包含主體6201、顯示部分6202、開關6203、操作鍵6204、紅外線埠6205等等之移動式電腦。在此移動式電腦中，在半導體裝置中所包含之類似於實施例模式1中所敘述之圖素的圖素在顯示部分6202中被排列成矩陣。在該半導體裝置中，能夠分開地設定即將被施加於驅動器電晶體之閘極電極的開/關電位，以及圖素中資料線之振幅的電位。因此，資料線之振幅能夠被設定為小，且能夠急遽抑制半導體裝置之功率耗損。因為包含該半導體裝置之顯示部分6202具有類似特性，所以功率耗損的急遽縮減被達成於該移動式電腦中。此特性使其可能急遽地減少電源電路的數目或減小其尺寸；因此，主體6201的重量能夠更輕。因為本發明之移動式電腦消耗更少的電力且重量更輕，所以具有高便利性之產品能夠被提供給消費者。
圖16D顯示包含殼體6301、顯示部分6302、揚聲器部分6303、操作鍵6304、記錄媒體插入部分6305等等之移動式遊戲機。在此移動式遊戲機中，在半導體裝置中所包含之類似於實施例模式1中所敘述之圖素的圖素在顯示部分6302中被排列成矩陣。在該半導體裝置中，能夠分開地設定即將被施加於驅動器電晶體之閘極電極的開/關電位，以及圖素中資料線之振幅的電位。因此，資料線之振幅能夠被設定為小，且能夠急遽抑制半導體裝置之功率耗損。因為包含該半導體裝置之顯示部分6302具有類似特性，所以功率耗損的急遽縮減被達成於該移動式遊戲機中。此特性使其可能急遽地減少電源電路的數目或減小其尺寸；因此，殼體6301的重量能夠更輕。因為本發明之移動式遊戲機消耗更少的電力且重量更輕，所以具有高便利性之產品能夠被提供給消費者。
圖16E顯示配備有記錄媒體(明確地說，DVD再生裝置)之移動式影像再生裝置，包含主體6401、殼體6402、顯示部分A 6403、顯示部分B 6404、記錄媒體(例如，DVD)讀取部分6405、操作鍵6406、揚聲器部分6407等等，顯示部分A 6403主要顯示影像資訊，而顯示部分B 6404主要顯示本文部分。在此影像再生裝置中，在半導體裝置中所包含之類似於實施例模式1中所敘述之圖素的圖素在顯示部分A 6403和B 6404中被排列成矩陣。在該半導體裝置中，能夠分開地設定即將被施加於驅動器電晶體之閘極電極的開/關電位，以及圖素中資料線之振幅的電位。因此，資料線之振幅能夠被設定為小，且能夠急遽抑制半導體裝置之功率耗損。因為包含該半導體裝置之顯示部分A 6403和B 6404具有類似特性，所以功率耗損的急遽縮減被達成於該影像再生裝置中。此特性使其可能急遽地減少電源電路的數目或減小其尺寸；因此，主體6401和殼體6402的重量能夠更輕。因為本發明之影像再生裝置消耗更少的電力且重量更輕，所以具有高便利性之產品能夠被提供給消費者。
在這些電子用具中所使用的顯示裝置不僅能夠使用玻璃基體，而且也能夠使用抗熱塑膠基體來予以形成，視尺寸、強度、與所想要的目的而定。因此，能夠達成重量的進一步縮減。
在此實施例中所顯示之例子僅為示例，且本發明並不限於這些例子。
此實施例能夠自由地與上面的實施例模式及實施例相結合。
此申請案係根據在2005年4月18日於日本專利局中所申請之日本專利申請案序號第2005－119676號，其整個內容在此被併入當做參考資料。
101．．．選擇電晶體
102．．．重設電晶體
103．．．開關電晶體
104．．．驅動器電晶體
105．．．保持電容器
106．．．發光元件
107．．．第一掃描線
108．．．第二掃描線
109．．．資料線
110．．．電流供應線
111．．．相對電極
201．．．開關電晶體
202．．．驅動器電晶體
203．．．保持電容器
204．．．發光元件
205．．．掃描線
206．．．資料線
207．．．電流供應線
301．．．選擇電晶體
302．．．重設電晶體
303．．．開關電晶體
304．．．驅動器電晶體
305．．．保持電容器
306．．．發光元件
307．．．第一掃描線
308．．．第二掃描線
309．．．資料線
310．．．電流供應線
311．．．相對電極
401．．．選擇電晶體
402．．．重設電晶體
404．．．驅動器電晶體
405．．．保持電容器
406．．．發光元件
408．．．掃描線
409．．．資料線
410．．．電流供應線
411．．．相對電極
501．．．基體
502．．．相對基體
503．．．資料線驅動器電路
504．．．掃描線驅動器電路
505．．．掃描線驅動電路
506．．．顯示部分
507．．．FPC連接部分
508．．．FPC
1201．．．基體
1202．．．基底膜
1203A．．．導電膜
1203B．．．導電膜
1204．．．絕緣膜
1205．．．絕緣膜
1206．．．層間絕緣膜
1207．．．導電膜
1208．．．絕緣膜
1209．．．圖素電極
1210．．．電致發光層
1211．．．相對電極
1401．．．電流供應線
1402．．．相對電極
1403．．．驅動器電晶體
1404．．．發光元件
1406．．．監視器電源線
1407．．．監視器電源線
1408．．．監視器電流源
1409．．．監視器發光元件
1410．．．取樣電路
5001．．．顯示面板
5002．．．圖素部分
5003．．．掃描線驅動器電路
5004．．．資料線驅動器電路
5011．．．電路基體
5012．．．控制電路
5013．．．訊號驅動電路
5014．．．連接導線
5101．．．調諧器
5102．．．影像訊號放大電路
5103．．．影像訊號處理電路
5105．．．聲頻訊號放大電路
5106．．．聲頻訊號處理電路
5107．．．揚聲器
5108．．．控制電路
5109．．．輸入部分
5201．．．殼體
5202．．．顯示螢幕
5203．．．揚聲器
5204．．．操作開關
5210．．．電池充電器
5212．．．顯示部分
5216．．．操作鍵
5217．．．揚聲器部分
5301．．．顯示面板
5302．．．印刷配線基體
5303．．．圖素部分
5304．．．掃描線驅動器電路
5305．．．掃描線驅動器電路
5306．．．資料線驅動器電路
5307．．．控制器
5308．．．中央處理單元(CPU)
5309．．．記憶體
5310．．．電源電路
5311．．．聲頻處理電路
5312．．．發送接收電路
5313．．．可撓配線基體(FPC)
5314．．．介面(I/F)部分
5315．．．天線埠
5316．．．VRAM
5317．．．DRAM
5318．．．快閃記憶體
5319．．．介面(I/F)部分
5320．．．控制訊號產生電路
5321．．．解碼器
5322．．．暫存器
5323．．．算術電路
5324．．．RAM
5325．．．輸入機構
5326．．．麥克風
5327．．．揚聲器
5328．．．天線
5330．．．殼體
5331．．．印刷基體
5332．．．揚聲器
5333．．．麥克風
5334．．．發送/接收電路
5335．．．訊號處理電路
5336．．．輸入機構
5337．．．電池
5339．．．殼體
5340．．．元件
6001．．．殼體
6002．．．支架
6003．．．顯示部分
6101．．．主體
6102．．．殼體
6103．．．顯示部分
6104．．．鍵盤
6105．．．外部連接埠
6016．．．指示滑鼠
6201．．．主體
6202．．．顯示部分
6203．．．開關
6204．．．操作鍵
6205．．．紅外線埠
6301．．．殼體
6302．．．顯示部分
6303．．．揚聲器部分
6304．．．操作鍵
6305．．．記錄媒體插入部分
6401．．．主體
6402．．．殼體
6403．．．顯示部分A
6404．．．顯示部分B
6405．．．記錄媒體(例如DVD)讀取部分
6406．．．操作鍵
6407．．．揚聲器部分
圖1係實施例模式1之電路圖；圖2A及2B顯示實施例模式1的一個模式；圖3A及3B顯示實施例模式1的一個模式；圖4係實施例模式2之電路圖；圖5係實施例模式3之電路圖；圖6A及6B顯示實施例模式3的一個模式；圖7A及7B顯示實施例模式3的一個模式；圖8係實施例1的剖面圖；圖9係實施例2的立體圖；圖10係實施例3之電路圖；圖11顯示實施例4的電子用具；圖12顯示實施例4的電子用具；圖13A及13B顯示實施例4的電子用具；圖14A及14B顯示實施例4的電子用具；圖15顯示實施例4的電子用具；圖16A到16E顯示實施例4的電子用具；及圖17A及17B顯示習知例。
101．．．選擇電晶體
102．．．重設電晶體
103．．．開關電晶體
104．．．驅動器電晶體
105．．．保持電容器
106．．．發光元件
107．．．第一掃描線
108．．．第二掃描線
109．．．資料線
110．．．電流供應線
111．．．相對電極

Claims (27)

  1. 一種半導體裝置，包括：發光元件；掃描線；資料線；電流供應線；第一電晶體，其源極和汲極之其中一者係連接至該電流供應線，且另一者係連接至該發光元件的一個電極；第二電晶體，其閘極係直接連接至該資料線，其源極和汲極之其中一者係連接至該掃描線，且另一者係連接至該第一電晶體之閘極；以及第三電晶體，其閘極及源極和汲極之其中一者係連接至該掃描線，且該源極和該汲極之另一者係連接至該第二電晶體之該源極和該汲極的另一者。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中，該第一電晶體為P-通道電晶體，且該第二電晶體和該第三電晶體為N-通道電晶體。
  3. 一種半導體裝置，包括：發光元件；掃描線；資料線；一電流供應線；第一電晶體，其源極和汲極之其中一者係連接至該電流供應線，且另一者係連接至該發光元件的一個電極； 第二電晶體，其閘極係直接連接至該資料線，其源極和汲極之其中一者係連接至該掃描線，且另一者係連接至該第一電晶體之閘極；以及二極體，其一個電極係連接至該掃描線，且其另一個電極係連接至該第二電晶體之該源極和該汲極的另一者。
  4. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置，其中，該第一電晶體為P-通道電晶體，且該第二電晶體為N-通道電晶體。
  5. 如申請專利範圍第1項或第3項之半導體裝置，另包括電容器，其中，該電容器包括其中一個電極係連接至該第一電晶體之該閘極，且其另一個電極係連接至該電流供應線。
  6. 如申請專利範圍第1項或第3項之半導體裝置，另包括開關，用來控制該第二電晶體之該源極和該汲極的另一者與該第一電晶體之該閘極間的電連接或斷開。
  7. 如申請專利範圍第1項或第3項之半導體裝置，其中，該電流供應線之電位係高於該發光元件之另一個電極的電位。
  8. 一種半導體裝置，包括：發光元件；掃描線；資料線；電流供應線；節點； 第一電晶體，其閘極係連接至該節點，且其源極和汲極之其中一者係連接至該電流供應線，而另一者係連接至該發光元件的一個電極；以及第二電晶體，其係根據該資料線和該掃描線的電位而被打開或關閉，且其決定該節點的電位，其中，該第二電晶體的閘極係直接連接至該資料線，並且其中，該節點的該電位被設定為用來關閉該第一電晶體之電位，而不需根據該資料線的該電位。
  9. 如申請專利範圍第8項之半導體裝置，其中，該第二電晶體之閘極係連接至該資料線，該第二電晶體之源極和汲極的其中一者係連接至該掃描線，且另一者係連接至該節點。
  10. 如申請專利範圍第8項之半導體裝置，其中，該電流供應線之電位係高於該發光元件之另一個電極的電位。
  11. 如申請專利範圍第8項之半導體裝置，其中，該第一電晶體為P-通道電晶體，且該第二電晶體為N-通道電晶體。
  12. 一種半導體裝置，包括：發光元件；掃描線；資料線；電流供應線； 第一節點；第二節點；第一電晶體，其閘極係連接至該第一節點，且其源極和汲極之其中一者係連接至該電流供應線，而另一者係連接至該發光元件的一個電極；第二電晶體，其係根據該資料線和該掃描線的電位而被打開或關閉，且其決定該第二節點的電位；以及開關，用以控制該第一節點與該第二節點間之電連接或斷開，其中，該第二電晶體的閘極係直接連接至該資料線，並且其中，該第二節點的該電位被設定為用來關閉該第一電晶體之電位，而不需根據該資料線的該電位。
  13. 如申請專利範圍第12項之半導體裝置，其中，該第二電晶體之閘極係連接至該資料線，該第二電晶體之源極和汲極的其中一者係連接至該掃描線，且另一者係連接至該第二節點。
  14. 如申請專利範圍第12項之半導體裝置，其中，該電流供應線之電位係高於該發光元件之另一個電極的電位。
  15. 如申請專利範圍第12項之半導體裝置，其中，該第一電晶體為P-通道電晶體，且該第二電晶體為N-通道電晶體。
  16. 一種半導體裝置，包括： 發光元件；第一掃描線；第二掃描線；資料線；電流供應線；第一電晶體，其源極和汲極之其中一者係連接至該電流供應線，且另一者係連接至該發光元件的一個電極；第二電晶體，其閘極係直接連接至該資料線，其源極和汲極之其中一者係連接至該第一掃描線，且另一者係連接至該第一電晶體之閘極；第三電晶體，其閘極和源極及汲極之其中一者係連接至該第一掃描線，且該源極及該汲極之另一者係連接至該第二電晶體之該源極及該汲極的另一者；以及第四電晶體，其閘極係連接至該第二掃描線，其源極及汲極之其中一者係連接至該第二電晶體之該源極和該汲極的另一者，且該源極和該汲極的另一者係連接至該第一電晶體之該閘極。
  17. 如申請專利範圍第16項之半導體裝置，其中，該第一電晶體為P-通道電晶體，且該第二到第四電晶體為N-通道電晶體。
  18. 一種半導體裝置，包括：發光元件；第一掃描線；第二掃描線； 資料線；電流供應線；第一電晶體，其源極和汲極之其中一者係連接至該電流供應線，且另一者係連接至該發光元件的一個電極；第二電晶體，其閘極係直接連接至該資料線，其源極和汲極之其中一者係連接至該第一掃描線，且另一者係連接至該第一電晶體之閘極；二極體，其一個電極係連接至該第一掃描線，且其另一個電極係連接至該第二電晶體之該源極和該汲極的另一者；以及第四電晶體，其閘極係連接至該第二掃描線，其源極及汲極之其中一者係連接至該第二電晶體之該源極和該汲極的另一者，且該源極和該汲極的另一者係連接至該第一電晶體之該閘極。
  19. 如申請專利範圍第18項之半導體裝置，其中，該第一電晶體為P-通道電晶體，且該第二到第四電晶體為N-通道電晶體。
  20. 如申請專利範圍第16項或第18項之半導體裝置，另包括電容器，其中，該電容器包括其中一個電極係連接至該第一電晶體之該閘極，且其另一個電極係連接至該電流供應線。
  21. 如申請專利範圍第16項或第18項之半導體裝置，其中，該電流供應線之電位係高於該發光元件之另一 個電極的電位。
  22. 一種半導體裝置，包括：發光元件；第一掃描線；第二掃描線；資料線；電流供應線；第一電晶體，其源極和汲極之其中一者係連接至該電流供應線，且另一者係連接至該發光元件的一個電極；第二電晶體，其閘極係直接連接至該資料線，其源極和汲極之其中一者係連接至該第一掃描線，且另一者係連接至該第一電晶體之閘極；第三電晶體，其閘極係連接至該第一掃描線，其源極及汲極之其中一者係連接至該電流供應線，且該源極及該汲極之另一者係連接至該第二電晶體之該源極及該汲極的另一者；以及第四電晶體，其閘極係連接至該第二掃描線，其源極及汲極之其中一者係連接至該第二電晶體之該源極和該汲極的另一者，且該源極和該汲極的另一者係連接至該第一電晶體之該閘極。
  23. 如申請專利範圍第22項之半導體裝置，其中，該第一電晶體為P-通道電晶體，且該第二到第四電晶體為N-通道電晶體。
  24. 如申請專利範圍第22項之半導體裝置，另包括一 電容器，其中，該電容器包括其中一個電極係連接至該第一電晶體之該閘極，且其另一個電極係連接至該電流供應線。
  25. 如申請專利範圍第22項之半導體裝置，其中，該電流供應線之電位係高於該發光元件之另一個電極的電位。
  26. 一種在基體之上包括圖素和驅動器電路的顯示裝置，其中，各圖素包括如申請專利範圍第1,3,8,12,16,18及22項任一項之半導體裝置。
  27. 一種電子用具，其係配備有如申請專利範圍第26項之顯示裝置，該電子用具包括電連接至該顯示裝置的電路基體。
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