TWI419617B - 電漿製程視窗元件與電漿設備的製程觀測裝置 - Google Patents

電漿製程視窗元件與電漿設備的製程觀測裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI419617B
TWI419617B TW099138209A TW99138209A TWI419617B TW I419617 B TWI419617 B TW I419617B TW 099138209 A TW099138209 A TW 099138209A TW 99138209 A TW99138209 A TW 99138209A TW I419617 B TWI419617 B TW I419617B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
hole
diffusion space
sectional area
cross
plasma
Prior art date
Application number
TW099138209A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201220959A (en
Inventor
Chen Chung Du
Muh Wang Liang
guan yu Lin
Ta Chin Wei
Original Assignee
Ind Tech Res Inst
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ind Tech Res Inst filed Critical Ind Tech Res Inst
Priority to TW099138209A priority Critical patent/TWI419617B/zh
Priority to CN2010105826645A priority patent/CN102465278A/zh
Priority to US13/009,526 priority patent/US20120111269A1/en
Publication of TW201220959A publication Critical patent/TW201220959A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI419617B publication Critical patent/TWI419617B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

電漿製程視窗元件與電漿設備的製程觀測裝置
本發明係有關於視窗元件，特別係有關於具有視窗元件的電漿製程觀測裝置。
薄膜沉積及蝕刻可利用電漿輔助化學氣相沉積製程的方法來進行。而薄膜沉積及蝕刻的結果與製程中活性反應物種間的濃度非常的相關。因此觀測並分析電漿製程環境中活性反應物種間的濃度變化係非常重要的。
舉例來說，觀測電漿輔助化學氣相沉積製程的一種方法係利用光放射光譜儀(Optical Emission Spectroscopy；OES)，從腔體外部透過例如視窗玻璃來擷取反應腔體內活性反應物種電漿光譜變化，進而掌握反應物種間的濃度。
然而，在薄膜沉積製程中，活性反應物種除了在基板上沉積，也會沉積在視窗玻璃上。沉積在視窗玻璃上的薄膜會使視窗玻璃的光穿透率下降而對反應腔體內之活性反應物種的放射光強度產生衰減的作用，這將造成OES的光譜分析活性反應物種濃度的結果失真。隨著製程時間的增加，這種現象會變得更加嚴重。
一種習知技術解決上述問題的方法係在反應腔體與視窗玻璃之間設置一蜂巢結構遮板，並在蜂巢型遮板與視窗玻璃之間通入一氣流。以阻擋反應腔體中活性反應物種擴散至視窗玻璃。如此，活性反應物種便不能沉積在視窗玻璃上。
然而，這種方法的蜂巢結構遮板加工複雜且成本高，同時需要使用額外的真空管路、閥件、密封裝置等等。此外，通入的氣流會有影響反應腔體中氣流場穩定性的疑慮。
本發明之目的係提供一種電漿製程視窗元件與電漿設備的製程觀測裝置。電漿製程視窗元件的結構及製造方法簡單、成本低，並能透過一些簡易的配件構成電漿設備的製程觀測裝置。具有電漿製程視窗元件的製程觀測裝置能減少薄膜反應沉積或蝕刻製程中，活性反應物種從電漿設備之反應腔體擴散至視窗玻璃的數量，而降低視窗玻璃被污染的程度或速率，並使視窗玻璃在長時間的反應製程中保有良好的光穿透率。
根據本發明的目的，提出一種電漿製程視窗元件。電漿製程視窗元件包括第一基材部分、第二基材部分以及連接部分。第一基材部分具有第一通孔。第二基材部分具有第二通孔與第二通孔擴散空間。第二通孔擴散空間之截面積係大於第二通孔之截面積。連接部分係介於第一基材部分與第二基材部分之間。電漿製程視窗元件係設置在電漿設備之反應腔體與視窗玻璃之間。第二通孔擴散空間係鄰近視窗玻璃。第一通孔係鄰近反應腔體。
根據本發明的目的，也提出一種用於電漿製程設備的製程觀測裝置。製程觀測裝置包括視窗元件與視窗板。視窗元件包括第一基材部分、第二基材部分以及連接部分。 第一基材部分具有第一通孔。第二基材部分具有第二通孔與第二通孔擴散空間。第二通孔擴散空間之截面積係大於第二通孔之截面積。第一通孔、第二通孔與第二通孔擴散空間係相互連通而形成一觀測路徑。連接部分係介於第一基材部分與第二基材部分之間。視窗元件係設置在電漿設備之反應腔體與視窗板之間。第二通孔擴散空間係鄰近視玻璃。第一通孔係鄰近反應腔體。
根據本發明的目的，還提出一種電漿製程視窗元件。電漿製程視窗元件包括第一基材部分與第二基材部分。第一基材部分具有第一通孔與第一通孔擴散空間。第一通孔擴散空間之截面積係大於第一通孔之截面積。第二基材部分具有第二通孔與第二通孔擴散空間。第二通孔之截面積係小於第一通孔擴散空間之截面積。第二通孔擴散空間之截面積係大於第二通孔之截面積。第一通孔、第一通孔擴散空間、第二通孔與第二通孔擴散空間係相互連通而形成一觀測路徑者。電漿製程視窗元件係設置在電漿設備之反應腔體與視窗玻璃之間。第二通孔擴散空間係鄰近視窗玻璃。第一通孔係鄰近反應腔體。
為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
本發明之精神，係在於電漿製程視窗觀測通孔結構 中，設計至少一擴散空間，藉由該擴散空間使進入觀測通孔內之活性反應物種得以沉積在擴散空間之表面上，而減少活性反應物種沉積於視窗玻璃的數量。
第1圖繪示第一實施例的視窗元件的立體透視圖。請參照第1圖，視窗元件2可包括第一基材部分4、第二基材部分6、連接部分8與網狀元件10。第一基材部分4具有第一通孔12。第二基材部分6具有第二通孔14與第二通孔擴散空間16。網狀元件10的材質可以是金屬，例如不鏽鋼網、鋁網或鈦網，且具有觀測孔21。網狀元件10可藉由固定銷36固定在第二基材部分6上。然而，本發明並不限於此。於其他實施例中，舉例來說，網狀元件10可藉由嵌入的方式固定在第二基材部分6上。連接部分8可包括第三基材部分18A、18B與開口20。開口20可設置於第三基材部分18A與18B之間。然而，連接部分8並不限於此結構，而可為其他具有開口的結構。舉例來說，於其他實施例中，連接部分8可僅具有第三基材部分18A與18B其中之一。於另一實施例中，第一基材部分4、第二基材部分6、連接部分8可為一體成形的，如後文第6圖說明部分所述。視窗元件2的結構及製造方法簡單且成本低。
第2圖繪示第一實施例之電漿設備的剖面圖。第3圖繪示第2圖之電漿設備的放大圖。請參照第2圖，電漿設備22可為電漿製程設備例如電漿輔助化學氣相沉積設備，然本發明並不限於此，而可包括其他的電漿設備。電漿設備22可包括製程觀測裝置24、反應腔體26、腔壁35 與元件設置口28。請參照第3圖，製程觀測裝置24可包括視窗玻璃30、中空轉接元件32以及例如第1圖所示之視窗元件2。視窗玻璃30可為一般的透明基板，例如石英玻璃等。視窗元件2可藉由中空轉接元件32設置在元件設置口28上。中空轉接元件32係圍繞出一中空空間，與連接部分8之開口20共同構成第一通孔擴散空間65，以作為活性反應物種之擴散空間。第一通孔擴散空間65可介於第一通孔12與第二通孔14之間。開口20可使第一通孔擴散空間65、第一通孔12與第二通孔互相連通。
請參照第3圖，第一通孔12的尺寸係遠小於反應腔體26的尺寸。因此，反應腔體26中的活性反應物種濃度會擴散至第一通孔12中。第一通孔12中的活性反應物種可藉由連接部分8的開口20擴散至第一通孔擴散空間65中。由於第一通孔擴散空間65的截面積係比第一通孔12的截面積大，因此擴散至第一通孔擴散空間65中的活性反應沉積物種與中空轉接元件32之內壁碰撞的機會係提升的，故使得大部分的活性反應沉積物種會沉積在中空轉接元件32的內壁上，而減少了活性反應沉積物種的量。第二通孔14的截面積係小於第一通孔擴散空間65的截面積。因此，僅有少量的剩餘活性反應沉積物種會再從第一通孔擴散空間65擴散至第二通孔14中。
請參照第3圖，第二通孔擴散空間16的截面積係大於第二通孔14的截面積。因此，從第二通孔14擴散至第二通孔擴散空間16之活性反應物種係擴散開來的。再者，第二通孔擴散空間16中的活性反應物種與第二基材部分6 碰撞的機會係提升的，因此促使剩餘的活性反應沉積物種會沉積在第二基材部分6的表面上。較佳者，第二通孔擴散空間16的截面積係由第二通孔14往視窗玻璃30的方向逐漸變大(例如第二通孔擴散空間16具有漏斗形狀)，如第3圖所示，如此來自第二通孔14的活性反應物種能順沿地擴散至第二通孔擴散空間16中。於一實施例中，第二通孔擴散空間16與第二通孔14之側壁之間的夾角為120度。然而，第二通孔擴散空間16並不限於漏斗形狀，於其他實施例中，可視實際應用使用其他合適的形狀。具有大的表面積的網狀元件10也能讓活性反應物種進一步地沉積在網狀元件上。
因此，最終穿過網狀元件10之觀測孔21而沉積在視窗玻璃30上的活性反應沉積物種係非常少量的。如此，視窗玻璃30的受到鍍膜汙染程度或速率係低的，且視窗玻璃30在長時間的反應製程中能保有良好的光穿透率。故視窗玻璃30的光強度衰減情形係非常的低。舉例來說，第4圖顯示一實施例之石英玻璃視窗玻璃在進行電漿輔助化學氣相沉積製程鍍膜之前與之後的光穿透率檢測結果。電漿輔助化學氣相沉積製程係沉積微晶矽(μc-Si)薄膜，製程時間係40分鐘。第4圖的結果顯示在進行電漿輔助化學氣相沉積製程之後，石英玻璃視窗玻璃對SiH*(光譜波長位於414nm)與Hα(光譜波長位於646nm)活性物種的光訊號的穿透率衰減僅減少了0.3%，非常的低，證實了使用本發明視窗元件的製程觀測裝置其視窗玻璃在經過長時間的電漿鍍膜製程後仍保有良好的光穿透 率。
請參照第3圖，由於反應腔體26中活性反應物種放射的電漿光線必須穿過第一通孔12、第一通孔擴散空間65、第二通孔14、第二通孔擴散空間16、與觀測孔21才會被感測器38(例如電漿輔助化學氣相沉積製程中使用的光放射光譜儀(Optical Emission Spectroscopy；OES)感測器)感測。因此，第一通孔12、第一通孔擴散空間65、第二通孔14、第二通孔擴散空間16、與觀測孔21的位置較佳係互相對應的。換句話說，第一通孔12、第一通孔擴散空間65、第二通孔14、與第二通孔擴散空間16係相互連通而形成一觀測路徑。於實施例中，第一通孔12、第二通孔14與觀測孔21可具有相同一致的截面積，然而本發明並不限於此。
第5圖繪示第二實施例之電漿設備的放大圖。第5圖之電漿設備與第3圖之電漿設備的不同處在於，此例之第一通孔擴散空間65係由視窗元件61之連接部分62的開口63與電漿設備的腔壁64之間所共同形成者。其中第一通孔擴散空間65之截面積係大於第一通孔66與第二通孔67之截面積。第一通孔66、第二通孔67、第一通孔擴散空間65及第二通孔擴散空間68係相互連通而形成一觀測路徑。
第6圖繪示第三實施例的視窗元件的立體透視圖。第6圖之視窗元件40與第1圖之視窗元件2的不同處在於，此例之第一基材部分48、第二基材部分52與連接部分42係為一體成形的，且連接部分42內具有第一通孔擴散空 間46。其中第一通孔擴散空間46的截面積係大於第一基材部分48的第一通孔50與第二基材部分52的第二通孔54的截面積。第一基材部分48、第二基材部分52與連接部分42可為一體成形的。視窗元件40的結構及製造方法簡單且成本低。
於本發明之實施例中，視窗元件的結構及製造方法係簡單且成本低的，且能透過簡易的配件構成電漿設備的製程觀測裝置。
具有視窗元件之製程觀測裝置之第一基材部分之第一通孔的尺寸係遠小於反應腔體的尺寸。活性反應沉積物種會擴散至第一通孔中。由於連接部分之轉接通孔或第一通孔擴散空間的截面積係比第一通孔的截面積大，因此擴散至轉接通孔或第一通孔擴散空間中之活性反應沉積物種的量係大部分被沉積在第一通孔擴散空間表面而減少的。由於第二基材部分的第二通孔的截面積係小於轉接通孔或第一通孔擴散空間的截面積，因此，轉接通孔或第一通孔擴散空間中的剩餘活性反應物種僅有少量會擴散至第二通孔中。由於第二基材部分之第二通孔擴散空間的截面積係大於第二通孔的截面積。因此，擴散至第二通孔擴散空間中之活性反應物種的量係再次被沉積在第二通孔擴散空間的表面上而減少的。鄰近視窗玻璃的網狀元件能讓反應物種進一步地沉積在網狀元件上。
因此，具有視窗元件的製程觀測裝置能減少電漿製程中活性反應沉積物種從反應腔體擴散至視窗玻璃的數量，而降低視窗玻璃被污染的程度或速率，並使視窗玻璃 在長時間的反應製程中保有良好的光穿透率。
由於第一通孔、第二通孔、第二通孔擴散空間、觀測孔與轉接通孔(或第一通孔擴散空間)係相互連通而形成一觀測路徑，因此感測器能感測反應腔體中活性反應物種放射的電漿光線。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟悉此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
2、40、61‧‧‧視窗元件
4、48‧‧‧第一基材部分
6、52‧‧‧第二基材部分
8、42、62‧‧‧連接部分
10‧‧‧網狀元件
12、50、66‧‧‧第一通孔
14、54、67‧‧‧第二通孔
16、68‧‧‧第二通孔擴散空間
18A、18B‧‧‧第三基材部分
20、63‧‧‧開口
21‧‧‧觀測孔
22‧‧‧電漿設備
24‧‧‧製程觀測裝置
26‧‧‧反應腔體
28‧‧‧元件設置口
30‧‧‧視窗玻璃
32‧‧‧中空轉接元件
35、64‧‧‧腔壁
36‧‧‧固定銷
38‧‧‧感測器
46、65‧‧‧第一通孔擴散空間
第1圖繪示第一實施例的視窗元件的立體透視圖。
第2圖繪示第一實施例之電漿設備的剖面圖。
第3圖繪示第2圖之電漿設備的放大圖。
第4圖顯示一實施例之石英玻璃視窗玻璃在進行電漿輔助化學氣相沉積製程鍍膜之前與之後的光穿透率檢測結果。
第5圖繪示第二實施例之電漿設備的放大圖。
第6圖繪示第三實施例的視窗元件的立體透視圖。
2‧‧‧視窗元件
4‧‧‧第一基材部分
6‧‧‧第二基材部分
8‧‧‧連接部分
10‧‧‧網狀元件
12‧‧‧第一通孔
14‧‧‧第二通孔
16‧‧‧第二通孔擴散空間
18A、18B‧‧‧第三基材部分
20‧‧‧開口
21‧‧‧觀測孔
36‧‧‧固定銷

Claims (11)

  1. 一種電漿製程視窗元件，係設置在一電漿設備之一反應腔體與一視窗玻璃之間，該電漿製程視窗元件包括：一第一基材部分，具有一第一通孔，該第一通孔係鄰近該反應腔體；一第二基材部分，具有一第二通孔與一第二通孔擴散空間，該第二通孔擴散空間係鄰近該視窗玻璃，該第二通孔擴散空間之截面積係大於該第二通孔之截面積，該第二通孔擴散空間的截面積係由該第二通孔往該視窗玻璃的方向逐漸變大；一連接部分，介於該第一基材部分與該第二基材部分之間，其中該第一通孔及該第二通孔具有相同一致的截面積；以及一網狀元件，具有一觀測孔，該網狀元件係設置在該第二通孔擴散空間與該視窗玻璃之間，且該觀測孔、該第一通孔及該第二通孔具有相同一致的截面積。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿製程視窗元件，其中該電漿設備包括電漿輔助化學氣相沉積設備。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電漿製程視窗元件，其中該連接部分包括一第三基材部分與一開口，該開口鄰接該第三基材部分。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電漿製程視窗元件，其中該第一基材部分、該第二基材部分與該連接部分係一體成形的，且該連接部分內係具有一第一通孔擴散空間，該第一通孔擴散空間的截面積大於該第一通孔與該第 二通孔。
  5. 一種電漿設備的製程觀測裝置，包括：一視窗元件，設置在一電漿設備之一反應腔體與一視窗玻璃之間，該視窗元件包括：一第一基材部分，具有一第一通孔，該第一通孔係鄰近該反應腔體；一第二基材部分，具有一第二通孔與一第二通孔擴散空間，該第二通孔擴散空間係鄰近該視窗玻璃，該第二通孔擴散空間之截面積係大於該第二通孔之截面積，該第二通孔擴散空間的截面積係由該第二通孔往該視窗玻璃的方向逐漸變大，且該第一通孔、該第二通孔與該第二通孔擴散空間係相互連通而形成一觀測路徑；一連接部分，介於該第一基材部分與該第二基材部分之間；及一網狀元件，其具有一觀測孔，該網狀元件係設置在該第二通孔擴散空間與該視窗玻璃之間，該觀測孔、該第一通孔及該第二通孔具有相同一致的截面積；以及一視窗玻璃。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之電漿設備的製程觀測裝置，其中該電漿設備包括電漿輔助化學氣相沉積設備。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之電漿設備的製程觀測裝置，其中該連接部分包括一第三基材部分與一開口， 該開口鄰接該第三基材部分。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之電漿設備的製程觀測裝置，其中該視窗元件設置在該電漿設備之腔壁中，且該連接部分之該開口與該腔壁之間係形成一第一通孔擴散空間，其中，該第一通孔擴散空間之截面積係大於該第一通孔與該第二通孔之截面積，且與該第一通孔、該第二通孔以及該第二通孔擴散空間相互連通而形成一觀測路徑。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之電漿設備的製程觀測裝置，更包括一中空轉接元件，其中該視窗元件係透過該中空轉接元件接設於該電漿設備之腔壁中，且該連接部分之該開口與該中空轉接元件之間係形成一第一通孔擴散空間，該第一通孔擴散空間之截面積係大於該第一通孔與該第二通孔之截面積，且與該第一通孔、該第二通孔以及該第二通孔擴散空間相互連通而形成一觀測路徑。
  10. 如申請專利範圍第5項所述之電漿設備的製程觀測裝置，其中該第一基材部分、該第二基材部分與該連接部分係一體成形的。
  11. 一種電漿製程視窗元件，係設置在一電漿設備之一反應腔體與一視窗玻璃之間，該電漿製程視窗元件包括：一第一基材部分，具有一第一通孔與一第一通孔擴散空間，該第一通孔係鄰近該反應腔體，該第一通孔擴散空間之截面積係大於該第一通孔之截面積；一第二基材部分，具有一第二通孔與一第二通孔擴散 空間，該第二通孔之截面積係小於該第一通孔擴散空間之截面積；該第二通孔擴散空間係鄰近該視窗玻璃，該第二通孔擴散空間之截面積係大於該第二通孔之截面積且由該第二通孔往該視窗玻璃的方向逐漸變大，該第一通孔、該第一通孔擴散空間、該第二通孔與該第二通孔擴散空間係相互連通而形成一觀測路徑；以及一網狀元件，具有一觀測孔，該網狀元件係設置在該第二通孔擴散空間與該視窗玻璃之間，該觀測孔、該第一通孔及該第二通孔具有相同一致的截面積。
TW099138209A 2010-11-05 2010-11-05 電漿製程視窗元件與電漿設備的製程觀測裝置 TWI419617B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW099138209A TWI419617B (zh) 2010-11-05 2010-11-05 電漿製程視窗元件與電漿設備的製程觀測裝置
CN2010105826645A CN102465278A (zh) 2010-11-05 2010-12-10 等离子体工艺视窗元件与等离子体设备的工艺观测装置
US13/009,526 US20120111269A1 (en) 2010-11-05 2011-01-19 View port device for plasma process and process observation device of plasma apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW099138209A TWI419617B (zh) 2010-11-05 2010-11-05 電漿製程視窗元件與電漿設備的製程觀測裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201220959A TW201220959A (en) 2012-05-16
TWI419617B true TWI419617B (zh) 2013-12-11

Family

ID=46018416

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099138209A TWI419617B (zh) 2010-11-05 2010-11-05 電漿製程視窗元件與電漿設備的製程觀測裝置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20120111269A1 (zh)
CN (1) CN102465278A (zh)
TW (1) TWI419617B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11670490B2 (en) * 2017-09-29 2023-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated circuit fabrication system with adjustable gas injector

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5728253A (en) * 1993-03-04 1998-03-17 Tokyo Electron Limited Method and devices for detecting the end point of plasma process
TW200629338A (en) * 2005-02-04 2006-08-16 Advanced Display Proc Eng Co Plasma processing apparatus
US20080233016A1 (en) * 2007-03-21 2008-09-25 Verity Instruments, Inc. Multichannel array as window protection

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0678171B2 (ja) * 1983-05-25 1994-10-05 古河電気工業株式会社 ス−トの観察方法
US5145493A (en) * 1991-06-27 1992-09-08 Ibm Corporation Molecular restricter
JP3069811B2 (ja) * 1991-12-09 2000-07-24 株式会社日立製作所 半導体製造装置
JP4109020B2 (ja) * 2002-06-11 2008-06-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2004031398A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Horiba Ltd プラズマプロセスにおける発光モニタ用プローブ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5728253A (en) * 1993-03-04 1998-03-17 Tokyo Electron Limited Method and devices for detecting the end point of plasma process
TW200629338A (en) * 2005-02-04 2006-08-16 Advanced Display Proc Eng Co Plasma processing apparatus
US20080233016A1 (en) * 2007-03-21 2008-09-25 Verity Instruments, Inc. Multichannel array as window protection

Also Published As

Publication number Publication date
CN102465278A (zh) 2012-05-23
TW201220959A (en) 2012-05-16
US20120111269A1 (en) 2012-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI592980B (zh) Plasma processing apparatus and plasma processing apparatus operating method
US6835278B2 (en) Systems and methods for remote plasma clean
US9695510B2 (en) Atomic layer deposition apparatus and process
US8009938B2 (en) Advanced process sensing and control using near infrared spectral reflectometry
US9579750B2 (en) Particle control in laser processing systems
DE112009004402B4 (de) Pyrometrie zur Substratverarbeitung
TWI240600B (en) Apparatus and method for use of optical system with a plasma processing system
TWI279260B (en) Endpoint detector and particle monitor
US6696362B2 (en) Method for using an in situ particle sensor for monitoring particle performance in plasma deposition processes
EP1022559A1 (fr) Système et procédé d'identification d'effluents gazeux, et équipement pourvu d'un tel système
TWI419617B (zh) 電漿製程視窗元件與電漿設備的製程觀測裝置
WO2020142451A1 (en) Monitoring process wall depositions and coatings
US7835007B2 (en) Methods and apparatus for identifying thin films on a substrate
KR101442776B1 (ko) 배기 컨덕턴스를 향상시킨 에지프레임과 이를 포함하는기판처리장치
KR20120049193A (ko) 가스상 핵형성을 검출하기 위한 텅스텐 헥사플루오라이드 공정을 모니터링하기 위한 ｔｐｉｒ 장치, 및 이를 사용하는 방법 및 시스템
JP5809264B2 (ja) プラズマを生成するための電極、この電極を有するプラズマチャンバ、及び層又はプラズマをリアルタイム分析又はリアルタイム処理をするための方法
JP4855625B2 (ja) プラズマ処理装置の観測窓およびプラズマ処理装置
JP3501399B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2017004786A (ja) 電子顕微鏡観察用の試料保持チップ
JP2006339300A (ja) 太陽電池素子およびその製造方法
WO2020072241A1 (en) Purged viewport for quartz dome in epitaxy reactor
CN114303225B (zh) 等离子体观察口
KR101062663B1 (ko) 유전체 창문 오염 방지 장치, 자체 플라즈마 광 방출 스펙트럼 장치, 및 입자 측정 장치
US20220044912A1 (en) Method of forming plasma processing apparatus, related apparatus, and method of forming semiconductor device using the same
TW202414635A (zh) 用於腔室狀態監測的光譜感測器晶圓或機器人