JP2004031398A - プラズマプロセスにおける発光モニタ用プローブ - Google Patents
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Abstract
【課題】光学窓表面へのプロセス材料の付着を可及的に防止することができ、プラズマ光の透過効率が長期に亘って変動をきたさず、安定した光学的測定を行うことができる発光モニタ用プローブを提供すること。
【解決手段】プローブ本体2の一端側にプラズマプロセスにおけるプラズマ光3の入射口4が開設され、他端側に光学窓8が設けられ、前記光入射口4を経てプローブ本体2内に入射したプラズマ光3を、前記光学窓8を介して導出するように構成されたプラズマプロセスにおける発光モニタ用プローブ1において、前記プローブ本体2内に、前記プラズマプロセスに用いるガスに悪影響を及ぼさないガスを保護用ガス11として、プラズマプロセスにおけるガス圧力よりも高くなるように供給し、プラズマプロセスにおいて発生するプロセス材料18の前記光学窓8への付着を防止するようにした。
【選択図】 図1
【解決手段】プローブ本体2の一端側にプラズマプロセスにおけるプラズマ光3の入射口4が開設され、他端側に光学窓8が設けられ、前記光入射口4を経てプローブ本体2内に入射したプラズマ光3を、前記光学窓8を介して導出するように構成されたプラズマプロセスにおける発光モニタ用プローブ1において、前記プローブ本体2内に、前記プラズマプロセスに用いるガスに悪影響を及ぼさないガスを保護用ガス11として、プラズマプロセスにおけるガス圧力よりも高くなるように供給し、プラズマプロセスにおいて発生するプロセス材料18の前記光学窓8への付着を防止するようにした。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマプロセスにおける発光部位を光学的にモニタするのに用いられるプラズマプロセスにおける発光モニタ用プローブ(以下、単に発光モニタ用プローブという)の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、半導体を製造する場合、例えばスパッタ、CVD、ドライエッチングなどのプラズマプロセスが行われるが、このようなプラズマプロセスにおけるプラズマ発光部位の測定には、従来より、光ファイバの端面に発光モニタ用プローブを設けたものが用いられている。この発光モニタ用プローブは、プローブ本体の一端側にプラズマプロセスにおけるプラズマ光が入射する光入射口が開設され、他端側に溶融シリカディスクなどよりなる光学窓を設け、この光学窓の後面に光ファイバの端面を当接配置して、前記入射口を経てプローブ本体内に入射したプラズマ光を、前記光学窓の前面側から後面側に透過させて光ファイバ側に導出するように構成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記発光モニタ用プロープは、プローブ本体の光入射口と光学窓との間が空間となっており、この空間内にプラズマプロセスにおいて発生するターゲット材からの派生物や副生成物(以下、これを総称してプロセス材料という)が侵入して、前記光学窓の前面(以下、表面ともいう)に付着し、当該光学窓における光の透過率が大きく低下または変動するなどして、測定の安定性に大きな悪影響が及ぼされることとなる。このため、従来の発光モニタ用プローブにおいては、メンテナンスを定期的に行うなどして、前記プロセス材料の光学窓への付着による不都合を可及的に抑制するようにしていた。
【0004】この発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その目的は、光学窓表面へのプロセス材料の付着を可及的に防止することができ、プラズマ光の透過効率が長期に亘って変動をきたさず、安定した光学的測定を行うことができる発光モニタ用プローブを提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、この発明では、プローブ本体の一端側にプラズマプロセスにおけるプラズマ光の入射口が開設され、他端側に光学窓が設けられ、前記光入射口を経てプローブ本体内に入射したプラズマ光を、前記光学窓を介して導出するように構成されたプラズマプロセスにおける発光モニタ用プローブにおいて、前記プローブ本体内に、前記プラズマプロセスに用いるガスに悪影響を及ぼさないガスを保護用ガスとして、プラズマプロセスにおけるガス圧力よりも高くなるように供給し、プラズマプロセスにおいて発生するプロセス材料の前記光学窓への付着を防止するようにしている(請求項1)。
【0006】そして、上記発光モニタ用プローブにおいて、プローブ本体の光入射口と光学窓との間にガス拡散素子を設け、このガス拡散素子を通して前記プローブ本体内に保護用ガスが供給されるようにしてあってもよい(請求項2)。
【0007】上記構成の発光モニタ用プローブにおいては、プローブ本体内に保護用ガスがプラズマプロセスにおけるガス圧力よりも高くなるように供給されているので、プラズマプロセスにおいて生ずるプロセス材料がプローブ本体内に侵入するのが防止され、プローブ本体内の奥側に位置する光学窓の表面に前記プロセス材料が付着するのが大幅に低減される。特に、請求項2に記載されているように構成した場合、保護用ガスをプローブ本体内の特に光学窓の表面側において確実に拡散させることができ、前記光学窓の表面側に保護用ガスの層をより確実に形成することができる。
【0008】したがって、上記構成の発光モニタ用プローブにおいては、光学窓におけるプラズマ光の透過効率を長期に亘って高い状態に安定して維持することができ、所望の光学的測定を長期に亘って安定して行うことができるとともに、そのメンテナンスの間隔を長く延ばすことができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、この発明の詳細を、図を参照しながら説明する。図1および図2は、この発明の第1の実施の形態を示している。まず、図1は、この発明の発光モニタ用プローブ1の一例を示すもので、この図において、2はプローブ本体で、例えばステンレスなど耐腐食性に優れた素材よりなり、例えば外径10mm、内径8mm、長さ100mm程度の円筒体である。このプローブ本体2の一端側は、測定部位A(図2参照、後述する)において発生するプラズマ光3を入射させるための光入射口4が形成されており、視野絞り5が設けられている。
【0010】また、前記プローブ本体2の他端側には、その開口を封止するようにして、キャップ体6が装着され、このキャップ体6の中心を貫くようにして光ファイバ7が挿入接続されている。なお、この光ファイバ7の他端側は、プラズマ光3の強度および波長を計測する計測装置(図示していない)に接続されている。
【0011】そして、前記キャップ体6よりもやや内側には、所定の厚みを有する板状の光学窓8がキャップ体6に保持されるようにして設けられている。この光学窓8は、例えば溶融シリカよりなる厚さ1mm、直径5〜6mm程度のディスク体で、その後面(キャップ体6側の面、光出射側の面)8aには光ファイバ7の端部7aが光学的に密な状態で当接し、前面(光入射口4側の面)8bに入射したプラズマ光3が光学窓8を透過し、光ファイバ7に漏れなく入射して、前記計測装置側に導出されるように構成されている。この発明の発光モニタ用プローブ1のここまでの構成は、従来のこの種の発光モニタ用プローブと変わるところはなく、以下のように構成した点が従来のものとは大きく異なる。
【0012】すなわち、前記プローブ本体2の光学窓8の前面(光入射側の面)8b側には、ガス拡散素子9が設けられるとともに、このガス拡散素子9に臨む前記前面8b側のプローブ本体2の側壁2aにはガス導入部10が形成され、このガス導入部10を経たガス11がガス拡散素子9を経てプローブ本体2内の光学窓8から光入射口4までの空間2b内を充填するように構成されている。
【0013】より具体的には、前記ガス拡散素子9は、例えばステンレス鋼の粉末を焼結して多孔質体としたもので、適宜の肉厚を有する円筒体に形成され、プローブ本体2内に嵌設されている。また、ガス導入部10にはガス供給管12が接続され、このガス供給管12から供給され、ガス拡散素子9を経てプローブ本体2に導入されるガス11は、プラズマプロセスにおいて生ずるプロセス材料18(図2参照、後述する)が光学窓8に付着するのを防止する保護用ガスとして機能するとともに、前記プラズマプロセスに悪影響を与えないようにするため、当該プラズマプロセスにおいて存在するガスに悪影響を及ぼさないガス、例えば、プラズマガスと同種のものが用いられ、しかも、プローブ本体2内における保護用ガス11の圧力が前記プラズマプロセスにおけるガス圧力よりも若干高くなるように設定されている。
【0014】図2は、スパッタリングを行うプラズマプロセスにおける発光部位をモニタするための構成を概略的に示すもので、この図において、13は適宜の圧力状態に保持されたスパッタ空間14内に設けられるマグネトロンで、その側方にはスパッタリング対象の基板15が適宜の手法で立設保持されている。そして、前記発光モニタ用プローブ1を、その光入射口4が基板15の表面15a(測定部位A)の斜め側方から臨ませた状態で設ける。
【0015】上記構成によって、前記基板15の表面15aに例えばSi層をスパッタリングによって形成する場合、前記スパッタ空間14内をスパッタガスとしてのArで満たし、マグネトロン13を動作させてスパッタ空間14内をArのプラズマ状態とする。そして、前記発光モニタ用プローブ1には、スパッタガスArと同種のガスであるArを光学窓8の保護用ガス11として供給し、そのプローブ本体2内に、前記スパッタ室14内におけるガス圧力よりも若干高い圧力となるように供給する。この場合、保護用ガス11は、図2中において符号11aで示すように、光入射口4からプローブ本体2の外部に、若干流れ出るようにしておくのがよいが、可及的に最小の流量が好ましい。
【0016】前記状態において、スパッタ空間14内に、ターゲット材としてのSiを含む適宜の化合物(ガス)16を導入する。これによって、基板15の表面15aには、Siよりなる膜17が形成される。このとき、膜17が形成される基板表面15aにおいてはプラズマ発光3が生じ、この発光3は、発光モニタ用プローブ1の光入射口4からプローブ本体2内に入り、光学窓8を経て光ファイバ7に入射し、この光ファイバ7を介して計測装置に到達する。
【0017】そして、前記プラズマプロセスにおいては、そのスパッタ空間14内に、図2において符号18で示すようなターゲット材よりなるプロセス材料が発生し、これが発光モニタ用プローブ1の光入射口4からプローブ本体2内に侵入しようとするが、プローブ本体2内には、保護用ガスとしてのAr11がスパッタ空間14内のガス圧力より高い状態で充填されており、しかも、前記保護用ガス11が光入射口4からプローブ本体2の外部に吹き出しているので、プラズマプロセスにおいてプロセス材料18が生じても、これがプローブ本体2内に侵入するのが巧みに防止される。
【0018】上述のように、この発明の発光モニタ用プローブ1においては、従来の発光モニタ用プローブとは異なり、プローブ本体2内に、プラズマプロセスに用いるガス16に悪影響を及ぼさないガス11を保護用ガスとして、プラズマプロセスにおけるガス圧力よりも高くなるように供給しているので、プラズマプロセスにおいてプロセス材料18が発生しても、このプロセス材料18のプローブ本体2内への侵入が巧みに防止され、また、仮に、プロセス材料18のプローブ本体2内への侵入があったとしても、光学窓8の前面8b側には保護用ガス11が存在しているので、光学窓8の前面8bにプロセス材料18が付着して、その透過率が低下または変動されるといったことが極力抑制され、所望の光学的測定を長期に亘って安定して行うことができるとともに、そのメンテナンスの間隔を長く延ばすことができる。
【0019】そして、上記実施の形態においては、プローブ本体2内に、ガス拡散素子9を介して保護用ガス11を導入しているので、保護用ガス11を確実にプローブ本体2内の空間2b、特に、光学窓8の前面8b側に滞留させるように拡散させることができる。また、プローブ本体2の光入射口4側に視野絞り5を設けているので、プラズマ発光3が生じている部分にのみ観察視野を限定することができ、プラズマ発光3の光学的測定を確実に行うことができる。
【0020】上記発光モニタ用プローブ1は、種々に変形して実施することができる。例えば、プローブ本体2内への保護用ガス11の導入部10の位置は、光学窓8と光入射口4との間であればどこでもよく、その場合、ガス拡散素子9もそれに合わせて設ければよい。また、ガス拡散素子9は、セラミックなど他の焼結材料によって形成してもよい。そして、このガス拡散素子9は、必ずしも設ける必要はなく、例えば、プローブ本体2の側壁2aの同一高さ位置に複数のガス導入用の小孔を開設し、これを介して保護用ガス11をプローブ本体2内に吹き出すようにしたり、前記側壁2aにガス吹き出し用のノズルを設けてもよい。さらに、保護用ガス11は、Arに限られるものではなく、プラズマプロセスにおいて用いるガスと同種のものであればよく、例えばHe、N2 などのガスであってもよい。また、光学窓8の後面8aに光ファイバ7を設け、これにより、光学窓8を透過したプラズマ発光3を外部に取り出すようにしているが、光学窓8の後面8aに分光器などを設けるようにしてあってもよい。
【0021】図3は、この発明の発光モニタ用プローブ1を、ドライエッチングを行うプラズマプロセスにおけるプラズマ発光3のモニタに用いた場合の構成を概略的に示すもので、この図において、20は処理対象のSi基板で、ヒータ21によって加熱されるように適宜の載置台22上に載置されている。23は載置台22とは適宜の間隔をおいて対向配置されるプラズマ電極で、ヒータ21との間に高周波電源24による高周波電圧が印加されるようにしてあり、ヒータ21との間の空間25に例えばプラズマガス26としてArを供給したとき、プラズマ空間25が形成されるようにしてある。そして、この発明の発光モニタ用プローブ1を、その光入射口4が基板20の表面20a(測定部位A)を斜め上方から臨ませた状態で設け、プローブ本体2内に保護用ガス11としてArを供給しておく。
【0022】上記構成において、プラズマ空間25内にエッチングガスとしてCF4 またはC2 F6 を供給すると、ラジカルが発生し、Si基板20の表面20aがドライエッチングされて、図中において、符号20bで示すような穴が形成される。このとき、前記孔20bが形成される表面20aからSiF4 のような副生成物がプロセス材料18として生成するが、この場合、発光モニタ用プローブ1のプローブ本体2内には保護用ガス11としてArを供給されているので、前記図2に示した実施の形態と同様に、前記副生成物18がプローブ本体2内に侵入することはないのである。
【0023】ところで、従来のドライエッチングにおいては、基板20の表面20aに形成される穴20bの深さは、それほど深いものではなかったが、近時においては、穴径:穴深さが例えば1:40というように、穴径の割りに深い穴20bを形成することが要求される至っており、このような微細な深い穴20bを、従来において一般的に用いられてきたOES(Optical Emission Spectrometer)によってモニタするのは困難であるが、図3に示すような構成によれば、前記微細な深い穴20bにおいても、プラズマ発光をきわめて容易かつ正確にモニタすることができるのである。
【0024】この発明の発光モニタ用プローブ1は、上記スパッタリングやドライエッチングといったプラズマプロセスのみならず、図示は省略しているが、CVDなどのプラズマプロセスにおいても同様に利用することができる。
【0025】ところで、半導体基板の表面に形成された薄膜の厚みや光学的特性を測定するものとして、エリプソメータがある。前記発光モニタ用プローブ1を、図4に示すように、基板30に対する光の出射側および入射側の双方に用いるようにしてもよい。特に、基板30に薄膜を形成したプロセスに引きつづいて製造プロセスに近い条件下において、薄膜の測定を行うような場合、前記発光モニタ用プローブ1は、その威力を大いに発揮することが予測される。
【0026】さらに、前記発光モニタ用プローブ1は、上述の半導体以外の分野において、プラズマプロセスを応用する下記のような用途においても、有用に用いることができる。すなわち、
a.樹脂・フィルム上への成膜:基体透過性の制御、色調の制御
b.刃物・切削バイト上への成膜:硬度・強度の制御
c.衣類用生地上への成膜:色の調整など
d.ガラス上への成膜:透過波長・反射波長およびそれらの光強度の調整・色調整
【0027】
【発明の効果】この発明の発光モニタ用プローブによれば、光学窓表面へのプロセス材料の付着を可及的に防止することができ、光学窓におけるプラズマ光の透過率を長期に亘って高い状態に安定して維持することができ、所望の光学的測定を長期に亘って安定して行うことができるとともに、そのメンテナンスの間隔を長く延ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の発光モニタ用プローブの一例を示す縦断面図である。
【図2】前記発光モニタ用プローブを用いてスパッタリングにおける発光部位の光学的モニタを行うための概略構成図である。
【図3】前記発光モニタ用プローブを用いてドライエッチングにおける発光部位の光学的モニタを行うための概略構成図である。
【図4】前記発光モニタ用プローブの他の使用例を示す図である。
【符号の説明】1…発光モニタ用プローブ、2…プローブ本体、3…プラズマ光、4…光入射口、8…光学窓、9…ガス拡散素子、11…保護用ガス、18…プロセス材料。
【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマプロセスにおける発光部位を光学的にモニタするのに用いられるプラズマプロセスにおける発光モニタ用プローブ(以下、単に発光モニタ用プローブという)の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、半導体を製造する場合、例えばスパッタ、CVD、ドライエッチングなどのプラズマプロセスが行われるが、このようなプラズマプロセスにおけるプラズマ発光部位の測定には、従来より、光ファイバの端面に発光モニタ用プローブを設けたものが用いられている。この発光モニタ用プローブは、プローブ本体の一端側にプラズマプロセスにおけるプラズマ光が入射する光入射口が開設され、他端側に溶融シリカディスクなどよりなる光学窓を設け、この光学窓の後面に光ファイバの端面を当接配置して、前記入射口を経てプローブ本体内に入射したプラズマ光を、前記光学窓の前面側から後面側に透過させて光ファイバ側に導出するように構成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記発光モニタ用プロープは、プローブ本体の光入射口と光学窓との間が空間となっており、この空間内にプラズマプロセスにおいて発生するターゲット材からの派生物や副生成物(以下、これを総称してプロセス材料という)が侵入して、前記光学窓の前面(以下、表面ともいう)に付着し、当該光学窓における光の透過率が大きく低下または変動するなどして、測定の安定性に大きな悪影響が及ぼされることとなる。このため、従来の発光モニタ用プローブにおいては、メンテナンスを定期的に行うなどして、前記プロセス材料の光学窓への付着による不都合を可及的に抑制するようにしていた。
【0004】この発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その目的は、光学窓表面へのプロセス材料の付着を可及的に防止することができ、プラズマ光の透過効率が長期に亘って変動をきたさず、安定した光学的測定を行うことができる発光モニタ用プローブを提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、この発明では、プローブ本体の一端側にプラズマプロセスにおけるプラズマ光の入射口が開設され、他端側に光学窓が設けられ、前記光入射口を経てプローブ本体内に入射したプラズマ光を、前記光学窓を介して導出するように構成されたプラズマプロセスにおける発光モニタ用プローブにおいて、前記プローブ本体内に、前記プラズマプロセスに用いるガスに悪影響を及ぼさないガスを保護用ガスとして、プラズマプロセスにおけるガス圧力よりも高くなるように供給し、プラズマプロセスにおいて発生するプロセス材料の前記光学窓への付着を防止するようにしている(請求項1)。
【0006】そして、上記発光モニタ用プローブにおいて、プローブ本体の光入射口と光学窓との間にガス拡散素子を設け、このガス拡散素子を通して前記プローブ本体内に保護用ガスが供給されるようにしてあってもよい(請求項2)。
【0007】上記構成の発光モニタ用プローブにおいては、プローブ本体内に保護用ガスがプラズマプロセスにおけるガス圧力よりも高くなるように供給されているので、プラズマプロセスにおいて生ずるプロセス材料がプローブ本体内に侵入するのが防止され、プローブ本体内の奥側に位置する光学窓の表面に前記プロセス材料が付着するのが大幅に低減される。特に、請求項2に記載されているように構成した場合、保護用ガスをプローブ本体内の特に光学窓の表面側において確実に拡散させることができ、前記光学窓の表面側に保護用ガスの層をより確実に形成することができる。
【0008】したがって、上記構成の発光モニタ用プローブにおいては、光学窓におけるプラズマ光の透過効率を長期に亘って高い状態に安定して維持することができ、所望の光学的測定を長期に亘って安定して行うことができるとともに、そのメンテナンスの間隔を長く延ばすことができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、この発明の詳細を、図を参照しながら説明する。図1および図2は、この発明の第1の実施の形態を示している。まず、図1は、この発明の発光モニタ用プローブ1の一例を示すもので、この図において、2はプローブ本体で、例えばステンレスなど耐腐食性に優れた素材よりなり、例えば外径10mm、内径8mm、長さ100mm程度の円筒体である。このプローブ本体2の一端側は、測定部位A(図2参照、後述する)において発生するプラズマ光3を入射させるための光入射口4が形成されており、視野絞り5が設けられている。
【0010】また、前記プローブ本体2の他端側には、その開口を封止するようにして、キャップ体6が装着され、このキャップ体6の中心を貫くようにして光ファイバ7が挿入接続されている。なお、この光ファイバ7の他端側は、プラズマ光3の強度および波長を計測する計測装置(図示していない)に接続されている。
【0011】そして、前記キャップ体6よりもやや内側には、所定の厚みを有する板状の光学窓8がキャップ体6に保持されるようにして設けられている。この光学窓8は、例えば溶融シリカよりなる厚さ1mm、直径5〜6mm程度のディスク体で、その後面(キャップ体6側の面、光出射側の面)8aには光ファイバ7の端部7aが光学的に密な状態で当接し、前面(光入射口4側の面)8bに入射したプラズマ光3が光学窓8を透過し、光ファイバ7に漏れなく入射して、前記計測装置側に導出されるように構成されている。この発明の発光モニタ用プローブ1のここまでの構成は、従来のこの種の発光モニタ用プローブと変わるところはなく、以下のように構成した点が従来のものとは大きく異なる。
【0012】すなわち、前記プローブ本体2の光学窓8の前面(光入射側の面)8b側には、ガス拡散素子9が設けられるとともに、このガス拡散素子9に臨む前記前面8b側のプローブ本体2の側壁2aにはガス導入部10が形成され、このガス導入部10を経たガス11がガス拡散素子9を経てプローブ本体2内の光学窓8から光入射口4までの空間2b内を充填するように構成されている。
【0013】より具体的には、前記ガス拡散素子9は、例えばステンレス鋼の粉末を焼結して多孔質体としたもので、適宜の肉厚を有する円筒体に形成され、プローブ本体2内に嵌設されている。また、ガス導入部10にはガス供給管12が接続され、このガス供給管12から供給され、ガス拡散素子9を経てプローブ本体2に導入されるガス11は、プラズマプロセスにおいて生ずるプロセス材料18(図2参照、後述する)が光学窓8に付着するのを防止する保護用ガスとして機能するとともに、前記プラズマプロセスに悪影響を与えないようにするため、当該プラズマプロセスにおいて存在するガスに悪影響を及ぼさないガス、例えば、プラズマガスと同種のものが用いられ、しかも、プローブ本体2内における保護用ガス11の圧力が前記プラズマプロセスにおけるガス圧力よりも若干高くなるように設定されている。
【0014】図2は、スパッタリングを行うプラズマプロセスにおける発光部位をモニタするための構成を概略的に示すもので、この図において、13は適宜の圧力状態に保持されたスパッタ空間14内に設けられるマグネトロンで、その側方にはスパッタリング対象の基板15が適宜の手法で立設保持されている。そして、前記発光モニタ用プローブ1を、その光入射口4が基板15の表面15a(測定部位A)の斜め側方から臨ませた状態で設ける。
【0015】上記構成によって、前記基板15の表面15aに例えばSi層をスパッタリングによって形成する場合、前記スパッタ空間14内をスパッタガスとしてのArで満たし、マグネトロン13を動作させてスパッタ空間14内をArのプラズマ状態とする。そして、前記発光モニタ用プローブ1には、スパッタガスArと同種のガスであるArを光学窓8の保護用ガス11として供給し、そのプローブ本体2内に、前記スパッタ室14内におけるガス圧力よりも若干高い圧力となるように供給する。この場合、保護用ガス11は、図2中において符号11aで示すように、光入射口4からプローブ本体2の外部に、若干流れ出るようにしておくのがよいが、可及的に最小の流量が好ましい。
【0016】前記状態において、スパッタ空間14内に、ターゲット材としてのSiを含む適宜の化合物(ガス)16を導入する。これによって、基板15の表面15aには、Siよりなる膜17が形成される。このとき、膜17が形成される基板表面15aにおいてはプラズマ発光3が生じ、この発光3は、発光モニタ用プローブ1の光入射口4からプローブ本体2内に入り、光学窓8を経て光ファイバ7に入射し、この光ファイバ7を介して計測装置に到達する。
【0017】そして、前記プラズマプロセスにおいては、そのスパッタ空間14内に、図2において符号18で示すようなターゲット材よりなるプロセス材料が発生し、これが発光モニタ用プローブ1の光入射口4からプローブ本体2内に侵入しようとするが、プローブ本体2内には、保護用ガスとしてのAr11がスパッタ空間14内のガス圧力より高い状態で充填されており、しかも、前記保護用ガス11が光入射口4からプローブ本体2の外部に吹き出しているので、プラズマプロセスにおいてプロセス材料18が生じても、これがプローブ本体2内に侵入するのが巧みに防止される。
【0018】上述のように、この発明の発光モニタ用プローブ1においては、従来の発光モニタ用プローブとは異なり、プローブ本体2内に、プラズマプロセスに用いるガス16に悪影響を及ぼさないガス11を保護用ガスとして、プラズマプロセスにおけるガス圧力よりも高くなるように供給しているので、プラズマプロセスにおいてプロセス材料18が発生しても、このプロセス材料18のプローブ本体2内への侵入が巧みに防止され、また、仮に、プロセス材料18のプローブ本体2内への侵入があったとしても、光学窓8の前面8b側には保護用ガス11が存在しているので、光学窓8の前面8bにプロセス材料18が付着して、その透過率が低下または変動されるといったことが極力抑制され、所望の光学的測定を長期に亘って安定して行うことができるとともに、そのメンテナンスの間隔を長く延ばすことができる。
【0019】そして、上記実施の形態においては、プローブ本体2内に、ガス拡散素子9を介して保護用ガス11を導入しているので、保護用ガス11を確実にプローブ本体2内の空間2b、特に、光学窓8の前面8b側に滞留させるように拡散させることができる。また、プローブ本体2の光入射口4側に視野絞り5を設けているので、プラズマ発光3が生じている部分にのみ観察視野を限定することができ、プラズマ発光3の光学的測定を確実に行うことができる。
【0020】上記発光モニタ用プローブ1は、種々に変形して実施することができる。例えば、プローブ本体2内への保護用ガス11の導入部10の位置は、光学窓8と光入射口4との間であればどこでもよく、その場合、ガス拡散素子9もそれに合わせて設ければよい。また、ガス拡散素子9は、セラミックなど他の焼結材料によって形成してもよい。そして、このガス拡散素子9は、必ずしも設ける必要はなく、例えば、プローブ本体2の側壁2aの同一高さ位置に複数のガス導入用の小孔を開設し、これを介して保護用ガス11をプローブ本体2内に吹き出すようにしたり、前記側壁2aにガス吹き出し用のノズルを設けてもよい。さらに、保護用ガス11は、Arに限られるものではなく、プラズマプロセスにおいて用いるガスと同種のものであればよく、例えばHe、N2 などのガスであってもよい。また、光学窓8の後面8aに光ファイバ7を設け、これにより、光学窓8を透過したプラズマ発光3を外部に取り出すようにしているが、光学窓8の後面8aに分光器などを設けるようにしてあってもよい。
【0021】図3は、この発明の発光モニタ用プローブ1を、ドライエッチングを行うプラズマプロセスにおけるプラズマ発光3のモニタに用いた場合の構成を概略的に示すもので、この図において、20は処理対象のSi基板で、ヒータ21によって加熱されるように適宜の載置台22上に載置されている。23は載置台22とは適宜の間隔をおいて対向配置されるプラズマ電極で、ヒータ21との間に高周波電源24による高周波電圧が印加されるようにしてあり、ヒータ21との間の空間25に例えばプラズマガス26としてArを供給したとき、プラズマ空間25が形成されるようにしてある。そして、この発明の発光モニタ用プローブ1を、その光入射口4が基板20の表面20a(測定部位A)を斜め上方から臨ませた状態で設け、プローブ本体2内に保護用ガス11としてArを供給しておく。
【0022】上記構成において、プラズマ空間25内にエッチングガスとしてCF4 またはC2 F6 を供給すると、ラジカルが発生し、Si基板20の表面20aがドライエッチングされて、図中において、符号20bで示すような穴が形成される。このとき、前記孔20bが形成される表面20aからSiF4 のような副生成物がプロセス材料18として生成するが、この場合、発光モニタ用プローブ1のプローブ本体2内には保護用ガス11としてArを供給されているので、前記図2に示した実施の形態と同様に、前記副生成物18がプローブ本体2内に侵入することはないのである。
【0023】ところで、従来のドライエッチングにおいては、基板20の表面20aに形成される穴20bの深さは、それほど深いものではなかったが、近時においては、穴径:穴深さが例えば1:40というように、穴径の割りに深い穴20bを形成することが要求される至っており、このような微細な深い穴20bを、従来において一般的に用いられてきたOES(Optical Emission Spectrometer)によってモニタするのは困難であるが、図3に示すような構成によれば、前記微細な深い穴20bにおいても、プラズマ発光をきわめて容易かつ正確にモニタすることができるのである。
【0024】この発明の発光モニタ用プローブ1は、上記スパッタリングやドライエッチングといったプラズマプロセスのみならず、図示は省略しているが、CVDなどのプラズマプロセスにおいても同様に利用することができる。
【0025】ところで、半導体基板の表面に形成された薄膜の厚みや光学的特性を測定するものとして、エリプソメータがある。前記発光モニタ用プローブ1を、図4に示すように、基板30に対する光の出射側および入射側の双方に用いるようにしてもよい。特に、基板30に薄膜を形成したプロセスに引きつづいて製造プロセスに近い条件下において、薄膜の測定を行うような場合、前記発光モニタ用プローブ1は、その威力を大いに発揮することが予測される。
【0026】さらに、前記発光モニタ用プローブ1は、上述の半導体以外の分野において、プラズマプロセスを応用する下記のような用途においても、有用に用いることができる。すなわち、
a.樹脂・フィルム上への成膜:基体透過性の制御、色調の制御
b.刃物・切削バイト上への成膜:硬度・強度の制御
c.衣類用生地上への成膜:色の調整など
d.ガラス上への成膜:透過波長・反射波長およびそれらの光強度の調整・色調整
【0027】
【発明の効果】この発明の発光モニタ用プローブによれば、光学窓表面へのプロセス材料の付着を可及的に防止することができ、光学窓におけるプラズマ光の透過率を長期に亘って高い状態に安定して維持することができ、所望の光学的測定を長期に亘って安定して行うことができるとともに、そのメンテナンスの間隔を長く延ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の発光モニタ用プローブの一例を示す縦断面図である。
【図2】前記発光モニタ用プローブを用いてスパッタリングにおける発光部位の光学的モニタを行うための概略構成図である。
【図3】前記発光モニタ用プローブを用いてドライエッチングにおける発光部位の光学的モニタを行うための概略構成図である。
【図4】前記発光モニタ用プローブの他の使用例を示す図である。
【符号の説明】1…発光モニタ用プローブ、2…プローブ本体、3…プラズマ光、4…光入射口、8…光学窓、9…ガス拡散素子、11…保護用ガス、18…プロセス材料。
Claims (2)
- プローブ本体の一端側にプラズマプロセスにおけるプラズマ光の入射口が開設され、他端側に光学窓が設けられ、前記光入射口を経てプローブ本体内に入射したプラズマ光を、前記光学窓を介して導出するように構成されたプラズマプロセスにおける発光モニタ用プローブにおいて、前記プローブ本体内に、前記プラズマプロセスに用いるガスに悪影響を及ぼさないガスを保護用ガスとして、プラズマプロセスにおけるガス圧力よりも高くなるように供給し、プラズマプロセスにおいて発生するプロセス材料の前記光学窓への付着を防止するようにしたことを特徴とするプラズマプロセスにおける発光モニタ用プローブ。
- プローブ本体の光入射口と光学窓との間にガス拡散素子を設け、このガス拡散素子を通してプローブ本体内に保護用ガスが供給されるようにしてある請求項1に記載のプラズマプロセスにおける発光モニタ用プローブ。
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