TWI418435B - Laser processing devices and laser processing methods - Google Patents

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TWI418435B
TWI418435B TW097106464A TW97106464A TWI418435B TW I418435 B TWI418435 B TW I418435B TW 097106464 A TW097106464 A TW 097106464A TW 97106464 A TW97106464 A TW 97106464A TW I418435 B TWI418435 B TW I418435B
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Description

雷射加工裝置以及雷射加工方法
本發明係關於雷射加工裝置以及雷射加工方法，特別是關於適用於在由絕緣層和金屬層積層而成之加工對象物上形成孔之雷射加工裝置以及雷射加工方法。
在由金屬層和樹脂層積層而成之多層配線基板的樹脂層上，使用雷射光形成孔來讓內層的金屬層露出之雷射加工技術，已被廣泛地採用。
首先說明下述專利文獻1所揭示之雷射加工方法。該方法，是將雷射脈衝射入加工對象物的加工位置，一部分的雷射脈衝被加工對象物反射後，沿著入射路徑折返。使該反射光在入射路徑的半途進行分支，並用反射光檢測器來檢測其強度。當內層的金屬層露出時，由於反射光的強度會增加，藉此可檢測出金屬層露出的時點。
接著說明下述專利文獻2所揭示之雷射加工方法。該方法，係一邊將雷射光束射入加工對象物的加工位置來進行加工，一邊從檢查用光源將檢查光照射於加工位置。用受光元件來檢測該檢查光之反射光，藉此可檢測出內層的金屬層露出的時點。
在下述專利文獻3揭示的雷射加工方法，係邊使用光束掃描器來掃描雷射光束邊進行鑽孔加工。由於在加工對象物上，雷射光束之入射位置會改變，故檢查光的照射位 置也必須移動來和雷射光束的入射位置保持一致。因此，檢查光是和加工用的雷射光束的路徑合流後，再射入加工對象物。
〔專利文獻1〕日本特開平11-192570號公報
〔專利文獻2〕日本特開2000-137002號公報
〔專利文獻3〕日本特開2002-290056號公報
在專利文獻1及2揭示之雷射加工方法，鑽孔加工和反射光的檢測兩者是同時進行。在鑽孔加工時，所射入之雷射光束會產生電漿。該電漿會對發光造成影響，而使反射光強度之檢測精度降低。
在專利文獻2及3所揭示之雷射加工方法，除加工用的雷射光源以外，還必須有檢查光用的雷射光源。因此，會使裝置變得大型化，且要降低裝置的價格會有困難。
本發明之目的是為了提供出，不會受雷射加工時所產生之電漿等對發光之影響且能謀求裝置的小型化及低價格化之雷射加工裝置以及雷射加工方法。
依據本發明之一觀點係提供一種雷射加工裝置，其具備：脈衝能量可變之雷射光源、用來保持加工對象物之載台、用來將前述雷射光源所射出之雷射脈衝射入被前述載台保持之加工對象物上的傳播光學系統、用來檢測射入被前述載台保持的加工對象物之雷射脈衝的反射光之光檢測器、以及用來控制前述雷射光源之控制裝置； 前述控制裝置，係以執行以下步驟(a)(b)(c)的方式來控制前述雷射光源；(a)將加工用雷射脈衝射入該加工對象物的被加工位置之步驟；該加工用雷射脈衝的脈衝能量，可在被前述載台保持之加工對象物形成孔；(b)將確認用雷射脈衝射入前述被加工位置的步驟；該確認用雷射脈衝的脈衝能量，無法在被前述載台保持之加工對象物形成孔；(c)根據前述光檢測器對前述確認用雷射脈衝的反射光進行檢測的結果，判定孔形成是否已完成，在孔形成尚未完成的情形，返回前述步驟(a)，重新從將加工用雷射脈衝射入前述被加工位置的步驟開始執行，在孔形成已完成的情形，結束對前述被加工位置射入加工用雷射脈衝的步驟。
依據本發明之另一觀點係提供一種雷射加工方法，其具備：(a)將具有可在加工對象物形成孔的脈衝能量的加工用雷射脈衝，從雷射光源射出後射入該加工對象物，而在該加工對象物形成孔的步驟；(b)將具有無法在加工對象物形成孔的脈衝能量的確認用雷射脈衝從前述雷射光源射出後，射入前述步驟(a)所形成的孔的位置，並檢測該確認用雷射脈衝的反射光的強度的步驟；(c)根據前述步驟(b)所檢測之反射光的強度，判定孔 加工是否已完成，在孔加工已完成的情形，結束對該孔之加工用雷射脈衝的照射，在孔加工尚未完成的情形，返回前述步驟(a)，對於形成到半途之孔的位置，重新從射入加工用雷射脈衝的步驟開始執行的步驟。
藉由檢測確認用雷射脈衝的反射光，可檢測出加工對象物之反射率的變化。藉此，可判定孔是否已經形成到所期望的位置。每次射入加工用雷射脈衝時，就射入確認用雷射脈衝來進行判定，因此可防止孔的形成不足、或照射過多的雷射脈衝。關於確認用雷射脈衝之照射，由於是在照射加工用雷射脈衝後才進行，故可避免加工時產生的電漿對發光的影響，而能高精度地檢測出反射光的強度。確認用雷射脈衝，由於是從和加工用雷射脈衝相同的雷射光源射出，故不須準備用來生成確認用雷射脈衝之專用的雷射光源。
第1圖係顯示實施例的雷射加工裝置之概略圖。雷射光源1是射出脈衝雷射光束。作為雷射光源1，例如可使用二氧化碳雷射振盪器。雷射光源1，在接收來自控制裝置20的觸發訊號trg的期間，會射出雷射脈衝。藉由改變送出觸發訊號trg的時間，可改變從雷射光源1射出之雷射脈衝的脈衝寬。藉由改變脈衝寬，可改變每1脈衝的能量(脈衝能量)。
從雷射光源1射出的雷射光束，被光束擴展器2擴大 成平行光束。光束直徑擴大的平行光束的光束截面，是用遮罩3來整形。
透過遮罩3後的雷射光束，會射入第1部分反射鏡4。第1部分反射鏡4，會將射入的雷射光束的一部分反射，而使剩餘的透過。第1部分反射鏡4之透過率及反射率，例如分別為約99%及約1%。透過第1部分反射鏡4後的雷射光束，會射入光束分配器5。光束分配器5接收來自控制裝置20的控制訊號scon，而在：使射入的雷射光束直線前進後射入光束阻尼器6的狀態、使雷射光束偏向後沿加工用路徑傳播的狀態間進行切換。作為光束分配器5，例如可使用聲光偏轉器(AOD)。
被第1部分反射鏡4反射後的雷射光束，會射入第1光檢測器15。第1光檢測器15，是將射入的雷射光束的光強度轉換成電氣訊號，並將光強度訊號det1送往控制裝置20。
被光束分配器5分配給加工用路徑之雷射光束，經返射鏡7反射後射入第2部分反射鏡8。第2部分反射鏡8之透過率及反射率，例如分別為約99%及約1%。透過第2部分反射鏡8後之雷射光束，會射入光束掃描器9。光束掃描器9接收來自控制裝置20的控制訊號gcon，而將射入的雷射光束朝2維方向掃描。作為光束掃描器9，例如可使用含有X用擺動鏡和Y用擺動鏡之電流掃描器。
經光束掃描器9掃描後的雷射光束，被f θ透鏡10聚焦後射入加工對象物50的被加工位置。加工對象物50被 保持於XY載台11。f θ透鏡10，是將遮罩3的位置成像於加工對象物50的表面。也能取代在成像位置進行加工的方法，而採用在f θ透鏡10的後側焦點位置進行加工之焦點加工法。藉由用光束掃描器9來掃描雷射光束，能使雷射光束的射入位置在加工對象物50的表面上移動。
射入加工對象物50之雷射光束的一部分，會被加工對象物50的表面反射，而沿著雷射光束的入射路徑折返。該反射光，會經由f θ透鏡10和光束掃描器9，接著被第2部分反射鏡8反射後射入第2光檢測器16。第2光檢測器16，係將射入的雷射光束的光強度轉換成電氣訊號，並將光強度訊號det2送往控制裝置20。作為第1光檢測器15及第2光檢測器16，例如可使用紅外線感測器。
第2A圖係顯示加工對象物50的截面圖。是在含玻璃纖維之環氧樹脂等構成之核心基板52的表面，形成銅等所構成之內層金屬圖案53。又以覆蓋內層金屬圖案53的方式，在核心基板52上配置絕緣膜54(由含有玻璃纖維54b之環氧樹脂54a所構成)。在絕緣膜54的表面上，形成銅等構成的金屬膜57。例如，絕緣膜54的厚度為30~60μm，金屬膜57的厚度為9~12μm，內層金屬圖案53的厚度為18~36μm。
第2B圖係顯示絕緣膜54的俯視截面圖。玻璃纖維54b，並非均一地分散於環氧樹脂54a內，例如是分散成縱線和橫線交叉之正方格子狀。因此，在格子點P3的位置，玻璃纖維密度最高；在縱線及橫線都未通過之位置 P1，沒有玻璃纖維的存在；又僅縱線或橫線的一方通過之位置P2的玻璃纖維密度，是在位置P1的玻璃纖維密度和位置P3的玻璃纖維密度的中間。
如此般，依絕緣膜54之面內的位置而具有不同的玻璃纖維密度。相較於環氧樹脂，玻璃纖維比較難用雷射光束進行加工。在此說明，對金屬膜57射入雷射光束，而形成到達絕緣膜54底面的孔的情形。在玻璃纖維密度最高之位置P3，例如射入4次脈衝能量密度20~30J/cm2 的雷射脈衝，可形成到達內層金屬圖案53的孔。然而，在玻璃纖維密度最低之位置P1，同樣脈衝能量密度之雷射脈衝只要射入2次即可。若在位置P1射入4次的雷射脈衝，會輸入過多的能量，而使內層金屬圖案53受損，或使孔的形狀變成桶形。相反地，在玻璃纖維密度較高之位置P2、P3，只有2次的雷射脈衝，並無法形成到達內層金屬圖案53的孔。
接著，參照第3圖至第5F圖，來說明實施例之雷射加工方法。第3圖係顯示實施例之雷射加工方法之流程圖，第4圖係顯示觸發訊號trg及控制訊號gcon、scon之時序圖，第5A圖至第5D圖係顯示1個孔的加工半途階段之加工對象物的截面圖，第5E圖及第5F圖顯示加工完成時的截面圖。
在第3圖之步驟St1，係控制光束分配器5，以雷射光束射入光束阻尼器6的方式，開始從雷射光源1射出熱脈衝HP。熱脈衝HP所具備的脈衝能量密度，在加工對象 物的表面，無法在加工對象物50的金屬膜或絕緣膜上形成孔。又熱脈衝HP之脈衝頻率例如為4kHz。
在步驟St2，係控制光束掃描器9，以使雷射光束射入下一個應加工孔的位置。在完成雷射掃描器9的控制後，前進到步驟St3，將熱脈衝HP的射出停止，並對光束分配器5發送控制訊號scon，使其成為將雷射光束傳播至加工用路徑的狀態。
接著前進至步驟St4，射出金屬加工用雷射脈衝MP。由於光束分配器5成為將雷射光束傳播至加工用路徑的狀態，故金屬加工用雷射脈衝MP會射入加工對象物50之應形成孔的位置。
第5A圖係顯示金屬加工用雷射脈衝MP射入後之加工對象物50的截面圖。這時在金屬膜57上形成孔，且其下方之絕緣膜54的表層部也被鑽開。將金屬加工用雷射脈衝MP之脈衝能量及光束點尺寸調整成，在加工對象物50的表面成為約40J/cm2 的脈衝能量密度。例如，金屬加工用雷射脈衝MP之脈衝寬為30~100μ s左右，形成於金屬膜57之孔徑為100~125μm。
接著前進至步驟St5，射出確認用雷射脈衝CP(0)。確認用雷射脈衝CP(0)在加工對象物50表面之脈衝能量密度，例如為5J/cm2 ，是比可在絕緣膜54形成孔之脈衝能量密度的最低值(臨限值)為小。例如，確認用雷射脈衝CP(0)之脈衝寬為數μ s~10μ s左右。在這麼短的時間，從雷射光源1射出之雷射光束的光強度到達穩定狀態之前 ，雷射脈衝就會下降。亦即，確認用雷射脈衝CP(0)之光強度的峰值，是比金屬加工用雷射脈衝MP之光強度的峰值更小。
確認用雷射脈衝CP(0)並不對絕緣膜54施以加工，如第5B圖所示，即使照射確認用雷射脈衝CP(0)，孔深度幾乎不會發生變化。
接著前進至步驟St6，判定1孔加工是否已完成。具體而言，用第2光檢測器16來檢測確認用雷射脈衝CP(0)之反射光的光強度，並將檢測結果與判定基準加以比較。當內層金屬圖案53露出時，由於反射率變高，故反射光強度會昇高。判定基準值係設定成：比內層金屬圖案53尚未露出狀態之反射光強度大，比內層金屬圖案53露出狀態之反射光強度小。因此，藉由將反射光之檢測結果與判定基準加以比較，即可判定內層金屬圖案53是否已露出。在照射金屬加工用雷射脈衝MP的時點，如第5A圖所示，由於內層金屬圖案53尚未露出，故在步驟St6是判定為「加工尚未完成」。
接著前進至步驟St7，射出樹脂加工用雷射脈衝RP(1)。樹脂加工用雷射脈衝RP(1)，如第5C圖所示，係射入在步驟St4形成於金屬膜57之孔的位置。樹脂加工用雷射脈衝RP(1)在加工對象物50表面之脈衝能量密度，是可在絕緣膜54形成孔的程度，例如為20~30J/cm2 。又脈衝寬為20μ s~30μ s左右。如第5C圖所示，藉由射入樹脂加工用雷射脈衝RP(1)，形成於加工對象物50之孔變 深。但所形成的孔尚未到達內層金屬圖案53。
接著前進至步驟St8，射出確認用雷射脈衝CP(1)。確認用雷射脈衝CP(1)之脈衝能量，是和步驟St5所射出之確認用雷射脈衝CP(0)的脈衝能量相同。因此，如第5D圖所示，即使照射確認用雷射脈衝CP(1)，加工對象物50上形成的孔的形狀也幾乎不發生變化。
接著前進至步驟St9，判定1孔加工是否已完成。該判定，是依照和步驟St6的手法相同的手法來進行。如第5D圖所示，由於所形成的孔尚未到達內層金屬圖案53，故判定為「加工尚未完成」。
接著返回步驟St7，藉由照射第3次的樹脂加工用雷射脈衝RP(3)，如第5E圖所示會使內層金屬圖案53露出。在步驟St8，照射確認用雷射脈衝CP(3)。如第5F圖所示，由於內層金屬圖案53會露出於孔的底面，故反射率變高，在步驟St9判定為「1孔加工已完成」。
接著前進至步驟St10，判定是否全部孔加工已完成。在「全部孔加工已完成」的情形，結束處理。然後，令第1圖所示之XY載台11移動，將加工對象物50之未加工區域移動至雷射光束之可掃描範圍內，以和上述雷射加工相同的順序來進行雷射加工。
在判定為「全部孔加工尚未完成」的情形，返回步驟St1，讓送往光束分配器5的控制訊號scon停止，以雷射光束射入光束阻尼器6的狀態開始射出熱脈衝HP。然後對下個應加工孔的位置進行穿孔加工。
當絕緣膜54較薄且玻璃纖維未配置於應形成孔的位置時，藉由步驟St4之照射金屬加工用雷射脈衝MP，可能會形成到達內層金屬圖案53的孔。這時，在步驟St6，係判定為「1孔加工已完成」，而前進至步驟St10。又藉由照射金屬加工用雷射脈衝MP並不會露出內層金屬圖案53的情形，可省略步驟St5及St6。
在上述實施例之雷射加工方法，每次在應形成孔的位置射入加工用雷射脈衝時，就會將確認用雷射脈衝射入形成孔的位置並檢測反射強度，藉此來判定內層金屬圖案是否已露出。因此，可避免加工不足或照射過多的雷射脈衝。
再者，加工用雷射脈衝和確認用雷射脈衝是由同一雷射光源所射出，因此不須準備用來生成確認用雷射脈衝之專用的雷射光源。
又在第1實施例，是在加工用雷射脈衝射入完成後，才開始射入確認用雷射脈衝，因此可避免加工時產生之電漿對發光的影響。藉此可提昇確認用雷射脈衝之反射光強度之檢測精度。
如第4圖所示，從射出最後的熱脈衝HP至射出金屬加工用雷射脈衝MP的時間T0、從射出金屬加工用雷射脈衝MP至射出最初的確認用雷射脈衝CP(0)的時間T1、從射出確認用雷射脈衝CP至下個樹脂加工用雷射脈衝RP的時間T2、從射出樹脂加工用雷射脈衝RP至射出下個確認用雷射脈衝CP的時間T3，全部都相同，例如為250μ s 。亦即，從雷射光源1射出之雷射脈衝的重複頻率保持一定之4kHz。
若從二氧化碳雷射振盪器射出之雷射脈衝的重複頻率改變，即使脈衝寬保持一定，脈衝能量、光束截面內之光強度分布仍會產生變動。在實施例，由於將脈衝之重複頻率保持一定，故能抑制脈衝能量或光強度分布之變動，而能進行高品質的加工。在上述實施例，確認用雷射脈衝CP以及熱脈衝HP，由於脈衝寬較短，在光強度到達穩定狀態之前，雷射脈衝的光強度就會下降。如此般，即使是在到達穩定狀態之前就會下降之短雷射脈衝，藉由以一定頻率來插入，即可抑制脈衝能量、光束截面內之光強度分布的變動，這點已透過實驗而確認出。
在上述實施例，來自加工對象物50之反射光，係藉由第2部分反射鏡8，而從雷射光束的路徑進行分支，但也能利其他方法來進行分支。例如，可使用偏光分束器。這時，在偏光分束器和光束掃描器9間的光束路徑內插入1/4波長板，使往路的光束和返路的光束的偏光方向有90°的差異，藉此來使反射光進行分支。
在上述實施例，是將反射光強度的絕對值和判定基準值作比較，但也能根據第1光檢測器15所檢測出之確認用雷射脈衝CP的光強度和反射光的光強度來求出反射率，再將算出的反射率和反射率的判定基準值作比較。根據所算出的反射率，來判定孔的形成是否已完成，藉此排除所射入之確認用雷射脈衝本身的光強度變動的影響，如此 可進行更正確的判定。
在上述實施例，作為雷射光源1雖是使用二氧化碳雷射振盪器，但也能使用其他的雷射能量可變的雷射振盪器。例如可使用準分子雷射振盪器。
在上述實施例，所舉例說明的，是藉由雷射加工來在表面的金屬膜57形成孔，接著在其下方的絕緣膜形成孔的方法(所謂「直接加工」)；即使在表面的金屬膜事先形成孔，而在該孔的位置的絕緣膜藉由雷射加工來形成孔的方法(所謂「共形(conformal)加工」)，也能運用上述實施例之雷射加工方法。這時，可省略步驟St4~St6。
又在上述實施例，雖是說明用來形成到達絕緣膜54下方所配置之內層金屬圖案53的孔的情形，但即使是在露出內層圖案的時點反射率會改變之加工其他材料的情形，也能運用上述實施例。
以上雖是依實施例來說明本發明，但本發明並不限於此，例如，可進行各種變更、改良、組合等，乃熟習此技藝人士顯而易知者。
1‧‧‧雷射光源
2‧‧‧光束擴展器
3‧‧‧遮罩
4‧‧‧第1部分反射鏡
5‧‧‧光束分配器
6‧‧‧光束阻尼器
7‧‧‧返射鏡
8‧‧‧第2部分反射鏡
9‧‧‧光束掃描器
10‧‧‧f θ透鏡
11‧‧‧XY載台
15‧‧‧第1光檢測器
16‧‧‧第2光檢測器
20‧‧‧控制裝置
50‧‧‧加工對象物
52‧‧‧核心基板
53‧‧‧內層金屬圖案
54‧‧‧絕緣膜
54a‧‧‧環氧樹脂
54b‧‧‧玻璃纖維
MP‧‧‧金屬加工用雷射脈衝
CP‧‧‧確認用雷射脈衝
RP‧‧‧樹脂加工用雷射脈衝
HP‧‧‧熱脈衝
第1圖係實施例之雷射加工裝置之概略圖。
第2A圖係加工對象物之截面圖，第2B圖係其俯視截面圖。
第3圖係實施例之雷射加工方法之流程圖。
第4圖係實施例之雷射加工之時序圖。
第5A~5D圖係實施例之雷射加工方法所加工之加工對象物的加工中途階段之截面圖。
第5E圖及第5F圖係用實施例之雷射加工方法完成1孔加工時點的加工對象物之截面圖。
1‧‧‧雷射光源
2‧‧‧光束擴展器
3‧‧‧遮罩
4‧‧‧第1部分反射鏡
5‧‧‧光束分配器
6‧‧‧光束阻尼器
7‧‧‧返射鏡
8‧‧‧第2部分反射鏡
9‧‧‧光束掃描器
10‧‧‧f θ透鏡
11‧‧‧XY載台
15‧‧‧第1光檢測器
16‧‧‧第2光檢測器
20‧‧‧控制裝置
50‧‧‧加工對象物
det1、det2‧‧‧光強度訊號
gcon、scon‧‧‧控制訊號
trg‧‧‧觸發訊號

Claims (8)

  1. 一種雷射加工方法，其具備：(a)將具有可在加工對象物形成孔的程度之脈衝能量的加工用雷射脈衝，從二氧化碳雷射振盪器之雷射光源射出後射入該加工對象物，而在該加工對象物形成孔的步驟；(b)在前述步驟(a)之後，將具有無法在前述加工對象物形成孔的程度之脈衝能量的確認用雷射脈衝從前述雷射光源射出後，射入前述步驟(a)所形成的孔的位置，並檢測該確認用雷射脈衝的反射光的強度的步驟；以及(c)根據前述步驟(b)所檢測之反射光的強度，判定孔加工是否已完成，在孔加工已完成的情形，結束對該孔之加工用雷射脈衝的照射，在孔加工尚未完成的情形，返回前述步驟(a)，對於形成到半途之孔的位置，重新從射入加工用雷射脈衝的步驟開始執行的步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之雷射加工方法，其中，在前述步驟(c)判定為孔加工已完成的情形，是進一步具備：(d)在前述加工對象物的表面內，將前述雷射光源射出之雷射脈衝的入射位置移動至新的應形成孔的位置之步驟；(e)在對新的應形成孔的位置射入雷射脈衝之狀態下，反覆進行前述步驟(a)~步驟(c)的步驟。
  3. 如申請專利範圍第2項記載之雷射加工方法，其中，在前述步驟(d)，在雷射脈衝的入射位置進行移動的期間 ，係將具有無法在前述加工對象物形成孔的程度之脈衝能量之熱脈衝，從前述雷射光源射出。
  4. 如申請專利範圍第3項記載之雷射加工方法，其中，使包含前述加工用雷射脈衝、確認用雷射脈衝以及熱脈衝之一連串雷射脈衝以一定的重複頻率從前述雷射光源射出。
  5. 一種雷射加工裝置，係具備：脈衝能量可變的二氧化碳雷射振盪器之雷射光源、用來保持加工對象物之載台、用來將前述雷射光源所射出之雷射脈衝射入被前述載台保持之加工對象物上的傳播光學系統、用來檢測射入被前述載台保持的加工對象物之雷射脈衝的反射光之光檢測器、以及用來控制前述雷射光源之控制裝置；前述控制裝置，係以執行以下步驟(a)(b)(c)的方式來控制前述雷射光源；(a)將加工用雷射脈衝從前述雷射光源射入該加工對象物的被加工位置之步驟；該加工用雷射脈衝的脈衝能量大小，可在被前述載台保持之加工對象物形成孔；(b)在前述步驟(a)之後，將確認用雷射脈衝從前述雷射光源射入前述被加工位置的步驟；該確認用雷射脈衝的脈衝能量大小，無法在被前述載台保持之加工對象物形成孔；(c)根據前述光檢測器對前述確認用雷射脈衝的反射光 進行檢測的結果，判定孔形成是否已完成，在孔形成尚未完成的情形，返回前述步驟(a)，重新從將加工用雷射脈衝射入前述被加工位置的步驟開始執行，在孔形成已完成的情形，結束對前述被加工位置射入加工用雷射脈衝的步驟。
  6. 如申請專利範圍第5項記載之雷射加工裝置，其中，前述傳播光學系統係含有掃描器，該掃描器，是以雷射光束的入射位置在被前述載台保持之加工對象物的表面上移動的方式進行雷射光束之掃描；前述控制裝置，在前述步驟(c)判定為孔形成已完成的情形，是以進一步執行步驟(d)(e)的方式來控制前述雷射光源及掃描器；(d)以對下個應形成孔的被加工位置射入雷射光束的方式控制前述掃描器之步驟；(e)在前述掃描器之控制後，對於新的被加工位置，反覆進行前述步驟(a)~步驟(c)的步驟。
  7. 如申請專利範圍第6項記載之雷射加工裝置，其中，在前述步驟(d)，在藉由前述掃描器來移動雷射光束之應入射位置的期間，前述控制裝置係控制前述雷射光源，而使前述雷射光源射出熱脈衝，該熱脈衝具有的脈衝能量大小無法在被前述載台保持之加工對象物形成孔。
  8. 如申請專利範圍第7項記載之雷射加工裝置，其中，前述控制裝置係控制前述雷射光源，而使包含前述加工用雷射脈衝、確認用雷射脈衝以及熱脈衝之一連串雷射脈 衝以一定的重複頻率從前述雷射光源射出。
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