TWI416274B

TWI416274B - 微影裝置及照明均勻度修正及均勻度漂移補償的方法

Info

Publication number: TWI416274B
Application number: TW099117232A
Authority: TW
Inventors: Richard Carl Zimmerman; Greevenbroek Hendrikus Robertus Marie Van; Peter C Kochersperger; Todd R Downey; Elizabeth Stone; Szilard Istvan Csiszar; Frederick Kubick; Olga Vladimirsky
Original assignee: Asml Holding Nv; Asml Netherlands Bv
Priority date: 2009-05-29
Filing date: 2010-05-28
Publication date: 2013-11-21
Also published as: KR101595394B1; KR20100129239A; JP5156056B2; NL2004770A; CN101923293A; CN101923293B; KR20130032888A; JP2010278443A; US8629973B2; TW201109853A; US20100302525A1

Description

微影裝置及照明均勻度修正及均勻度漂移補償的方法

本發明係關於一種微影裝置及照明均勻度修正系統。本發明大體上係關於微影，且更特定而言係關於一種用於補償由(例如)照明光束移動、光學圓柱均勻度、均勻度補償器漂移等等所引起之均勻度漂移的系統及方法。

微影裝置為將所要圖案施加至基板之目標部分上的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情境下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生對應於IC之個別層的電路圖案，且可將此圖案成像至具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。一般而言，單一基板將含有經順次曝光之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。

微影裝置通常包括照明系統，照明系統經配置以在藉由輻射源產生之輻射入射於圖案化器件上之前調節該輻射。照明系統可(例如)修改輻射之一或多個屬性，諸如偏振及/或照明模式。照明系統可包括均勻度修正系統，均勻度修正系統經配置以修正或減少存在於輻射中之非均勻度，例如，強度非均勻度。均勻度修正器件可使用致動式指形件(actuated finger)，致動式指形件被插入至輻射光束之邊緣中以修正強度變化。然而，可修正之強度變化之空間週期的寬度取決於用以移動均勻度修正系統之指形件之致動器件的大小。此外，在一些情況下，若用以修正輻射光束之不規則度之指形件的大小或形狀被修改，則均勻度修正系統可能以非想要方式損害或修改輻射光束之一或多個屬性，諸如藉由輻射光束形成之光瞳。

微影被廣泛地認為製造積體電路(IC)以及其他器件及/或結構時之關鍵處理程序。微影裝置為在微影期間所使用之將所要圖案施加至基板上(諸如施加至基板之目標部分上)的機器。在藉由微影裝置來製造IC期間，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)產生待形成於IC中之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽基板)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(例如，抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。為了減少IC之製造成本，通常曝光每一IC之多個基板。同樣地，亦通常使微影裝置處於幾乎恆定的使用中。亦即，為了使所有類型之IC的製造成本保持於潛在最小值，亦最小化在基板曝光之間的閒置時間。因此，微影裝置吸收熱，該熱引起該裝置之組件膨脹，從而導致漂移、移動及均勻度改變。

為了確保在圖案化器件及基板上之優良成像品質，維持照明光束之受控均勻度。亦即，在反射離開圖案化器件或透射通過圖案化器件之前的照明光束潛在地具有非均勻強度輪廓(intensity profile)。對於整個微影處理程序，需要以至少某種均勻度來控制照明光束。均勻度可指代跨越整個照明光束之恆定強度，但亦可指代將照明控制為目標照明之能力。目標照明均勻度具有平坦或非平坦輪廓。圖案化器件向輻射光束賦予一圖案，該圖案接著被成像至基板上。此經投影輻射光束之影像品質受照明光束之均勻度影響。

市場要求微影裝置儘可能有效率地執行微影處理程序，以最大化製造能力且使每器件之成本保持較低。此意謂使製造缺陷保持至最小值，其為需要儘可能實務地最小化照明光束之均勻度之效應的原因。

需要提供一種克服或減輕無論是在本文中識別或是在別處識別之一或多個問題的微影裝置及方法。

根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，該微影裝置包含一照明系統，該照明系統經組態以調節一輻射光束。該照明系統包含一均勻度修正系統，該均勻度修正系統位於一平面處，該平面經組態以在藉由該輻射光束照明時接收一實質上恆定光瞳。該均勻度修正系統包括：指形件，該等指形件經組態成可移入及移出與一輻射光束之相交，以便修正該輻射光束之各別部分之一強度；及致動器件，該等致動器件耦接至該等指形件中之一對應指形件，且經組態以移動該等對應指形件。

根據本發明之一實施例，每一指形件之一尖端之一寬度為經組態以移動該尖端之一致動器件之一寬度的約一半。

在一實例中，該微影裝置進一步包括一支撐結構、一基板台及一投影系統。該支撐器件經組態以固持一圖案化器件，該圖案化器件經組態以在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案。該基板台經組態以固持一基板。該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。

根據本發明之一實施例，藉由該等指形件修正之輻射強度變化之一空間週期為該等指形件中之每一者之該尖端之該寬度的至少兩倍。

在一實施例中，該等指形件配置於第一排(bank)及第二對置排中，該第一排及該第二對置排經組態以彼此連鎖，其中該指形件排中之每一者駐存於一單一平面中。

在一實施例中，該尖端之一寬度為約2毫米，且經修正之輻射強度變化之一空間週期為約4毫米。

根據本發明之另一實施例，提供一種微影方法，該微影方法包含以下步驟。將一輻射光束聚焦於一第一平面處，以便在該第一平面處形成一實質上恆定光瞳。形成一實質上恆定光瞳可暗示在跨越該第一平面之每一點處輻射之角分佈相同。藉由調整位於該第一平面中之一非重疊指形件排中之一或多個指形件來調整在該第一平面處該輻射光束之強度。藉由將位於該第一平面中之指形件移入及移出該輻射光束之一路徑來調整在該第一平面處該輻射光束之強度。將該輻射光束引導至一圖案化器件上以圖案化該輻射光束。將該經圖案化輻射光束投影至一基板上。

在一實例中，該等指形件中之每一者之一尖端之一寬度為用以移動該等指形件中之每一對應指形件之對應致動器件之寬度的一半。在一實例中，指形件配置於對置排中，以便連鎖。在一實例中，藉由該等指形件修正之輻射強度變化之一空間週期為該等指形件中之每一者之該尖端之該寬度的兩倍。

考慮到前文，需要一種均勻度補償器系統及方法，其最小化相對於一目標照明輪廓的一照明光束之非均勻度，同時最小化對基板產出率之任何效應。為了滿足此需要，本發明之實施例係有關一種在後續基板之間以300毫秒至600毫秒執行的均勻度補償器系統及方法。

根據本發明之一實施例，提供一種用於藉由均勻度補償器來控制一照明狹縫(照明光束之一部分)之均勻度的方法。雖然以下描述暗示一次序，但其僅為例示性的，且可在不脫離本發明之實施例之意圖的情況下重新排列該次序。量測由微影系統中之漂移所引起之該照明狹縫均勻度。基於該均勻度量測來判定均勻度補償器之第一各別位置。將該等均勻度補償器移動至該等第一各別位置。在該等均勻度補償器之該移動之後量測另一照明狹縫均勻度。比較該另一照明狹縫均勻度與一目標照明狹縫均勻度。若該比較之一結果係在一容許度外，則基於該另一照明狹縫均勻度來判定均勻度補償器之第二各別位置，且將該等均勻度補償器移動至該等第二各別位置。無論該比較之該結果是否在一容許度外，均藉由在該等第一各別位置或該等第二各別位置中之該等均勻度補償器來曝光一基板。或者，另一實施例不比較該另一照明狹縫均勻度與一目標照明狹縫均勻度，且因此，在移動該等均勻度補償器之後曝光該基板。

在一實例中，該照明狹縫均勻度之該量測包含積分該照明光束狹縫強度以產生跨越該狹縫之一連續強度輪廓，該連續強度輪廓接著與該等均勻度補償器相關聯。在另一實例中，該照明狹縫均勻度之該量測包含使用沿著該狹縫之離散強度樣本來產生一狹縫掃描平均化強度輪廓，該等離散強度樣本接著與該等均勻度補償器相關聯。

在一實施例中，該等均勻度補償器包含指形件，該等指形件被插入及抽出一照明光束之一路徑以修改該照明狹縫均勻度。在一實例中，該照明狹縫均勻度之改變係由系統漂移(例如，照明光束移動、光學圓柱均勻度、均勻度補償器漂移，等等)所引起。

在一實例中，該目標照明狹縫均勻度包含一平坦輪廓。在另一實例中，該目標照明狹縫均勻度包含一非平坦輪廓。

根據本發明之另一實施例，提供一種用於藉由均勻度補償器來控制一照明狹縫(照明光束之一部分)之均勻度的方法。雖然以下描述暗示一次序，但其僅為例示性的，且可在不脫離本發明之實施例之意圖的情況下重新排列該次序。執行該等均勻度補償器之一初始校準。基於該初始校準來判定複數個均勻度補償之一第一位置。將該複數個均勻度補償器中之每一者移動至該經判定之第一位置。將一光束透射通過包含該等均勻度補償器之一光學系統，其中該光束被圖案化且引導至一基板上。使用該複數個均勻度補償器來補償系統漂移。在一實例中，藉由許多步驟來實現該補償，該等步驟中之一者為量測一照明狹縫均勻度。比較該經量測照明狹縫均勻度與一目標照明狹縫均勻度以產生一比較結果。若該比較結果不在一容許度內，則基於該經量測照明狹縫均勻度來判定均勻度補償器之各別位置，且將該等均勻度補償器移動至該等各別位置。無論該比較之該結果是否在一容許度外，均藉由在該等各別位置中之任一者中之該等均勻度補償器來曝光一基板。或者，另一實施例不比較該另一照明狹縫均勻度與一目標照明狹縫均勻度，且因此，在移動該等均勻度補償器之後曝光該基板。

在一實例中，在後續基板之曝光之間執行針對系統漂移之該補償。

根據本發明之另一實施例，提供一種有形電腦可讀媒體，該有形電腦可讀媒體在其上儲存有用於藉由均勻度補償器來控制一照明狹縫(照明光束之一部分)之均勻度的指令。用以量測由微影系統中之漂移所引起之一照明狹縫均勻度的指令。用以基於該均勻度量測來判定均勻度補償器之各別位置的指令。用以進行以下操作的指令：將該等均勻度補償器移動至該等各別位置，使得該照明狹縫均勻度係在一目標照明狹縫均勻度之一容許度內，藉以，藉由在該等各別位置中之該等均勻度補償器來曝光一基板。或者，另一實施例不提供用以判定該照明狹縫均勻度是否在一容許度內的指令，且因此，在移動該等均勻度補償器之後曝光該基板。

一另外實施例包含用以在該等均勻度補償器之該移動之後量測另一照明狹縫均勻度的指令。用以比較該另一照明狹縫均勻度與一目標照明狹縫均勻度的指令。若該比較之一結果係在一容許度外，則包含用以基於該另一照明狹縫均勻度來判定均勻度補償器之各別位置且將該等均勻度補償器移動至該等各別位置的另一指令集合。無論該比較之該結果是否在一容許度外，均存在用以藉由在該等各別位置中之該等均勻度補償器來曝光一基板的一指令集合。

在一實例中，用以量測該照明狹縫均勻度的該等指令包含積分該照明光束狹縫強度以產生跨越該狹縫之一連續強度輪廓，該連續強度輪廓接著與該等均勻度補償器相關聯。在另一實例中，用以量測該照明狹縫均勻度的該等指令包含使用沿著該狹縫之離散強度樣本來產生一狹縫掃描平均化強度輪廓，該等離散強度樣本接著與該等均勻度補償器相關聯。

根據本發明之一實施例，提供一種用於藉由均勻度補償器來控制一照明狹縫(照明光束之一部分)之均勻度的方法。雖然以下描述暗示一次序，但其僅為例示性的，且可在不脫離本發明之意圖的情況下重新排列該次序。控制照明狹縫均勻度方法為在後續基板之曝光之間量測由微影系統中之系統漂移所引起之該照明狹縫均勻度。基於該均勻度量測來判定均勻度補償器之各別位置。將該等均勻度補償器移動至該等各別位置。藉由在該等各別位置中之該等均勻度補償器來曝光一基板。

下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將係顯而易見的。

併入於本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同實施方式進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。

本發明係有關使用均勻度補償器來補償由(例如)照明光束移動、光學圓柱均勻度、均勻度補償器漂移等等所引起之均勻度漂移的方法。本說明書揭示併有本發明之特徵的一或多個實施例。該(該等)所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於該(該等)所揭示實施例。本發明係藉由此處附加之申請專利範圍界定。

所描述之該(該等)實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述之該(該等)實施例可能包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等短語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否明確地進行描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性均係在熟習此項技術者之認識範圍內。

本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合加以實施。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可藉由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可藉由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學器件、光學器件或聲學器件；及其類似物。另外，韌體、軟體、常式及指令可在本文中被描述為執行特定動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。

然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的係呈現可實施本發明之實施例的實例環境。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均勻度及強度分佈。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持實質上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

圖2描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。在所示實例中，微影裝置可包括輻射源SO、照明系統IL、經組態以固持圖案化器件MA之支撐結構(圖中未繪示)、投影系統PL、基板台WT、修正模組170、一或多個量測器件190，及位於基板台WT上之基板W。

在一實例中，照明系統IL可包括準直儀10、場界定元件12、場透鏡群組14、均勻度修正系統16、光罩遮罩葉片18及聚光透鏡20。

在一實例中，可使用準直儀10來準直藉由輻射源SO產生之輻射光束(藉由虛線示意性地指示該光束)。場界定元件12可將輻射光束形成為場形狀，其將被投影至基板W上。場界定元件可(例如)包含兩個凸透鏡陣列，第二陣列置放於第一陣列之焦平面中。

在一實例中，場透鏡群組14可將輻射光束聚焦至場平面FP1上。在此實例中，遮罩葉片18位於場平面FP1中，遮罩葉片18包含可移動於微影裝置之掃描方向上的一對葉片。

在一實例中，可使用遮罩葉片18以確保在給定目標區域之曝光期間，輻射不入射於在y及/或x方向上鄰近於給定目標區域之目標區域上。遮罩葉片18位於場平面FP1中，使得藉由遮罩葉片18提供之遮罩可準確地(且以銳緣)平移至圖案化器件MA上。

在一實例中，均勻度修正系統16在輻射光束之路徑中位於遮罩葉片18之前，使得在輻射光束入射於遮罩葉片18上之前，輻射光束可傳遞通過該均勻度修正系統。因此，均勻度修正系統16不位於場平面FP1中，而是自其位移。均勻度修正系統16可空間地控制輻射光束之強度，亦即，均勻度修正系統16可空間地控制將被投影至基板W上之場形狀中之輻射的強度。在一實施例中，均勻度修正系統16包括至少一重疊指形件陣列(例如，圖3A中之指形件排22、23)及/或至少一非重疊指形件陣列(例如，圖7A中之指形件排32、33)，其可移入及移出與入射於該等指形件上之輻射光束之相交，以便選擇性地修正該輻射光束之部分之強度。應瞭解，儘管在每一排中展示七個指形件，但可使用任何數目個指形件。可在整個本申請案中互換地使用術語「指形件排」(bank of fingers/finger bank)或排(bank)。

在一實例中，在傳遞通過遮罩葉片18之後，輻射光束入射於聚光透鏡20上。聚光透鏡20可將輻射聚焦至另一場平面FP2上。位於場平面FP2中之圖案化器件MA可將圖案施加至輻射光束。

在一實例中，經圖案化輻射光束傳遞通過投影系統PL且傳遞至基板W上。基板W位於另外場平面FP3中。經投影圖案光束將圖案轉印至基板上。

在一實例中，修正模組170可判定對修正系統16之變數的調整，使得滿足所要均勻度規格。修正模組170可基於經判定調整來判定一或多個修正參數175，且將此等參數傳達至修正系統16。修正參數控制修正系統16內之可調整變數。修正模組170亦可接收自一或多個均勻度量測器件190所收集之照明場資料185，一或多個均勻度量測器件190定位於圖案化器件MA之場平面FP3或場平面FP2處。

經由根據修正參數來操縱修正系統16之可調整變數，可改變照明光束之特性。更具體而言，修正參數可提供關於如何調整修正系統16之變數以達成所要均勻度輪廓的細節(例如，對於微影處理程序有益之最平坦均勻度或形狀)。舉例而言，修正參數可描述需要移動一或多個指形件排(例如，圖3A中之指形件排22、23及圖7A中之指形件排32、33)中之哪些指形件，及其需要移入或移出與入射輻射光束之相交達何種距離，以便選擇性地修正入射於均勻度修正系統16上之輻射光束之部分的強度。

在一實例中，修正模組170可包括一或多個處理器172及記憶體174。一或多個處理器172可執行使均勻度修正系統16調整變數以達成輻射光束之所要均勻度準則的軟體。記憶體174可包括主記憶體(例如，隨機存取記憶體(RAM))。在一實施例中，記憶體174亦包括副記憶體。副記憶體可包括(例如)硬碟驅動機及/或抽取式儲存驅動機。電腦程式可儲存於記憶體174中。此等電腦程式在被執行時可允許修正模組170中之處理器172執行本發明之一實施例的特徵，如本文中所論述。在一實施例中，在使用軟體來實施用於調整均勻度修正系統16之元件的方法時，可將軟體儲存於電腦程式產品中，且使用抽取式儲存器件、硬驅動機或通信介面將軟體載入至修正模組170中。或者，可經由通信路徑將電腦程式產品下載至修正模組170。此外，在一實施例中，修正模組170耦接至一或多個遠端處理器。修正模組170可接著在遠端接收指令及/或操作參數。

圖3A展示例示性均勻度修正系統16之俯視圖。均勻度修正系統可包括可移動於y方向上之兩個指形件排22及23。指形件排22及23可移動於Y方向上，使得其相交於輻射光束。以此方式，可使用指形件來選擇性地阻擋入射輻射。舉例而言，可進行此過程，以減少在輻射強度過高的輻射光束場之部位中的輻射強度。在一實施例中，指形件排22及23中之交替指形件可處於兩個不同平面中。舉例而言，加灰色陰影之指形件可處於第一平面中，且為白色之指形件可處於第二平面中。具有在不同平面中之指形件可加重來自使用圖3A中之指形件排來修正輻射光束之強度的可能光瞳誤差。在一實例中，置放於不同平面中之指形件可允許指形件重疊，且藉此在重疊區域中形成形狀，其可提供對強度輪廓之平滑效應。然而，使強度輪廓平滑可歸因於指形件處於不同平面中而仍加重光瞳誤差。

圖3B說明根據本發明之一實施例的可用以在均勻度修正系統16中形成指形件排22及23之指形件300。指形件300可具有具備寬度x之基底304，及亦具有寬度x之尖端302。指形件300可耦接至致動器件306。致動器件306可具有寬度x。致動器件306經組態以使指形件300移動於Y方向上。在一實施例中，致動器件306可為馬達、壓電器件、液壓器件或其類似物中之一或多者。

如上文所提及，在場平面FP1處均勻度修正系統16可位於遮罩葉片18之前(見圖2)。因為遮罩葉片18可處於場平面FP1中，所以均勻度修正系統16可自場平面FP1位移。

圖4A及圖4B說明根據本發明之一實施例的使用均勻度修正系統16來修正輻射光束之強度均勻度的效應。圖4A及圖4B說明在操作中之均勻度修正系統16的橫截面。在此實例中，遮罩葉片18位於場平面FP1中。在此實例中，將輻射光束24示意性地表示為複數個子光束，該複數個子光束會聚以在場平面FP1中形成複數個虛擬源26。

在圖4A中，指形件排22及23中之指形件回縮，使得其不與輻射光束24相交。在圖4B中，排22及23中之指形件已移動於y方向上，使得其與輻射光束24之邊緣相交，藉此部分地阻擋輻射光束24之一些子光束。

在此實例中，因為均勻度修正系統16不位於場平面FP1中，所以均勻度修正系統16將不對稱性引入至輻射光束24之光瞳中。光束24可能不再平衡(亦即，光束24可能不再為遠心的及/或遭受高能橢圓性(energetic ellipticity))。在此實例中，均勻度修正系統16引起陰影引入於輻射光束24之整合光瞳平面中的輻射光束24之一側上。輻射光束24之光瞳中的此不對稱性係不良的，因為其可降低微影裝置可將圖案化器件MA之圖案投影至基板W上的準確度。

在此實例中，指形件排22中之指形件具有在對置指形件排23中之鏡像，以在修正輻射光束24之強度時減少光瞳誤差。可藉由均勻度修正系統16修正之輻射光束強度變化之空間週期為形成指形件排22及23之每一指形件300之尖端302之寬度的至少兩倍。照明光束包括連續亮區域及暗區域之照明輪廓。當觀察照明光束傳遞通過之長而窄的狹縫時，包含亮區域及暗區域之圖案形成於照明光束內。該圖案本質上可能不為週期性的，使得鄰近對之亮區域及暗區域可具有不同大小(寬度)。量測該圖案之亮區域之間的距離會在該照明輪廓內界定強度變化之空間週期。光束之照明輪廓可包括具有變化寬度的強度變化之多個疊加空間週期。因此，強度變化之每一空間週期可具有不同寬度。為了修正輻射24之強度變化之較短空間週期，必須減小每一指形件300之尖端302之寬度。致動器件306之寬度可為限制性因素，因為必須將指形件排22及23中之每一者中的鄰近指形件置放成彼此接近。若減小指形件300之尖端302之寬度，則鄰近指形件之尖端之間的所得間隙可進一步加重光瞳誤差。本文中所提供的本發明之實施例允許減小每一指形件300之尖端302之寬度的大小而不誘發光瞳誤差，藉此允許修正輻射之較精細週期。

根據本發明之一實施例，如圖5所示，為了防止發生光瞳誤差，將均勻度修正系統16置放於場平面FP1中或置放成緊接於場平面FP1，而非置放於場平面FP1之前。

圖5描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。在圖5之所示實例中，均勻度修正系統16位於照明系統IL之場平面FP1處。在此實施例中，遮罩葉片18位於場平面FP1之後，使得在操作期間，在輻射光束入射於遮罩葉片18上之前，該光束傳遞通過均勻度修正系統16。在一實施例中，可移動均勻度修正系統16以位於場平面FP1處。在一替代實施例中，可藉由調整場透鏡群組14中之透鏡(圖中未繪示)來移動場平面FP1以定位成緊接於均勻度修正系統16。

圖6A及圖6B說明使用圖5所說明之實施例的效應。圖6A及圖6B說明均勻度修正系統16之橫截面。在此實例中，均勻度修正系統16之指形件排22及23位於場平面FP1中。在此平面中，輻射光束36包含虛擬源陣列30。在圖案化器件(例如，光罩)遮罩葉片18處，藉由複數個子光束表示之輻射光束36發散。

在圖6A之實例中，均勻度修正系統16之指形件排22及23中之指形件經定位成使得其不與輻射光束36相交。在圖6B中，指形件排22及23中之指形件已移動於y方向上，使得其與輻射光束36相交。因為均勻度修正系統16位於場平面FP1中，所以均勻度修正系統16未將任何不對稱性引入至輻射光束36中。輻射光束36保持遠心的，且未將不對稱陰影引入至平面FP1中之光瞳中的輻射光束36中。在一實例中，此情形允許微影裝置以改良準確度將圖案化器件MA之圖案投影至基板W上。此情形亦可允許修改均勻度修正系統16之指形件之形狀及大小，藉此允許修正輻射強度變化之較短空間週期，如下文所描述。

在圖4A及圖4B中，當指形件排22中之指形件與輻射光束24相交時，指形件排22中之指形件可引起形成虛擬源26之一些輻射被阻擋。在一實例中，所有虛擬源26繼續存在，但在輻射光束24之邊緣處的該等虛擬源可能不自所有角度接收輻射。取而代之，虛擬源26可能自一角度子集接收輻射。因此，此等虛擬源26可能不再對稱，亦即，可能將不對稱性引入至輻射光束24之光瞳中。在圖6A及圖6B中，當指形件排32及33中之指形件與輻射光束24相交時，該等指形件亦可能阻擋一些虛擬源30。然而，因為指形件排32及33中之指形件位於場平面FP1(其中聚焦虛擬源36)中，所以指形件排中之該等指形件不會部分地阻擋任何虛擬源30。虛擬源30可為完全可見的或完全被阻擋。虛擬源30保持對稱，且因此，輻射光束36之光瞳保持對稱。

在此實例中，輻射光束36之光瞳(角分佈)在場平面FP1中之所有部位處相同。因此，當均勻度修正系統16之指形件排32及33中之指形件阻擋輻射光束36之一部分時，此情形不會影響輻射光束36之光瞳(角分佈)。因此，未將不對稱性引入至輻射光束36之光瞳中。因此，微影裝置(例如，圖1中之裝置)可以改良準確度將圖案化器件MA之圖案投影至基板W上。

在一實例中，因為均勻度修正系統16在置放於場平面FP1處或置放成緊接於場平面FP1時不會在輻射光束36之光瞳中引起不對稱性，所以均勻度修正系統16可用以修正輻射光束36中之非均勻度的程度顯著地增加。舉例而言，根據本發明之一實施例，現在可修改用於均勻度修正系統16中之每一指形件300之尖端302的形狀及寬度，以允許調整輻射強度之較短空間週期而不引起光瞳誤差，如下文參看圖7A及圖7B所描述。

圖7B說明根據本發明之一實施例的例示性指形件。指形件可具有具備寬度x之基底，及具備寬度x/2之尖端702。指形件可耦接至致動器件306，致動器件306可具有寬度x，此情形類似於上文關於圖3B所描述之情形。藉由移動焦平面FP1，可減小指形件之尖端702之寬度，且現在可修正輻射強度變化之較短空間週期，同時仍使用具有寬度x之同一致動器件306(在該等實例中，見圖3A至圖3B)。在圖7B中，使用多個指形件所形成之指形件排32及33可經配置成使得對置指形件排中之指形件(例如，指形件排32係與指形件排33對置)在一起被放於Y方向上時經組態以連鎖。舉例而言，指形件708係與間隙710完全對置，使得指形件708可在移動於Y方向上時配合於間隙710中。相對於如在圖3A之指形件排22及23中之對置指形件的鏡像，使指形件排32及33中之指形件連鎖可允許與使用指形件排22及23所達成之修正精確度相同的修正精確度，而不誘發光瞳誤差。舉例而言，若圖3A中之指形件排22、23中之指形件連鎖而非鏡像，則均勻度修正系統16誘發光瞳誤差。因為均勻度修正系統16中之指形件排22及23中之每一指形件之尖端的寬度為x/2，所以現在可使用指形件排22、23中之此等指形件來修正空間週期x，而不誘發光瞳誤差，因為焦平面FP1現在已移動至駐存有指形件排32及33之實質上相同平面，藉此實質上消除光瞳誤差。此外，因為排32及33中之交替指形件之間的間隙不會引起光瞳誤差，所以指形件排32及33中之每一者中之指形件現在可處於單一平面中(若需要如此)。

在一實施例中，均勻度修正系統16可位於照明系統IL之場平面(例如，FP1)中。或者，均勻度修正系統可位於藉由照明系統IL以恆定光瞳照明之平面中，亦即，在跨越均勻度修正系統16之平面之每一點處輻射之角分佈相同。

在一些情況下，均勻度修正系統16可能不精確地位於照明系統之場平面(例如，FP1)中，亦即，其可經定位成實質上接近於或緊接於平面FP1。舉例而言，均勻度修正系統16可經定位成與平面FP1相距(例如)1毫米或2毫米，但小於10毫米。在此文件中，藉由宣稱均勻度修正系統16實質上位於場平面FP1中或緊接於場平面FP1來表達此情形。或者，據說，均勻度修正系統16位於藉由照明系統以實質上恆定光瞳照明之平面中。

在一實例中，可能需要使遮罩葉片18保持實質上接近於場平面FP1。遮罩葉片18可(例如)經定位成與場平面FP1相距幾毫米。舉例而言，遮罩葉片18可在離場平面FP1之8毫米與20毫米之間。若藉由均勻度修正系統16(及藉由圖案化器件遮罩葉片)佔用之空間允許遮罩葉片18可經定位成更接近於場平面FP1，則遮罩葉片18可經定位成仍更接近於場平面FP1。

熟習此項技術者應瞭解，均勻度修正系統16之指形件可(例如)為4毫米寬，且可由碳化矽或諸如金屬或陶瓷之任何其他適當材料形成。該等指形件可窄於4毫米(若建構方法允許達成此情形)。一般而言，較窄指形件允許達成輻射光束之均勻度的較精細修正。在一實施例中，尖端702可為2毫米寬，且可修正具有4毫米之週期的輻射。

圖8為說明根據本發明之一實施例的經執行以修正輻射光束之均勻度之方法800的例示性流程圖。在一實例中，將繼續參考圖1至圖7所描繪之實例操作環境來描述方法800。然而，方法800不限於此等實施例。應注意，方法800所示之一些步驟未必必須以所示次序發生。

在步驟802中，產生輻射光束。舉例而言，可使用輻射源SO來產生輻射光束。

在步驟804中，將輻射光束聚焦於實質上在經定位有均勻度修正系統之平面處的第一平面處，以便在第一平面處形成實質上恆定光瞳。舉例而言，可將藉由輻射源SO產生之光束聚焦於均勻度修正系統16之平面FP1處，以便形成實質上恆定光瞳。

在步驟806中，藉由選擇性地移動一非重疊指形件排中之一或多個指形件而在第一平面處調整輻射光束之強度，以便選擇性地修正輻射光束之部分之強度且形成經修正輻射光束。舉例而言，可選擇性地移動排32及33中之指形件，以修正聚焦於平面FP1上之輻射光束之部分之強度。在一實施例中，每一指形件之寬度可為用以移動該指形件之致動器件之寬度的一半。

在步驟808中，將經修正輻射光束引導至圖案化器件上，以形成經圖案化輻射光束。舉例而言，可將在步驟806中藉由均勻度修正系統16修正之輻射光束引導至圖案化器件MA上，以形成經圖案化輻射光束。

在步驟810中，藉由投影系統將經圖案化輻射光束投影至基板上。舉例而言，可經由投影系統PL將來自圖案化器件MA之經圖案化輻射光束投影至基板W上。

應瞭解，在微影裝置未操作且因此不存在輻射光束的情況下，對輻射光束之場平面的參考可被解釋為對照明系統IL之場平面的參考。

下文詳述用於補償由系統漂移所引起之照明狹縫均勻度之方法的實施例。在一實施例中，一種用於補償系統漂移之方法包含：量測一照明狹縫均勻度；基於該經量測均勻度來判定均勻度補償器之第一各別位置；及將該等均勻度補償器移動至該等第一各別位置。該照明狹縫均勻度之該量測可根據積分該照明狹縫均勻度，或根據使用沿著狹縫之離散強度樣本來產生一狹縫掃描平均化強度輪廓。該等均勻度補償器可包含指形件，該等指形件被插入及抽出一照明光束之一路徑以修改該照明狹縫均勻度。另一實施例進一步包含：在該移動之後量測另一照明狹縫均勻度；比較該另一照明狹縫均勻度與一目標照明狹縫均勻度。若該比較之一結果係在一容許度外，則基於該另一照明狹縫均勻度來判定該等均勻度補償器之第二各別位置，且將該等均勻度補償器移動至該等第二各別位置。最後，藉由在該等第一各別位置或該等第二各別位置中之該等均勻度補償器來曝光一基板。可引起此等均勻度再新指形件移動的系統中之漂移尤其為照明光束移動、光學圓柱均勻度及均勻度補償器漂移。該目標照明狹縫均勻度可為平坦或非平坦的。雖然比較該經量測照明狹縫均勻度與一容許度係有用的，但其並非必要的。

在一實施例中，一種用於補償系統漂移之方法包含：執行均勻度補償器之一初始校準；基於該初始校準來判定複數個均勻度補償器之一第一位置；將該複數個均勻度補償器中之每一者移動至該經判定之第一位置；將一光束透射通過包含該等均勻度補償器之一光學系統，其中該光束被圖案化且引導至一基板上；及使用該複數個均勻度補償器來補償系統漂移。在至少一實施例中，在後續基板之曝光之間執行針對系統漂移之該補償。

I.實例微影環境

A.實例反射微影系統及透射微影系統

圖9A及圖9B分別示意性地描繪微影裝置900及微影裝置900'。微影裝置900及微影裝置900'各自包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，DUV或EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經組態以支撐圖案化器件(例如，光罩或動態圖案化器件)MA，且連接至經組態以準確地定位圖案化器件MA之第一定位器PM；及基板台(例如，基板台)WT，其經組態以固持基板(例如，塗佈抗蝕劑之基板)W，且連接至經組態以準確地定位基板W之第二定位器PW。微影裝置900及900'亦具有投影系統PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)C上。在微影裝置900中，圖案化器件MA及投影系統PS係反射的，且在微影裝置900'中，圖案化器件MA及投影系統PS係透射的。

照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射B的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明系統IL亦可包括：能量感測器ES，其提供能量之量測(每脈衝)；量測感測器MS，其用於量測光學光束之移動；及均勻度補償器UC，其允許控制照明狹縫均勻度。

支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置900及900'之設計及其他條件(諸如圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。

術語「圖案化器件」MA應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於目標部分C中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。

圖案化器件MA可為透射的(如在圖9B之微影裝置900'中)或為反射的(如在圖9A之微影裝置900中)。圖案化器件MA之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式亻匕LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束B中。

術語「投影系統」PS可涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。真空環境可用於EUV或電子束輻射，因為其他氣體可能吸收過多輻射或電子。因此，可憑藉真空壁及真空泵將真空環境提供至整個光束路徑。

微影裝置900及/或微影裝置900'可為具有兩個(雙平載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)WT的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。

參看圖9A及圖9B，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO與微影裝置900、900'可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源SO形成微影裝置900或900'之部分，且輻射光束B憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD(圖9B)而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置900、900'之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD(圖9B)。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件(圖9B)，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均勻度及強度分佈。經由使用除去源輸出之變化的能量感測器ES，及包含可被插入及移開照明光束以修改其均勻度及強度之複數個突起(例如，指形件)的均勻度補償器UC，可維持此所要均勻度。

參看圖9A，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由圖案化器件MA而圖案化。在微影裝置900中，輻射光束B係自圖案化器件(例如，光罩)MA反射。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。

參看圖9B，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖9B中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA。同樣地，在圖10中，存在基板載物台狹縫感測器WS，其結合能量感測器ES在每脈衝之基礎上產生自照明系統IL至基板W之正規化強度資料。

一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。

微影裝置900及900'可用於以下模式中之至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持實質上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如本文中所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用對所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「基板」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

在一另外實施例中，微影裝置900包括極紫外線(EUV)源，EUV源經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射光束。一般而言，EUV源經組態於輻射系統(見下文)中，且對應照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。

B.實例EUV微影裝置

圖10示意性地描繪根據本發明之一實施例的例示性EUV微影裝置。在圖10中，EUV微影裝置包括輻射系統42、照明光學器件單元44及投影系統PS。輻射系統42包括輻射源SO，其中可藉由放電電漿形成輻射光束。在一實施例中，可藉由氣體或蒸汽產生EUV輻射，例如，藉由Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽產生EUV輻射，其中產生極熱電漿以發射在電磁光譜之EUV範圍內的輻射。可藉由(例如)放電而產生至少部分地離子化之電漿來產生極熱電漿。為了輻射之有效率產生，可能需要為(例如)10帕斯卡之分壓的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他適當氣體或蒸汽。藉由輻射源SO發射之輻射係經由定位於源腔室47中之開口中或後方的氣體障壁或污染物捕捉器49而自源腔室47傳遞至收集器腔室48中。在一實施例中，氣體障壁49可包括通道結構。

收集器腔室48包括可由掠入射收集器形成之輻射收集器50(其亦可被稱作收集器鏡面或收集器)。輻射收集器50具有上游輻射收集器側50a及下游輻射收集器側50b，且藉由收集器50傳遞之輻射可經反射離開光柵光譜濾光器51以在收集器腔室48中之孔徑處聚焦於虛擬源點52處。輻射收集器50為熟習此項技術者所知。

自收集器腔室48，輻射光束56係在照明光學器件單元44中經由正入射反射器53及54而反射至定位於比例光罩台或光罩台MT上之比例光罩或光罩(圖中未繪示)上。形成經圖案化光束57，其係在投影系統PS中經由反射元件58及59而成像至被支撐於基板載物台或基板台WT上之基板(圖中未繪示)上。在各種實施例中，照明光學器件單元44及投影系統PS可包括比圖10所描繪之元件多(或少)的元件。舉例而言，照明光學器件單元44亦可包括：能量感測器ES，其提供能量之量測(每脈衝)；量測感測器MS，其用於量測光學光束之移動；及均勻度補償器UC，其允許控制照明狹縫均勻度。另外，取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器51。另外，在一實施例中，照明光學器件單元44及投影系統PS可包括比圖10所描繪之鏡面多的鏡面。舉例而言，除了反射元件58及59以外，投影系統PS亦可併有一至四個反射元件。在圖10中，元件符號180指示兩個反射器之間的空間，例如，反射器142與反射器143之間的空間。

在一實施例中，代替掠入射鏡面或除了掠入射鏡面以外，收集器鏡面50亦可包括正入射收集器。另外，儘管關於具有反射器142、143及146之巢套式收集器而描述收集器鏡面50，但在本文中進一步將收集器鏡面50用作收集器之實例。

另外，代替光柵51，如圖10示意性地所描繪，亦可應用透射光學濾光器。對於EUV而言為透射之光學濾光器以及對於UV輻射而言為較不透射或甚至實質上吸收UV輻射之光學濾光器為熟習此項技術者所知。因此，可在本文中進一步將「光柵光譜純度濾光器」之使用互換地指示為「光譜純度濾光器」，其包括光柵或透射濾光器。儘管圖10中未描繪，但可包括作為額外光學元件之EUV透射光學濾光器(例如，經組態於收集器鏡面50上游)，或在照明單元44及/或投影系統PS中之光學EUV透射濾光器。

相對於光學元件之術語「上游」及「下游」指示一或多個光學元件分別在一或多個額外光學元件之「光學上游」及「光學下游」之位置。遵循輻射光束橫穿通過微影裝置之光路，比第二光學元件更接近於輻射源SO之第一光學元件經組態於第二光學元件上游；第二光學元件經組態於第一光學元件下游。舉例而言，收集器鏡面50經組態於光譜濾光器51上游，而光學元件53經組態於光譜濾光器51下游。

圖10所描繪之所有光學元件(及此實施例之示意性圖式中未展示的額外光學元件)均可易受藉由輻射源SO產生之污染物(例如，Sn)之沈積的損壞。對於輻射收集器50及(在存在時)光譜純度濾光器51而言可為此情況。因此，可使用清潔器件來清潔此等光學元件中之一或多者，以及可將清潔方法應用於該等光學元件，而且應用於正入射反射器53及54以及反射元件58及59或其他光學元件(例如，額外鏡面、光柵，等等)。

輻射收集器50可為掠入射收集器，且在此實施例中，收集器50係沿著光軸O對準。輻射源SO或其影像亦可沿著光軸O定位。輻射收集器50可包含反射器142、143及146(亦被稱作「殼體」(shell)或Wolter型反射器(包括若干Wolter型反射器))。反射器142、143及146可為巢套式且圍繞光軸O旋轉對稱。在圖10中，內部反射器係藉由元件符號142指示，中間反射器係藉由元件符號143指示，且外部反射器係藉由元件符號146指示。輻射收集器50封閉特定體積，例如，在外部反射器146內之體積。通常，在外部反射器146內之體積係圓周閉合的，但可存在小開口。

反射器142、143及146可分別包括至少一部分表示一反射層或許多反射層之表面。因此，反射器142、143及146(或具有三個以上反射器或殼體之輻射收集器之實施例中的額外反射器)經至少部分地設計成反射及收集來自輻射源SO之EUV輻射，且反射器142、143及146之至少部分可能未經設計成反射及收集EUV輻射。舉例而言，該等反射器之背側之至少部分可能未經設計成反射及收集EUV輻射。在此等反射層之表面上，可此外存在用於保護之頂蓋層，或作為提供於該等反射層之表面之至少部分上的光學濾光器。

輻射收集器50可置放於輻射源SO或輻射源SO之影像附近。每一反射器142、143及146可包含至少兩個鄰近反射表面，與較接近於輻射源SO之反射表面相比較，較遠離於輻射源SO之反射表面經置放成與光軸O成較小角度。以此方式，掠入射收集器50經組態以產生沿著光軸O傳播之EUV輻射光束。至少兩個反射器可經實質上同軸地置放且圍繞光軸O實質上旋轉對稱地延伸。應瞭解，輻射收集器50可具有在外部反射器146之外部表面上之另外特徵或圍繞外部反射器146之另外特徵，例如，保護固持器、加熱器，等等。

在本文中所描述之實施例中，術語「透鏡」及「透鏡元件」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包含折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。

另外，本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包含紫外線(UV)輻射(例如，具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長λ)、極紫外線(EUV或軟X射線)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長，例如，13.5奈米)，或在小於5奈米下工作之硬X射線，以及粒子束(諸如離子束或電子束)。通常，認為具有在約780奈米至3000奈米(或更大)之間的波長的輻射係IR輻射。UV指代具有大約100奈米至400奈米之波長的輻射。在微影內，其通常亦適用於可藉由水銀放電燈產生之波長：G線436奈米；H線405奈米；及/或I線365奈米。真空UV或VUV(亦即，藉由空氣吸收之UV)指代具有大約100奈米至200奈米之波長的輻射。深UV(DUV)通常指代具有在自126奈米至428奈米之範圍內之波長的輻射，且在一實施例中，準分子雷射可產生用於微影裝置內之DUV輻射。應瞭解，具有在(例如)5奈米至20奈米之範圍內之波長的輻射係關於具有至少一部分係在5奈米至20奈米之範圍內之特定波長帶的輻射。

II.用於補償照明光束均勻度之漂移的系統及方法

圖11說明根據本發明之一實施例的均勻度再新(UR)修正系統1100之機械部分。在圖11中，均勻度再新(UR)修正系統1100包括能量感測器(ES)1110及複數個均勻度補償器1120。UR修正系統1100可在微影操作期間修改照明光束。在本發明之至少一實施例中，照明光束之形狀為圓弧形狀且被稱作照明狹縫1130。藉由將個別均勻度補償器1120控制成移入及移出照明狹縫1130，可控制照明狹縫1130之均勻度。均勻度補償器1120亦可被稱作指形件。可在2009年5月29日申請之共同擁有的同在申請中之美國臨時專利申請案第61/182,295號中找到均勻度補償器之實例操作，該申請案之全文以引用的方式併入本文中。

在一實例中，可個別地控制圖11所示之指形件以修改照明狹縫之強度，以便達成目標均勻度。

圖18展示根據本發明之一實施例的用於平坦目標之目標均勻度之處理程序1800。應瞭解，一般熟習此項技術者將易於理解如何達成非平坦目標之相同結果。在此實例中，使用兩個輸入集合1810/1815及1820/1825。第一輸入集合可關於表示在指形件處於其中心位置之情況下之目標平坦輪廓的曲線1810，及在指形件處於其中心位置之情況下之均勻度量測的值1815。第二輸入集合可關於表示指形件至照明光束中之每插入部位之衰減量的曲線1820，及當前指形件位置及對應衰減值的值1825。

在一實例中，一旦在指形件處於其初始位置中(例如，在中心位置中)之情況下判定表示照明狹縫強度之量測輪廓的曲線1840，隨即可執行指形件定位演算法(FPA)1830。在一實例中，FPA 1830定位具有最小強度量測之指形件。FPA 1830接著使用函數1850以將剩餘指形件移動至與該指形件1850之強度位準相同的強度位準以產生平坦輪廓。若輪廓為非平坦的，則可相應地按比例調整衰減(例如，指形件位置)以產生非平坦輪廓。FPA 1830輸出表示複數個新指形件位置及其關聯衰減值之控制信號1860。可接著使用控制信號1860以將指形件機械地移動至「經修正」補償位置中，且達成照明狹縫之目標均勻度。

圖12為根據本發明之一實施例的照明狹縫1230之放大圖。舉例而言，在至少一實施例中，圖12說明照明狹縫1230之大小及形狀。圖12未展示均勻度補償器之如下指形件：該等指形件被插入及抽出照明狹縫之路徑，以便修改其強度均勻度。在一實施例中，均勻度補償器僅位於照明狹縫之一側上。

圖13說明根據本發明之一實施例的方法。舉例而言，方法可用於使用均勻度再新(UR)修正系統以藉由在基板至基板之基礎上改良成功成像之器件的量而最大化製造效率，該改良係藉由補償系統均勻度漂移而進行。

在一實例中，方法始於基板之每一批(1310)的開始。在步驟1320中，量測照明狹縫均勻度(例如，藉由狹縫積分強度，或藉由使用沿著狹縫之離散強度樣本的狹縫掃描平均值)。在步驟1320中，均勻度再新(UR)修正系統基於跨越狹縫之平坦強度輪廓來計算均勻度補償器(例如，指形件)位置。視情況，在步驟1340中，均勻度再新(UR)修正系統基於非平坦(又名，DOSEMAPPER或DoMa)強度輪廓來計算均勻度補償器(例如，指形件)位置。可在2009年5月12日發佈之美國專利第7,532,308號中找到關於DOSEMAPPER實施例之實例，該專利之全文以引用的方式併入本文中。在步驟1350中，均勻度再新(UR)修正系統設定複數個均勻度補償器(例如，指形件)之位置。在步驟1360中，曝光基板。在一實例中，在每一基板之曝光期間，可使用許多不同非平坦輪廓(例如，DOSEMAPPER目標照明狹縫輪廓)(例如，取決於經曝光的基板之部分)。因此，甚至在單一基板之曝光期間仍可能存在均勻度補償器指形件位置改變。在步驟1370中，判定在該批中是否將曝光另一基板。若是，則方法返回至步驟1320。若將不再曝光該批中之基板，則在步驟1390處，方法結束。

在本發明之一實施例中，在步驟1310期間，在單一批之後續基板之間控制(例如，修正)照明狹縫均勻度，使得以獨立受控均勻照明狹縫來曝光該批中之每一基板。在步驟1320中，量測照明狹縫之均勻度。舉例而言，照明狹縫之均勻度可歸因於許多因素而改變，例如，照明光束移動、光學圓柱均勻度，或均勻度補償器指形件漂移。

在一實例中，可藉由積分跨越整個狹縫之照明狹縫強度來量測照明狹縫之均勻度以作為連續強度輪廓。或者或另外，可使用沿著狹縫之離散強度樣本來量測照明狹縫之均勻度以作為狹縫掃描平均化強度。

在步驟1330中，藉由使用來自步驟1320之經量測照明狹縫均勻度，計算指形件位置，以便產生平坦目標照明狹縫均勻度(例如，可如圖18所示來執行指形件位置之計算)。視情況，在步驟1340中，可連同來自步驟1320之經量測照明狹縫均勻度來使用非平坦(DoMa)均勻度輪廓，以計算指形件位置。在步驟1350中，設定經計算指形件位置，使得照明光束均勻度匹配於平坦目標輪廓或非平坦目標輪廓。在步驟1360中，曝光基板。

在一實施例中，可在基板之曝光期間移動指形件，使得使用不同照明狹縫目標輪廓來曝光基板之不同部分。若改變此等「期間」曝光照明狹縫目標輪廓，則其仍係基於經量測照明狹縫均勻度。

在步驟1370中，判定在該批中是否存在待曝光之額外基板。若是，則方法返回至步驟1320。在一實例中，量測及修正單一批之基板之間的照明狹縫之均勻度係理想的，因為系統移動、熱產生及振動可能已引起照明狹縫之均勻度改變。若否，則方法在步驟1390處結束。

圖14說明根據本發明之一實施例的方法。舉例而言，此方法可用於使用均勻度再新(UR)修正系統以藉由在基板至基板之基礎上改良成功成像之器件的量而最大化製造效率，該改良係藉由補償系統均勻度漂移而進行。圖14所示之方法可包括在處理第一基板之前的初始校準步驟。後續基板可能不具有校準步驟，而是使用先前基板結束量測值以作為初始量測值。

在步驟1410中，執行均勻度補償器位置之離線校準。在步驟1415中，機械地調整均勻度補償器。在步驟1420中，產生輻射光束。在步驟1425中，將輻射光束傳遞通過含有均勻度補償器之光學系統。在選用之步驟1430中，量測光束移動，或計算光束移動。在步驟1435中，量測或計算照明狹縫均勻度(例如，若加以量測，則此過程可藉由狹縫積分強度而進行，或其可藉由使用沿著狹縫之離散強度樣本的狹縫掃描平均值而進行)。在步驟1440中，基於當前均勻度、離線資料及/或光束移動來判定均勻度補償器(例如，指形件)之位置。在步驟1445中，調整均勻度補償器(例如，指形件)位置。在步驟1450中，判定是否應再次執行圖13所示之方法。若是，則圖14所示之方法返回至步驟1420。若否，則圖14所示之方法移動至步驟1455，在步驟1455期間曝光基板。

在一實例中，在每一基板之曝光期間，可使用許多不同非平坦輪廓(例如，DOSEMAPPER目標照明狹縫輪廓)(取決於經曝光的基板之部分)。舉例而言，甚至在單一基板之曝光期間仍可能存在均勻度補償器指形件位置改變。可在2009年5月12日發佈之美國專利第7,532,308號及2002年9月24日發佈之美國專利第6,455,862號中找到關於模型化在加熱及冷卻循環期間之均勻度改變、校準關聯參數及將此等結果應用於個別衰減器之致動的實例，該兩個專利之全文以引用的方式併入本文中。

在本發明之一實施例中，如參看圖13所描述，在後續基板之間控制(例如，修正)照明狹縫均勻度。又，在本發明之一實施例中，用於調整均勻度補償器以使得照明狹縫均勻度匹配於目標照明狹縫均勻度之方法包含每基板之照明狹縫均勻度的至少兩次量測。亦即，當圖14所示之方法到達步驟1450時，進行「重複」決定。在對於每一基板之第一次，「重複」決定通常為「是」。當決定1450為是時，重複步驟1420且產生新輻射光束。在步驟1435中，將新輻射光束傳遞通過光學系統。步驟1435量測照明狹縫均勻度，步驟1440判定均勻度補償器位置，且步驟1445調整均勻度補償器。

在圖14所示之方法的重複期間，若經量測照明狹縫均勻度係在目標照明狹縫強度輪廓(平坦或非平坦)之預定容許度內，則將不進一步需要重複補償方法，且將在步驟1450處選擇「否」。此後，在步驟1455，如參看圖13所描述，可發生基板之曝光。亦可在不與預定容許度比較之情況下執行圖14所示之方法。在一實施例中，圖14所示之方法僅被執行一次，且不重複來判定步驟1445中之均勻度補償器調整是否引起照明狹縫均勻度匹配於目標照明狹縫強度輪廓(平坦或非平坦)。

在另一實例中，若經量測照明狹縫均勻度不在目標照明狹縫強度輪廓(平坦或非平坦)之預定容許度內，則均勻度補償器可能需要進一步調整。在此情況下，將在步驟1450處再次選擇「是」。照明狹縫均勻度可經微調成更接近於目標照明狹縫強度輪廓。或者，若經量測照明狹縫均勻度係在目標照明狹縫強度輪廓之預定容許度內，則可能無需重複該方法(甚至在對於基板之第一次之後)。

圖15A說明根據本發明之一實施例的關於第一基板曝光序列之均勻度再新步驟。圖15B說明根據本發明之一實施例的關於第二基板曝光序列及後續基板曝光序列之均勻度再新步驟。圖15A及圖15B說明實施歸因於系統漂移之均勻度補償的圖13及圖14之多基板批方法。在一實例中，時刻表1500為上文在圖13及圖14中所描述之方法的圖形表示。圖15A包含在每一新批之第一基板之情況下發生的額外步驟(例如，校準)。圖15B不包含額外校準步驟，而是使用第一基板之最終量測來產生其初始量測。此自所有基板曝光2及更高消除校準步驟，從而改良效率。在一實例中，圖15A及圖15B所示之處理程序與上文參看圖13及圖14所論述之處理程序相同，此處出於簡潔起見而不重複其論述。

圖16及圖17說明依序均勻度再新(UR)資料流之各種實施例。舉例而言，圖16與圖17之間的差異為：圖16所示之資料流將照明狹縫均勻度修正成平坦目標，而圖17之資料流將照明狹縫均勻度修正成非平坦目標。

圖16展示用於以平坦目標來實施均勻度再新(UR)之資料流1600。要素1602、1608、1614、1620、1626、1632、1652、1658及1664為用以實施均勻度再新(UR)演算法(例如，類似於上文參看圖13至圖7所論述之演算法)之輸入。要素1604、1610、1616、1622、1628、1634、1638、1654、1660、1666及1670為用以實施均勻度再新(UR)演算法之函數、運算或處理程序。要素1606、1612、1618、1624、1630、1636、1656、1662及1668為用以實施均勻度再新(UR)演算法之輸出。

圖17展示用於以非平坦目標來實施均勻度再新(UR)之資料流1700。在圖17中，除了來自圖16之要素以外，亦展示用以實施非平坦(例如，DOSEMAPPER)目標之輸入(1738、1744、1780及1786)、函數、運算或處理程序(1740、1746、1750、1782、1788及1792)及輸出(1742、1748、1784、1790)。

在一實例中，再次參看圖16，展示用於平坦指形件位置Flat_FP_X(1702、1720及1752)之資料流1600。可在量測照明狹縫均勻度(1704、1722及1752)的同時使用資料流1600，以產生平坦目標輪廓Flat_Profile_X(1706、1724及1756)。可結合指形件衰減Flat_atten_X(1708、1726及1758)來使用Flat_Profile_X，可藉由均勻度再新指形件定位演算法「UR X FPA」(1710、1728及1760)使用該等指形件衰減以產生新指形件位置Flat_FP_X+1及新指形件衰減值Flat_atten_X+1(1712、1730及1762)。藉由劑量偏移演算法(1716、1734及1766)使用Flat_atten_X及Flat_atten_X+1(1714、1732及1764)以產生所誘發之劑量偏移Flat_DO_UR_X。在曝光基板(例如，1738及1770)時使用來自劑量偏移演算法之資料流。儘管不意欲限於此實施例，但圖16在左側將量測、判定及調整均勻度補償器說明為需要兩次循環以最佳化均勻度，而右側僅需要一次循環。

在一實例中，參看圖17，資料流1700包含實質上緊接在基板之曝光之前或期間的關於資料流1600之以下額外步驟：移動均勻度補償器，使得達成非平坦(例如，DOSEMAPPER)目標照明均勻度。可藉由非平坦(DOSEMAPPER)指形件定位演算法「DoMa FPA」(1740及1782)使用Flat_Profile_X連同指形件衰減Flat_atten_X及複數個非平坦目標(1738及1780)以產生新指形件位置Target_X(i)_FP及新指形件衰減值Target_X(i)_atten(1742及1748)。可藉由劑量偏移演算法(1746及1788)使用Flat_atten_X及Target_X(i)_atten(1744及1786)以產生複數個非平坦目標中之每一者的劑量偏移TX(i)_DO_UR_X。可在曝光基板(1750及1792)時使用來自劑量偏移演算法之資料流。

本發明之各種態樣可以軟體、韌體、硬體或其組合加以實施。圖19為實例電腦系統1900之說明，其中本發明之實施例或其部分可實施為電腦可讀程式碼。舉例而言，藉由圖13及圖14之流程圖說明的方法可分別實施於電腦系統1900中，電腦系統1900包括耦接至顯示器1930之顯示介面1902。在此實例電腦系統1900方面描述本發明之各種實施例。在閱讀此描述之後，對於熟習相關技術者而言，如何使用其他電腦系統及/或電腦架構來實施本發明之實施例將變得顯而易見。

電腦系統1900包括一或多個處理器，諸如處理器1904。處理器1904可為專用處理器或通用處理器。處理器1904連接至通信基礎結構1906(例如，匯流排或網路)。

電腦系統1900亦包括主記憶體1905(較佳為隨機存取記憶體(RAM))，且亦可包括副記憶體1910。副記憶體1910可包括(例如)硬碟驅動機1912、抽取式儲存驅動機1914及/或記憶棒。抽取式儲存驅動機1914可包含軟碟驅動機、磁帶驅動機、光碟驅動機、快閃記憶體或其類似物。抽取式儲存驅動機1914以熟知方式自抽取式儲存單元1918進行讀取及/或向抽取式儲存單元1918進行寫入。抽取式儲存單元1918可包括藉由抽取式儲存驅動機1914讀取及藉由抽取式儲存驅動機1914寫入之軟碟、磁帶、光碟，等等。熟習相關技術者應瞭解，抽取式儲存單元1918包括儲存有電腦軟體及/或資料之電腦可用儲存媒體。

在替代實施中，副記憶體1910可包括用於允許將電腦程式或其他指令載入至電腦系統1900中之其他類似器件。此等器件可包括(例如)抽取式儲存單元1918及介面1920。此等器件之實例可包括程式匣及匣式介面(諸如在視訊遊戲器件中所找到之程式匣及匣式介面)、抽取式記憶體晶片(例如，EPROM或PROM)及關聯插口，以及其他抽取式儲存單元1918及介面1920(其允許將軟體及資料自抽取式儲存單元1918傳送至電腦系統1900)。

電腦系統1900亦可包括通信介面1924。通信介面1924允許在電腦系統1900與外部器件之間傳送軟體及資料。通信介面1924可包括數據機、網路介面(諸如乙太網路卡)、通信埠、PCMCIA擴充槽及卡，或其類似物。經由通信介面1924所傳送之軟體及資料係以信號之形式，該等信號可為能夠藉由通信介面1924接收之電子信號、電磁信號、光學信號或其他信號。經由通信路徑1926及1928將此等信號提供至通信介面1924。通信路徑1926及1928載運信號，且可使用導線或電纜、光纖、電話線、蜂巢式電話鏈路、RF鏈路或其他通信頻道加以實施。

在此文件中，術語「電腦程式媒體」及「電腦可用媒體」通常係用以指代諸如抽取式儲存單元1918、抽取式儲存單元1918及安裝於硬碟驅動機1912中之硬碟的媒體。電腦程式媒體及電腦可用媒體亦可指代諸如主記憶體1905及副記憶體1910之記憶體，其可為記憶體半導體(例如，DRAM，等等)。此等電腦程式產品將軟體提供至電腦系統1900。

電腦程式(亦被稱作電腦控制邏輯)儲存於主記憶體1905及/或副記憶體1910中。亦可經由通信介面1924而接收電腦程式。此等電腦程式在被執行時使電腦系統1900能夠實施如本文中所論述的本發明之實施例。詳言之，電腦程式在被執行時使處理器1904能夠實施本發明之處理程序，諸如上文所論述的藉由圖13之流程圖說明之方法中之步驟。因此，此等電腦程式表示電腦系統1900之控制器。在使用軟體來實施本發明之實施例時，可將軟體儲存於電腦程式產品中，且使用抽取式儲存驅動機1914、介面1920、硬驅動機1912或通信介面1924將軟體載入至電腦系統1900中。

本發明之實施例亦係有關電腦程式產品，其包括儲存於任何電腦可用媒體上之軟體。此軟體在被執行於一或多個資料處理器件中時使一(若干)資料處理器件如本文中所描述進行操作。本發明之實施例使用現在或未來所知之任何電腦可用或可讀媒體。電腦可用媒體之實例包括(但不限於)主儲存器件(例如，任何類型之隨機存取記憶體)、副儲存器件(例如，硬驅動機、軟碟、CD ROMS、ZIP磁碟、磁帶、磁性儲存器件、光學儲存器件、MEMS、奈米技術儲存器件，等等)，及通信媒體(例如，有線及無線通信網路、區域網路、廣域網路、企業內部網路，等等)。

儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

在一另外實施例中，微影裝置包括極紫外線(EUV)源，EUV源經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射光束。一般而言，EUV源經組態於輻射系統(見下文)中，且對應照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。

結論

應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解釋申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由發明人所預期的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及附加申請專利範圍。

上文已憑藉說明指定功能及其關係之實施的功能建置區塊來描述本發明。本文中已為了便於描述而任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。

特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般本性以使得：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲係在所揭示實施例之等效物的意義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解釋。

本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物進行界定。

10．．．準直儀

12．．．場界定元件

14．．．場透鏡群組

16．．．均勻度修正系統

18．．．光罩遮罩葉片

20．．．聚光透鏡

22．．．指形件排

23．．．指形件排

24．．．輻射光束

26．．．虛擬源

30．．．虛擬源陣列/虛擬源

32．．．指形件排

33．．．指形件排

36．．．輻射光束

42．．．輻射系統

44．．．照明光學器件單元

47．．．源腔室

48．．．收集器腔室

49．．．氣體障壁/污染物捕捉器

50．．．輻射收集器/收集器鏡面

50a．．．上游輻射收集器側

50b．．．下游輻射收集器側

51．．．光柵光譜濾光器/光柵/光譜純度濾光器

52．．．虛擬源點

53．．．正入射反射器

54．．．正入射反射器

56．．．輻射光束

57．．．經圖案化光束

58．．．反射元件

59．．．反射元件

142．．．反射器

143．．．反射器

146．．．反射器

170．．．修正模組

172．．．處理器

174．．．記憶體

175．．．修正參數

180．．．兩個反射器之間的空間

185．．．照明場資料

190．．．均勻度量測器件

300．．．指形件

302．．．尖端

304．．．基底

306．．．致動器件

702．．．尖端

708．．．指形件

710．．．間隙

900．．．微影裝置

900'．．．微影裝置

1100．．．均勻度再新(UR)修正系統

1110．．．能量感測器

1120．．．均勻度補償器

1130．．．照明狹縫

1230．．．照明狹縫

1500．．．時刻表

1600．．．資料流

1602．．．要素

1604．．．要素

1606．．．要素

1608．．．要素

1610．．．要素

1612．．．要素

1614．．．要素

1616．．．要素

1618．．．要素

1620．．．要素

1622．．．要素

1624．．．要素

1626．．．要素

1628．．．要素

1630．．．要素

1632．．．要素

1634．．．要素

1636．．．要素

1638．．．要素

1652．．．要素

1654．．．要素

1656．．．要素

1658．．．要素

1660．．．要素

1662．．．要素

1664．．．要素

1666．．．要素

1668．．．要素

1670．．．要素

1700．．．資料流

1702．．．平坦指形件位置

1704．．．照明狹縫均勻度

1706．．．平坦目標輪廓

1708．．．指形件衰減

1710．．．均勻度再新指形件定位演算法

1712．．．新指形件衰減值

1714．．．新指形件衰減值

1716．．．劑量偏移演算法

1720．．．平坦指形件位置

1722．．．照明狹縫均勻度

1724．．．平坦目標輪廓

1726．．．指形件衰減

1728．．．均勻度再新指形件定位演算法

1730．．．新指形件衰減值

1732．．．新指形件衰減值

1734．．．劑量偏移演算法

1738．．．輸入/非平坦目標

1740．．．處理程序/指形件定位演算法

1742．．．輸出/新指形件衰減值

1744．．．輸入

1746．．．處理程序/劑量偏移演算法

1748．．．輸出/新指形件衰減值

1750．．．處理程序

1752．．．平坦指形件位置/照明狹縫均勻度

1756．．．平坦目標輪廓

1758．．．指形件衰減

1760．．．均勻度再新指形件定位演算法

1762．．．新指形件衰減值

1764．．．新指形件衰減值

1766．．．劑量偏移演算法

1780．．．輸入/非平坦目標

1782．．．處理程序/指形件定位演算法

1784．．．輸出

1786．．．輸入

1788．．．處理程序/劑量偏移演算法

1790．．．輸出

1792．．．處理程序

1810．．．輸入集合/曲線

1815．．．輸入集合/值

1820．．．輸入集合/曲線

1825．．．輸入集合/值

1830．．．指形件定位演算法

1840．．．曲線

1850．．．函數/指形件

1860．．．控制信號

1900．．．電腦系統

1902．．．顯示介面

1904．．．處理器

1905．．．主記憶體

1906．．．通信基礎結構

1910．．．副記憶體

1912．．．硬碟驅動機/硬驅動機

1914．．．抽取式儲存驅動機

1918．．．抽取式儲存單元

1920．．．介面

1924．．．通信介面

1926．．．通信路徑

1928．．．通信路徑

1930．．．顯示器

AD．．．調整器

B．．．輻射光束

BD．．．光束傳送系統

C．．．目標部分

CO．．．聚光器

ES．．．能量感測器

FP1．．．場平面/焦平面

FP2．．．場平面

FP3．．．場平面

IF．．．位置感測器

IF1．．．位置感測器

IF2．．．位置感測器

IL．．．照明器/照明系統

IN．．．積光器

M1．．．光罩對準標記

M2．．．光罩對準標記

MA．．．光罩/圖案化器件

MS．．．量測感測器

MT．．．光罩台/支撐結構

O．．．光軸

P1．．．基板對準標記

P2．．．基板對準標記

PL．．．投影系統

PM．．．第一定位器

PS．．．投影系統

PW．．．第二定位器

SO．．．輻射源

UC．．．均勻度補償器

W．．．基板

WS．．．基板載物台狹縫感測器

WT．．．基板台

圖1描繪微影裝置。

圖2描繪另一微影裝置。

圖3A描繪均勻度修正系統。

圖3B描繪用於圖3A之均勻度修正系統中的指形件。

圖4A及圖4B展示使用如在圖2中所配置之均勻度修正系統的效應。

圖5進一步描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。

圖6A及圖6B展示使用如圖5所示的根據本發明之一實施例所配置之均勻度修正系統的效應。

圖7A描繪根據本發明之一實施例的均勻度修正系統。

圖7B描繪用於圖7A之均勻度修正系統中的例示性指形件。

圖8為說明根據本發明之一實施例的經執行以修正輻射光束之均勻度之步驟的流程圖。

圖9A及圖9B分別描繪具有均勻度補償器及關聯感測器之反射微影裝置及透射微影裝置。

圖10描繪實例極紫外線(EUV)微影裝置。

圖11展示關於照明光束狹縫之均勻度補償器之實例。

圖12展示照明光束狹縫之實例。

圖13展示用於均勻度再新之流程。

圖14描繪為均勻度再新與(視情況)離線校準之組合的一般化主流程。

圖15A說明根據本發明之一實施例的關於第一基板曝光序列之均勻度再新步驟。

圖15B說明根據本發明之一實施例的關於第二基板曝光序列及後續基板曝光序列之均勻度再新步驟。

圖16展示用於以平坦目標之依序均勻度再新之資料流的實例。

圖17展示用於以非平坦目標之依序均勻度再新之資料流。

圖18展示用以計算指形件位置之指形件定位演算法(FPA)。

圖19為實例電腦系統1900之說明，其中本發明之實施例或其部分可實施為電腦可讀程式碼。

根據上文在結合該等圖式進行考慮時所闡述之實施方式，本發明之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中，相似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，相似元件符號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。一元件第一次出現時之圖式係藉由對應元件符號中之最左邊數位進行指示。

32．．．指形件排

33．．．指形件排

708．．．指形件

710．．．間隙

Claims

一種微影裝置，其包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束，該照明系統包含一均勻度修正系統，該均勻度修正系統位於一平面處，該平面經組態以在藉由該輻射光束照明時接收一實質上恆定光瞳，該均勻度修正系統包括：指形件尖端(fingertips)，該等指形件尖端經組態成可移入及移出與一輻射光束之相交(intersection)，以便修正入射於該等指形件尖端上之該輻射光束之各別部分之一強度；及致動器件，該等致動器件經組態以移動該等指形件尖端中之個別指形件尖端，其中該等指形件尖端中之每一個別指形件尖端之一寬度為該等致動器件之每一者之一寬度的一半；一支撐結構，其經組態以固持一圖案化器件，該圖案化器件經組態以圖案化一輻射光束；一基板台，其經組態以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
如請求項1之微影裝置，其中經修正之輻射強度變化之一最小空間週期為該等指形件尖端中之每一者之該寬度的兩倍。
如請求項1之微影裝置，其中回應於該均勻度修正系統係緊接於或位於該照明系統之場平面，該等指形件尖端係配置於一相對於彼此連鎖之組態之對置排中。
如請求項3之微影裝置，其中該等對置排處於一單一平面中。
如請求項1之微影裝置，其中該等指形件尖端之每一者之該寬度為約2毫米，且經修正之輻射強度變化之一空間週期為約4毫米。
一種器件製造方法，其包含：將一輻射光束聚焦於一照明系統之一平面處，以便在該平面處形成一實質上恆定光瞳；調整在該平面處該輻射光束之強度，該調整包含藉由使用致動器件將位於該平面中之指形件尖端移入及移出該輻射光束之一路徑，其中該等指形件尖端中之每一者之一寬度為該等致動器件之每一者之一寬度的一半；將輻射光束之該光束引導至一圖案化器件上以圖案化該輻射光束；及將該經圖案化輻射光束投影至一基板上。
如請求項6之方法，其中經修正之輻射強度變化之一最小空間週期為該等指形件尖端中之每一者之該寬度的兩倍。
如請求項6之方法，其進一步包含回應於該均勻度修正系統係緊接於或位於該照明系統之場平面，將該等指形件尖端配置於對置排中，其中該等對置排係位於一相對於彼此連鎖之組態。
如請求項8之方法，其中該等對置排處於一單一平面中。
如請求項6之方法，其中該等指形件尖端中之每一者之該寬度為約2毫米，且經修正之輻射強度變化之一空間週期為約4毫米。
一種均勻度修正系統，其包含：指形件尖端，其經組態成可移入及移出與一照明系統之一輻射光束之相交，以便修正位於一平面處的該輻射光束之各別部分之一強度，該平面經組態以在藉由該輻射光束照明時接收一實質上恆定光瞳；及致動器件，其經組態以移動該等指形件尖端中之個別對應指形件尖端，其中該等指形件尖端中之每一個別指形件尖端之一寬度為該等致動器件之一寬度的一半。
如請求項11之系統，其中經修正之輻射強度變化之一最小空間週期為該等指形件尖端中之每一者之該寬度的兩倍。
如請求項11之系統，其中回應於該均勻度修正系統係緊接於或位於該照明系統之場平面，該等指形件尖端係配置於一相對於彼此連鎖之組態之對置排中。
如請求項13之系統，其中該等對置排處於一單一平面中。
如請求項11之系統，其中該等指形件尖端之每一者之該寬度為約2毫米，且經修正之輻射強度變化之一空間週期為約4毫米。
一種用於均勻度修正之方法，其包含：提供位於一平面處之指形件尖端，該平面在藉由一輻射光束照明時接收一實質上恆定光瞳；及提供耦接至該等指形件尖端中之對應指形件尖端的致動器件，其中該等指形件尖端中之每一者之一寬度為該等致動器件之每一者之一寬度的一半，；調整在該平面處該輻射光束之強度，該調整包含將位於該平面中之指形件尖端移入及移出該輻射光束之一路徑。
如請求項16之方法，其中經修正之輻射強度變化之一最小空間週期為該等指形件尖端中之每一者之該寬度的兩倍。
如請求項16之方法，其進一步包含回應於該均勻度修正系統係緊接於或位於該照明系統之場平面，將該等指形件尖端一起耦接於對置排中，其中該等對置排係位於一相對於彼此連鎖之組態。
如請求項18之方法，其中該等對置排係處於一單一平面中。
如請求項16之方法，其中該等指形件尖端中之每一者之該寬度為約2毫米，且經修正之輻射強度變化之一空間週期為約4毫米。