TWI415924B - 液晶介質 - Google Patents

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TWI415924B
TWI415924B TW095118020A TW95118020A TWI415924B TW I415924 B TWI415924 B TW I415924B TW 095118020 A TW095118020 A TW 095118020A TW 95118020 A TW95118020 A TW 95118020A TW I415924 B TWI415924 B TW I415924B
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Description

液晶介質
本發明係關於一種液晶介質，其係基於包含至少一種式I化合物之極性化合物的混合物， 其中R1 1 及R1 2 各彼此獨立地表示H、具有多達15個C原子之烷基或烯基，其係未經取代、由CN或CF3 單取代或至少由鹵素單取代，而且其中，此等基中之一或多個CH2 基團可被－O－、－S－、、－C≡C－、－CF2 O－、－OC－O－或－O－CO－以各O原子未彼此直接連接之方式置換。表示a)1,4－伸環己烯基或1,4－伸環己基，其中一個或兩個非鄰近CH2 基團係由－O－或－S－置換，b)1,4－伸苯基，其中一或兩個CH基團可由N置換，c)來自由哌啶－1,4－二基、1,4－雙環[2.2.2]辛烯、萘－2,6－二基、十氫萘－2,6－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基、菲－2,7－二基及茀－2,7－二基組成之群之基，其中基a)、b)及c)可由鹵素原子單取代或多取代，L1 － 6 各彼此獨立地表示H或F，附帶條件為L1 至L6 中至少兩個基表示F。
此類型介質尤其用於具有基於ECB效應之主動矩陣式定址之電光顯示器及用於IPS(共平面切換型)顯示器。根據本發明之介質較佳具有負介電各向異性。
電控雙折射率之原理、ECB(電控雙折射率)效應或DAP(排列相之變形)效應首次描述於1971年(M.F.Schieckel及K.Fahrenschon於Appl.Phys.Lett.19(1971)，3912中的"Deformation of nematic liquid crystals with vertical orientation in electrical fields")。接著為J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)及G.Labrunie及J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)的論文。
J.Robert及F.Clerc(SID 80 Digest Techn.Papers(1980),30)、J.Duchene(Displays 7(1986),3)及H.Schad(SID 82 Digest Techn.Papers(1982),244)的論文展示：為了適合用於基於ECB效應之高資訊顯示元件，液晶相必需具有彈性常數比率K3 /K1 之較高值、光學各向異性△n之較高值及－0.5之介電各向異性△ε之值。基於ECB效應之電光顯示元件具有垂直邊緣排列(VA技術＝垂直排列)。負介電性液晶介質亦可用於使用所謂的IPS效應之顯示器中。
此效應於電光顯示元件中之工業應用需要有必須滿足多重要求之LC相。此處尤其重要的是對潮氣、空氣及諸如熱、紅外線、可見光區及紫外線區輻射及直流與交流電場之物理影響之耐化學性。
此外，要求工業上可使用之LC相需具有處於適當溫度範圍及低黏度之液晶中間相。
迄今所揭示之具有液晶中間相之化合物系列皆沒有包括能滿足所有此等要求之單一化合物。因此為了獲得可用作LC相之物質，通常製備兩種至25種(較佳為三種至18種)化合物之混合物。然而，由於迄今沒有具有顯著負介電各向異性及足夠長期穩定性之液晶材料可用，故以此方式尚不可能容易地製備最佳相。
矩陣式液晶顯示器(MLC顯示器)係已知的。可用於個別像素之個別切換之非線性元件為(例如)主動元件(即，電晶體)。因而使用術語"主動矩陣"，其中在以下兩種類型之間可形成差別：1.位於作為基板之矽晶圓上之MOS(金屬氧化物半導體)電晶體。
2.位於作為基板之玻璃板上之薄膜電晶體(TFT)。在類型1之情況下，所使用之電光效應通常為動態散射或賓－主效應。以單晶矽作為基板材料會限制顯示器之尺寸，因為甚至不同部分顯示器之模組總成也會在接合處導致問題。
在較有前景之類型2(此為較佳類型)之情況下，所使用之電光效應通常為TN效應。
兩種技術之間形成之差別為：TFT包含化合物半導體，諸如CdSe或基於多晶矽或非晶矽之TFT。後一技術正在全世界大量使用。
TFT矩陣應用至顯示器之一個玻璃板之內側，而其他玻璃板載有位於其內側上之透明反電極。與像素電極尺寸相比而言，TFT極小且實際上對對影像沒有不良效應。此技術亦可延伸至能夠顯示全彩色之顯示器，其中紅色、綠色及藍色濾光片之鑲嵌以濾光片元件相對每一可切換像素之方式安置。
迄今揭示之TFT顯示器通常作為具有傳輸中之正交偏光器之TN單元操作且為背光的。
此處術語MLC顯示器包括具有整合非線性元件之任一矩陣式顯示器，即，除了主動矩陣外，亦具有諸如變阻器或二極體之被動元件之顯示器(MIM＝金屬－絕緣體－金屬)。
此類型之MLC顯示器尤其適用於TV應用(例如口袋式TV)或汽車或航空器構造中之高資訊顯示器。除了關於對比度及回應時間之角度相依性之問題之外，MLC顯示器亦因液晶混合物之非足夠高比電阻而出現問題[TOGASHI,S.,SEKIGUCHI,K.,TANABE,H.,YAMAMOTO,E.,SORIMACHI,K.,TAJIMA,E.,WATANABE,H.,SHIMIZU,H.,Proc.Eurodisplay 84，1984年9月：A 210－288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings,第141頁，巴黎；STROMER,M.,Proc.Eurodisplay 84,1984年9月：Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays，第145頁，巴黎]。隨著電阻降低，MLC顯示器之對比度退化。因為液晶混合物之比電阻通常因顯示器內表面之間之相互作用而於MLC顯示器之使用期限內下降，故高(初始)電阻對於必須在長操作時期內具有可接受電阻值的顯示器十分重要。
迄今揭示之MLC－TN顯示器之缺點係歸因於其相當低的對比度、相對高的視角相依性及在此等顯示器中產生灰色陰影之困難。
因而，繼續迫切需求具有極高比電阻同時寬操作溫度範圍、短回應時間及低臨限電壓(借此可產生各種灰色陰影)之MLC顯示器。
本發明目的為提供不但用於監視器及TV應用而且用於行動電話及導航系統之MLC顯示器，其係基於ECB或IPS效應且沒有(或僅較小程度上具有)上文所示之缺點，且同時具有極高的比電阻值。尤其是，必需確保用於亦在極高及極低溫度下工作的行動電話及導航系統。
令人驚訝的是，現已發現，若將包含至少一種式I化合物之向列液晶混合物用於此等顯示元件中，則可達成此目的。
因此本發明係關於一種基於包含至少一種式I化合物之極性化合物之混合物的液晶介質。
根據本發明之混合物展示具有清澈點85℃之極寬向列相範圍、電容臨限之極有利值、保持比率之相對較高值及同時於－30℃及－40℃時之極佳低溫穩定性，以及極低旋轉黏度。根據本發明之混合物進一步具有清澈點與旋轉黏度之良好比率，及高負介電各向異性。
下文展示根據本發明之混合物之一些較佳實施例。
a)式I化合物中之R1 1 及/或R1 2 較佳表示H、具有多達6個C原子之烷基、烯基或烷氧基；R1 1 及R1 2 尤其較佳表示烷基，其中烷基可相同或不同。
b)其中式I中R1 1 較佳具有以下含義的液晶介質：直鏈烷基、乙烯基、1E－烯基或3－烯基。
若R1 表示烯基，則較佳為CH2 ＝CH、CH3 －CH＝CH、C3 H7 －CH＝CH、CH2 ＝CH－C2 H5 或CH3 －CH＝CH－C2 H5 。
c)包含一、二、三、四或四種以上(較佳為一或兩種)式I化合物的液晶介質。
d)液晶介質，其中式I化合物於混合物中之總體比例至少為2重量%，較佳為4重量%，尤其較佳為2%至20%。
e)額外包含一或多種式IIA及/或IIB化合物之液晶介質，
其中R2 具有為R1 1 所示之含義，p表示1或2，及v表示1至6。
f)額外包含一或多種式III化合物之液晶介質，
其中R3 1 及R3 2 各彼此獨立地表示具有多達12個C原子之直鏈烷基、烯基、烷基烷氧基或烷氧基，且表示或。
g)液晶介質，其中式IIA及/或IIB化合物於混合物中之總體比例至少為20重量%。
h)液晶介質，其中式III化合物於混合物中之總體比例至少為5重量%。
i)液晶介質，其包含至少一種選自子式I1至I19之化合物。
尤其較佳之介質包含一或多種選自由下式化合物組成之群的化合物：
j)液晶介質，其額外包含一或多種選自式IIIa至IIIf之化合物：
其中烷基及烷基＊ 各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且烯基及烯基＊ 各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。
根據本發明之介質較佳包含至少一種式IIIa、式IIIb及/或式IIIe之化合物。
較佳之介質包含>20重量%之式IIIe化合物，較佳>30重量%，尤其>40重量%。
下文展示式IIIe及IIIf之尤其較佳之化合物：
k)液晶介質，其大體包含或由以下各物組成：2重量%至20重量%之一或多種式I化合物，及20重量%至80重量%之一或多種式IIA及/或IIB化合物。
l)額外包含一或多種以下式之四環化合物之液晶介質：
其中R7 及R8 各彼此獨立地具有請求項1中為R1 1 所示之含義之一種，且w及x各彼此獨立地表示1至6。
m)額外包含一或多種下式化合物之液晶介質：
其中R1 3 至R3 0 各彼此獨立地具有為R1 1 所示之含義，且z及m各彼此獨立地表示1至6，且n表示0、1、2或3。RE 表示H、CH3 、C2 H5 或n－C3 H7 。
n)額外包含一或多種下式化合物之液晶介質：
其較佳含量為>3重量%，尤其為5重量%且極其較佳為5重量%至25重量%。
其中R3 3 具有為R1 1 所示之含義且m表示1至6。
o)額外包含一或多種下式化合物之液晶介質：
其中R表示具有1或2至6個C原子之烷基、烯基、烷氧基、烷基烷氧基或烯氧基，且烯基具有上文所指示之含義。
p)額外包含一或多種下式化合物之液晶介質：
其含量較佳為>3重量%，尤其為5重量%且極其較佳為5重量%至25重量%。
其中R3 4 － 3 5 具有為R1 1 所示之含義且R3 6 表示CH3 、C2 H5 或n－C3 H7 且q表示1或2。
q)額外包含一或多種下式化合物之液晶介質：
其中RN 1 至RN 1 0 各彼此獨立地具有為R1 1 所示之含義且伸萘基化合物於混合物中之比例以混合物計為2重量%至40重量%。
本發明進一步係關於具有基於ECB效應之主動矩陣式定址之電光顯示器，特徵在於其含有如請求項1至9中任一項之液晶介質作為介電質。
液晶混合物較佳具有至少60K之向列相範圍及20℃時至多30 mm2 ．s－ 1 之流動黏度v2 0 。
根據本發明之液晶混合物具有約－0.5至－8.0(尤其約－3.0至－6.0)之△ε，其中△ε表示介電各向異性。旋轉黏度γ1 較佳<200 mPa．s(尤其<170 mPa．s)。
液晶混合物中之雙折射率△n通常介於0.07與0.16之間，較佳介於0.08與0.12之間。
根據本發明之混合物適用於所有VA－TFT應用，諸如VAN、MVA、(S)－PVA及ASV。其進一步適用於負△ε之IPS(共平面切換型)、FFS(邊緣場切換)及PALC應用。
根據本發明之顯示器中之向列液晶混合物通常包含兩種組份A及B，該等成份本身由一或多種個別化合物組成。
組份A具有顯著負介電各向異性且提供－0.5之介電各向異性之向列相。其較佳包含式I、IIA及/或IIB之化合物。
組份A之比例較佳介於45%與100%之間，尤其介於60%與100%之間。
對於組份A而言，較佳選擇具有－0.8之△ε之值的一種(或多種)個別化合物。此值必須愈負，混合物中之A之總體比例愈小。
組份B確定向列基原性(nematogeneity)且在20℃時流動黏度不大於30 mm2 ．s－ 1 ，較佳不大於25 mm2 ．s－ 1 。
組份B中之尤其較佳個別化合物為在20℃時流動黏度不大於18 mm2 ．s－ 1 (較佳不大於12 mm2 ．s－ 1 )之極低黏度向列液晶。
組份B為單變性或互變性向列，沒有近晶相且能夠防止液晶混合物中近晶相低至極低溫度之發生。舉例而言，若各種高向列基原性材料添加至近晶液晶混合物中，則經由達成之近晶相之抑制程度可比較此等材料之向列基原性。
熟習此項技術者自文獻已知多種適當材料。尤其較佳為式III化合物。
此外，此等液晶相亦可包含多於18種組份，較佳為18至25種組份。
此等相較佳包含4至15種(尤其5至12種)式I、IIA及/或IIB及視情況之式III化合物。
除式I、IIA及/或IIB及III之化合物外，其他成份亦可(例如)以混合物之多達45%(但較佳多達35%，尤其多達10%)之總量存在。
其他成份較佳係選自來自以下物質類別之向列或向列基原物質(尤其已知物質)：氧化偶氮苯、亞苄基苯胺、聯二苯、三聯苯、苯甲酸苯酯或苯甲酸環己酯、環己羧酸苯酯或環己羧酸環己酯、苯基環己烷、環己基聯二苯、環己基環己烷、環己基萘、1,4－雙環己基聯二苯或環己基嘧啶、苯基－或環己基二噁烷、視情況之鹵化芪、苄基苯基醚、二苯乙炔及經取代之肉桂酸酯。
適合作為此類型之液晶相之成份的最重要化合物具有下式IV：R9 －L－G－E－R1 0 IV其中L及E各表示來自由以下物質形成之群之碳環或雜環環系統：1,4－雙取代之苯及環己烷環、4,4'－雙取代之聯二苯、苯基環己烷及環己基環己烷系統、2,5－雙取代之嘧啶及1,3－二噁烷環、2,6－雙取代之萘、二氫及四氫萘、喹唑啉及四氫喹唑啉，G表示－CH＝CH－ －N(O)＝N－ －CH－CQ－ －CH＝N(O)－ －C≡C－ －CH2 －CH2 － －CO－O－ －CH2 －O－ －CO－S－ －CH2 －S－ －CH＝N－ －COO－Phe－COO－ －CF2 O－ －CF＝CF－ －OCF2 － －OCH2 － －(CH2 )4 － －(CH2 )3 O－或C－C單鍵，Q表示鹵素，較佳為氯，或－CN，且R9 及R1 0 各表示具有多達18個(較佳多達8個)碳原子之烷基、烯基、烷氧基、烷醯氧基或烷氧基羰氧基，或此等基之一者替代地表示CN、NC、NO2 、NCS、CF3 、OCF3 、F、Cl或Br。
此等化合物之多數中，R9 及R1 0 彼此不同，此等基之一者通常為烷基或烷氧基。所提出之取代基之其他變體亦為普通的。許多此等物質亦或其混合物商業可得。所有此等物質可藉由來自文獻之已知方法製備。
對於熟習此項技術者而言理所當然根據本發明之VA、IPS、FFS或PALC混合物亦可包含其中(例如)H、N、O、Cl及F已由對應同位素置換之化合物。
舉例而言，如EP－A 0 240 379中所描述，根據本發明之液晶顯示器之構造符合普通幾何學。
以下實例意欲解釋本發明而非對其進行限制。上文及下文中，百分比係以重量計之百分數；所有溫度係以攝氏度指示。
除式I化合物之外，根據本發明之混合物較佳包含一或多種下文所示之化合物。
使用以下縮寫：(n及m＝1－6；z＝1－6)
根據本發明可使用之液晶混合物係以本質上習知之方式製備。通常，有利地於高溫下將以較少量使用之所要量組份溶解於製成主要成份之組份中。亦可能在有機溶劑(例如，丙酮、氯仿或甲醇)中混合該等組份之溶液且(例如)在徹底混合之後再藉由蒸餾移除溶劑。
介電質亦可包含熟習此項技術者所已知及文獻中所描述之其它添加劑，諸如，UV吸收劑、抗氧化劑及自由基淨化劑。舉例而言，可添加0%至15%多色性染料、穩定劑或對掌性摻雜劑。
舉例而言，可添加0%至15%多色性染料，此外，為了改良導電性可添加導電鹽，較佳乙基二甲基十二烷基銨4－己氧基苯甲酸鹽、四苯基氫硼化四丁基銨或冠醚之錯鹽(參看，例如1973年，Haller等人之Mol.Cryst.Liq.Cryst.第24卷第249至258頁)或為了修改介電各向異性、黏度及/或向列相之排列可添加物質。此類型之物質描述於(例如)DE－A 22 09 127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430及28 53 728中。
表A展示可添加至根據本發明之混合物之可能摻雜劑。若混合物包含摻雜劑，則其係以0.01重量%至4重量%(較佳0.1重量%至1.0重量%)之量使用。
例如，下文表B展示可添加至根據本發明之混合物中之穩定劑。
表B (n＝1－12)
以下實例意欲解釋本發明而非對其進行限制。上文及下文中，Vo 表示20℃時之臨限電壓(電容性)[V]△n表示20℃及589 nm下量測之光學各向異性△ε表示20℃及1 kHz下之介電各向異性cp.表示清澈點[℃]γ1 表示20℃下量測之旋轉黏度[mPa.s]LTS表示測試單元中所判定之低溫穩定性(向列相)
用於臨限電壓量測之顯示器具有兩個間隔20 μm之平面平行外板及具有位於外板之內側上之SE－1211(Nissan化學品)覆蓋排列層之電極層，其影響液晶之垂直排列。
混合物實例
實例1 CY－3－O4 10.00% 清澈點[℃]：94.5 CY－5－O2 7.00% △n[589 nm,20℃]：0.1266 CCY－4－O2 6.00% εII[1 kHz,20℃]：3.6 CCY－3－O3 11.00% △ε[1 kHz,20℃]：－3.6 CPY－2－O2 9.00% K1[pN,20℃]：15.6 CPY－3－O2 9.00% K3[pN,20℃]：15.1 PYP－2－3 8.00% V0[V,20℃]：2.18 PYP－2－4 10.00% γ1[mPa．s,20℃]：176 CC－4－V 14.00% LTS單元[－40℃]：>1000 h CC－3－V1 7.00% CCH－34 5.00% CPYP－3－2 4.00%
實例2 CY－3－O4 10.00% 清澈點[℃]：95 CY－5－O2 5.00% △n[589 nm,20℃]：0.1269 CCY－4－O2 7.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.5 CCY－3－O3 10.00% △ε[1 kHz,20℃]：－3.5 CPY－2－O2 10.00% K1 [pN,20℃]：15.5 CPY－3－O2 9.00% K3 [pN,20℃]：14.6 PYP－2－3 8.00% V0 [V,20℃]：2.17 PYP－2－4 10.00% γ1 [mPa．s,20℃]：170 CC－4－V 16.00% LTS單元[－40℃]：>1000 h CC－3－V1 6.00% CCH－34 5.00% CPYP－2－2 4.00%
實例3 CY－3－O4 10.00% 清澈點[℃]：95.5 CY－5－O2 7.00% △n[589 nm,20℃]：0.1280 CCY－4－O2 6.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.6 CCY－3－O3 10.00% △ε[1 kHz,20℃]：－3.3 CPY－2－O2 9.00% K1 [pN,20℃]：12.5 CPY－3－O2 10.00% K3 [pN,20℃]：14.4 PYP－2－3 8.00% V0 [V,20℃]：2.21 PYP－2－4 10.00% γ1 [mPa．s,20℃]：179 CC－4－V 14.00% LTS單元[－40℃]：>1000 h CC－3－V1 7.00% CCH－34 5.00% CPYP－3－3 4.00%
實例4 CY－3－O4 10.00% 清澈點[℃]：95.5 CY－5－O2 7.00% △n[589 nm,20℃]：0.1277 CCY－4－O2 6.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.6 CCY－3－O3 11.00% △ε[1 kHz,20℃]：－3.6 CPY－2－O2 9.00% K1 [pN,20℃]：15.6 CPY－3－O2 9.00% K3 [pN,20℃]：15.3 PYP－2－3 9.00% V0 [V,20℃]：2.18 PYP－2－4 9.00% γ1 [mPa．s,20℃]：177 CC－4－V 14.00% LTS單元[－40℃]：>1000 h CC－3－V1 7.00% CCH－34 5.00% CPYP－3－2V 4.00%
實例5 CY－3－O4 8.00% 清澈點[℃]：96 CY－5－O2 7.00% △n[589 nm,20℃]：0.1276 CCY－4－O2 6.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.5 CCY－3－O3 10.00% △ε[1 kHz,20℃]：－3.5 CPY－2－O2 10.00% K1 [pN,20℃]：15.7 CPY－3－O2 9.00% K3 [pN,20℃]：14.8 PYP－2－3 8.00% V0 [V,20℃]：2.17 PYP－2－4 10.00% γ1 [mPa．s,20℃]：171 CC－4－V 15.00% LTS單元[－40℃]：>1000 h CC－3V1 8.00% CCH－34 5.00% CPYG－2－O2 4.00%
實例6 CY－3－O4 10.00% 清澈點[℃]：95.5 CY－5－O2 6.00% △n[589 nm,20℃]：0.1281CCY－4－O2 9.00% γ1 [mPa．s,20℃]：176 CCY－3－O3 10.00% LTS單元[－40℃]：>1000 h CPY－2－O2 9.00% CPY－3－O2 8.00% PYP－2－3 8.00% PYP－2－4 9.00% CC－4－V 14.00% CC－3－V1 8.00% CCH－34 5.00% PYGP－3－5 4.00%
實例7 CY－5－O2 6.00% 清澈點[℃]：95 CCY－3－O2 7.00% △n[589 nm,20℃]：0.1280 CPY－2－O2 10.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.9 CPY－3－O2 10.00% △ε[1 kHz,20℃]：－3.7 PYP－2－3 9.00% K1 [pN,20℃]：16.1 PYP－2－4 9.00% K3 [pN,20℃]：15.4 CC－4－V 18.00% V0 [V,20℃]：2.16 CC－3－V1 7.00% γ1 [mPa．s,20℃]：154 CCH－34 5.00% LTS單元[－40℃]：>1000 h CPYP－3－2 5.00% CK－3－F 7.00% CK－5－F 7.00%
實例8 CY－3－O2 4.00% 清澈點[℃]：95 CCY－3－O3 7.00% △n[589 nm,20℃]：0.1276 CPY－2－O2 10.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.9 CPY－3－O2 11.00% △ε[1 kHz,20℃]：－3.7 PYP－2－3 7.00% K1 [pN,20℃]：15.6 PYP－2－4 11.00% K3 [pN,20℃]：14.6 CC－4－V 18.00% V0 [V,20℃]：2.10 CC－3－V1 8.00% γ1 [mPa．s,20℃]：156 CCH－34 5.00% CPYG－2－O2 5.00% CK－3－F 7.00% CK－5－F 7.00%
實例9 CY－5－O2 7.00% 清澈點[℃]：95 CPY－2－O2 11.00% △n[589 nm,20℃]：0.1268 CPY－3－O2 10.00% εI I [1 kHz,20℃]：4.0 PYP－2－3 6.00% △ε[1 kHz,20℃]：－3.7 PYP－2－4 7.00% K1 [pN,20℃]：15.5 CC－4－V 17.00% K3 [pN,20℃]：15.2 CC－3－V1 9.00% V0 [V,20℃]：2.15 CCH－34 5.00% γ1 [mPa．s,20℃]：155 CPYP－3－2 5.00% LTS單元[－30℃]：>1000 hCPYP－2－1 5.00% CK－3－F 9.00% CK－5－F 9.00%
實例10 CY－3－O4 7.00% 清澈點[℃]：99 CY－5－O2 10.00% △n[589 nm,20℃]：0.0925 CY－5－O4 6.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.5 CCY－3－O2 9.00% △ε[1 khz,20℃]：－3.9 CCY－5－O2 5.00% K1 [pN,20℃]：16.9 CCY－3－O3 12.00% K3 [pN,20℃]：17.9 CCY－2－1 10.00% V0 [V,20℃]：2.26 CCY－3－1 10.00% LTS單元[－40℃]：>1000 h CCY－5－1 5.00% CC－5－V 18.00% CC－3－V1 3.00% CPYP－3－2 5.00%
實例11 CY－3－O4 7.00% 清澈點[℃]：99.5 CY－5－O2 10.00% △n[589 nm,20℃]：0.0838 CY－5－O4 6.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.5 CCY－3－O2 9.00% △ε[1 kHz,20℃]：－3.9 CCY－5－O2 5.00% K1 [pN,20℃]：16.8 CCY－3－O3 12.00% K3 [pN,20℃]：18.3 CCY－2－1 10.00% V0 [V,20℃]：2.29 CCY－3－1 10.00% LTS單元[－40℃]：>1000 h CCY－5－1 5.00% CC－5－V 18.00% CC－3－V1 3.00% CPYP－3－2V 5.00%
實例12 CY－3－O4 16.00% 清澈點[℃]：97 CY－5－O2 9.00% △n[589 nm,20℃]：0.1280 CCY－4－O2 8.00% εI I [1 kHz,20℃]：4.0 CCY－3－O3 11.00% △ε[1 kHz,20℃]：－5.1 CPY－2－O2 12.00% K1 [pN,20℃]：14.5 CPY－3－O2 12.00% K3 [pN,20℃]：15.3 PYP－2－3 5.00% V0 [V,20℃]：1.84 PYP－2－4 4.00% γ1 [mPa．s,20℃]：251 CC－4－V 16.00% LTS單元[－40℃]：>1000 h CPYG－2－O2 7.00%
實例13 CY－3－O4 18.00% 清澈點[℃]：96 CY－5－O2 10.00% △n[589 nm,20℃]：0.1275 CCY－4－O2 10.00% εI I [1 kHz,20℃]：4.0 CCY－3－O3 10.00% △ε[1 kHz,20℃]：－5.1 CPY－2－O2 11.00% K1 [pN,20℃]：14.4 CPY－3－O2 12.00% K3 [pN,20℃]：15.6 PYP－2－3 5.00% V0 [V,20℃]：1.84 PYP－2－4 4.00% γ1 [mPa．s,20℃]：253 CC－4－V 13.00% LTS單元[－40℃]：>1000 h CPYP－3－2 7.00%
實例14 CY－3－O4 20.00% 清澈點[℃]：96.5 CY－5－O2 12.00% △n[589 nm,20℃]：0.1303 CY－5－O4 7.00% εI I [1 kHz,20℃]：4.4 CCY－4－O2 12.00% △ε[1 kHz,20℃]：－7.1 CCY－3－O3 12.00% K1 [pN,20℃]：14.6 CCY－3－O2 2.00% K3 [pN,20℃]：16.9 CPY－2－O2 11.00% V0 [V,20℃]：1.63 CPY－3－O2 12.00% LTS單元[－40℃]：>1000 h PYP－2－3 6.00% CPYG－2－O2 6.00%
實例15 CY－3－O4 20.00% 清澈點[℃]：97.5 CY－5－O2 10.00% △n[589 nm,20℃]：0.1239 CY－5－O4 10.00% εI I [1 kHz,20℃]：4.3 CCY－4－O2 12.00% △ε[1 kHz,20℃]：－7.1 CCY－3－O3 12.00% K1 [pN,20℃]：14.7 CCY－3－O2 4.00% K3 [pN,20℃]：17.1 CPY－2－O2 12.00% V0 [V,20℃]：1.64 CPY－3－O2 12.00% PYP－2－3 2.00% CPYP－3－2 6.00%
實例16 CY－3－O2 3.00% 清澈點[℃]：104 CCY－3－O3 7.00% △n[589 nm,20℃]：0.1302 CCY－4－O2 3.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.9 CPY－2－O2 10.00% △ε[1 kHz,20℃]：－3.4 CPY－3－O2 10.00% K1 [pN,20℃]：13.8 PYP－2－3 8.00% K3 [pN,20℃]：15.3 PYP－2－4 9.00% V0 [V,20℃]：2.24 CC－4－V 14.00% γ1 [mPa．s,20℃]：175 CC－3－V1 7.00% LTS單元[－40℃]：>1000 h CCH－34 5.00% CCP－V－1 5.00% CPYP－3－2 5.00% CK－3－F 7.00% CK－5－F 7.00%
實例17 CY－3－O2 2.00% 清澈點[℃]：104.5 CCY－3－O3 7.00% △n[589 nm,20℃]：0.1306 CCY－4－O2 3.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.9 CPY－2－O2 10.00% △ε[1 kHz,20℃]：－3.7 CPY－3－O2 10.00% K1 [pN,20℃]：17.1 PYP－2－3 8.00% K3 [pN,20℃]：16.0 PYP－2－4 9.00% V0 [V,20℃]：2.19 CC－4－V 14.00% γ1 [mPa．s,20℃]：180 CC－3－V1 8.00% LTS單元[－30℃]：>1000 h CCH－34 5.00% CCP－V－1 5.00% CPYG－2－O2 5.00% CK－3－F 7.00% CK－5－F 7.00%
實例18 CY－5－O2 8.00% 清澈點[℃]：101 CY－3－O4 14.00% △n[589 nm,20℃]：0.1601 CCY－3－O3 7.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.8 CPY－2－O2 12.00% △ε[1 kHz,20℃]：－4.1 CPY－3－O2 12.00% K1 [pN,20℃]：16.3 BCH－32 7.00% K3 [pN,20℃]：16.6 CC－5－V 9.00% V0 [V,20℃]：2.13 PYP－2－4 14.00% γ1 [mPa．s,20℃]：283 PYP－2－3 12.00% LTS單元[－40℃]：>1000 h CPYP－3－2 5.00%
實例19 CY－5－O2 12.00% 清澈點[℃]：100 CY－3－O4 8.00% △n[589 nm,20℃]：0.1293 CCY－3－O3 11.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.7 CCY－4－O2 5.00% △ε[1 kHz,20℃]：－4.1 CPY－2－O2 12.00% K1 [pN,20℃]：16.8 CPY－3－O2 12.00% K3 [pN,20℃]：16.8 CC－5－V 12.00% V0 [V,20℃]：2.13 CC－3－V1 10.00% γ1 [mPa．s,20℃]：216 PYP－2－4 13.00% LTS單元[－30℃]：>1000 h CPYP－3－2 5.00%
實例20 CCY－3－O3 12.00% 清澈點[℃]：85 CCY－4－O2 10.00% △n[589 nm,20℃]：0.1589 CC－5－V 11.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.9 PYP－2－3 10.00% △ε[1 kHz,20℃]：－4.2 PYP－2－4 14.00% K1 [pN,20℃]：16.0 PY－3－O4 17.00% K3 [pN,20℃]：14.2 PY－5－O4 16.00% V0 [V,20℃]：1.95 CPYP－3－2 10.00% γ1 [mPa．s,20℃]：237 LTS單元[－40℃]：>1000h
實例21 CY－5－O2 11.00% 清澈點[℃]：96.5 CCY－3－O2 9.00% △n[589 nm,20℃]：0.1277 CPY－2－O2 8.00% εI I [1 kHz,20℃]：4.0 CPY－3－O2 8.00% △ε[1 kHz,20℃]：－4.0 PYP－2－3 9.00% K1 [pN,20℃]：16.6 PYP－2－4 9.00% K3 [pN,20℃]：16.2 CC－5－V 14.00% V0 [V,20℃]：2.12 CC－3－V1 8.00% γ1 [mPa．s,20℃]：172 CCH－34 5.00% LTS單元[－40℃]：>1000h CPYP－3－2 5.00% CK－3－F 7.00% CK－5－F 7.00%
實例22 CY－3－O2 3.00% 清澈點[℃]：104 CCY－3－O3 7.00% △n[589 nm,20℃]：0.1302 CCY－4－O2 3.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.9 CPY－2－O2 10.00% △ε[1 kHz,20℃]：－3.4 CPY－3－O2 10.00% K1 [pN,20℃]：13.8 PYP－2－3 8.00% K3 [pN,20℃]：15.3 PYP－2－4 9.00% V0 [V,20℃]：2.24 CC－4－V 14.00% γ1 [mPa．s,20℃]：175 CC－3－V1 7.00% LTS單元[－40℃]：>1000 h CCH－34 5.00% CCP－V－1 5.00% CPYP－3－2 5.00% CK－3－F 7.00% CK－5－F 7.00%
實例23 CY－3－O4 20.00% 清澈點[℃]：＋85.0 CY－5－O2 8.00% △n[589 nm,20℃]：＋0.1580 CPY－2－O2 12.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.9 CPY－3－O2 12.00% △ε[1 kHz,20℃]：－4.2 CC－3－V1 12.00% K1 [pN,20℃]：15.5 PYP－2－3 16.00% K3 [pN,20℃]：13.3 PYP－2－4 16.00% γ1 [mPa．s,20℃]：234 CPYP－3－2 4.00% V0 [V,20℃]：2.15
實例24 CY－3－O2 11.00% 清澈點[℃]：＋78.5 CCY－3－O2 3.00% △n[589 nm,20℃]：＋0.0793 CCY－3－O3 11.00% εI I [1 kHz,20℃]：3.8 CCY－4－O2 9.00% △ε[1 kHz,20℃]：－3.3 CC－5－V 20.00% K1 [pN,20℃]：14.0 CC－3－V1 12.00% K3 [pN,20℃]：15.6 CCOC－4－3 2.00% γ1 [mPa．s,20℃]：110 PCH－302 9.00% V0 [V,20℃]：2.29 CCH－303 5.00% CPYP－3－2 3.00% CK－4－F 5.00% CK－5－F 5.00% CK－3－F 5.00%
實例25 CY－3－O2 20.00% 清澈點[℃]：＋95.5 CY－5－O2 5.00% △n[589 nm,20℃]：＋0.1011 CCY－3－O2 12.00% εI I [1 kHz,20℃]：4.7 CCY－3－O3 12.00% △ε[1 kHz,20℃]：－7.4 CCY－4－O2 12.00% K1 [pN,20℃]：13.5 CCY－5－O2 3.00% K3 [pN,20℃]：17.2 CPY－2－O2 8.00% V0 [V,20℃]：278 CPYP－3－2 4.00% γ1 [mPa．s,20℃]：1.61 CC－4－V 9.00% CK－5－F 5.00% CK－3－F 5.00% CK－4－F 5.00%

Claims (9)

  1. 一種基於極性化合物之混合物之液晶介質，其特徵在於其包含至少一種式I化合物， 其中R11 及R12 各彼此獨立地表示H、具有多達15個C原子之烷基或烯基，其係未經取代、由CN或CF3 單取代或至少由鹵素單取代，而且其中，此等基中之一或多個CH2 基團可被-O-、-S-、，、-C≡C-、-CF2 O-、-OC-O-或-O-CO-以各O原子未彼此直接連接之方式置換，表示a)1,4-伸環己烯基或1,4-伸環己基，其中兩個或兩個以上非鄰近CH2 基團係由-O-或-S-置換，b)1,4-伸苯基，其中一個或兩個CH基團可由N置換，c)一來自由哌啶-1,4-二基、1,4-雙環[2.2.2]辛烯、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、菲-2,7-二基及茀-2,7-二基組成之群之基，其中該等基a)、b)及c)可由鹵素原子單取代 或多取代，及L1-6 各彼此獨立地表示H或F，附帶條件為L1 至L6 中至少兩個基為F，及額外地，一或多種式IIA及/或IIB之化合物， 其中R2 表示具有多達15個C原子之烷基或烯基，其係未經取代、由CN或CF3 單取代或至少由鹵素單取代，而且其中，此等基中之一或多個CH2 基團可各自被-O-、-S-、、-C≡C-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-以各O原子未彼此直接連接之方式置換，p 表示1或2，且v 表示1至6。
  2. 如請求項1之液晶介質，其特徵在於其額外包含一或多種式III之化合物， 其中 R31 及R32 各彼此獨立地表示具有多達12個C原子之直鏈烷基、烯基、烷基烷氧基或烷氧基，且表示或。
  3. 如請求項1或2之液晶介質，其特徵在於其包含一、二、三、四或四種以上式I化合物。
  4. 如請求項1或2之液晶介質，其特徵在於式I化合物於該混合物中之總體比例至少為2重量%。
  5. 如請求項1或2之液晶介質，其特徵在於式IIA及/或IIB化合物於該混合物中之比例至少為20重量%。
  6. 如請求項2之液晶介質，其特徵在於式III化合物於該混合物中之總體比例至少為3重量%。
  7. 如請求項1或2之液晶介質，其特徵在於其包含至少一種選自下式I1至I19之化合物： 其中R11 及R12 具有請求項1中所指示之含義。
  8. 如請求項1或2之液晶介質，其特徵在於其大體上由以下各物組成：2重量%至20重量%之一或多種式I化合物，及 20重量%至80重量%之一或多種式IIA及/或IIB化合物。
  9. 一種具有基於ECB、PALC、FFS或IPS效應之主動矩陣式定址之電光顯示器，其特徵在於其含有如請求項1至8中任一項之液晶介質作為介電質。
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