TWI415139B - 一種導電組成物及其形成方法 - Google Patents

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Description

一種導電組成物及其形成方法
本發明係有關於一種導電組成物，特別有關於一種於低製程溫度下形成之導電組成物及其製造方法。
軟性電子技術之特色為其選用的基材及材料需具可撓性，考慮軟性基板及各種軟性主被動元件可承受的製程溫度，以及快速化、低成本之製程需求，軟性電子材料需選用可於低溫下製作且可印刷的材料。
目前常見的可印刷材料為導電金屬油墨，其組成包含有機高分子、導電金屬粒子及玻璃，然而其為高溫燒結型導電塗層，且通常係用於以陶瓷為主的硬性基板。另外，傳統上使用低溫硬化型導電環氧樹脂作為軟性電子材料，其係以高分子為基底，添加片狀金屬導電顆粒而成，雖然可在小於200℃的低溫下製作，但是其導電度低、不具可銲性，且附著強度與導電度易於後製程之高溫下劣化。
對於導電金屬油墨之成型方式多半利用外加能量方式達到膜導電特性之需求，此能量來源多數利用熱能量源來進行金屬粒子燒結或使熱固性樹脂硬化來達到成膜導電。部份能量源會採取熱輻射方式來進行能量源傳遞作用，例如紅外線、遠紅外線或鹵素燈管，來進行熱輻射加熱。另有利用能量使分子或原子激發，或導致材料結構之能階改變產生能量等方式，例如微波加熱或雷射加熱等方式來達到加熱之效果。
在美國專利號US7026432中提及利用具金屬原子之高分子組成與單壁奈米碳管混合，形成高導電油墨。其所使用之高分子或高分子前驅物包含：聚芳醚(polyarylene ether)樹脂、聚碳酸酯(polycarbonate)之羰基(carbony)化合物、聚酯(polyester)高分子以及聚醯胺類高分子等。
在美國專利號US7062848中提及利用液態載體(liquid carrier)添加純化後之奈米結構體，形成可印刷材料，其奈米結構體於液態載體中具有高寬比為5：1。
在美國專利號US7060241中提及利用高分子與單壁奈米碳管或雙壁奈米碳管混合，形成透明的導電膜層，其中單壁奈米碳管或雙壁奈米碳管係利用小分子分散劑進行分散，而高分子則包含熱塑型樹脂、熱固型樹脂、彈性體(elastomers)及導電高分子。
在國際專利號WO2008/045109A2中提及利用奈米結構材料與高分子混合，形成電磁隔絕材料，其高分子為發泡聚苯乙烯(foamed polystyrene)，奈米結構材料為奈米碳管或其他奈米結構材料，其中添加輕微濃度之分散劑以分散奈米結構材料。
Bakes,E. L. O. & Tielens,A. G. G. M.等人於Astrophysical Journal,Part 1(ISSN 0004-637X),vol. 427,no. 2,p. 822-838文中提到奈米粒子間因量子效應會使得其之間具有部份奈米輻射熱傳輸現象(Radiative Heat Transfer,RHT)。
另外，H. R. Astorga等人於Optical Materials 27(2005)1228-1230中提及奈米結構材料例如奈米碳管具有高電傳導特性及熱傳導特性；Liyue Liu及Yafei Zhang等人於Sensors and Actuators A 116(2004)394-397中提及奈米碳管、奈米氧化鋅管等具有特定波長之吸收能力，可利用多壁型奈米碳管做為一種新的紅外光偵測材料。同時，奈米碳管具有電-光特性，亦為良好之電子及熱傳導體。
而N. R. Bieri,J. Chung等人於2003年,Applied Physics Letters,V82,No. 20,page 3529文中提到利用雷射光學方式可針對金奈米粒子(10-100nm)油墨進行燒結動作，藉由奈米粒子(5nm)對於大於0.6μm波長之光源吸收能力，有效降低金奈米粒子之燒結溫度，並得到良好之導電特性(1.4x10-7 Ωm)。以上敘述之期刊文獻與專利均使用單一能量源方式進行油墨燒付。
本發明係提供一種導電組成物，包括：主要導電材料；以及導電填充物，具能量傳導特性，分散於主要導電材料中，其中主要導電材料由複數個導電粒子所組成，且導電填充物能夠或用以傳遞一能量至該些導電粒子。
此外，本發明首次揭露一種導電組成物的形成方法，包括：提供主要導電材料；添加導電填充物與主要導電材料混合，形成混合物，其中導電填充物具有能量傳遞特性，能夠或用以傳遞能量至主要導電材料；以及將混合物塗佈於基材上，施加第一能量源，並輔助施加第二能量源，使主要導電材料燒付連結，形成具有電阻率小於10x10-3 Ω‧cm之導電組成物。
為了讓本發明之上述目的、特徵、及優點能更明顯易懂，以下配合所附圖式，作詳細說明如下：
由於以奈米導電粒子為主要導電材料所形成之導電組成物，其製程溫度取決於奈米導電粒子之大小所對應之融點溫度及其分散劑之去除溫度，而以前驅物還原方式所形成的主要導電材料，其製程溫度範圍係取決於前驅物之還原溫度。
大多數奈米粒子之融點與其分散劑裂解溫度、前驅物之熱裂解還原溫度多高於150℃以上，無法應用於低軟化溫度之軟性基板上。
因此，本發明係製造一導電組成物，其利用具有能量傳遞特性之導電填充物添加，藉由對於熱、光或能量波等能量之傳遞作用，有效地將能量傳遞至主要導電材料周圍，包括奈米導電粒子或其前驅物，使得主要導電材料之奈米導電粒子的局部溫度提高至其融點，或使得奈米粒子之分散劑的裂解能階改變而裂解，或使得主要導電材料之前驅物所還原的導電粒子局部溫度提高至其融點，進而得到具有導電特性之組成物，並且可有效降低主要導電材料之燒結溫度，使其可於較低背景溫度下形成導電組成物。
在本發明之實施例中，導電組成物包括主要導電材料，以及具能量傳遞特性之導電填充物，分散於導電材料中，其中主要導電材料可為導電粒子或以一前驅物還原之導電粒子，且導電填充物可傳遞一能量至導電粒子或該前驅物所還原之導電粒子。
主要導電材料可為導電粒子或以一前驅物還原之導電粒子，導電粒子的形狀包括球形、片狀、長柱狀或其他形狀，且導電粒子的成分包括銅、銀、金、鋁、鈦、鎳、錫、鐵、鉑、鈀或前述金屬之合金。前驅物可為有機金屬化合物，其化學結構為(RCOO)y M(y) ，其中R為直鏈或支鏈之Cn H2n+1 ，n為5～20之整數；M為金屬，其種類係包含選自銅、銀、金、鋁、鈦、鎳、錫、鐵、鉑、鈀所構成材料組群中之至少一種材料或其他可替代之材料；y為金屬之價數。
導電填充物可為奈米管、奈米線、奈米球或前述之組合，其中奈米管例如為奈米碳管、金屬奈米管或非金屬奈米管；奈米線例如為金屬奈米線；奈米球例如為奈米碳球、金屬奈米球。
上述之奈米碳管可為單壁奈米碳管或多壁奈米碳管。金屬奈米管、金屬奈米線以及金屬奈米球的成分其種類係包含選自鈦、錳、鋅、銅、銀、金、鐵、鎳、鈷、銦、鋁所構成材料組群中之至少一種材料或其他可替代之材料。非金屬奈米管及非金屬奈米球的成分可為氧化鈦、氧化錳、氧化鋅、氧化銀、氧化鐵、氧化鎳、氧化鈷、氧化銦、氧化鋁或其他金屬氧化物。
在本發明之一實施例中，導電組成物的形成方法係將主要導電材料或主要導電材料之前驅物溶解或分散於溶劑中，溶劑可為極性或非極性溶劑，例如為二甲苯(xylene)、甲苯(tolene)、松油醇(terpineol)或乙醇(ethanol)等。接著，再添加導電填充物，均勻混合形成混合物。請參閱第1圖，其係顯示本發明之一實施例，於導電組成物形成之前，主要導電材料14與導電填充物12混合之示意圖，其中主要導電材料14為奈米導電粒子，而導電填充物12則為奈米結構之導電材料，例如奈米碳管。其與主要導電材料14均勻混合。
另外，請參閱第2圖，其係顯示本發明之另一實施例，於導電組成物形成之前，主要導電材料之前驅物10與導電填充物12混合之示意圖，其中主要導電材料之前驅物10為有機金屬化合物，圖式中圓形代表金屬M，其係與有機官能基團RCOO(以直線表示)鍵結，而導電填充物12則為奈米結構之導電材料，例如奈米碳管，其與主要導電材料之前驅物10均勻混合。
將上述混合物塗佈於基材上，於第一能量源下，例如為90至150℃，其最佳第一能量源溫度範圍為100℃至130℃，最適當之溫度約為120℃，藉由一輔助烘烤系統施加能量(第二能量源)至上述混合物，此能量的形式可為熱、光、能量波或雷射。其中熱能量源可包含：傳導熱、對流熱或輻射熱等能量源；光能量源可包括：紫外光、近紅外光或遠紅外光能量源；能量波包含波長300MHz～300GHz的微波等；雷射能量源包含：氣態雷射、固態雷射或液態雷射等能量源，其中氣態雷射包含：準分子雷射、氬離子雷射、二氧化碳雷射或氫氟雷射等；固態雷射可包含：二極體雷射，且該二極體雷射的波長包括266nm、355nm、532nm或1064nm等。
此時，導電填充物可將能量傳遞至主要導電材料或由前驅物還原所形成之導電粒子，使其局部溫度提高至其融點；或者導電填充物可將能量傳遞至主要導電材料，降低主要導電材料奈米導電粒子之分散劑，如吡啶-三氮六環衍生物之分解能階，使其裂解能階降低，使得上述混合物在低製程溫度下，形成具高導電特性之金屬膜。
請參閱第3圖，其係顯示本發明一實施例之導電組成物100的平面示意圖，其係由前驅物10還原之導電粒子或導電粒子14燒結形成之主要導電材料16與導電填充物12均勻混合所組成。另外，請參閱第4圖，其係顯示本發明一實施例之導電組成物100的剖面示意圖，具有高導電特性之金屬膜100係形成於基底20上。
請參閱第5A圖，其係顯示本發明一實施例之導電組成物100的微結構500之平面示意圖，其係顯示經輔助烘烤系統燒結(第二能量源)後導電填充物12附近的主要導電材料16所呈現之微結構500。另外，請參閱第5B圖，其係顯示不具有導電填充物12之主要導電材料16經燒結反應後的微結構400之平面示意圖。由第5A圖與第5B圖之比較可得知，本發明一實施例之導電組成物100的微結構500較為緻密。
在一實施例中，上述輔助烘烤系統所提供之具有能量的光可為紫外光(波長190-380nm)、近紅外光(波長700-2000nm)、中紅外光(波長3000-5000nm)或遠紅外光(波長8000-14000nm)。在另一實施例中，輔助烘烤系統可提供能量波，其波長可為300MHz～300GHz的微波。在又另一實施例中，輔助烘烤系統可提供雷射，此雷射可為氣態雷射、固態雷射或液態雷射，其中氣態雷射例如為準分子雷射、氬離子雷射、二氧化碳雷射或氫氟化合物(HF)雷射；固態雷射例如為二極體雷射，其波長可為266nm、355nm、532nm或1064nm；液態雷射例如為染料雷射。
依據本發明之實施例，亦可使用二個或二個以上的能量源輔助烘烤燒付導電材料，形成一具有電阻率小於10x10-3 Ω‧cm之導電組成物。
以下列舉各實施例與比較例說明本發明之導電組成物的組成、製程條件以及導電特性：
【實施例1】
分別將39.8wt%有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於59.7wt%及二甲苯中(Xylene)，各混入0.5wt%多壁型奈米碳管(MWCNT)，經均勻混合後，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，簡稱PET)基板上，製作實施例1之導電膜層。其製程條件採熱製程，以120℃的背景溫度條件，輔以以遠紅外光照射進行燒結，所得到實施例1之導電膜層的掃瞄式電子顯微鏡照片如附件1所示。
【比較例1】
分別將39.8wt%有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於59.7wt%及二甲苯中(Xylene)，經均勻混合後，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，簡稱PET)基板上，製作比較例1之導電膜層。其製程條件採熱製程，以120℃的背景溫度條件，輔以遠紅外光照射進行燒結，所得到比較例1之導電膜層的掃瞄式電子顯微鏡照片如附件2所示。
【實施例2~3】
分別將39.8wt%及38.1wt%有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於59.7wt%及57.1wt%二甲苯中(Xylene)，各混入0.5wt%及4.8wt%多壁型奈米碳管(MWCNT)，經均勻混合後，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，簡稱PET)基板上，製作實施例2及3之導電膜層。其製程條件採熱製程，以130～150℃的背景溫度條件進行燒結，所得到實施例2及3之導電膜層的組成與片電阻值如表1所列。
【比較例2~3】
分別將40wt%及50wt%有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於60wt%及50wt%二甲苯(Xylene)中，採取旋轉刮刀塗佈製程，塗佈於PET基板上，製作比較例2及3之導電膜層。其製程條件採熱製程，以130～150℃的背景溫度條件進行燒結，所得到比較例2及3之導電膜層的組成、製程條件與片電阻值如表1所列。
由表1可得知，多壁型奈米碳管的添加可以使導電膜層之烘烤溫度降至1300 C，但過多奈米碳管的添加並不能得到較佳的導電特性。
【比較例4～7】
分別將40wt%及50wt%有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於二甲苯(xylene)中，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於PET基板上，製作比較例4～7之導電膜層。其製程條件的背景溫度為110～150℃，輔助以遠紅外光照射進行燒結，所得到比較例4～7之導電膜層的組成、製程條件與片電阻值如表2所列。
由表2可得知，遠紅外光照射的時間增加可提高導電膜層的導電率，並且背景溫度提高也可以提高導電膜層的導電率。
【實施例4～7】
分別將39.7～49.8wt%有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於甲苯中，各混入0.5～0.8wt%多壁型奈米碳管(MWCNT)，經均勻混合後，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於PET基板上，製作實施例4～7之導電膜層。其製程條件的背景溫度為110～150℃，輔助以遠紅外光照射進行燒結，所得到實施例4～7之導電膜層的組成、製程條件與片電阻值如表3所列。
由表3與表2的結果比較可得知，添加多壁型奈米碳管可以在較低的背景溫度下提高導電膜層的導電率，這表示多壁型奈米碳管可以有效地將遠紅外光照射所提供的能量傳遞至主要導電材料的前驅物有機酸銀，有效降低主要導電材料之前驅物的還原溫度。
【實施例8-9與比較例8-9之附著力測試】
利用百格測試ASTM D3330測試實施例8-9與比較例8-9之導電膜層對PET基材的附著力。
將50g有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於50g二甲苯中，混入0.5g多壁型奈米碳管，經均勻混合後，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於PET基板上，製作實施例8-9之導電膜層。實施例8之導電膜層的製程條件採背景溫度為120℃/燒結10分鐘，實施例9之導電膜層的製程條件採背景溫度為120℃/燒結10分鐘，輔以遠紅外光照射進行燒結。
比較例8-9之導電膜層的製作條件與實施例8-9相同，差別在於不添加多壁型奈米碳管，實施例8-9與比較例8-9之附著力測試如表4所列。
表4實施例8-9與比較例8-9之導電膜層的組成、製程條件及附著力測試結果
由表4的結果可得知，添加多壁型奈米碳管可以提高導電膜層對基板的附著力，並且輔以遠紅外光照射進行燒結可以進一步地提高導電膜層對基板的附著力。
【實施例10-11】
將50g有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於50g二甲苯中，分別混入0.1g及0.3g奈米碳球(粒徑範圍5-15nm，明鑫科技產品)，經均勻混合後，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於玻璃基板上，於背景溫度下輔助遠紅外光照射，製作實施例10-11之導電膜層。
【比較例10-11】
將50g有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於50g二甲苯中，混入0.1g及0.3g奈米碳球(粒徑範圍5-15nm)，經均勻混合後，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於玻璃基板上，直接以熱源烘烤，製作比較例10-11之導電膜層。
所得到實施例10-11與比較例10-11之導電膜層的組成、製程條件與片電阻值如表5所列。
由表5結果所示，添加奈米碳球可於較低背景溫度且具輔助能量下，得到良好之膜層導電特性。
【實施例12】
將50g有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於50g二甲苯中，混入0.1g非金屬奈米氧化鋅管，經均勻混合後，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於玻璃基板上，於背景溫度下輔助遠紅外光照射，製作實施例12之導電膜層。
【比較例12】
將50g有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於50g二甲苯中，混入0.1g非金屬奈米氧化鋅管，經均勻混合後，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於玻璃基板上，直接以熱源烘烤，製作比較例12之導電膜層。
所得到實施例12與比較例12之導電膜層的組成、製程條件與片電阻值如表6所列。
由表6結果所示，添加奈米氧化鋅管可於較低背景溫度且具輔助能量下，較無輔助能量條件下，得到良好之膜層導電特性。
【實施例13】
將40wt%有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於50wt%二甲苯中，混入10wt%奈米銅金屬粒子(30nm)，經均勻混合後，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於玻璃基板上，於背景溫度下輔助遠紅外光照射，製作實施例13之導電膜層。
【比較例13】
將40wt%有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於50wt%二甲苯中，混入10wt%s奈米銅金屬粒子(30nm)，經均勻混合後，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於玻璃基板上，直接以熱源烘烤，製作比較例13之導電膜層。
所得到實施例13與比較例13之導電膜層的組成、製程條件與片電阻值如表7所列。
由表7結果所示，添加奈米銅粒子可於較低背景溫度且具輔助能量下，較無輔助能量條件下，得到良好之膜層導電特性。
【實施例14】
將40wt%有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於50wt%二甲苯中，混入10wt%奈米銀金屬粒子(30nm)，經均勻混合後，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於玻璃基板上，於背景溫度下輔助遠紅外光照射，製作實施例14之導電膜層。
【比較例14】
將40wt%有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於50wt%二甲苯中，混入10wt%奈米銀金屬粒子(30nm)，經均勻混合後，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於玻璃基板上，直接以熱源烘烤，製作比較例14之導電膜層。
所得到實施例14與比較例14之導電膜層的組成、製程條件與片電阻值如表8所列。
由表8結果所示，添加奈米銀粒子可於較低背景溫度且具輔助能量下，較無輔助能量條件下，得到良好之膜層導電特性。
【實施例15】
將99.5wt%具有分散於酒精20wt%奈米銅粒子(30nm)之油墨混合0.5wt%奈米碳管，經均勻混合後，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於玻璃基板上，於背景溫度下輔助遠紅外光照射，製作實施例15之導電膜層。
【比較例15】
將99.5wt%具有分散於酒精20wt%奈米銅粒子(30nm)之油墨混合0.5wt%奈米碳管，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於玻璃基板上，直接以熱源烘烤，製作比較例15之導電膜層。
所得到實施例15與比較例15之導電膜層的組成、製程條件與片電阻值如表9所列。
由表9結果所示，以銅奈米粒子作為導電材料，添加奈米碳管作為導電填充物質，可於較低背景溫度且具輔助能量下，較無輔助能量條件下，得到良好之膜層導電特性。
【實施例16】
將99.5wt%具有分散於酒精20wt%奈米銀粒子(30nm)之油墨混合0.5wt%奈米碳管，經均勻混合後，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於玻璃基板上，於背景溫度下輔助遠紅外光照射，製作實施例16之導電膜層。
【比較例16】
將99.5wt%具有分散於酒精20wt%奈米銀粒子(30nm)之油墨混合0.5wt%奈米碳管，藉由旋轉塗佈製程，塗佈於玻璃基板上，直接以熱源烘烤，製作比較例16之導電膜層。
所得到實施例16與比較例16之導電膜層的組成、製程條件與片電阻值如表10所列。
由表10結果所示，以銀奈米粒子作為導電材料，添加奈米碳管作為導電填充物質，可於較低背景溫度且具輔助能量下，較無輔助能量條件下，得到良好之膜層導電特性。
【實施例17-20】
將85wt%粒徑1.5μm之銀金屬粒子與一膠體其具有將40wt%有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於60wt%二甲苯中混合再加入0~0.5wt%之奈米碳管，經均勻混合後，利用網版印刷製程，印製長215公分、寬0.8mm及厚度約20-40μm之螺旋線路於玻璃基板上，於背景溫度下輔助遠紅外光照射，所得之線路利用四點探針量測其螺旋線路之電阻值，並計算出其體電阻率。
【比較例17-20】
將85wt%粒徑1.5μm之銀金屬粒子與一膠體其具有將40wt%有機酸銀(C7 H15 COOAg)溶解於60wt%二甲苯中再混合加入0~0.5wt%之奈米碳管，經均勻混合後，利用網版印刷製程，印製長215公分、寬0.8mm及厚度約20-40μm之螺旋線路於玻璃基板上，直接以熱源烘烤，所得之線路利用四點探針量測其螺旋線路之電阻值，並計算出其體電阻率。
所得到實施例17-20與比較例17-20之導電膜層的組成、製程條件與體電阻率如表11所列。
由表11結果所示，導電油墨經由紅外線熱輔助烘烤後其實施例之體電阻率特性較比較例具有良好之特性。添加奈米碳管作為導電填充物質，於輔助烘烤條件下，可得較低之體電阻率特性。
雖然本發明已揭露較佳實施例如上，然其並非用以限定本發明，任何熟悉此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。
10‧‧‧主要導電材料之前驅物
12‧‧‧導電填充物
14‧‧‧奈米導電粒子
16‧‧‧主要導電材料
20‧‧‧基板
100‧‧‧導電組成物
400‧‧‧不具有導電填充物之導電組成物的微結構
500‧‧‧導電組成物之微結構
第1圖係顯示依據本發明之一實施例，於導電組成物形成之前，主要導電材料與導電填充物混合之示意圖。
第2圖係顯示依據本發明之另一實施例，於導電組成物形成之前，主要導電材料之前驅物與導電填充物混合之示意圖。
第3圖係顯示依據本發明一實施例之導電組成物的平面示意圖。
第4圖係顯示依據本發明一實施例之導電組成物的剖面示意圖。
第5A圖係顯示依據本發明一實施例之導電組成物的微結構示意圖。
第5B圖係顯示不具有導電填充物之導電組成物的微結構示意圖。
100．．．導電組成物
12．．．導電填充物
16．．．主要導電材料

Claims (32)

  1. 一種導電組成物，包括：一主要導電材料，佔67.8至99.5重量百分比；以及一導電填充物，佔0.5至32.2重量百分比，具能量傳導特性，分散於該主要導電材料中，其中該主要導電材料由複數個導電粒子所組成，且該導電填充物用以傳遞一能量至該些導電粒子，其中該能量係由一輔助施加的能量源所提供，且該輔助施加的能量源之形式包括熱、光、能量波或雷射，其中該能量波包括波長300MHz至300GHz的微波。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該導電粒子為一金屬導電粒子。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之導電組成物，其中該金屬導電粒子係選自於由銅、銀、金、鋁、鈦、鎳、錫、鐵、鉑以及鈀所組成之群組。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該導電粒子為一非金屬導電粒子。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之導電組成物，其中該非金屬導電粒子係選自於由導電氧化物、導電氮化物、導電摻雜氧化物以及導電混合氧化物所組成之群組。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之導電組成物，其中該導電氧化物係選自於由氧化銦(In2 O3 )、氧化錫(SnO2 )、氧化鋅(ZnO)以及氧化鎘(CdO)所組成之群組。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之導電組成物，其中該導電氮化物包括氮化鈦(TiN)。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之導電組成物，其中該導電摻雜氧化物係選自於由錫摻雜氧化銦(Sn：In2 O3 )、銦摻雜氧化鋅(In：ZnO)、鎘摻雜氧化鋅(Cd：ZnO)、鋁摻雜氧化鋅(Al：ZnO)、氟摻雜氧化錫(F：SnO2 )以及鉭摻雜氧化鈦(Ta：TiO2 )所組成之群組。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之導電組成物，其中該導電混合氧化物係選自於由氧化銦-氧化鋅混合物、鎘-氧化銦混合物(CdIn2 O4 )、鎘-氧化錫混合物(Cd2 SnO4 )以及鋅錫混合物(Zn2 SnO4 )所組成之群組。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該導電粒子的形狀包括球形或片狀，且其中該片狀導電粒子的高寬比小於或等於2。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該導電粒子包括由一前驅物還原而成，且該前驅物包括有機金屬化合物，其化學結構為(RCOO)y M(y) ，且其中R為直鏈或支鏈之Cn H2n+1 ，n為5~20之整數；M為金屬，其係選自於由銅、銀、金、鋁、鈦、鎳、錫、鋅、鎘、鐵、鉑以及鈀所組成之群組；y為金屬之價數。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該導電填充物係選自於由奈米管、奈米線以及奈米球所組成之群組。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之導電組成物，其中該奈米管係選自於由奈米碳管、金屬奈米管以及非金屬奈米管所組成之群組。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之導電組成物，其中 該奈米碳管係選自於由單壁奈米碳管以及多壁奈米碳管所組成之群組。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之導電組成物，其中該該金屬奈米管的成分係選自於由鈦、錳、鋅、銅、銀、金、錫、鐵、鎳、鈷、銦以及鋁所組成之群組。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之導電組成物，其中該非金屬奈米管的成分係選自於由氧化鈦、氧化錳、氧化鋅、氧化銀、氧化鐵、氧化錫、氧化銦以及氧化鎳所組成之群組。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之導電組成物，其中該奈米線係選自於由金屬奈米線以及非金屬奈米線所組成之群組。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之導電組成物，其中該該金屬奈米線的成分係選自於由鈦、錳、鋅、銅、銀、金、錫、鐵、鎳、鈷、銦以及鋁所組成之群組。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之導電組成物，其中該非金屬奈米線的成分係選自於由氧化鈦、氧化錳、氧化鋅、氧化銀、氧化鐵、氧化錫、氧化銦以及氧化鎳所組成之群組。
  20. 如申請專利範圍第12項所述之導電組成物，其中該奈米球係選自於由奈米碳球、金屬奈米球以及非金屬奈米球所組成之群組。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之導電組成物，其中該金屬奈米球的成分係選自於由鈦、錳、鋅、銅、銀、金、錫、鐵、鎳、鈷、銦以及鋁所組成之群組。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之導電組成物，其中該非金屬奈米球的成分係選自於由氧化鈦、氧化錳、氧化鋅、氧化銀、氧化鐵、氧化錫、氧化銦以及氧化鎳所組成之群組。
  23. 一種導電組成物的形成方法，包括：提供一主要導電材料；添加一導電填充物與該主要導電材料混合，形成一混合物，其中該導電填充物具有能量傳遞特性，用以傳遞一能量至該主要導電材料；以及將該混合物塗佈於一基材上，施加一第一能量源，並輔助施加一第二能量源，使該主要導電材料燒付連結，形成一具有電阻率小於10x10-3 Ω．cm之導電組成物。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之導電組成物的形成方法，其中該第一能量源具有一溫度範圍介於90℃至150℃之間。
  25. 如申請專利範圍第23項所述之導電組成物的形成方法，其中該第一能量源具有一溫度範圍介於100℃至130℃之間。
  26. 如申請專利範圍第23項所述之導電組成物的形成方法，其中該第一能量源具有一溫度約為120℃。
  27. 如申請專利範圍第23項所述之導電組成物的形成方法，其中該第一能量源與該第二能量源係選自於由熱、光、能量波以及雷射所組成之群組，並且該第一能量源與該第二能量源不同，其中該能量波包括波長300MHz至300GHz的微波。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之導電組成物的形成方法，其中該具有能量的光係選自於由紫外光、近紅外光、中紅外光以及遠紅外光所組成之群組。
  29. 如申請專利範圍第27項所述之導電組成物的形成方法，其中該雷射係選自於由氣態雷射、固態雷射以及液態雷射所組成之群組。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之導電組成物的形成方法，其中該氣態雷射係選自於由準分子雷射、氬離子雷射、二氧化碳雷射以及氫氟化合物(HF)雷射所組成之群組。
  31. 如申請專利範圍第29項所述之導電組成物的形成方法，其中該固態雷射包括二極體雷射，且該二極體雷射的波長包括266nm、355nm、532nm或1064nm。
  32. 如申請專利範圍第29項所述之導電組成物的形成方法，其中該液態雷射包括染料雷射。
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