TWI414096B - High power light emitting diode bracket - Google Patents

Description

高功率發光二極體支架

本發明為一種高功率發光二極體支架，特別是指一種用以承載複數發光晶片，且每一發光晶片得以獨立驅動之高功率發光二極體支架。

發光二極體之應用已相當成熟，從早期的Lamp形式之發光二極體，發展至最近的SMD形式之發光二極體。尤其現今在照明市場中，已漸漸由發光二極體來取代傳統燈泡，因為發光二極體具有耗電量小、體積小等優勢，因此發光二極體的應用已逐漸被重視。

惟，利用發光二極體來取代傳統燈泡，最需克服的問題在於發光二極體在運作上，會產生相當高的熱能，若是無法將這些熱能快速的導出，將會造成發光二極體的損壞。

因此，現今市面上已有高功率發光二極體的應用，所謂的高功率發光二極體主要就是在發光二極體中設置有一散熱塊，以將發光晶片設置在散熱塊上，使發光晶片所釋放出來之熱能得以透過散熱塊向外快速導出。

如第一圖所示，為一習知發光二極體支架之示意圖。如圖所示，該發光二極體支架係包含有一絕緣本體A、一散熱基座B以及複數導電支架C。其中，該散熱基座B與該複數導電支架C係設置於絕緣本體A中，且複數導電支架C係圍繞在散熱基座B之周圍，而該些複數導電支架C向絕緣本體A外側延伸形成有電性接腳D。

圖中，絕緣本體A的兩邊外側分別形成有三支電性接腳D，一側作為正極，另一側則作為負極，而散熱基座B上則設置有複數發光晶片E，使其複數發光晶片E與複數導電支架C進行電性連結。

惟，該等形式，當散熱基座B上承載有複數發光晶片E時，因為複數發光晶片E係同時與複數導電支架C進行電路連結，因此每一發光晶片E係無法分別的獨立驅動，僅能同時進行驅動。

此外，因為每一發光晶片E之正負極性不相同，因此在應用上無法將不同極性之發光晶片E承載在同一散熱基座B上，造成發光二極體在使用上之限制。

本發明之主要目的，在於提供一種可用以承載複數發光晶片，且每一發光晶片可於該發光二極體支架中獨立驅動者。

為達上述之目的，本發明之主要特徵在於包括有一絕緣本體，具有一上端表面以及一下端表面，且該上端表面上具有一下凹之功能區；至少三個散熱基座，分別設於該絕緣本體中且相互區隔，每一散熱基座具有一暴露於該功能區中之第一表面以及一暴露於該絕緣本體之下端表面之第二表面；以及至少三組導電組件，設於該絕緣本體內與該些散熱基座相鄰並相互區隔，每一組導電組件包含有兩導電支架，且該些導電支架與每一散熱基座相鄰之一端係部份暴露於該絕緣本體之功能區中，形成電性接點。

如是，該些散熱基座可分別用以獨立承載一發光晶片，且該些發光晶片可分別與一組導電組件電性連結，使每一發光晶片得以獨立驅動者。

以下將配合圖式及實施例來詳細說明本發明之實施方式，藉此對本發明如何應用技術手段來解決技術問題並達成技術功效的實現過程能充分理解並據以實施。

請參閱第二圖及第三圖所示，為本發明高功率發光二極體

一絕緣本體10，其具有一上端表面11以及一下端表面12，且該上端表面11之中央位置處具有一下凹之功能區13，且該功能區中形成有反射面14，該反射面14係具有一傾斜角度。

至少三個散熱基座20，每一散熱基座20係分別設於該絕緣本體10內並相互區隔，且每一散熱基座20具有一第一表面21以及一第二表面22，其第一表面21係暴露於該絕緣本體10之功能區13中，而第二表面22係暴露於絕緣本體10之下端表面12；在本實施例中，每一散熱基座20之第二表面22係與絕緣本體10之下端表面12共平面，在實際應用上，每一散熱基座20之第二表面22亦可低於絕緣本體10之下端表面12。

至少三組導電組件30，亦分別設於絕緣本體10中並與散熱基座20相鄰且相互區隔，而每一組導電組件30係由兩導電支架31所構成，每一導電支架31與散熱基座20相鄰之一端係部分暴露於絕緣本體10之功能區13中形成電性接點32，另一端則延伸至絕緣本體10之側邊形成電性接腳33，而每一電性接腳33之底部係形成一接觸面34。在本實施例中，每一接觸面34係與絕緣本體10之下端表面12共平面；但在實際應用上，每一接觸面34亦可低於絕緣本體10之下端表面12。

如是，每一個散熱基座20可分別用以獨立承載一發光晶片(圖式中未表示)，且每一發光晶片可分別與一組導電組件20進行電性連結，使每一發光晶片得以獨立驅動者。

請參閱第四圖所示，係為本發明承載RGB三色發光晶片之示意圖。如圖所示，本發明中之三個散熱基座20上係可分別獨立承載有一RGB三色之發光晶片40，由於每一個散熱基座20相鄰有一組導電組件30，且每一組導電組件30係由兩導電支架31所形成，故RGB三色之發光晶片40可分別獨立與每一組導電組件30中之兩導電支架31進行電性連結；在本實施例中，每一組導電組件30之兩導電支架31分別用以電性連接一正極以及一負極電源，使每一發光晶片40得以透過每一組導電組件30而獨立的被驅動。

如是，可將RGB三色之發光晶片40分別承載於每一個散熱基座20上，並透過每一個散熱基座20配合一組導電組件30達到RGB三色之發光晶片40獨立驅動之效果，以針對RGB三色之發光晶片之效能，供給不同之電源，使RGB三色之發光晶片40得以發揮最佳之效能運作。

請參閱第五圖所示，為本發明第二實施例之剖面示意圖。如圖所示，每一導電支架30與每一個散熱基座20相鄰之一端係暴露絕緣本體10之功能區13中，而與每一散熱基座20遠離之一端則可暴露於絕緣本體10之下端表面12形成有一接觸面34’。在本實施例中，每一接觸面34’係與絕緣本體10之下端表面12共平面；但在實際應用上，每一接觸面34’亦可略低於絕緣本體10之下端表面12。

請參閱第六圖所示，為本發明第三實施例之示意圖。如圖所示，本發明係包含有一絕緣本體10、四個散熱基座20以及四組導電組件30。其中，四個散熱基座20與四組導電組件30分別設於絕緣本體10中並相互區隔，且部分的暴露於絕緣本體10之功能區13中，其中四組導電組件30分別包含有兩導電支架31，每一導電支架31延伸至絕緣本體10外側形成有電性接腳33，其四個散熱基座20可分別獨立承載一發光晶片40，且每一電性接腳33可相互串聯或並聯。在本實施例中，每一發光晶片40係為相同極性之發光晶片40，因此在實際操作時，可將相鄰的兩組導電組件30之導電支架31以及相對的兩組導電組件30之導電支架31同時進行串聯與並聯，藉以亦可同時驅動每一發光晶片40。

雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

習知之元件符號

A．．．絕緣本體

B．．．散熱基座

C．．．導電支架

D．．．電性接腳

E．．．發光晶片

本發明之元件符號

10．．．絕緣本體

11．．．上端表面

12．．．下端表面

13．．．功能區

20．．．散熱基座

21．．．第一表面

22．．．第二表面

30．．．導電組件

31．．．導電支架

32．．．電性接點

33．．．電性接腳

34、34’．．．接觸面

40．．．發光晶片

第一圖為一習知發光二極體支架之示意圖

第二圖為本發明之示意圖。

第三圖為本發明之剖面示意圖。

第四圖為本發明承載RGB三色發光晶片之示意圖。

第五圖為本發明第二實施例之剖面示意圖。

第六圖為本發明第三實施例之示意圖。

20．．．散熱基座

30．．．導電組件

31．．．導電支架

40．．．發光晶片

Claims (10)

1. 一種高功率發光二極體支架，係包含有：一絕緣本體，具有一上端表面以及一下端表面，且該上端表面上具有一下凹之功能區；至少三個散熱基座，分別設於該絕緣本體中且相互區隔，並分別獨立承載一發光晶片，每一散熱基座具有一暴露於該功能區中之第一表面以及一暴露於該絕緣本體之下端表面之第二表面；以及至少三組導電組件，設於該絕緣本體內與該些散熱基座相鄰並相互區隔，每一組導電組件包含有兩導電支架，且該些導電支架與每一散熱基座相鄰之一端係部份暴露於該絕緣本體之功能區中，形成電性接點；其中，所述發光晶片分別獨立與每一組導電組件中之兩導電支架進行電性連結。
2. 如申請專利範圍第1項所述之高功率發光二極體支架，其中該功能區中更具有一反射面。
3. 如申請專利範圍第2項所述之高功率發光二極體支架，其中該反射面係具有一傾斜角度。
4. 如申請專利範圍第1項所述之高功率發光二極體支架，其中該些散熱基座之第二表面係與該絕緣本體之下端表面共平面。
5. 如申請專利範圍第1項所述之高功率發光二極體支架，其中 該些散熱基座之第二表面係低於該絕緣本體之下端表面。
6. 如申請專利範圍第1項所述之高功率發光二極體支架，其中該些導電支架遠離該絕緣基座之一端則延伸至絕緣本體之側邊形成一電性接腳，且該些電性接腳之底部形成有一接觸面。
7. 如申請專利範圍第6項所述之高功率發光二極體支架，其中該些電性接腳之接觸面係與該絕緣本體之下端表面共平面。
8. 如申請專利範圍第6項所述之高功率發光二極體支架，其中該些電性接腳之接觸面係低於該絕緣本體之下端表面。
9. 如申請專利範圍第1項所述之高功率發光二極體支架，其中該些導電支架與每一散熱基座遠離之一端係暴露於絕緣本體之下端表面，並形成有一接觸面。
10. 如申請專利範圍第9項所述之高功率發光二極體支架，其中該些接觸面係與該絕緣本體之下端表面共平面。