TWI412091B - 分配裝置及安裝系統 - Google Patents

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Terada Katsumi
takei Takashi
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Toray Eng Co Ltd
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Description

分配裝置及安裝系統
本發明是關於一種分配裝置及一種安裝系統。更明確地說，本發明係關於一種分配裝置，而當底部填充劑(underfill agent)被裝填入基座與晶片之間的間隙內時，其能以所需的形式裝填底部填充劑，而且，本發明是關於一種使用此分配裝置的安裝系統。
圖7顯示一個習知的安裝系統9。此安裝系統9具有一基座裝載器91、一晶片安裝裝置92、一分配裝置93、以及一基座卸載器94(日本專利申請案第2005－102746號)。此分配裝置93包含：一個用於儲存底部填充劑的儲存手段95、一個用於放置並固持基座K的台座96、一個用於將底部填充劑裝填入基座K與晶片C間之間隙內的分配器97、以及一個在儲存手段95與分配器98之間連接的管子98。
在這樣一種安裝系統9中，從基座裝載器91供應到晶片安裝裝置92的基座K，在被安裝上晶片C且藉由晶片安裝裝置92中所設置的黏接頭予以擠壓之後，便被送到分配裝置93。在分配裝置93中，底部填充劑藉由分配器97而被裝填到基座K與晶片C之間的間隙內，而且，藉由一硬化爐(未顯示)，使所裝填的底部填充劑在預定的溫度下硬化一段預定時間。藉此，可以增加基座K與晶片C之間的黏接強度，而且，兩者之間的電偶合部位可以對外界形成密封。被供應以底部填充劑的基座K，係在底部填充劑尚未完全硬化的情況下，依序從基座卸載器94中被取出。
在這樣一種習知的分配裝置93中，可能會產生一項缺點，就是，當底部填充劑從儲存手段95透過管子98而被供應到分配器97時，或者當底部填劑被裝填入基座K與晶片C之間的間隙內時，底部填充劑會在其內部含有氣泡。由於使用含有氣泡的底部填充劑，或者由於蒸發基座K所吸收的水氣，當底部填充劑硬化時，氣泡(氣體)仍殘存於底部填充劑中，因而會減低基座K與晶片C之間的黏接強度，或者，設置於基座K與晶片C的電極可能會產生氧化。
因此，本發明之目的是要提供一種分配裝置，其可以將不含氣泡的底部填充劑供應到基座上，而且，本發明亦提供一種使用此分配裝置的安裝系統。
為達成上述及其他目的，本發明之分配裝置，係用於將底部填充劑裝填入基座與晶片之間的間隙內，其包含：用於儲存底部填充劑的儲存手段；一容室，其被設置成容納將被裝填以底部填充劑的基座，且能夠被開啟/關閉；一分配器，其被設置在該容室內，且將儲存手段所引進的底部填充劑，排放到基座與晶片之間的間隙內；以及，第一壓力減少手段，用於在分配器排放底部填充劑之前，減少容室內的壓力於一預定的真空壓力。
此分配裝置可以進一步包含：一個連接於儲存手段與分配器之間的管子，以及，第二壓力減少手段，用於在將底部填充劑從儲存手段透過管子引進到分配器之前，將管子內的壓力減少於一預定真空壓力。此第二壓力減少手段可以與第一壓力減少手段分開設置，或者，第一與第二壓力減少手段可以被形成為一個相同的壓力減少手段。
而且，在本發明的分配裝置中，可以使用一種結構，其中，儲存手段包含第一儲存手段及第二儲存手段，而且，第一與第二儲存手段被設置成能夠選擇性地與分配器相通。
本發明的安裝系統，包含：一晶片安裝裝置，用於將晶片安裝在一基座上，且擠壓該晶片至該基座；一基座裝載器，用於將基座運送到晶片安裝裝置內；一個具有前述結構的分配裝置，以及，一基座卸載器，用於將分配裝置中之裝填有底部填充劑的基座，運送出分配裝置外。
在此安裝系統中，可以使用一種結構，其中，基座裝載器以及基座卸載器之每一者均具有一爐子，可以保溫(heat reserve)基座連同一基座卡匣；晶片安裝裝置及分配裝置之每一者均具有一台座，用於放置並固持基座於其上；而且，此台座具有一加熱器，用於將基座保溫在一預定的溫度。
在本發明的此種分配裝置及安裝系統中，由於，第一壓力減少手段在藉由分配器排出底部填充劑之前，可將容室內的壓力減少於一預定的真空壓力，所以，可以去除底部填充劑中所含的氣泡。因此，分配器可以將不含氣泡的底部填充劑供應到基座。於此，亦有一種用於裝填底部填充劑而無需使用分配器之方法，例如，網幕印刷法(screen printing method)。在網幕印刷法的情形中，在網幕掩罩的開口與基座上所設置的晶片之間，需要精確定位。然而，在網幕印刷法中，基座與晶片之間，由於基座的扭曲、熱變形或類似情形而產生位置偏移，而且，底部填充劑可能無法被供應到想要的位置上。為此，在本發明中，裝填手段被限定為分配器。因此，不同於使用網幕印刷法的情形，不會產生與網幕掩罩之開口與基座上所設置的晶片之間的位置偏移有關之問題，而且，可輕易並正確地將底部填充劑供應到想要的位置上。
而且，藉由設置第二壓力減少手段，因為，此第二壓力減少手段在底部填充劑從儲存手段被引進到分配器之前，可將連接儲存手段與分配器的管子中之壓力，減少於一預定的真空壓力，所以，可以在管子中不具有空氣的情形下，使管子之內側裝滿底部填充劑，結果，可以防止底部填充劑含有氣泡。
而且，藉由設置第一及第二儲存手段作為儲存手段，而其可以被選擇性地與分配器相通，即使在第一儲存手段中的底部填充劑中已經用完，仍可以連續地供應第二儲存手段中的底部填充劑。因此，對於補充底部填充劑來說，不會有時間上的損耗。
而且，實質上在整個包括有一連串步驟的安裝過程中，藉由，對基座裝載器與基座卸載器之每一者設置能夠保溫基座連同基座卡匣的爐子，且對晶片安裝裝置及分配裝置之每一者設置一加熱器，基座可以被保溫於一預定的溫度，因此，可以抑制基座吸收水氣、或者基座因急速的溫度變化而產生變形。
藉由參考附圖，從以下本發明最佳實施例的詳細說明中，將可以更加清楚了解本發明的其他目的、特色與優點。
以下將參考附圖，說明本發明的實施例。然而，這些附圖僅作為範例之用，並非用於侷限於本發明。
圖1顯示本發明實施例之一種具有一分配裝置的安裝系統，圖2顯示圖1所示分配裝置之放大立面圖，而圖3則顯示圖2所示分配裝置之局部放大立面圖。在這些個別的圖式中，使用X、Y、Z的直角座標系統，橫向方向稱之為X軸方向，垂直於紙張表面的方向稱之為Y軸方向，垂直方向則稱之為Z軸方向，而繞著Z軸的旋轉方向則稱之為θ方向。
如圖1所示，安裝系統1具有以下結構，其中，依序設置有一基座裝載器2、一晶片安裝裝置3、一分配裝置4、以及一基座卸載器8。雖然未顯示，但是，從基座裝載器2以至於基座卸載器8的一部分上，設有一個基座攜運手段，用以沿著攜運路徑L而攜運基座K。此基座攜運手段係例如由一機器人所構成，用以固持基座K，且具有一個可伸長臂或一個具有滾輪的軌道構件，被建構成為能夠攜運基座K。
基座裝載器2是一個用於依序將基座K供應到晶片安裝裝置3上的裝置，且其具有一爐子22，用於保溫基座K連同一個可容納多數基座K的基座卡匣21，而且，還具有一個供基座K待用的待用台座23。在待用台座23上，嵌入一加熱器(未顯示)，用於保溫基座K。
晶片安裝裝置3是一個用於將晶片C安裝至由基座裝載器2所供應的基座K上的裝置，而且，它具有：一可移動台座31，用於將基座K固定在一預定的位置，且可以在個別的X、Y與θ方向上移動；一晶片堆存器32，可用於將欲安裝的晶片C以晶片C之凸塊(bump)形成表面朝上之情形下堆存起來；一晶片翻轉部33，其藉由真空吸引將晶片C從晶片堆存器32取出，然後翻轉晶片C而使其凸塊形成表面朝下；一個雙鏡頭式攝影機34，其可以同時收取位於上方位置的晶片C及位於下方位置的基座K之位置資訊；以及，一黏接頭35，用於藉由真空吸引以固持住由晶片翻轉部33所翻轉的晶片C之非凸塊(non－bump)形成表面，且將晶片C安裝到基座K上並予以擠壓。在可移動台座31中，嵌入一加熱器(未顯示)，用於加熱並保溫基座K。
分配裝置4是一個用於將底部填充劑裝填入基座K與晶片C之間的間隙的裝置，而且，如圖2所示，分配裝置4具有：一前容室51，其可以藉由關閉第一閘門41及第二閘門42而在密封狀態下被關閉；一主要容室52，其可以藉由關閉第二閘門42與第三閘門43而在密封狀態下被關閉；以及，一後容室53，其可以藉由關閉第三閘門43及第四閘門44而在密閉狀態下被關閉。
前容室51具有第一釋放閥45，且經由一管子及第一開/關閥61而被連結到真空泵46。在前容室51中，設置一個待用台座511，用以使安裝有晶片C且被裝填以底部填充劑的基座K等候待用。在待用台座511中，嵌入一加熱器(未顯示)，以保溫基座K。
主要容室52具有第二釋放閥47，且經由一管子及第二開/關閥62而被連結到真空泵46。在主要容室52內，設有：一可移動台座71(被嵌入有一加熱器)，用於固持住將被裝填底部填充劑的基座K(也就是，被安裝有晶片C的基座K)，且能夠在個別的方向X、Y與θ上被驅動；一攝影機72，其能夠獲得基座K之位置資訊；以及，一分配器73，其具有一個用以排放底部填充劑的排放噴嘴，且能夠在Z方向上被驅動。分配器73經由一管子68及一個三向閥65而被連接到第一儲存手段66及第二儲存手段67。第一儲存手段66及第二儲存手段67被建構成為例如注射器容器，其分別能夠儲存預定量的底部填充劑。而且，分配器73係經由一止回閥69及第四開/關閥64而被連接到真空泵46。
三向閥65可以在以下的A模式與B模式之間進行切換。也就是說，如圖3所示，在A模式中，只有第一儲存手段66與分配器73相通。在B模式中，只有第二儲存手段67與分配裝置73相通。在C模式中，第一儲存手段66與分配器73之間、第二儲存手段67與分配器73之間、以及第一儲存手段66與第二儲存手段67之間，均未相通。
後容室53具有第三釋放閥48，且經由一管子及第三開/關閥63而被連結到真空泵46。在後容室53中，設有一待用台座531，用以使被裝填以底部填充劑的基座K等候待用。在待用台座531中，嵌入有一加熱器(未顯示)，以保溫基座K。
在上述安裝系統1中的個別元件之間，將被操作或驅動的開/關閥等，係藉由一控制器(未顯示)加以控制。
接著，參考圖4到6，說明具有此種結構的安裝系統之操作。圖4顯示用於供應底部填充劑至分配器的操作之流程圖，而圖5與圖6則顯示用以將底部填充劑裝填到基座的操作之流程圖。
在此，將根據分配裝置4的起初條件如下之假設而說明其操作。也就是說，第一閘門41、第二閘門42、第三閘門43、以及第四閘門44係被關閉。第一及第三開/關閥61與63兩者均為關閉，而第二開/關閥62為開啟。第一與第三釋放閥45與48兩者均為開啟，而第二釋放閥47則為關閉。因此，前容室51及後容室53均處於大氣壓力，而主要容室52則是被控制在大約20到10000Pa的預定真空壓力(在圖5中步驟S12之條件「是」)。而且，在第一與第二儲存手段66與67之每一者中，儲存有足量的底部填充劑，三向閥65被控制在C模式，而第四開/關閥64則被關閉。
首先，如圖4所示，在安裝操作之前，在分配裝置4中實施一個用於將底部填充劑供應到分配器73的操作。因為三向閥是處於C模式，所以，管子68之內側被控制在一個關閉及密封的狀態下(步驟S1)。因此，分配器73並未與第一及第二儲存手段66、67相通，且底部填充劑並未被引入到分配器73內。在此情形下，第四開/關閥64是被打開的(步驟S2)，且管子68之內側被減低壓力(步驟S3)。當主要容室52中的壓力被減化到一預定的真空壓力或以下時(在步驟S4為「是」)，則關閉第四開/關閥64(步驟S5)。
接著，在確認第一儲存手段66中存在有足量的底部填充劑之後(在步驟S6為「是」)，三向閥65被切換至A模式(步驟S7)。在A模式中，因為第一儲存手段66與分配器73彼此相通，所以，在第一儲存手段66中所儲存的底部填充劑會透過管子68而被傳送到分配器73。因為管子68之內側被維持在一真空壓力，所以，它能防止被運送到分配器73的底部填充劑在管中68含入氣泡。在此，於第一儲存手段66未存有足量的底部填充劑之情形下(在步驟S6為「否」)，三向閥65被切換至B模式，且從第二儲存手段67供應底部填充劑(步驟S8)。
其次，實施安裝操作。堆存在基座卡匣21中的各個基座K係在爐子22中被控制在固定溫度下。基座攜運手段將堆存於基座卡匣21中的各個基座K一個接著一個透過待用台座23，而供應到晶片安裝裝置3。
在晶片安裝裝置3中，晶片翻轉部33在X、Y與Z方向上被驅動，而且，藉由以真空吸引晶片C之凸塊形成表面，而從堆存有晶片C的晶片堆存器32中取出晶片C。之後，藉由繞著一水平軸J1旋轉晶片翻轉部33，而翻轉晶片C，使凸塊形成表面朝向下。黏接頭35在X、Y及Z方向上被驅動，且藉由以真空吸引晶片C，而從晶片翻轉部33取出被翻轉過的晶片C。然後，雙鏡頭式攝影機34讀取晶片C及基座K之位置，而且，根據所讀取的資訊，可移動台座31在X、Y及θ方向上被移動，藉此定位於晶片C與基座K之間(對齊)。之後，黏接頭35在Z方向被朝下驅動，且，黏接頭35將由真空吸引所固持的晶片C，安裝到基座K上的適當安裝位置，然後加熱並擠壓晶片C。
在晶片安裝裝置3中，安裝有晶片C的基座K被攜運至前容室51中，其過程如下。也就是說，如圖5與6所示，在分配裝置4中，在確認主要容室52被控制在一預定的壓力減少狀態之後(步驟S11與S12)，打開前容室51之第一閘門41(步驟S13)，且，基座K藉由基座攜運手段而被攜運至前容室51中，且被放置並固持在待用台座511上(步驟S14)。在基座K被攜運至前容室內51之後，關閉第一閘門41(步驟S15)，之後，打開第一開/關閥61，而減少前容室51中之壓力(步驟S16)。當前容室51中的壓力到達大約20到10000Pa的真空壓力時(在步驟S17為「是」)，第一開/關閥61會被關閉，而第二閘門42被打開(步驟S18)，而且，基座K藉由基座攜運手段而被攜運到主要容室52內，且被放置並固持在可移動台座71上(步驟S19)。在基座K被攜運到主要容室52內之後，關閉第二閘門42(步驟S20)。
之後，底部填充劑的裝填操作實施如下(步驟S21)。也就是說，基座K上的晶片位置係由攝影機72所讀取，且根據此晶片位置，藉由在個別的X、Y及θ方向上驅動可移動台座71，以實施對齊操作，致使，分配器73可以將底部填充劑裝填到最佳的裝填位置。在此對齊操作之後，分配器73在Z方向上被驅動朝下，其噴嘴排放出底部填充劑，且使底部填充劑被裝填到基座K與晶片C之間的間隙內。當裝填操作完成時，分配器73會在Z方向上朝上返回其起初位置。
在分配裝置4中，實施對齊操作，致使，分配器73可以根據攝影機72所讀取的基座K上之晶片位置，將底部填充劑裝填到最佳的裝填位置。因此，不同於使用網幕印刷法的情形，在此不會有網幕掩罩的開口與基座K上的晶片C之間產生位置移動的問題，底部填充劑可以被供應到想要的位置上。而且，作為基座K上的晶片C之位置資訊，將被裝填的位置可以根據晶片安裝裝置3之雙鏡頭式攝影機34所讀取的位置資訊。在此情形中，不需要在分配裝置4中實施對齊操作，且可以縮短對齊所需要的時間。
因此，在分配裝置4中，在將底部填充劑從儲存手段66引進到分配器73之前，由於在連接儲存手段66與分配器73之間的管子68內側之壓力已經被真空泵46減低(步驟S7、步驟S3)，所以，可以在管子68內不存在有停滯空氣的情形下，將管子68之內側填充以底部填充劑，結果，可以防止底部填充劑含有氣泡。而且，由於，在分配器73實施底部填充劑的排放操作之前，真空泵46已減低主要容室52內側的壓力(步驟S21、步驟S16、步驟S17)，所以，即使氣泡存在於底部填充劑內，它們也會被移除。因此，分配器73可以供應不含有氣泡的底部填充劑到基座K上。
在主要容室52內，在底部填充劑被裝填到基座K的期間，首先，開啟第一釋放閥45，而前容室51則返回到大氣壓力的狀態(步驟S22)，之後，開啟第一閘門41，且將下一個新的基座K攜運到前容室51內。而且，開啟第三開/關閥63，而減少後容室53中之壓力(步驟S23)。
當裝填操作完成而且後容室53中的壓力達到大約20到10000Pa時(在步驟S24為「是」)，關閉第三開/關閥63，且開啟第三閘門43(步驟S25)，並且，被裝填有底部填充劑的基座K，係藉由基座攜運手段而被攜運到後容室53內，且被放置並固持在待用台座531上(步驟S26)。在基座K被攜運到後容室53內之後，關閉第三閘門43(步驟S27)。之後，基座K被留在後容室53內，處於在真空狀態下持續一段預定時間。藉由如此，可以加速底部填充劑穿透到基座K與晶片C之間的間隙，且可縮短穿透所需的時間。當預定的時間終了之後(在步驟S28為「是」)，開啟第三釋放閥48，且使後容室53返回到大氣壓力的狀態下(步驟S29)。接著，開啟第四閘門44(步驟S30)，且將基座K攜運出來(步驟S31)。
在第三閘門43被關閉之後，開啟第一閘門41，且將一個新的基座K引進前容室51內，而且，類似於上述方式，重複著將底部填充劑裝填到新的基座K之操作(步驟S32)。也就是，實施以下的操作：在底部填充劑的裝填操作期間，從晶片安裝裝置3將基座K攜運到前容室51內的操作；藉由後容室53中的壓力減少，使底部填充劑穿透到基座K內的處理；以及，將基座K攜運至基座卸載器8的操作。因此，由於，主要容室52被維持在關閉狀態，而且，即使在基座K從外界攜入或攜運至外界的期間，內部的壓力仍被維持在真空壓力，所以，當基座K被攜運到主要容室52內、且從主要容室52被攜出時，在任何時候均不需要使主要容室52中的壓力返回到大氣壓力。因此，可以增進接觸時間。
在上述安裝操作中，爐子22與82之加熱器、待用台座23、511與533、以及可移動台座31與71，均受到控制，使得基座K能被保溫在80到120℃。藉由如此，實質在整個具有一連串步驟的安裝過程上，基座K均被保溫在一預定的溫度，因此，可以抑制基座K吸收水氣、或者抑制由於急速溫度變化所導致的變形。
在上述實施例中，雖然，分配裝置4是一種所謂的負載閉鎖式結構(load－lock)，其中能夠減少壓力的前、後容室51及53係被設置在主要容室52之前與之後，但是，也可以形成僅具有一個主要容室的分配裝置。在這樣的情形中，由於不需要設置前容室51及後容室53，所以，能減少裝置成本。而且，也可以設置主要容室52與後容室53，而不設置前容室51。在此情形中，也可以縮短上述穿透所需的時間。
而且，除了三向閥65，也可以對第一儲存手段66與第二儲存手段67之每一者設置一個開/關閥。在此情形中，可以執行以下操作：首先，開啟第四開/關閥64，在管子68被減少壓力之後，打開用於取代三向閥65而設置的兩個開/關閥，而將底部填充劑裝填於管子68內，之後，關閉此二個開/關閥中的任何一者，並供應底部填充劑。藉由這樣的方式，可以防止第一儲存手段66與第二儲存手段67之間的管子中出現的空氣被含入其中。
而且，也可採用一種結構，其中，設有與真空泵46不同的另一個真空泵，用以增加第一儲存手段66與第二儲存手段67的真空程度，而且，在供應底部填充劑之前，可以防止空氣混入底部填充劑內。
雖然已經藉由上述實施例來說明本發明，但本發明的範圍並未侷限於此。要知道的是，對於熟知此項技術者來說，在不背離本發明的範圍之前提下，仍可以產生出許多不同的修改。因此，上述的實施例僅作為範例之用。要了解的是，本發明的範圍並不侷限於此，而應由隨附的申請專利範圍來界定。
1．．．安裝系統
2．．．基座裝載器
3．．．晶片安裝裝置
4．．．分配裝置
8．．．基座卸載器
9．．．安裝系統
21．．．基座卡匣
22．．．爐子
23．．．待用台座
31．．．(可移動)台座
32．．．晶片堆存器
33．．．晶片翻轉部
34．．．雙鏡頭式攝影機
35．．．黏接頭
41．．．(第一)閘門
42．．．(第二)閘門
43．．．(第三)閘門
44．．．(第四)閘門
45．．．(第一)釋放閥
46．．．真空泵(第一壓力減少手段、第二壓力減少手段)
47．．．(第二)釋放閥
48．．．(第三)釋放閥
51．．．(前)容室
52．．．(主要)容室
53．．．(後)容室
61．．．(第一)開/關閥
62．．．(第二)開/關閥
63．．．(第三)開/關閥
64．．．(第四)開/關閥
65．．．三向閥
66．．．(第一)儲存手段
67．．．(第二)儲存手段
68．．．管子
69．．．止回閥
71．．．(可移動)台座
72．．．攝影機
73．．．分配器
81．．．基座卡匣
82．．．爐子
91．．．基座裝載器
92．．．晶片安裝裝置
93．．．分配裝置
94．．．基座卸載器
95．．．儲存手段
96．．．台座
97．．．分配器
98．．．管子
511．．．待用台座
531．．．待用台座
C．．．晶片
J1．．．水平軸
K．．．基座
L．．．攜運路徑
圖1是本發明實施例之具有分配裝置的安裝系統之示意立面圖。
圖2是圖1所示分配裝置之放大立面圖。
圖3是圖2所示分配裝置之局部放大立面圖。
圖4是顯示用於將底部填充劑供應至圖2所示分配裝置中之分配器的操作範例之流程圖。
圖5是顯示用以將底部填充劑供應至圖2所示分配裝置中之基座的操作範例之流程圖(前半段)。
圖6是顯示用於將底部填充劑供應至圖2所示分配裝置中之基座的操作範例之流程圖(後半段)。
圖7是習知的安裝系統之示意立面圖。
4．．．分配裝置
41．．．(第一)閘門
42．．．(第二)閘門
43．．．(第三)閘門
44．．．(第四)閘門
45．．．(第一)釋放閥
46．．．真空泵(第一壓力減少手段、第二壓力減少手段)
47．．．(第二)釋放閥
48．．．(第三)釋放閥
51．．．(前)容室
52．．．(主要)容室
53．．．(後)容室
61．．．(第一)開/關閥
62．．．(第二)開/關閥
63．．．(第三)開/關閥
64．．．(第四)開/關閥
65．．．三向閥
66．．．(第一)儲存手段
67．．．(第二)儲存手段
68．．．管子
69．．．止回閥
71．．．(可移動)台座
72．．．攝影機
73．．．分配器
511．．．待用台座
531．．．待用台座
C．．．晶片
K．．．基座

Claims (5)

  1. 一種分配裝置，用於將底部填充劑裝填入基座與晶片之間的間隙內，包含：儲存手段，用於儲存底部填充劑；一容室，其被設置成容納將被裝填以底部填充劑的基座，且能夠被開啟/關閉；一分配器，其被設置在該容室內，且將該儲存手段所引入的底部填充劑，排放到基座與晶片之間的間隙內；第一壓力減少手段，用於在該分配器排放底部填充劑之前，減少該容室內的壓力於一預定的真空壓力；以及攝影機與可移動台座，其等係於該容室內；上述攝影機具有以下述方式進行對齊操作的功能：在底部填充劑的填充動作中讀取基座的晶片位置，並根據該位置驅動上述可移動台座，藉此使分配器可將底部填充劑填充到填充位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之分配裝置，其中進一步包含：一個連接於該儲存手段與該分配器之間的管子，以及，第二壓力減少手段，用於在將底部填充劑從該儲存手段透過該管子引入到該分配器之前，將該管子內的壓力減少於一預定的真空壓力。
  3. 如申請專利範圍第1項之分配裝置，其中，該儲存手段包含第一儲存手段與第二儲存手段，而且，該第一與第二儲存手段被設置成能夠選擇性地與該分配器相通。
  4. 一種安裝系統，包含： 一晶片安裝裝置，用於將晶片安裝在一基座上，且擠壓該晶片至該基座；一基座裝載器，用於將該基座運送到該晶片安裝裝置內；一申請專利範圍第1項之分配裝置；以及一基座卸載器，用於將該分配裝置中之裝填有底部填充劑的基座，運送出該分配裝置外。
  5. 如申請專利範圍第4項之安裝系統，其中，該基座裝載器及該基座卸載器之每一者均具有一爐子，可以保溫該基座連同一基座卡匣；該晶片安裝裝置及該分配裝置之每一者均具有一台座，用於放置並固持該基座於其上；而且，該台座具有一加熱器，用於將該基座保溫在一預定的溫度。
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