TWI411017B - 深量子井電子吸收調變器 - Google Patents
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Description
本發明是關於電子吸收調變器，尤其是一種關於深量子井電子吸收調變器。
在光學通訊應用上，電子吸收調變器用於調變光。一般而言，電子吸收調變器調變一連續光源產生的光。該電子吸收調變器一般藉由允許或者阻止光通過該電子吸收調變器而調變光。代表電子吸收調變器的光調變性能的一主要參數是消光比(extinction ratio)。消光比是電子吸收調變器的最大功率輸出與最小功率輸出的比率。一更高的消光比一般是透過在作用層(active layer)內產生更多個電子－電洞對而導致光的更高吸收量的結果。
能夠以大約40Gb/s的資料率操作的電子吸收調變器對於光學通訊應用是重要的。電子吸收調變器一般是基於量子限制斯塔克效應(quantum－confined Starke ffect)。透過量子限制斯塔克效應，在量子井結構內施加一電場改變了該量子井結構的有效能帶隙能量(effective band gap energy)。當一逆向偏壓施加於p－i－n接面時，電子吸收調變器吸收光。因為當施加逆向偏壓時，小電流流過，所以調變速率被該電子吸收調變器的電容充電及放電所需的時間限制。
關於電子吸收調變器的多重量子井設計與對性能參數的影響有許多的折衷。電子吸收調變器的整體設計與操作一般代表了限制條件之間折衷的結果。一更高的消光比可透過增加吸收量獲得，增加吸收量可藉由更長的調變器、更多的量子井或者更高的電壓振幅(voltage swing)。然而，因為更長的調變器會產生更大的電容並且增加量子井的數目會增加載子提取時間，對調變率(modulation rate)會有反向的影響。
如上述說明，典型的電子吸收調變器在逆向偏壓下操作，該逆向偏壓會產生一施加的電場，該電場會在電子與電洞波函數產生分離，其中在量子井中電洞分佈向正摻雜區(p－doped side)的方向分佈，且電子分佈向負摻雜區(n－doped side)的方向分佈。光生載子之間的實際分離可解釋為減少的吸收量，該減少的吸收量減少了消光比(相較於如果電洞與電子波函數之間的重疊被維持所獲得的消光比)。第1圖透過檢查一八量子井InGaAsP調變器在室溫下的光電流吸收光譜而顯示前述的效應。曲線101顯示了一在無逆向偏壓下接近理想的光電流吸收光譜，一在波長λ~1490nm明顯的能帶邊緣遷移(band－edge transition)，以及一激子吸收諧振(excitonic absorption resonance)。當逆向偏壓增加到大約1.25伏特(如曲線105所示)、增加到大約2.5伏特(如曲線110所示)、增加到大約3.75伏特(如曲線115所示)時，由於量子限制斯塔克效應，吸收量邊緣偏移到更長的波長。因為，隨著逆向偏壓增加，量子井區域內電子與電洞分佈之間分離逐漸增加吸收量減少。
依據本發明，透過在電子吸收調變器的量子井作用區域內嵌入深超薄量子井產生雙井結構(well structure)。由集中於一傳統量子井內的嵌埋式深超薄量子井(embedded,deep ultra thin quantum well)引入的干擾降低了周圍更大量子井的波函數的限制能態，且使電洞與電子分佈更集中在傳統量子井的中心。電洞與電子波函數之空間重疊增加的結果增加了量子井吸收量。因此，由電子吸收調變器提供的消光比一般就會增加。
第1圖顯示了對於不同的逆向偏壓值下吸收量對波長的關係。
第2a圖顯示了本發明的量子井的一組成輪廓。
第2b圖顯示了本發明對應於第2a圖的層結構。
第2c圖顯示了本發明波長隨著銦濃度的偏移。
第3a圖顯示了本發明之一實施例的組成輪廓。
第3b圖顯示了本發明一光調變半導體結構的一組成輪廓。
第3c圖顯示了本發明對應於第3a圖的層結構。
第4a－4b圖顯示了本發明的處理時間與流動。
第5圖顯示了本發明與先前技術的組成輪廓之間的比較。
第6圖顯示了本發明之一實施例的能帶圖。
第2a圖顯示了本發明之一實施例的一量子井的組成輪廓(composition profile)。GaAs障礙層210提供了在InGaAs量子井220的頂部零銦含量的參考能階。InGaAs量子井220是一高度應變量子井(strained quantum well)，且嵌埋式深超薄量子井225被嵌入InGaAs量子井220內，以形成一子量子井(subwell)。量子井220是一種使用在GaAs的典型量子井。由嵌埋式深超薄量子井225引入的干擾將量子井220內波函數240的限制能態230降低到限制能態235。如果量子井220的典型組成是Iny
Ga( 1 － y )
As(其中y一般在大約0.35至0.4的範圍內)的形式，則嵌埋式深超薄量子井225的組成一般是Inx
Ga( 1 － x )
As形式。y的值一般是被選擇為：在不用添加嵌埋式深超薄量子井225下，可能從量子井220獲得最長波長的值。
第2b圖顯示了對應於第2a圖的量子井組成輪廓的層結構。高度應變InGaAs量子井層220在GaAs障礙層210上生長，一般生長到大約60埃(angstrom)的總厚度。在第一大約30埃的InGaAs量子井層220生長之後，嵌埋式深超薄Inx
Ga(
1－x)As量子井層225一般生長到大約10埃的厚度，且該嵌埋式深超薄InxGa(1－x)As量子井層225的生長一般是選擇維持一連貫一致(coherent)的層，從而使嵌埋式深超薄InxGa(1－x)As量子井層225也是高度地應變。介面活性劑(如銻)可被引入，以使量子井層或者多重量子井堆疊連貫一致的生長。透過在MOCVD表面重建期間內改進銦原子的移動力(mobility)，銻的引入防止了整體量子井結構的鬆弛。在嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層225的生長之後，完成剩餘大約30埃高度應變InGaAs量子井層220的生長。然後，GaAs障礙層240生長在高度應變InGaAs量子井層220上。
第2c圖中的曲線200顯示了具有大約10埃厚度的嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層225(x在大約0.4至0.85的範圍內變化)的波長偏移對銦成分的關係。Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層220大約是60埃的厚度(其中y大約為0.4)。不具有嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層225且未被干擾的量子井層對應於一厚度70埃且在無逆向偏壓下具有大約1140nm吸收波長的Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層(y大約為0.4)。從第2c圖中的曲線200可看出，在無逆向偏壓下的吸收波長隨著銦濃度近似線性地偏移，其比率大約為銦成分每增加0.1，吸收波長增加30nm(其中x的值在0.4以上)。在0.8的銦成分下，在無逆向偏壓下的吸收波長已經增加到大約1270nm。
第3a圖顯示了類似於本發明的第2a圖的組成輪廓。GaAs障礙層330與340分別在Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層350與360的頂部提供了參考能階。Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層350與360被GaAs障礙層335分離。嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層355被嵌入於Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層350，且嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層365被嵌入於Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層360。AlGaAs層310與320的能量位階及GaAs( 1 － z )
PZ
層315與325的能量位階也被顯示出。非作用層典型的摻雜位準(doping level)一般在大約1．101 7
/cm3
至3．101 8
/cm3
的範圍內。
除額外的應變減少層338已被引入之外，第3b圖類似於第3a圖。應變減少層338被引入InyGa(1－y)As量子井層350與360之間，以將GaAs障礙層335變為GaAs障礙層336與GaAs障礙層337。
第3c圖顯示了對應於第3a圖之組成圖的層結構300。典型層結構300的生長是透過在一AIXTRON 2000反應器內的MOCVD，且一典型的生長溫度範圍大約400℃至600℃，例如典型在大約100mbar的氣壓等級下溫度大約為520℃。量子井層的生長條件會被特別選擇以防止銦分離。這一般是透過改變量子井層的生長率、生長溫度及應變而達成的。在AlGaAs層310生長大約25秒，達到大約150埃的典型厚度之後，GaAs(1－z)PZ層315生長大約22秒，達到大約100埃的厚度。GaAs(1－z)PZ層315是一伸張性應變層(tensile strained layer)，透過充當一應變補償層，其被引入以使層結構300上的整合應變(integrated strain)最小化。GaAs(1－z)PZ層315與325一般補償因為引入嵌埋式深超薄InxGa(1－x)As量子井層355與365所增加的應變。典型z的值在大約0.05至大約0.30的範圍內。
典型的，GaAs(1－z)PZ層315與325可分別設於InyGa(1－y)As量子井層350與360及GaAs障礙層330與340的周邊。也可使用其他種類的應變補償層GaAsN，AlGaAsP，GaInP，InGaAsP，AlInGaAsN。
GaAs障礙層330生長在GaAs( 1 － z )
PZ
層315上。GaAs障礙層330一般需要花費大約16秒，且產生一大約100埃的典型厚度。Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層350(其中y一般在大約0.3至0.45的範圍內)在GaAs障礙層330上生長大約4秒，且產生一大約30埃的典型厚度。然後，嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層355被嵌入於Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層350。在本發明之一實施例中，x的值特別被選擇以獲得接近1300nm的吸收。一以3秒時間生長的嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層355一般會產生一大約10埃的典型厚度。然後，再繼續Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層350的生長4秒，從而產生了額外大約30埃的厚度。GaAs障礙層335在Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層350上生長。GaAs障礙層335一般花費約16秒，以產生了一大約100埃的典型厚度。
Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層360(其中y一般在大約0.3至0.45的範圍內)在GaAs障礙層335上生長大約4秒，以產生一大約30埃的典型厚度。然後，嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層365被嵌入於Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層360。一典型以3秒時間生長的嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層365會產生一大約10埃的典型厚度。然後，再繼續Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層360的生長4秒，從而產生了額外大約30埃的厚度。GaAs障礙層340在InyGa(1－y)As量子井層360上生長。GaAs障礙層335一般花費約16秒，以產生了一大約100埃的典型厚度。GaAs(1－z)PZ層325生長大約22秒，以達到一大約100埃的典型厚度。GaAs(1－z)PZ層325是一伸張性應變層，透過充當一應變補償層，其被引入以使層結構300上的整合應變最小化。其他種類的應變補償層也可被使用。然後，該AlGaAs層320一般生長大約25秒，以達到一大約150埃的典型厚度。
第4a與4b圖顯示了本發明的InyGa(1－y)As量子井層350與360及嵌埋式深超薄InxGa(1－x)As量子井層355與365的兩種生長方案的相關氣體流動。在第4a圖中，三甲基鎵410的氣流及三乙基鎵420的氣流初始是開啟的。三甲基銦415的氣流被開啟大約4秒，以生長第一大約30埃的InyGa(1－y)As量子井層350。三乙基鎵420的流動被關閉的同時三甲基銦415的氣流與三甲基銦440的氣流被開啟大約3秒，以生長嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層355。當嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層355完成時，三乙基鎵420的氣流被重新開啟，且三甲基銦415的氣流被開啟另一段大約4秒的時間，以生長最後大約30埃的Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層350。然後，GaAs障礙層335生長大約5秒。當GaAs障礙層335的生長完成時，三甲基銦415的氣流被開啟大約4秒，以生長第一大約30埃的Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層360。三乙基鎵420的氣流被關閉的同時三甲基銦415的氣流與三甲基銦440的氣流被開啟大約3秒，以生長嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層365。當嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層365完成時，三乙基鎵420的氣流被重新開啟，且三甲基銦415的氣流被開啟另一段大約4秒的時間，以生長最後大約30埃的Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層360。
在第4b圖中，三甲基鎵450的氣流初始時是開啟的。三甲基銦455的氣流被開啟大約4秒，以生長第一大約30埃的Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層350，之後且與三甲基鎵450的氣流一起被關閉。然後，三乙基鎵460與三甲基銦480的氣流被開啟大約3秒，以生長嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層355。當嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層355完成時，三甲基鎵450的氣流被開啟，且三甲基銦455的氣流被開啟大約4秒，以生長最後大約30埃的Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層350。然後，GaAs障礙層335生長大約5秒。當GaAs障礙層335的生長完成時，三甲基銦455的氣流被開啟大約4秒，以生長第一大約30埃的Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層360，之後且與三甲基鎵450的氣流一起被關閉。然後，三乙基鎵460與三甲基銦480的氣流被開啟大約3秒，以生長嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層365。當嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層365完成時，三甲基鎵450的氣流被開啟，且三甲基銦455的氣流被開啟大約4秒，以生長最後大約30埃的Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層350。
依據本發明，深量子井層可被使用於其他的材料系統，例如，InGaAsSb、InP、InGaAsP、AlInGaAs以及InGaN。例如，第5圖顯示了Iny
Ga( 1 － y )
N多重量子井層510、512、514及516的一組成輪廓，該等Iny
Ga( 1 － y )
N多重量子井層510、512、514及516分別具有本發明的嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
N量子井層520、522、524以及526，該等嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
N量子井層520、522、524以及526分別疊在一習知的Iny
Ga( 1 － y )
N多重量子井層511、513、515及517之上。值得注意的是，根據本發明，分別具有嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
N量子井層520、522、524及526的Iny
Ga( 1 － y )
N多重量子井層510、512、514及516，完全類似於分別具有嵌埋式深Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層355與365的Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層350與360，且被GaN障礙層501、503及505分隔開。每個Iny
Ga( 1 － y )
N多重量子井層511、513、515及517的厚度一般在大約3nm至4nm的範圍內。使用分別具有本發明的嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
N量子井層520、522、524及526的Iny
Ga( 1 － y )
N多重量子井層510、512、514及516一般可使Iny
Ga( 1 － y )
N多重量子井層510、512、514及516的銦含量減少幾個百分比。然而，對Inx
Ga( 1 － x )
N量子井層520、522、524及526，x的典型值一般大於0.5。
在以往習知Iny
Ga( 1 － y
N多重量子井層511、513、515以及517內出現的強大壓電場(piezoelectric field)會使在以往習知Iny
Ga( 1 － y )
N多重量子井層511、513、515及517內電子與電洞波函數產生分離，而電子與電洞波函數分離會減少量子井吸收。
依據本發明，電子吸收調變器可建構在InGaAsP材料系統內，且其結構類似於其在InGaAs及InGaN系統之結構。討論有關InGaAsP材料系統的參考資料包括：Billia等人於2005年在IEEE IEEE Photonics Technology Letters,vol.17,no.1,第49－51頁；Ishikawa等人於1994年在IEEE Journal of Quantum Electronics,vol.30,no.2,第562－569頁；以及Minch等人於1999年在IEEE Journal of Quantum Electronics,vol.35,no.5,第771－782頁，以上所有都以參照方式被併入本文。
例如，一般用於通訊應用的電子吸收調變器在Inx
Ga( 1 － x )
Asy
P( 1 － y )
材料系統內是應變平衡(導致與極化不相關)，一般具有帶隙能量在大約1350nm與1400nm之間的障礙層，並具有x的典型值大約為0.51且y的典型值大約為0.75的組成。該InxGa(1－x)AsyP(1－y)多重量子井層一般具有大約1600nm的帶隙能量，且x的典型值大約為0.74，而y的典型值大約為0.75。在每個InxGa(1－x)AsyP(1－y)多重量子井層內的嵌埋式深超薄InxGa(1－x)AsyP(1－y)量子井層也是用以降低每個InxGa(1－x)AsyP(1－y)多重量子井的帶隙能量。例如，對於一大約1700nm的帶隙能量且大約0.4%的伸張性應變，每個嵌埋式深超薄InxGa(1－x)AsyP(1－y)量子井層x的值大約為0.48，而y的值大約為1。對於一大約0.5%的壓縮性應變，每個嵌埋式深超薄InxGa(1－x)AsyP(1－y)量子井層x的值大約為0.66，而y的值大約為0.89。嵌埋式深超薄InxGa(1－x)AsyP(1－y)量子井層的砷含量高於其所嵌入的InGaAsP量子井的砷含量。另一方面，每個嵌埋式深超薄InxGa(1－x)AsyP(1－y)量子井層的銦含量可能高於或低於InGaAsP材料系統內的銦含量。
依據本發明，另一可行的態樣，例如，一般用於通訊應用的電子吸收調變器在Inx
Ga( 1 － x )
Asy
P( 1 － y )
材料系統內也可以是晶格匹配(導致與極化相關)，一般具有帶隙能量大約在1350nm與1400nm之間的障礙層，且具有x的典型值大約為0.69而y的典型值大約為0.68的組成。該Inx
Ga( 1 － x )
Asy
P( 1 － y )
多重量子井層一般具有大約1600nm的帶隙能量，且x的典型值大約為0.61，而y的典型值大約為0.84。在每個Inx
Ga( 1 － x )
Asy
P( 1 － y )
多重量子井層內的嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
Asy
P( 1 － y )
量子井層也是用以降低每個Inx
Ga( 1 － x )
Asy
P( 1 － y )
多重量子井的帶隙能量。例如，對於一帶隙能量大約1700nm且晶格匹配的結構，每個嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
Asy
P( 1 － y )
量子井層X的值大約為0.54，而y的值大約為0.98。嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
Asy
P( 1 － y )
量子井層的砷含量高於其所嵌入的InGaAsP量子井的砷含量。也注意到，晶格匹配的Inx
Ga( 1 － x )
As也可作為嵌埋式量子井。
第6圖顯示根據本發明一深量子井電子吸收調變器結構在逆向偏壓下的能帶圖600。在能帶圖600中，嵌埋式深量子井615集中在傳統的量子井610內。在逆向偏壓且沒有深量子井615時，電子波函數625與電洞波函數620一般是未對準的。嵌埋式深量子井615的存在提供了額外的限制，該限制會使該電洞與電子分佈向量子井610的中心集中。因此，嵌埋式深量子井615有效地將電洞與電子從各自的介面拉向量子井610的中心，如以陰影表示之電子波函數625′及以陰影表示之電洞波函數620′所示。該電子與電洞分佈間在空間重疊上改進的結果提供了在量子井610內更大的吸收。對於具有一嵌埋式深量子井結構的電子吸收調變器此導致一更大的消光比。
雖然該深量子井提供了更大的吸收量，但是對於一給定的外加電場，斯塔克偏移減少了。這是一與本發明的深量子井結構相關的取捨。然而，因為嵌埋式深量子井615可從傳統量子井610的中心移開以最佳化該深量子井電子吸收調變器的性能，該深量子井結構提供很大的設計彈性。同樣地，嵌埋式深量子井615的組成與厚度可被調整以提高性能。對於提高電子吸收調變器的性能，本發明的嵌埋式深量子井結構提供了額外的彈性。
雖然本發明已經結合特定實施例被描述，但是對於熟悉本項技術的人士，參照以上描述，許多可行的態樣、修改與變化是很明顯的。因此，本發明意指包含所有其他此種落在本附加申請專利範圍之精神和範圍內的選擇、修改與變化。
210．．．GaAs障礙層
220．．．InGaAs量子井
225．．．嵌埋式深超薄量子井
230．．．限制能態
235．．．限制能態
240．．．GaAs障礙層
300．．．層結構
310．．．AlGaAs層
315．．．GaAs( 1 － z )
PZ
層
320．．．AlGaAs層
325．．．GaAs( 1 － z )
PZ
層
330．．．GaAs障礙層
335．．．GaAs障礙層
336．．．GaAs障礙層
337．．．GaAs障礙層
338．．．應變減少層
340．．．GaAs障礙層
350．．．Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層
355．．．嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層
360．．．Iny
Ga( 1 － y )
As量子井層
365．．．嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
As量子井層
410．．．三甲基鎵
415．．．三甲基銦
420．．．三乙基鎵
440．．．三甲基銦
450．．．三甲基鎵
455．．．三甲基銦
460．．．三乙基鎵
480．．．三甲基銦
501．．．GaN障礙層
503．．．GaN障礙層
505．．．GaN障礙層
510．．．Iny
Ga( 1 － y )
N多重量子井層
511．．．習知的Iny
Ga( 1 － y )
N多重量子井層
512．．．Iny
Ga( 1 － y )
N多重量子井層
513．．．習知的Iny
Ga( 1 － y )
N多重量子井層
514．．．Iny
Ga( 1 － y )
N多重量子井層
515．．．習知的Iny
Ga( 1 － y )
N多重量子井層
516．．．Iny
Ga( 1 － y )
N多重量子井層
517．．．習知的Iny
Ga(1 － y )
N多重量子井層
520．．．嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
N量子井層
522．．．嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
N量子井層
524．．．嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
N量子井層
526．．．嵌埋式深超薄Inx
Ga( 1 － x )
N量子井層
600．．．能帶圖
610．．．習知的量子井
615．．．深量子井
620．．．電洞波函數
620’．．．電洞波函數
625．．．電子波函數
625’．．．電子波函數
第1圖顯示了對於不同的逆向偏壓值下吸收量對波長的關係。
第2a圖顯示了本發明的量子井的一組成輪廓。
第2b圖顯示了本發明對應於第2a圖的層結構。
第2c圖顯示了本發明波長隨著銦濃度的偏移。
第3a圖顯示了本發明之一實施例的組成輪廓。
第3b圖顯示了本發明一光調變半導體結構的一組成輪廓。
第3c圖顯示了本發明對應於第3a圖的層結構。
第4a－4b圖顯示了本發明的處理時間與流動。
第5圖顯示了本發明與先前技術的組成輪廓之間的比較。
第6圖顯示了本發明之一實施例的能帶圖。
210．．．GaAs障礙層
220．．．InGaAs量子井
225．．．嵌埋式深超薄量子井
230．．．限制能態
235．．．限制能態
240．．．GaAs障礙層
Claims (24)
- 一種電子吸收調變器，包含：一基體(substrate)；多個在該基體上形成的半導體層；該多個半導體層其中之一包含一具有一第一組成的第一量子井區域，該第一組成包含Iny Ga(1-y) As，其中y係在大約0.3至0.45之間的範圍內；以及一具有一第二組成的第二量子井區域，該第二量子井區域被嵌入於該第一量子井區域，該第二組成包含Inx Ga(1-x) As，其中x係在大約0.4至0.85之間的範圍內。
- 如申請專利範圍第1項所述之電子吸收調變器，其中該第二組成具有一高於該第一組成的銦含量。
- 如申請專利範圍第1項所述之電子吸收調變器，其中該第二組成具有一高於該第一組成的砷含量。
- 如申請專利範圍第1項所述之電子吸收調變器，其中包含該第一量子井區域之層具有一大約60埃(angstrom)之總厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之電子吸收調變器，其中包含該第二量子井區域之層具有一大約10埃(angstrom)之厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之電子吸收調變器，其中該等半導體層其中之一是一伸張性應變層。
- 如申請專利範圍第6項所述之電子吸收調變器，其中該伸張性應變層包含GaAsP。
- 如申請專利範圍第7項所述之電子吸收調變器，其中該伸張性應變層包含GaAs(1-z) Pz ，其中z係在大約0.05至大約0.30之間的範圍內。
- 如申請專利範圍第1項所述之電子吸收調變器，其中該第二量子井區域包含銦、鎵及氮。
- 如申請專利範圍第1項所述之電子吸收調變器，其中該第二量子井區域包含銦、鎵及磷。
- 如申請專利範圍第1項所述之電子吸收調變器，其中該第一量子井區域包含磷。
- 如申請專利範圍第1項所述之電子吸收調變器，其中該第一量子井區域包含銻。
- 如申請專利範圍第1項所述之電子吸收調變器，其中該第二量子井區域實質上被嵌入於該第一量子井區域的中間。
- 如申請專利範圍第1項所述之電子吸收調變器，其中該第二組成之一第二能帶隙的值低於該第一組成之一第一能帶隙的值。
- 一種用於一電子吸收調變器的方法，該方法包含以下步驟：提供一基體；在該基體上形成多個半導體層，其中該等半導體層其中之一包含一具有一第一組成的第一量子井區域，該第一組成包含Iny Ga(1-y) As，其中y係在大約0.3至0.45之間的範圍內；以及 在該第一量子井區域內嵌入一第二量子井區域，該第二量子井區域具有一第二組成，該第二組成包含Inx Ga(1-x) As，其中x係在大約0.4至0.85之間的範圍內。
- 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第二組成之一第二能帶隙的值低於該第一組成之一第一能帶隙的值。
- 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第二組成具有一高於該第一組成的銦含量。
- 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第二組成具有一高於該第一組成的砷含量。
- 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中包含該第一量子井區域之層具有一大約60埃之總厚度。
- 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中包含該第二量子井區域之層具有一大約10埃之厚度。
- 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第一量子井區域包含磷。
- 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第二量子井區域實質上被嵌入於該第一量子井區域的中間。
- 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第二量子井區域包含銦、鎵及磷。
- 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中形成該第一量子井區域或該第二量子井區域之步驟包含流動氣體。
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