TWI406495B - 用於壓控振盪器增益補償以及相位雜訊降低之可程式化變容器 - Google Patents

用於壓控振盪器增益補償以及相位雜訊降低之可程式化變容器 Download PDF

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Description

用於壓控振盪器增益補償以及相位雜訊降低之可程式化變容器
本發明大體係關於壓控振盪器(VCO)。更特定言之,本發明係關於用於VCO之可程式化變容器。
電子振盪器可為產生電信號之電子電路。壓控振盪器(VCO)可為電子振盪器。VCO可用於(例如)無線電收發器(諸如,行動電話)中。
VCO輸出信號之頻率可由VCO之輸入調諧電壓控制。該頻率可由具有特定電容之可變電容器調諧。如所示,該特定電容可為輸入調諧電壓之函數: 其中L為VCO儲槽電路電感,C 為總儲槽電路電容,C 0 為寄生槽電容,C CT 為粗調諧組電容,C VAR 為變容器電容,N 為鎖相迴路(PLL)計數器值(劃分比率),V 為變容器控制電壓,且K V 為VCO增益之量值。當PLL經定時時,VCO振盪頻率等於目標頻率,亦即,fN *f ref ,其中f ref 為PLL參考頻率。
如上文所示,VCO增益K V f 3 成比例。歸因於頻率調諧範圍之寬度(亦即,fN 之較大範圍),VCO增益變化在VCO頻率範圍內非常大,其中視實際頻率分配計劃而定,自頻率範圍之高端至低端具有2:1至8:1之比率。
存在與較大VCO增益變化相關聯之劣勢。PLL頻寬隨VCO增益而變化,從而引起雜訊及整合相位雜訊問題。PLL動力學亦變化,從而引起安定時間問題。根據李森(Leeson)方程式,相位雜訊在較高頻率下更糟,且歸因於振幅調變至相位調變(AM-PM)轉換而在具有較高VCO增益之情況下變得更糟。如上文所示,VCO增益在較高頻率下較大,此使得相位雜訊變得甚至更糟。
傳統上,藉由調整電荷泵電流(亦即,在VCO增益較高時減少電荷泵電流I CP ,且反之亦然)來完成VCO增益補償。儘管在VCO增益與I CP 之乘積恆定的情況下迴路轉移函數H(s) 保持相同,但來自迴路濾波器電阻器R 之雜訊具有不同VCO增益之不同轉移函數: 其中C Z C P 分別為零迴路電容器及極迴路電容器,R 為PLL迴路濾波器電阻器,K 為波耳茲曼(Boltzmann)常數1.38e-23焦耳/開爾文(Joule/Kelvin),且T 為開爾文溫度。較高K V 導致來自迴路濾波器電阻器之較多雜訊成份。
可看出,需要改良式VCO增益補償。詳言之,需要以與藉由調整電荷泵電流不同的方式來維持相對恆定的VCO增益。
一實施例包括一可程式化變容器裝置,該可程式化變容 器裝置包括:複數個二進制加權變容器;及一控制器,其用以選擇性地停用複數個二進制加權變容器中之一或多者以減少可程式化變容器裝置之有效電容。
另一實施例包括一可程式化變容器裝置,該可程式化變容器裝置包括:複數個二進制加權變容器;複數個位元,其用以藉由選擇性地停用複數個二進制加權變容器中之一或多者以減少可程式化變容器裝置之有效電容來控制複數個二進制加權變容器。
另一實施例包括一壓控振盪器,該壓控振盪器包括:一信號輸出,其用以輸出在一頻率下之信號;一輸入調諧電壓,其用以影響信號之頻率;一增益;及一可程式化變容器裝置。可程式化變容器裝置包括:複數個二進制加權變容器;及複數個控制線,每一控制線對應於複數個二進制加權變容器中之一者,用以選擇性地停用複數個二進制加權變容器中之一或多者以維持增益之大體上恆定值而不管頻率之值,其中複數個控制線中之一或多者基於與頻率成比例之計數器值來選擇性地停用複數個二進制加權變容器中之一或多者。
再另一實施例包括一可程式化變容器裝置,該可程式化變容器裝置包括:一固定啟用變容器;複數個二進制加權變容器;複數個控制線,每一控制線對應於複數個二進制加權變容器中之一者,用以選擇性地停用複數個二進制加權變容器中之一或多者以減少可程式化變容器裝置之有效電容;及變容器位元,其用以基於與目標振盪器頻率成比 例之計數器值來控制複數個控制線。
又另一實施例包括一可程式化變容器裝置,該可程式化變容器裝置包括:一用於提供複數個變容器之構件;及一用於控制多個變容器以改變可程式化變容器裝置之有效電容的構件。
一進一步實施例包括一用於改變可程式化變容器裝置之有效電容的方法,該方法包括:提供複數個二進制加權變容器;及停用複數個二進制加權變容器中之一或多者以減少可程式化變容器裝置之有效電容。
再一進一步實施例包括一用於改變可程式化變容器裝置之有效電容的方法,該方法包括:一用於提供複數個二進制加權變容器之步驟;及一用於停用複數個二進制加權變容器中之一或多者以減少可程式化變容器裝置之有效電容的步驟。
將參考以下圖式、描述及申請專利範圍來更好地理解此等實施例。
以下詳細描述為進行本發明之最普遍預期的模式。該描述不以限制意義被採用,而僅為了達成說明本發明之通用原理的目的而進行,因為本發明之範疇由隨附申請專利範圍最好地界定。
概括地,本發明之實施例可包括經選擇性地停用以使得VCO之VCO增益量測保持大體上恆定的多個變容器。實施例可用於利用VCO之多種應用中,包括無線電收發器(諸 如,行動電話)。
本發明之實施例可至少藉由將變容器數位化為多個二進制加權變容器而不同於習知VCO。本發明之實施例可至少藉由提供位元以控制多個二進制加權變容器而亦不同於習知VCO。本發明之實施例可至少藉由為VCO提供變化電容之變容器而另外不同於習知VCO。本發明之實施例可至少藉由基於與VCO頻率成比例之計數器值來控制多個二進制加權變容器而進一步不同於習知VCO。
現參看圖式,在整個圖式中,類似參考符號表示對應部分。圖1為根據本發明之一例示性實施例之壓控振盪器(VCO)之可程式化變容器裝置100的示意性表示。可如下文所描述而基於VCO頻率來調整可程式化變容器裝置100之靈敏度,使得VCO增益保持大體上恆定(例如,參見圖4,其中VCO增益相對於不具有VCO增益補償之狀況而保持更恆定)。
可程式化變容器裝置100可包括由多個數位變容器位元所控制之多個二進制加權變容器。在一實施例中,可程式化變容器裝置100可包括可保持啟用之固定變容器102及由三個位元所控制之三個額外分支的二進制加權變容器104、106、108。然而,在一替代實施例中,可程式化變容器裝置可包括不同數目之額外分支的二進制加權變容器及額外數目之位元。舉例而言,可程式化變容器裝置可包括兩個、四個或任何其他適當數目之額外分支的二進制加權變容器及位元。
在一實施例中,可程式化變容器裝置100可經由直流耦合而連接至儲槽電路101。因此,可程式化變容器裝置100可直接連接至儲槽電路。
可程式化變容器裝置100可包括控制線112、114、116。控制線112、114、116可如下文所論述而藉由三個位元來控制二進制加權變容器104、106、108中之一者(或多者)被啟用還是停用。若二進制加權變容器104、106、108中之一者將被啟用,則其控制線112、114、116可連接至Vtune(自PLL所產生之VCO調諧電壓)。若二進制加權變容器104、106、108中之一者將被停用,則其控制線112、114、116可連接至接地,從而為該特定分支產生零dC VAR /dV
在VCO增益可為最小之頻率的低端(作為非限制性實例,3.2 GHz)處,可啟用所有變容器。亦即,可啟用固定變容器102,及所有三個額外分支之二進制加權變容器104、106、108。隨著頻率朝向頻率之高端(作為非限制性實例,4.4 GHz)增加(亦即,N 增加),可停用某些二進制加權變容器,使得有效變容器電容(dC /dV )逐漸地減少。亦即,可逐一地停用二進制加權變容器104、106、108中之一或多者,使得有效變容器電容逐漸地減少。因此,VCO增益可保持大體上恆定。舉例而言,VCO增益變化可小於+/- 10%。
可基於三個位元來控制可程式化變容器裝置100之有效變容器電容。可始終啟用固定變容器(Cvar)102。三個額外 分支之二進制加權變容器104、106、108可由三個位元控制。B0、B1及B2可表示三個二進制控制位元。B2可為最高有效位元。B0可表示最低有效位元。B0b、B1b及B2b可為B0、B1及B2之補充。最低有效位元(000)之電容值可為Cvar0。對於001而言,電容值可為Cvar+Cvar0。對於010而言,值可為Cvar+2*Cvar0。對於011而言,值可為Cvar+3*Cvar0。對於100而言,值可為Cvar+4*Cvar0。對於101而言,值可為Cvar+5*Cvar0。對於110而言,值可為Cvar+6*Cvar0。對於111而言,值可為Cvar+7*Cvar0。Cvar2可等於2*Cvar1,2*Cvar1可等於4*Cvar0。可自可與VCO頻率成比例之PLLN 計數器值(例如,劃分比率)導出三個位元。
圖2為根據本發明之另一實施例之VCO之可程式化變容器裝置200的示意性表示。
可程式化變容器裝置200可包括可保持啟用之固定變容器202。可程式化變容器裝置200可包括由變容器位元所控制之額外分支的二進制加權變容器204、206、208。圖2描繪由三個位元所控制之三個分支的二進制加權變容器204、206、208。在一替代實施例中,可程式化變容器裝置可包括不同數目之額外分支的二進制加權變容器及額外數目之位元。舉例而言,可程式化變容器裝置可包括兩個、四個或任何其他適當數目之額外分支的二進制加權變容器,及位元。
可程式化變容器裝置200可經由交流耦合而連接至儲槽 電路201。因此,可程式化變容器裝置200可經由耦合電容器而連接至儲槽電路。
可程式化變容器裝置200可包括控制線212、214、216。控制線212、214、216可藉由三個位元來控制二進制加權變容器204、206、208中之一者(或多者)被啟用還是停用。若二進制加權變容器204、206、208中之一者將被啟用,則其控制線212、214、216可連接至共同模式電壓(V CM )。若二進制加權變容器204、206、208中之一者將被停用,則其控制線212、214、216可連接至接地。V CM 可表示可為由偏壓電路所產生之DC電壓的共同模式電壓。Vtune-V CM 可為變容器控制電壓V 。偏壓電阻器可將DC電壓Vtune發送至變容器,同時對於高頻信號(亦即,在VCO振盪頻率下之信號)提供變容器與Vtune隔離。
圖3a為包括根據本發明之一實施例之可程式化變容器裝置(諸如,圖1之可程式化變容器裝置100)之電路中變容器電容相對於Vtune電壓的曲線圖。圖3b為包括根據本發明之一實施例之可程式化變容器裝置之電路中變容器靈敏度相對於Vtune電壓的曲線圖。在圖3a與圖3b中,存在八條曲線,其中每一曲線可表示三位元控制中之狀態中的一者。在圖3a中可看出,電容視控制信號(cv)及Vtune電壓而變化。在圖3b中可看出,靈敏度視控制信號及Vtune電壓而變化。當控制信號為零(cv=0)時,變容器靈敏度可最小。當控制信號為七(cv=7)時,變容器靈敏度可最高。
圖4為自根據本發明之一實施例之可程式化變容器裝置 的具有補償之模擬VCO增益變化的曲線圖及不具有補償之模擬VCO增益變化的曲線圖。在具有補償之情況下,VCO增益變化在VCO頻率範圍內相對最小。作為非限制性實例,在(例如)使用3個位元時,VCO增益變化可為+/- 10%。若使用更多控制位元,則變化可更小。相反地,在不具有補償之情況下,VCO增益變化在VCO頻率範圍內相對顯著。舉例而言,最大與最小VCO增益比率可為2.4:1,其中頻率範圍為3.2 GHz至4.4 GHz。此僅為一實例。若(例如)頻率範圍更寬,則VCO增益變化可更大。
圖5a為自根據本發明之一實施例之可程式化變容器裝置的具有補償之所量測VCO增益變化的曲線圖及不具有補償之所量測VCO增益變化的曲線圖。如在圖4中,在具有補償之情況下,VCO增益變化在VCO頻率範圍內相對最小(作為非限制性實例,+/- 12%)。相反地,在不具有補償之情況下,VCO增益變化在VCO頻率範圍內相對顯著。舉例而言,最大與最小VCO增益比率可為2.7:1。
圖5b為變容器控制碼(諸如,圖3a及圖3b之控制碼)相對於頻率之曲線圖。圖5b中之變容器控制碼可對應於圖5a中所示之VCO增益相對於頻率的關係。
粗調諧機制
VCO通常可經由粗調諧頻率操作而得以粗調諧。在具有可程式化變容器裝置的情況下,VCO增益可得到補償。經補償K V 可在頻率及粗調諧碼內相對恆定。然而,粗調諧頻率階躍△f 仍可與f 3 成比例:,對於△f <<fC i =△C j ,亦即,所有粗調諧碼之相同電容器階躍 其中C i C j 分別為粗調諧碼ij 之粗調諧電容器組電容。Ci 及Cj 分別為在粗調諧碼自i變化至i +1及自j 變化至j +1時之電容變化,且fi 及fj 為對應VCO振盪頻率變化。
可大體上恆定之粗調諧頻率操作可為所需的。為了維持覆蓋經補償VCO增益之每一頻率通道的相同數目之粗調諧曲線,△f 常數及與1/f 3 成比例之△C 可為所需要的。此可藉由將1~2個額外實體控制位元添加至粗調諧電容器組同時仍使用相同數目之邏輯控制位元來達成。在具有自邏輯位元至實體位元之非線性映射的情況下,邏輯△C 可變得與1/f 3 大致成比例且△f 相對恆定。因此,可經由邏輯至實體粗調諧碼映射來實施均勻間隔之粗調諧階躍以達成所需的粗調諧覆蓋。儘管1~2個位元可為足夠的,但可添加額外位元。位元被添加得愈多,△f 可變得愈接近於常數。
圖6a為根據本發明之一實施例之在6至7位元粗調諧碼映射中實體7位元粗調諧碼相對於邏輯6位元粗調諧碼的曲線圖。圖6b為粗調諧頻率階躍相對於具有及不具有6至7位元粗調諧碼映射之粗調諧碼的曲線圖。在具有粗調諧碼映射的情況下,粗調諧頻率階躍變化顯著地小於不具有粗調諧碼映射之情況。作為非限制性實例,具有6至7位元粗調諧碼映射之粗調諧頻率階躍變化可為+/- 30%,而在不具有 粗調諧碼映射之情況下,最大與最小粗調諧階躍比率可為4.6:1。
圖7a為根據本發明之一實施例之在6至8位元粗調諧碼映射中實體8位元粗調諧碼相對於邏輯6位元粗調諧碼的曲線圖。圖7b為粗調諧頻率階躍相對於具有及不具有6至8位元粗調諧碼映射之粗調諧碼的曲線圖。在具有6至8位元粗調諧碼映射的情況下,粗調諧頻率階躍變化甚至小於圖6a中所示之具有6至7位元粗調諧碼映射的情況。作為非限制性實例,具有6至8位元粗調諧碼映射之粗調諧頻率階躍變化可為+/- 17%。
圖8a為包括根據本發明之一實施例之可程式化變容器裝置之電路中VCO增益相對於調諧電壓的曲線圖。圖8b為不使用可程式化變容器裝置之電路中VCO增益相對於調諧電壓的曲線圖。如圖8a及圖8b中所示,在包括可程式化變容器裝置之電路中比在不使用可程式化變容器裝置之電路中存在更少的VCO增益變化。
圖9為封閉迴路合成器相位雜訊之曲線圖。實線表示利用較低電荷泵電流而補償之高VCO增益。虛線表示較低VCO增益。作為一實例,在低K V 狀況下之VCO增益可為在高K V 狀況下之VCO增益的一半。在兩種狀況下,VCO增益與電荷泵電流之乘積可相同。因此,PLL迴路動力學可在兩種狀況下相同。然而,在具有較低VCO增益之情況下的相位雜訊結果比在具有利用較低電荷泵電流而補償之高VCO增益之情況下的相位雜訊結果更好。在一例示性實施 例中,在高K V 狀況下自1 kHz至100 kHz之整合相位雜訊可為-29.4 dB且在低Kv狀況下可為-31.3 dB。因此,低K V 狀況可具有1.9 dB之改良。
圖10為用於改變根據本發明之一實施例之可程式化變容器裝置(諸如,圖1之可程式化變容器裝置100)之有效電容之方法1000的流程圖。方法1000可包括:提供複數個二進制加權變容器(諸如,圖1之變容器104、106、108)的步驟1002;及停用複數個二進制加權變容器中之一或多者以減少可程式化變容器裝置之有效電容的步驟1004。停用步驟1004可包括基於與VCO頻率成比例之計數器值來停用複數個二進制加權變容器中之一或多者。方法1000可進一步包括粗調諧映射之步驟。粗調諧映射可為用於C CT 之邏輯至實體粗調諧碼映射。如圖1及圖2中作為集總電容器所示的C CT 可為由粗調諧碼(諸如,圖6及圖7中之7或8個位元)所控制之多個二進制電容器。
當然,應瞭解,前文係關於本發明之例示性實施例,且可在不脫離以下申請專利範圍中所陳述之本發明之精神及範疇的情況下進行修改。
100‧‧‧可程式化變容器裝置
101‧‧‧儲槽電路
102‧‧‧固定變容器
104‧‧‧二進制加權變容器
106‧‧‧二進制加權變容器
108‧‧‧二進制加權變容器
112‧‧‧控制線
114‧‧‧控制線
116‧‧‧控制線
200‧‧‧可程式化變容器裝置
201‧‧‧儲槽電路
202‧‧‧固定變容器
204‧‧‧二進制加權變容器
206‧‧‧二進制加權變容器
208‧‧‧二進制加權變容器
212‧‧‧控制線
214‧‧‧控制線
216‧‧‧控制線
B0‧‧‧二進制控制位元
B0b‧‧‧二進制控制位元
B1‧‧‧二進制控制位元
B1b‧‧‧二進制控制位元
B2‧‧‧二進制控制位元
B2b‧‧‧二進制控制位元
Cvar‧‧‧變容器電容
Cvar0‧‧‧電容值
Cvar1‧‧‧電容值
Cvar2‧‧‧電容值
L‧‧‧VCO儲槽電路電感
R‧‧‧迴路濾波器電阻器
Vcm‧‧‧共同模式電壓
Vtune‧‧‧VCO調諧電壓
圖1為根據本發明之一實施例之壓控振盪器(VCO)之可程式化變容器裝置的示意性表示;圖2為根據本發明之另一實施例之VCO之可程式化變容器裝置的示意性表示;圖3a為包括根據本發明之一實施例之可程式化變容器裝 置之電路中變容器電容相對於Vtune電壓的曲線圖;圖3b為包括根據本發明之一實施例之可程式化變容器裝置之電路中變容器靈敏度相對於Vtune電壓的曲線圖;圖4為自根據本發明之一實施例之可程式化變容器裝置的具有補償之模擬VCO增益變化的曲線圖及不具有補償之模擬VCO增益變化的曲線圖;圖5a為自根據本發明之一實施例之可程式化變容器裝置的具有補償之所量測VCO增益變化的曲線圖及不具有補償之所量測VCO增益變化的曲線圖;圖5b為變容器控制碼(諸如,圖3a及圖3b之控制碼)相對於頻率之曲線圖;圖6a為根據本發明之一實施例之在6至7位元粗調諧碼映射中實體7位元粗調諧碼相對於邏輯6位元粗調諧碼的曲線圖;圖6b為粗調諧頻率階躍相對於具有及不具有6至7位元粗調諧碼映射之粗調諧碼的曲線圖;圖7a為根據本發明之一實施例之在6至8位元粗調諧碼映射中實體8位元粗調諧碼相對於邏輯6位元粗調諧碼的曲線圖;圖7b為粗調諧頻率階躍相對於具有及不具有6至8位元粗調諧碼映射之粗調諧碼的曲線圖;圖8a為包括根據本發明之一實施例之可程式化變容器裝置之電路中VCO增益相對於調諧電壓的曲線圖;圖8b為不使用可程式化變容器裝置之電路中VCO增益相 對於調諧電壓的曲線圖;及圖9為封閉迴路合成器相位雜訊相對於偏移頻率之曲線圖;圖10為用於改變根據本發明之一實施例之可程式化變容器裝置之有效電容之方法的流程圖。
100‧‧‧可程式化變容器裝置
101‧‧‧儲槽電路
102‧‧‧固定變容器
104‧‧‧二進制加權變容器
106‧‧‧二進制加權變容器
108‧‧‧二進制加權變容器
112‧‧‧控制線
114‧‧‧控制線
116‧‧‧控制線
B0‧‧‧二進制控制位元
B0b‧‧‧二進制控制位元
B1‧‧‧二進制控制位元
B1b‧‧‧二進制控制位元
B2‧‧‧二進制控制位元
B2b‧‧‧二進制控制位元
Cvar‧‧‧變容器電容
Cvar0‧‧‧電容值
Cvar1‧‧‧電容值
Cvar2‧‧‧電容值
L ‧‧‧VCO儲槽電路電感
Vtune‧‧‧VCO調諧電壓

Claims (25)

  1. 一種可程式化變容器裝置,其包含:複數個二進制加權變容器;及一控制器,其用以基於一與一目標振盪器頻率成比例之計數器值選擇性地停用該複數個二進制加權變容器中之一或多者以減少該可程式化變容器裝置之一有效電容。
  2. 如請求項1之可程式化變容器裝置,其中該控制器包含複數個控制線,每一控制線對應於該複數個加權變容器中之一者。
  3. 如請求項1之可程式化變容器裝置,其中該控制器包含變容器控制位元。
  4. 如請求項1之可程式化變容器裝置,其進一步包含二進制加權控制位元以調整該可程式化變容器裝置。
  5. 一種含一可程式化變容器裝置與一粗調諧電容器組的組件,其包含:複數個二進制加權變容器;一控制器,其用以選擇性地停用該複數個二進制加權變容器中之一或多者以減少該可程式化變容器裝置之一有效電容;其中該粗調諧電容器組,該粗調諧電容器組所包含的實體控制位元在量上比邏輯控制位元多至少一個;其中該粗調諧電容器組係與該可程式化變容器裝置並聯連接。
  6. 如請求項5之含一可程式化變容器裝置與一粗調諧電容器組的組件,其中該粗調諧電容器組包含7個實體控制位元。
  7. 如請求項5之含一可程式化變容器裝置與一粗調諧電容器組的組件,其中該粗調諧電容器組包含8個實體控制位元。
  8. 一種可程式化變容器裝置,其包含:複數個二進制加權變容器;複數個位元,其用以藉由基於一與一目標振盪器頻率成比例之計數器值選擇性地停用該複數個二進制加權變容器中之一或多者來控制該複數個二進制加權變容器以減少該可程式化變容器裝置之一有效電容。
  9. 一種壓控振盪器,其包含:一信號輸出部件,其用以輸出在一頻率下之一信號;一輸入調諧電壓部件,其用以影響該信號之該頻率;及一可程式化變容器裝置,其包含:複數個二進制加權變容器;及複數個控制線,每一控制線對應於該複數個二進制加權變容器中之一者,用以選擇性地停用該複數個二進制加權變容器中之一或多者以維持一增益之一大體上恆定值而不管該頻率之一值,其中該複數個控制線中之一或多者基於一與該頻率成比例之計數器值來選擇性地停用該複數個二進制加權 變容器中之一或多者。
  10. 如請求項9之壓控振盪器,其進一步包含一控制器,該控制器包含變容器位元以控制該複數個控制線。
  11. 如請求項9之壓控振盪器,其進一步包含二進制加權控制位元以調整該可程式化變容器裝置。
  12. 如請求項9之壓控振盪器,其進一步包含一粗調諧電容器組,該粗調諧電容器組所包含的實體控制位元在量上比邏輯控制位元多至少一個。
  13. 一種可程式化變容器裝置,其包含:一固定啟用變容器;複數個二進制加權變容器;複數個控制線,每一控制線對應於該複數個二進制加權變容器中之一者,用以選擇性地停用該複數個二進制加權變容器中之一或多者以減少該可程式化變容器裝置之一有效電容;及變容器位元,其用以基於一與一目標振盪器頻率成比例之計數器值來控制該複數個控制線。
  14. 如請求項13之可程式化變容器裝置,其中該可程式化變容器裝置以一直流耦合直接連接至一儲槽電路。
  15. 如請求項13之可程式化變容器裝置,其中該可程式化變容器裝置以一交流耦合經由一或多個耦合電容器而連接至一儲槽電路。
  16. 如請求項13之可程式化變容器裝置,其中該複數個二進制加權變容器包含三個二進制加權變容器。
  17. 如請求項13之可程式化變容器裝置,其中該複數個控制線包含三個控制線。
  18. 如請求項13之可程式化變容器裝置,其進一步包含二進制加權控制位元以調整該可程式化變容器裝置。
  19. 如請求項13之可程式化變容器裝置,其進一步包含一粗調諧電容器組,該粗調諧電容器組所包含的實體控制位元在量上比邏輯控制位元多至少一個。
  20. 一種可程式化變容器裝置,其包含:用於提供複數個變容器之構件;及用於基於一與一目標振盪器頻率成比例之計數器值控制該複數個變容器以改變該可程式化變容器裝置之一有效電容的構件。
  21. 一種含一可程式化變容器裝置與一粗調諧電容器組的組件,其包含:用於提供複數個變容器之構件;用於控制該複數個變容器以改變該可程式化變容器裝置之一有效電容的構件;及用於粗調諧映射該粗調諧電容器組之構件;其中該粗調諧電容器組係與該可程式化變容器裝置並聯連接。
  22. 一種用於改變一可程式化變容器裝置之一有效電容的方法,該方法包含:提供複數個二進制加權變容器;及基於一與一目標振盪器頻率成比例之計數器值停用該 複數個二進制加權變容器中之一或多者以減少該可程式化變容器裝置之該有效電容。
  23. 一種用於改變一含一可程式化變容器裝置與一粗調諧電容器組的組件之一有效電容的方法,其包含:提供複數個二進制加權變容器;停用該複數個二進制加權變容器中之一或多者以減少該可程式化變容器裝置之該有效電容;及粗調諧映射該粗調諧電容器組;其中該粗調諧電容器組係與該可程式化變容器裝置並聯連接。
  24. 一種用於改變一可程式化變容器裝置之一有效電容的方法,該方法包含:一用於提供複數個二進制加權變容器之步驟;及一用於基於一與一目標振盪器頻率成比例之計數器值停用該複數個二進制加權變容器中之一或多者以減少該可程式化變容器裝置之該有效電容的步驟。
  25. 一種用於改變一含一可程式化變容器裝置與一粗調諧電容器組的組件之一有效電容的方法,其包含:一用於提供複數個二進制加權變容器之步驟;一用於停用該複數個二進制加權變容器中之一或多者以減少該可程式化變容器裝置之該有效電容的步驟;及一用於粗調諧映射該粗調諧電容器組之步驟;其中該粗調諧電容器組係與該可程式化變容器裝置並聯連接。
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