TWI405041B - Stage device and exposure device - Google Patents

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TWI405041B
TWI405041B TW094142000A TW94142000A TWI405041B TW I405041 B TWI405041 B TW I405041B TW 094142000 A TW094142000 A TW 094142000A TW 94142000 A TW94142000 A TW 94142000A TW I405041 B TWI405041 B TW I405041B
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柴崎祐一
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Description

載台裝置及曝光裝置
本發明，係關於載台裝置及曝光裝置，尤其是關於利用電氣用力來進行既定處理時所使用的載台裝置及曝光裝置。
本發明，係根據2004年12月1日申請之日本特願2004－348682號主張優先權，將其內容援用於此。
以往，為半導體元件製程之一的微影製程中，係使用將形成於光罩或標線片(以下，總稱為光罩)之電路圖案，轉印至塗布有光阻劑(感光劑)之晶圓或玻璃板等感光基板上的各種曝光裝置。
例如，作為半導體元件用之曝光裝置，因應近年來積體電路之高積體化所伴隨之圖案最小線寬(元件法則)之微細化，主要係使用以投影光學系統將標線片之圖案縮小轉印至晶圓上的縮小投影曝光裝置。
上述曝光裝置中，由於係在對晶圓上之一照射區域進行曝光後，反覆對其他照射區域依序進行曝光者，因此會因晶圓載台(在步進器之情形)、或標線片載台及晶圓載台(在掃描步進器之情形)之移動所產生的振動等，使投影光學系統與晶圓等之相對位置產生誤差，導致圖案轉印至晶圓上與設計值不同的位置，且當該位置誤差包含振動成分時，即會有像模糊(圖案線寬之增大)的可能性。
通常，由於在上述載台連接有：用以將電力供應至配置於載台內部之馬達等驅動機構的纜線、用以冷卻馬達之冷卻液配管、用以將載台保持在既定溫度之冷卻液配管、用以對設於基板裝載面之真空吸附孔進行真空排氣的真空管線等、以及用以供應各種力量之作用力供應構件(以下，將此等纜線及管線總稱為纜線類)，因此有可能因隨著載台之移動賦予拉伸力，或因其反作用力產生微振動，而使上述圖案轉印精度降低。
因此，專利文獻1中已揭示了一種構成，係於載台裝載蓄電池，當載台來到晶圓交換位置時，使設於底座構造體側之送電端子部與設於載台側之受電端子部接觸，將送電端子部所供應之電流透過受電端子部來對蓄電池進行充電，而當載台離開晶圓交換位置時，即使用蓄電池之電力來進行既定處理。
【專利文獻1】日本特開平10－270535號公報
然而，上述習知技術卻存在有以下之問題。
載台有時在既定處理中會帶有靜電，而會因靜電之放電對附設於載台之機器造成不良影響，或亦有可能使形成於晶圓之圖案受損。
本發明考量上述情形，其目的在提供一種可排除因纜線類之連接所產生之振動等的不良情形、且能抑制因靜電產生之不良影響的載台裝置及曝光裝置。
為達成上述目的，本發明，係採用對應實施形態所示之圖1至圖10的以下構成。
本發明之載台裝置，係具有保持物體(W)並進行移動之第1移動載台(WST)的載台裝置(ST)，其特徵在於，具有：電氣接點(115)，係設於第1移動載台(WST)；以及接地裝置(100)，係在未對物體(W)施以處理時抵接於電氣接點(115)，以將第1移動載台(WST)接地者。
據此，本發明之載台裝置，即使第1移動載台(WST)帶有靜電時，在未對物體(W)施以處理之期間，藉由接地裝置(100)之抵接從電氣接點(115)釋放靜電，而能抑制靜電積存於第1移動載台(WST)。又，接地裝置(100)，由於在未對物體(W)施以處理時並未抵接於第1移動載台(WST)，因此能防止對載台之動態特性、静態特性造成不良影響。
又，本發明之曝光裝置，係使用載台裝置將圖案曝光至基板(W)之曝光裝置(EX)，其特徵在於：作為該載台裝置，係使用上述之載台裝置(ST)。
據此，本發明之曝光裝置，由於能在不連接用以除去靜電之配線之狀態下驅動第1移動載台(WST)來實施曝光處理，因此能防止起因於配線之振動等所導致的圖案轉印精度下降，且由於可順利地釋放第1移動載台(WST)之靜電，因此能防止附設機器及基板等之物體受損。
又，本發明之曝光方法，係使用保持基板並進行移動之載台裝置來將圖案曝光至該基板，其特徵在於，具有：將該載台裝置接地之步驟；於該接地結束後，從該載台裝置將曝光完成之基板予以回收之步驟；以及於該未曝光之基板裝載結束後，將該載台裝置之接地解除之步驟。據此，可有效地釋放在交換基板交換時所產生的靜電。
另外，為使本發明之說明易於理解，而對應一實施例所示圖式之符號進行說明，但本發明當然並非限定於實施例者。
本發明，能防止因靜電之放電而對附設於載台之機器造成不良影響，且能防止形成於物體之圖案受損。又，本發明，亦能排除因連接有纜線而振動等使圖案轉印精度下降的要因。
以下，參照圖1至圖11說明本發明載台裝置及曝光裝置之實施形態。圖1，係顯示本發明一實施形態之曝光裝置概略構成的側視圖。圖1所示之曝光裝置EX係一步進掃描方式之掃描曝光型曝光裝置，其係相對投影光學系統PL，一邊使作為光罩之標線片R與作為基板之晶圓(物體)W相對移動、一邊將形成於標線片R之圖案逐一轉印至晶圓W上。
另外，以下說明中，在有需要之情形下，係於圖中設定XYZ正交座標系統，並參照該XYZ正交座標系統來說明各構件之位置關係。圖1所示之XYZ正交座標系統，係將X軸及Y軸設定成含於與晶圓W之移動面平行的面，Z軸則設定為沿投影光學系統PL之光軸AX的方向。此外，本實施形態中，係將標線片R及晶圓W同步移動之方向(掃描方向)設定為Y方向。
如圖1所示，本實施形態之曝光裝置EX，具備：照明光學系統ILS；標線片載台RST，用以保持作為光罩之標線片R；投影單元PU；載台裝置ST，具有作為用以保持晶圓W(作為基板)之基板載台的晶圓載台WST與測量載台MST、以及上述構件之控制系統。照明光學系統ILS，係藉由照明光IL(曝光用光)以大致均一之照度，照明受未圖示標線片遮簾規定之標線片R上的狹縫狀照明區域。此處，作為照明光IL，例如使用ArF準分子雷射光(波長193nm)。
在圖案面(圖1之－Z側的面)形成有圖案之標線片R，例如係藉由真空吸附而保持於標線片載台RST上。標線片載台RST，例如可藉由包含線性馬達之標線片載台驅動部11(圖1中未圖示，參照圖7)，來在與照明光學系統ILS之光軸垂直的XY平面內微幅驅動，且能以所指定之掃描速度驅動於掃描方向(Y方向)。
標線片載台RST之載台移動面內的位置(包含繞Z軸之旋轉)，係藉由雷射干涉儀(以下稱標線片干涉儀)12，透過移動鏡13(實際上係設有具有與Y軸正交之反射面的Y移動鏡、以及具有與X軸正交之反射面的X移動鏡)以例如0.5~1nm左右之分解能力隨時檢測。該標線片干涉儀12之測量值輸出至主控制裝置20(圖1中未圖示，參照圖7)，主控制裝置20，即根據該標線片干涉儀12之測量值，算出標線片載台RST之X方向、Y方向及θ Z方向(繞Z軸旋轉之旋轉方向)的位置，且根據該算出結果來控制標線片載台驅動部11，藉此控制標線片載台RST之位置(及速度)。
於標線片載台RST上方，在X軸方向相距既定距離設有一對由使用曝光波長光線之TTR(Through The Reticle)對準系統構成的標線片對準檢測系統14A,14b。標線片對準檢測系統14A,14b，係透過投影光學系統PL同時觀察標線片R上之一對標線片對準標記及與其對應之測量載台MST上的一對基準標記(以下稱為「第1基準標記」)。作為此等標線片對準檢測系統14A,14b，例如係使用特開平7－176468號公報(對應美國專利第5,646,413號)等所揭示者相同構成的裝置。
投影單元PU，包含鏡筒15、以及以既定位置關係保持於鏡筒15內之複數個光學元件的投影光學系統PL。作為投影光學系統PL，例如係使用由具有在Z方向為共同之光軸AX的複數個透鏡(透鏡元件)所構成的折射光學系統。
又，在保持投影單元PU之保持構件設有離軸型對準系統45，用以測量對象標記(形成於晶圓W之對準標記等)之位置。
又，本實施形態之曝光裝置EX，為了進行適用液浸法之曝光，係在構成投影光學系統PL之最像面側(晶圓W側)之光學元件的透鏡(以下亦稱為前端透鏡)GL附近，設有構成液浸裝置17之液體供應嘴18a與液體回收嘴18b。
作為上述液體，此處係使用可使ArF準分子雷射光(波長193nm之光)透射的超純水(以下，除特別必要情況外，僅記述為「水」)。超純水，具有在半導體製造工廠等能容易地大量獲得且對塗布於晶圓上之光阻或光學透鏡等無不良影響的優點。此處，水之折射率n為大致1.44。於該水中，照明用光IL之波長被縮短至193nm×1/n＝約134nm。
液體供應嘴18a係根據來自主控制裝置20之指示將水供應至前端透鏡GL與晶圓W之間。此外，液體回收嘴18b係根據來自主控制裝置20的指示從前端透鏡GL與晶圓W之間將水回收。
如以上說明，本實施形態之曝光裝置所具備的液浸裝置17，係一包含液體供應嘴18a及液體回收嘴18b等所構成的局部液浸裝置。此外，當測量載台MST位於投影單元PU下方時，亦可與上述同樣地將水充滿於測量平台MTB與前端透鏡GL之間。
載台裝置ST，例如係由配置於半導體工廠之地面FL上的鑄框FC、設於鑄框FC上之底座21、配置於底座21上方且可沿底座21之上面(移動面)21a移動的晶圓載台(第1移動載台)WST及測量載台MST、包含用以檢測出上述載台WST,MST位置之干涉儀22,23的干涉儀系統24(參照圖7)、以及用以驅動載台WST,MST之載台驅動部25(參照圖7)所構成。上述之晶圓載台WST，係為了將標線片R之圖案曝光轉印至晶圓W，而保持晶圓W來移動者。另一方面，測量載台MST，係在晶圓載台WST為了交換晶圓W而位於裝載位置之期間，位於投影光學系統PL下方以進行各種測量者。
其次，詳細說明載台裝置ST之構成。圖2，係顯示載台裝置ST之構成的立體圖。如圖2所示，鑄框FC，係由一體形成有突部FCa,FCb之概略平板狀構成，該突部FCa,FCb係在X方向的一側與另一側之端部附近以Y方向為長邊方向往上方突出。底座(固定盤)21，係配置於鑄框FC之突部FCa,FCb所夾的區域上。底座21之上面21a，其平坦度作成極高，且作為晶圓載台WST及測量載台MST沿XY平面移動時的引導面。
晶圓載台WST係以陶瓷等非導電性材料形成，如圖2所示，具備配置於底座21上之晶圓載台本體26、以及裝載於晶圓載台本體26上之晶圓平台WTB。晶圓載台本體26係由截面矩形框狀且延伸於X方向之中空構件構成。於該晶圓載台本體26下面，設有如本發明申請人先前申請之日本特願2004－215439號所記載的自重消除機構。該自重消除機構具有：支撐部，係對伸縮管施加內壓來支撐晶圓載台WST；以及氣壓軸承部，係與作為引導面之移動面21a對向，用以使晶圓載台WST相對於移動面21a懸浮。
又，晶圓載台WST，具備：第1驅動系統27，係將晶圓載台本體26以長動程驅動於X方向，且微幅驅動於Y方向、Z方向、θ x(繞X軸旋轉之旋轉方向)、θ y(繞Y軸旋轉之旋轉方向)及θ z(繞Z軸旋轉之旋轉方向)；以及第2驅動系統28a,28b，係將晶圓載台本體26及第1驅動系統27以長動程驅動於Y方向。進一步地，晶圓載台WST，具備：管狀載體(第2移動載台)29，係於X方向進行等速運動；氣體系統供應裝置155(作用力供應裝置；參照圖3A及圖3B)，係將真空或空氣等之作用力從管狀載體29以非接觸方式傳遞至晶圓載台本體26；電氣系統供應裝置100(接地裝置；參照圖5)，係將電力等作用力從管狀載體29供電至晶圓載台本體26，並使晶圓載台本體26(晶圓載台WST)接地。
此處，管狀載體29於X方向作等速運動，係為了減少因管狀載體29之驅動所產生之反作用力對晶圓載台本體26帶來的影響。
在管狀載體29內部形成有未圖示之供氣管路及排氣管路。在該等各供氣管路及排氣管路之一端，連接有供氣管203、排氣管204之一端。此外，於各供氣管路及排氣管路之各另一端，透過未圖示之連接器連接有供應管241b、真空管241a(參照圖3A)之各一端。供應管241b、真空管241a之另一端分別連接於氣體系統供應裝置155。
又，此等供氣管路及排氣管路之各另一端，係連接於設在載台裝置ST外部之氣體供應裝置201及真空吸引裝置202(參照圖7)。
氣體系統供應裝置155，係將自氣體供應裝置201透過供氣管203、管狀載體29、以及供應管241b供應之加壓氣體(流體)，透過供應管270A供應至晶圓載台WST，且自真空吸引裝置202透過排氣管204、管狀載體29、以及真空管241a供應之負壓，透過真空管270B供應至晶圓載台WST。
該氣體系統供應裝置155，具備：一對板狀固定構件231A,231B，係固定於晶圓載台本體26之＋Y側的側面26a；第1單元251，係如圖4所示，具有於其長邊方向兩端固定有固定構件231A,231B之以X軸方向為長邊方向的圓柱狀構件232；第2單元252，具有以可在X軸方向移動自如之方式安裝於圓柱狀構件232外周的圓筒狀構件234；第3單元253，係依序連接於該第2單元252；以及Z支撐構件239。
第2單元252，具有上述圓筒狀構件234、固定於該圓筒狀構件234之長邊方向之中央部外側的安裝構件235、以及固定於該安裝構件235之＋Y側端面之延伸於Y軸方向的圓柱狀構件236。圓筒狀構件234，具有僅較圓柱狀構件232之外徑稍大的內徑，圓柱狀構件232係以在全周形成有既定間隔之狀態插入其內部。藉此，圓柱狀構件232，可相對圓筒狀構件234自由地移動於X軸方向及繞X軸旋轉之旋轉方向。
第3單元253，具有：Y支撐構件237，係設於圓柱狀構件236之＋Y側端部附近之具有大致立方體外形；以及圓柱狀構件238，係沿Z軸方向固定於該Y支撐構件237之下面(－Z側面)。圓柱狀構件236以在全周形成有既定間隔之狀態插入Y支撐構件237。藉此，Y支撐構件237，係將圓柱狀構件236支撐成可於Y軸方向及繞Y軸周圍移動自如。
Z支撐構件239具有大致長方形之外形，＋Y側端面239c固定在管狀載體29之－Y側端面。圓柱狀構件238以在全周形成有既定間隔之狀態插入Z支撐構件239。藉此，Z支撐構件239，可將圓柱狀構件238支撐成可於Z軸方向及繞Z軸周圍移動自如。
該氣體系統供應裝置155具有流體供應用流路(未圖示)，用以將自氣體供應裝置201透過供氣管203、管狀載體29內的供氣管路、以及供應管241b所供應之加壓氣體，從形成於固定構件231A之流路231Aa導入供應管270A。該流體供應用流路係形成為依序連通圓柱狀構件238、Y支撐構件237、圓柱狀構件236、安裝構件235、圓筒狀構件234以及圓柱狀構件232內部。藉此，自氣體供應裝置201供應之加壓氣體，係依序通過供氣管203、管狀載體29內之供氣管路、供應管241b、氣體系統供應裝置155之流體供應用流路、流路231Aa、以及供應管270A之後，導入晶圓載台WST以作為作用力。
又，流體供應用流路內之加壓氣體，其一部分分別排出至圓柱狀構件238與Z支撐構件239之間隙、Y支撐構件237與圓柱狀構件236之間隙、圓筒狀構件234與圓柱狀構件232之間隙，藉此來發揮一種氣體靜壓軸承的功能，亦即以加壓氣體之靜壓(亦即間隙內壓力)使形成間隙之構件彼此以非接觸方式支撐成可自由地移動於各軸方向及繞軸旋轉之旋轉方向。
另一方面，氣體系統供應裝置155具有真空用流路(未圖示)，用以將自真空吸引裝置202透過排氣管204、管狀載體29內之排氣管路、以及真空管241a所供應之負壓，從形成於固定構件231A之流路231Ab供應至真空管270B。該真空用流路係形成為依序連通圓柱狀構件238、Y支撐構件237、圓柱狀構件236、安裝構件235、圓筒狀構件234以及圓柱狀構件232之內部。藉此，自真空吸引裝置202供應之負壓，即依序通過排氣管204、管狀載體29內之排氣管路、真空管241a、氣體系統供應裝置155之真空用流路、流路231Ab、以及真空管270B之後，導入晶圓載台WST來作為作用力，而用於後述之升降銷CT及晶圓保持具40之晶圓W的吸附等。
又，真空用流路，其一部分分別開口於圓柱狀構件238與Z支撐構件239之間隙、Y支撐構件237與圓柱狀構件236之間隙、圓筒狀構件234與圓柱狀構件232之間隙，且產生從各間隙往真空用流路之氣流，藉由該氣流所產生的負壓，吸引供應至各間隙之加壓氣體，藉由該吸引力，使加壓氣體迅速地流遍各圓柱狀構件之周方向整體，且在各個間隙內經常維持一定量的加壓氣體。
如上所述，在氣體系統供應裝置155所連接之晶圓載台本體26(晶圓載台WST)與管狀載體29，係在以非接觸方式支撐成可自由地移動於X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、繞X軸之旋轉方向、繞Y軸之旋轉方向、繞Z軸之旋轉方向之6自由度(6DOF)方向的狀態下供應加壓氣體及負壓。
此外，上述氣體系統供應裝置155，作為作用力供應裝置，係詳細地記載於本案申請人先前申請之日本特願2004－168481號。
接著，說明電氣系統供應裝置100。
圖5，係與晶圓載台本體26之＋Y側側面對向設有電氣系統供應裝置100的前視圖，圖6係顯示要部詳細之俯視圖。此外，該等圖中，為了更容易理解，係省略氣體系統供應裝置155之圖式。
電氣系統供應裝置100，主要係由氣缸等的直動型致動器101、設於致動器101之頭部102的底座部103、以及設於底座部103之供電件104及接地用接觸件(接觸件)105構成。
致動器101，係設於管狀載體29之－Y側的側面，在主控制裝置20之控制下，使與XZ平面平行之板狀頭部102沿Y軸方向進退自如地相對晶圓載台本體26移動。底座部103係透過平面軸承(吸收機構)106支撐於頭部102，構成為可相對頭部102在XZ平面內(與朝向晶圓載台本體26之Y軸方向大致正交的面內)以微小動程移動。
供電件104，藉由彎折具導電性之金屬製薄板，而構成突片部104a(自底座部103往晶圓載台本體26傾斜延伸)與抵接部104b(呈C字狀形成於突片部104a之前端)具有可撓性而可設置成可彈性變形於Y軸方向，如圖6所示，抵接部104b係配置在與設於晶圓載台本體26之側面26a的供電用電氣接點(第2電氣接點)114對向的位置。供電用電氣接點114係連接於裝載在晶圓載台本體26之未圖示蓄電池，於該蓄電池積存有作為作用力之電力。
又，供電件104係透過連接於管狀載體29之供電配線107與連接於主控制裝置20之供電裝置108(圖5及圖6中未圖示，參照圖7)連接。
接地用接觸件105係與供電件104同樣地，藉由彎折具導電性之金屬製薄板，而構成突片部105a(自底座部103往晶圓載台本體26傾斜延伸)與抵接部105b(呈C字狀形成於突片部105a之前端)具有可撓性而可設置成可彈性變形於Y軸方向，如圖6所示，抵接部105b係配置在與設於晶圓載台本體26之側面26a的接地用電氣接點(電氣接點)115對向的位置。該接地用接觸件105係透過連接於管狀載體29之接地配線109而連接在設於載台裝置ST外部之接地部(接地部；電位0V部)110。
又，如圖6所示，接地用接觸件105之抵接部105b，設置成較供電件104之抵接部104b更朝－Y側突出，接地用電氣接點115與抵接部105b之間的距離，亦較供電用電氣接點114與抵接部104b之間的距離設定的更短。
如上所述，本實施形態中，雖於管狀載體29連接有供應管、真空管、以及電氣配線等之纜線，但在晶圓載台WST(晶圓載台本體26)則未連接有任何來自外部的纜線、配管(除了供應管270A、真空管270B之類一體固定於晶圓載台WST的纜線、配管以外)。亦即，晶圓載台為不具纜線之無纜線載台。
圖3A及圖3B，係用以說明設於晶圓載台WST之第1驅動系統27的立體圖。如圖3A所示，於晶圓載台本體26之＋X方向端面設有3個開口30a~30c，於晶圓載台本體26之－X方向的端面則設有對應各開口30a~30c之未圖示的3個開口。在開口30a設有作為Y軸用可動件之一對永久磁鐵31a,31b。又，於開口30b設有作為X軸用可動件之一對永久磁鐵32a,32b，同樣地於開口30c設有作為X軸用可動件之一對永久磁鐵32c,32d。
另一方面，如圖3B所示，透過開口30a以沿X方向貫通晶圓載台本體26之方式設有具備複數個線圈的Y軸用固定件33，透過各開口30b,30c以沿X方向貫通晶圓載台本體26之方式設有具備複數個線圈之X軸用固定件34a,34b。上述之Y軸用固定件33，係與設於開口30a之一對永久磁鐵31a,31b相互作動，而將晶圓載台本體26微幅驅動於Y方向。
又，上述X軸用固定件34a,34b，係分別與一對永久磁鐵32a,32b及一對永久磁鐵32c,32d相互作動，而將晶圓載台本體26以長動程驅動於X方向。進一步地，藉由使上述之一對永久磁鐵32a,32b與X軸用固定件34a所產生的勞倫茲力(Lorentz force)、以及上述之一對永久磁鐵32c,32d與X軸用固定件34b所產生的勞倫茲力互異，即可使晶圓載台本體26旋轉於θ z方向。亦即，第1驅動系統27，具備由X軸用固定件34a與一對永久磁鐵32a,32b構成之動磁型線性馬達、以及由X軸用固定件34與一對永久磁鐵32c,32d構成之動磁型線性馬達。此外，此處雖以具備動磁型線性馬達之情形為例來說明，但亦可係具備移動線圈型線性馬達。此外，如上所述，晶圓載台WST，係在X方向之移動方面為不具有引導其移動之引導構件的無導件載台。
再者，如圖3A所示，於晶圓載台本體26下方設有作為Z軸用可動件之四個永久磁鐵35a~35d(永久磁鐵35d之圖示省略)。又，如圖3B所示，與永久磁鐵35a,35b對應設有具備複數個線圈之延伸於X方向的Z軸固定件36a，與永久磁鐵35c,35d對應設有具備複數個線圈之延伸於X方向的Z軸固定件36b。此等Z軸固定件36a,36b，係用以分別與永久磁鐵35a,35b及永久磁鐵35c,35d相互作動而產生朝Z方向之驅動力。藉由控制供應至設於Z軸固定件36a,36b之線圈的電流，而可將晶圓載台本體26驅動於Z方向、θ x、θ y方向。又，為了將管狀載體29驅動於X方向，亦設有延伸於X方向之固定件37。此外，上述之Y軸用固定件33、X軸用固定件34a,34b、Z軸固定件36a,36b、以及固定件37，其各自之兩端係分別固定在構成第2驅動系統28a,28b之可動件39a,39b。
回到圖2，在鑄框FC之突部FCa,FCb的上方，分別設有構成第2驅動系統28a,28b之延伸於Y方向的Y軸用固定件38a,38b。該等Y軸用固定件38a,38b係藉由分別設於其下面之未圖示氣體靜壓軸承、例如空氣軸承來透過既定間隔懸浮支撐於突部FCa,FCb上方。此係由於藉由晶圓載台WST及測量載台MST之Y方向的移動所產生的反作用力，固定件38a,38b會作為Y方向之Y平衡塊朝反方向移動，而利用運動量保存之法則將該反作用力抵銷。
在此等固定件38a,38b之間配置有圖3A及圖3B所說明之晶圓載台本體26等，固定於圖3B所示之Y軸用固定件33、X軸用固定件34a,34b、Z軸固定件36a,36b及固定件37之各兩端的可動件39a,39b，係分別插入固定件38a,38b之內側。固定件38a,38b具備沿Y方向排列之永久磁鐵，可動件39a,39b則具備沿Y方向排列之線圈。亦即，第2驅動系統28a,28b具備將晶圓載台WST驅動於Y方向之移動線圈型線性馬達。另外，此處雖例舉說明具備移動線圈型線性馬達之情形，但亦可具備動磁型線性馬達。
在晶圓平台WTB上設有可將晶圓W保持成可拆裝之晶圓保持具(保持部)40。晶圓保持具40係以Si－SiC等導電性材料形成，具備板狀本體部、以及固定於該本體部上面且其中央形成有較晶圓W直徑大的圓形開口之具撥液性(撥水性)的輔助板。晶圓保持具40係藉由未圖示配線電性連接於上述接地用電氣接點115。
在輔助板之圓形開口內部的本體部區域，配置有多數(複數)個銷，藉由該多數個銷以支撐晶圓W之狀態來真空吸附。此時，在真空吸附晶圓W之狀態下，該晶圓W之表面係與輔助板之表面的高度形成為大致相同高度。此外，亦可不設置輔助板，而對晶圓平台WTB表面賦予撥液性。
又，於晶圓載台WST，設有以上述蓄電池之電力為驅動源而貫通晶圓保持具40進行昇降的升降銷(center up)CT(參照圖7)。升降銷CT係藉由透過氣體系統供應裝置155所供應之負壓來對晶圓W進行吸附保持及吸附解除者。升降銷之昇降動作及升降銷對晶圓W之吸附動作係由主控制裝置20控制。
又，如圖2所示，於晶圓平台WTB之X方向一端(＋X側端)，藉由鏡面加工形成有正交(沿伸於Y方向)於X方向之反射面41X，於Y方向一端(＋Y側端)，亦同樣地藉由鏡面加工而形成有正交(沿伸於X方向)於Y方向的反射面41Y。對此等反射面41X,41Y分別投射來自構成干涉儀系統24(參照圖7)之X軸干涉儀42,43、Y軸干涉儀44,44a的干涉儀光束(光束)，以測量晶圓載台WST(亦即晶圓W)在X軸方向的位置及Y軸方向的位置。此外，圖2所示之X軸干涉儀42,43及Y軸干涉儀44,44a，於圖1中係彙整圖示為干涉儀23。
X軸干涉儀42，可在各Y方向之投影中心位置及對準中心位置測量晶圓平台WTB或測量平台MTB之X方向的位置。Y軸干涉儀44具有平行於Y軸的測距軸，主要為檢測晶圓平台WTB之Y方向的位置，且在為了交換晶圓W而晶圓載台WST位於裝載位置之期間，檢測測量平台MTB之Y方向的位置。上述X軸干涉儀43及Y軸干涉儀44a，係在為了交換晶圓W而晶圓載台WST位在裝載位置之期間，輔助檢測晶圓載台WST在XY面內的位置。
測量載台MST，除了管狀載體29、氣體系統供應裝置155以及電氣系統供應裝置100外，係大致為與晶圓載台WST相同的構成。亦即，如圖2所示，具備配置於底座21上之測量載台本體46、以及裝載於測量載台本體46上之測量平台MTB。又，具備：第1驅動系統47，係將測量載台本體46以長動程驅動於X方向，且微幅驅動於Y方向、Z方向、θ x、θ y、θ z；以及第2驅動系統48a,48b，係將測量載台本體46及第1驅動系統47以長動程驅動於Y方向。測量載台本體46係由截面矩形框狀且延伸於X方向之中空構件所構成。
又，測量載台MST具備用以進行有關曝光之各種測量的測量器群。
測量平台MTB，其上面具有撥液性(撥水性)。於測量平台MTB之Y方向一端(＋Y側端)，藉由鏡面加工形成有正交(沿伸於X方向)於Y方向之反射面50。進一步地，於測量平台MTB之X方向的一端(＋X側端)，藉由鏡面加工形成有正交(沿伸於Y方向)於X方向之反射面51X，於Y方向的一端(－Y側端)，同樣地藉由鏡面加工形成有正交(沿伸於X方向)於Y方向之反射面51Y。在晶圓載台WST為了交換晶圓W而位在裝載位置之期間，對反射面50投射用以檢測測量平台WST之Y方向的位置之來自Y軸干涉儀44的干涉儀光束(光束)。又，對反射面51X,51Y，分別投射來自構成干涉儀系統24(參照圖7)之X軸干涉儀42、Y軸干涉儀52的干涉儀光束(光束)，來測量測量平台MTB之X軸方向的位置及Y軸方向的位置。Y軸干涉儀52，係與Y軸干涉儀44同樣地，在晶圓載台WST為了交換晶圓W而位在裝載位置之期間外，檢測出測量平台MTB之Y方向的位置。此外，圖2所示之X軸干涉儀42及Y軸干涉儀52，係於圖1彙整圖示為干涉儀22。
圖7，係顯示曝光裝置EX之控制系統構成的方塊圖。圖7所示之控制系統係以主控制裝置20為中心所構成，該主控制裝置20係由統籌控制曝光裝置EX整體動作之微電腦(或工作站)構成。此外，於主控制裝置20連接有記憶體65、CRT(Cathode Ray Tube)顯示器(或液晶顯示器)等之顯示器66。記憶體65係儲存控制曝光裝置EX之動作所必要的資訊，例如進行基線量、EGA運算所得之照射排列、曝光量之履歷等，顯示器66則係顯示用以表示從主控制裝置20輸出之曝光裝置EX之裝置狀態的資訊及錯誤資訊等的各種資訊。
其次，說明上述構成之曝光裝置EX中晶圓載台WST與測量載台MST之平行處理動作，其亦包含對晶圓載台WST之接地動作及供電動作。圖8A、圖8B、圖9係用以說明晶圓載台WST與測量載台MST之平行處理動作的俯視圖。又，圖11係說明晶圓載台WST之接地動作及供電動作的流程圖。
圖8A係顯示對保持於晶圓載台WST上之晶圓W(此處為例如1批量之最後晶圓)進行步進掃描方式之曝光之狀態的俯視圖。如圖8A所示，於投影光學系統PL下方(－Z方向)配置有晶圓載台WST，測量載台MST係在不與晶圓載台WST碰撞(接觸)之－Y方向的既定待機位置待機。對晶圓W之曝光動作，係籍由主控制裝置20，根據事前進行之例如EGA(加強型全晶圓對準)等之晶圓對準結果及最新之對準系統45之基線量的測量結果等，反覆進行照射間移動動作(使晶圓載台WST往用以使晶圓W上之各照射區域曝光的掃描開始位置(加速開始位置)移動)與掃描曝光動作(以掃描曝光方式對各照射區域轉印形成於標線片R的圖案)，藉此來進行。
此外，此處，係在進行曝光動作前預先將電力充電至裝載於晶圓載台WST之蓄電池。又，電氣系統供應裝置100，係如圖6所示，藉由將致動器101設定成後退狀態，而在供電件104與供電用電氣接點114分離、且接地用接觸件105與接電用電氣接點155為分離之狀態下，進行照射間移動動作與掃描曝光動作。
此處，上述晶圓載台WST所移動之照射間移動動作，係一邊使主控制裝置20監測X軸干涉儀42及Y軸干涉儀44之檢測值，一邊控制設於晶圓載台WST之第1驅動系統27及第2驅動系統28a,28b的驅動，藉此來進行。又，上述掃描曝光係藉由下述方式來實現，亦即一邊使主控制裝置20監測X軸干涉儀42與Y軸干涉儀44及標線片干涉儀12之檢測值，一邊控制標線片載台驅動部11及第1驅動系統27與第2驅動系統28a,28b之驅動，在Y方向相對掃描標線片R(標線片載台RST)與晶圓W(晶圓載台WST)，在其掃描中之加速結束後與開始減速前之期間的等速移動時，相對照明光IL之照明區域使標線片R(標線片載台RST)與晶圓W(晶圓載台WST)於Y方向進行等速同步移動。此外，上述曝光動作，係在前端透鏡GL與晶圓W間保持水Lq之狀態下來進行。
上述照射間移動動作及掃描曝光動作中，晶圓W藉由從真空吸引裝置202透過氣體系統供應裝置155所供應之負壓而吸附保持於晶圓保持具40。又，在照射間移動動作之期間，由於管狀載體29係等速移動於X軸方向，因此雖與進行加減速之晶圓載台WST具有無法以良好精度追隨的區間，但由於圓筒狀構件234於X軸方向將圓柱狀構件232以非接觸方式支撐成移動自如，因此並不會對晶圓載台WST施加來自氣體系統供應裝置155之力。同樣地，即使晶圓載台WST驅動至X軸方向或Z軸方向(進一步地亦包含繞X軸之方向、繞Y軸之方向、繞Z軸之方向)時，亦不會對晶圓載台WST施加張力等來自氣體系統供應裝置155之力。
當對保持於晶圓載台WST上之晶圓W的曝光結束時，主控制裝置20即根據Y軸干涉儀52之檢測值，來控制設於測量載台MST之第1驅動系統47及第2驅動系統48a,48b的驅動，使測量載台MST(測量平台MTB)移動至圖8B所示之位置。圖8B係顯示測量平台MTB之＋Y側面與晶圓保持具40(輔助板)之－Y側面接觸之狀態的圖。此外，圖8A及圖8B所示之例中，在測量平台MTB與晶圓保持具(輔助板)接觸之前雖未檢測測量載台MST之X方向的位置，但最好係具備用以檢測該狀態時之測量平台MTB之X方向位置的輔助性雷射干涉儀。又，此處，雖例舉說明使測量平台MTB之＋Y側面與晶圓保持具(輔助板)之－Y側面接觸之情況，但亦可監測干涉儀44,52之測量值，使測量平台MTB與晶圓平台WTB在Y方向分離例如300μm左右(水不會因表面張力而漏出之間隙)來維持非接觸狀態。
其次，主控制裝置20係一邊保持晶圓平台WTB與測量平台MTB之Y方向的位置關係，一邊開始將兩載台WST，MST驅動於＋Y方向之動作。如上述方式，當藉由主控制裝置20將晶圓載台WST與測量載台MST同時驅動時，在圖8A之狀態中，保持在設於投影單元PU之前端透鏡GL與晶圓W間的水Lq，隨著往晶圓載台WST及測量載台MST之＋Y方向移動，而依序在晶圓W、晶圓保持具40、測量平台MTB上移動。此外，上述移動中，晶圓平台WTB與測量平台MTB係保持相互接觸之位置關係。
其次，主控制裝置20根據X軸干涉儀43及Y軸干涉儀44a之檢測值，一邊管理晶圓載台WST之位置一邊控制設於晶圓載台WST之第1驅動系統27及第2驅動系統28a,28b的驅動，使晶圓載台WST移動至圖9所示之既定裝載位置(物體交換位置)(步驟S100，參照圖11)，且視情況執行使用在與前端透鏡GL間保持有水之測量載台MST的既定測量。作為該測量，例如可例舉在標線片載台RST上之標線片交換後所進行之對準系統45之基線量的測量。此外，裝載位置亦可設定於圖9之－X側。
雖對位於裝載位置之晶圓載台WST進行交換成下一批量之最初晶圓的動作，但主控制裝置20係在使用升降銷CT使晶圓W從晶圓保持具40脫離之前，驅動致動器101以使頭部102往晶圓載台WST(晶圓載台本體26)前進。此時，電氣系統供應裝置100中，由於接地用接觸件105之抵接部105b較供電件104之抵接部104b突出，因此如圖10A所示，在供電件104之抵接部104b抵接於供電用電氣接點114前，接地用接觸件105即抵接於接地用電氣接點115(步驟S101)。藉此，晶圓載台本體26或晶圓保持具40即接地，且即使係帶電之情況，亦可將靜電從接地用接觸件105透過接地配線109釋放至接地部110。
進一步地，當頭部102前進時，由於供電件104之抵接部104b抵接於供電用電氣接點114，因此可從供電裝置108透過供電配線107將電力充電至蓄電池(步驟S102)。此時，僅增加接地用接觸件105之彈性變形量，即可維持對接地用電氣接點115之抵接(亦即釋放靜電之狀態)。
此處，當供電件104及接地用接觸件105分別抵接於供電用電氣接點114及接地用電氣接點115時，雖會對晶圓載台本體26產生負荷，但施加於晶圓載台本體26之Y軸方向的負荷，係藉由供電件104及接地用接觸件105之彈性變形而被吸收。又，產生於晶圓載台本體26之X軸方向及Z軸方向的負荷，則係支撐供電件104及接地用接觸件105之底座部103藉由平面軸承106而相對致動器101之頭部102在XZ平面內移動，藉此來吸收。
如上所述，在晶圓載台WST及晶圓保持具40呈接地狀態後，解除晶圓保持具40對晶圓W之吸附，且在吸附保持晶圓W之狀態下使升降銷CT上升而脫離晶圓保持具40。然後，將保持於升降銷CT之晶圓W移交至未圖示的晶圓裝載器(步驟S103)。
在使晶圓W脫離晶圓保持具40時，雖有可能產生所謂剝離帶電，但由於具有導電性之晶圓保持具40透過電氣配線連接於接地用電氣接點115來加以接地，因此可將因剝離帶電產生的靜電立即釋放至接地部。
之後，將下一批量之最初的晶圓移交至升降銷CT時，升降銷CT即下降，將晶圓裝載於晶圓保持具且解除吸附，同時開始對晶圓保持具40之吸附保持(步驟S103)。又，即使將新的晶圓裝載至晶圓保持具40時產生靜電之情況，亦可透過接地用接觸件105釋放至接地部110。然後，當晶圓之交換結束，且對蓄電池之充電結束時，主控制裝置20係使致動器101後退，使供電件104及接地用接觸件105分別離開供電用電氣接點114及接地用電氣接點115(步驟S104、S105)。
其後，主控制裝置20係與之前相反地，一邊保持晶圓載台WST與測量載台MST之Y方向的位置關係，一邊將晶圓載台WST與測量載台MST同時驅動於－Y方向，在使晶圓載台WST(晶圓W)移動至投影光學系統PL下方後，使測量載台MST退避至既定位置。接著，主控制裝置20係與上述同樣地，對新的晶圓執行步進掃描方式之曝光動作，將標線片圖案依序轉印至晶圓上之複數個照射區域(步驟S106)。
如上所述，本實施形態中，在晶圓載台WST位於晶圓交換位置時，電氣系統供應裝置100不僅對晶圓載台WST供電，且由於可藉由接地來釋放靜電，因此可排除因連接電氣配線而振動等導致圖案之轉印精度下降的主要原因，且能防止因靜電之放電而對附設於載台之機器帶來不良影響，或使形成於晶圓之圖案受到損傷。尤其是，如本實施形態之液浸型曝光裝置之情況，在進行掃描曝光中液體與基板之間容易產生靜電，因此極須釋放靜電來避免上述不良情況。又，本實施形態中，由於在供電件104抵接於供電用電氣接點114前，使接地用接觸件105抵接於接地用電氣接點115，因此亦能防止對晶圓載台WST供電時產生短路，且能避免形成於附設機器或晶圓之圖案的損傷。
又，本實施形態中，由於在對應晶圓載台WST之移動而移動之管狀載體29設有電氣系統供應裝置100，因此能以短時間迅速地進行對晶圓載台WST之供電及接地，有助於提昇產能。進一步地，本實施形態中，由於設有以非接觸方式對晶圓載台WST供應空氣力之氣體系統供應裝置155，因此可將晶圓載台WST作成完全未連接(不具有)電氣配線及空氣管等纜線之無纜線載台，可排除振動等之干擾，有助於提昇圖案之轉印精度。
除此之外，本實施形態中，在供電件104及接地用接觸件105分別抵接於供電用電氣接點114及接地用電氣接點115時，即使因摩擦等而於晶圓載台WST產生負荷的情形下，由於藉由底座部103利用平面軸承106在XZ平面內移動而被吸收，因此可抑制在晶圓載台WST產生定位誤差。進一步地，本實施形態中，由於在晶圓脫離晶圓保持具40之前，使接地用接觸件105抵接於接地用電氣接點115來加以接地，因此在因晶圓之脫離而產生剝離帶電時，亦能立即釋放靜電。尤其是，本實施形態中，由於晶圓保持具40係以導電性材料形成，因此即使晶圓保持具40為帶電之情況，亦能順利地將靜電排除。
以上，參照圖式說明了本發明之較佳實施形態，但本發明當然並不限於上述例。上述例中所示之各構成構件之各種形狀及組合等僅係一例，在不脫離本發明主旨之範圍內，可根據設計要求等進行各種變更。
例如，上述實施形態中，雖在晶圓載台WST位於晶圓交換位置時使該晶圓載台WST接地，但並不限定於此，亦可在有帶電可能之既定時間經過後，在晶圓載台WST位於曝光位置(或曝光位置附近)時，使接地用接觸件105抵接於接地用電氣接點115來進行接地。又，上述實施形態中，雖係將電氣系統供應裝置100設於管狀載體29之構成，但並不限定於此，亦可係例如設於用以支撐投影單元PU或標線片載台之機體的晶圓交換位置附近，或設於晶圓交換位置附近之底座21。又，將用以抵銷在晶圓載台WST移動於X方向時之反作用力的平衡塊設於晶圓載台WST附近時，亦可在該平衡塊設置電氣系統供應裝置。此時，由於可謀求管狀載體之輕量化，因此能減低管狀載體29之驅動時的發熱，而能排除空氣波動等干擾要因。
又，上述實施形態中，雖係將晶圓載台WST接地之構成，但除此之外，亦能係將測量載台MST接地、或將標線片載台RST接地之構成。
此外，上述實施形態所示之材料(晶圓保持具40之Si－SiC、晶圓載台WST之陶瓷)係為一例，當然亦可使用其他材料。
又，上述實施形態中，用以支撐供電件104及接地用接觸件105之底座部103雖係藉由平面軸承作成能二維移動之構成，但亦可是藉由滾珠來移動的構成。又，本實施形態之晶圓載台WST雖係無纜線載台，但亦可係纜線載台(連接有纜線之載台)。
又，本發明並不限定於上述實施形態，亦可使用於不使用液浸法之曝光裝置。又，上述實施形態中雖例舉說明使用ArF準分子雷射光之情況，但除此之外，例如亦可使用g線(波長436nm)、i線(波長365nm)、或KrF準分子雷射光(波長248nm)、F2 雷射光(波長157nm)、Kr2 雷射光(波長146nm)、YAG雷射光、或半導體雷射之高頻射束。
又，本發明亦能適用於設有複數個晶圓載台的雙載台型曝光裝置。雙載台型曝光裝置之構造及曝光動作，例如已揭示於特開平10－163099號及特開平10－214783號(對應美國專利6,341,007、6,400,441、6,549,69號及6,590,634號)，特表2000－505958號(對應美國專利5,969,441)或美國專利6,208,407號。再者，亦可將本發明適用於本案申請人先前申請之日本特願2004－168481號之晶圓載台。
另外，作為上述各實施形態中保持於移動載台之基板，除了半導體元件製造用之半導體晶圓以外，亦能適用於顯示器元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或在曝光裝置所使用之光罩或標線片的原版(合成石英、矽晶圓)等。作為曝光裝置EX，亦能適用於步進重複方式之投影曝光裝置(步進器)，其係在使未使用液浸法之掃描型曝光裝置、或光罩M與基板P靜止之狀態下，使標線片R之圖案一次曝光，並使晶圓W依序步進移動。又，本發明亦適用於在晶圓W上將至少兩個圖案部份重疊來進行轉印之步進接合方式的曝光裝置。作為曝光裝置EX之種類，並不限於用以將半導體元件圖案曝光於晶圓W之半導體元件製造用曝光裝置，而亦能廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置、或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、標線片、以及光罩等之曝光裝置等。
當於晶圓載台WST或標線片載台RST使用線性馬達(USP5,623,853或USP5,528,18)時，亦可採用使用了空氣軸承之氣浮型及使用了勞倫茲(Lorentz)力或電抗力之磁浮型中的任一型。又，各載台WST、RST，亦可係沿導件移動之類型，或亦可係不設導件之無導件類型。作為各載台WST、RST之驅動機構亦可使用平面馬達，其係使二維配置有磁鐵之磁鐵單元與二維配置有線圈之電樞單元對向，藉由電磁力來驅動各載台WST、RST。此時，只要將磁鐵單元與電樞單元中之任一方連接於載台WST、RST、並將磁鐵單元與電樞單元中之另一方設置於載台WST、RST移動側即可。
因晶圓載台WST之移動所產生的反作用力，亦可如日本特開平8－166475號公報(USP5,528,118)所記載，使用框構件以機械方式釋放至地面(接地)，使其不傳至投影光學系統PL。因標線片載台RST之移動所產生的反作用力，亦可如日本特開平8－330224號公報(USP5,874,820)所記載，使用框構件以機械方式釋放至地面(接地)，使其不傳至投影光學系統PL。
如上所述，本實施形態之曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置之組裝製程前，係有各子系統個別之組裝製程。當各種次系統至曝光裝置之組裝製程結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置整體之各種精度。此外，曝光裝置之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之潔淨室進行。
圖12，係顯示微型元件(IC或LSI等之半導體晶片、液晶面板、CCD、薄膜磁頭、微機器等)之一製程例的流程圖。半導體元件之微元件，如圖12所示，係經由下述步驟所製造，即：進行微元件之功能、性能設計的步驟201、根據此設計步驟製作光罩(標線片)之步驟202、製造構成元件基材之基板的步驟203、藉由前述實施形態之曝光裝置EX將光罩圖案曝光於基板的曝光處理步驟204、元件組裝步驟(包含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)205、檢查步驟206等。
20．．．主控制裝置(控制裝置)
29．．．管狀載體(第2移動載台)
40．．．晶圓保持具
100．．．電氣系統供應裝置(接地裝置)
104．．．供電件
105．．．接地用接觸件(接觸件)
106．．．二維軸承(吸收機構)
114．．．供電用電氣接點(第2電氣接點)
115．．．接地用電氣接點(電氣接點)
155．．．氣體系統供應裝置
EX．．．曝光裝置
R．．．標線片(光罩)
ST．．．載台裝置
W．．．晶圓(基板、物體)
WST．．．晶圓載台(第1移動載台)
圖1，係顯示本發明一實施形態之曝光裝置概略構成的側視圖。
圖2，係顯示載台裝置之構成的立體圖。
圖3A，係用以說明設於晶圓載台之第1驅動系統的立體圖。
圖3B，係用以說明設於晶圓載台之第1驅動系統的立體圖。
圖4，係顯示氣體系統供應裝置之概略構成的立體圖。
圖5，係在管狀載體設有電性系統供應裝置之前視圖。
圖6，係顯示電性系統供應裝置之要部詳細情形的俯視圖。
圖7，係顯示曝光裝置EX之控制系統之構成的方塊圖。
圖8A，係用以說明晶圓載台與測量載台之平行處理動作的俯視圖。
圖8B，係用以說明晶圓載台與測量載台之平行處理動作的俯視圖。
圖9，係用以說明晶圓載台與測量載台之平行處理動作的俯視圖。
圖10A，係顯示電氣系統供應裝置之動作的圖。
圖10B，係顯示電氣系統供應裝置之動作的圖。
圖11，係顯示曝光裝置之動作的流程圖。
圖12，係顯示半導體元件一製程例的流程圖。
26‧‧‧晶圓載台本體
26a‧‧‧+Y側之側面
29‧‧‧管狀載體(第2移動載台)
35a‧‧‧永久磁鐵
40‧‧‧晶圓保持具
100‧‧‧電氣系統供應裝置
101‧‧‧作動裝置
102‧‧‧頭部
103‧‧‧底座部
104‧‧‧供電子
104a,105a‧‧‧突片部
104b,105b‧‧‧抵接部
105‧‧‧接地用接觸件(接觸件)
106‧‧‧平面軸承(吸收機構)
107‧‧‧供電配線
109‧‧‧接地配線
110‧‧‧接地部
114‧‧‧供電用電氣接點(第2電氣接點)
115‧‧‧接地用電氣接點(電氣接點)
WTB‧‧‧晶圓平台
WST‧‧‧晶圓載台

Claims (16)

  1. 一種載台裝置，具有保持物體並進行移動之第1移動載台，其特徵在於具有：電氣接點，係設於該第1移動載台；電氣系統供應裝置，在未對該物體施加處理時抵接於該電氣接點，而與該第1移動載台電性連接；以及基於該第1移動載台之移動而移動的第2移動載台；該電氣系統供應裝置具備抵接於該電氣接點之接觸件、以及調整該接觸件對該第1移動載台之位置以使之與該電氣接點接觸之驅動機構；該電氣系統供應裝置之該驅動機構設於該第2移動載台。
  2. 如申請專利範圍第1項之載台裝置，其中，該接觸件，係在該第1移動載台位於交換該物體之位置時，與該電氣接點抵接。
  3. 如申請專利範圍第1項之載台裝置，其中，該第2移動載台，具備以非接觸方式將作用力供應至該第1移動載台之作用力供應裝置。
  4. 如申請專利範圍第1項之載台裝置，其中，該第1移動載台具有：具有導電性且保持該物體之保持具。
  5. 如申請專利範圍第1項之載台裝置，其中，該接觸件具有可撓性且抵接於該電氣接點。
  6. 如申請專利範圍第5項之載台裝置，其中，具有設於該第1移動載台之第2電氣接點、以及在抵接於該第2 電氣接點時進行供電之供電件；該接觸件，係於該供電件抵接於該第2電氣接點之前，抵接於該電氣接點。
  7. 如申請專利範圍第1項之載台裝置，其中，該接觸件，具有用以在抵接於該電氣接點時吸收作用於該第1移動載台之負荷的吸收機構。
  8. 如申請專利範圍第7項之載台裝置，其中，該吸收機構，係藉由該負荷，在與朝向該第1移動載台之方向大致正交的面內，移動該接觸件。
  9. 如申請專利範圍第1項之載台裝置，其中，該第1移動載台，具有將基板保持成可裝卸之保持部。
  10. 如申請專利範圍第9項之載台裝置，其中，具有在該基板自該保持部脫離前，使該接觸件抵接於該電氣接點之控制裝置。
  11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之載台裝置，其中，該第1移動載台，係不具有纜線之無纜線載台。
  12. 一種曝光裝置，係使用載台裝置將圖案曝光至基板，其特徵在於：作為該載台裝置，係使用申請專利範圍第1至11項中任一項之載台裝置。
  13. 一種曝光方法，係使用保持基板並進行移動之載台裝置來將圖案曝光至該基板，其特徵在於，具有：藉由驅動機構使電氣系統供應裝置所具備之接觸件對設於該載台裝置之電氣接點移動而使之與該電氣接點接 觸，藉此將該載台裝置與該接觸件電性連接的步驟；在該載台裝置與該接觸件的電性連接結束後，從該載台裝置將曝光完成之基板予以回收之步驟；以及於該未曝光之基板裝載結束後，將該載台裝置與該接觸件之電性連接解除之步驟；該驅動機構，係設於基於該載台裝置之移動而移動之第2移動載台而追隨該載台裝置之移動。
  14. 如申請專利範圍第13項之曝光方法，其中，該回收之步驟，包含將曝光完成之基板回收、且將未曝光之基板裝載於該載台裝置上之步驟。
  15. 如申請專利範圍第13項之曝光方法，其中，該載台裝置具備蓄電池，在該電性連接之期間對該蓄電池進行充電。
  16. 如申請專利範圍第15項之曝光方法，其中，該蓄電池之充電，係在該載台裝置與該接觸件電性連接後開始。
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