TWI404116B - 承載器控制 - Google Patents

Description

承載器控制

本發明有關一承載器，用於在大氣及半導體設備處理工具的抽成真空區域之間移動一工件。一種此工具係一離子佈植機，但其他利用承載器之工具在半導體設備處理之技藝中係習知的。

離子佈植機能被用於藉著以一離子束撞擊該等晶圓處理矽晶圓。此種離子束處理的一項使用係選擇性地以控制下之濃度的雜質摻雜該晶圓，以於積體電路之製造期間產生一半導體材料。

典型之離子佈植機包含一離子來源、一離子萃取裝置、一質量分析裝置、一離子束運送裝置、及一晶圓處理裝置。該離子來源產生想要之原子或分子摻雜劑種類的離子。這些離子係藉著一萃取系統由該來源萃取，該萃取系統典型係一組電極，其將通電及引導來自該來源之離子的流動。該等想要之離子係由一質量分析裝置中之離子來源的副產物分開，典型一磁性之偶極子施行該經萃取之離子束的質量色散。該離子束運送裝置典型為一包含聚焦裝置之光學元件串的真空系統，並將該離子束運送至該晶圓處理裝置，同時維持該離子束之想要光學性質。最後，半導體晶圓係佈植於該晶圓處理裝置中。

批次處理離子佈植機包含一自旋圓盤支座，用於移動多數矽晶圓經過該離子束。當該支座旋轉該等晶圓經過該離子束時，該離子束撞擊該晶圓表面。

串聯的佈植機同時處理一晶圓。該等晶圓係支撐在一卡匣中及有時縮回一晶圓，並放置在一支座上。該晶圓係接著於一佈植方位中導向，以致該離子束打擊該單一晶圓。這些串聯的佈植機使用離子束成形電子設備，以使該離子束由其最初之彈道偏向及通常用於會同對等之晶圓支座移動，以選擇性地摻雜或處理該整個晶圓表面。

批次及串聯的佈植機兩者使用承載器，以將晶圓移入及移出一抽成真空之植入室。藉著由真空隔絕該承載器內部及打開一排氣閥，以允許氣體在一調節之壓力下進入該承載器室，可開始一普通的承載器排氣順序。監視該承載器室壓力，直至抵達一想要之設定點，且一旦該設定點抵達在或接近大氣壓力，該排氣孔係關閉，且該承載器被打開通至大氣。

美國專利第5,913,978號有關一系統，其中氣體係供給至第一室，以致該室中之壓力係升高至一預定程度。一交流通道係提供用於在內部地連接另一室及該第一室。當該第一室中之壓力抵達該預定程度時，允許該氣體由該第二室經過該交流通道流入該第一室。當一打開－關閉門件係打開以連接該等室時，可檢查一氣體流動。如此，在此沒有實質之氣體流動，以致可防止微粒移位。

該揭示內容有關用於由一壓力區域傳送一工件至第二壓力區域之方法及設備。一已揭示之承載器具有一承載器內部及第一貫穿通道(throughpassage)，該第一貫穿通道打開及關閉，用於將工件移入及移出該承載器。該第一貫穿通道打通至大氣。一第二貫穿通道打開及關閉，以允許一工件之移入及移出該承載器，並打通至該佈植機之一抽成真空的區域，在此發生離子佈植。

在打通該第一貫穿通道至大氣之前，一控制機構藉著將一氣體來源耦接至該承載器內部起始該承載器內部之加壓。監視一在該承載器內部內側上昇的壓力，且當該壓力抵達一高於大氣壓力之閾限壓力時，一壓力釋放、快速作用閥被打開通至大氣。該第一貫穿通道係接著被打開，以允許工件插入該承載器，或交替地允許移除該承載器內之工件。工件移動係藉著一機器手臂之輔助所完成，該機器手臂抵達進入該承載器內部，事實上該機器手臂存放工件或取回它們。此製程使該承載器內部之微粒污染以及在該承載器之外側接近該等貫穿通道的區域中之污染減至最小。

對於那些熟諳此與本發明有關之技藝者，該揭示內容之進一步特色將由參考所附圖面閱讀以下之說明書而變得明顯。

翻至該等圖面，第1圖說明一離子束佈植機10之示意圖。該佈植機包含一用於建立離子之離子來源12，該等離子形成一離子束14，設計該離子束14之形狀，且該離子束選擇性地偏向，以使一離子束路徑橫越至一端部或佈植工作站20。該佈植工作站包含一界定內部區域之真空或佈植室22，一工件24、諸如半導體晶圓係定位在該內部區域中，用於藉著組成該離子束14之離子的佈植。提供概要地指示為一控制器41之控制電子設備，用於監視及控制由該工件24所接收之離子劑量。至該控制電子設備之操作員輸入係經由一位於接近該末端工作站20之使用者控制主控臺26施行。於該離子束14中之離子傾向於分開成為橫越該來源及該佈植室間之一區域的離子束。為減少此發散性，該區域係藉著一或多個真空幫浦27維持在低壓力。

該離子來源12包含一電漿室，其界定一內部區域，來源材料係注射進入該內部區域。該來源材料可包含一可離子化氣體或蒸發之來源材料。在該電漿室內所產生之離子係由該室所萃取藉著離子束萃取組件28，該離子束萃取組件包含若干金屬電極，用於建立一離子加速電場。

沿著該離子束路徑16定方位器係一分析磁鐵30，其使該離子束14彎曲，並將其引導經過一離子束快門32。緊接在該離子束快門32之後，該離子束14通過一使該離子束14聚焦之四偶極透鏡系統36。該離子束接著通過一偏向磁鐵40，該偏向磁鐵係藉著該控制器41所控制。該控制器41提供一交流電信號至該磁鐵40之傳導性線圈，該交流電信號依序在數百赫茲之頻率下造成該離子束14反複地偏向或由一邊至另一邊掃瞄。於一已揭示之實施例中，使用由200至300赫茲之掃描頻率。此偏向或側面至側面掃描產生一薄、扇形絲帶狀離子束14a。

在該等離子離開該磁鐵40之後，在該扇形絲帶狀離子束內之離子順著分開之路徑。該等離子進入一平行放置磁鐵42，其中組成該離子束14a之離子係再次藉由變化之數量彎曲，以致它們離開沿著大致上平行之離子束路徑移動的平行放置磁鐵42。該等離子接著進入一能量過濾器44，該能量過濾器使該等離子由於其電荷而往下偏向(第1圖中之y－方向)。這於發生該上游離子束成形期間移去已進入該離子束之中性微粒。

離開該平行放置磁鐵42之絲帶狀離子束14a係一具有本質上形成一很狹窄之長方形的橫截面之離子束，亦即在一方向中延伸之離子束例如具有一受限制(例如大約1/2吋)的垂直之範圍，且由於該掃描或偏向造成該磁鐵40完全地覆蓋諸如一矽晶圓的工件之直徑，在向外加寬之正交方向中具有一範圍。

大致上，當掃瞄時，該絲帶狀離子束14a之範圍係足以佈植該工件24之整個表面。假設該工件24具有300毫米之水平尺寸(或300毫米之直徑)。該磁鐵40將使該離子束偏向，使得在該佈植室22內打擊該工件24之佈植表面時，該絲帶狀離子束14a之水平範圍將至少是300毫米。

於佈植期間，一工件支座結構50相對該絲帶狀離子束14既支撐及又移動該工件24(於該y－方向中上下)，使得該工件24之整個佈植表面係以離子均勻地佈植。既然該佈植室內部區域被抽成真空，工件必需經過一承載器60進入及離開該室。一定位在該佈植室22內之機器手臂62移動晶圓工件至該承載器60及由該承載器60移動晶圓工件。一工件24係在第1圖中之承載器60內概要地顯示在一水平位置中。該機器手臂62藉著一支臂由該承載器60至該支座50移動該工件24，該支臂抵達進入該承載器60，以捉住一工件，用於在該佈植室之抽成真空區域內移動。於佈植之前，該工件支座結構50將該工件24旋轉至一直立或接近直立之位置供佈植。如果該工件24係直立的，亦即，相對該離子束14正交，該離子束及至該工件表面的法線間之佈植角度或入射角係0度。

於一典型之佈植操作中，未摻雜之工件(典型為半導體晶圓)係由若干卡匣70－73之一藉著二機器手臂80、82之一取回，該機器手臂移動一工件24至一定方位器84，在此該工件24被旋轉至一特別之方位。一機器手臂支臂取回該經導向之工件24，並將其移入該承載器60。該承載器關閉，及係唧吸直至一想要之真空，且接著通入該佈植室22。該機械支臂62抓住該工件24，將其帶入該佈植室22內，且將其放置於該工件支座結構50之一靜電夾子或夾頭上。使該靜電夾子通電，以於佈植期間將該工件24固持在適當位置。合適之靜電夾子被揭示在1995年7月25日發給布雷克(Blake)等人之美國專利第5,436,790號中，及1995年8月22日發給布雷克等人之美國專利第5,444,597號中，該二專利係分派給本發明之受讓人。該>790及>597專利兩者係在其個別之全文中以引用的方式併入本文中。

在該工件24的離子束處理之後，該工件支座結構50將該工件24返回至一水平位置，且該靜電夾子係不再通電，以釋放該工件。在此離子束處理之後，該支臂62抓住該工件24，並將其由該支座50移動退入該承載器60。按照一交替之設計，該承載器具有一獨立地被抽成真空及加壓間之頂部及底部區域，且於此交替之實施例中，第二機械支臂(未示出)在該佈植工作站20抓住該已佈植之工件60，並將其由該佈植室22移回至該承載器60。由該承載器60，該等機器手臂之一的機械支臂將該已佈植之工件24移回至該等卡匣70－73之一，且最典型地是移回至其最初取出之卡匣。

該承載器60係概要地描述在第2圖中。其係耦接至第一及第二控制器110、112，該等控制器控制各種閥門之打開及關閉與機器手臂之移動，而用於移動工件進入該承載器及移出該承載器至一發生離子佈植之抽成真空區域120、及在大氣壓力下之區域122兩者所需要者，在該大氣壓力下之區域122，該等工件係儲存於該四個卡匣70－73中。一種供與本發明一起使用之合適承載器係揭示於發給費拉拉(Ferrara)之已發表美國專利申請案第2005：0232727號中，其標題為“工件處理系統”，且該專利申請案係以引用的方式併入本文中。一承載器內部係由該大氣區域122接近，用於藉著第一及第二門件130、132插入及移除晶圓，該門件用作一工件通過閥門或通路。第三門件或閥門134通入該抽成真空之區域120，用於將工件移動至該離子佈植室及由該離子佈植室移動工件。

承載器排氣

假設一系列晶圓之一已被插入經處理或調製之承載器60。於一說明之實施例中，該處理係藉著以離子於一控制下之離子束撞擊。該承載器隔離閥門134係接著關閉，以由該佈植室22中所維持之真空隔絕該承載器內部，該工件係移動經過該承載器隔離閥門。一承載器初級閥140事先已藉著該控制器110關上，以由一初級泵142隔絕該承載器，在該承載器係打通至該佈植室的真空之前，該初級泵最初將該承載器抽成真空。一排放氣體，於所顯示之實施例中為氮氣，係經過一排氣閥門144由一氮氣來源146導入，且被引導進入該承載器室。此閥門144保持打開，且氣體遍及所揭示之排氣順序持續導入該承載器內部。一壓力計或感測器150監視該承載器的內部內之氣體壓力，且允許該控制器110等候二預先組構之設定點或閾限壓力。

於該示範實施例中，第一設定點係設定至在周遭大氣壓力之下大約110托(torr)。用於在海平面之標準大氣壓力，這是650托(看第4圖，“A”)。由於流入該承載器之氣流得到來自該感測器150指示此壓力之信號的接收，且造成該控制器110開始一大氣承載器隔離閥門之打開順序。於所顯示之實施例中，該控制器110係若干一般目的之電腦控制器之一，其具有與該佈植機10的若干佈植機感測器與零組件界接之介面。該控制器110係負責用於若干與離子佈植機排程序有關之功能。該第二控制器112係一特別目的之控制器，且更特別地係一可編程(PLC)控制器。該控制器112正快速作用及提供專用之控制，而顯著地減少由一排氣循環至下一排氣循環之時序變化性。

雖然可調整該第一設定點，該第一設定點被設定為足夠低，以允許該軟體及硬體零組件充分時間地施行該排氣操作，以處理該資訊及提供一命令輸出。觸發此第一設定點移去由該控制器110所施行之工具位準控制及來自該控制順序的時序中之任何結果變化性，使得該排氣操作能以最小之延遲及最小之變化性持續。第一設定點之接收係由該第一控制器110通訊至該第二控制器112，並提供該第二控制器，用於基於感測第二閾限接收第二觸發事件。於該示範實施例中，二控制器110、112係用於執行一排氣操作，但一控制器能執行所有此等功能係可能的。此控制器能採用一具有快速處理器及直接與第2圖中所描述之零組件界接的介面之實時作業系統。譬如，該等專用控制器112間之直接連接使用於通訊及啟動該等各種功能及該等機件之作動所需之層體減至最小。然而，該示範佈植機10使用一具有多數控制器之分散式架構。部份該等控制器、諸如該控制器112包含實時作業系統，而其他控制器未包含實時作業系統。該控制器112必需提供一快速作用、可重複控制順序，且於諸循環之間具有時序變化之最小量。具有一定位控制器112，並設有純電子及氣壓信號作動，該排氣機件達成此目標。該控制器110的一功能係提供或製備該控制器112，以於該排氣製程中施行該等額外之步驟。

用於觸發該排氣順序之第二壓力設定點係在周遭大氣壓力之上設定至一托、或用於在海平面之標準大氣壓力為761托(看第4圖，“B”)。來自該感測器150之壓力觸發信號係直接耦接至該第二控制器112。一對應於該第二閾限的信號之接收造成該控制器112打開一快速作用閥門160(大約30毫秒以打開)。雖然該第二設定點觸發信號之接收係局部地及電連接至該PLC 112及快速作用閥門160，在此於該第二設定點信號觸發之接收及該快速作用閥門160之打開操作的開始(看第4圖，時間間隔“C”)之間有大約20毫秒延遲。結合在周遭大氣之上選擇一設定點及該短延遲之組合，以保證該承載器係在局部周遭大氣之上(不管在打開該承載器時之實際大氣壓力)。雖然於該示範實施例中，如果周遭大氣壓力變化達超過10托，該壓力計150本身自行測定，該控制器110能命令壓力計測定，以在周期性之間隔感測大氣壓力，如常見的是每一循環消除任何由於大氣壓力改變之結果而有作用的變化。當該承載器未在大氣壓或在大氣壓之上時，打開該承載器60至大氣環境可產生不想要之微粒污染，及/或允許濕氣由該區域122中之空氣進入該承載器，當緊接唧吸該承載器時，這能導致一稍微較長之粗抽時間。如果該承載器內之壓力係仍然低於大氣壓力，周遭之空氣將被引導進入該承載器。該壓力計150係經過一軟體測定命令對周遭之壓力定期地測定。

由該壓力計150至該控制器112之信號係一高態動作、低電壓信號。該控制器110藉著一雙向序列通訊與該壓力計150通訊，並在每秒3－5次之速率下於一使用者介面上更新由該壓力計150所返回之壓力讀數，該控制器係可組構的。該觸發信號係一電壓輸出信號，其指示已取得該觸發信號，但未提供壓力/真空讀數至該控制器112。

上面之順序將該承載器加壓至一在大氣壓力之上的大約10－30托之壓力(第4圖，“D”)。一旦打開，該快速作用閥門160開始由該承載器內部釋放氣體至周遭大氣環境，並由通過閥門130、132離開。因此，該承載器壓力開始減低，並於數毫秒時間內穩定在大氣壓力之上的大約2－4托之壓力(第4圖，“E”)。

這小、但想要之承載器過壓係由於該承載器內部遍及該排氣順序被耦接至該氮氣來源146之事實。當該已處理之工件24係由該承載器經過該等空氣隔離閥門130、132之一移去時，該正壓係想要的，以便不允許外部微粒進入該承載器(或允許微粒回頭經過該快速作用閥門160)。同時，此正壓於量值中係充分小，以便當該等空氣隔離閥門開始致動時，不會造成微粒產生及在空氣隔離閥門130、132中運送越過該承載器。

該快速作用閥門打開操作係隨之有200毫秒之憑經驗導出之固定時間延遲。選擇此時間延遲，以確保該承載器內之壓力抵達2－4托之穩態承載器過壓(上面論及者)。此時間延遲能視該等系統需求而定變更。伴隨著該排氣順序之剩餘部份所發生，該快速作用閥門160在一分開的固定時間延遲之後關閉，且係預備好用於該下一循環。

於該200毫秒固定時間延遲之終止時，該空氣隔離閥門130、132係藉著該控制器112所打開，並將該室暴露至周遭大氣環境(看第4圖，“F”)。來自該控制器112之控制信號係按規定路線發送經過一螺線管觸排(未示出)，其氣壓地作動用於打開及關閉該等閥門130、132之驅動器。在藉著該控制器110排定之後，打開及關閉該等閥門130、132、134之命令來自該控制器112。來自該等閥門之反饋資訊係傳送至兩控制器110、112。因為該承載器係在大氣壓力之上，氣流係引導來自該承載器。因為該承載器過壓之量值係小的，越過該等空氣隔離閥門130、132之的氣流擾動不會建立、移位或運送充分尺寸、數量或距離之微粒，以對待運送經過該系統之處理晶圓造成威脅。暴露至該區域122中之承載器的周遭大氣係藉著一具有整合式高效率微粒空氣(HEPA)濾心氣流之市售設備前端自動化模組(EFEM)所提供。

流程圖

第3圖係一於按照本發明加壓該承載器60中，藉著該等控制器110、112所使用之示範順序的流程圖210。在步驟220，將該承載器內部耦接至該離子佈植室之隔離閥門134係如藉由該控制器110所命令而關上。該控制器110檢查各種承載器，諸如該閥門134是否關閉，及一工件是否係於該承載器中、及該閥門140是否在進行之前關上。

假設沒有感測到任何錯誤，該控制器110命令230一氮排氣閥門144打開，以藉此造成氮氣之經調節的供給146，並在每平方吋30及40磅之控制壓力下將氮氣運送至該承載器60之內部。用於其他承載器或其他狀態，此值將為較高或較低的。如果使用較高之壓力，達成較短之排氣時間。藉著該壓力計150監視壓力240，且一與壓力有關之信號溝通至兩控制器110、112。經過與該壓力計150之序列通訊而更新，該控制器110獲得壓力讀數。控制器112監視由該壓力計150所送出之觸發電壓。

在此該等控制器110、112於該製程期間所監視者有二閾限。該控制器110監視所感測之壓力，以決定242何時抵達第一閾限。於抵達該第一閾限時，該控制器110送出一命令250至該另一控制器112，造成該第二控制器開始監視252用於第二閾限，在此時間開始打開該二空氣隔離閥門130、132之製程。該第二控制器112測試254，以藉著監視來自該壓力感測器150之信號(這是一上述的周遭信號)決定何時抵達該第二閾限壓力。

當來自該第一控制器110之信號的接收之需要條件及感測一高於大氣壓力閾限之信號被滿足時，該第二控制器112送出一打開命令260至一快速作用閥門160，該快速作用閥門打開該承載器內部通至周遭大氣。在命令270該空氣隔離閥門130、132打開及允許工件藉著該等機器手臂80、82之一傳送之前，該第二控制器112開始262一固定之時間延遲(在該示範實施例中為大約200毫秒)。由於該氮氣持續流入該承載器，該固定之延遲允許該承載器穩定在大氣壓力之上的一最小值(大約2－4托)。陳述另一方式，該閥門144持續提供氮氣之一連續式流動，使得其維持流出該室至周遭大氣環境。

譬如隨著一經處理之工件的移除之後，一旦該承載器門件被關上，一未處理工件被插入及開始該粗抽氣循環(泵送作業)。粗抽氣係藉由該控制器#1所開始，並使該等閥門130、132、134、144、160關閉。

應了解雖然已以特異性之程度敘述本發明的一示範實施例，涵括來自該實施例之變更及修改，該等變更及修改落在所附申請專利之精神或範圍內。

10．．．離子束佈植機

12．．．離子來源

14．．．離子束

14a．．．絲帶狀離子束

16．．．離子束路徑

20．．．佈植工作站

22．．．佈植室

24．．．工件

26．．．使用者控制主控臺

27．．．真空幫浦

28．．．離子束萃取組件

30．．．分析磁鐵

32．．．離子束快門

36．．．四偶極透鏡系統

40．．．磁鐵

41．．．控制器

42．．．平行放置磁鐵

44．．．能量過濾器

50．．．工件支座結構

60．．．承載器

62．．．機械支臂

70．．．卡匣

71．．．卡匣

72．．．卡匣

73．．．卡匣

80．．．機器手臂

82．．．機器手臂

84．．．定方位器

110．．．第一控制器

112．．．第二控制器

120．．．抽成真空區域

122．．．大氣壓力下之區域

130．．．第一門件

132．．．第二門件

134．．．第三門件

140．．．承載器初級閥

142．．．初級泵

144．．．排氣閥門

146．．．氮氣來源

150．．．感測器

160．．．快速作用閥門

第1圖係一離子佈植機之示意圖，該離子佈植機用於一工件、諸如安裝在一支座上之矽晶圓的離子束處理；第2圖係一承載器之示意圖，該承載器用於傳送工件至該離子佈植機的一抽成真空之環境及來自該離子佈植機的一抽成真空之環境；第3圖係一流程圖，說明一用於與本發明一起使用之排氣製程；及第4圖係一時序圖，顯示該承載器內側之壓力相對時間。這是用於該示範系統之示範時序圖，且該等申請專利範圍應涵蓋交替之狀態條件及可具有交替之時序圖

10．．．離子束佈植機

12．．．離子來源

14．．．離子束

14a．．．絲帶狀離子束

20．．．佈植工作站

22．．．佈植室

24．．．工件

26．．．使用者控制主控臺

27．．．真空幫浦

28．．．離子束萃取組件

30．．．分析磁鐵

32．．．離子束快門

36．．．四偶極透鏡系統

40．．．磁鐵

41．．．控制器

42．．．平行放置磁鐵

44．．．能量過濾器

50．．．工件支座結構

60．．．承載器

62．．．機械支臂

70．．．卡匣

71．．．卡匣

72．．．卡匣

73．．．卡匣

80．．．機器手臂

82．．．機器手臂

84．．．定方位器

Claims (11)

1. 一種與半導體處理工具一起使用之設備，該半導體處理工具具有一用於處理工件之抽成真空的區域、及一用於運送工件至該抽成真空之區域及由該抽成真空之區域取回工件的承載工作站，該設備包含：一承載器，其包含：一通過閥門，用於由一承載器之內部移除工件及將工件插入該承載器之內部；一第二閥門，其至大氣；及一壓力感測器，其中該第二閥門係藉著一來自該壓力感測器之輸出所控制，以於打開該通過閥門之前釋放來自該承載器之過壓。
2. 如申請專利範圍第1項之設備，額外地包含一控制，用於監視一來自該壓力感測器之信號。
3. 如申請專利範圍第2項之設備，其中該控制包含一控制輸出，用於控制該通過閥門之打開及關閉。
4. 如申請專利範圍第3項之設備，其中該控制包含一控制程式，其在打開該通過閥門之前，等候一對應於在大氣之上的指定壓力之信號的接收。
5. 如申請專利範圍第2項之設備，其中該控制包含耦接至該壓力感測器之第一及第二控制器，且該第一及第二控制器之其中一控制器包含一專用控制器，該專用控制器僅只施行與控制該承載器閥門致動器有關之功能。
6. 如申請專利範圍第5項之設備，其中該第二閥門包含 一快速作用壓力釋放閥門，用於使該承載器之內部排氣至大氣，且其中該專用控制器命令該快速作用壓力釋放閥門之打開。
7. 如申請專利範圍第6項之設備，其中一延遲係於該快速作用壓力釋放閥門之打開及該通過閥門的打開之間藉著該專用控制器所建立。
8. 一種於半導體處理工具中將工件由一壓力區域傳送至第二壓力區域之方法，包含：提供一承載器，其具有一承載器之內部及第一貫穿通道，該第一貫穿通道打開及關閉，用於將工件移入該承載器及自該承載器移出，且其打通至大氣環境；及具有第二貫穿通道，該第二貫穿通道打開及關閉，用於將工件移入該承載器及自該承載器移出，且其打通至一佈植機的一抽成真空之區域；藉著將一加壓氣體來源耦接至該承載器之內部開始該承載器之內部之加壓；當該加壓氣體來源按規定路線發送氣體進入該承載器之內部時，監視一壓力上昇，且當該壓力抵達一高於大氣壓力之閾限壓力時，在大氣壓力之上打開一壓力釋放閥門，以打開該承載器之內部通至大氣環境；及打開該第一貫穿通道，以允許工件插入該承載器或允許在該承載器內之工件被移出。
9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，額外地包含於該壓力釋放閥門之打開及該第一貫穿通道的打開之間建立一 延遲，以允許工件相對該承載器移動。
10. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中當打開該壓力釋放閥門時，氣體由該加壓氣體來源流入該承載器之內部，以於打開該第一貫穿通道之前將該承載器內側維持在大氣壓力之上。
11. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中第一及第二控制器監視該壓力，且其中當該壓力抵達一低於大氣壓力之下閾限壓力時，該第一控制器開保險以啟動或作動該第二專用控制器。