TWI403462B - 碳酸鈰的製備方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種製備碳酸鈰之方法、一種碳酸鈰粉末、以及一種使用此碳酸鈰粉末製備氧化鈰粉末之方法。尤其，本發明係關於一種可以簡單方法製備六方晶系碳酸鈰之方法、一種由此方法所製備之碳酸鈰粉末、以及一種使用此碳酸鈰粉末製備氧化鈰粉末之方法。
氧化鈰為一種具高度功能性之陶瓷材料，並廣為使用於催化劑、磷光體、化妝品、研磨劑等，且近年來使用作為半導體裝置中化學機械拋光CMP(Chemical Mechanical Polishing)之研磨劑，更是成為眾人注目之焦點。
氧化鈰一般係使用液相法、氣相法、或固相法來製備。
當使用液相法來製備時，需添加如氨水之pH控制劑至起始材料(例如，三價或四價鈰鹽類)中，始可直接由鈰之鹽類製備出氧化鈰。雖然本方法所需的原料成本以及設備較低，故經濟效益較大，但由於起始材料之間的反應容易由成核作用的階段開始，因此顆粒成長不容易受到控制。並且，若使用以液相法製備之微細氧化鈰作為研磨劑，則會使拋光速率降低，而不利於連續製程，並使產量降低。
使用氣相法時，係先將鈰金屬鹽前趨物汽化後與氧等化合直接形成氧化鈰。此方法包括火焰燃燒分解(flame combustion decomposition)、氣體冷凝分解(gas condensation decomposition)、電漿汽化(plasma vaporization)、雷射汽化(laser vaporization)等。然而，由於鈰金屬鹽前趨物以及生產設備的成本高，所以此方法應用在大量生產時會有困難，而相關的研究仍持續地進行。
此外，使用固相法時，係將前趨物材料於高溫中燒結以製得氧化鈰。一般較常使用的前趨物為碳酸鈰，且碳酸鈰的種類以及形狀會影響所製得之氧化鈰的性質以及形狀。因此，為了控制氧化鈰的性質、形狀、研磨性(abrasiveness)等，則必須適當地控制碳酸鈰前趨物的性質以及形狀。
然而，以簡單方法製備種類或形狀可控制之碳酸鈰的製程尚未被完整開發出來，特別是，簡單可生產六方晶系碳酸鈰之方法的需求仍持續存在著。
本發明係關於一種製備碳酸鈰之方法，其可以簡單的方法製造六方晶系碳酸鈰，同時，本發明亦關於使用此方法所製得之碳酸鈰粉末。
此外，本發明更提供了一種使用此碳酸鈰粉末製備氧化鈰粉末之方法。
並且，本發明又提供了一種CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械拋光)泥漿，其包括有上述方法所製得之氧化鈰粉末。
更具體而言，本發明提供了一種製備碳酸鈰之方法，其包括：將斜方晶系(orthorhombic)碳酸鈰與包括有水及一級醇重量比1：0.1或以上之一級醇水溶液，於160℃或以上之溫度下接觸反應，以形成六方晶系碳酸鈰。
本發明再提供一種使用上述方法製得之碳酸鈰粉末，且此碳酸鈰粉末包括有體積比為99：1至0：100之斜方晶系碳酸鈰以及六方晶系碳酸鈰。
再者，本發明另提供一種製備氧化鈰粉末之方法，包括：將上述之碳酸鈰粉末進行燒結。
本發明亦提供一種CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械拋光)泥漿，其包括有以上述方法所製得之氧化鈰粉末以作為研磨劑。
本發明之製備碳酸鈰之方法、碳酸鈰粉末、製備氧化鈰粉末之方法、以及CMP泥漿之具體實施例將於以下詳述。
本發明中，製備碳酸鈰之方法包括：將斜方晶系碳酸鈰與包括有水及一級醇重量比1：0.1或以上之一級醇水溶液，於160℃或以上之溫度下接觸反應，以形成六方晶系碳酸鈰。
根據本發明之發明人實驗所得之結果得知，將斜方晶系碳酸鈰與包括有特定比例之水及一級醇之一級醇水溶液，於某個溫度中接觸反應時，可使碳酸鈰之晶型結構轉換而形成六方晶系碳酸鈰。
因此，根據此實施例，原本不容易製得之六方晶系碳酸鈰，可由相對較容易製得之斜方晶系碳酸鈰，以較簡單的方法製備。尤其，根據此方法，斜方晶系碳酸鈰轉換成六方晶系碳酸鈰的速率可經由控制一些接觸反應之參數(如，溫度、水及一級醇之重量比、或一級醇水溶液以及碳酸鈰之含量(重量比)等)而輕易地得到控制。如此，由簡單的步驟即可控制碳酸鈰之種類以及形狀，且具有適當特性或形狀之氧化鈰可容易地由碳酸鈰製造得到，並應用於CMP泥漿。
本發明之製備碳酸鈰之方法的實施例將於以下詳細介紹。
根據結合至碳酸官能基之氫氧化物基團的數量，碳酸鈰的晶型結構可區分為斜方晶系或六方晶系，且其可經由將鈰前趨物以及碳酸前趨物進行沉澱反應而製得。一般而言，斜方晶系碳酸鈰是根據以下反應式1所製得，而六方晶系碳酸鈰是根據以下反應式2所製得。
[反應式1]
2[Ce2
(H2
O)n
]3+
+3CO3 2-
→Ce2
O(CO3
)2
H2
O+CO2
+(n-1)H2
O
[反應式2]
[Ce(H2
O)n
]3+
+H2
O→[Ce(OH)(H2
O)n-1
]2+
+H3
O+
[Ce(OH)(H2
O)n-l
]2+
+CO3 2-
→Ce(OH)CO3
+(n-1)H2
O
因此，一般係藉由改變反應條件而達到控制碳酸鈰晶型結構之效果。然而，雖然在相對低溫之水溶液中由一般沉澱反應可相對容易地製造出斜方晶系碳酸鈰，卻很難於水溶液中製備出六方晶系碳酸鈰。
尤其，在製備六方晶系碳酸鈰時，係將鈰前趨物(如，鈰之鹽類)與尿素溶於水中並進行反應。而為了由反應中製造出六方晶系碳酸鈰，在CO3 2
-與Ce離子結合之前，Ce離子需先進行經過少許的水解作用(請見上述反應式2)，因此上述的反應必須於高溫中進行。然而，由於尿素在高溫中可能會分解產生氨以及二氧化碳等，而此可能產生氣體壓力，因此上述反應會在非常高壓的情形中進行，例如，壓力幾乎到達100巴(bar)。
但是，若此反應在高壓下進行，由於高壓所產生的風險則會隨之而來，且昂貴設備的使用更是大幅減低了經濟效應。
本發明之一實施態樣中，係將斜方晶系碳酸鈰與包括有特定比例之水及一級醇之一級醇水溶液於某個溫度中接觸反應，即可簡單地製得六方晶系碳酸鈰。因此，由於沒有使用尿素，則可不須於非常高壓之條件中即能製得六方晶系碳酸鈰。此外，六方晶系碳酸鈰可由更簡單的方法來製造，此方法包括將斜方晶系碳酸鈰與一級醇水溶液接觸反應。
因此，本發明之實施例中之方法可對於改善六方晶系碳酸鈰製造之經濟效應以及實用性很有貢獻。並且，可容易地藉由將斜方晶系碳酸鈰部分或全部轉換為六方晶系碳酸鈰，而得到具有所求種類及形狀的碳酸鈰。
本發明之實施例中之製備碳酸鈰之方法中，斜方晶系碳酸鈰以及一級醇水溶液接觸反應之溫度為160℃或以上，較佳為160~230℃。根據發明人之實驗結果發現，當接觸反應之溫度低於160℃時，斜方晶系碳酸鈰以及一級醇水溶液之反應性會降低，而造成六方晶系碳酸鈰的轉換速率大幅下降，或是六方晶系碳酸鈰的轉換量很少。相反地，當接觸反應之溫度超過230℃時，反應壓力可能會太過增加而使反應溫度上升，因此造成增加六方晶系碳酸鈰轉換速率之附加效應不顯著。
此外，斜方晶系碳酸鈰以及一級醇水溶液之重量比較佳為1：0.5至1：100。若斜方晶系碳酸鈰以及一級醇水溶液之重量比低於上述範圍，斜方晶系碳酸鈰可能會轉換成氧化鈰。倘若斜方晶系碳酸鈰以及一級醇水溶液之重量比高於上述範圍時，六方晶系碳酸鈰的轉換速率則會降低。
在考量到六方晶系碳酸鈰的轉換速率之前提下，斜方晶系碳酸鈰以及一級醇水溶液的接觸時間可根據一級醇水溶液的組成、斜方晶系碳酸鈰以及一級醇水溶液之重量比、反應溫度等條件來作控制。較佳地，反應時間可控制在1小時至60小時之間。例如，增加一級醇水溶液中醇類的含量、或是降低斜方晶系碳酸鈰相對一級醇水溶液的重量比，皆可降低六方晶系碳酸鈰的轉換時間。
此外，一級醇水溶液中的一級醇以及水的重量比例可為1：0.1或以上，較佳為1：0.1至1：4。而由實驗結果得知，若水以及一級醇的重量比低於1：0.1，六方晶系碳酸鈰的轉換速率則會大幅降低，或是六方晶系碳酸鈰的轉換量較少。相反地，若水以及一級醇的重量比超過1：4時，反應壓力可能會太過增加，因此造成增加六方晶系碳酸鈰的轉換速率之附加效應不顯著。
一級醇水溶液中所含的一級醇並無特別限制，其只要其中一個烷基有經由甲醇碳(carbinol carbon)所取代即可。此一級醇之例子包括，但不限於：甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等，而以乙醇或丁醇為較佳。
與一級醇水溶液接觸反應之斜方晶系碳酸鈰具有Ce2
O(CO3
)2
‧H2
O的形式，且其可使用習知一般方法(如上述反應式1中所示，將鈰前趨物以及碳酸前趨物進行沉澱反應)來製得。
包含三價以及四價鈰之鈰鹽類皆可作為鈰前趨物。其例子包括：硝酸鈰(Ce(NO3
)3
‧xH2
O)、硫酸鈰(Ce(SO4
)3
‧xH2
O或Ce(SO4
)2
‧xH2
O)、氯化鈰(CeCl3
‧xH2
O)、或硝酸鈰二胺(Ce(NH4
)2
(NO3
)6
或Ce(NH4
)2
(NO3
)5
‧xH2
O)(其中，x為0至10之常數)。
尿素(CO(NH2
)2
)或碳酸鹽可使用作為碳酸前趨物，且碳酸前趨物亦可作為pH控制劑來使用。
此外，較佳可更包括有以下步驟：分離、清洗、以及乾燥該上述製得之六方晶系碳酸鈰。其分離步驟可使用習知之一般的分離方法來進行，例如以冷卻或離心之方式來分離。清洗步驟較佳係使用去離子水來進行，以使離子值可為3mS或以下。藉此，燒結後粉末的結晶大小可得到合適的控制，且可同時預防於磨粉時可能產生的問題。乾燥步驟較佳係於60℃或以上的溫度進行24小時。
依據上述之製備碳酸鈰的方法，六方晶系碳酸鈰可藉由將一級醇水溶液以及斜方晶系碳酸鈰之簡單接觸反應而製得。尤其，改變接觸反應的條件(例如，一級乙醇水溶液的組成、斜方晶系碳酸鈰以及一級乙醇水溶液之重量比、或反應溫度範圍)可得到具合適比例斜方晶系碳酸鈰以及六方晶系碳酸鈰之碳酸鈰粉末，如此則可控制斜方晶系碳酸鈰轉換成六方晶系碳酸鈰的轉換速率。因此，則可製得種類以及形狀經適當控制之碳酸鈰粉末，並可由此碳酸鈰粉末製得具理想性質及形狀之氧化鈰粉末，且可輕易地製造出包含此氧化鈰粉末的CMP泥漿。
本發明之另一實施態樣，係提供一種以上述方法製得之碳酸鈰粉末。此碳酸鈰粉末可藉由上述製作方法而包含有不同比例之斜方晶系碳酸鈰以及六方晶系碳酸鈰。例如，此碳酸鈰粉末含有斜方晶系碳酸鈰以及六方晶系碳酸鈰之體積比的範圍可為99：1至0：100，較佳為50：50至0：100。
尤其，由於斜方晶系碳酸鈰以及六方晶系碳酸鈰之間可為各種的比例並可以輕易地受到控制，故得到具有所求種類以及形狀之碳酸鈰粉末則成為一件容易辦到的事情。藉此，具有可作為CMP研磨劑之較佳特性以及形狀之氧化鈰粉末則可容易地製得。
本發明之又一實施態樣，係提供一種製備氧化鈰粉末之方法，包括：將上述製得之之碳酸鈰粉末進行燒結。
燒結步驟可使用習知技術中用以製備氧化鈰粉末的燒結方法來進行。例如，可加熱至600至1200℃的溫度中進行燒結。並且，燒結的時間較佳為30分鐘至4小時。若燒結的時間少於30分鐘，製得之氧化鈰粉末的結晶性會不足，而作為CMP研磨劑使用時會降低拋光的速率。若燒結的時間超過4小時，氧化鈰結晶會生長過度，而作為CMP研磨劑使用時會造成拋光表面嚴重刮傷。
藉由控制前趨物碳酸鈰粉末中斜方晶系碳酸鈰以及六方晶系碳酸鈰的體積比(斜方晶系碳酸鈰轉換成六方晶系碳酸鈰的速率)，可使製得之氧化鈰粉末具有所需的拋光特性。例如，以六方晶系碳酸鈰作為前趨物所製得之氧化鈰粉末(或研磨劑)對於氧化矽膜具有高的拋光速率，但對於氮化矽膜卻具有低的拋光速率，如此則對於氧化矽膜以及氮化矽膜之間具有絕佳的拋光選擇性，以及絕佳的整體平坦度。此外，以斜方晶系碳酸鈰作為前趨物所製得之氧化鈰粉末(或研磨劑)，可有效拋光具有高強度之氮化矽膜。
因此，根據上述態樣，控制前趨物碳酸鈰粉末中斜方晶系碳酸鈰以及六方晶系碳酸鈰的體積比(例如，控制在範圍99：1~0：100)，以氧化鈰粉末作為研磨劑的拋光特性、對於氧化矽膜的拋光速率、對於氮化矽膜的拋光速率、氧化矽膜以及氮化矽膜之間的拋光選擇性、或是整體平坦度等皆可簡單地受到適當控制。
本發明之再一實施態樣，係提供一種CMP泥漿，係包括上述方法所製得之氧化鈰粉末以作為研磨劑。此CMP泥漿除了包括一作為研磨劑的氧化鈰粉末以外，可更包含有一分散劑及/或水。
以泥漿100重量份為基準，泥漿中氧化鈰粉末的含量較佳為0.1至50重量份。若泥漿中氧化鈰粉末研磨劑的含量少於0.1重量份，則將無法對於待拋光表面進行拋光；若含量高於50重量份，則會使泥漿的黏度增加而降低分散穩定性。
再者，以研磨劑100重量份為基準，分散劑的含量較佳為0.5至10重量份。若分散劑的含量少於0.5重量份，分散能力會降低而加速沉澱，而此沉澱可能會在泥漿製備時發生，而造成研磨劑分佈不均勻。若分散劑的含量高於10重量份，則會於研磨劑顆粒上形成厚厚的一層分散層(其做為一緩衝層)，而使研磨劑的表面無法直接接觸到待拋光表面，進而降低拋光速率。
非離子型聚合物分散劑或陰離子聚合物分散劑皆可使用作為本發明之分散劑。非離子型聚合物分散劑可選自由：聚乙烯醇(PAA)、乙二醇(EG)、甘油、聚乙二醇(PEG)、聚丙二醇(PPG)、聚乙烯氫吡咯酮(PVP)、以及其混合物所組成之群組，而陰離子聚合物分散劑可選自由：聚丙烯酸、聚丙烯酸銨鹽(polyacrylic acid ammonium salt)、聚丙烯順丁烯二酸(polyacryl maleic acid)、以及其混合物所組成之群組。然而，該分散劑並不限於此，亦可使用習知CMP泥漿中所使用之各種分散劑，而無特別限制。
較佳地，在將氧化鈰粉末、分散劑、及水混合後，將CMP泥漿之pH值滴定至6至8。而上述之滴定可使用1N KOH或1N HNO2
來進行。
pH滴定後，為了使分散性以及儲存性更為提升，較佳可更進行分散穩定化步驟(dispersion stabilization process)。此分散穩定化步驟較佳係以濕磨分散法來進行，其可完全並細緻地(精密地)控制顆粒大小，而濕磨分散法的例子可為球磨、磨粉(attrition mill)等。
經由分散穩定步驟後最終所製得之CMP泥漿組成物之顆粒大小分佈較佳係小於3μm，且平均顆粒大小較佳為50至1000nm。若顆粒大小小於50nm時，待拋光表面之拋光速率會過低，但若其大於1000nm時，受拋光的表面可能會有細微刮傷產生或是造成泥漿的儲存穩定性劣化。此顆粒大小可使用顆粒大小分佈分析儀(Horiba LA-910)測得。
CMP泥漿可更包括其他添加劑，以增進拋光效果或是分散穩定度。
實施例
以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式。實施例僅係為了方便說明而舉例而已，不作為限制本發明之範圍。
<碳酸鈰粉末之製備>
實施例1
將水以及乙醇以1：0.11的重量比例混合以製備乙醇水溶液，接著以10：1的重量比例將乙醇水溶液以及斜方晶系碳酸鈰導入至反應器中，並攪拌10小時。反應溫度為200℃，且攪拌速度為200rpm。
將製得之碳酸鈰粉末進行XRD分析，其分析結果係如圖1所示。由結果可知，所有的斜方晶系碳酸鈰均轉換成六方晶系碳酸鈰。
實施例2
除了乙醇水溶液及斜方晶系碳酸鈰的重量比需由10：1改為1：0.67以外，使用與實施例1中之相同方法製備碳酸鈰粉末。
將製得之碳酸鈰粉末進行XRD分析，其分析結果係如圖1所示。此外，以校正曲線法計算碳酸鈰粉末中斜方晶系碳酸鈰及六方晶系碳酸鈰的體積比，其結果係列於表1中。由結果可知，部分斜方晶系碳酸鈰係轉換成六方晶系碳酸鈰。
實施例3
將水以及乙醇以1：1的重量比例混合以製備乙醇水溶液，接著以1：0.3的重量比例將乙醇水溶液以及斜方晶系碳酸鈰導入至反應器中，並攪拌10小時。反應溫度為180℃，且攪拌速度為200rpm。
將製得之碳酸鈰粉末進行XRD分析，其分析結果係如圖1所示。此外，以校正曲線法計算碳酸鈰粉末中斜方晶系碳酸鈰及六方晶系碳酸鈰的體積比，其結果係列於表1中。由結果可知，部分斜方晶系碳酸鈰係轉換成六方晶系碳酸鈰。
實施例4
將水以及丁醇以1：1的重量比例混合以製備丁醇水溶液，接著以10：1的重量比例將丁醇水溶液以及斜方晶系碳酸鈰導入至反應器中，並攪拌10小時。反應溫度為200℃，且攪拌速度為200rpm。
將製得之碳酸鈰粉末進行XRD分析，其分析結果係如圖1所示。由結果可知，所有的斜方晶系碳酸鈰均轉換成六方晶系碳酸鈰。
比較例1-2
除了乙醇水溶液的組成、斜方晶系碳酸鈰以及乙醇水溶液的重量比、或反應溫度係如表1中所示之條件進行改變以外，使用與實施例1中之相同方法製備碳酸鈰粉末。
將製得之碳酸鈰粉末進行XRD分析，其分析結果係與實施例1及2之分析結果同呈現於圖1中。由結果可知，比較例1及2之碳酸鈰之晶型結構並未轉換。
由表1結果可知，經由將斜方晶系碳酸鈰與含有重量比1：0.1或以上之水及一級醇之一級醇水溶液，於160℃或以上的溫度中進行接觸反應，可使全部或部分斜方晶系碳酸鈰轉換成六方晶系碳酸鈰。相反地，若沒有在與上述相同的溫度中或相同的一級醇水溶液之組成條件下進行反應，如比較例1或2，則無轉換斜方晶系碳酸鈰。
此外，由實施例1至4可知，藉由控制斜方晶系碳酸鈰與一級醇水溶液的接觸反應條件，可控制斜方晶系碳酸鈰轉換成六方晶系碳酸鈰的轉換速率，並可使所製得之碳酸鈰粉末具有所求之斜方晶系碳酸鈰與六方晶系碳酸鈰之比例。
<氧化鈰粉末之製備>
實施例5
將實施例1至4、比較例1及2所製得之碳酸鈰粉末於900℃加熱2小時以製備氧化鈰粉末，並進行XRD分析，其結果如圖2所示。由結果可知，碳酸鈰粉末有轉換成為氧化鈰。
<CMP泥漿之製備>
實施例6
取0.5kg實施例3所製得之每一氧化鈰粉末、25g之聚丙烯酸分散劑(Aldrich)、以及5L的純水，混合製備成氧化鈰分散液。接著使用氨水將製得之氧化鈰分散液之pH調整至7.0，並接著使用球磨機進行分散穩定性改善製程以及顆粒大小分佈控制製程。球磨步驟係使用100g的1mm二氧化鋯顆粒，以250rpm轉速研磨2小時。
將該分散液以1μm的濾器進行過濾，接著加入純水使氧化鈰粉末的含量為100重量份之總泥漿的1重量份，以製得CMP泥漿。由顆粒大小分佈分析儀(Horiba LA-910)所測得之結果得知，氧化鈰的平均顆粒大小為176nm，且顆粒大小分佈約為70~300nm。
實驗例1：拋光效果測試
使用實施例6所製得之每一CMP泥漿，並依以下條件拋光1分鐘，接著清洗該基板，並測量拋光前後之厚度差異以估計其拋光效能。其結果如下表2所示。
[拋光條件]
拋光設備：GNP POLY 400(GNP Technology)
拋光盤：聚胺酯型
平台速率(Platen speed):90rpm
載台速率(Carrier speed):90rpm
壓力：4psi
泥漿流速：100ml/min
[拋光物品]
使用PECVD(電漿激發式化學氣相沉積系統，plasma enhanced chemical vapor deposition)沉積厚度7000之氧化矽薄膜於其上之晶圓
使用LPCVD(低壓化學氣相沉積系統，Low pressure chemical vapor deposition)沉積厚度1500之氮化矽薄膜於其上之晶圓
[測試]
使用Nanospec 6100(Nanometeics Company)測量拋光前後厚度的改變。
以標準差法(Standard deviation method，ASTM)來計算晶圓非均勻度WIWNU(Within Wafer Non-Uniformity)差值。
由表2可知，由於此些具有不同斜方晶系碳酸鈰及六方晶系碳酸鈰比例之碳酸鈰粉末中，具有不同種類及形狀，因此由其所製得之氧化鈰粉末及CMP泥漿表現出不同的拋光效能。
圖1為實施例1至4、比較例1及2所製得之碳酸鈰粉末之XRD分析結果圖，以及斜方晶系碳酸鈰以及六方晶系碳酸鈰之XRD標準值。
圖2為根據實施例5，由實施例1至4、比較例1及2之碳酸鈰粉末所製得之氧化鈰粉末之XRD分析結果圖。
Claims (10)
- 一種製備碳酸鈰之方法，包括：將斜方晶系碳酸鈰與包括有水及一級醇重量比1：0.1至1：4之一級醇水溶液，於160℃或以上之溫度下接觸反應，以形成六方晶系碳酸鈰。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該接觸反應係於160℃至230℃之溫度中進行。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該斜方晶系碳酸鈰以及該一級醇水溶液係以1：0.5至1：100之重量比接觸反應。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該接觸反應所進行之時間為1至60小時。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，於接觸反應步驟之前，更包括一步驟：將一鈰前趨物與一碳酸前趨物沉澱反應，以形成斜方晶系碳酸鈰。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該一級醇水溶液係包括乙醇或丁醇水溶液。
- 一種碳酸鈰粉末，其係使用如申請專利範圍第1至5項中之任何一項所述之方法製得，且該碳酸鈰粉末包括體積比為99：1至0：100之斜方晶系碳酸鈰以及六方晶系碳酸鈰。
- 一種製備氧化鈰粉末之方法，包括：將申請專利範圍第7項所述之碳酸鈰粉末進行燒結。
- 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中，該燒結係於600至1200℃的溫度中進行30分鐘至4小時。
- 一種化學機械拋光(CMP)泥漿，係包括如申請專利範圍第8項所述之方法所製得之氧化鈰粉末以作為一研磨劑。
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