TWI403378B - 接合裝置 - Google Patents

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TWI403378B
TWI403378B TW097134814A TW97134814A TWI403378B TW I403378 B TWI403378 B TW I403378B TW 097134814 A TW097134814 A TW 097134814A TW 97134814 A TW97134814 A TW 97134814A TW I403378 B TWI403378 B TW I403378B
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Terada Toru
Tanaka Eiji
Matsumoto Yasuhisa
Yamaoka Keiichi
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Shibuya Kogyo Co Ltd
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Description

接合裝置
本發明有關於接合裝置之改良，詳言之，本發明有關於藉由自接合頭之內側向電子零件照射雷射光而加熱並接合之接合裝置的改良。
習知，作為藉由自接合頭之內側向電子零件照射雷射光而加熱並接合的接合裝置，如專利文獻1所示，作為雷射可穿透接合工具者，眾所周知，有直接向電子零件照射雷射而加熱電子零件並接合之方式。
此種接合裝置之雷射加熱裝置中，可藉由供給至雷射振盪器之電流的接通/斷開而控制雷射之振盪/停止，且可藉由增減電流值而控制雷射之能量強度。
進而，此種接合裝置中，將雷射直接照射至電子零件，因此具有如下優點：可藉由供給預定之電流而實現電子零件之快速加熱，又，停止雷射即可快速冷卻，無需特別之冷卻手段，並且可縮短接合時間。
圖8係表示上述習知接合裝置之加熱原理的剖面說明圖，如圖所示，通過與作為光源之雷射振盪器14相連接之光纖9而來的雷射光20，自光纖射出後擴散，因此即便為直接向作為電子零件之半導體晶片1照射雷射光20而加熱之方式中，亦屬藉由設置於光路上之聚光透鏡11使射出之雷射光20透射並聚焦，而使照射區域與半導體晶片1之大小大致相同，並使能量有效地用於加熱。
然而，接合裝置中，在組件調整時等可能有在接合工具未吸附保持電子零件之狀態下發出雷射光20之情形，雷射光20之焦點12(光徑最小之點)為具有非常強之能量之點，因此若意外地在焦點12或其附近存在有載置台或基板等，則有損傷破壞彼等之危險。
進而，接合裝置於生產時，作為半導體晶片1之材料的矽，多半會良好地吸收作為雷射光20之紅外光，但吸收率約為6～7成，剩餘之雷射光20會穿透半導體晶片1，因此穿透半導體晶片1之雷射光20會照射至基板等，即便上述紅外光穿透半導體晶片1後變弱，但在焦點12處有時仍會具有損傷或加熱基板之能量。此外，若於基板被加熱並膨脹之狀態下進行接合，則有時因凸塊與電極之位置偏移而導致接合後之產品成為不良品。
又，如圖9所示，照射雷射之時僅控制已設定之電流值i以及已設定之時間t，因此針對雷射振盪器會重複進行電流之急遽接通/斷開，從而產生雷射振盪器耐久性之問題。又，亦存在有忌諱急遽冷卻之電子零件。例如，若快速冷卻電子零件，則焊錫在固化時因不均而導致變形、或產生內部應力。因此導致接合之穩定性及位置精度變差。
接合裝置之加熱手段，亦有向吸附保持電子零件之接合工具照射雷射而加熱，並經由接合工具而加熱電子零件之方式(焦耳熱加熱器加熱方式)。該方式中，於保持電子零件之接合工具上設置熱電偶以檢測實際溫度，可對電流值進行回饋控制，使其符合所設定之溫度分布。
然而，向電子零件照射雷射而加熱之方式中，雷射直接照射至電子零件而加熱，因此即便設定接合工具之溫度亦無助於控制，進而，因為無法直接測定電子零件之溫度，故無法對電流值進行回饋控制。即，直接向電子零件照射雷射而加熱之習知雷射加熱方式，無法應對忌諱急遽冷卻之電子零件。
進而，於專利文獻1之裝置中，構成為藉由光纖而導出雷射，有時該光纖會斷裂、破損、斷線。如此之狀態下，不僅無法適當地加熱而接合電子零件，亦存在雷射洩漏至外部之危險。
因此，揭示有如專利文獻2所示，於加工前檢測光纖之異常的手段。又，接合時(加工時)檢測光纖異常之方法，在電子零件或基板被加熱加壓之後才檢測，無法防止凸塊或接合夾雜物(樹脂等)變形，而一旦變形即無法再利用，故並非有效之檢查手段。
然而，專利文獻2所示之檢查手段，係雷射加工(工業產品之加工或者醫療領域之治療)所利用之雷射裝置中的檢查手段，從與加工雷射光不同之檢查用光源輸出無法作雷射加工之檢查光，並檢測自加工雷射光用之光纖另一端射出的檢查光，藉此檢測光纖之異常。
然而，此種檢查手段使裝置除了具有主要的加工用光源之外必須具有另外的光源等，導致裝置之大型化及複雜化，故較不佳。
[專利文獻1]日本專利第3195970號公報
[專利文獻2]日本專利特開平2-258185號公開專利公報
本發明之目的在於提供一種接合裝置，藉由將聚光手段所形成的雷射光之焦點設定在接合頭內部，即便在接合工具未吸附保持電子零件之狀態下使雷射光振盪之時、或在穿透電子零件之雷射光照射至平台或基板等之時，亦無損傷平台或基板等或者引起加熱膨脹之危險。
又，本發明之目的在於提供一種接合裝置，其雷射加熱手段具備有在接合時用以設定施加至雷射振盪器之電流分布的分布(profile)設定手段、以及依所設定之分布而控制施加至雷射振盪器之電流值的控制手段，藉此，雷射加熱手段可配合所接合之電子零件而自上升至下降為止控制電流，可提高接合之穩定性以及位置精度，並且可延長雷射振盪器之壽命。
進而，本發明之目的在於提供一種接合裝置，其採用使自雷射振盪手段射出之雷射輸出成為可變的控制手段，接合時以較低之雷射輸出，使雷射自光纖射出並進行檢查，藉此可於接合(Bonding)之前，在不對電子零件或接合對象物造成惡劣影響之下檢測光纖之異常。
第1發明中為解決上述問題，接合裝置包括具有吸附保持電子零件之接合工具的接合頭、以及自接合頭內側向接合工具上所保持之電子零件照射雷射光而加熱之雷射加熱手段；該接合裝置採用有以下手段。
第1、雷射加熱手段具有聚焦來自光源之雷射光的聚光手段。
第2、將藉由聚光手段而聚光之雷射光的焦點設置於接合頭內部。
第2發明於第1發明上附加以下構成。
第1、一種接合裝置，包括：接合頭，具有於前端吸附保持電子零件之接合工具；以及雷射加熱手段，其具有藉由施加電流而使雷射振盪之雷射振盪器，且向接合工具上所保持之電子零件照射雷射振盪器所發出之雷射而加熱。
第2、雷射加熱手段包括設定接合時施加至雷射振盪器上之電流分布的分布設定手段、以及按照所設定之電流分布而控制施加至雷射振盪器上之電流值的控制手段。
第3發明於第2發明上附加以下構成。
一種接合裝置，其中分布設定手段根據溫度分布而設定電流分布。
第4發明於第1發明上附加以下構成。
於如下接合裝置中採用以下手段，該接合裝置包括：雷射發射手段；光纖，自該雷射發射手段中導出雷射並使該雷射射出至上述接合頭內；以及接合平台，其支撐電子零件之接合對象物；且於上述接合平台上自上述接合頭照射雷射，加熱並接合上述電子零件。
第1、包括有：控制手段，其可使自上述雷射發射手段射出之雷射的輸出可變；光接收手段，其接收自上述光纖射出之雷射；移動機構，其使上述接合頭相對於上述接合平台而相對地移動；以及檢查手段，其根據上述光接收手段之光接收量而檢查上述光纖之導光狀態之良否。
第2、於上述接合頭內設置上述光接收手段之光接收部，並於上述接合頭之下部保持有電子零件之狀態下，以低於接合時之雷射輸出，自上述光纖射出雷射，並藉由上述檢查手段，根據由上述光接收手段所接收並包括來自電子零件之反射光在內的光接收量，來檢查上述光纖之導光狀態之良否。
第5發明於第1發明上附加以下構成。
於如下接合裝置中採用以下手段，該接合裝置包括：雷射發射手段；光纖，其自該雷射發射手段導出雷射並使該雷射射出至上述接合頭內；以及接合平台，其支撐電子零件之接合對象物；且於上述接合平台上自上述接合頭照射雷射，加熱並接合上述電子零件。
第1、包括有：控制手段，其使自上述雷射振盪手段射出之雷射的輸出可變；光接收手段，其接收自上述光纖射出之雷射；移動機構，其使上述接合頭相對於上述接合平台而相對地移動；以及檢查手段，其根據上述光接收手段之光接收量，來檢查上述光纖之導光狀態之良否。
第2、將上述光接收手段之光接收部以可相對於上述接合頭而相對移動之方式朝向上方設置，且於上述接合頭之下部未保持電子零件的狀態下，使上述光接收手段之光接收部位於接合頭之下方，以低於接合時之雷射輸出，自上述光纖射出雷射，並藉由上述檢查手段，根據由上述光接收手段接收之光接收量，來檢查上述光纖之導光狀態之良否。
第6發明於第4發明或者第5發明中附加以下構成。
一種接合裝置，其中上述光纖由多數光纖構成，使雷射自每預定數量之光纖導出，分多次自光纖射出雷射，並藉由上述檢查手段來檢查光纖之導光狀態之良否。
第1發明係如下接合裝置，藉由將聚光手段形成之雷射光的焦點設置於接合頭內部，即便在組裝調整時具有雷射振盪或半導體晶片之穿透光，亦不會對基板或載置平台造成損傷或加熱膨脹之危險。
第2發明中，雷射加熱手段包括：分布設定手段，其設定接合時施加至雷射振盪器中之電流分布；以及控制手段，其按照所設定之電流分布而控制施加至雷射振盪器上之電流值，因此可控制電流之上升直至下降為止，故可提高接合之穩定性以及位置精度，並且可延長雷射振盪器之壽命。
第4發明中，於接合頭之下部保持有電子零件的狀態下，以低於接合時之雷射輸出，自上述光纖射出雷射，並藉由上述檢查手段，根據由上述光接收手段接收並包括來自電子零件之反射光在內的光接收量，來檢查上述光纖之導光狀態之良否，因此用於檢查之雷射並不會對電子零件或接合對象物等產生惡劣影響，且無需具備檢查用之額外的光源，可於接合電子零件之前檢查光纖之導光狀態的良否。
第5發明中，將光接收手段之光接收部以可相對於上述接合頭相對移動的方式朝向上方設置，且於上述接合頭之下部未保持電子零件之狀態下，使上述光接收手段之光接收部位於雷射頭之下方，以低於接合時之雷射輸出，自上述光纖射出雷射，並藉由上述檢查手段根據上述光接收手段所接收之光接收量，來檢查上述光纖之導光狀態之良否，因此雷射並不會照射至電子零件或接合對象物等上，進而，因係低輸出，故對周圍或構成光接收部之光接收元件亦無惡劣影響，可於接合電子零件之前檢查光纖之導光狀態之良否。
以下，根據圖式，對實施例以及本發明之實施形態加以說明。實施例之接合裝置100係將電子零件即半導體晶片1接合於作為接合對象物之基板2上的裝置。圖1係表示接合裝置之一實施例之整體概略說明圖，接合裝置包括將半導體晶片1接合於基板2上之接合頭4、以及配置有晶片托盤20及基板載置台21之平台22。再者，晶片托盤20係用以供給晶片者，並不限定於托盤之形態，亦可為晶圓自身。又，基板載置台21構成用以執行接合之接合平台。
接合頭4於前端部(下端部)具有吸附保持半導體晶片1之接合工具3，且可藉由升降機構31以及水平移動機構32而移動。即，接合頭4重複如下動作，於晶片供給位置即晶片托盤20藉由接合工具3而吸附保持半導體晶片1，並使其向接合位置即基板載置台21移動，下降後於基板2上搭載半導體晶片1，加熱並接合，冷卻固定後完成接合，上升後再次返回至晶片供給位置。
又，實施例中於接合頭4上設置有升降機構31以及水平移動機構32，使接合頭4可移動，但使接合頭4與晶片托盤20及基板載置台21相對移動即可，故亦可於配置有晶片托盤20及基板載置台21之平台22上設置驅動機構，而使平台22移動，藉此可相對於接合頭4而移動、或者藉由移動平台22以及接合頭4兩者，而使兩者相對移動。
接合頭4之內部為中空部5，於該中空部5中配置有雷射加熱裝置6，其自接合頭4之內側向藉由接合工具3保持之半導體晶片1照射雷射17而加熱。
於接合頭4之下端部安裝有接合工具3。接合工具3於實施例中使用熱膨脹較小且雷射17穿透性良好的石英玻璃，但只要為雷射17可穿透之素材即可，亦可利用藍寶石等。於接合工具3之中央部，形成有用以吸附保持半導體晶片1之吸附孔18。進而，於接合工具3位於接合頭4內部側之表面(圖2中為上表面)，形成有防反射膜。
於接合頭4上形成有抽吸通道7，除了該抽吸通道7以及安裝於接合頭4下端之接合工具3的吸附孔18以外，中空部5處於密閉狀態。進而，抽吸通道7與抽吸裝置8連接，藉由抽吸裝置8抽真空，藉此對接合頭4內之中空部5施加負壓，且可使半導體晶片1吸附於接合工具3之吸附孔18上。
雷射加熱裝置6包括：作為光源之雷射振盪器14；控制裝置16，其決定施加至雷射振盪器14中之電流分布，並按照該電流分布而控制施加至雷射振盪器14中之電流值，藉此可使自雷射振盪器14射出的雷射17之輸出成為可變；光纖9，其與雷射振盪器14連接，導出雷射17，並使雷射射出口10位於接合頭4內，而可自下部射出雷射17；聚光透鏡11，其為使該射出口10射出之雷射17聚焦的聚光手段；以及遮斷板15，其用以限定雷射17之照射範圍。
又，自光纖9射出之雷射17在擴散後射入聚光透鏡11，因此雷射17之焦點設置於聚光透鏡11之集點位置下方。
聚光透鏡11於實施例中使用1片凸透鏡，但亦可使用多片透鏡。聚光透鏡11由接合頭4內之固持器所支撐。聚光透鏡11所形成之雷射的焦點A設定於接合頭4之內部即中空部5內。又，聚光透鏡11之表面及背面形成有防反射膜。又，亦可使用凹面鏡作為聚光手段。
遮斷板15用以阻止通過聚光透鏡11之雷射17自應照射之半導體晶片1漏出。於實施例中存在遮斷板15，但若僅藉由聚光透鏡11即可調整並限定照射範圍於半導體晶片1時，亦可不設置上述遮斷板15。
若雷射17自半導體晶片1漏出，則該雷射17會照射至基板2並加熱基板2，存在有膨脹之危險。相較於由矽形成之基板2，基板2由樹脂形成之情形下膨脹會更大。若於基板2被加熱並膨脹之狀態下接合，則凸塊與電極之位置會產生偏移，且即便在冷卻後返回原來位置，半導體晶片1仍可能彎曲，而成為不良品。故設置遮斷板15以避免上述危險。
於接合頭4內之接合工具3的斜上方設置有檢測反射光用之光感測器12，用以檢測照射至接合工具3上所吸附之半導體晶片1上的雷射17之反射光等散射光。該光感測器12作為本發明中之光接收手段。作為該光接收手段的光感測器12，其光接收部13在接合頭4內設置於下部，即朝向所保持之半導體晶片1而設置於下部，而可接收自半導體晶片1之表面反射的反射光。來自光感測器12之光接收部13的信號經由光纖而輸入至控制裝置16中。又，亦可將光感測器12設置於控制裝置16內，而接收面向接合頭4內之光纖所導出的光。於該情形時，面向接合頭4內之光纖的前端成為光接收部13。
控制裝置16包括CPU(Central processing unit，中央處理單元)23、包含電源在內而附有電壓限制器之電流電路24、與光感測器12連接之照明度讀取電路25、以及與安裝於測試晶片28上之熱電偶27連接的溫度讀取電路26。
藉由控制裝置16對電流分布之設定，依如下之步驟進行。
第1、作為設定之準備，於接合時之晶片位置安裝附有熱電偶27之測試晶片28。
第2、於控制裝置16之監視器畫面顯示溫度分布之設定畫面，並輸入生產時之溫度分布。
第3、藉由控制裝置16求出與所輸入之溫度分布相對應之電流分布。
電流分布之具體的求出方法，以如下方式進行。
按照所輸入之溫度分布施加電流，實際上藉由雷射17加熱附有熱電偶27之測試晶片28，並以測試晶片28達到所輸入溫度分布之設定溫度的實際上升時間成為所設定之上升時間為準，以試誤法求出施加電流值並儲存該施加電流值。即，如圖7所示，求出設定電流值i1、至此為止之上升時間t1、設定電流值i1下之照射時間t2、設定電流值i2、至此為止之變更時間t3、設定電流值i2下之照射時間t4、以及下降時間t5。
上述方法根據溫度分布而求出電流分布，但亦可直接設定電流分布。
進而，亦可以如下方式求出電流分布。
第1、作為設定之準備，於晶片位置安裝附有熱電偶27之測試晶片28。
第2、預先大量儲存電流值與溫度之關係或者與上升或下降時間之關係等資料。
第3、於畫面顯示溫度分布之設定畫面，並輸入生產時之溫度分布。
第4、根據預先儲存的上述溫度分布所對應之電流分布資料，求出適當之電流分布。
生產時控制裝置16依所儲存之電流分布而控制電流，並經由包含電源在內且附有電壓限制器之定電流電路24，向雷射振盪器14施加電流。藉此雷射振盪器14發出雷射17。實施例中之雷射振盪器14與接合頭4分開裝備，並經由光纖9而將雷射導出至接合頭4，但亦可於接合頭4上一體設置雷射振盪器14。光纖9之雷射射出口10於圖2之實施例中，與接合工具3相對向而朝向下方設置。當然亦可藉由設置反射鏡等，而無需限定其設置之方向。
又，控制裝置16比較光接收部13之光接收量與預先設定之基準值，檢查其是否在預定量以上。若該光接收量達預定量，則控制裝置16指示接合頭4向基板2上方移動並且下降，使所吸附保持之半導體晶片1與基板2接合。若光接收量未滿預定量，則指示停止接合頭4之移動，並輸出光纖異常之警報。
檢查光接收量是否在預定量以上之目的在於，接合頭4在晶片供給位置與接合位置之間往復移動，因此光纖9反覆受擠壓，有時會產生斷線，故用來檢測如此之事態。
以下說明接合動作，首先，於接合位置，向基板載置台21上供給基板2。另一方面，於晶片供給位置，接合頭4自晶片托盤20將半導體晶片1吸附保持於接合工具3上並上升。其後，接合頭4藉由水平移動機構32而向作為接合位置之基板載置台21移動。
該移動步驟之期間，為了進行檢查，雷射振盪器14開始動作，自光纖9之雷射射出口10，以低於接合時之雷射輸出射出雷射17。此時光感測器12之光接收部接收包含半導體晶片1之上表面所反射之反射光在內的散射光。檢查該光接收量是否在預定量以上。若該光接收量達預定量，則接合頭4向基板2上之接合位置移動並下降，並使吸附保持之半導體晶片1與基板2接合。若光接收量未達預定量，則停止接合頭4之移動，並輸出光纖異常之警報。又，接合時，可一面將保持之半導體晶片1按壓至基板2，一面照射雷射而加熱壓接，亦可在半導體晶片1載置於基板2上之狀態下不按壓而僅以雷射照射並加熱。
第1實施例中，使用與單一雷射振盪器14連接之單芯光纖9，並自單一雷射射出口10射出雷射17，第2實施例亦可考慮如圖3所示，將連接於可分別控制之多個雷射振盪器14的多個較細之光纖9捆束為光纖束19，並自多個雷射射出口10射出各雷射17。
於自如此光纖束19之多個雷射射出口10射出雷射17時，即便藉由第1實施例所示之檢測手段檢測出光纖之異常，亦無法特定哪個光纖9產生異常。因此，於自如圖3所示光纖束19之多個雷射射出口10射出雷射17時，使一個雷射振盪器14動作，並自與該雷射振盪器14連接之1根光纖9的雷射射出口10射出雷射17，對每根光纖導入雷射而分多次依序檢查射入光接收部13之光接收量是否在預定量以上，以檢查光纖束19中哪個光纖9產生異常。
又，此時，亦可由分別每根光纖以較低之雷射輸出射出雷射17，但因為僅由光纖束19中的一根光纖9之雷射射出口射出雷射17，因此其輸出低於接合時整體光纖束19之雷射輸出，故就每根光纖9之輸出而言，無需在檢查時設定低於接合時之輸出，每根光纖之輸出與接合時之輸出相同即可。
進而，第3實施例亦可考慮如圖4所示，將連接於以群組為單位而控制之多個雷射振盪器14的多根較細光纖9捆束成光纖束19，並自多個雷射射出口10射出雷射17。
於自如此光纖束19之多個雷射射出口10射出雷射17時，即便藉由第1實施例所示之檢測手段檢測出光纖之異常，亦無法特定哪個光纖9群產生異常。
因此，於自如圖4所示光纖束19之多個雷射射出口10射出雷射17時，使一個群組之雷射振盪器14動作，並自與該雷射振盪器14連接之一個群組之光纖9的射出口10射出雷射17，對每個由既定數量組成之一個群組導入雷射，分多次依序檢查自光接收部13射入之光接收量是否在既定以上，來檢查光纖束19中哪個光纖9群產生異常。
即便於該情形時，亦可以較低之雷射輸出對每個群組射出雷射17，但光纖束19中僅自一個群組之光纖9之雷射射出口10射出雷射17，因此其輸出低於接合時整體光纖束19之雷射輸出。因此，在檢查時無需使每個群組之光纖9的輸出低於接合時之輸出，每個群組之輸出亦可與接合時之輸出相同。又，於如此之第3實施例中，構成為於各雷射振盪器14中設置開關電路而可使各群組之光纖9群內每個雷射振盪器14動作，亦可與上述第2實施例相同對各光纖9群單獨進行檢查。
第1至第3實施例中，作為光接收手段之光感測器12之光接收部13朝向下部而設置於接合頭4內，但亦可將作為光接收手段之光感測器12之光接收部13設置於接合頭4之外部，即如圖5所示朝向上方而設置於平台22上。於該第4實施例中設置於外部之光接收部13可觀察接合頭4之下端。
於採用如此構成時，以如下方式動作。
首先，開始生產運轉前起動接合裝置時，或者於基板2上接合半導體晶片1並使接合頭4上升後移動至晶片托盤20前，即接合頭4未保持半導體晶片1之狀態下，水平移動接合頭4，使接合頭4位於光接收部13之上方。
於該位置以低於接合時之輸出的雷射輸出照射雷射17。此時檢查自光接收部13射入之光接收量是否在既定量以上。檢查之結果若達既定量，則保持半導體晶片1並執行接合動作，若未達既定量則停止，並輸出光纖9異常之警報。
又，此例中，接合頭4移動，但接合頭4與光接收部13之移動為相對移動即可，故既可使設置有光接收部13之平台22移動，亦可使兩者移動，亦可使光接收部13單獨移動。如上所述，即便在光接收部13設置於接合頭4之外部時，亦可自多個雷射射出口10射出雷射17。
第1、第5實施例中，將與可分別控制之多個雷射振盪器14連接的多個較細光纖9捆束成光纖束19，並自多個雷射射出口10射出雷射17。具有與圖3所示雷射射出口10相同之雷射射出口10。
第2、第6實施例中，將與可以群組為單位而控制之多個雷射振盪器14連接的多個較細光纖9捆束成光纖束19，並自多個雷射射出口10射出雷射17。具有與圖4所示雷射射出口10相同之雷射射出口10。
即便於該等情形時，檢查方法以及輸出位準亦與第2以及第3實施例之情形相同。
1．．．半導體晶片
2．．．基板
3．．．接合工具
4．．．接合頭
5．．．中空部
6．．．雷射加熱裝置
7．．．抽吸通道
8．．．抽吸裝置
9．．．光纖
10．．．雷射射出口
11．．．聚光透鏡
12．．．光感測器(焦點)
13．．．光接收部
14．．．雷射振盪器
15．．．遮斷板
16．．．控制裝置
17．．．雷射
18．．．吸附孔
19．．．光纖束
20．．．晶片托盤(雷射光)
21．．．基板載置台
22．．．平台
23．．．CPU
24．．．定電流電路(電流電路)
25．．．照明度讀取電路
26．．．溫度讀取電路
27．．．熱電偶
28．．．測試晶片
31．．．升降機構
32．．．水平移動機構
100．．．接合裝置
A．．．焦點
i．．．電流值
t．．．時間
圖1係將光接收手段設置於接合頭內時之接合裝置之整體概略說明圖。
圖2係表示接合頭內部之說明圖，圖2(A)表示檢查時，圖2(B)表示接合時。
圖3係以每個光纖單位進行檢查時之接合裝置之說明圖，圖3(A)表示檢查時，圖3(B)表示接合時。
圖4係以光纖群組單位進行檢查時之接合裝置之說明圖，圖4(A)表示檢查時，圖4(B)表示接合時。
圖5係將光接收手段設置於雷射頭外部時之接合裝置之整體說明圖。
圖6係表示控制裝置與接合頭之關係之方塊圖。
圖7係按照電流分布之電流控制之圖表。
圖8係表示先前之接合裝置中之加熱原理之剖面說明圖。
圖9係先前之電控制之圖表。
1．．．半導體晶片
2．．．基板
3．．．接合工具
4．．．接合頭
5．．．中空部
6．．．雷射加熱裝置
7．．．抽吸通道
8．．．抽吸裝置
9．．．光纖
10．．．雷射射出口
11．．．聚光透鏡
12．．．光感測器
13．．．光接收部
14．．．雷射振盪器
15．．．遮斷板
16．．．控制裝置
17．．．雷射
18．．．吸附孔
21．．．基板載置台
A．．．焦點

Claims (6)

  1. 一種接合裝置，包括：接合頭，其具有吸附並保持電子零件之接合工具；以及雷射加熱手段，其自接合頭之內側向接合工具上所保持之電子零件照射雷射光，藉此加熱上述電子零件；如此之接合裝置中，其特徵在於，雷射加熱手段具有聚焦來自光源之雷射光的聚光手段，且將聚光手段所形成之雷射光的焦點設置於用以對接合頭內部賦予負壓之中空部。
  2. 如申請專利範圍第1項之接合裝置，其中，上述雷射加熱手段具有：藉由施加電流而使雷射振盪之雷射振盪手段，同時包括：分布(profile)設定手段，其設定接合時施加至雷射振盪手段中之電流分布；以及控制手段，其按照所設定之電流分布而控制施加至雷射振盪手段中之電流值。
  3. 如申請專利範圍第2項之接合裝置，其中，上述分布設定手段根據溫度分布而設定電流分布。
  4. 如申請專利範圍第1項之接合裝置，其中，上述加熱手段包括：使雷射振盪之雷射振盪手段；光纖，其導出來自上述雷射振盪手段之雷射並將該雷射射出至上述接合頭內；接合平台，其支撐電子零件之接合對象物；控制手段，其使自上述雷射加熱手段所射出之雷射之輸出成為可變；光接收手段，其接收自上述光纖射出之雷射；移動機構，其使上述接合 頭相對於上述接合平台而相對移動；以及檢查手段，其根據上述光接收手段之光接收量來檢查上述光纖之導光狀態之良否；且將上述光接收手段之光接收部設置於上述接合頭內，於上述接合頭之下部保持有電子零件之狀態下，以低於接合時之雷射輸出而自上述光纖射出雷射，藉由上述檢查手段，根據上述光接收手段所接收並包含來自電子零件之反射光在內的光接收量，來檢查上述光纖之導光狀態之良否。
  5. 如申請專利範圍第1項之接合裝置，其中，上述加熱手段包括：雷射振盪手段，使雷射振盪；光纖，其導出來自上述雷射振盪手段之雷射並將該雷射射出至上述接合頭內；接合平台，其支撐電子零件之接合對象物；控制手段，其可使自上述雷射加熱手段射出之雷射之輸出成為可變；光接收手段，其接收自上述光纖射出之雷射；移動機構，其使上述接合頭相對於上述接合平台而相對移動；以及檢查手段，其根據上述光接收手段之光接收量，而檢查上述光纖之導光狀態之良否；且將上述光接收手段之光接收部以可相對於上述接合頭相對移動之方式朝向上方設置，於上述接合頭之下部未保持電子零件之狀態下，使上述光接收手段之光接收部位於接合頭之下方，並以低於接合時之雷射輸出自上述光纖射出雷射， 藉由上述檢查手段，根據上述光接收手段所接收之光接收量，來檢查上述光纖之導光狀態之良否。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之接合裝置，其中，上述光纖由多數光纖形成，使雷射自每既定數量之光纖導出，分多次自光纖射出雷射，並藉由上述檢查手段來檢查光纖之導光狀態之良否。
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