TWI401712B - 用於磁鐵保護之封阻系統 - Google Patents

Description

用於磁鐵保護之封阻系統

此發明係關於一種用以保護超導磁鐵的封阻系統。高性能超導磁鐵以具有零或接近零電阻率的高電流密度運轉。高電流密度及零或接近零電阻會最小化磁鐵繞組之大小，從而允許更小型的磁鐵及增強的磁場。

若溫度、磁場或電流在超導體之某區域中為太高，則該超導體會失去其超導特性且變為具電阻性或正常。通常而言，正常狀態中的超導體比銅更具電阻性。電流會在通常分流超導體的高導電率金屬(通常為銅或鋁)中流動。電流由於超導材料失去其超導能力而在正常導電材料區域中流動的繞組之區域係稱為封阻區或正常區。在正常區中，繞組係電阻性且由流經該區的電流產生熱。在許多實例中，此熱可以產生局部導體損壞。儘管存在分流超導繞組中的超導體之正常導電矩陣(例如銅或鋁)，但是若亦使封阻區局部化，則高性能磁鐵可以在此正常導電材料中產生大量熱。為預防由於繞組中的強局部熱而破壞磁鐵，有必要藉由下列方式從磁鐵迅速地移除儲存磁能量：傾印外部電阻器或外部電能量儲存單元中的儲存磁能量，或相對較均勻地將能量沉積在磁鐵之體積內以最小化初始正常區之峰值溫度。

高性能磁鐵的特徵為較高電流、電流密度、以及比其他超導磁鐵高的峰值磁場、力以及儲存能量。高性能磁鐵由於所需要的高電壓而難以足夠快地從磁鐵移除能量。高電壓係需要對磁鐵迅速地放電之結果。更需要消散磁鐵繞組本身之體積之一實質部分中的磁能量。用以達到導體中的超導至正常轉變所需要的每單元體積的熱能量取決於磁鐵之性質。與液態He進行良好直接接觸的系統需要約1 J/cm³ 的高能量輸入。然而，在缺少液態冷凍劑情況下藉由至一冷錨(例如低溫冷卻器)的直接熱傳導加以冷卻的乾式磁鐵需要每單位體積甚少的熱能量，通常少於100 mJ/cm³ 。

超導繞組可在該繞組上具有磁場之分佈，因此某些區域具有大穩定性邊緣而且其他區域沒有。在此類實例中，繞組之一區段可變為正常，而其餘部分保持超導，且具有僅加熱磁鐵之一小部分的結果。在此類實例中可橫跨繞組發展大溫差，從而由於自加熱區域對未加熱區域之熱差膨脹的大機械應力之累積而產生損壞。在此實例中，有必要使磁鐵之冷穩定區域迅速地變為正常以避免亦可以損壞繞組的此類應力。

為達到磁鐵體積之實質部分中的儲存磁能量之內部消散(傾印)，有必要在與電流的自然衰減時間相比時為較少之時間內主動地將導體繞組之大部分的溫度提升至電流共用溫度(電流開始在正常導電材料中流動情況下的溫度)以上。加熱使得超導體變為正常，從而迫使電流偏移至分流超導體的正常導電材料，並產生主體繞組中的實質熱消散及另外的總溫度增加。程序在繞組體積中產生更均勻的溫度，並且在已對磁鐵進行放電之後亦減少繞組的峰值溫度。

過去藉由使用局部焦耳(Joule)加熱器來完成導體繞組的加熱，該加熱係主動地獲得能量供給(藉由使用外部電源供應)或內部產生(藉由使用內部迴路，其係感應性地與主要磁場耦合，藉由主要磁鐵中的電流減少加以獲得能量供給或由內部變壓器所驅動)。

在低性能磁鐵中，線圈繞組包裝之表面的加熱由於封阻所允許的相對較長時間而足夠。透過導體層及絕緣體的熱擴散係高到足以允許以相對於線圈傾印時間標度的較短時間標度來加熱線圈斷面之實質部分。

在高性能磁鐵中，為最小化使線圈及/或加熱元件短路之可能性，將焦耳加熱元件定位在線圈繞組包裝之表面上，通常在加熱元件並非在直接機械負載路徑中的位置處。在此等高性能磁鐵中，允許傾印儲存能量之時間係足夠少，因此其通常不可能單獨地取決於橫跨導體層或沿導體的導熱率以提供線圈繞組之相對均勻的溫度。

已熟知導體繞組在處於超導狀態中時可藉由使用交流損失(由於交流磁場的出現而起的損失)來得以加熱。若干交流損失機制已知會出現在超導繞組中，包含渦電流損失、磁滯損失及耦合損失。渦電流損失係由透過正常導電材料(非超導部分)的磁場擴散所引起。磁滯損失係由於超導材料中的磁化效應，因為交流磁場會滲透超導體之表面。耦合損失係由於透過超導體/正常導電材料介面的損失，其係由於透過絞狀超導體之磁通連結。

藉由主要磁場之小漣波振盪，使用交流損失來加熱線圈的問題係，改變磁場所需要的功率係很高。若I_DC 係產生主要磁場的電流，並且I_AC 係交流電流，則交流磁場中的能量與主要磁場中的能量之比率係約I_AC /I_DC ，而且此比例會產生外部驅動式交流磁場中所需的很高功率。

此發明之另一目的係透過非導電程序來加熱超導磁鐵之導體的實質部分而不需要大的無效功率來保護磁鐵免遭破壞。

在本發明之一方面，用於磁鐵保護的封阻系統包含一直流超導線圈及一交流線圈系統，其係定位成接近於該直流超導線圈以產生交流磁場。交流磁場加熱直流線圈以引起直流超導線圈之實質部分上的超導至正常轉變。在一較佳具體實施例中，配置直流超導線圈及交流線圈系統以便直流超導線圈與交流線圈之間的互感係接近於零。直流超導線圈及交流線圈系統的磁場可彼此正交以提供低互感。唯一的要求係，交流磁場與主要線圈適當地耦合以產生實質交流損失(由於磁滯、耦合或渦電流加熱)。

交流線圈系統可包含複數個線圈。在一項具體實施例中，交流線圈系統係藉由交錯該複數個線圈之間的迴路或相等數目的迴路集來纏繞以減少在每一個線圈中產生的內部電壓。交流線圈系統中的每一個線圈可接近相對於直流超導線圈的零互感。或者，總交流線圈系統相對於直流線圈而接近於零互感，但是該交流線圈系統之複數個線圈之每一個分離線圈具有相對於直流超導線圈的一有限互感。一較佳具體實施例包含交流線圈系統與直流超導線圈之間的高電壓絕緣體。

在另一具體實施例中，該系統包含包圍直流超導線圈的導電熱毯。熱毯係用於乾式磁鐵(其缺乏液態冷卻劑)，作為將自較差冷卻線圈區段的熱有效地傳導至冷卻電路之構件。熱毯包含間隙，其用以預防熱毯中的感應電流遮蔽藉由自直流超導線圈之交流線圈系統所產生的交流磁場。

交流磁場之適當頻率係在100 Hz至10 kHz之範圍內。交流磁場的適當量值係在50至300G之範圍內。

本發明之目的係減少驅動交流磁場所需要的無效功率，該等交流磁場產生超導繞組的足夠加熱，因此在主要超導線圈之大部分中於短時間間隔內產生封阻。

可根據磁場或互感來解釋以下說明的本發明之具體實施例。為減少用以加熱主要直流超導磁鐵之交流磁場中需要的能量，使交流磁場定向，在某些具體實施列中垂直於穩定狀態的主要磁場。接著藉由設計，交流磁場中的能量與主要直流磁場中的能量之比率依比例調整為(I_AC /I_SC )² ，其中I_AC 及I_SC 分別係交流線圈及主要超導線圈的電流。因為比率I_AC /I_SC 係甚小於1，所以此組態中的能量係甚小於習知感應性加熱器中的能量，在該等習知導電加熱器中將主要磁場中的漣波振盪用以建立交流磁場，並且能量比例為I_AC /I_SC ，如以上所示。根據互感，若交流封阻感應線圈與直流線圈之間的互感係M，並且L_AC 及L_SC 分別係交流封阻感應線圈及主要超導線圈自感應，則交流磁場能量與直流主要磁場能量之比率係由下列運算式所提供：(MI_AC I_SC ＋L_AC I_AC ² )/L_SC I_SC ²

此比率在M並非零的情況下係接近MI_AC /L_SC I_SC ，但在M＝0的情況下係L_AC I_AC ² /L_SC I_SC ² ~(I_AC /I_SC )² 。因此，在M係零的情況下，可以使無效能量與穩定狀態主要磁場能量之間的比率甚小，從而減小啟動磁鐵封阻所需要的功率。

自主要超導線圈集的直流磁場以及自封阻感應線圈集的交流磁場係正交之事實具有電性質，即兩個線圈線集之間的互感係0。在兩個線圈集之間不存在淨磁通連結，而且為一個集供電會避免在其加以相互耦合情況下所需要的無效功率。此準則接著可用以產生線圈幾何結構，其可用以在使用很小無效功率的同時封阻一超導磁鐵。

在以如圖1所示的螺線繞組之形狀的主要直流超導線圈8(其在徑向及垂直方向上產生磁場(針對主要超導線圈，其中軸10在垂直方向上對準))之情況下，在環形方向上(在與以螺線繞組之形狀的主要超導線圈中的繞組相同的方向上)產生磁場的交流封阻感應線圈配置滿足零互感之要求。此類磁場可藉由使用環形繞組12加以產生，該繞組包圍超導螺線繞組14，如圖1所示。一結構支撐物16加固直流線圈8。

條件M＝0之優點係，沒有力作用於交流環形封阻感應線圈12與主要超導繞組14之間。交流封阻感應線圈12僅由於自負載而需要加以支撐。

此繞組配置的優點係，交流線圈12或線圈集不必與產生直流磁場的主要超導繞組或繞組集14接觸。將其定位成接近主要超導線圈係足夠。相反，先前技術之焦耳加熱器需要與主要超導線圈集親密接觸以便透過熱傳導來發送熱，因為輻射熱轉移係太慢。交流封阻感應線圈集12不必與主要超導繞組集14親密接觸的事實會最小化主要超導繞組或繞組集14與交流封阻感應線圈12或線圈集之間的短路之可能性，以及因在任一線圈集中或在兩個線圈集之間產生的高電壓而起的崩潰或由於封阻感應元件係在主要結構負載路徑中而起的機械損壞之可能性。

繞組12之交流磁場需要滲透超導繞組14。在圖1之螺線磁鐵的情況下，該等磁場滲透整個主要超導繞組或繞組集14，只要不存在一導電元件，其使遮蔽電流可在極向方向上(即，在與環形交流封阻感應繞組12中的電流之方向相同的方向上)不間斷地流動。以20指示此一導電制動器。

有用的係採用熱毯來包圍超導磁鐵以移除或擴散熱。熱毯的使用在無接取磁鐵周圍的所有表面之液態氦冷卻劑之乾式超導磁鐵的情況下尤其有用。此等熱毯亦可以為良好的導電體。

現在參考圖2，已藉由詳細分析決定，在包圍主要超導繞組或繞組集14的熱毯18之情況下，預防極向電流在熱毯18中流動的間隙20係使自封阻感應線圈集12的交流磁場可滲透整個超導繞組或繞組集14的全部需求。在無間隙20的情況下，在熱毯18中流動的渦電流將遮蔽交流磁場通量。

同一方法可用於其他類型的磁鐵。在主要超導線圈集本身係環形磁鐵的情況下，交流封阻感應線圈集可以係均勻地包圍環形磁場線圈的繞組。或者，在垂直方向及徑向上產生磁場的極向磁場線圈集將產生接近零的互感。

同一佈局在雙極/四極磁鐵情況下可用，在該磁鐵中交流封阻感應線圈集包圍雙極/四極磁鐵的每一個支腳(leg)。

以上說明藉由使用正交(垂直)磁場而消除線圈集之間的相互耦合。存在若干方式用以減少或消除交流封阻感應線圈與主要超導線圈之間的互感耦合而無需施加交流磁場應該垂直於主要磁場之要求。

圖3顯示鞍形封阻感應線圈22及24之組態，其中總互感係0，但每一個未成對的鞍形封阻感應線圈均具有相對於主要超導繞組或繞組集14的非零感應。顯示透過每一個鞍形線圈22、24的電流之方向。幾何結構為，在上部鞍形線圈22中感應的電壓係在量值上與在下部鞍形封阻感應線圈24中感應的電壓相等但在極性上與其相反，因此主要超導繞組或繞組集14與上部鞍形封阻感應線圈22之間的互感具有主要超導繞組或繞組集14與下部鞍形線圈24之間的互感之相反符號。在此情況下，透過主要超導繞組或繞組集14之導線的電壓將較低，但可存在高內部電壓。

若每一個線圈22、24係加以分離地驅動，則每一個線圈將需要大量無效功率及橫跨端子的高電壓。但若其得以串聯驅動，則具有另一個線圈系統之反相的一個線圈之無效功率會產生低功率，因為總互感係0。此配置在交流封阻感應線圈中產生內部電壓，此可加以處理，因為該等線圈不必與主要超導繞組或繞組集14接觸，且因此可加以適當地絕緣。

圖3之情況下，儘管兩個線圈之間的淨力係0，但在該等線圈之間產生扭矩。此等扭矩需要加以支撐。

交流感應線圈22、24中的內部高電壓(例如圖3所示的內部高電壓)可藉由交替迴路加以最小化，如圖4所示。由於上部鞍形封阻感應線圈22之迴路或迴路集26中的互感而起之電壓具有與下部鞍形封阻感應線圈24之迴路或迴路集28中的互感相反之極性。上部或下部鞍形線圈中的迴路具有相對於螺線磁鐵繞組14的相同感應量值，但符號不同。低電壓可以藉由交錯繞組來達到，因此繞組由上部鞍形封阻感應線圈22中的迴路或迴路集26組成，該迴路或迴路集係藉由分流30之一與下部鞍形封阻感應線圈24中的迴路或迴路集28電連接。最大電壓係減少上部與下部鞍形封阻線圈之間的分流之數目及任一線圈中的轉數之總數目。橫跨各層的最小電壓係單一迴路之電壓。

在圖5所示的具體實施例中，可以設計鞍形感應線圈32之形狀以便具有自主要超導繞組集14透過每一個鞍形封阻感應線圈32的零淨通量。此在交流封阻感應線圈32之某電流區段係在環形方向上的情況下得以自動滿足，並且其他元件係與磁場方向10對準(此等區段之每一個區段之兩者係在圖5中的每一個交流感應線圈32中加以說明)。在此情況下，主要超導繞組14與鞍形線圈32之間的互感係零，而且每一個鞍形封阻感應線圈32可以在沒有大無效功率情況下分離地加以驅動。然而，圖5所示的配置產生在主要超導繞組14中產生的電壓，其需要加以包含在設計中。此外，儘管不存在施加於每一個鞍形線圈的淨力，但是存在施加於封阻感應線圈32的淨扭矩，其需要加以支撐。

可最佳化本文揭示的交流封阻感應系統之頻率以最大化每無效功率的熱。一個選項係選擇該系統之頻率，其與渦電流滲透至該導體中的時間匹配。此等導體係較複雜，可能具有多個部分絕緣的絞股、各種形式的銅或其他矩陣材料、超導體及焊料、渦電流滲透時間，其係約一毫秒(頻率對應於約1 kHz)。當交流磁場之週期與渦電流滲透時間相當時，會出現與該導體的最佳耦合。在較低頻率情況下，感應電流會衰減；而在較高頻率情況下，該等電流不會滲透。另一方面，若加熱主要係由於磁滯，則加熱功率單一性地隨頻率而增加。

一較佳具體實施例使用從約100 Hz至約10 kHz的頻率。通常而言，約50至300高斯(Guass)峰值的交流磁場將足以在約100 ms內將超導體加熱至正常狀態。

本發明說明建立由未封阻區所分離的大量離散封阻位址之可能性。每一個感應封阻位址處的封阻藉由封阻區之加熱來傳播。以此方式，驅動封阻所需要的功率得以減少，其中藉由主要磁鐵中的儲存能量提供封阻整個主要磁鐵所需要的實質量之能量。圖5顯示一方案，其中多個交流線圈在主要磁鐵之一較小區中產生封阻，並且該封阻傳播至磁鐵的其餘部分。

已預想兩個電源供應。第一個電源供應係完全充電電容器庫，其以所需頻率與交流封阻感應線圈之感應共振。電容器驅動式電路可能必須產生比以下說明之驅動情況高的磁場以便儲存封阻磁鐵所需要的能量。第二個電源供應係驅動式電源供應。具有約0.1 m³ 之導體體積的一線圈所需要的功率在約100 ms內係約10 kW。

本文揭示的組態之另一優點係，系統中的其他結構(例如圖1、3及5中的結構支撐物16)具有遮蔽電流，其最小化所需要的無效能量。因為其相對較大的大小，所以其篩檢該結構之主體內的磁場，即使其電阻率係甚高於該導體中的銅之電阻率亦如此。

儘管所說明的系統具有直流主要超導磁鐵，但是可以使用具有低頻率或脈衝式磁鐵/變壓器的同一概念。因此，以1 Hz運轉的系統將藉由交流磁場以100至10000 Hz的頻率加以封阻。以同一方式，可藉由一交流磁場封阻系統來保護一脈衝式線圈，該系統以甚高於脈衝持續時間之倒數的頻率運轉；等效地，交流磁場之週期應該短於脈衝式磁鐵之脈衝持續時間。

交流線圈可以為正常導電或其可以為超導式。

雖然已經顯示並說明本發明之特定具體實施例，但是熟習此項技術人士應明白可以進行各種變更及修改而不脫離本發明之更廣方面。預計在以上說明中包含並在附圖中顯示的所有事件應解釋為說明性而非限制性。

8．．．線圈

10．．．軸

12．．．環形繞組/感應線圈

14．．．超導繞組

16．．．結構支撐物

18．．．熱毯

20．．．間隙

22．．．線圈

24．．．線圈

26．．．迴路或迴路集

28．．．迴路或迴路集

30．．．分流

32．．．鞍形封阻感應線圈

圖1係本發明之感應性封阻系統之一具體實施例的斷面圖。

圖2係包含具有一間隙之熱毯的圖1之具體實施例的斷面圖。

圖3係依據本發明之封阻系統之另一具體實施例的透視圖。

圖4係藉由交錯迴路所纏繞的線圈系統之示意圖。

圖5係依據本發明之封阻系統之另一具體實施例的透視圖。

10．．．軸

14．．．超導繞組

16．．．結構支撐物

22．．．線圈

24．．．線圈

Claims (14)

1. 一種用於磁鐵保護的封阻系統，其包括：一直流超導線圈；以及一交流線圈系統，其係定位成接近於該直流超導線圈以產生交流磁場，從而加熱該直流線圈以引起該直流超導線圈之一實質部分上的一超導至正常轉變。
2. 如請求項1之系統，其中配置該直流超導線圈及該交流線圈系統以便該直流超導線圈與交流線圈之間的互感係接近於零。
3. 如請求項2之系統，其中該直流超導線圈及該交流線圈系統之磁場係彼此正交。
4. 如請求項1或請求項2之系統，其中該交流線圈系統包含複數個線圈。
5. 如請求項4之系統，其中該交流線圈系統係藉由交錯該複數個線圈之間的迴路或相等數目的迴路集來纏繞以減少每一個線圈中產生的內部電壓。
6. 如請求項4之系統，其中該交流線圈系統中的每一個線圈相對於該直流超導線圈而接近零互感。
7. 如請求項4之系統，其中該總交流線圈系統相對於該直流線圈而接近零互感，但是該交流線圈系統之該複數個線圈之每一個分離線圈相對於該直流超導線圈而具有一有限的互感。
8. 如請求項4之系統，其中由該複數個線圈封阻該直流超導線圈的多個區，其中經封阻之該等區係該直流超導線 圈之一小部分，其中透過藉由衰減儲存於該直流超導線圈之能量對經封阻之該等區加熱而將該封阻傳播至該直流超導線圈之其餘部分，封阻該直流超導線圈所需要的能量實質上減少。
9. 如請求項8之系統，其進一步包含該交流線圈系統與該直流超導線圈之間的一高電壓絕緣體。
10. 如請求項1之系統，其進一步包含包圍該直流超導線圈的一導電熱毯，該熱毯包含至少一個間隙以預防該熱毯中的感應電流遮蔽藉由自該直流超導線圈之該交流線圈系統所產生的交流磁場。
11. 2或10之系統，其中該交流磁場之頻率係在100 Hz至10 kHz之範圍內。
12. 2或10之系統，其中該交流磁場之量值係在50至300 G之範圍內。
13. 2或10之系統，其中該直流超導線圈嚴格地說並非直流式而以甚低於該交流封阻系統的一頻率運轉。
14. 2或10之系統，其中該直流超導線圈嚴格地說並非直流式而以甚長於該交流封阻系統之週期的一脈衝寬度運轉。