JP2671431B2 - 超電導可逆可変インダクタ - Google Patents
超電導可逆可変インダクタInfo
- Publication number
- JP2671431B2 JP2671431B2 JP63230541A JP23054188A JP2671431B2 JP 2671431 B2 JP2671431 B2 JP 2671431B2 JP 63230541 A JP63230541 A JP 63230541A JP 23054188 A JP23054188 A JP 23054188A JP 2671431 B2 JP2671431 B2 JP 2671431B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- change
- coil
- core material
- reversible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F36/00—Transformers with superconductive windings or with windings operating at cryogenic temperature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、インダクタンスを電磁気的に可逆変化し得
る超電導可逆可変インダクタに関する。本発明の超電導
可逆可変インダクタはたとえば、高速応答型の各種変調
器や可変周波数発振器などに適用することができる。
る超電導可逆可変インダクタに関する。本発明の超電導
可逆可変インダクタはたとえば、高速応答型の各種変調
器や可変周波数発振器などに適用することができる。
［従来の技術］ 超電導体には、臨界磁界Hc以下で完全反磁性かつ超電
導性となり臨界磁界Hc以上で常電導性となる第１種超電
導体の他に、下部臨界磁界Hc1以下で完全反磁性かつ超
電導性となり、下部臨界磁界Hc1より大きく上部臨界磁
界Hc2以下で不完全反磁性（混合状態）かつ超電導性と
なり、上部臨界磁界Hc2以上で常電導性かつ常磁性とな
る第２種超電導体とが知られている。
導性となり臨界磁界Hc以上で常電導性となる第１種超電
導体の他に、下部臨界磁界Hc1以下で完全反磁性かつ超
電導性となり、下部臨界磁界Hc1より大きく上部臨界磁
界Hc2以下で不完全反磁性（混合状態）かつ超電導性と
なり、上部臨界磁界Hc2以上で常電導性かつ常磁性とな
る第２種超電導体とが知られている。
従来、第１種超電導体製の芯材にコイルを巻回し、こ
の芯材に熱パルスを印加してインダクタンスを変更する
超電導モジュレータが提案されている。
の芯材に熱パルスを印加してインダクタンスを変更する
超電導モジュレータが提案されている。
また従来、インダクタンスを線形（リニア）変化させ
る可変インダクタとしてフェライトなどの磁芯を移動さ
せるものや、その他に、単に非線形変化させる可変イン
ダクタとして磁芯の磁気飽和を利用するものもある。
る可変インダクタとしてフェライトなどの磁芯を移動さ
せるものや、その他に、単に非線形変化させる可変イン
ダクタとして磁芯の磁気飽和を利用するものもある。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら上記した従来の超電導可変モジュレータ
は、繰り返し熱パルスによる超電導体の完全磁性と常磁
性との間の交互変化を利用しているので、熱の伝導に伴
う応答の遅さや、熱による制御性の悪さといった欠点が
あった。。
は、繰り返し熱パルスによる超電導体の完全磁性と常磁
性との間の交互変化を利用しているので、熱の伝導に伴
う応答の遅さや、熱による制御性の悪さといった欠点が
あった。。
また磁芯の運動を利用する可変インダクタは構造が複
雑でかつインダクタンスの高速変化が困難であり、磁芯
の磁気飽和を利用する可変インダクタはリニア用途への
応用が困難であった。
雑でかつインダクタンスの高速変化が困難であり、磁芯
の磁気飽和を利用する可変インダクタはリニア用途への
応用が困難であった。
本発明はこのような課題に鑑みなされたものであり、
インダクタンスの線形制御性及び高速応答性に優れた超
電導可逆可変インダクタを提供することを目的とするも
のである。
インダクタンスの線形制御性及び高速応答性に優れた超
電導可逆可変インダクタを提供することを目的とするも
のである。
［課題を解決するための手段］ 第１発明の超電導可逆可変インダクタは、下部臨界磁
界以上で上部臨界磁界以下の範囲内における所定強度以
下の磁界変化に対して透磁率が可逆的に変化する可逆透
磁率変化領域をもつ第２種超電導体製の芯材と、前記芯
材に巻回された複数のコイルとを具備し、前記複数のコ
イルは、前記芯材に可逆的な透磁率変化を生じさせる搬
送波電流及び交流信号電流が個別に通電される変調コイ
ル及び１次コイルと、前記透磁率変化に伴う相互インダ
クタンス変化に応じて変調された被変調電圧が両端に生
じる２次コイルとを含むことを特徴としている。
界以上で上部臨界磁界以下の範囲内における所定強度以
下の磁界変化に対して透磁率が可逆的に変化する可逆透
磁率変化領域をもつ第２種超電導体製の芯材と、前記芯
材に巻回された複数のコイルとを具備し、前記複数のコ
イルは、前記芯材に可逆的な透磁率変化を生じさせる搬
送波電流及び交流信号電流が個別に通電される変調コイ
ル及び１次コイルと、前記透磁率変化に伴う相互インダ
クタンス変化に応じて変調された被変調電圧が両端に生
じる２次コイルとを含むことを特徴としている。
第２発明の超電導可逆可変インダクタは、下部臨界磁
界以上で上部臨界磁界以下の範囲内における所定強度以
下の磁界変化に対して透磁率が可逆的に変化する可逆透
磁率変化領域をもつ第２種超電導体製の芯材と、前記芯
材に巻回された複数のコイルとを具備し、前記複数のコ
イルは、前記芯材に交流磁界を生じさせる１次コイル
と、外部印加磁界の変化による前記芯材の透磁率変化に
伴う相互インダクタンス変化に応じて変調された被変調
電圧が両端に生じる外部磁界検出用の２次コイルとを含
むことを特徴としている。
界以上で上部臨界磁界以下の範囲内における所定強度以
下の磁界変化に対して透磁率が可逆的に変化する可逆透
磁率変化領域をもつ第２種超電導体製の芯材と、前記芯
材に巻回された複数のコイルとを具備し、前記複数のコ
イルは、前記芯材に交流磁界を生じさせる１次コイル
と、外部印加磁界の変化による前記芯材の透磁率変化に
伴う相互インダクタンス変化に応じて変調された被変調
電圧が両端に生じる外部磁界検出用の２次コイルとを含
むことを特徴としている。
前記磁界変化は、外部から印加される磁界の変化また
は、前記コイルの電流変化によって生じる。
は、前記コイルの電流変化によって生じる。
可逆的透磁率変化領域は、第２種超電導電体における
下部臨界磁界以上で、下部臨界磁界と上部臨界磁界との
間の所定値以下の磁界変化範囲を意味する。この可逆的
透磁率変化領域では、第２超電導電体の透磁率は、磁界
変化に対してほぼ直線的に変化し、かつ、印加された磁
界が減少して下部臨界磁界に達すると、理想的には零
（実際には洩れインダクタンスなどの影響により非常に
小さな初期の値）にほぼ収束する。
下部臨界磁界以上で、下部臨界磁界と上部臨界磁界との
間の所定値以下の磁界変化範囲を意味する。この可逆的
透磁率変化領域では、第２超電導電体の透磁率は、磁界
変化に対してほぼ直線的に変化し、かつ、印加された磁
界が減少して下部臨界磁界に達すると、理想的には零
（実際には洩れインダクタンスなどの影響により非常に
小さな初期の値）にほぼ収束する。
従って可逆的透磁率変化領域内で作動する本発明の超
電導可逆可変インダクタンスは、磁界変化に対して可逆
的かつほぼ直線的に変化するインダクタンスをもつこと
ができる。第２種超電導体としては、YBa2Cu3O7−ｙな
どのＹ系高温超電導体の他、Bi系、La系、Ta系、Tl系な
どの酸化物の超電導体でもよい。
電導可逆可変インダクタンスは、磁界変化に対して可逆
的かつほぼ直線的に変化するインダクタンスをもつこと
ができる。第２種超電導体としては、YBa2Cu3O7−ｙな
どのＹ系高温超電導体の他、Bi系、La系、Ta系、Tl系な
どの酸化物の超電導体でもよい。
芯材は、上部臨界磁界と下部臨界磁界との間において
外部磁界（即ち、外部印加磁界やコイル電流による磁
界）の増加に伴い巻回コイルのインダクタンスが単調に
増加し、かつその減少に伴い同インダクタンスが単調に
減少する特性を持ち、かつ前記可逆透磁率変化領域内に
おいて、外部磁界即ち全印加磁界の増減に対して、可逆
的なかつほぼ直線的なインダクタンス変化特性（透磁率
変化特性）を有している。芯材は、コイルの巻回が可能
な筒形、柱状、リング状などの形状に形成でき、又は、
テープ状としてコイルに巻回してもよい。コイルは超電
導線でも良い。
外部磁界（即ち、外部印加磁界やコイル電流による磁
界）の増加に伴い巻回コイルのインダクタンスが単調に
増加し、かつその減少に伴い同インダクタンスが単調に
減少する特性を持ち、かつ前記可逆透磁率変化領域内に
おいて、外部磁界即ち全印加磁界の増減に対して、可逆
的なかつほぼ直線的なインダクタンス変化特性（透磁率
変化特性）を有している。芯材は、コイルの巻回が可能
な筒形、柱状、リング状などの形状に形成でき、又は、
テープ状としてコイルに巻回してもよい。コイルは超電
導線でも良い。
［作用］ 本発明の超電導可逆可変インダクタにおいて、下部臨
界磁界以上で上部臨界磁界以下の範囲内における可逆透
磁率変化領域内で、第２種超電導体製の芯材に外部臨界
が与えられ、芯材は与えられた磁界に対して可逆的かつ
比例的にその透磁率を変化させ、その結果として、コイ
ルのインダクタンスは、磁界にほぼ比例するように可逆
的に変化する。
界磁界以上で上部臨界磁界以下の範囲内における可逆透
磁率変化領域内で、第２種超電導体製の芯材に外部臨界
が与えられ、芯材は与えられた磁界に対して可逆的かつ
比例的にその透磁率を変化させ、その結果として、コイ
ルのインダクタンスは、磁界にほぼ比例するように可逆
的に変化する。
特に、第１発明の超電導可逆可変インダクタは、芯材
に可逆的な透磁率変化を生じさせる搬送波電流及び交流
信号電流が個別に通電される変調コイル及び１次コイル
とは別に２次コイルをもち、この２次コイルは上記透磁
率変化に伴う相互インダクタンス変化に応じて変調され
た被変調電圧を発生する。
に可逆的な透磁率変化を生じさせる搬送波電流及び交流
信号電流が個別に通電される変調コイル及び１次コイル
とは別に２次コイルをもち、この２次コイルは上記透磁
率変化に伴う相互インダクタンス変化に応じて変調され
た被変調電圧を発生する。
また、第２発明の超電導可逆可変インダクタは、芯材
に交流磁界を生じさせる１次コイルとは別に２次コイル
をもち、この２次コイルは外部印加磁界の変化による芯
材の透磁率変化に伴う相互インダクタンス変化に応じて
変調された被変調電圧を発生する。
に交流磁界を生じさせる１次コイルとは別に２次コイル
をもち、この２次コイルは外部印加磁界の変化による芯
材の透磁率変化に伴う相互インダクタンス変化に応じて
変調された被変調電圧を発生する。
［実施例］ （実施例１） 本実施例の超電導可逆可変インダクタを使用するAM変
調器を第１図により説明する。このAM変調器は、YBa2Cu
3O7−ｙ製の円板状の芯材１と、変調コイル２と、１次
コイル３と、２次コイル４からなり、変調コイル２の両
端は搬送波電流21に、１次コイル３の両端は交流信号電
流源31に接続されている。
調器を第１図により説明する。このAM変調器は、YBa2Cu
3O7−ｙ製の円板状の芯材１と、変調コイル２と、１次
コイル３と、２次コイル４からなり、変調コイル２の両
端は搬送波電流21に、１次コイル３の両端は交流信号電
流源31に接続されている。
なお、１次コイル３と２次コイル４とは芯材１の外周
面にリング状に巻回され、変調コイル２は１次コイル３
及び２次コイル４と直交するように芯材１に巻回され、
変調コイル２と１次コイル３及び２次コイル４との間の
相互インダクタンスを小さく、１次コイル３と２次コイ
ル４との間の相互インダクタンスを大きくしている。
面にリング状に巻回され、変調コイル２は１次コイル３
及び２次コイル４と直交するように芯材１に巻回され、
変調コイル２と１次コイル３及び２次コイル４との間の
相互インダクタンスを小さく、１次コイル３と２次コイ
ル４との間の相互インダクタンスを大きくしている。
１次コイル３に交流信号電流Ia＝Iamsinwtを流し、変
調コイル３に搬送波電流Ic＝Icmsinwt（Ic》Ia）を流す
と、それらにより発生する磁界（主として搬送波電流Ic
により発生する磁界）により芯材１の統辞率が変化し、
１次コイル３と２次コイル４間の相互インダクタンスが
変化する。そして、この相互インダクタンスの変化によ
り、２次コイル４の両端にはAM変調電圧V2＝Ｋ・（１＋
aIamsinw0t）×Icmsinwtが発生する。なおＫ、ａは比例
定数である。
調コイル３に搬送波電流Ic＝Icmsinwt（Ic》Ia）を流す
と、それらにより発生する磁界（主として搬送波電流Ic
により発生する磁界）により芯材１の統辞率が変化し、
１次コイル３と２次コイル４間の相互インダクタンスが
変化する。そして、この相互インダクタンスの変化によ
り、２次コイル４の両端にはAM変調電圧V2＝Ｋ・（１＋
aIamsinw0t）×Icmsinwtが発生する。なおＫ、ａは比例
定数である。
ただし、搬送波電流Ic及び交流信号電流Iaにより芯材
１に加えられる磁界の強度は、下部臨界磁界Hc1以上
で、かつ芯材１に前に定義した可逆的透磁率変化を生じ
る領域内に維持される。
１に加えられる磁界の強度は、下部臨界磁界Hc1以上
で、かつ芯材１に前に定義した可逆的透磁率変化を生じ
る領域内に維持される。
ここで、芯材１の磁気特性の実験結果を、芯材１にコ
イルを20ターン巻き、このコイルに1KΩの抵抗を介して
20mA、700KHzの正弦波電圧を印加して試べた。その結果
得られた磁気特性を第４図に示す。芯材１の直径は25m
m、厚さは5mm、Hefは芯材１に加えられる外部磁界、L0
（＝2.3μＨ）は下部臨界磁界以下でも残る残留インダ
クタンスであり77Kで測定した。Ｌは得られたインダク
タンスであり、第４図の各特性線はＬとL0との比を示し
ている。
イルを20ターン巻き、このコイルに1KΩの抵抗を介して
20mA、700KHzの正弦波電圧を印加して試べた。その結果
得られた磁気特性を第４図に示す。芯材１の直径は25m
m、厚さは5mm、Hefは芯材１に加えられる外部磁界、L0
（＝2.3μＨ）は下部臨界磁界以下でも残る残留インダ
クタンスであり77Kで測定した。Ｌは得られたインダク
タンスであり、第４図の各特性線はＬとL0との比を示し
ている。
なお、この実験例では外部磁界Hef＝０でも芯材１に
インダクタンス変化を生じさせるために（即ち、芯材１
の全印加磁界を下部臨界磁界以上とするために）必要と
なる磁界を、前記コイルに通電される交流電流により得
ている。得られた特性線Ａ、Ｂから、Hef＜20（Oe）以
下では外部磁界の増減とともに可逆変化し、Hef＝０に
おいてL/L0＝１にリターンし得ることがわかった。
インダクタンス変化を生じさせるために（即ち、芯材１
の全印加磁界を下部臨界磁界以上とするために）必要と
なる磁界を、前記コイルに通電される交流電流により得
ている。得られた特性線Ａ、Ｂから、Hef＜20（Oe）以
下では外部磁界の増減とともに可逆変化し、Hef＝０に
おいてL/L0＝１にリターンし得ることがわかった。
なお、コイルの巻線抵抗は77Kで0.2Ωであり、室温RT
で2.3Ωであった。
で2.3Ωであった。
本実施例では芯材１は円板状としたが、他の形状の採
用も可能であり、たとえばトロイダルコア形状として各
コイル２、３、４をこのトロイダルコアに巻回しても良
い。ただし、円板状とする場合には、芯材１の反磁界が
Hefと同方向となるため小さなHefでインダクタンスを制
御することができる。
用も可能であり、たとえばトロイダルコア形状として各
コイル２、３、４をこのトロイダルコアに巻回しても良
い。ただし、円板状とする場合には、芯材１の反磁界が
Hefと同方向となるため小さなHefでインダクタンスを制
御することができる。
第２図は芯材１にHef＝０においても残留する相互イ
ンダクタンスに伴って、２次コイル４に発生する電圧を
相殺するトランスを設けたものであり、変調度を改善す
ることができる。即ち、第２図において芯材１、1aは同
じ形状、材質であり、１次コイル３、3aも、２次コイル
４、4aも同じ形状、ターン数をもつ。但し、芯材1aは77
Kに冷却されており、２次コイル4aにも残留する相互イ
ンダクタンスに伴う２次出力電圧V2aが出力され、２次
コイル４の残留する相互インダクタンスに伴う２次出力
電圧を相殺する。
ンダクタンスに伴って、２次コイル４に発生する電圧を
相殺するトランスを設けたものであり、変調度を改善す
ることができる。即ち、第２図において芯材１、1aは同
じ形状、材質であり、１次コイル３、3aも、２次コイル
４、4aも同じ形状、ターン数をもつ。但し、芯材1aは77
Kに冷却されており、２次コイル4aにも残留する相互イ
ンダクタンスに伴う２次出力電圧V2aが出力され、２次
コイル４の残留する相互インダクタンスに伴う２次出力
電圧を相殺する。
（実施例２） 本発明の超伝導可変可逆インダクタを用いた磁気セン
サをそのブロック図である第３図により説明する。実施
例１と同一形状の芯材１には、１次コイル３及び２次コ
イル４が巻回されており、１次コイル３には被変調信号
源31から1MHzの小電流が通電されている。検出すべき外
部磁界Hexが第４図に示すように０〜20（Oe）の範囲内
で変化する場合に、各コイル３、４間の相互インダクタ
ンスが変化するので、２次コイル４に出力される信号電
圧をセンスアンプ41で増巾して処理すれば、外部磁界He
xの大きさはセンスアンプ41の出力電圧の変化により検
出することができる。
サをそのブロック図である第３図により説明する。実施
例１と同一形状の芯材１には、１次コイル３及び２次コ
イル４が巻回されており、１次コイル３には被変調信号
源31から1MHzの小電流が通電されている。検出すべき外
部磁界Hexが第４図に示すように０〜20（Oe）の範囲内
で変化する場合に、各コイル３、４間の相互インダクタ
ンスが変化するので、２次コイル４に出力される信号電
圧をセンスアンプ41で増巾して処理すれば、外部磁界He
xの大きさはセンスアンプ41の出力電圧の変化により検
出することができる。
なお、上記各実施例において、可逆透過率変化領域以
上の磁界を芯材１に印加した場合には、熱的方法などで
一度常電導状態とし、その後再び芯材１を超電導状態と
すれば、インダクタンスのヒシテリシス変化を除去する
ことができる。また、各コイルは芯材１に極力、密着し
て巻回して、洩れインダクタンスを低減することが好ま
しい。更に、芯材１は反磁界による内部有効磁界の減少
を減らすために、通常の磁性体と異って、磁界方向に薄
くした方が有利である。
上の磁界を芯材１に印加した場合には、熱的方法などで
一度常電導状態とし、その後再び芯材１を超電導状態と
すれば、インダクタンスのヒシテリシス変化を除去する
ことができる。また、各コイルは芯材１に極力、密着し
て巻回して、洩れインダクタンスを低減することが好ま
しい。更に、芯材１は反磁界による内部有効磁界の減少
を減らすために、通常の磁性体と異って、磁界方向に薄
くした方が有利である。
本発明の超電導可逆可変インダクタは、以上説明した
各実施例の他に、以下の様な構成をもつことができる。
各実施例の他に、以下の様な構成をもつことができる。
（ａ）芯材１に１次コイル３を巻き、１次コイル３に交
流信号電流源から交流電流を通電するインダクタ。
流信号電流源から交流電流を通電するインダクタ。
このインダクタの自己インダクタンスは電流値により
可変となるので、両端に変調された交流信号電圧を得る
ことができる。従って、通電電流によりインダクタンス
が変化する本インダクタは、印加電圧によりキャパシタ
ンスが変化する可変容量ダイオードと同様に、パラメト
リック増幅、周波数逓倍、アップコンバータ、周波数同
調等の用途に使用することができる。なお、変調された
信号成分を２次コイル４で抽出することもできる。
可変となるので、両端に変調された交流信号電圧を得る
ことができる。従って、通電電流によりインダクタンス
が変化する本インダクタは、印加電圧によりキャパシタ
ンスが変化する可変容量ダイオードと同様に、パラメト
リック増幅、周波数逓倍、アップコンバータ、周波数同
調等の用途に使用することができる。なお、変調された
信号成分を２次コイル４で抽出することもできる。
（ｂ）実施例２において、２次コイル４を省略して１次
コイル３のインダクタンス変化により磁界を検出するこ
ともできる。
コイル３のインダクタンス変化により磁界を検出するこ
ともできる。
（ｃ）実施例２において、本インダクタを発振回路に組
み込み、磁界変化によるインダクタンス変化に応じて発
振周波数を変化させ、周波数変化により、磁界変化を検
出することもできる。
み込み、磁界変化によるインダクタンス変化に応じて発
振周波数を変化させ、周波数変化により、磁界変化を検
出することもできる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の超電導可逆可変インダ
クタは、下部臨界磁界以上の可逆透磁率変化領域におい
て可逆的かつ直線的にインダクタンスを変更することが
でき、高速応答形の可変インダクタとして使用すること
ができる。
クタは、下部臨界磁界以上の可逆透磁率変化領域におい
て可逆的かつ直線的にインダクタンスを変更することが
でき、高速応答形の可変インダクタとして使用すること
ができる。
特に、第１発明の超電導可逆可変インダクタは、芯材
に可逆的な透磁率変化を生じさせる搬送波電流及び交流
信号電流が個別に通電される変調コイル及び１次コイル
とは別に２次コイルをもち、この２次コイルは上記透磁
率変化に伴う相互インダクタンス変化に応じて変調され
た被変調電圧を発生する。また、第２発明の超電導可逆
可変インダクタは、芯材に交流磁界を生じさせる１次コ
イルとは別に２次コイルをもち、この２次コイルは外部
印加磁界の変化による芯材の透磁率変化に伴う相互イン
ダクタンス変化に応じて変調された被変調電圧を発生す
る。
に可逆的な透磁率変化を生じさせる搬送波電流及び交流
信号電流が個別に通電される変調コイル及び１次コイル
とは別に２次コイルをもち、この２次コイルは上記透磁
率変化に伴う相互インダクタンス変化に応じて変調され
た被変調電圧を発生する。また、第２発明の超電導可逆
可変インダクタは、芯材に交流磁界を生じさせる１次コ
イルとは別に２次コイルをもち、この２次コイルは外部
印加磁界の変化による芯材の透磁率変化に伴う相互イン
ダクタンス変化に応じて変調された被変調電圧を発生す
る。
したがって、上記各発明の超電導可逆可変インダクタ
によれば、良好な品質の被変調電圧を複雑な回路構成を
用いることなく得ることができる。
によれば、良好な品質の被変調電圧を複雑な回路構成を
用いることなく得ることができる。
第１図及び第２図は本発明の超伝導可逆可変インダクタ
を使用する変調器のブロック図である。第３図は本発明
の超伝導可逆可変インダクタを使用する磁気センサのブ
ロック図である。第４図は芯材１の磁気特性を示す特性
図である。 １……芯材 ２……変調コイル（コイル） ３……１次コイル（コイル） ４……２次コイル（コイル）
を使用する変調器のブロック図である。第３図は本発明
の超伝導可逆可変インダクタを使用する磁気センサのブ
ロック図である。第４図は芯材１の磁気特性を示す特性
図である。 １……芯材 ２……変調コイル（コイル） ３……１次コイル（コイル） ４……２次コイル（コイル）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−270208（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−318724（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−68905（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】下部臨界磁界以上で上部臨界磁界以下の範
囲内における所定強度以下の磁界変化に対して透磁率が
可逆的に変化する可逆透磁率変化領域をもつ第２種超電
導体製の芯材と、前記芯材に巻回された複数のコイルと
を具備し、 前記複数のコイルは、 前記芯材に可逆的な透磁率変化を生じさせる搬送波電流
及び交流信号電流が個別に通電される変調コイル及び１
次コイルと、 前記透磁率変化に伴う相互インダクタンス変化に応じて
変調された被変調電圧が両端に生じる２次コイルとを含
むことを特徴とする超電導可逆可変インダクタ。 - 【請求項２】下部臨界磁界以上で上部臨界磁界以下の範
囲内における所定強度以下の磁界変化に対して透磁率が
可逆的に変化する可逆透磁率変化領域をもつ第２種超電
導体製の芯材と、前記芯材に巻回された複数のコイルと
を具備し、 前記複数のコイルは、 前記芯材に交流磁界を生じさせる１次コイルと、 外部印加磁界の変化による前記芯材の透磁率変化に伴う
相互インダクタンス変化に応じて変調された被変調電圧
が両端に生じる外部磁界検出用の２次コイルとを含むこ
とを特徴とする超電導可逆可変インダクタ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63230541A JP2671431B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 超電導可逆可変インダクタ |
| US07/403,090 US4987390A (en) | 1988-09-14 | 1989-09-05 | Superconducting reversible variable inductor |
| DE3930444A DE3930444A1 (de) | 1988-09-14 | 1989-09-12 | Umkehrbar veraenderbarer supraleiter-induktor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63230541A JP2671431B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 超電導可逆可変インダクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0278210A JPH0278210A (ja) | 1990-03-19 |
| JP2671431B2 true JP2671431B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=16909372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63230541A Expired - Fee Related JP2671431B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 超電導可逆可変インダクタ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4987390A (ja) |
| JP (1) | JP2671431B2 (ja) |
| DE (1) | DE3930444A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19532040C2 (de) * | 1995-08-31 | 1999-05-27 | Schloemann Siemag Ag | Vorrichtung zum Flüssigmetall-Transport in der Gießhalle eines Schachtofens und Verfahren zum Betrieb dieser Vorrichtung |
| US6751075B2 (en) * | 2001-12-12 | 2004-06-15 | The University Of Chicago | Superconducting fault current controller/current controller |
| US7701677B2 (en) * | 2006-09-07 | 2010-04-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Inductive quench for magnet protection |
| US8773231B2 (en) | 2012-03-09 | 2014-07-08 | Raytheon Company | Multiphase power converters involving controllable inductors |
| US9263961B2 (en) | 2013-07-23 | 2016-02-16 | Raytheon Company | Wide input DC/DC resonant converter to control reactive power |
| US9859867B2 (en) * | 2015-07-10 | 2018-01-02 | Toshiba International Corporation | Tunable LC filter |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5024183B1 (ja) * | 1970-12-03 | 1975-08-13 | ||
| JP2519728B2 (ja) * | 1987-06-22 | 1996-07-31 | 昭和電線電纜株式会社 | インダクタンス可変コイル |
| JPH01270208A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Sharp Corp | 可変インダクタンス装置および磁界強度測定装置 |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP63230541A patent/JP2671431B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-09-05 US US07/403,090 patent/US4987390A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-12 DE DE3930444A patent/DE3930444A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4987390A (en) | 1991-01-22 |
| DE3930444A1 (de) | 1990-06-07 |
| JPH0278210A (ja) | 1990-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Fiory et al. | Penetration depths of high T c films measured by two‐coil mutual inductances | |
| US5461527A (en) | Magneto-resistive head | |
| JP4302063B2 (ja) | 磁界感知装置 | |
| GB1028484A (en) | Superconducting circuits | |
| Kawashima et al. | Magneto-inductive effect in tension-annealed amorphous wires and MI sensors | |
| JP2671431B2 (ja) | 超電導可逆可変インダクタ | |
| Bushida et al. | Sensitive and quick response micro magnetic sensor using amorphous wire MI element Colpitts oscillator | |
| CN1032987A (zh) | 从磁记录介质读出信息的装置 | |
| Mohri et al. | Magnetometers using two amorphous core muitivibrator bridge | |
| US5728481A (en) | Spin interaction device | |
| Enpuku et al. | Magnetic immunoassays utilizing magnetic markers and a high-T/sub c/SQUID | |
| Chen et al. | Terminal properties of magnetic cores | |
| Kashiwagi et al. | 300 A current sensor using amorphous wire core (invertor control of AC motors) | |
| Brasunas et al. | High‐temperature‐superconducting magnetic susceptibility bolometer | |
| Matsushita et al. | Power generating device using compound magnetic wire | |
| Uchiyama et al. | Nonlinear Inductance of High T c Superconducting Magnetic Core and Its Application to Quick Response Magnetic Sensors | |
| Mohri et al. | High T/sub c/superconducting quick response nonlinear inductances and magnetic modulators | |
| Gershenson | High temperature superconductive flux gate magnetometer | |
| Mohri et al. | High T/sub c/superconducting magnetic multivibrators for fluxgate magnetic-field sensors | |
| JPH02202712A (ja) | 超電導デバイス | |
| Bondarenko et al. | A planar thin-film SQUID of high inductive coupling constant | |
| CA1130471A (en) | Asymmetrical squid | |
| Huang et al. | AC-induced DC magnetization of a ferromagnetic amorphous alloy below the critical field | |
| Abe et al. | Output Characteristics of the Compound Magnetic Sensitive Wire in the Disturbed Magnetic Field | |
| Smith et al. | Thickness dependence of magnetic losses in amorphous FeBSiC ribbon under step dB/dt magnetization |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |