TWI393929B - A cylindrical member, a photovoltaic element, and a composition thereof - Google Patents

Description

筒形件、光電元件及其組成之光次模組

本發明係關於一種應用於光通訊之筒形件、光電元件及光次模組。其中該光次模組係由該筒形件及該光電元件組成，其具有發射及/或接收光訊號的功能。

光次模組係由一光電元件與一筒形件組合而成。然而為了使光次模組能夠有高的耦光效率，一般採用主動對準的封裝方式使光電元件與筒形件結合。

雖然光電元件與筒形件的封裝方式也可以採用被動對準的方式來進行，但是光電元件上的透鏡在安裝時具有一個公差，筒形件上的透鏡在成型時具有一個公差，二個元件組配時又有一個公差，因此在三個公差的加成之下，目前以被動對準封裝的光次模組，其耦光效果不夠理想。

美國專利第5692083號揭露一種光次模組，其光電元件與筒形件係以被動對準的方式進行結合。雖然該專利前案所揭露的被動對準方式係以底座上的一脊部(ridge)與筒形件結合。藉此可以限制底座不產生側向位移以提高耦光的效果。

本發明的主要目的係在提供一種光次模組，其具有能夠使光電元件及筒形件以被動對準的方式結合，且具有高的耦光效果。

根據本發明的目的，光電元件與筒形件係以緊密配合、干涉配合，或是黏接配合的方式互相結合，使得光電元件與筒形件形成假固定，然後再以背膠方式或是填充膠體的方式進行密封，藉此使得光電元件與筒形件能夠確實對準且能夠達到牢固 結合及密封的效果。

另外，本發明的另一目的係在提供一種筒形件，其具有一腔室，且該腔室的側邊壁面上設有複數凸緣、複數容納槽，藉此光電元件與各凸緣形成干涉配合，且各凸緣能夠導正該光電元件的組設位置；至於該容納槽則具有使腔室內受壓擠的空氣逃出至外界的功能，以及收納干涉配合時所產生的微粒。

以下即依本發明的目的、功效及結構組態，舉出較佳實施例，並配合圖式詳細說明。

請參閱第1圖，一光次模組10係用以發射及接收光訊號，其包含一筒形件20及一光電元件40。該光電元件40組配在該筒形件20一端內部。

請參閱第2a、2b圖，筒形件20具有一本體21，該本體21的軸向定義有一光軸22且具有一腔室24及一光纖接頭容置室26。又各筒形件20皆具有一透鏡23，該透鏡23可以被製作在該腔室24的封閉面241，且該光纖接頭容置室26的底面261可以被製作成平面構造，或是傾斜面構造。

請參閱第2c及2d圖，各筒形件20的結構係包含一透鏡231且被製作在該光纖接頭容置室26的底面261。又該腔室24的封閉面241可以被製作成平面構造，或是傾斜面構造。更進一步，該封閉面241的表面更製作有一鍍膜28。

請參閱第2e圖，筒形件20具有二透鏡23和231，其一透鏡23被製作於該腔室24的封閉面241且表面可以設有鍍膜28，另一透鏡231被製作在該光纖接頭置室26的之底面261，且二個透鏡23和231相對。

根據第2a圖至第2e圖，被製作在腔室24之封閉面241處的透鏡23，或是平面構造、傾斜面構造，其表面皆設鍍膜 28，然而前述的透鏡23、平面構造或是傾斜面構造也可以沒有鍍膜28。

請參閱第2f圖，筒形件20的腔室24與光纖接頭容置室26係相通。一聚光元件80係被製作成一獨立性元件且具有二個聚光部82和84。該聚光元件80被置入該筒形件20內，並且以黏膠86使聚光元件80與筒形件20結合。該聚光元件80的二聚光部82和84分別對準腔室24及光纖接頭容置室26。上述的聚光部82和84可以球面鏡或非球面鏡。

請參閱第3圖，光電元件40為TO－can架構，或是導線架(Leadframe)架構，其主要包含一底座42以及一光電裝置44配設在底座42上。其中該底座42可以是金屬座或是塑膠座。

請參閱第4a圖，TO－can架構的光電元件40的底座(header)42上可以不配設金屬外殼；請參閱第4b圖，係揭露一金屬外殼46配設在該底座42上，且金屬外殼46的一端具有一開口462。請參閱第4c圖，其揭露金屬外殼46的一端配設一透光件464，例如玻璃片。請參閱第4d圖及第4e圖，在金屬外殼46的一端可配設一聚光件466，例如玻璃透鏡及樹脂透鏡，可為球面鏡或非球面鏡。

請參閱第5a圖，光電元件40為導線架架構，其包含複數金屬支架43、431(圖中顯示二支)，其中一支架43的端面定義為底座42，且一光電裝置44組設在該底座42。

請參閱第5b圖，本實施例揭露導線架架構的光電元件40，且與前實施例不同之處在於一樹脂外殼48包覆各支架43、431的一端。如此，光電裝置44被包覆在樹脂外殼48內。請參閱第5c圖，更有一聚光部484形成在該樹脂外殼48一端，且該聚光部484相對該光電裝置44。

請參閱第5d圖，本實施例係在樹脂外殼48一端開設一開 口482，且開口482相對該光電裝置44。

請參閱第6a圖，光電裝置44可以是一光電晶片442，例如光二極體(light－emitting diode)、雷射二極體(laser diode)、檢光二極體(photodiode)，或是垂直腔面射型雷射。該光電晶片442直接固設在該底座42上。此外，光電裝置44更可以包含一匹配元件444且組設在該底座42上。該匹配元件444可為轉阻放大器、後級放大器、驅動積體電路、主動元件、被動元件，監測器光電二極體，或是各元件的組合。

請參閱第6b圖，光電裝置44可以一光電晶片442與一匹配元件444的組合，特別是，該匹配元件444組設在該基座42上，且該光電晶片442組設在該匹配元件444上形成疊設組態。

請參閱第6c圖，光電裝置44可以是一載體52、光電晶片442的組合。該載體52固設在該底座42上，該光電晶片442組設在該載體52上。更包含一匹配元件444，其組設在該底座42上。

請參閱第6d圖，本實施例與前一實施例的不同在於：匹配元件444配設在該載體52上且與該光電晶片442相鄰。

以上各實施例的所述的光電裝置44可以包含多個光電晶片442，且匹配元件444也可以多個。此外主動元件可以是曾納二極體；被動元件可以是電阻、電容、電感等。

請參閱第6e圖，光電裝置44包含一監測器光電二極體(monitor photodiode,MPD)54，以及一垂直腔面射型雷射(vertical cavity surface emitting laser,VCSEL)56。該監測器光電二極體54配設在底座42上，且該垂直腔面射型雷射56配設在該監測器光電二極體54上。

請參閱第6f圖，本實施例揭露光電裝置44包含一監測器 光電二極體(monitor photodiode,MPD)54，以及一垂直腔面射型雷射(vertical cavity surface emitting laser,VCSEL)56。其中垂直腔面射型雷射56配設在底座42上，監測器光電二極體54配設在載體52上，且部分的該監測器光電二極體54相對該垂直腔面射型雷射56。

此外，上述的垂直腔面射型雷射56可以由檢光二極體(photodiode)取代，且垂直腔面射型雷射56及檢光二極體因具有發射與接收光訊號的功能，所以將其定義為光訊號元件；監測器光電二極體54可以由衰減器(attenuator)取代使得光適當的衰減，或由濾波器(filter)取代藉此過濾特別波長範圍的光。該鹽測器光電二極體54、衰減器及濾波器係用以控制光功率，因此將其定義為控制器。

取上述筒形件20以及包含著光電裝置44之光電元件40，並配合適當的結合手段，例如假固定手段及密封手段，即可使得筒形件20及光電元件40組成一組合件。上述的假固定手段包含緊密配合、干涉配合及黏接配合；密封手段包含背膠式密封及填注式密封。

關於光電元件40與筒形件20之間以緊密配合完成假固定的方式描述如下。

請參閱第7a圖，假固定手段係存在筒形件20及光電元件40的接觸位置。特別是，光電元件40的底座42具有一第一外緣部422及一第二外緣部424，該第一外緣部422及該第二外緣部424係平行；又底座42具有一第一靠抵部423及一第二靠抵部425且分別垂直於該第一一外緣部422及第二外緣部424。筒形件20的腔室24側邊壁面246定義有一第一組合位置242與一第二組合位置244，以及一第一靠抵端面243及一第二靠抵端面245分別垂直於該第一組合位置242及該第二組合位置244。

請參閱第7b圖，底座42係以第一外緣部422與腔室24的第一組合位置242緊密接觸形成緊密配合(tight fit)31。此外該第一靠抵部423靠置在該第一靠抵端面243。是以該光電元件40與該筒形件20不但牢固地結合，且可以限制底座42與腔室24的組合位置。

請參閱第7c圖，底座42係以第一外緣部422與腔室24的第一組合位置242緊密接觸形成緊密配合(tight fit)31。此外該第二靠抵部425靠置在該第二靠抵端面245。是以該光電元件40與該筒形件20不但牢固地結合，且可以限制底座42與腔室24的組合位置。

請參閱第7d圖，底座42係以第二外緣部424與腔室24的第二組合位置244緊密接觸形成緊密配合(tight fit)31。此外該第一靠抵部423靠置在該第一靠抵端面243。是以該光電元件40與該筒形件20不但牢固地結合，且可以限制底座42與腔室24的組合位置。

請參閱第7e圖，底座42係以第二外緣部424與腔室24的第二組合位置244緊密接觸形成緊密配合(tight fit)31。此外該第二靠抵部425靠置在該第二靠抵端面245。是以該光電元件40與該筒形件20不但牢固地結合，且可以限制底座42與腔室24的組合位置。

根據第7b圖至第7e圖所教示，吾人將筒形件20的軸向定義為Z軸方向，將筒形件的徑向分別定義為X軸方向與Y軸方向，則底座42與腔室24的假固定可以包含一個或二個包含X及Y軸方向的徑向限制，藉此使底座42與筒形件20達到緊密配合31的效果；更可以配合一個或二個Z軸方向的限制，藉此使底座42能夠到達預定位置。

關於光電元件40與筒形件20之間以干涉配合完成假固定的方式描述如下。

請參閱第8a圖，筒形件20的腔室24的側邊壁面246設有複數個凸緣62朝向腔室24的中心方向，其中各凸緣62接近開口端25的位置形成導角構造622。複數個容納槽64形成在該腔室24的階級端面248。每一個容納槽64位在凸緣62一端且遠離開口端25。

請參閱第8b圖、第8c圖，當光電元件40的底座42置入該腔室24，底座42的第一外緣部422接觸各凸緣62。值得注意的是，各導角構造622可以引導底座42且具有導正作用；然而第一外緣部422的外徑略大於各凸緣62最凸出位置所構成區域的內徑，所以底座42之第一外緣部422與各凸緣62形成干涉配合(interference fit)32。根據本實施例，光電元件40與筒形20可以達到牢固的假固定效果。此外凸緣62受摩擦所產生的微粒可以落在容納槽64內，且腔室24內受到壓擠的空氣可以經由容納槽64及底座42與腔室24側邊壁面246之間的間隙66排出。由於本實施例之各凸緣62對光電元件40具有導正效果，所以無論是主動對準的封裝方式，還是被動對準的封裝方式皆可以使光電裝置44有效地對準光纖接頭容置室26之底面261的透鏡231。

請參閱第8d圖，本實施例同樣是在腔室24的側邊壁面246設有複數個凸緣62，且各凸緣62接近開口端25的位置形成有導角構造622。所以底座42與各凸緣62可以形成干涉配合32，且藉由各凸緣62的導正作用，光電元件40與筒形件20的封裝方式無論是採用主動對準還是被動對準皆能達到良好的耦光效果；本實施例與前述實施例的不同處在於：腔室24的封閉面241具有一透鏡23。

請參閱第8e圖，筒形件20的另一種實施例係在腔室24的階級端面248開設一環槽68且對應各凸緣62的一端；又複數容納槽64開設在階級端面248且連接各環槽68及分別對應 凸緣62。

請參閱第8f圖，筒形件20的另一實施例係在開口端25的周邊端面252上開設有複數個防裂缺口254。

該防裂缺口254的作用在於提高筒形件20之開口端25的開合彈性或因應材料遭遇熱漲冷縮時，緊配下造成的龜裂，如此無論底座42置入腔室24形成緊密配合31或是干涉配合32皆可以藉由各防裂缺口254的作用，使得筒形件20不易破裂，且提高元件之間配合效果或提升元件可靠度。

關於光電元件40與筒形件20之間以膠合手段完成假固定的方式描述如下。

請參閱第9a圖，係底座42與腔室24之間形成餘隙配合(clearance fit)，因此底座42可以輕易地置入腔室24內。在底座42的端面428與腔室24之階級端面248之間配設有黏接材料96，且分別黏接底座42及階級端面248，如此光電元件40及筒形件20即達成假固定結合。

請參閱第9b圖，另一種黏接形式的假固定手段，係筒形件20的腔室24的封閉面241塗佈黏接材料96。當光電元件40置入腔室24時，金屬外殼46(或樹脂外殼)的端面可以結合黏接材料96而達到假固定的效果。

請參閱第9c圖，關於黏接形式的假固定手段，可以在筒形件20的壁面開設穿孔29，並由該穿孔29注入黏接材料96與光電元件40之金屬外殼46(或樹脂外殼)黏接結合。

關於光電元件40與筒形件20之間以背膠方式及填充膠體完成密封效果的方式描述如下。背膠密封及填充膠體密封可以適用於前各種假固定形式。

請參閱第10a圖，一背膠92塗覆在底座42的底面426之上，所以底座42與腔室24的組合形成密封以構成背膠式密封 且達到牢固結合，如此有助於使光電元件通過高溫高濕(Damp Heat)的環境測試標準。上述的背膠92為UV膠、AB膠、熱固膠，並且利用後製程加熱或是照光方式使其固化。

請參閱第10b圖，一膠體94係被填入該腔室24內。該膠體94可以是折射率匹配油(index matching oil)，或是可藉由可見光或不可見光的照射而固化的材料，如此一來可以使得光電元件40與筒形件20的組合達到密封及牢固結合。

請參閱第10c圖，本實施例，係將前二實施例組合，即以背膠92塗覆在底座42的底面426上；又以膠體填入該腔室24內，使得光電元件40與筒形件20的組合得形成密閉且牢固結合。

請參閱第11圖，如果光電元件40與筒形件20具有牢固且密封的假固定效果，或是光電元件40本身的光電特性強壯可以適用於一般環境，則底座42背面可以不塗佈背膠，且腔室24內也可以不填充膠體。

請參閱12圖，本實例揭露筒形件20的腔室24之封閉面241製作一凸出部249，使得該凸出部249的表面與封閉面241的表面之間因高度差而形成一間距247。當使用背膠92執行密封時，即使背膠92流入腔室24內，背膠92會被制在間距247內無法越過凸出部249，換言之，藉由凸出部249可使透鏡23的聚光效果不受流入腔室24內的背膠92影響。

請參閱第13a圖，TO－can架構的光電元件40的底座42上配設有一金屬外殼46，因此可以利用該金屬外殼46與腔室24的側邊壁面246形成緊密配合31或是干涉配合32形態的假固定形式。

請參閱第13b圖，配設金屬外殼46之光電元件40也可利用其之底座42的第一外緣部422與腔室24的第一組合位置 242形成緊密配合31或干涉配合32。

請參閱第14圖，光電元件40為導線架架構且具有一樹脂外殼48；光電元件40置入該腔室24內，該樹脂外殼48與腔室24的側邊壁面246形成緊密配合31或干涉配合32。

上述的金屬外殼46可以由第4b圖至第4e圖所教示的任一種架構所取代。而樹脂外殼48可以由第5b圖至第5d圖所教示的任一種架構所取代。此外，在底座42的底面426上可以塗佈背膠92，或是在腔室24內、金屬外殼46內、樹脂外殼48內填充膠體94。

另外，第14圖中可見該樹脂外殼48的端部與封閉面241相抵，藉此使得該光電元件40能夠到達預定位置；而根據前述關於第7b圖至第7c圖之教示，光電元件40的樹脂外殼48適當地製作成具有階級構造的表面，便可以使光電元件40與筒形件20達到至少一個X、Y軸方向及至少一個Z軸方向的緊密配合31或干涉配合32。

關於垂直腔面射型雷射56及監測器光電二極體54的配置方式，及其所組配之筒形件20結構組態，藉由以下實施例說明。

請參閱第15a圖，垂直腔面射型雷射56係疊置在監測器光電二極體54上。其中透鏡23上設有鍍膜28，且光纖接頭容置室26的底面261製成傾斜構造。一般光電裝置44的發光強度會大於使用需求，因此本實施例可以使垂直腔面射型雷射56所發射出光線先經過鍍膜28而降低強度，使光線強度符合實際使用的需求。同時也可一部份的光線反射到該監測器光電二極體54。

第15a圖中，垂直腔面射型雷射56與監測器光電二極體56的配置可以由第6a圖的形式取代；而筒形件20的架構可 以是第2a圖至第2e圖的任一個。

請參閱15b圖，監測光電二極體54組設在載體52上，而垂直腔面射型雷射56設在底座42且相對該監測器光電二極體54；筒形件20的腔室24封閉面241具有鍍膜28；是以垂直腔面射型雷射56所發出的光線在經過監測器光電二極體54時，一部分被吸收以作為監控垂直腔面射型雷射56輸出功率的回授與運算，另一部份穿過鍍膜28到達至透鏡261。

關於第15a圖及15b圖，垂直腔面射型雷射56可以由檢光二極體取代，而鍍膜28則除了是反射層外，還可以具有衰減或濾波效果。

另外一種降低光電裝置44之發光強度的方法是在垂直腔面射型雷射56表面設有圖案，藉此阻擋光射透出。

請參閱第16a圖，對於一個以前述任一方式組成之光次模組10而言，可以在筒形件20的外表面可以鍍上一層外鍍層72。該外鍍層72為不透明，所以可以防此外界的光線進入筒形件20內，以及防止光電元件40的光線透出筒形件20。此外，該外鍍層72可以含有金屬成分以抗電磁干擾。

請參閱第16b圖，光次模組10之筒形件20外表面可以套置一外套殼74。該外套殼74為金屬體且不透光，因此可以防此外界的光線進入筒形件20內，以及防止光電元件40的光線透出筒形件20，此外該外套殼74可以抗電磁干擾及接地。

以上乃本發明之較佳實施例以及設計圖式，惟較佳實施例以及設計圖式僅是舉例說明，並非用於限制本發明技藝之權利範圍，凡以均等之技藝手段、或為下述「申請專利範圍」內容所涵蓋之權利範圍而實施者，均不脫離本發明之範疇而為申請人之權利範圍。

10‧‧‧光次模組

20‧‧‧筒形件

21‧‧‧本體

22‧‧‧光軸

23‧‧‧透鏡

231‧‧‧透鏡

24‧‧‧腔室

241‧‧‧封閉面

242‧‧‧第一組合位置

243‧‧‧第一靠抵端面

244‧‧‧第二組合位置

245‧‧‧第二靠抵端面

246‧‧‧側邊壁面

247‧‧‧間距

248‧‧‧階級端面

249‧‧‧凸出部

25‧‧‧開口端

252‧‧‧周邊端面

254‧‧‧防裂缺口

26‧‧‧光纖接頭容置室

261‧‧‧底面

28‧‧‧鍍膜

29‧‧‧穿孔

31‧‧‧緊密配合

32‧‧‧干涉配合

40‧‧‧光電元件

42‧‧‧底座

422‧‧‧第一外緣部

423‧‧‧第一靠抵部

424‧‧‧第二外緣部

425‧‧‧第二靠抵部

426‧‧‧底面

428‧‧‧端面

43‧‧‧金屬支架

431‧‧‧金屬支架

44‧‧‧光電裝置

442‧‧‧垂直腔面射型雷射

444‧‧‧監測器光電二極體

46‧‧‧金屬外殼

462‧‧‧開口

464‧‧‧透光件

466‧‧‧聚光件

48‧‧‧樹脂外殼

482‧‧‧開口

484‧‧‧聚光部

62‧‧‧凸緣

622‧‧‧導角構造

64‧‧‧容納槽

66‧‧‧間隙

68‧‧‧環槽

72‧‧‧外鍍層

74‧‧‧外套殼

80‧‧‧聚光元件

82‧‧‧聚光部

84‧‧‧聚光部

86‧‧‧黏膠

92‧‧‧背膠

94‧‧‧膠體

96‧‧‧黏接材料

第1圖本發明之光次模組示意圖。

第2a~2f圖係本發明之筒形件結構示意圖。

第3圖係本發明之光電元件示意圖。

第4a~4e圖係本發明之TO-can架構之光電元件示意圖。

第5a~5d圖係本發明之導線架架構之光電元件示意圖。

第6a~6f圖係本發明之光電裝置結構示意圖。

第7a圖係本發明光次模組分解示意圖。

第7b~7e圖係本發明光電元件與筒形件緊密配合之結構示意圖。

第8a圖係本發明具干涉配合之筒形件外觀圖。

第8b圖係本發明光電元件與筒形件干涉配合之結構示意圖。

第8c圖係本發明光電元件與筒形件干涉配合之結構示意圖。

第8d圖係本發明光電元件與筒形件另一干涉配合之結構示意圖。

第8e圖係本發明另一具干涉配合之筒形件外觀圖。

第8f圖係本發明又一具干涉配合之筒形件外觀圖。

第9a~9c圖係本發明光電元件與筒形件黏接配合之結構示意圖。

第10a圖係本發明光電元件與筒形件以背膠進行密封之結構示意圖。

第10b圖係本發明光電元件與筒形件以填充膠體進行密封之結構示意圖。

第10c圖係本發明光電元件與筒形件以背膠及填充膠體進行密封之結構示意圖。

第11圖係本發明光電元件與筒形件不具背膠及填充膠體之組合結構示意圖。

第12圖係本發明筒形件之腔室具凸出部相對封閉面之結構示意圖。

第13a圖係本發明TO－can架構之光電元件的金屬外殼與腔室形成緊配合或干涉配合之結構示意圖。

第13b圖係本發明TO－can架構之光電元件的金屬底座與腔室形成緊配合或干涉配合之結構示意圖。

第14圖係本發明導線架架構之光電元件的樹脂外殼與腔室形成緊配合或干涉配合之結構示意圖。

第15a圖係本發明具垂直腔面射型雷射之光電元件與筒形件的組合示意圖。

第15b圖係本發明另一具垂直腔面射型雷射之光電元件與筒形件的組合示意圖。

第16a圖係本發明之筒形件表面具外鍍層之結構示意圖。

第16b圖係本發明之筒形件表面具外套殼之結構示意圖。

231‧‧‧透鏡

24‧‧‧腔室

241‧‧‧封閉面

249‧‧‧凸出部

26‧‧‧光纖接頭容置室

261‧‧‧底面

32‧‧‧干涉配合

40‧‧‧光電元件

42‧‧‧底座

422‧‧‧第一外緣部

426‧‧‧底面

44‧‧‧光電裝置

62‧‧‧凸緣

622‧‧‧導角構造

64‧‧‧容納槽

Claims (134)

1. 一種筒形件，係用以結合一光電元件及配接一光纖插頭，其包含：一本體；一腔室，係形成在該本體一端，其具有一封閉面；一光纖接頭容置室，係形成在該本體另一端，其具有一底面且相對該腔室；一鍍膜，係鍍在該腔室的封閉面表面。
2. 如申請專利範圍第1項所述之筒形件，其中該封閉面具有一透鏡，且該透鏡表面具有該鍍膜。
3. 如申請專利範圍第1項所述之筒形件，其中該封閉面為傾斜面構造，且該鍍膜披覆在表面。
4. 如申請專利範圍第1項所述之筒形件，其中該封閉面為平面構造，且該鍍膜披覆在表面。
5. 如申請專利範圍第1項所述之筒形件，其中該光纖接頭容置室的底面具有一透鏡。
6. 如申請專利範圍第1項所述之筒形件，其中該光纖接頭容置室的底面為傾斜面構造。
7. 如申請專利範圍第1項所述之筒形件，更包含一外鍍層，其係附著在該本體外表面。
8. 如申請專利範圍第7項所述之筒形件，其中該外鍍層為不透光。
9. 如申請專利範圍第1項所述之筒形件，更包含一外套殼，其套置在該本體外表面。
10. 如申請專利範圍第9項所述之筒形件，其中該外套殼為 不透光。
11. 一種筒形件，係用以結合一光電元件及配接一光纖插頭，其包含：一本體；一腔室，係形成在該本體一端，其具有一封閉面；一光纖接頭容置室，係形成在該本體另一端，其具有一底面且相對該腔室；一傾斜面構造，係形成在該腔室的封閉面或該光纖接頭容置室的底面。
12. 如申請專利範圍第11項所述筒形件，其中該傾斜面構造被形成在該腔室的封閉面，且該光纖接頭容置室的底面具有一透鏡。
13. 如申請專利範圍第11項所述筒形件，其中該傾斜面構造被形成在該光纖接頭容置室的底面，且該腔室的封閉面具有一透鏡。
14. 如申請專利範圍第11項所述之筒形件，更包含一外鍍層，其係附著在該本體外表面。
15. 如申請專利範圍第14項所述之筒形件，其中該外鍍層為不透光。
16. 如申請專利範圍第11項所述之筒形件，更包含一外套殼，其套置在該本體外表面。
17. 如申請專利範圍第16項所述之筒形件，其中該外套殼為不透光。
18. 一種筒形件，係用以結合一光電元件及配接一光纖插頭，其包含： 一本體；一腔室，係形成在該本體一端；一光纖接頭容置室，係形成在該本體的另一端；一聚光元件，係位在該腔室與該光纖接頭容置室之間且至少具有一聚光部。
19. 如申請專利範圍第18項所述之筒形件，其中該聚光元件與該本體製作成一體，且該聚光元件光具有二個聚光部分別相對該腔室及該光纖接頭容置室。
20. 如申請專利範圍第18項所述之筒形件，其中該光纖接頭容置室與該腔室係相通，該聚光元件為一獨立部件且被組設在該腔室與該光纖接頭容置室之間，該聚光元件具有二個聚光部分別相對該腔室及該光纖接頭容置室。
21. 如申請專利範圍第18項所述之筒形件，更包含一外鍍層，其係附著在該本體外表面。
22. 如申請專利範圍第21項所述之筒形件，其中該外鍍層為不透光。
23. 如申請專利範圍第18項所述之筒形件，更包含一外套殼，其套置在該本體外表面。
24. 如申請專利範圍第23項所述之筒形件，其中該外套殼為不透光。
25. 一種筒形件，係用以結合一光電元件及配接一光纖插頭，其包含：一本體；一腔室，係形成在該本體的軸向的一端，該腔室內部形成側邊壁面，且該腔室一端為一開口端，另一端為一封閉面； 一光纖接頭容置室，係形成在該本體的軸向的另一端，其具有一底面；複數凸緣，係形成在該腔室之側邊壁面，且凸出朝向該腔室的中心。
26. 如申請專利範圍第25項所述之筒形件，其中各該凸緣的表面係為弧面形狀，且鄰近該腔室之開口端形成一導角構造。
27. 如申請專利範圍第25項所述之筒形件，更包含複數容納槽，各容納槽係製作在該腔室的側邊壁面且分別相對各凸緣的一端。
28. 如申請專利範圍第25項所述之筒形件，更包含一環槽及複數容納槽，其中該環槽係被製作在該腔室的側邊壁面且位在各凸緣的一端，各該容納槽連接該環槽且分別相對各該凸緣的一端。
29. 如申請專利範圍第25項所述之筒形件，更包含一第一靠抵端面，其形成在該腔室內且相對該本體的軸向。
30. 如申請專利範圍第25項所述之筒形件，更包含一第二靠抵端面，其形成在該腔室內且相對該本體的軸向。
31. 如申請專利範圍第25項所述之筒形件，更包含一外鍍層，其係附著在該本體的外表面。
32. 如申請專利範圍第31項所述之筒形件，其中該外鍍層為不透光。
33. 如申請專利範圍第25項所述之筒形件，更包含一外套殼，其套置在該本體的外表面。
34. 如申請專利範圍第33項所述之筒形件，其中該外套殼為不透光。
35. 如申請專利範圍第25項所述之筒形件，更包含複數防 裂缺口，各防裂缺口被製作在該本體一端部之端面。
36. 如申請專利範圍第25項所述之筒形件，更包含一凸出部，該凸出部係形成在該腔室之封閉面上，且該凸出部與該封閉面具有高度差以構成一間距。
37. 如申請專利範圍第36項所述之筒形件，更包含一透鏡，該透鏡形成在該凸出部上。
38. 如申請專利範圍第25項所述之筒形件，更包含一透鏡，該透鏡形成在該光纖接頭容置室的底面。
39. 一種光次模組，係用以發射及/或接收光訊號，其包含：一筒形件；一腔室，係延伸於該筒形件的軸向，且該腔室的內壁面相對該筒形件徑向且被定義為側邊壁面；一光電元件，係被組設在該腔室內，其具有一底座，以及一光電裝置組配在該底座上；一假固定手段，係用以使得該光電元件與該筒形件的腔室的側邊壁面緊密接觸，使得該光電元件對應該於該腔室的徑向形成緊密配合。
40. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，其中該光電元件之底座外表面相對該筒形件徑向具有一第一外緣部，該腔室的側邊壁面具有一第一組合位置，且該第一組合位置與該第一外緣部形成緊密配合。
41. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，其中該光電元件之底座外表面相對該筒形件之徑向具有一第二外緣部，該腔室的側邊壁面具有一第二組合位置，且該第二組合位置與該第二外緣部形成緊密配合。
42. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，其中該光電 元件之底座相對該筒形件的軸向具有一第一靠抵部，該腔室一端相對該筒形件的軸向具有一第一靠抵端面，且該第一靠抵端面與該第一靠抵部緊密接觸。
43. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，其中該光電元件之底座相對該筒形件的軸向具有一第二靠抵部，該腔室一端相對該筒形件的軸向具有一第二靠抵端面，且該第二靠抵端面與該第二靠抵部緊密接觸。
44. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，更包含一金屬外殼，該金屬外殼配設在該光電元件之底座上，該假固定手段係指該金屬外殼與該腔室的側邊壁面形成緊密配合。
45. 如申請專利範圍第44項所述之光次模組，其中該金屬外殼一端具有一開口。
46. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，更包含一樹脂外殼，該樹脂外殼配設在該光電元件之底座上，且該假固定手段係指該樹脂外殼與該腔室的側邊壁面形成緊密配合。
47. 如申請專利範圍第46項所述之光次模組，其中該樹脂外殼一端具有一開口。
48. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，更包含一背膠塗佈在該底座的底面。
49. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，更包含一膠體填充在該腔室內。
50. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，更包含一外鍍層，其係附著在該筒形件的外表面。
51. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，其中該外鍍層為不透光。
52. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，更包含一外 套殼，其套置在該筒形件的外表面。
53. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，其中該外套殼為不透光。
54. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，更包含複數防裂缺口，各防裂缺口被製作在該筒形件一端部之端面。
55. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，其中該腔室一端相對該筒形件之軸向係為一封閉面，且該封閉面上具一凸出部，該凸出部與該封閉面具有高度差以構成一間距。
56. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，其中該光電裝置係具有至少一光電晶片且配設在該底座上。
57. 如申請專利範圍第56項所述之光次模組，其中該光電晶片係光二極體、雷射二極體、檢光二極體、垂直腔面射型雷射，或其組合。
58. 如申請專利範圍第56項所述之光次模組，其中該光電裝置係具有至少一匹配元件且配設在該底座上相鄰該光電晶片。
59. 如申請專利範圍第58項所述之光次模組，其中匹配元件為轉阻放大器、後級放大器、驅動積體電路、主動元件、被動元件，監測器光電二極體，或各元件的組合。
60. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，其中該光電裝置係具有至少一光電晶片組設在一匹配元件上，且該匹配元件配諔在該底座上。
61. 如申請專利範圍第60項所述之光次模組，其中該光電晶片係光二極體、雷射二極體、檢光二極體、垂直腔面射型雷射，或其組合。
62. 如申請專利範圍第60項所述之光次模組，其中該匹配 元件係轉阻放大器、後級放大器、驅動積體電路、主動元件、被動元件，監測器光電二極體，或各元件的組合。
63. 如申請專利範圍第39項所述之光次模組，其中該光電裝置係包含一載體以及一光電晶片，其中該載體組設在該底座上，且該光電晶片配設在該載體上。
64. 如申請專利範圍第63項所述之光次模組，其中該光電晶片係為光二極體、雷射二極體、檢光二極體、垂直腔面射型雷射，或其組合。
65. 如申請專利範圍第63項所述之光次模組，其中該光電裝置包含一匹配元件，且該匹配元件組設在該載體上相鄰該光電晶片。
66. 如申請專利範圍第65項所述之光次模組，其中該匹配元件係轉阻放大器、後級放大器、驅動積體電路、主動元件、被動元件，監測器光電二極體，或各元件的組合。
67. 如申請專利範圍第63項所述之光次模組，其中該光電裝置包含一匹配元件，且該匹配元件組設在該載體上，該光電晶片配設在該匹配元件上。
68. 如申請專利範圍第67項所述之光次模組，其中該匹配元件係轉阻放大器、後級放大器、驅動積體電路、主動元件、被動元件，監測器光電二極體，或各元件的組合。
69. 一種光次模組，係用以發射及/或接收光訊號，其包含：一筒形件；一腔室，係延伸於該筒形件的軸向，該腔室的內壁面相對該筒形件徑向且被定義為側邊壁面；複數凸緣，係形成在該腔室的側邊壁面，且凸出方向朝向該腔室的中心； 一光電元件，係被組設在該腔室內接觸各該凸緣，其具有一底座，以及一光電裝置組配在該底座上；一假固定手段，係使得該光電元件與該腔室的側邊壁面上的各凸緣緊密接觸，使得該光電元件對應各該凸緣於該腔室的徑向形成干涉配合。
70. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，其中該腔室一端為開口端，各凸緣的表面係為弧面形狀，且鄰近該腔室之開口端形成一導角構造。
71. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，更包含複數容納槽，各容納槽係製作在該腔室壁面且分別相對各凸緣的一端。
72. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，更包含一環槽及複數容納槽，其中該環槽係被製作在該腔室的側邊壁面且位在各凸緣的一端，各該容納槽連接該環接且分別相對各該凸緣的一端。
73. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，其中該光電元件具有一底座，且該底座外表面相對該筒形件徑向具有一第一外緣部，該第一外緣部與各該凸緣形成干涉配合。
74. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，其中該光電元件具有一底座，且該底座外表面相對該筒形件之徑向具有一第二外緣部，該第二外緣部與各該凸緣形成干涉配合。
75. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，其中該光電元件具有一底座，且底座相對該筒形件的軸向具有一第一靠抵部，該腔室一端相對該筒形件的軸向具有一第一靠抵端面，且該第一靠抵端面與該第一靠抵部緊密接觸。
76. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，其中該光電元件具有一底座，且底座相對該筒形件的軸向具有一第二靠抵 部，該腔室一端相對該筒形件的軸向具有一第二靠抵端面，且該第二靠抵端面與該第二靠抵部緊密接觸。
77. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，其中該光電元件具有一底座，且一金屬外殼配設在該底座上，該假固定手段係以該金屬外殼與該腔室的側邊壁面上的各該凸緣形成干涉配合。
78. 如申請專利範圍第77項所述之光次模組，其中該金屬外殼一端具有一開口。
79. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，其中該光電元件具有一底座，且一樹脂外殼配設在該底座上，該假固定手段係以該樹脂外殼與該腔室的側邊壁面上的各該凸緣形成干涉配合。
80. 如申請專利範圍第79項所述之光次模組，其中該樹脂外殼一端具有一開口。
81. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，更包含一背膠塗佈在該底座的底面。
82. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，更包含一膠體填充在該腔室內。
83. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，更包含一外鍍層，其係附著在該筒形件的外表面。
84. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，其中該外鍍層為不透光。
85. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，更包含一外套殼，其套置在該筒形件的外表面。
86. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，其中該外套殼為不透光。
87. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，更包含複數防裂缺口，各防裂缺口被製作在該筒形件一端部之端面。
88. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，更包含一間隙，該間隙係形成在該光電元件與該腔室之側邊壁面之間。
89. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，其中該腔室一端相對該筒形件之軸向係為一封閉面，且該封閉面上具一凸出部，該凸出部與該封閉面具有高度差以構成一間距。
90. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，其中該光電裝置係具有至少一光電晶片且配設在該底座上。
91. 如申請專利範圍第90項所述之光次模組，其中該光電晶片係光二極體、雷射二極體、檢光二極體、垂直腔面射型雷射，或其組合。
92. 如申請專利範圍第90項所述之光次模組，其中該光電裝置係具有至少一匹配元件且配設在該底座上相鄰該光電晶片。
93. 如申請專利範圍第92項所述之光次模組，其中匹配元件為轉阻放大器、後級放大器、驅動積體電路、主動元件、被動元件，監測器光電二極體，或各元件的組合。
94. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，其中該光電裝置係具有至少一光電晶片組設在一匹配元件上，且該匹配元件配設在該底座上。
95. 如申請專利範圍第94項所述之光次模組，其中該光電晶片係光二極體、雷射二極體、檢光二極體、垂直腔面射型電射，或其組合。
96. 如申請專利範圍第94項所述之光次模組，其中該匹配元件係轉阻放大器、後級放大器、驅動積體電路、主動元件、 被動元件，監測器光電二極體，或各元件的組合。
97. 如申請專利範圍第69項所述之光次模組，其中該光電裝置係包含一載體以及一光電晶片，其中該載體組設在該底座上，且該光電晶片配設在該載體上。
98. 如申請專利範圍第97項所述之光次模組，其中該光電晶片係為光二極體、雷射二極體、檢光二極體、垂直腔面射型雷射，或其組合。
99. 如申請專利範圍第97項所述之光次模組，其中該光電裝置包含一匹配元件，且該匹配元件組設在該載體上相鄰該光電晶片。
100. 如申請專利範圍第99項所述之光次模組，其中該匹配元件係轉阻放大器、後級放大器、驅動積體電路、主動元件、被動元件，監測器光電二極體，或各元件的組合。
101. 如申請專利範圍第97項所述之光次模組，其中該光電裝置包含一匹配元件，且該匹配元件組設在該載體上，該光電晶片配設在該匹配元件上。
102. 如申請專利範圍第101項所述之光次模組，其中該匹配元件係轉阻放大器、後級放大器、驅動積體電路、主動元件、被動元件，監測器光電二極體，或各元件的組合。
103. 一種光次模組，係用以發射及/或接收光訊號，其包含：一筒形件；一腔室，係延伸於該筒形件的軸向，該腔室的內壁面相對該筒形件徑向且被定義為側邊壁面；一光電元件，係被組設在該腔室內，其具有一底座，以及一光電裝置組配在該底座上；一假固定手段，係使得該光電元件與該筒形件藉黏接材料 結合，以形成黏接配合。
104. 如申請專利範圍第103項所述之光次模組，其中該光電元件具有一底座，該腔室相對該筒形件之軸向形成有一階級端面，該黏接材料係位在該光電元件的底座的端面與該腔室的階級端面之間。
105. 如申請專利範圍第103項所述之光次模組，其中光電元件具有一底座，且一外殼配設在該底座上，該腔室相對該筒形件之軸向具有一封閉面，該黏接材料係位在該光電元件的外殼端部與該腔室之封閉面之間。
106. 如申請專利範圍第105項所述之光次模組，其中該外殼為金屬外殼或樹脂外殼。
107. 如申請專利範圍第105項所述之光次模組，其中該外殼一端具有一開口。
108. 如申請專利範圍第103項所述之光次模組，其中光電元件具有一底座，且一外殼配設在該底座上，該筒形件的壁面開設一穿孔並注入該黏接材料，使該外殼與該筒形件藉該黏接材料結合。
109. 如申請專利範圍第108項所述之光次模組，其中該外殼為金屬外殼或樹脂外殼。
110. 如申請專利範圍第108項所述之光次模組，其中該外殼一端具有一開口。
111. 如申請專利範圍第103項所述之光次模組，更包含一背膠塗佈在該底座的底面。
112. 如申請專利範圍第103項所述之光次模組，更包含一膠體填充在該腔室內。
113. 如申請專利範圍第103項所述之光次模組，更包含一外 鍍層，其係附著在該筒形件的外表面。
114. 如申請專利範圍第103項所述之光次模組，其中該外鍍層為不透光。
115. 如申請專利範圍第103項所述之光次模組，更包含一外套殼，其套置在該筒形件的外表面。
116. 如申請專利範圍第103項所述之光次模組，其中該外套殼為不透光。
117. 如申請專利範圍第103項所述之光次模組，其中該腔室一端相對該筒形件之軸向係為一封閉面，且該封閉面上具一凸出部，該凸出部與該封閉面具有高度差以構成一間距。
118. 如申請專利範圍第103項所述之光次模組，其中該光電裝置係具有至少一光電晶片且配設在該底座上。
119. 如申請專利範圍第118項所述之光次模組，其中該光電晶片係光二極體、雷射二極體、檢光二極體、垂直腔面射型雷射，或其組合。
120. 如申請專利範圍第118項所述之光次模組，其中該光電裝置係具有至少一匹配元件且配設在該底座上相鄰該光電晶片。
121. 如申請專利範圍第120項所述之光次模組，其中匹配元件為轉阻放大器、後級放大器、驅動積體電路、主動元件、被動元件，監測器光電二極體，或各元件的組合。
122. 如申請專利範圍第103項所述之光次模組，其中該光電裝置係具有至少一光電晶片組設在一匹配元件上，且該匹配元件配諔在該底座上。
123. 如申請專利範圍第122項所述之光次模組，其中該光電晶片係光二極體、雷射二極體、檢光二極體、垂直腔面射型 雷射，或其組合。
124. 如申請專利範圍第122項所述之光次模組，其中該匹配元件係轉阻放大器、後級放大器、驅動積體電路、主動元件、被動元件，監測器光電二極體，或各元件的組合。
125. 如申請專利範圍第103項所述之光次模組，其中該光電裝置係包含一載體以及一光電晶片，其中該載體組設在該底座上，且該光電晶片配設在該載體上。
126. 如申請專利範圍第125項所述之光次模組，其中該光電晶片係為光二極體、雷射二極體、檢光二極體、垂直腔面射型雷射，或其組合。
127. 如申請專利範圍第125項所述之光次模組，其中該光電裝置包含一匹配元件，且該匹配元件組設在該載體上相鄰該光電晶片。
128. 如申請專利範圍第127項所述之光次模組，其中該匹配元件係轉阻放大器、後級放大器、驅動積體電路、主動元件、被動元件，監測器光電二極體，或各元件的組合。
129. 如申請專利範圍第125項所述之光次模組，其中該光電裝置包含一匹配元件，且該匹配元件組設在該載體上，該光電晶片配設在該匹配元件上。
130. 如申請專利範圍第129項所述之光次模組，其中該匹配元件係轉阻放大器、後級放大器、驅動積體電路、主動元件、被動元件，監測器光電二極體，或各元件的組合。
131. 一種光電元件，係用以發射或/及接收光信號，其包含：一底座；一光電裝置，係組設在該底座上，其包含一光訊號元件及以一控制器，其中， 該光訊號元件配設在該底座上，該控制器位在該光訊號元件的相對面。
132. 如申請專利範圍第131項所述之光電元件，其中該光訊號元件係為垂直腔面射型雷射或檢光二極體。
133. 如申請專利範圍第131項所述之光電元件，其中該控制器為監測器光電二極體、衰減器或濾波器。
134. 如申請專利範圍第131項所述之光電元件，其中光電裝置包含一載體，該載體固設在該底座上，且該控制元件組設在該載體上，部份的控制器相對該光訊號元件。