TWI391724B - Processing chamber and processing device - Google Patents

Description

處理室及處理裝置

本發明是關於處理室及處理裝置，詳細地說，是關於在平板顯示(FPD)等的製造過程中基板處理所使用的大型處理室及處理裝置。

於平板顯示(FPD)的製造過程中，是將一邊長超過2m的矩形大型玻璃基板收容在處理室內以進行各種的處理。近年來，隨著玻璃基板的大型化使得處理室本身也大型化，其重量也增加。特別是要在真空狀態下對大型玻璃基板進行處理的真空室，因要確保鋁等金屬製的處理室內部在真空狀態下能夠具有抵擋大氣壓的強度，所以室壁的壁厚必須要有足夠的厚度。因此，相較於內部尺寸其外形尺寸是變更大，相對的重量也變大。

伴隨著處理室的大型化，其重量的增加，除了必須確保有足夠的設置空間外，也需要有運送時運載限制或運送費用增加的對策。例如：在日本的法令下，以卡車來運送的包括綑裝尺寸在內的運送體寬度(就矩形處理室而言，是短邊長和綑裝厚度的合計)若是超過3m時的是無法行駛在高速公路上，義務性規定要以特殊車輛在晚間運送，需要有前後導車的同行，通過隧道或橋樑時需要交通指揮等。如上述，當處理室超過一定尺寸變大型化時，則在設置或搬運上會有經費增加的問題。

關於FPD製造裝置，在室的大型化對策方面，也提案有是將裝載閘室和搬運室結合成一個的對策(例如專利文獻1)。但是，該專利文獻1，並不是要實現各個處理室本身尺寸的縮小或重量的減輕，所以稱不上是根本性的解決方案。

[專利文獻1]日本特開2004-182475號公報

本發明是有鑑於上述實情而為的發明，以提供一種不用縮小處理室內部的尺寸，可抑制外形尺寸擴大，並且可達到減輕重量的處理室及處理裝置為目的。

為解決上述課題，根據本發明的第1觀點所提供的一種處理室，是收容著被處理體，在內部進行指定處理的平面為矩形的處理室，其特徵為，上述處理室構成用的側壁當中，相向的二個側壁的厚度是形成為要比其他二個側壁的厚度還薄的同時，具備有裝脫自如地對形成為較薄的上述相向的二個側壁進行補強的增強構件。

此外，根據本發明的第2觀點所提供的一種處理室，是由基部和蓋部來形成組合構造的平面為矩形的處理室，其特徵為，在上述基部和蓋部為組合的狀態下，上述處理室構成用的側壁當中，相向的二個側壁的厚度是形成為要比其他二個側壁的厚度還薄的同時，具備有裝脫自如地對形成為較薄的上述相向的二個側壁進行補強的增強構件。

根據第1及第2觀點所形成的構成是，上述處理室構成用的側壁當中，相向的二個側壁的厚度是形成為要比其他二個側壁的厚度還薄的同時，具備有裝脫自如地對形成為較薄的上述相向的二個側壁進行補強的增強構件。如此一來，在處理室的設置．使用時裝配上述增強構件，是能夠確保處理上所需要的強度的同時，側壁變薄使內尺寸變大是能夠抑制外尺寸擴大，藉此也可對應大型的被處理體，並且又能夠抑制腳墊(foot print)的擴大。

另外，在處理室的搬運、運輸等運送時，因拆下上述增強構件，可使側壁變薄來抑制貨物外尺寸擴大還可減輕重量，所以能夠減輕運送相關的費用負擔，也較容易遵守到法令的規定限制。

於上述第1觀點及第2觀點中，形成為較薄的上述相向的二個側壁，也可以是為長向的側壁。此外，形成為較薄的上述相向的二個側壁，其厚度也可形成為在內部為真空狀態下是不具有可抵擋大氣壓的強度。於該狀況，處理室，也可以是要在真空狀態下處理被處理體的真空室。

此外，上述增強構件，也可以形成為是從外部加裝在上述處理室。於該狀況，上述增強構件，也可以是要分別從外側固定在形成為較薄的上述相向的二個側壁上的板狀構件。接著，上述增強構件，也可以是從上述相向的二個側壁朝外側突出延伸著，具有台階的功能。

另外，被處理體也可以是玻璃基板。

根據本發明第3觀點所提供的一種處理室，是收容著被處理體，在內部進行指定處理的處理室，其特徵為，具備有：基部，該基部平面為矩形上面有開口，備有要於其內部載置被處理體的載置部；及，蓋部，該蓋部是與上述基部組合形成處理室，此外，上述基部，是由底板和四個側壁所構成，該四個側壁當中，相向的二個側壁的厚度是形成比其他二個側壁的厚度還薄的同時，具備有裝脫自如地對形成為較薄的上述相向的二個側壁進行補強的增強構件。

於上述第3觀點中，上述蓋板也可由頂板和四個側壁所構成，該四個側壁當中，與上述基部構成用的上述形成為較薄的二個側壁形成抵接的二個側壁的厚度是形成為要比上述蓋部其他二個側壁的厚度還薄的同時，具備有裝脫自如地對形成為較薄的上述蓋部的二個側壁進行補強的增強構件。此外，上述增強構件，也可形成為分別從外部加裝在上述基部和上述蓋部。

根據本發明第4觀點時，是提供的一種具備有上述第1觀點至第3觀點任一觀點所揭示的處理室，及在內部具備可將上述被處理體搬出入於該處理室的搬運機構，並透過閘閥與上述處理室鄰接的搬運室之處理裝置。於第4觀點中，處理裝置，也可使用在平板顯示的製造。

根據本發明時，因處理室構成用的側壁當中，相向的二個側壁的厚度是形成為要比其他二個側壁的厚度還薄的同時，具備有裝脫自如地對形成為較薄的上述相向的二個側壁進行補強的增強構件，所以能夠對應被處理體的大型化，並且又能夠抑制腳墊(foot print)的擴大。此外，在處理室的搬運、運輸等運送時，其效果是，能夠減輕運送相關的費用負擔，也較容易遵守到法令的規定限制。

[發明之最佳實施形態]

以下，是邊參照圖面邊說明本發明的最實施形態。

於此，是針對地對FPD用的玻璃基板進行蝕刻用的多室型真空處理系統使用本發明處理裝置時的狀況來進行說明。

第1圖是表示該真空處理系統的概觀透視圖，第2圖是表示其內部的水平剖面圖。另，第1圖及第2圖是省略細部圖示。

該真空處理系統1，是於其中央部連設有搬運室20和裝載閘室30。於搬運室20的周圍，配設有3個真空室10。各真空室10，是被載置在支撐台11上。此外，在搬運室20和裝載閘室30之間，在搬運室20和真空室10之間，及在要連通裝載閘室30與外側大氣環境氣的開口部，是分別插裝有可密封各室間成氣密，並且構成為可開閉的閘閥22。

於裝載閘室30的外側，設有2個匣盒分度器41，於該匣盒分度器41上分別載置著FPD用的玻璃基板收容用的匣盒40。於兩匣盒40的一方是收容著未處理的基板，於另一方是收容著處理完畢的基板。兩匣盒40，是由昇降機構42來使其成為能夠昇降。

於該兩匣盒40之間，在支撐台44上設有基板搬運手段43，該搬運手段43具備有被設置在上下2段的搬運臂45、46及支撐著搬運臂45、46使搬運臂45、46可成一體性進出退讓及旋轉的底座47。

於搬運臂45、46上，形成有基板支撐用的4個突起48。突起48是由摩擦係數高的合成橡膠製彈性體所形成，於基板支撐中防止基板偏離和落下。

上述真空室10，其內部空間是可保持成指定的減壓環境氣，在其內部例如是進行蝕刻處理。針對真空室10詳細的說明是於後述。

搬運室20，是與真空室相同可保持成指定的減壓環境氣，於搬運室20中，如第2圖所示，是配設有搬運機構50。接著，是由該搬運機構50在裝載閘室30及3個真空室10之間搬運基板。

搬運機構50，具有：被設置在底座51的一端，可轉動地設置在底座51上的第1搬運臂52；可轉動地設置在第1搬運臂52前端部上的第2搬運臂53；及，可轉動地設置在第2搬運臂53上，要支撐基板用的叉狀基板支撐板54，由內藏於底座51的驅動機構使第1搬運臂52、第2搬運臂53及基板支撐板54驅動，藉此得以搬運基板。此外，底座51是形成為可上下動的同時還可旋轉。

裝載閘室30也與個真空室10及搬運室20相同可保持成指定的減壓環境氣，於裝載閘室30中配設有緩衝架31，該緩衝架31具備有FPD用玻璃基板支撐用的一對支架。

其次，是參照第3圖至第5圖來對真空室10進行說明。第3圖是表示真空室10的外觀透視圖，第4圖是真空室10展開成途中狀態的透視圖。該真空室10，例如是構成為能夠處理外尺寸為2160mm×2400mm的FPD用玻璃基板的大型真空室，該真空室10的外尺寸，例如是2990mm×3500mm。另，於第4圖中，為方便說明，是強調長向的長度來繪製圖面(此狀況於第6圖第8圖亦是相同)。

真空室10，具有：室本體10a；於該室本體10a上設置成裝脫自如的蓋體10b；及，該蓋體10b要裝脫於室本體10a用的裝脫機構(未圖示)。另，本體10a及蓋體10b都是以鋁等金屬構成。

真空室10為開放的狀態，即蓋體10b是打開的狀態下，本體10a，如第4圖所示是形成為平面為大致矩形，上面為開口的筐體。另一方面，蓋體10b，是形成為對應於本體10a的平面為大致矩形，下面為開口的筐體。另，於第4圖中，為方便說明，是省略圖示例如被處理體載置用的載置部或排氣部等室內零件(此狀況於第6圖第8圖亦是相同)。

於本體10a，是從底部65豎立設有分別設置成相向的側壁61a和側壁61b及側壁62a和側壁62b，側壁61a、61b，是形成為橫向長度要比側壁62a、62b還長。接著，長向的側壁61a、61b的壁厚L₁ ，是形成為要比側壁62a、62b的壁厚L₂ 還薄。

同樣地蓋體10b，是包圍著頂板66分別相向設置有上部側壁63a和上部側壁63b及上部側壁64a和上部側壁64b，上部側壁63a和上部側壁63b的壁厚(與本體10a的側壁61a、61b的壁厚L₁ 相同)是形成為要比及上部側壁64a、64b的壁厚(與本體10a的側壁62a、62b的壁厚L₂ 相同)還薄。

側壁61a、61b和上部側壁63a、63b的壁厚L₁ ，是形成為要比通常真空室在要獲得需求強度(要做為耐壓容器時的強度)時所形成的壁厚還薄。即，壁厚是設定成當真空室10內為1×10^{－ 3} Pa以下的高真空狀態時，大氣壓會使側壁朝內側彎曲產生變形程度的強度。具體而言，例如：如上述當真空室10的本體10a的外尺寸，即，側壁61a、61b的長度為3500mm，側壁62a、62b的長度為2990mm，高度為600mm，側壁62a、62b的壁厚L₂ 為110mm時，側壁61a、61b的壁厚L₁ ，是可各形成為薄至60mm程度。就具有相同尺寸之內尺寸的習知真空室而言長邊的壁厚是需要各為120mm，相對於此本發明的壁厚是可大幅度變薄。

如上述藉由將側壁61a、61b的壁厚L₁ 變薄，是能夠大幅度減輕真空室10的重量，於同時側壁61a、61b壁厚L₁ 變薄的尺度是外尺寸縮小的尺度，即，能夠縮小(L₂ －L₁ )×2倍程度的外尺寸。此外，若是為相同的外尺寸，則透過側壁61a、61b及上部側壁63a、63b的壁厚L₁ 形成為較薄，變薄的尺度是能夠加大真空室10的內尺寸。因此，是能夠提高地對應大型化趨勢的FPD用玻璃基板等時的對應自由度。

於本實施形態中，為了補救形成為薄的側壁61a、61b的強度，在長向的側壁61a、61b的外壁面，配設有增強板90a、90b。同樣地，為了補救形成為薄的上部側壁63a、63b的強度，在長向的上部側壁63a、63b的外壁面，配設有增強板90c、90d。

上述增強板90a、90b、90c、90d，例如是由鐵等金屬構成，以直接鎖螺絲等固定手段形成裝脫自如地從外部加裝在側壁61a、61b。

增強板90a~90d，例如在真空室10被放在卡車等運送手段的貨台上來運送時，是可拆下來。接著，在真空室10設置在例如FPD製造生產線後，是能夠簡單地安裝增強板90a~90d。

如上述，藉由將側壁61a、61b及上部側壁63a、63b的壁厚L₁ 變薄，使運送時的重量及尺寸變小，能夠避免抵觸於運送時的運載限制或能夠對應於運送費用削減。例如：日本的法令規定，包括綑裝尺寸在內的運送體寬度(就矩形處理室而言，是短邊長和綑裝厚度的合計)若是超過3m時的是無法行駛在高速公路上，義務性規定要以特殊車輛在晚間運送，需要有前後導車的同行，通過隧道或橋樑時需要交通指揮，但若將側壁61a、61b及上部側壁63a、63b的壁厚L₁ 變薄，是能夠縮小運送體的寬度使包括綑裝尺寸在內的運送體寬度抑制在3m以下，如此就能夠大幅度節省運送時為要遵守法令而產生的手續和費用。例如：第4圖的例子，是能夠縮小(L₂ －L₁ )×2倍程度的外尺寸。在以卡車等運送手段來運送貨品時，法令上成為問題的大多數是貨物的寬幅，因此最好是將長向的側壁61a、61b及上部側壁63a、63b形成為較薄的側壁。

於本實施形態中，於側壁61a、61b及上部側壁63a、63b，雖各分別配備有大致水平的一片增強板90a~90d，但也可於各壁面配備2片以上的增強板。將增強板90a~90d裝設在水平方向，如下述，在打開大型的真空室10來進行維修保養等作業時，維修人員是能夠利用增強板90a~90d來做為台階使用。

另，增強板90a~90d，例如是可傾斜裝設成連結側壁相向的對角，也可裝設成是跨著本體10a和蓋體10b雙方。

第5圖是真空室10的剖面圖。真空室10，是本體的側壁61a、61b、62a、62b的上端和上部側壁63a、63b、64a、64b的下端抵接，使蓋體10b組合於本體10a。於室本體10a和蓋體10b的抵接部，例如是設有O環等密封構件(未圖示)，在真空室10內進行處理時，是構成為能夠使室內抽氣真空形成氣密空間。

於真空室10內部空間的下方，隔著絕緣構件71配置著感應器72，形成為是要將FPD用玻璃基板S載置在感應器72的上面。

於室本體10a的側壁下部連接著排氣管81，於該排氣管81連接著排氣裝置82。排氣裝置82具備有渦輪分子泵浦等真空泵浦，構成為是藉此將真空室10的內部空間抽氣真空可形成指定的減壓環境氣。

於上述感應器72的上方，設有與該感應器72成平行相向具有上部電極功能的蓮蓬頭74。該蓮蓬頭74是被螺絲(未圖示)固定在被配置於其周圍的絕緣構件75，絕緣構件75，是由突出在蓋體10b內部的凸部支撐著，用螺絲(未圖示)固定著。於蓮蓬頭74透過配管76連接著要將處理瓦斯供給至蓮蓬頭74的處理瓦斯供給系77，形成為是從設置在蓮蓬頭74下面的多數氣體噴出孔74a朝基板S吐出處理瓦斯。另一方面，於蓮蓬頭74上面的中央連接著給電棒78，於給電棒78的上端連接著整合器79，又於整合器79連接著高頻電源80。因此，是在利用排氣裝置82將真空室10的內部空間抽氣真空成指定的減壓狀態後，從高頻電源80透過整合器79及給電棒78對蓮蓬頭74施加高頻電力，以在基板S的上方空間形成處理瓦斯的等離子體，藉此對基板S進行蝕刻處理。

其次，是針對構成為上述的真空處理系統的處理動作進行說明。首先，是使搬運手段43的2片搬運臂45、46形成進退驅動，從收容著未處理基板的一方匣盒40(第1圖左側的匣盒)將2片基板S一次搬入裝載閘室30。

於裝載閘室30內，是由緩衝架31保持著基板S，在搬運臂45、46退出後，關閉裝載閘室30大氣側的閘閥。然後，將裝載閘室30內進行排氣，使內部減壓至指定的真空度。抽氣真空結束後，是利用未圖示的定位器來進行基板S的位置對準。

在基板S位置對準後，是打開搬運室20及裝載閘室30間的閘閥22利用搬運機構50將基板S搬入搬運室20內。被搬入在搬運室20內的基板S是被承接在搬運機構50的基板支撐板54上，接著搬入指定的真空室10。然後，基板支撐板54，是從真空室10退出，接著關閉閘閥22。於此時，真空室10內，室本體10a和蓋體10b因是由密封構件(未圖示)形成密封所以能夠抽氣成真空。

於真空室10，基板S是以被載置在感應器72上的狀態，在真空室10的內部空間減壓至指定的壓力後，將處理瓦斯供給系77所供給的蝕刻處理用的處理瓦斯透過蓮蓬頭74朝基板S噴出的同時，從高頻電源80透過整合器79及給電棒78供給高頻電力至蓮蓬頭74，以在基板S上的空間形成等離子體，藉此對基板S進行蝕刻處理。

該蝕刻處理結束後，就打開閘閥22由搬運機構50的基板支撐板54接收處理完畢的基板S，然後搬運至裝載閘室30。被搬運至裝載閘室30內的基板S，是由搬運手段43的搬運臂45、46放入在處理完畢基板用的匣盒40(第1圖右側的匣盒)內。如此一來雖然是結束一片基板的一連貫處理動作，但該處理動作重覆進行的次數是等於被搭載在未處理基板用的匣盒40的基板數量。

在上述的處理例如是以指定次數進行重覆時，是有必要進行真空室10的維護保養。於該狀況時，是利用裝脫機構(未圖示)來將真空室10的蓋體10b從室本體10a的正上方移動至脫離位置，打開真空室10實施內部的維護保養等。此時，例如第6圖所示，於大型真空室10，增強板90a、90b是可做為要進行維護保養作業的工作人員的台階來使用。將增強板90a、90b做為台階來使用，是能夠確保進行維護保養等時的工作人員的安全，於同時還能夠提昇工作效率。另，於第6圖中，雖只圖示本體10a，但於蓋體10b是完全展開的狀態下，對於所裝設的增強板90c、90d還是同樣可做為台階來使用。

如上述，側壁61a、61b及上部側壁63a、63b的壁厚L₁ ，是設定成當真空室10內為1×10^{－ 3} Pa以下的高真空狀態時，大氣壓會使側壁朝內側彎曲產生變形程度的強度。例如：當真空室10整體的外尺寸為3500mm×2990mm×1200mm，側壁61a、61b及上部側壁63a、63b的壁厚L₁ 為60mm時，若未裝設增強板90a~90d，則朝內側彎曲的彎曲變形量，在側壁61a、61b及上部側壁63a、63b的中央部最大是2.7mm。

在真空室10是以出貨等為目的來運送時，為了防止運送中的室內污染或吸附水份，此外為了保護被裝設在真空室10上的伸縮零件即蛇腹管，是將其內部抽氣成真空。如上述，在真空室10是已成設置的狀態下，裝設增強板板90a~90d是能夠防止大氣壓造成的彎曲變形，但於運送時，因是以抑制運送尺寸為目的而拆除增強板90a~90d，所以在抽氣成真空的狀態下是無法抵擋大氣壓，有可能產生彎曲變形。因此，於運送時，真空室10的側壁61a、61b及上部側壁63a、63b的強度就需要有補救的手段。

第7圖，是表示真空室10運送時剖面的狀態圖面。在運送時，由於不裝設增強板90a~90d，因此是以裝設伸縮桿92來取代做為內部增強手段。

如第7圖所示，伸縮桿92，是分別配備在真空室10的本體10a的相向的側壁61a及61b的內側以及蓋部10b的相向的上部側壁63a及63b的內側。該伸縮桿92的構造，是形成為在內面刻設有螺紋槽的圓筒狀管93的內部螺入刻設有螺紋的活動棒94。接著，藉由轉動活動棒94就能夠調整整體的長度，於同時構成為可定位固定成任意長度。於伸縮桿92的兩端(即管93和活動棒94的端)，因嵌著有彈性構件95，所以在抵接於真空室10的內面時能夠形成緊貼防止滑落。

如此一來，於運送時將專用的伸縮桿92裝設在真空室10內，從內側來增強壁厚較薄的側壁61a、61b及上部側壁63a、63b是能夠抵擋大氣壓以防止較薄的側壁彎曲變形。伸縮桿92，因裝設及拆除簡單，所以在只做為運送時的增強手段是有用的。

伸縮桿92，如第8圖所示，是以裝設在最容易產生彎曲變形的側壁61a、61b的中央附近(於上部側壁63a、63b亦是相同)為佳。第8圖中，雖圖示著是以2支伸縮桿92裝設在本體10a的狀態，但裝設支數為任意。另，內部增強手段，並不限定於伸縮桿92，例如也能夠採用板狀的增強構件。

本發明並不限定於上述的實施形態，是可進行種種的變形。例如：於上述實施形態中是將本發明使用在等離子體蝕刻裝置，但本發明也可使用在或CVD等其他的真空處理。此外，真空處理並不限定於等離子體處理也可以是其他的瓦斯處理，再加上，也可以是瓦斯處理以外的真空處理。

另外，本發明的技術思想，並不限定於真空室，也可應用在以常壓進行處理的處理室，於該狀況時同樣是能夠使裝置輕型化和小型化。

再加上，於上述實施形態中，本體10a和蓋體10b是以分別具有側壁為例子，但只有本體是具有側壁，以此和平板狀的蓋體組合形成處理室的構造同樣也可應用本發明思想。

又加上，於上述實施形態中，雖是以要進行處理的被處理體為FPD用大型玻璃基板的大型真空室為例子進行了說明，但並不限定於此，本發明的技術思想也可應用在地對半導體晶圓等其他的被處理體進行處理的處理室。

10．．．真空室

10a．．．本體

10b．．．蓋體

61a、61b．．．側壁(長向)

62a、62b．．．側壁

63a、63b．．．上部側壁(長向)

64a、64b．．．上部側壁

65．．．底板

66．．．頂板

90a、90b、90c、90d．．．增強板

第1圖為表示具備有本發明之一實施形態相關真空室的真空處理系統概要透視圖。

第2圖為第1圖真空處理系統的水平剖面圖。

第3圖為真空室的外觀透視圖。

第4圖為真空室展開成途中狀態的透視圖。

第5圖為真空室的剖面圖。

第6圖為真空室維護保養時的模樣說明用的圖面。

第7圖為真空室運送時的狀態說明用的剖面圖。

第8圖為真空室運送時的狀態說明用的本體透視圖。

10．．．真空室

10a．．．本體

10b．．．蓋體

61a、61b．．．側壁(長向)

62a、62b．．．側壁

63a、63b．．．上部側壁(長向)

64a、64b．．．上部側壁

65．．．底板

90a、90b、90c、90d．．．增強板

Claims (16)

1. 一種處理室，收容著被處理體，在內部進行指定處理的平面為矩形的處理室，其特徵為：上述處理室構成用的側壁當中，相向的二個側壁的厚度是形成比其他二個側壁的厚度還薄的同時，具備有裝脫自如地對形成為較薄的上述相向的二個側壁進行補強的增強構件。
2. 一種處理室，是由基部和蓋部來形成組合構造的平面為矩形的處理室，其特徵為：在上述基部和蓋部為組合的狀態下，上述處理室構成用的側壁當中，相向的二個側壁的厚度是形成比其他二個側壁的厚度還薄的同時，具備有裝脫自如地對形成為較薄的上述相向的二個側壁進行補強的增強構件。
3. 如申請專利範圍第1項所記載的處理室，其中，形成較薄的上述相向的二個側壁為長向的側壁。
4. 如申請專利範圍第2項所記載的處理室，其中，形成較薄的上述相向的二個側壁為長向的側壁。
5. 如申請專利範圍第1項至第4項任一項所記載的處理室，其中，形成較薄的上述相向的二個側壁，其厚度是形成內部為真空狀態下不具有可抵擋大氣壓的強度。
6. 如申請專利範圍第5項所記載的處理室，其中，上述處理室是在真空狀態下處理被處理體的真空室。
7. 如申請專利範圍第1項至第4項任一項所記載的處 理室，其中，上述增強構件是從外部加裝在上述處理室。
8. 如申請專利範圍第6項所記載的處理室，其中，形成較薄的上述相向的二個側壁為長向的側壁。
9. 如申請專利範圍第7項所記載的處理室，其中，上述增強構件是分別從外側固定在形成較薄的上述相向的二個側壁上的板狀構件。
10. 如申請專利範圍第9項所記載的處理室，其中，上述增強構件是從上述相向的二個側壁朝外側突出延伸，具有台階的功能。
11. 如申請專利範圍第1項至第4項任一項所記載的處理室，其中，被處理體為玻璃基板。
12. 一種處理室，是收容著被處理體，在內部進行指定處理的處理室，其特徵為，具備有：基部，該基部平面為矩形上面有開口，備有於其內部載置被處理體的載置部；及蓋部，該蓋部是與上述基部組合形成處理室，此外，上述基部，是由底板和四個側壁所構成，該四個側壁當中，相向的二個側壁的厚度是形成比其他二個側壁的厚度還薄的同時，具備有裝脫自如地對形成為較薄的上述相向的二個側壁進行補強的增強構件。
13. 如申請專利範圍第12項所記載的處理室，其中，上述蓋板是由頂板和四個側壁所構成，該四個側壁當中，與上述基部構成用的上述形成為較薄的二個側壁形成抵接的二個側壁的厚度是形成比上述蓋部其他二個側壁的厚度還薄的同時，具備有裝脫自如地對形成為較薄的上述蓋部 的二個側壁進行補強的增強構件。
14. 如申請專利範圍第13項所記載的處理室，其中，上述增強構件，是分別從外部加裝在上述基部和上述蓋部。
15. 一種處理裝置，其特徵為：具備有申請專利範圍第1項至第14項任一項所記載的處理室，及在內部具備可將上述被處理體搬出入於該處理室的搬運機構，並透過閘閥與上述處理室鄰接的搬運室。
16. 如申請專利範圍第15項所記載的處理裝置，其中，上述處理裝置是使用於平板顯示的製造。