TWI390402B - Semiconductor memory information storage device and writing control method thereof - Google Patents

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TWI390402B
TWI390402B TW097126475A TW97126475A TWI390402B TW I390402 B TWI390402 B TW I390402B TW 097126475 A TW097126475 A TW 097126475A TW 97126475 A TW97126475 A TW 97126475A TW I390402 B TWI390402 B TW I390402B
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Description

半導體記憶體資訊儲存裝置及其寫入控制方法
本發明係有關在半導體記憶體儲存原始資料等之資訊之半導體記憶體資訊儲存裝置以及在半導體記憶體儲存原始資料等資訊之寫入控制方法。
在儲存原始資料之資訊儲存裝置中，有一種利用可以區塊(block)單位寫入/讀出資料的半導體記憶體做為其記憶媒體者。但是，該項半導體記憶體由於沒有操作部分而具有較高的可靠性的優點，相反地，相較於硬碟等可寫入次數較少。尤其是，若僅使用特定的區塊時，該區塊會成為無法寫入的不良部位(所謂後天性干擾(back drop))。因此，在先前的半導體記憶體資訊儲存裝置中，每當在半導體記憶體寫入原始資料時，即針對每區塊計數寫入次數。然後，在寫入時，讀出各區塊之寫入次數，並由寫入次數較少的未使用區塊依序寫入原始資料(例如參照專利文獻1)。
可是近年來，半導體記憶體的容量趨於大型化，如專利文獻1，每當寫入資料時，於讀出全部區塊之寫入次數後選出寫入次數較少的未使用區塊之方法已經不是有效方法。因此人們期望一種在寫入原始資料之操作中，可以即時(real time)選出且各區塊之寫入次數成為均勻的未使用區塊之資訊儲存裝置。
[專利文獻1]特開平11-144478號公報
如上述，在先前的半導體記憶體資訊儲存裝置中，要在寫入原始資料的寫入操作中，即時選出而且各區塊之寫入次數成為均勻的未使用區塊是有困難的。
本發明係根據上述問題而完成者，其目的在提供一種在原始資料的寫入操作中，可以即時選出未使用區塊，並使各區塊之寫入次數均勻之半導體記憶體資訊儲存裝置與寫入控制方法。
為達成上述目的，本發明之半導體記憶體儲存裝置具備：儲存部，係以可以區塊單位抹除之非揮發性記憶體做為資訊記憶媒體；寫入次數管理部，用於分別計數與管理上述非揮發性記憶體之區塊中全部之寫入次數；清單(list)管理部，依使用中/未使用分類上述非揮發性記憶體中之區塊，以使用中清單管理上述使用中之區塊，以第1未使用清單管理在上述未使用之區塊中上述寫入次數與最大值同值的區塊；以第2未使用清單管理上述未使用之區塊中上述寫入次數未滿上述最大值之區塊；以及控制部，係用於對上述儲存部寫入．抹除資訊資料者，在寫入上述 述資訊資料時，選擇性地指定上述第2未使用清單所管理之區塊之任一區塊並在該區塊寫入上述資訊資料；在抹除上述資訊資料時，由上述區塊抹除該資訊資料同時將抹除之區塊通知上述清單管理部以更新上述區塊之管理；上述清單管理部被上述控制部指定上述第2未使用清單所管理之任一區塊為寫入區塊時，將上述指定之寫入區塊由上述第2未使用清單移開而過渡至上述使用中清單之管理；上述寫入次數管理部係用於計入上述被指定之寫入區塊之寫入次數。
此外，本發明的寫入部位分散化方法係以可以區塊單位抹除之非揮發性記憶體做為資訊記憶媒體，分別計數管理在上述揮發性記憶體中之全部區塊的寫入次數；以使用中/未使用分類上述非揮發性記憶體中之區塊；以使用中清單管理上述使用中之區塊；以第1未使用清單管理上述未使用區塊中上述寫入次數與最大值同值的區塊；以第2未使用清單管理上述未使用區塊中上述寫入次數為未滿上述最大值之區塊；在對上述非揮發性記憶體中之區塊寫入上述資訊資料時，參照上述第2未使用清單並且選擇性地指定以該第2未使用清單管理之任一區塊以寫入上述資訊資料；在抹除上述資訊資料時，除了由上述區塊抹除該資訊資料之外，同時更新已抹除區塊之上述各清單中之管理；在指定以上述第2未使用清單所管理之任一區塊為寫入區塊時，即將上述指定之寫入區塊由上述第2未使用清單移開並過渡至上述使用中清單之管理，並計入(Count up) 上述被指定之寫入區塊之寫入次數。
在上述構造的半導體記憶體資訊儲存裝置與寫入控制方法中，係依據使用中/未使用與各區塊之寫入次數，以使用中清單，第1未使用清單，第2未使用清單管理在儲存部之非揮發性記憶體中之區塊。而且半導體記憶體資訊儲存裝置在寫入時，由寫入次數少的未使用區塊所管理之第2未使用清單選出區塊，並在該區塊寫入資訊資料。另外，半導體記憶體資訊儲存裝置在抹除時，係將資訊資料被抹除之區塊通知區塊管理部以更新區塊之管理。如此一來，即可實現寫入次數少的區塊始終被第2未使用清單管理之狀況。亦即，藉由從該第2未使用清單指定寫入區塊，即可有效選出寫入次數少的未使用區塊。
利用本發明可以提供一種可以即時(real time)且有效率地穩定檢測出半導體記憶體中寫入次數少的區塊的半導體記憶體儲存裝置與寫入控制方法。
[實施發明之最佳形態]
以下，邊參照圖式，邊詳細說明本發明之實施形態。
圖1為表示本發明之第1實施形態之半導體記憶體資訊儲存裝置之功能構造之方塊圖。在圖1中，儲存部1將暫時保存於緩衝器2之原始資料，利用寫入/抹除控制器3之寫 入控制取入並寫入半導體記憶體11-13中。此時，在寫入有原始資料之半導體記憶體11至13中之寫入區塊係由寫入/抹除控制器3參照區塊管理部4來指定。區塊管理部4係以管理資訊保持部41保持半導體記憶體11至13的區塊管理資訊，而藉由輔助控制器42控制該管理資訊來管理區塊。
另外，儲存部1藉由寫入/抹除控制器3之抹除控制，抹除儲存於半導體記憶體11至13的原始資料。此時，寫入/抹除控制器3對區塊管理部4通知抹除原始資料之區塊，俾更新區塊之管理。
上述儲存部1係分別以可以區塊單位抹除的多個(在此為3個)非揮發性半導體記憶體11至13並聯構成。各半導體記憶體儲存同一資訊的資料。因此，即使在任一半導體記憶體發生不良部位時，資料也被儲存於剩餘的半導體記憶體。亦即，發生寫入錯誤的可能性降低。
上述寫入/抹除控制器3具有對儲存部1控制寫入與抹除原始資料之功能。寫入/抹除控制器3在控制寫入時，由區塊管理部4選擇性地指定寫入次數少的未使用區塊。然後，寫入/抹除控制器3在該指定區塊中寫入暫時保存於緩衝器2中之原始資料。另外，寫入/抹除控制器3在控制抹除時，由區塊抹除原始資料。然後，寫入/抹除控制器3將被抹除原始資料之區塊通知區塊管理部4以更新區塊之管理。
上述區塊管理部4以管理資訊保持部41保持半導體記憶體11至13之區塊管理資訊。區塊管理部4利用輔助控制 器42控制該管理資訊來管理區塊(block)。
管理資訊保持部41具備：記錄部411，清單管理部(以下簡稱using-list(使用中清單))412，清單管理部(以下簡稱free-high list(第1未使用清單))413，以及清單管理部(以下簡稱free-low list(第2未使用清單))414。記錄部411係用於記錄半導體記憶體11至13之區塊之使用中/未使用分類結果以及寫入次數。Using list 412係用於管理使用中的區塊。Free-highlist 413係用於管理未使用區塊中寫入次數與最大使用次數同值的區塊。Free-low list 414係用於管理未使用區塊中寫入次數未滿最大使用次數之區塊。在此，所謂最大使用次數係指未使用區塊中寫入次數成為最大的區塊之寫入次數之謂。
輔助控制器42利用寫入/抹除控制器3選擇性地由free-low list 414所登錄的任一區塊指定寫入區塊時，即將該區塊由free-low list移開。然後，輔助控制器42計入該區塊之寫入次數並將該寫入次數記錄於記錄部411。輔助控制器42一記錄寫入次數即將區塊登錄於using list 412。
此外，輔助控制器42一由寫入/抹除控制器3接到原始資料被抹除之區塊之通知，即將該區塊由using-list 412移開做為未使用區塊。然後，輔助控制器42比較該未使用區塊之寫入次數與最大使用次數。輔助控制器42在原始資料被抹除之區塊的寫入次數未滿最大使用次數時，即將該區塊登錄於free-low list 414中。輔助控制器42在原始資 料被抹除之區塊的寫入次數與最大使用次數同值時，即將該區塊登錄於free-high list 413中。輔助控制器42在原始資料被抹除之區塊的寫入次數大於最大使用次數時，則將登錄於free-high list 413之未使用區塊登錄於free-low list 414，而將原始資料被刪除之區塊登錄於free-high list 413中。
另外，輔助控制器42在半導體記憶體資訊儲存裝置啟動時，參照記錄部411所記錄之各區塊的使用中/未使用分類結果以及寫入次數以進行以下之處理。亦即，輔助控制器42將啟動時使用中之區塊登錄於using-list 412。輔助控制器42將未使用之區塊中寫入次數與最大使用次數同值的區塊登錄於free-high list 413。輔助控制器42將未使用之區塊中寫入次數不滿最大使用次數之區塊登錄於free-low list 414中。
再者，輔助控制器42在未使用區塊未被登錄於free-low list 414而僅被登錄於free-high list 413時，即將被登錄於free-high list 413之全部區塊登錄於free-low list 414。此時的區塊之登錄概念圖如圖2所示。另外，全部區塊皆被登錄於using-list 412時，假設儲存部1沒有未使用區塊存在，而將表示不可能在儲存部1儲存的意旨之訊號發送到寫入/抹除控制器3。
以下，要參照圖3至圖9說明在具有上述構成之半導體資訊儲存裝置上之區塊管理部4之區塊之管理。
圖3為表示對本實施形態之儲存部1寫入原始資料時之 輔助控制器42的區塊之管理操作之流程圖。圖4表示對儲存部1寫入原始資料時之區塊管理之起始狀態之概念圖。另外，圖5為表示對儲存部1寫入第1次原始資料時之區塊管理之概念圖。
在起始狀態中，在半導體記憶體11至13之未使用區塊係全部被登錄於free-low list 414(圖4)。輔助控制器42一由寫入/抹除控制器3接到寫入區塊之指定時(步驟3a)，即將被指定的區塊由free-low list 414移開(步驟3b)。接著，加算該區塊之寫入次數(步驟3c)，並將寫入次數記錄於記錄部411(步驟3d)。記錄寫入次數之後，將該區塊登錄於using-list 412(步驟3e)(圖5)以結束處理。
圖6為表示要抹除儲存於本實施形態之儲存部1之區塊中之原始資料時，輔助控制器42之區塊管理操作之流程圖。圖7為抹除儲存於儲存部1之區塊的原始資料後，將該區塊登錄於free-high list 413時之區塊的管理概念圖。此外，圖8為抹除儲存於儲存部1之區塊的原始資料後，將該區塊登錄於free-low list 414時之區塊的管理概念圖。
首先，輔助控制器42由寫入/抹除控制器3被通知被抹除儲存原始資料之區塊時(步驟6a)，即判斷該區塊之寫入次數是否大於最大使用次數(步驟6b)。若寫入次數大於最大使用次數時(步驟6b的「是」，即更新最大使用次數(步驟6c)，並將登錄於free-high list 413之區塊全部登錄於free-low list 414(步驟6d)。然後，將原始資料被抹除之區塊登錄於free-high list 413(步驟6e)而結束處理。
在步驟6b中，若原始資料被抹除之區塊的寫入次數小於最大使用次數時(步驟6b的「否」)，即判斷該寫入次數是否與最大使用次數同值(步驟6f)。若寫入次數與最大使用次數同值時(步驟6f的「是」)，即將該未使用區塊登錄於free-high list 413(步驟6g)而結束處理。若寫入次數未滿最大使用次數時(步驟6f的「否」)，則將該未使用區塊登錄於free-low list 414(步驟6h)(圖8)而結束處理。
圖9為表示本實施形態之半導體記憶體資訊儲存裝置啟動時之區塊對各區塊之分配操作之流程圖。
半導體記憶體資訊儲存裝置一啟動，輔助控制器42即逐一區塊(block)讀出記錄於記錄部411之各區塊的使用中/未使用分類結果與寫入次數(步驟9a)。接著，判斷區塊之使用中/未使用分類結果與寫入次數是否被正常記錄(步驟9b)，如記錄正常時(步驟9b的「是」)，即判斷該區塊是否使用中(步驟9c)。若區塊之使用中/未使用分類結果與寫入次數未被正常記錄時(步驟9b的「否」)，即發出警告聲(步驟9d)。
若區塊不在使用中時(步驟9c的「否」)，輔助控制器42即判斷區塊之寫入次數是否與最大使用次數同數(步驟9e)。若寫入次數與最大使用次數同數時(步驟9e的「是」)，則將區塊登錄於free-high list 413(步驟9f)，並判斷記錄部411中是否記錄有其他區塊之使用中/未使用分類結果以及寫入次數(步驟9g)。若在記錄部411中有記錄其他區塊之使用中/未使用分類結果以及寫入次數時(步驟9g的「 是」)，即將處理過渡至步驟9a。若在記錄部411中沒有記錄其他區塊之使用中/未使用分類結果以及寫入次數時(步驟9g的「否」)，即結束處理。
在步驟9c中，若區塊在使用中時(步驟9c的「是」)，即將區塊登錄於using-list 412(步驟9h)而過渡到步驟9g。在步驟9e中，若寫入次數未滿最大使用次數時(步驟9e的「否」)，即將區塊登錄於free-low list 414而將處理過渡到步驟9g。
如上述，當上述一實施形態有關之半導體記憶體資訊儲存裝置，在儲存部1之半導體記憶體11至13之區塊為使用中時，即將該區塊登錄於using-list412。另外，半導體記憶體資訊儲存裝置在未使用時，係將未使用區塊中寫入次數為最大使用次數之區塊登錄於free-high list 413。另外，半導體記憶體記憶體資訊儲存裝置將未使用區塊中寫入次數未滿最大使用次數的區塊登錄於free-low list 414。然後，半導體記憶體資訊儲存裝置由登錄於free-low list 414的區塊選出寫入區塊俾寫入原始資料。此外，半導體記憶體資訊儲存裝置一由區塊抹除原始資料時，即根據寫入次數與最高使用次數將該區塊登錄於free-high list 413或free-low list 414。如此一來，在free-low list 414中始終登錄著寫入次數少的未使用區塊414。亦即，藉由該free-low list 414選出寫入區塊，可以僅在寫入次數少的未使用區塊中寫入原始資料。
因此，只要由登錄於free-low list 414的區塊指定寫 入區塊，即可檢測出寫入次數少的未使用區塊，所以可以均衡保持區塊的寫入次數。另外，藉此，也可以縮短檢索時間，並穩定地選出寫入區塊。
再者，本發明並不侷限於上述一實施形態。例如，在上述一實施形態中，係針對並聯3個半導體記憶體儲存原始資料之例加以說明，惟縱使半導體記憶體不是3個時(含單數)也同樣可以實施。
另外，在實施階段中，只要不跳脫其要旨之範圍內，可以改變構造要件來具體化。此外，藉將上述實施形態所揭示之多個構造要件的適當組合，即可形成各種發明。例如，也可以由實施形態所示之全部構造要件抹除一些構造要件。
1‧‧‧儲存部
11~13‧‧‧半導體記憶體
2‧‧‧緩衝器
3‧‧‧寫入/抹除控制器
4‧‧‧區塊管理部
41‧‧‧管理資訊保持部
411‧‧‧記錄部
412‧‧‧清單管理部
413‧‧‧清單管理部
414‧‧‧清單管理部
42‧‧‧輔助控制器
圖1為表示本發明之半導體記憶體資訊儲存裝置之一實施形態之構造的方塊圖。
圖2為表示在圖1之區塊管理部中，未使用區塊未被登錄於free-low list，而僅登錄於free-high list時之未使用區塊登錄之過渡之概念圖。
圖3為表示對圖1之儲存部寫入原始資料時，以輔助控制器進行區塊之管理操作之流程圖。
圖4為表示在圖1之儲存部寫入原始資料時之區塊管理之概念圖。
圖5為表示在圖1之儲存部寫入原始資料時之區塊管理 之概念圖。
圖6為表示在抹除儲存於圖1之儲存部區塊中之原始資料時，以輔助控制器進行管理操作之流程圖。
圖7為表示在抹除儲存於圖1之儲存部區塊中之原始資料時，區塊管理之概念圖。
圖8為為表示在抹除儲存於圖1之儲存部區塊中之原始資料時，區塊管理之概念圖。
圖9為表示圖1之半導體記憶儲存裝置啟動時，對區塊的各清單之分配操作之流程圖。
1‧‧‧儲存部
11~13‧‧‧半導體記憶體
2‧‧‧緩衝器
3‧‧‧寫入/抹除控制器
4‧‧‧區塊管理部
41‧‧‧管理資訊保持部
411‧‧‧記錄部
412‧‧‧清單管理部
413‧‧‧清單管理部
414‧‧‧清單管理部
42‧‧‧輔助控制器

Claims (8)

  1. 一種半導體記憶體資訊儲存裝置，其特徵為具備：儲存部，係以可以區塊單位抹除之非揮發性記憶體做為資訊記憶媒體；寫入次數管理部，用於分別計數與管理上述非揮發性記憶體之全部區塊中之寫入次數；清單(list)管理手段，依使用中/未使用分類上述非揮發性記憶體中之區塊，以使用中清單管理上述使用中之區塊，以第1未使用清單管理在上述未使用之區塊中上述寫入次數與最大值同值的區塊；以第2未使用清單管理上述未使用之區塊中上述寫入次數未滿上述最大值之區塊；以及控制部，係用於對上述儲存部寫入．抹除資訊資料者，在寫入上述資訊資料時，選擇性地指定上述第2未使用清單所管理之任一區塊並在該區塊寫入上述資訊資料；在抹除上述資訊資料時，則由上述區塊抹除該資訊資料同時將抹除之區塊通知上述清單管理部俾更新上述區塊之管理；上述清單管理部係在被上述控制部指定上述第2未使用清單所管理之任一區塊為寫入區塊時，將上述指定之寫入區塊由上述第2未使用清單移開而過渡至上述使用中清單之管理； 上述寫入次數管理部係用於加算上述被指定之寫入區塊之寫入次數。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體記憶體資訊儲存裝置，其中上述清單管理部若由上述控制部接到已抹除上述資訊資料之區塊的通知時，則在將該區塊由上述使用中清單移開後，即比較該區塊之寫入次數與上述最大值，若上述寫入次數未滿上述最大值時，以上述第2未使用清單管理上述資訊資料被抹除之區塊；若上述寫入次數與上述最大值同值時，即以上述第1未使用清單管理上述資訊資料被抹除之區塊；若上述寫入次數大於上述最大值時，即將上述第1未使用清單所管理之區塊過渡至上述第2未使用清單之管理而以上述第1未使用清單管理上述資訊資料被抹除之區塊。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體記憶體資訊儲存裝置，其中上述清單管理部在上述未使用之區塊成為僅由上述第1未使用清單所管理時，即將該以第1未使用清單所管理之區塊過渡至上述第2未使用清單之管理。
  4. 如申請專利範圍第1項之半導體記憶體資訊儲存裝置，其中上述寫入次數管理部記錄上述非揮發性記憶體中之區塊的使用/未使用分類結果；上述清單管理部在啟動時，藉由參照以上述寫入次數管理部所記錄之全部區塊之寫入次數與上述使用/未使用分類結果，以上述使用中清單管理使用中之區塊，且以上述第1未使用清單管理未使用之區塊中與上述寫入次數與 最大值同值之區塊；並且以上述第2未使用清單管理上述未使用區塊中上述寫入次數未滿上述最大值之區塊。
  5. 一種寫入控制方法，其特徵為包含：以可以區塊單位抹除之非揮發性記憶體做為資訊記憶媒體；將上述非揮發性記憶體中之全部區塊寫入次數分別計數管理；將上述非揮發性記憶體中之區塊依使用中/未使用分類；以使用中清單管理上述使用中之區塊；以第1未使用清單管理上述未使用區塊中上述寫入次數與最大值同值之區塊；以第2未使用清單管理上述未使用之區塊中上述寫入次數未滿上述最大值之區塊；在對上述非揮發性記憶體之區塊寫入上述資訊資料時，參照上述第2未使用清單，並選擇性地指定該第2未使用清單所管理之任一區塊以寫入上述資訊資料；要抹除上述資訊資料時，除了由上述區塊抹除該資訊資料之外，同時更新已抹除之區塊的上述各清單中之管理；在指定以上述第2未使用清單所管理的任一區塊做為寫入區塊時，即由上述第2未使用清單移開上述指定寫入區塊並過渡至上述使用中清單之管理；以及加算上述被指定之寫入區塊之寫入次數。
  6. 如申請專利範圍第5項之寫入控制方法，其中若有抹除上述資訊資料的區塊通知時，將該區塊由上述使用中清單移開後，比較該區塊之寫入次數與上述最大值；若上述寫入次數未滿上述最大值時，以上述第2未使用清單管理上述資訊資料被抹除之區塊；若上述寫入次數與上述最大值同值時，則以上述第1未使用清單管理上述資訊資料被抹除之區塊；若上述寫入次數大於上述最大值時，則將上述第1未使用清單所管理之區塊過渡至上述第2未使用清單之管理，並以上述第1未使用清單管理上述資訊資料被抹除之區塊。
  7. 如申請專利範圍第5項之寫入控制方法，其中若上述未使用區塊成為僅被上述第1未使用清單管理時，即將該第1未使用清單所管理之區塊過渡至上述第2未使用清單之管理。
  8. 如申請專利範圍第5項之寫入控制方法，其中記錄上述非揮發性記憶體中之區塊之使用/未使用分類結果；在啟動時，藉由參照被記錄之全部區塊的寫入次數與上述使用/未使用分類結果，以上述使用中清單管理使用中之區塊；以上述第1未使用清單管理未使用之區塊中上述寫入次數與最大值同值之區塊；以及以上述第2未使用清單管理上述未使用之區塊中上述寫入次數不滿上述最大值之區塊。
TW097126475A 2007-07-13 2008-07-11 Semiconductor memory information storage device and writing control method thereof TWI390402B (zh)

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101610477B (zh) 2009-07-13 2012-09-05 中兴通讯股份有限公司 多媒体消息业务的处理系统和方法
US8209785B2 (en) 2010-02-09 2012-07-03 International Textile Group, Inc. Flame resistant fabric made from a fiber blend
TWI455131B (zh) * 2010-04-16 2014-10-01 Silicon Motion Inc 記憶體之資料寫入方法及資料儲存裝置
TWI475564B (zh) * 2010-04-21 2015-03-01 Silicon Motion Inc 記憶體之資料寫入方法及資料儲存裝置
CN103577342B (zh) * 2012-07-25 2018-04-17 慧荣科技股份有限公司 管理闪存中所储存的数据的方法及相关记忆装置与控制器
CN103123609B (zh) * 2013-03-13 2015-07-15 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 存储器的分块管理方法
TWI548991B (zh) * 2014-02-14 2016-09-11 群聯電子股份有限公司 記憶體管理方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置
KR20170045406A (ko) * 2015-10-16 2017-04-27 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3507132B2 (ja) * 1994-06-29 2004-03-15 株式会社日立製作所 フラッシュメモリを用いた記憶装置およびその記憶制御方法
JPH11144478A (ja) 1997-11-10 1999-05-28 Hitachi Device Eng Co Ltd 不揮発性半導体メモリの情報記憶方法および電子機器
JPH11259370A (ja) * 1998-03-06 1999-09-24 Mitsubishi Electric Corp データ書込装置及びデータ書込方法
US6985992B1 (en) * 2002-10-28 2006-01-10 Sandisk Corporation Wear-leveling in non-volatile storage systems
DE60316171T2 (de) 2002-10-28 2008-05-29 SanDisk Corp., Milpitas Automatischer abnutzungsausgleich in einem nicht-flüchtigen speichersystem
JP4073799B2 (ja) 2003-02-07 2008-04-09 株式会社ルネサステクノロジ メモリシステム
US7139864B2 (en) * 2003-12-30 2006-11-21 Sandisk Corporation Non-volatile memory and method with block management system
EP1702338B1 (en) 2003-12-30 2009-02-18 SanDisk Corporation Robust data duplication and improved update method in a multibit non-volatile memory
US7224604B2 (en) * 2005-03-14 2007-05-29 Sandisk Il Ltd. Method of achieving wear leveling in flash memory using relative grades
US7516267B2 (en) * 2005-11-03 2009-04-07 Intel Corporation Recovering from a non-volatile memory failure
US8935302B2 (en) * 2006-12-06 2015-01-13 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Apparatus, system, and method for data block usage information synchronization for a non-volatile storage volume
JP4372168B2 (ja) * 2007-02-19 2009-11-25 株式会社東芝 半導体メモリ情報蓄積装置とその蓄積データ処理方法
JP4469879B2 (ja) * 2007-08-07 2010-06-02 株式会社東芝 半導体メモリ蓄積装置とその素材管理方法

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