TWI390175B - Shape measuring device, and shape measuring method - Google Patents

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TWI390175B
TWI390175B TW097127345A TW97127345A TWI390175B TW I390175 B TWI390175 B TW I390175B TW 097127345 A TW097127345 A TW 097127345A TW 97127345 A TW97127345 A TW 97127345A TW I390175 B TWI390175 B TW I390175B
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Masaru Akamatsu
Hidehisa Hashizume
Yasuhide Nakai
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Kobelco Res Inst Inc
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Description

形狀測定裝置，形狀測定方法
本發明是關於，根據圓盤狀的測定對象物(主要為半導體晶圓，除此外還包括硬碟用鋁基板、玻璃基板等等)的實施去角加工後的端部的面(端面)的投影像來測定其形狀之形狀測定裝置及形狀測定方法。
在半導體晶圓(以下稱晶圓)的製造時、或在使用晶圓來製造元件時，晶圓的端部(緣部)可能因接觸其他零件或晶圓保持構件而發生受傷、缺口。又起因於該受傷、缺口，可能會導致晶圓裂開。該晶圓端部發生受傷或缺口的容易程度，是和晶圓的端面(所謂邊緣輪廓部)的形狀有關。因此，如何正確地測定以晶圓為代表之圓盤狀的測定對象物的邊緣輪廓，是相當重要的。在此所指的端面形狀，是晶圓厚度方向(一維方向)的輪廓，亦即厚度方向截面的形狀，以下稱為邊緣輪廓。
邊緣輪廓的測定方向之代表例，係半導體製造裝置/材料的相關業界團體(Semiconductor Equipment and Materials International：以下稱SEMI)所制定的標準規格Semi Standard中規定的非破壞檢查法(SEMI-MF-928-0305規格Method B)。該非破壞檢查法，是對圓盤狀的晶圓的實施去角加工後的端部，從與該晶圓的表裏各面大致平行的方向(第1方向)投射光，並從與該投光方向相 對向的方向用攝影機來拍攝晶圓端面的投影像，根據該投影像來測定晶圓端面的形狀之方法(以下稱光投影測定法)。藉由該光投影測定法所得之投影像的輪廓，是表示晶圓端面的截面形狀(沿厚度方向切斷的截面形狀)。
作為前述光投影測定法，例如專利文獻1係揭示出，使用形狀檢測器(用來檢測晶圓的截面形狀)之形狀檢測法。又專利文獻2係揭示出，在前述光投影測定法中，用來防止投影像之輪廓模糊及繞射條紋的發生之光學系統。
第3 (a)圖係顯示藉由前述光投影測定法來拍攝晶圓1的端面所得之投影像(黑影部分)的一例。
再者，邊緣輪廓的測定的主要目的，是用來評價端面形狀相對於預定的設計形狀是否位於容許範圍(適切性)。因此，在邊緣輪廓的測定中，通常是對晶圓端面的投影像，藉由執行預定的影像處理來算出端面形狀的指標值，依所算出的指標值是否位於容許範圍內來判斷其適切性。前述指標值，例如包括：晶圓端面的去角寬度k、去角角度θ及去角半徑rm(也稱作前端R等)等。
第4圖係用來說明晶圓的邊緣輪廓的指標值的一例。如第4圖所示，前述去角寬度k，是在投影像中，從晶圓的表裏的面(大致互相平行的面)和端部的去角部E(端面)的邊界位置Q1(或Q2)至去角部分(端面)的頂點的寬度(與表裏面平行的方向(晶圓1的半徑方向)的長度)。又前述去角角度θ，是在投影像中，晶圓1的表裏面的延長線、和前述邊界位置Q1(或Q2)附近之去角部 E(端面)對表面的切線兩者的夾角。又前述去角半徑rm，是指當去角部E(端面)用圓弧進行近似時該圓弧的半徑。
[專利文獻1]日本特開平7-218228號公報
[專利文獻2]日本特開2006-145487號公報
然而，在晶圓(半導體晶圓)等的精密零件之測定對象物的測定現場，通常是維持於潔淨的環境，因此在該測定對象物上附著塵埃等的頻率很低，偶爾才會發生在測定對象物上存在塵埃等的附著物的狀態。而在前述光投影測定法中，若在晶圓(測定對象物)的測定部位(端面)有塵埃等附著物的存在，依該附著物的位置，在晶圓端部的投影像，該附著物的投影像可能會以突出部的方式呈現。第3 (b)圖係示意顯示出，藉由前述光投影測定法來拍攝晶圓1的端面所得的投影像(黑影部分)上出現附著物的投影像的樣子。又第3 (b)圖中附著物的投影像的大小，並不一定代表實際的晶圓1上附著物的大小。
如第3 (b)圖所示，若在前述光投影測定法所得的投影像上出現塵埃等的附著物的像，將無法將測定對象物的端面形狀(其指標值)作正確地測定，在不存在附著物時應判別為良品之晶圓可能被誤判為不良品。
因此，本發明係有鑑於上述事情而構成者，其目的是提供一種形狀測定裝置及形狀測定方法，對於半導體晶圓 等的圓盤狀的測定對象物的端面形狀根據其投影像來進行測定的情形，不會受存在於其端面之附著物的影響而能進行正確的形狀測定。
為了達成上述目的之本發明的形狀測定裝置，是例如對半導體晶圓等的圓盤狀測定對象物的實施去角加工後的端部，從與該測定對象物的表裏各面大致平行的方向藉由投光手段來投射光，並從與該投光方向相對向的方向藉由攝影手段來拍攝前述測定對象物的端面的投影像，根據該投影像來測定前述測定對象物的端面形狀的裝置，且進一步具備以下(1-1)~(1-5)之所示的各構成要素。
(1-1)旋轉支承機構，係將前述測定對象物支承成可沿其周方向旋轉。
(1-2)旋轉控制手段，係藉由前述旋轉支承機構，在從相對於既定的基準支承位置旋轉既定的第1設定角度後之第1支承位置至旋轉與前述第1設定角度的正負相反之既定的第2設定角度後之第2支承位置的範圍內，在包含前述第1支承位置及前述第2支承位置之2個以上的支承位置來支承前述測定對象物。
(1-3)攝影控制手段，係將藉由前述旋轉控制手段分別支承在前述2個以上的支承位置的前述測定對象物的端面的投影像用前述攝影手段來進行拍攝。
(1-4)指標值算出手段，對於藉由前述攝影控制手段的處理所獲得之複數個投影像各個，藉由執行預定的影像處理來算出端面形狀的指標值。
(1-5)測定值導出手段，係根據預定的規則，依前述指標值算出手段所算出的複數個前述指標值來進行1個代表值的選擇或1個整合值的算出，藉此導出對應於前述基準支承位置之前述測定對象物的端面的形狀的測定值。
例如，前述旋轉控制手段，係藉由前述旋轉支承機構而將前述測定對象物在包含前述基準支承位置、前述第1支承位置及前述第2支承位置之3個以上的支承位置予以支承；前述攝影控制手段，係將藉由前述旋轉控制手段來分別被支承於前述3個以上的支承位置之前述測定對象物的端面的投影像藉由前述攝影手段進行拍攝。
在晶圓(半導體晶圓)等的精密零件之測定對象物的測定現場，由於通常是維持潔淨的環境，在該測定對象物之較狹窄的區域內同時存在複數個附著物的狀態，是幾乎不可能發生的。萬一，即使是在測定對象物的端部的一部位存在附著物的情形，藉由前述攝影控制手段所獲得之複數個投影像當中至少1個，未出現附著物的投影像(未形成輪廓的突出部)的可能性非常高。
另一方面，晶圓等的測定對象物的端面形狀，通常在較狹窄的區域可視為同一形狀。
因此，只要根據前述指標值算出手段所獲得的複數個前述指標值，來進行1個代表值的選擇或1個整合值的算出，由該代表值或整合值可獲得不受附著物的影響或附著物的影響非常小的測定值(端面形狀的評價值)。
前述1個代表值的選擇規則，例如是從複數個前述指 標值當中選擇中央值、最小值或最大值等。又算出前述1個整合值的規則，例如算出在複數個前述指標值中從較小者或較大者依序的預定個數(包含全數)的平均值。
又前述指標值，例如為前述測定對象物的端面的去角寬度、去角角度或去角半徑中的任一者。各指標值的內容如參照第4圖的前述說明所敘述。
又當前述第1設定角度為+δ 1、前述第2設定角度為-δ 2時，δ 1及δ 2較佳為符合(a1)式。
δ 1≧cos-1 ((r-k)/r) δ 2≧cos-1 ((r-k)/r)　…(a1)
r：測定對象物的半徑
k：測定對象物的端面的去角寬度
又δ 1、δ 2也可以是相等的數值(δ 1=δ 2)。
如後述般，萬一即使是在測定對象物的端部的1部位存在附著物的情形，只要δ 1及δ 2符合(a1)式，如後述般，前述攝影控制手段所獲得的複數個投影像當中至少1個，就確實地不會出現附著物的投影像(不會形成輪廓的突出部)。
例如在晶圓(圓盤狀)中，起因於其結晶方位可能會產生不良(規格外)的端面形狀，但所進行之面加工的精度大多可確保：在其端面(周面)以中心角45度錯開之8個位置當中除了缺口(形成凹陷的部分)及定向平面部(Oriented Flat，加工成平坦狀的部分)以外的7個位置 的端面形狀，與該7個位置各個的附近範圍(中心角±22.5∘的範圍)的端面形狀可視為相同形狀的程度。又在半導體晶圓、硬碟用的鋁基板、玻璃基板等的測定對象物，其去角寬度k(例如設計上的去角寬度)與半徑r(例如設計上的半徑)之比值(k/r)小，δ 1、δ 2能形成較小的值，只要測定對象物的支承角度的差在如此般較小角度(中心角度)的範圍內，測定對象物的端面形狀可視為相同形狀。
因此，對於δ 1及δ 2符合(a1)式的條件下之拍攝影像用前述指標值算出手段來獲得複數個前述指標值，只要根據該指標值來進行1個代表值的選擇或1個整合值的算出，即可由該代表值或整合值獲得不受附著物的影響或附著物的影響非常小的測定值(端面形狀的評價值)。
又為了避免被支承於前述基準支承位置之測定對象物的測定部位(端面)的表面形狀和其附近部的表面形狀的差異造成測定誤差，δ 1、δ 2較佳為比符合(a1)式的範圍更小。
如前述般，在圓盤狀的測定對象物為晶圓的情形，所進行之面加工的精度大多可確保：在其端面(周面)以中心角45度錯開之8個位置當中的7個位置(通常是除了缺口及定向平面部以外的7個位置)的端面形狀(截面形狀)，與該7個位置各個的附近範圍(中心角±22.5∘的範圍)的端面形狀可視為相同形狀的程度。
於是，在圓盤狀的測定對象物為晶圓的情形，當前述 第1設定角度為+δ 1、前述第2設定角度為-δ 2時，δ 1及δ 2更佳為符合(a2)式。
22.5≧δ 1≧cos-1 ((r-k)/r) 22.5≧δ 2≧cos-1 ((r-k)/r)　…(a2)
r：半導體晶圓的半徑
k：半導體晶圓的端面的去角寬度
其中，k/r<0.076
然而，半導體晶圓大多是，半徑r為150 [mm]左右，去角寬度k為0.35 [mm]左右，而在加工的中間階段，可能加工成去角寬度k最小為0.10 [mm]左右，而對如此般加工後的半導體晶圓進行端面形狀的測定。將如此般r為150 [mm]左右、k為0.10 [mm]以上的半導體晶圓的實情代入(a2)式，半導體晶圓之δ 1及δ 2，分別在2∘以上22.5∘以下的範圍是符合實用的。
又本發明也包括：使用以上所敘述的形狀測定裝置來進行測定之形狀測定方法。
亦即，本發明之形狀測定方法，是對圓盤狀的測定對象物的實施去角加工後的端部，從與該測定對象物的表裏各面大致平行的方向藉由投光手段來投射光，並從與該投光方向相對向的方向用攝影手段來拍攝前述測定對象物的端面的投影像，根據該投影像來測定前述測定對象物的端面的形狀之形狀測定方法，且是執行以下(2-1)~(2-3)所示的各步驟之測定方法。
(2-1)旋轉攝影步驟，係藉由將前述測定對象物支承成可沿其周方向旋轉之旋轉支承機構，在從相對於既定的基準支承位置旋轉既定的第1設定角度後之第1支承位置至旋轉與前述第1設定角度的正負相反之既定的第2設定角度後之第2支承位置的範圍內，在包含前述第1支承位置及前述第2支承位置之2個以上的支承位置來支承前述測定對象物；將被支承在各支承位置的前述測定對象物的端面的投影像用前述攝影手段來進行拍攝，並將攝影資料記錄於既定的儲存手段。
(2-2)指標值算出步驟，對於前述旋轉攝影步驟所獲得的複數個投影像，用既定的運算手段來執行預定的影像處理，以算出端面形狀的指標值。
(2-3)測定值導出步驟，是藉由既定的運算手段來執行以下的處理：根據預定的規則，依前述指標值算出步驟所算出的複數個前述指標值來進行1個代表值的選擇或1個整合值的算出，藉此導出對應於前述基準支承位置之前述測定對象物的端面的形狀的測定值。
又在本發明之形狀測定方法，前述預定的規則，例如是從複數個前述指標值當中選擇中央值、最小值或最大值等，或是算出在複數個前述指標值中從較小者或較大者依序的預定個數的平均值。
又在本發明的形狀測定方法也是，當前述第1設定角度為+δ 1、前述第2設定角度為-δ 2的情形，δ 1及δ 2是符合前述(a1)式。
又在前述旋轉攝影步驟，可藉由前述旋轉支承機構而將前述測定對象物在包含前述基準支承位置、前述第1支承位置及前述第2支承位置之3個以上的支承位置予以支承，並將分別被支承於前述3個以上的支承位置之前述測定對象物的端面的投影像藉由前述攝影手段進行拍攝。
再者，本發明的形狀測定方法，當前述測定對象物為半導體晶圓的情，前述δ 1及前述δ 2可符合前述(a2)式。例如較佳為前述δ 1及前述δ 2分別在2∘以上22.5∘以下的範圍。
又在本發明的形狀測定方法，前述指標值可為前述測定對象物的端面的去角寬度、去角角度或去角半徑中的任一者。
以上所說明之本發明的形狀測定方法，也能達成和前述本發明的形狀測定裝置同樣的作用效果。
依據本發明，將半導體晶圓等的圓盤狀的測定對象物的端面形狀根據其投影像來進行測定時，不會受存在於其端面之附著物的影響而能進行正確的形狀測定。
以下，參照圖式來說明本發明的實施形態，以助於理解本發明。又在以下的實施形態，不過是將本發明具體化一例，並非用來限定本發明的技術範圍。
本發明之形狀測定裝置X，是對圓盤狀的測定對象物之晶圓1(半導體晶圓)的實施去角加工後的端部，從與 該晶圓1的表裏各面平行的方向藉由投光部來投射光，並從與該投光方向相對向的方向藉由攝影機來拍攝晶圓1的端面的投影像，根據該投影像來測定晶圓1的端面的形狀和厚度。
晶圓1，例如是由半徑150 [mm]左右、厚度0.8 [mm]左右的半導體所構成，其外周端(周面)被實施去角加工。
以下，參照第1圖所示的俯視圖及第2圖所示的側視圖，來說明形狀測定裝置X的構造。又在第2圖，是將第1圖所示的構成要素中的一部分予以省略。
如第1圖及第2圖所示，形狀測定裝置X係具備：投光用的光學系統(投光手段的一例)之投光部之點光源2、使該點光源2的光成為平行光之準直透鏡3。該平行光，是從與晶圓1的表裏各面平行的方向R1朝包含晶圓1的端部之緣部投射光。點光源2，例如是將白色LED的光透過直徑100μm~200μm的針孔來射出的光源等。該點光源2的光的出射部(針孔)，係配置於準直透鏡3的焦點位置。
此外，形狀測定裝置X，用來從與對晶圓1投射光的方向R1相對向的方向R2拍攝包含晶圓1的端部之緣部的投影像之攝影機(相當於攝影手段)，係具備第1透鏡4、光圈5、第2透鏡6、影像感測器7(CCD等)。
第1透鏡4、光圈5以及第2透鏡6，係構成遠心透鏡，將通過其的光輸入影像感測器7，藉由影像感測器7 來拍攝晶圓1的緣部的投影像。
準直透鏡3和第1透鏡4之間隔(距離)，例如設定成200 [mm]左右，晶圓1的端部，係配置於其等間的平行光的光路中。
如此般，形狀測定裝置X，藉由將平行光投射至晶圓1，即使晶圓1在平行光的光軸方向(投光方向R1)的縱深長度較長，在影像感測器7仍能獲得輪廓的模糊程度小的良好的投影像。再者，並不是干涉性強的單波長光，而是使用具有多波長成分之白色LED的點光源2，即使晶圓1在投光方向R1的縱深長度較長，在影像感測器7仍能獲得投影像的輪廓附近產生的繞射條紋少的良好的攝影影像。
形狀測定裝置X進一步具備：影像處理裝置8、旋轉支承機構9、控制裝置10。
影像處理裝置8，是根據影像感測器7所取得的攝影影像(包含晶圓1的投影像的影像)來執行影像處理的運算裝置，例如為用來執行預先儲存於其儲存部之既定程式之DSP (Digital Signal Processor)、個人電腦等等。如後述般，影像處理裝置8，藉由對影像感測器7所取得的攝影影像執行預定的影像處理，來算出晶圓1的端面形狀的指標值。影像處理裝置8，是根據來自控制裝置10的控制指令，來輸入影像感測器7所取得的攝影影像(影像資料)，並根據該攝影影像來執行影像處理。
此外，旋轉支承機構9，係用來支承圓盤狀的晶圓1 ，且讓晶圓1以其中心點Ow為旋轉軸沿其周方向進行旋轉驅動及停止，藉此來調整晶圓1的支承角度。旋轉支承機構9，為了檢測晶圓1的支承角度(旋轉角度)而具備角度檢測器之旋轉編碼器(未圖示)，根據其檢測的角度來進行晶圓1的支承位置(支承角度)的定位。旋轉支承機構9，係根據來自控制裝置10的控制指令，來進行晶圓1的支承位置之定位。
控制裝置10，係具備CPU及其週邊裝置之計算機，藉由讓該CPU來執行事先儲存於其記憶部的控制程式，以對影像處理裝置8及旋轉支承機構9進行控制(輸出控制指令)。
接著參照第5圖來說明本發明的形狀測定方法的特徵。第5圖係顯示晶圓1的支承角度和端部位置的關係。
在第5圖，在P0所表示的部分(位置)，位於該位置的晶圓1的去角部的輪廓成為形狀測定裝置X所獲得的投影像。在此，當晶圓1之成為邊緣輪廓測定對象的部位(去角部)位於P0位置時，將該晶圓1的支承位置稱為基準支承位置。
現在，想像從被支承於該基準支承位置的狀態旋轉既定角度±δ的情形。如第5圖所示，在晶圓1從基準支承位置旋轉±δ(度)的情形，位置P0之測定對象部位(去角部)，為了移動至完全脫離在投影像中出現去角部(邊緣輪廓部)的區域E之位置P1、P2的條件，角度δ必須符合(b1)式(相當於前述的(a1)式)。
δ≧cos-1 ((r-k)/r)　…(b1)
r：半導體晶圓的半徑
k：半導體晶圓的端面的去角寬度
例如，晶圓1的半徑r(例如設計上的半徑)為150 [mm]，晶圓1的去角寬度k(例如設計上的去角寬度)為0.35 [mm]時，δ只要為3.9[度]以上即可。亦即，即使在包含晶圓1的去角部之測定對象部位(位於基準支承位置P0的部位)之既定範圍(較近的範圍)存在1個附著物的情形，只要對在從基準支承位置旋轉+δ[度]之支承位置(稱為第1支承位置)和從基準支承位置旋轉-δ[度]之支承位置(稱為第2支承位置)這2個支承位置分別被支承的晶圓1獲得投影像，所獲得的2個投影像當中至少一方就不會受到附著物的影響(不會形成附著物的投影像，亦即輪廓的突出部)。
再者，只要能對在基準支承位置、從該基準支承位置旋轉±δ[度]後的各支承位置(第1支承位置及第2支承位置)這3個支承位置分別被支承的晶圓1獲得投影像，所獲得的3個投影像當中至少2個以上，就不會受到附著物的影響。
另一方面，晶圓1的端面形狀，通常在較狹窄的區域可視為相同形狀，亦即，在晶圓1中，起因於其結晶方向可能會產生不良(規格外)的端面形狀，但所進行之面加工的精度大多可確保：在其端面(周面)以中心角45度 錯開之8個位置當中除了缺口等實施特別加工的位置以外的7個位置的端面形狀，與該7個位置各個的附近範圍(中心角±22.5∘的範圍)的端面形狀可視為相同形狀的程度。又為了符合半導體晶圓的邊緣形狀之周知規格的SEMI標準的M1-1103，晶圓1的去角寬度必須為0.5 [mm]左右，即使以此為基準而考慮各種設計條件的變動，晶圓1的去角寬度頂多為其2倍的1.0 [mm]左右。又由於晶圓1的半徑r為150 [mm]左右，去角寬度k與晶圓1半徑r之比值(k/r)，再大也頂多為0.0067 (=1.0/150)左右，因此角度δ至多可為6.6 [度]左右。只要晶圓1的支承角度的差在如此般較小角度(中心角度)的範圍(基準支承位置±δ)內，晶圓1的端面形狀可視為相同形狀。
因此，使用形狀測定裝置X進行晶圓1的測定時，在從前述第1支承位置至前述第2支承位置的範圍，在包含該第1支承位置及第2支承位置之2個以上的支承位置支承晶圓1的各狀態下拍攝投影像，根據所獲得的複數個投影像各個來算出端面形狀的指標值，根據所算出的複數個指標值，來進行1個代表值的選擇或1個整合值。如此般獲得之代表值或整合值，係晶圓1被支承於基準支承位置時位於位置P0的端面(去角部)的形狀或視為與其同形狀的形狀之測定值(端面形狀的評價值)，且是不受附著物的影響或附著物的影響非常少的測定值。
在此，就前述指標值而言，係包括晶圓1的端面的去角寬度k、去角半徑rm及去角角度θ等。各指標值的內 容如參照第4圖的前述說明所敘述。
就1個代表值的選擇方法而言，例如是從複數個前述指標值當中選擇中央值、最小值或最大值。附著物，對於端面形狀的投影像的輪廓，會使其比不存在附著物的情形更突出。在晶圓1的前端附近存在附著物的情形，一般而言，有算出比不存在附著物的情形更大的去角寬度k的傾向，且有算出比不存在附著物的情形更小的去角半徑rm的傾向。另一方面，在晶圓1的端面和表裏各面的邊界位置附近存在附著物的情形，有算出比不存在附著物的情形更小的去角寬度k的傾向，且有算出比不存在附著物的情形更大的去角半徑rm的傾向。因此，在能以一定程度界定附著物的附著位置之狀況下，按照指標值的種類(去角寬度k、去角半徑rm及去角角度θ等)，可考慮取最大值為代表值，或取最小值為代表值。關於去角角度θ，不管是在晶圓1的端面的前端附近存在附著物的情形，或是在晶圓1的端面和表裏各面之邊界位置附近存在附著物的情形，比起不存在附著物的情形有時會變大、有時會變小。因此可考慮取中央值為代表值。又在算出3個以上的指標值的情形，不論指標值的種類為何皆可考慮取中央值為代表值。
又在算出3個以上的指標值的情形，算出在該等指標值當中從較小者或較大者依序之預定個數的平均值(整合值的一例)，而取其平均值作為測定值也是可以考慮的。
例如，算出3個指標值，當該指標值為去角寬度k的 情形，可考慮將3個指標值當中從較小者依序取2個的平均值作為測定值。同樣的，算出3個指標值，當該指標值為去角半徑rm的情形，可考慮將3個指標值當中從較大者依序取2個的平均值作為測定值。再者，也能考慮將算出的複數個指標值全部的平均值作為測定值。
接著，參照第6圖所示的流程圖，來說明使用形狀測定裝置X之形狀測定處理(形狀測定方法)的順序。以下所示的S1、S2…代表處理順序(步驟)的識別代號。
首先，控制裝置10係執行既定的計數變數i的初始化(i=1)等的初始設定處理(S1)。這時，點光源2點亮，而開始對晶圓1投射光。
接著，控制裝置10藉由控制旋轉支承機構9來設定晶圓1的支承位置，而在支承角度(旋轉支承機構9的旋轉角)相對於預定的第i個基準支承角度(i)之支承位置(第i個基準支承位置)旋轉-δ[度]後的位置，來支承晶圓1 (S2)。
在此，基準支承位置是指，藉由旋轉支承機構9使晶圓1的支承角度(旋轉角度)以45度錯開的8個位置當中，除了缺口等構成測定位置的情形以外的7個位置(第1個~第7個基準支承位置)。
δ是角度的設定值(預定的設定值)，是符合下式(b2)式(相當於前述(a2式)的設定值。
22.5>δ≧cos-1 ((r-k)/r)　…(b2)
r：半導體晶圓的半徑
k：半導體晶圓的端面的去角寬度
其中，k/r<0.076
該(b2)式之上限的臨限值[22.5度]，是與隔45度相鄰之基準支承位置的邊界之角度。藉由符合該上限限制可避免：在進行各基準支承位置的測定時，測定到與其他的基準支承位置的測定部位(去角部)重複的測定部位。
又晶圓1的半徑r(例如設計上的半徑)為150 [mm]，晶圓1的去角寬度k(例如設計上的去角寬度)為0.35 [mm]時，預先設定成δ為3.9以上。
又為了避免被支承於基準支承位置之晶圓1的測定部位(端面)的表面形狀和其附近部的表面形狀的差異造成測定誤差，角度的設定值δ越小越好。
於是，可考慮前述設定值δ是符合以下的(b3)式。
δcos-1 ((r-k)/r)　…(b3)
r：半導體晶圓的半徑
k：半導體晶圓的端面的去角寬度
例如，晶圓1的半徑r(例如設計上的半徑)為150 [mm]，晶圓1的去角寬度k(例如設計上的去角寬度)為0.35 [mm]時，預先設定成δ為4.0 (≒3.9)。
如前述般，將半徑r為150 [mm]左右、去角寬度k為0.10 [mm]以上的晶圓1的實情代入(b2)式，晶圓 1之δ 1及δ 2，分別在2∘以上22.5∘以下的範圍是符合實用的。
接著，在晶圓1被支承於第i個基準支承角度(i)-δ[度]的位置的狀態下，用影像感測器7來拍攝晶圓1端面的投影像，然後控制裝置10控制影像處理裝置8，將其拍攝影像(影像資料)儲存於既定的儲存部(影像處理裝置8所具備的記憶體等)(S3)。
然後，按照控制裝置10的控制指令，影像處理裝置8(前述既定的運算手段的一例)，根據步驟S3所取得的拍攝影像(晶圓1端部的投影像的影像)來執行預定的影像處理，以算出晶圓1的端面形狀的指標值，並將該算出值儲存於既定的儲存部(影像處理裝置8所具備的記憶體等)(S4)。
例如，影像處理裝置8在此步驟S4，算出晶圓1的端面(去角部)的去角寬度k當作指標值。
又根據晶圓1的投影像來算出去角寬度k的方法，在晶圓1的形狀測定的技術領域是周知的，因此在此省略其說明。
接著，控制裝置10藉由控制旋轉支承機構9，來設定晶圓1的支承位置(旋轉角度)，而在支承角度(旋轉支承機構9的旋轉角)成為預定的第i個基準支承角度(i)之支承位置(第i個基準支承位置)來支承晶圓1 (S5)。亦即，使晶圓1從步驟S3、S4的狀態旋轉+δ(度)。
然後，在晶圓1被支承於第i個基準支承角度(i)的狀態下，控制裝置10及影像處理裝置8執行與前述步驟S3及S4相同的處理(S6、S7)。
藉此，根據在晶圓1被支承於第i個基準支承角度(i)的狀態所得的投影像，來算出並儲存前述指標值(在此，是晶圓1的端面(去角部)的去角寬度k)。
然後，控制裝置10藉由控制旋轉支承機構9來設定晶圓1的支承位置(旋轉角度)，而在支承角度(旋轉支承機構9的旋轉角)成為預定的第i個基準支承角度(i)+δ[度]的支承位置來支承晶圓1 (S8)。亦即，從步驟S6、S7的狀態使晶圓1旋轉+δ[度]。
接著，在晶圓1被支承於第i個基準支承角度(i)+δ[度]的狀態下，控制裝置10及影像處理裝置8執行與前述步驟S3及S4相同的處理(S9、S10)。
藉此，根據在晶圓1被支承於第i個基準支承角度(i)+δ[度]的狀態所得的投影像，來算出並儲存前述指標值(在此，是晶圓1的端面(去角部)的去角寬度k)。
以上所示之步驟S2、S3、S5、S6、S8及S9的步驟，是藉由旋轉支承機構9，在從相對於第i個基準支承位置旋轉+δ度的支承位置(以下稱第1支承位置)至旋轉-δ度(以下稱第2支承位置)的範圍內，在包含前述第1支承位置、前述第2支承位置、第i個基準支承位置之3個支承位置來支承晶圓1；將被支承在各支承位置的晶 圓1端面的投影像用影像感測器7(攝影手段的一例)拍攝，將攝影資料記錄於既定的儲存手段，亦即前述旋轉攝影步驟的一例。又控制裝置10是前述旋轉控制手段及前述攝影控制手段的一例。
又前述步驟S4、S7及S10的步驟，是對於前述旋轉攝影步驟所得之複數個投影像各個，藉由影像處理裝置8所具備的處理器(運算手段)，來執行預定的影像處理以算出晶圓1的端面形狀的指標值，亦即前述指標值算出步驟的一例。
接著，控制裝置10是根據預定的規則，依步驟S2~S10的步驟所獲得的複數個前述指標值(在此為去角寬度k)來進行1個代表值的選擇或1個整合值的算出，藉此導出對應於第i個基準支承位置之晶圓1的端面形狀的測定值(選出代表值或算出整合值)，將該測定值透過既定的輸出手段來輸出(S11，前述測定值導出步驟及其手段的一例)。
例如，控制裝置10，如前述般，是從3個去角寬度k(指標值)當中選擇最小值或中央值，以其作為測定值進行輸出處理，或算出3個去角寬度k(指標值)當中從較小者依序的2個的平均值(整合值的一例)，以其作為測定值進行輸出處理。又測定值的輸出是包含：在測定裝置進行測定值的顯示、透過通訊手段將測定值送往其他裝置、將測定值寫入儲存手段等等。
接著，控制裝置10將計數變數i正數(+1)(S12) ，判斷計數變數是否超出預定的設定值M (S13)。控制裝置10在判斷不符合(i>M)時，返回前述步驟S2，再度重複進行步驟S2~S13的處理，在判斷符合(i>M)時結束處理。
例如，在晶圓1的測定時，M為7，第1個~第7個基準支承角度(1)~(7)是設定成以45度錯開之角度(例如0度、45度、90度、135度、…、270度、315度)。
藉此，在使用形狀測定裝置X進行晶圓1的形狀測定時，讓代表角度之設定值δ(相當於δ 1及δ 2)符合前述(b2)式(亦即也符合(b1)式)，對於藉由旋轉支承機構9而使晶圓1的支承角度分別錯開45度的8個支承位置當中的7個基準支承位置(i=1~7)，來執行步驟S2~S11之各步驟(相當於前述旋轉攝影步驟、前述指標值算出步驟、前述測定值導出步驟)。又依不同的測定要件，僅對於使晶圓1的支承角度分別錯開45度的8個支承位置當中的6個或5個基準支承位置(7個以外的複數個支承位置)來執行步驟S2~S11之各步驟亦可。此外，將晶圓1的支承角度以45度以外的角度(例如15度)錯開之複數個支承位置作為前述基準支承位置來執行步驟S2~S11之各步驟也可以。
藉由使用以上所示的形狀測定裝置X來進行晶圓1的形狀測定，在將圓盤狀的晶圓1的端面形狀根據其投影像進行測定時，不會受存在於其端面之附著物的影響而能 正確地進行形狀測定。
又以上所示的作用效果，對於晶圓1以外的其他圓盤狀的測定對象物(硬碟用的鋁基板、玻璃基板等)之實施去角加工後的端部的面(端面)的形狀根據其投影像來進行測定的情形，同樣也能夠獲得。
又前述實施形態之相對於基準支承位置的旋轉角度+δ及-δ各個的絕對值(δ)，不一定要是相同的值，將+δ及-δ置換成+δ 1及-δ 2，使δ 1及δ 2分別符合(b1)式~(b3)式中的任一者也是可考慮的。又代表角度的設定值δ 1及δ 2，可以是δ 1=δ 2，也可以是δ 1≠δ 2。
又在前述實施形態，是對於在前述基準支承位置、相對該位置旋轉+δ度及-δ度之各支承位置等合計3個支承位置，進行晶圓1的端部的投影像的攝影和前述指標值的計算，但對於相對前述基準支承位置旋轉+δ度及-δ度之2個支承位置，或對於包含這2個支承位置之4個以上的支承位置，來進行晶圓1的端部的投影像的攝影和前述指標值的計算也是可考慮的。
例如，在從相對於前述基準支承位置使晶圓1旋轉+δ度的支承位置至旋轉-δ度的支承位置的範圍內，對於±δ度各個的支承位置、將該角度範圍以等角度區分成複數個後之各角度的支承位置，分別進行晶圓1的端部的投影像的攝影和前述指標值的計算也是可考慮的。
此外，前述控制裝置10或可和該控制裝置10進行通訊的計算機(未圖示)，藉由執行既定的程式來具備δ的 設定機能亦可。
例如控制裝置10，係具備鍵盤等的操作輸入部(用來輸入：在晶圓1的端面之形狀測定對象的範圍占晶圓1半徑方向的寬度(以下稱測定對象寬)及晶圓1的半徑r的資訊)、與外部裝置之通訊部(前述測定對象寬度資訊輸入手段的一例)，而且控制裝置10所具備的處理器是執行以下的處理：根據所輸入的前述測定對象寬度及半徑的資訊來算出δ，將所算出的δ儲存(設定)於其儲存部(前述設定角度算出手段的一例)。
在此，前述測定對象寬度，通常為去角寬度k，這時，控制裝置10係將輸入的去角寬度k及半徑r代入例如δ=cos-1 ((r-k)/r)式(相當於前述(b3)式)而算出δ。
藉此，可簡易地設定出適於測定對象的晶圓1的形狀之δ。
本發明，除了半導體晶圓以外，還能適用於硬碟用鋁基板、玻璃基板等的圓盤狀的測定對象物的端面之形狀測定。
X‧‧‧形狀測定裝置
1‧‧‧晶圓
2‧‧‧點光源
3‧‧‧準直透鏡
4‧‧‧第1透鏡
5‧‧‧光圈
6‧‧‧第2透鏡
7‧‧‧影像感測器
8‧‧‧影像處理裝置
9‧‧‧旋轉支承機構
10‧‧‧控制裝置
第1圖係本發明的實施形態之形狀測定裝置X的概略俯視圖。
第2圖係形狀測定裝置X的概略側視圖。
第3 (a)圖係顯示半導體晶圓的端面的投影像的一例。
第3 (b)圖係顯示半導體晶圓的端面的投影像的一例。
第4圖係用來說明半導體晶圓的邊緣輪廓部(端面形狀)的指標值的一例。
第5圖係顯示半導體晶圓之支承角度和端部位置的關係。
第6圖係顯示形狀測定裝置X之形狀測定順序的流程圖。
Ow‧‧‧晶圓的中心點
X‧‧‧形狀測定裝置
1‧‧‧晶圓
2‧‧‧點光源
3‧‧‧準直透鏡
4‧‧‧第1透鏡
5‧‧‧光圈
6‧‧‧第2透鏡
7‧‧‧影像感測器
8‧‧‧影像處理裝置
9‧‧‧旋轉支承機構
10‧‧‧控制裝置

Claims (14)

  1. 一種形狀測定裝置，係具備：投光手段，係對圓盤狀的測定對象物之實施去角加工後的端部從與該測定對象物的表裏各面大致平行的方向投射光；攝影手段，係從與該投光方向相對向的方向拍攝前述測定對象物的端面的投影像；旋轉支承機構，係將前述測定對象物支承成可沿其周方向旋轉；旋轉控制手段，係藉由前述旋轉支承機構，在從相對於既定的基準支承位置旋轉既定的第1設定角度後之第1支承位置至旋轉與前述第1設定角度的正負相反之既定的第2設定角度後之第2支承位置的範圍內，在包含前述第1支承位置及前述第2支承位置之2個以上的支承位置來支承前述測定對象物；攝影控制手段，係將藉由前述旋轉控制手段分別支承在前述2個以上的支承位置的前述測定對象物的端面的投影像用前述攝影手段來進行拍攝；指標值算出手段，對於藉由前述攝影控制手段的處理所獲得之複數個投影像各個，藉由執行預定的影像處理來算出端面形狀的指標值；以及測定值導出手段，係根據預定的規則，依前述指標值 算出手段所算出的複數個前述指標值來進行1個代表值的選擇或1個整合值的算出，藉此導出對應於前述基準支承位置之前述測定對象物的端面的形狀的測定值；在前述第1設定角度為+δ 1、前述第2設定角度為-δ 2的情形，前述δ 1及前述δ 2符合以下的(a1)式：δ 1≧cos-1 ((r-k)/r) δ 2≧cos-1 ((r-k)/r)………(a1)r：測定對象物的半徑k：測定對象物的端面的去角寬度。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之形狀測定裝置，其中，前述旋轉控制手段，係藉由前述旋轉支承機構，在包含前述基準支承位置、前述第1支承位置以及前述第2支承位置之3個以上的支承位置來支承前述測定對象物；前述攝影控制手段，係將藉由前述旋轉控制手段分別支承在前述3個以上的支承位置的前述測定對象物的端面的投影像用前述攝影手段來進行拍攝。
  3. 如申請專利範圍第2項記載之形狀測定裝置，其中，前述預定的規則，係從複數個前述指標值當中選擇中央值、最小值或最大值的規則，或是算出複數個前述指標值當中從較小者或較大者依序的預定個數的平均值。
  4. 如申請專利範圍第3項記載之形狀測定裝置，其中，前述測定對象物為半導體晶圓。
  5. 如申請專利範圍第4項記載之形狀測定裝置，其中，前述δ 1及前述δ 2係符合以下的(a2)式： 22.5≧δ 1≧cos-1 ((r-k)/r) 22.5≧δ 2≧cos-1 ((r-k)/r)………(a2)r：半導體晶圓的半徑k：半導體晶圓的端面的去角寬度其中，k/r<0.076。
  6. 如申請專利範圍第4項記載之形狀測定裝置，其中，前述δ 1及δ 2分別位於2°以上22.5°以下的範圍。
  7. 如申請專利範圍第5或6項記載之形狀測定裝置，其中，前述指標值係前述半導體晶圓的端面的去角寬度、去角角度及去角半徑當中之任一者。
  8. 一種形狀測定方法，係對圓盤狀的測定對象物的實施去角加工後的端部，從與該測定對象物的表裏各面大致平行的方向藉由投光手段來投射光；從與該投光方向相對向的方向用攝影手段來拍攝前述測定對象物的端面的投影像；藉由將前述測定對象物支承成可沿其周方向旋轉之旋轉支承機構，在從相對於既定的基準支承位置旋轉既定的第1設定角度後之第1支承位置至旋轉與前述第1設定角度的正負相反之既定的第2設定角度後之第2支承位置的範圍內，在包含前述第1支承位置及前述第2支承位置之2個以上的支承位置來支承前述測定對象物；將被支承在該等各支承位置的前述測定對象物的端面的複數個投影像用前述攝影手段來進行拍攝；將攝影資料記錄於既定的儲存手段； 分別對於前述複數個投影像，用既定的運算手段來執行預定的影像處理，以算出端面形狀的複數個指標值；藉由既定的運算手段來執行以下的處理：根據預定的規則，依前述複數個指標值來進行1個代表值的選擇或1個整合值的算出，藉此導出對應於前述基準支承位置之前述測定對象物的端面的形狀的測定值；在前述第1設定角度為+δ 1、前述第2設定角度為-δ 2的情形，前述δ 1及前述δ 2符合以下的(a1)式：δ 1≧cos-1 ((r-k)/r) δ 2≧cos-1 ((r-k)/r)………(a1)r：測定對象物的半徑k：測定對象物的端面的去角寬度。
  9. 如申請專利範圍第8項記載之形狀測定方法，其中，藉由前述旋轉支承機構，在包含前述基準支承位置、前述第1支承位置以及前述第2支承位置之3個以上的支承位置來支承前述測定對象物；將分別被支承在該等3個以上的支承位置的前述測定對象物的端面的投影像用前述攝影手段來進行拍攝。
  10. 如申請專利範圍第9項記載之形狀測定方法，其中，前述預定的規則，係從複數個前述指標值當中選擇中央值、最小值或最大值的規則，或是算出複數個前述指標值當中從較小者或較大者依序的預定個數的平均值。
  11. 如申請專利範圍第10項記載之形狀測定方法，其中，前述測定對象物為半導體晶圓。
  12. 如申請專利範圍第11項記載之形狀測定方法，其中，前述δ 1及前述δ 2係符合以下的(a2)式：22.5≧δ 1≧cos-1 ((r-k)/r) 22.5≧δ 2≧cos-1 ((r-k)/r)…(a2)r：半導體晶圓的半徑k：半導體晶圓的端面的去角寬度其中，k/r<0.076。
  13. 如申請專利範圍第11項記載之形狀測定方法，其中，前述δ 1及δ 2分別位於2°以上22.5°以下的範圍。
  14. 如申請專利範圍第12或13項記載之形狀測定方法，其中，前述指標值係前述半導體晶圓的端面的去角寬度、去角角度及去角半徑當中之任一者。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7977123B2 (en) * 2009-05-22 2011-07-12 Lam Research Corporation Arrangements and methods for improving bevel etch repeatability among substrates
US20110317003A1 (en) * 2010-06-02 2011-12-29 Porat Roy Method and system for edge inspection using a tilted illumination
US9734568B2 (en) * 2014-02-25 2017-08-15 Kla-Tencor Corporation Automated inline inspection and metrology using shadow-gram images
TWI700473B (zh) * 2014-06-04 2020-08-01 美商康寧公司 用於量測玻璃物品厚度的方法及系統
US9719943B2 (en) * 2014-09-30 2017-08-01 Kla-Tencor Corporation Wafer edge inspection with trajectory following edge profile
TWI566841B (zh) * 2015-07-22 2017-01-21 鴻騏新技股份有限公司 點膠狀況的檢測方法及點膠狀況的檢測機構
CN105783786B (zh) * 2016-04-26 2018-08-17 北方工业大学 一种基于结构光视觉的零件倒角测量方法与装置
US10540759B2 (en) * 2016-11-29 2020-01-21 Kla-Tencor Corporation Bonded wafer metrology
EP3764165A1 (en) 2019-07-12 2021-01-13 ASML Netherlands B.V. Substrate shape measuring device
JP7164058B1 (ja) * 2022-01-27 2022-11-01 信越半導体株式会社 端面部測定装置および端面部測定方法
US11927545B1 (en) 2023-01-12 2024-03-12 Camtek Ltd Semiconductor edge and bevel inspection tool system

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06174445A (ja) 1992-12-07 1994-06-24 Mitsubishi Materials Corp 切り欠き部分を有する円板の欠陥検出装置
JP3035690B2 (ja) 1994-01-27 2000-04-24 株式会社東京精密 ウェーハ直径・断面形状測定装置及びそれを組み込んだウェーハ面取り機
KR100303074B1 (ko) 1996-06-15 2001-11-02 로이 아써턴 그라인딩및폴리싱장치와이를이용한그라인딩방법
US6149506A (en) * 1998-10-07 2000-11-21 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
US6102777A (en) * 1998-03-06 2000-08-15 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
JP2001004341A (ja) 1999-06-16 2001-01-12 Toshiba Ceramics Co Ltd ウェーハ形状測定装置
JP2001150159A (ja) * 1999-11-29 2001-06-05 Nec Corp レーザマーキングシステム
JP4500157B2 (ja) 2004-11-24 2010-07-14 株式会社神戸製鋼所 形状計測装置用光学系

Also Published As

Publication number Publication date
JP4262285B2 (ja) 2009-05-13
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US8310536B2 (en) 2012-11-13
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DE112008001894T5 (de) 2010-06-10
WO2009011432A1 (ja) 2009-01-22

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