TWI383199B - 檢測複數個切換元件間耦合效應的線路及方法 - Google Patents

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檢測複數個切換元件間耦合效應的線路及方法
本發明係與元件之間的耦合效應之檢測有關，尤指一種能夠檢測複數個切換元件之間的耦合效應的線路及方法。
主動陣列式顯示器(Active Matrix Display)中，顯示用的薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)面板的顯示品質，在顯示器面板的製造過程中，經常需要不斷地接受測試。但是由於透過顯示器的驅動電路來驅動顯示器面板中的薄膜電晶體之動作較複雜，於是一些簡易的測試方法就被提供來完成此步驟。例如，簡易的點燈設計等等。簡易的點燈設計主要在檢出點不良、線不良(如斷線)等絕對不良，但不對亮度或彩度等進行檢查。應用這些簡易的測試方法的時候，在面板的四周，通常會外加一些簡單的檢測線路，例如一些切換元件，以測試顯示用的TFT的功能。這些切換元件之閘極係耦接於一直流電源，用來開關這些切換元件。這些切換元件之源極，通常會被耦接成數個群組，例如輸入奇數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號(即Gate Odd之信號)的切換元件之源極耦接於一第一信號線，輸入偶數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號(即Gate Even之信號)的切換元件之源極耦接於一第二信號線，輸入奇數個顯示用的薄膜電晶體之汲極信號(即Data Odd之信號)的切換元件之源極耦接於一第三信號線，輸入偶數個顯示用的薄膜電晶體之汲極信號(即Data Even之信號)的切換元件之源極耦接 於一第四信號線等等。而這些切換元件的汲極則分別耦接於顯示用的薄膜電晶體的R、G、B輸入信號線。
請參考第1圖。第1圖係為測試顯示用的薄膜電晶體特性之切換元件之接腳接線圖。第1圖中包含一閘極控制線1耦接於各切換元件之閘極，一組輸入奇數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號(即Gate Odd之信號)的切換元件之源極信號線組5，耦接於第一組切換元件之源極，一組輸入偶數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號(即Gate Even之信號)的切換元件之源極信號線組3，耦接於第二組切換元件之源極，一組輸入奇數個顯示用的薄膜電晶體之汲極信號(即Data Odd之信號)的切換元件之源極信號線組9，耦接於第三組切換元件之源極，一組輸入偶數個顯示用的薄膜電晶體之汲極信號(即Data Even之信號)的切換元件之源極信號線組7，耦接於第四組切換元件之源極，一組輸出奇數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號(即Gate Odd之信號)的切換元件之汲極信號線組4，耦接於該第一組切換元件之汲極，一組輸出偶數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號(即Gate Even之信號)的切換元件之汲極信號線組2，耦接於該第二組切換元件之汲極，一組輸出奇數個顯示用的薄膜電晶體之汲極信號(即Data Odd之信號)的切換元件之汲極信號線組8，耦接於該第三組切換元件之汲極，一組輸入偶數個顯示用的薄膜電晶體之汲極信號(即Data Even之信號)的切換元件之汲極信號線組6，耦接於該第四組切換元件之汲極，以及一半導體層12。閘極控制線1係透過半導體層12分別與源極信號線組3、 5、7、9，以及汲極信號線組2、4、6、8相耦接。由於閘極控制線1與源極信號線組3、5、7、9，以及汲極信號線組2、4、6、8有部份互相上下重疊，因此形成電容效應。電容Cgs係代表閘極控制線與源極信號線上下重疊所形成之電容，電容Cgd係代表閘極控制線與汲極信號線上下重疊所形成之電容。當重疊面積越大，電容效應越明顯。也就是說閘極控制線越寬，或源極信號線與汲極信號線越寬時，Cgs以及Cgd電容之面積越大，電容效應越明顯。請參考第2圖，第2圖係為Cgs以及Cgd電容之示意圖。第2圖中，斜線部分即閘極控制線1與源極信號線51、汲極信號線41上下重疊所形成之電容Cgs和Cgd。
當有電容效應產生時，而輸入各切換元件之源極的信號又為交流信號時，例如輸入源極信號線組3和5之顯示用的薄膜電晶體之閘極信號即為－6V以及＋18V之交流信號，輸入源極信號線組7和9之顯示用的薄膜電晶體之汲極信號，在全驅動的情形下，即為－5V以及＋5V之交流信號，耦合效應(coupling)就產生了。耦合效應係在電荷守恆的原理下，某個電容的電位產生變化，造成整體電容電壓改變的情形，又稱為連通管原理。當各切換元件之閘極並無耦接在一起時，耦合效應的效果很小；當各切換元件之閘極係耦接在一起時，耦合效應的效果就很明顯。若當各切換元件之源極係耦接在一起時，雖然各切換元件之線路間產生耦合效應，但耦合效應的結果無法測量；若各切換元件之源極被分成複數個群組互相耦接時，切換元件線路間所產生耦合效應，就可透 過源極沒有收到信號的切換元件上所產生的信號來測量。
請再參照第1圖。耦合效應測量的原理即是當源極信號線組3，也就是輸入偶數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號(即Gate Even之信號)的切換元件之源極信號線組，接收到信號時，而同一時間內，源極信號線組9，也就是輸入奇數個顯示用的薄膜電晶體之汲極信號(即Data Odd之信號)的切換元件之源極信號線組，源極信號線組5，也就是輸入奇數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號(即Gate Odd之信號)的切換元件之源極信號線組，源極信號線組7，也就是輸入偶數個顯示用的薄膜電晶體之汲極信號(即Data Even之信號)的切換元件之源極信號線組，都沒有接收到信號。此時，若閘極控制線1上有直流信號，表示切換元件係處於開啟狀態，因此源極信號線組3可將所接收到之信號，透過半導體12，傳到汲極信號線組2，也就是輸出偶數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號(即Gate Even之信號)的切換元件之汲極信號線組2；若閘極控制線1上沒有直流信號，表示切換元件係處於關閉狀態，因此源極信號線組3無法將所接收到之信號，透過半導體12，傳到汲極信號線組2，也就是無法將信號輸入給輸出偶數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號(即Gate Even之信號)的切換元件之汲極信號線組2。而源極信號線組5、7、9並沒有被輸入任何信號，因此源極信號線組5、7、9理論上應不具有任何信號，但此時若量測源極信號線組5、7、9，卻可得到若干信號，此即為耦合效應所產生之信號。請參照第3圖以及第4圖。第3圖係為當源極信號線組 3，也就是輸入偶數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號(即Gate Even之信號)的切換元件之源極信號線組3，輸入(－6V/＋18V)信號時，分別在未輸入任何信號之源極信號線組9，也就是輸入奇數個顯示用的薄膜電晶體之汲極信號(即Data Odd之信號)的切換元件之源極信號線組，以及源極信號線組7，也就是輸入偶數個顯示用的薄膜電晶體之汲極信號(即Data Even之信號)的切換元件之源極信號線組上，所得到之耦合效應所產生的信號。第4圖係為當源極信號線組3，也就是輸入偶數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號(即Gate Even之信號)的切換元件之源極信號線組，輸入(－6V/＋18V)信號時，在未輸入任何信號之源極信號線組5，也就是輸入奇數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號(即Gate Odd之信號)的切換元件之源極信號線組上，所得到之耦合效應所產生的信號。
同樣地，若在閘極控制線1上輸入交流信號，而源極信號線組3、5、7、9上都不輸入任何信號，理論上源極信號線組3、5、7、9應不具有任何信號，但此時量測源極信號線組3、5、7、9，卻可得到若干信號，此即是源極信號線組3、5、7、9受到閘極控制線1之耦合效應所產生的信號。
由上述可知，當測試顯示用的薄膜電晶體特性之複數個切換元件互相等距離排列，且彼此閘極互相耦接，彼此之源極則耦接成複數個群組，汲極則各自耦接於顯示用的薄膜電晶體之R、G、B輸入信號線時，測試者可於該複數個源極所耦接成之群組中的某 一未接受信號之源極信號線組上，測量到由其他不同群組之源極信號線組，或閘極控制線所產生的耦合效應，以便能夠更加精確地估算由耦合效應所產生之量測結果的誤差。但此先前技術有一缺點，因為複數個切換元件之汲極係各自耦接於顯示用的薄膜電晶體之R、G、B輸入信號線，因此當欲得知切換元件之汲極係如何受到源極信號線組，或閘極控制線的交流信號所產生之耦合效應的影響時，必須另外自該汲極拉線至顯示區以外的地方，以便觀察測量，然後再切斷該條拉線。因此要推算耦合效應對顯示用的薄膜電晶體之R、G、B信號的影響，以及所造成之顯示結果的誤差時，操作相當不便。
本發明之一實施例係揭露一種檢測複數個切換元件間耦合效應的檢測線路，包含一量測端點，M條訊號線，其中M為一正整數，以及(N＋1)個切換元件。該(N＋1)個切換元件包含N個切換元件以及一測試用切換元件，該(N＋1)個切換元件的每一切換元件係等距離排列，其中N為一正整數，且每一切換元件包含一源極，一閘極，以及一汲極。一第(k*M＋r)個切換元件之源極係耦接於該M條訊號線中之一第r條信號線，其中k為零或一正整數，r為一不大於M的正整數。該(N＋1)個切換元件之閘極係相互耦接。該測試用切換元件之汲極係耦接於該量測端點。
本發明之另一實施例係揭露一種檢測線路檢測複數個切換元 件間耦合效應的方法，該檢測線路包含一量測端點；M條訊號線，其中M為一正整數；以及(N＋1)個切換元件，包含N個切換元件以及一測試用切換元件，該(N＋1)個切換元件的每一切換元件係等距離排列，其中N為一正整數，且每一切換元件包含一源極，其中一第(k*M＋r)個切換元件之源極係耦接於該M條訊號線中之一第r條信號線，其中k為零或一正整數，r為一不大於M的正整數；一閘極，其中該(N＋1)個切換元件之閘極係相互耦接；以及一汲極，其中該測試用切換元件之汲極係耦接於該量測端點。該方法包含：於該M條信號線中，非耦接該測試用切換元件之源極之其他信號線中之至少一條信號線輸入一交流信號時，量測該量測端點之電壓值；及根據該量測端點之電壓值判斷該複數個切換元件間的耦合效應；其中量測該量測端點之電壓值係於不輸入信號至耦接於該測試用切換元件之源極之信號線時執行。
本發明即提供一檢測線路及檢測方法，能夠在測試顯示用的薄膜電晶體特性之切換元件之汲極上，量測由源極信號線，或閘極控制線上之交流信號所產生之耦合效應的影響。
請參考第5圖，第5圖即為本發明之第一實施例的接線圖。第5圖中包含測試顯示用的薄膜電晶體特性之切換元件101、102、103、104、105、以及106，源極信號線111以及113，一閘極控制線121，以及一量測耦合效應之切換元件108，其中切換元件 101、102、103、104、105、106、以及108係等間距排列。切換元件101、103、105、以及108之源極耦接於源極信號線111，閘極耦接於閘極控制線121，而切換元件101、103、以及105之汲極則耦接於顯示用的薄膜電晶體的R、B、G輸入信號線，量測耦合效應之切換元件108之汲極則耦接於一量測端點109。切換元件102、104、以及106之源極係耦接於源極信號線113，閘極係耦接於閘極控制線121，而汲極則耦接於顯示用的薄膜電晶體的G、R、B輸入信號線。
當源極信號線113上輸入一信號，而源極信號線111上不輸入任何信號時，此時若閘極控制線121給予直流信號，則切換元件為開啟狀態，源極信號線113上的信號，將從與之相耦接之切換元件的源極，傳送到該切換元件之汲極，再輸出至相對應的顯示用的薄膜電晶體的G、R、B輸入信號線；反之，若閘極控制線121上不給予任何直流信號，則切換元件為關閉狀態，源極信號線113上的信號，就不會從與之相耦接之切換元件的源極，傳送到該切換元件之汲極，再輸出至相對應的顯示用的薄膜電晶體的G、R、B輸入信號線。又，若閘極控制線121上無直流信號，切換元件108為關閉狀態，則耦接於切換元件108之汲極的量測端點109上，因為源極信號線111亦無輸入任何交流信號，理論上應不會有信號產生，但此時在量測端點109上所量得之信號，即為源極信號線113上的信號對切換元件108之汲極所造成之耦合效應所產生的信號。若閘極控制線121上有直流信號，切換元件108保 持開啟狀態，則耦接於切換元件108之汲極的量測端點109上，因為源極信號線111並無輸入任何交流信號，此時在量測端點109上所量得之信號，即為源極信號線113上的信號對切換元件108之汲極所造成之耦合效應所產生的信號，再加上某一直流準位。同理，當源極信號線113以及111上均不輸入任何信號，而閘極控制線121輸入交流信號時，耦接於切換元件108之汲極的量測端點109上，因為源極信號線111並無輸入任何交流信號，理論上應不會有信號產生，但此時在量測端點109上所量得之信號，即為閘極控制線121上的信號對切換元件108之汲極所造成之耦合效應的影響。由上述方法，在耦接於切換元件108之汲極的量測端點109上，可以分別得到與切換元件108源極不相耦接之另一源極信號線113，以及閘極控制線121，對切換元件108汲極所造成的耦合效應的影響。
根據本發明所提供之方法，若要量測某區域之測試顯示用的薄膜電晶體特性之切換元件間的耦合效應對該區域的切換元件之汲極的影響，只需將本發明之量測耦合效應之切換元件(如第5圖中之切換元件108)，等距離地插入該欲量測區域的切換元件中間，即可由耦接於該切換元件之汲極的量測端點(如第5圖中之量測端點109)上，量得耦合效應對該區域之切換元件之汲極的影響，而不需要透過外加接線、再切斷接線的方式，來取得相關之資訊。請注意：本實施例中，所舉例之源極信號線為2條，但本發明並不限只應用於源極信號線為2條的檢測線路，本發明適用於測量 任何具有複數個源極信號線之檢測線路。即若檢測線路具有M條信號線，則第(k*M＋r)個切換元件之源極係耦接於該M條訊號線中之一第r條信號線，其中M為一正整數，k為零或一正整數，r為一不大於M的正整數。舉例來說，一檢測線路具有3條信號線，14個切換元件，則第1個切換元件之源極係耦接於第1條信號線(此時k＝0,M＝3,r＝1)，第2個切換元件之源極係耦接於第2條信號線(此時k＝0,M＝3,r＝2)，依此類推，第13個切換元件之源極係耦接於第1條信號線(此時k＝4,M＝3,r＝1)，第14個切換元件之源極係耦接於第2條信號線(此時k＝4,M＝3,r＝2)。
本發明係透過等距離插入一量測耦合效應之切換元件於該欲量測耦合效應之影響的區域的切換元件中，再將該量測耦合效應之切換元件之汲極，另耦接於一量測端點，以方便進行相關之量測，實為一有效又簡單之檢測複數個切換元件之間的耦合效應的方法。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
1,121‧‧‧閘極控制線
3,5,7,9‧‧‧源極信號線組
2,4,6,8‧‧‧汲極信號線組
12‧‧‧半導體層
41‧‧‧汲極信號線
109‧‧‧量測端點
111,113,51‧‧‧源極信號線
Cgs,Cgd‧‧‧電容
101,102,103,104,105,106,108‧‧‧切換元件
第1圖係為測試顯示用的薄膜電晶體特性之切換元件之接腳接線圖。
第2圖係為Cgs以及Cgd電容之示意圖。
第3圖係為當輸入偶數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號的切換元件之源極信號線組，輸入(－6V/＋18V)信號時，分別在未輸入任何信號之輸入奇數個顯示用的薄膜電晶體之汲極信號的切換元件之源極信號線組，以及輸入偶數個顯示用的薄膜電晶體之汲極信號的切換元件之源極信號線組上，所得到之耦合效應所產生的信號。
第4圖係為當輸入偶數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號的切換元件之源極信號線組，輸入(－6V/＋18V)信號時，在未輸入任何信號之輸入奇數個顯示用的薄膜電晶體之閘極信號的切換元件之源極信號線組上，所得到之耦合效應所產生的信號。
第5圖即為本發明之第一實施例的接線圖。
101,102,103,104,105,106,108‧‧‧切換元件
109‧‧‧量測端點
111,113‧‧‧源極信號線
121‧‧‧閘極控制線

Claims (6)

  1. 一種檢測複數個切換元件間耦合效應的檢測線路，包含：一量測端點；M條訊號線，其中M為一大於一的正整數；以及(N+1)個切換元件，包含N個切換元件以及一測試用切換元件，該(N+1)個切換元件的每一切換元件係等距離排列，其中N為一正整數，且每一切換元件包含：一源極，其中一第(k*M+r)個切換元件之源極係耦接於該M條訊號線中之一第r條信號線，其中k為零或一正整數，r為一不大於M的正整數；一閘極，其中該(N+1)個切換元件之閘極係相互耦接；以及一汲極，其中該測試用切換元件之汲極係耦接於該量測端點。
  2. 如請求項1所述之檢測線路，其中該N個切換元件中每一切換元件之汲極係耦接於一負載。
  3. 如請求項1所述之檢測線路，其中該測試用切換元件係置於欲量測耦合效應之兩切換元件之間。
  4. 如請求項1所述之檢測線路，其中該(N+1)個切換元件係為N型金氧半場效電晶體(MOSFET)。
  5. 如請求項1所述之檢測線路，其中該(N+1)個切換元件係為P型金氧半場效電晶體(MOSFET)。
  6. 一種檢測線路檢測複數個切換元件間耦合效應的方法，該檢測線路包含一量測端點；M條訊號線，其中M為一大於一的正整數；以及(N+1)個切換元件，包含N個切換元件以及一測試用切換元件，該(N+1)個切換元件的每一切換元件係等距離排列，其中N為一正整數，且每一切換元件包含一源極，其中一第(k*M+r)個切換元件之源極係耦接於該M條訊號線中之一第r條信號線，其中k為零或一正整數，r為一不大於M的正整數；一閘極，其中該(N+1)個切換元件之閘極係相互耦接；以及一汲極，其中該測試用切換元件之汲極係耦接於該量測端點；該方法包含：於該M條信號線中，非耦接該測試用切換元件之源極之其他信號線中之至少一條信號線輸入一交流信號時，量測該量測端點之電壓值；及根據該量測端點之電壓值判斷該複數個切換元件間的耦合效應；其中量測該量測端點之電壓值係於不輸入信號至耦接於該測試用切換元件之源極之信號線時執行。
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