TWI382439B - 驅動一開關之方法及裝置 - Google Patents

驅動一開關之方法及裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI382439B
TWI382439B TW096149157A TW96149157A TWI382439B TW I382439 B TWI382439 B TW I382439B TW 096149157 A TW096149157 A TW 096149157A TW 96149157 A TW96149157 A TW 96149157A TW I382439 B TWI382439 B TW I382439B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
switch
fixed
signal
current
voltage
Prior art date
Application number
TW096149157A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200837795A (en
Inventor
Denis Ellis
Raymond Goggin
Original Assignee
Analog Devices Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Analog Devices Inc filed Critical Analog Devices Inc
Publication of TW200837795A publication Critical patent/TW200837795A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI382439B publication Critical patent/TWI382439B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H11/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches
    • H01H11/0062Testing or measuring non-electrical properties of switches, e.g. contact velocity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H47/00Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current
    • H01H47/001Functional circuits, e.g. logic, sequencing, interlocking circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • H01H2059/0063Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics with stepped actuation, e.g. actuation voltages applied to different sets of electrodes at different times or different spring constants during actuation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Description

驅動一開關之方法及裝置 【相關案件之參照】
此專利申請案主張來自下列美國臨時專利申請案之所有權,藉此將其全文併入於此以供參照:
於2006年12月22日提出申請之專利申請案第60/871,619號。
本發明大體上係關於開關,更特定地,為本發明係關於控制開關。
電子裝置常使用電子開關以選擇性地連接一電路之兩部分。一類型的開關具有一可動懸臂,其選擇地碰觸一位在固定平面上之導電埠(常指為一「接點」)。懸臂典型響應一迫使懸臂朝向接點之驅動信號而移動。
欲以較高速之電路系統操作,其通常希望一開關在最短的時間量內達成此與其接點之連接。因此,許多開關使用相對高位準之信號以在最短的時間量內迫使此與接點之連接。舉例來說,驅動信號可以非常快的速率上升至一最大電壓以靜電地推動一微機電(「MEMS」)懸臂朝向固定不動的接點。此快速率可不合意地導致懸臂實體上彈跳離開接點並在達成一固定不動的接觸前振盪。
有鑑於此,一熟悉此技術者可產生一較低強度的信號,例如,上升較慢者。雖然其可緩和彈跳問題,這一類解決方案不合意地降低閉合開關之速率。
根據一實施例,驅動具有一可動構件及一接點之一開關之方法首先施加(至開關)具有一第一位準之一第一信號,接著施加具有一第二位準之一第二信號至開關(在施加第一信號後)。第一及第二位準為個別信號之變化率。第一位準大於第二位準。第一及第二信號之一或兩者導致可動構件移動以與接點電連接。
驅動具有一可動構件之一開關之方法可同時、按順序、或在部份重疊的一時間點施加一或多個信號。在一實施例中,一或多個信號可為電壓信號。在一實施例中,一或多個信號可為電流信號。
根據一實施例,一驅動信號可由供應電壓或電流至開關之電路產生。在一實施例中,一電壓輸出電路在一第一時間施加具有一第一位準之一電壓信號至開關,並在施加第一電壓信號後,施加具有一第二位準之一電壓信號,第一及第二位準為個別電壓信號之變化率。
在一實施例中,一電流輸出電路包含一電流鏡,偕同一電流輸入連接到至少一個電流源,及一電流輸出連接至開關。電流鏡之輸出充當一電流源以提供至開關之充電電流。電流輸出電路提供給開關具有一第一位準之一第一充電電流信號,並在施加第一充電電流信號後,接著提供具有一第二位準之一第二充電電流信號。
當遭受一閥限振幅(threshold amplitude)值時,可動構件說明地移動以與接點電連接。此外,在說明的實施例 中,第一信號具有小於閥限振幅值之一最大振幅,而第二信號具有大於閥限振幅值之一最大振幅。
該方法可以不同類型的信號操作。舉例來說,第一位準可為一第一電壓,而第二位準可為一第二電壓。除此之外,第一位準及第二位準可為電壓對時間之增加率。當實施時,該方法導致可動構件以使其在電接觸接點後本質上免於振盪之方法移動。
信號可以數種不同方式提供。舉例來說,一信號源可提供第一及第二信號。在其他實施例中,一第一信號源提供第一信號,而一第二信號源提供第二信號。在尚有其他實施例中,一第一及第二信號源提供第一及第二信號之一或兩者。
根據本發明之另一實施例,一開關驅動器電路具有傳送具有多於一個位準之信號之一信號源。特別的是,該信號具有一第一位準,及大於第一位準之一第二位準。開關驅動器亦具有用於傳送該信號之一輸出,以便信號在其已達到第一位準後達到第二位準。
除此之外,該信號源可為複數信號源或單一信號源。
在說明的實施例中,一驅動器以本質上緩和振盪之方式施加一驅動信號至一開關,而在此同時並最佳化開關閉合之時間。為此,驅動器首先施加具有一相對高位準之一第一信號至開關。不過,在開關閉合前,驅動器施加具有一較第一信號低之位準之一第二信號。除此之外,位準可為信號之變化率(例如,輸入電壓之一變化率)。說明的實施例之細節將在下文討論之。
須注意開關之特定細節及驅動器之某些細節僅用於說明之目的。此外,這些細節之討論並非意欲限制不同實施例之範圍。舉例來說,開關可具有一非懸臂,或可由非微機電製程形成。
圖1圖示根據此發明之一實施例之微機電開關100。開關100係位於斷路狀態,並具有懸臂105以交替地達成與電連接至汲極電極103之固定不動的導體104之實體接觸。在斷路位置,沒有任何信號由源極電極101流至汲極電極103。在此實施例中,開關100為習用之一微機電開關。此外,開關100具有固定不動的基板106,其除了支撐懸臂105外,亦支撐與懸臂105形成一可變電容之閘極電極102。一驅動器(未示於圖1)係與閘極電極102電接觸,並控制由可變電容施加之力以控制懸臂之移動。
圖2圖示位於閉合位置之圖1之開關100。在閉合位置,懸臂105已移動至與電連接至汲極電極103之固定不動的導體104接觸。在閉合位置,一電信號可由源極電極101透過懸臂105流至汲極電極103。
在操作期間,一驅動器(未示於圖2)係與閘極電極102電接觸,並施加一驅動信號(驅動器輸出)至閘極電極102以選擇性地推動懸臂105至與固定不動的導體104實體電接觸,從而閉合一較大電路(未示於圖2)。較佳的是,驅動信號足夠快地上升以在最短時間內移動懸臂105,但又不導致開關100彈跳。同樣較佳的是,驅動信號之最終位準足以保 持懸臂105牢固地位於向下(亦即,開關閉合)之位置。
圖3(a)、3(b)、及3(c)顯示一開路開關100針對不同驅動信號之例示性的響應。在圖3(a)之上部說明中,驅動器輸出導致閘極電極102上之快速上升之電壓。隨著電壓上升,懸臂105開始向下移動以閉合開關100,並在電壓達到閥限電壓(Vth)時最終達成與固定不動的導體104之接觸。不過,在此快速上升之方法中,懸臂105之頂端以導致懸臂105不合意地彈跳之速率達成與固定不動的導體104之接觸,如圖3(a)之下部說明中所示之振盪。隨著驅動信號朝其最終位準(80V)增加,在懸臂105上之力終於強到足以保持懸臂105牢固地位於向下之位置(亦即,開關閉合)。
避免彈跳之一方法為使驅動信號更逐漸地斜升。在圖3(b)之上部說明中,驅動器輸出導致閘極電極102上之更緩慢上升之電壓。再次,隨著施加的電壓上升,懸臂105開始向下移動以閉合開關100,且當電壓達到閥限電壓(Vth)時,懸臂105達成與固定不動的導體104之接觸。有利的是,懸臂105不會彈跳,如圖3(b)之下部說明中所示。然而,不利的是,在此緩慢上升之方法中,在驅動信號施加及開關100閉合間之時間遠較快速上升之方法中之時間更長。
避免彈跳之一第二方法為以變化的速率斜升驅動信號。舉例來說,第一速率可快速朝閥限電壓上升以獲得在短時間內移動懸臂105,但接著改變其速率為更緩慢上升以便在此方法中之懸臂105之最終速率,小於在快速上升之方法中之懸臂105之最終速率。此第三方法較緩慢上升之方法更 快閉合開關100,而在此同時並避免快速上升方法之振盪。此方法示於圖3(c)之上部說明中,其中閘極電壓快速朝閥限電壓上升,但接著閘極電壓之上升趨緩。有利的是,懸臂105不會彈跳,如圖3(c)之下部說明所示,但開關100亦較緩慢上升之方法更快閉合。在此速率變化後,驅動信號繼續上升至一最終位準,其中施加在懸臂105上之力足以保持懸臂105牢固地位於向下之位置(亦即,開關閉合)。
根據說明的實施例,此驅動信號係受控以防止懸臂105猛力撞擊固定不動的導體104,以致其在達成初始接觸後向上彈跳,而且要相對快地閉合開關100。如上文所說明般,以太多力撞擊固定不動的導體104可導致懸臂105在與固定不動的導體104之實體接觸中進出的振盪。當然,如果其並未與固定不動的導體104實體接觸,則懸臂105未與固定不動的導體104電接觸。因此,振盪有效地延遲懸臂105及固定不動的導體104之電接觸。此外,這類振盪可導致通過開關100之一信號具有不期望的失真,亦可降低開關100之可靠度。
須注意除了視為一單一、多位準信號外,這些驅動信號亦可視為多數個獨立信號。
圖4圖示當與圖5所示之電路500併用時,在不同條件下之不同例示性的驅動信號波形之曲線圖。須注意圖4之這些波形係以模擬而非實際試驗為基礎。因此,如圖4所示,驅動電路(未示於圖4)由零伏至約30伏施加第一信號。如所示,在此振幅中之電壓增加率非常快。不過,在約30及恰 好低於80伏(亦即,一幹線電壓(rail voltage))之振幅間,電壓更為逐漸地增加。這些速率可為線性、可變、或兩者。所施加之確切電壓將依受控之開關之設計及構造而定。
圖5為驅動開關之電路500之一實施例之示意圖。如同將更完整於下文所討論般,圖5之電路500包含一些電晶體及其他元件,以及兩個提供不同控制信號給電晶體之數位子電路600及700。
圖6(a)為用於產生控制信號Phi1 615、Phi2 616、及Phi2b 617之數位子電路600之圖。圖6(b)顯示響應輸入開關控制信號614之圖6(a)中之電路之不同信號。注意為了解釋這些電路之目的,信號「sd」610保持為低準位,且因此得自反相器609之信號「sdb」611為高準位。如同此處關於數位電路之信號所用,「邏輯高準位」及「高準位」之措辭意指具有一第一狀態之數位邏輯信號,而「邏輯低準位」及「低準位」一詞意指具有與第一狀態互補之第二狀態之數位邏輯信號。
在圖6(a)之電路600中,當開關位於斷路位置時,開關控制信號614將為邏輯低準位。通過反相器601,此將導致至反或閘602之一第一輸入為邏輯高準位,且因此使反或閘602之輸出為低準位。因此,在穩態中,反相器603將為高準位而反或閘604之輸出(Phi2 616)將為低準位。結果,反或閘605之輸出(Phi2b 617)將為高準位。同樣地,由於開關控制信號614為低準位且Phi2 616為低準位,反或閘606之輸出將為高準位,而反相器607之輸出將為低準位。結果, 反及閘608之輸出(Phi1 615)將為高準位。因此,在穩態時,由於輸入為低準位且信號sd 610為低準位,Phi1 615為高準位,Phi2 616為低準位,而Phi2b 617為高準位。
當使用者想要閉合開關時,使用者將導致開關控制信號614轉換為邏輯高準位。此將導致反相器601之輸出變為低準位,但另一至反或閘602之輸入暫時像其之前那樣保持高準位,因此反或閘602之輸出保持低準位,而下游信號暫時保持不變(包含Phi2 616為邏輯低準位,及Phi2b 617為邏輯高準位)。此外,輸入由低準位轉換為高準位意指反或閘606之輸出變為低準位,且因此反相器607之輸出嘗試變為高準位。不過,反相器607之輸出轉換由於充電電容612之需求而延遲。當電容612充電時,反相器607之輸出將為高準位,而因為sdb 611為高準位,至反及閘608之兩個輸出為高準位,且因此反及閘608之輸出(Phi1 615)變為低準位。在Phi1 615變為低準位後,至反或閘602之兩個輸出為低準位,導致反或閘602之輸出變為高準位。該信號導致反相器603之輸出開始變為低準位,但該轉換由於放電電容613之需求而延遲。當電容613放電時,至反或閘604之輸入將是兩者皆為低準位,導致反或閘604之輸出(Phi2 616)變為高準位,且因此Phi2b 617變為低準位。因此,緊接在輸入由低準位至高準位之轉換後,並在歸因於電容612之充電之一短暫延遲後,Phi1 615變為低準位。接著,在歸因於電容613之放電之一第二延遲後,Phi2 616變為高準位,而Phi2b 617變為低準位。總括說來,當輸入由低準位變化為 高準位時,Phi1 615在一短暫延遲後由高準位變化為低準位,且在不久之後,Phi2 616由低準位轉換為高準位,而Phi2b 617由高準位轉換為低準位。
圖7為用於產生脈衝數位信號Edgeout 707之數位子電路700之圖,其亦響應開關控制輸入614由低準位變為高準位。特別的是,在圖6(a)之電路600中,Phi2b 617由高準位至低準位之轉換觸發圖7之電路700。如上文所述,當開關控制輸入614為低準位且電路為穩態時,Phi2b 617將為高準位。同樣地,反或閘702之輸出將為低準位,而反相器703之輸出將為高準位,造成至反及閘704之一輸入之一邏輯高準位。同樣地,在穩態中,反相器701之輸出將造成至反及閘705之一第一輸入之一邏輯低準位,而Phi2b 617造成至反及閘705之另一輸入之一邏輯高準位。結果,反及閘705之輸出將為高準位。在此狀態中,至反及閘704之兩個輸入為高準位,以致反及閘704之輸出(信號Edgeout 707)為低準位。
當Phi2b 617轉換為邏輯低準位時,反相器701之輸出嘗試變為高準位,但該轉換由於充電電容706之需求而延遲,以致反相器701之輸出短暫保持低準位。同樣地,反或閘702之輸出變為高準位,而反相器703之輸出變為低準位以提供一低準位輸入至反及閘704之一輸入。結果,反及閘704之輸出(信號Edgeout 707)由低準位轉換為高準位。終於,電容706充電,而反相器701之輸出達到邏輯高準位。接著,反或閘702之輸出變回低準位,反相器703之輸出變 回高準位,從而提供至反及閘704之一輸入之一邏輯高準位。同時,反及閘705將具有一輸入為高準位而另一輸入為低準位,以致反及閘705之輸出將為高準位以提供至反及閘704之第二輸入之一邏輯高準位。同樣地,反及閘704之輸出(信號Edgeout 707)回復至邏輯低準位。總括來說,緊接在Phi2b 617由邏輯高準位至邏輯低準位之轉換後,Edgeout 707短暫產生邏輯高準位之脈衝。Edgeout 707脈衝之持續時間將依反相器701之輸出耗費多久來充電電容706而定。Edgeout 707脈衝之持續時間將控制由電晶體MN8及電晶體MN9供應給電流鏡之電流升壓之持續時間,如下文更完整之敘述。Edgeout 脈衝之寬度是開啟升壓電流源(透過電晶體MN8及MN9)之關鍵,且因此為開關懸臂105最快朝向達成與固定不動的導體104之接觸移動之時間之關鍵。
如部份於圖8說明之電路500之操作現將討論之,以位於穩態之電路開始,偕同開關控制輸入信號614為低準位,使開關為斷路。如上文所討論,在此狀態中,Phi1 615為高準位,Phi2 616為低準位,Phi2b 617為高準位,而Edgeout 707為低準位。較佳為2微安培(micro-Amperes)之偏壓電流流過電晶體MN4,其與電晶體MN8形成一電流鏡,並與電晶體MN3形成一第二電流鏡。在此狀態中,在電晶體MN4中一部分的偏壓電流在電晶體MN3中鏡射,產生較佳為500奈安培(nano-Amperes)之電流。由於Edgeout 707為低準位,沒有可感知的電流流入電晶體MN9或電晶體MN8。由於Phi2 616為低準位而Phi2b 617為高準位,電晶體MN2為關(未導通) 而電晶體MN1為開(導通),以致所有流過電晶體MN3之電流必須也流過電晶體MN1。此電流傾向於將電晶體MP2之閘極拉向地端,導致電晶體MP2將電晶體MP1、電晶體MP5、及電晶體MP4之閘極電拉向電壓幹線(Vcc)。結果,電晶體MP5及MP4實際上為未導通,以致電晶體MP4不會由輸出節點501注入或汲入電流。同時,Phi2 616之高準位導致電晶體MN5開啟(導通),其將開關閘極102上之電荷透過輸出節點501排出至地端,從而使開關懸臂105免於任何將其向下拉之力,結果開關100為斷路。
當使用者想要閉合開關時,使用者導致輸入開關控制信號614變為高準位。如上文所討論,此導致控制信號Phi1 615、Phi2 616、及Phi2b 617中的某些變化,並導致Edgeout 707產生脈衝。如部份於圖9所說明之電路500之操作現將討論之。在開關控制信號614變為高準位後,Phi1 615將變為低準位,從而截斷電晶體MN2,以致開關之閘極電極102不再分流至地端。初始,電晶體MP4保持為截斷(未導通),以致沒有路徑讓電流直接在Vcc及地端間流動。信號Phi1 615、Phi2 616、及Phi2b 617在時間中定相以確保電晶體MN5及電晶體MN4不會同時導通。在一短暫延遲後,Phi2 616將變為高準位,而Phi2b 617將變為低準位,導致電晶體MN2接通(導通),而電晶體MN1截斷(未導通)。結果,電晶體MP5及電晶體MP4亦釋放以導通電流。通過電晶體MN3之電流(較佳的為500奈安培)現迫使其流過電晶體MN2,並因此通過電晶體MP5。電晶體MP4與電晶體MP5形成一電流鏡,其具有 為4之增益。在此技術中已知要,舉例來說,藉由使鏡射電晶體(在此實例中為電晶體MP4)大於導通電晶體(在此實例中為電晶體MP5)來選擇一電流鏡射電晶體以提供一電流增益。結果,電晶體MP4導通增強的鏡射電流(較佳的為2微安培)至輸出節點501。輸出節點501係附接至開關之閘極102,其為電容性並作用以整合由驅動電路流至其之電流,從而導致閘極102上之電壓朝上斜升(亦即,i=C dV/dt)。
同樣如上文所討論,開關控制614信號至邏輯高準位之轉換將導致Edgeout 707脈衝至邏輯高準位。此將導致電晶體MN9打開(導通),其將允許電晶體MN8鏡射電晶體MN4中一部分的電流;較佳的為2.5微安培。電晶體MN8中之電流將補充電晶體MN3中流過電晶體MN2之電流,而相加的電流(較佳的為3微安培)最終將由電晶體MP4增強並鏡射以提供12微安培之電流突發給輸出節點501。反過來,此導致開關閘極102上之電壓快速朝閥限電壓斜升。較佳的是,Edgeout 707之持續時間係設定以維持此電流直到開關的閘極上之電壓接近閥限電壓為止。
如進一步於上文所討論,Edgeout 707之脈衝將終止,從而關閉電晶體MN9(未導通)。如部份於圖10所說明之電路500之操作現將討論之。在此狀態中,電晶體MN3中之電流是唯一欲增強並鏡射且提供給輸出節點501之電流。同樣地,開關閘極上之電壓將繼續朝上斜升,但現在是以較緩慢的一變化率。在某一點上,開關的閘極電極上之電壓超過閥限電壓(Vth),在此時間點上,開關的懸臂達成與汲極電極 之接觸。
根據上文,在開關閘極電極上之電壓初始快速增加,但接著電壓斜升緩慢。電壓快速達到其足夠强到向下移動微機電開關之懸臂之一點,其重要之作用在於命令電路閉合開關之開關控制614信號之變化,及實際之開關閉合之間存在有最小滯後時間。稍後,開關閘極上之電壓增加更為緩慢,直到一足夠强以保持開關懸臂牢固地位於向下之閉合位置之最終電壓。較佳的是,驅動電路之操作將導致懸臂在不彈跳或不損壞懸臂之情況下接觸汲極電極。
當使用者希望使開關斷開時,使用者將導致開關控制信號614變為低準位。上文所討論之數位電路將導致驅動器電路500回復至上文所討論之關於圖6及8之狀態。如先前一般,由於在時序產生電路中固有的延遲,數位控制信號Phi1 615、Phi2 616、及Phi2b 617在時間中定相以確保電晶體MN5及電晶體MP4不會同時導通。同樣地,電晶體MN5將再次由開關閘極電極排出電流,從而移除保持懸臂位於向下之閉合位置之力,並允許開關移動回到向上之斷路電路位置。
圖11為一開關驅動電路之一替代實施例之示意圖。圖11之開關驅動電路1100以一電壓信號1104驅動開關。電壓信號V1 1101及電壓信號V2 1102兩者皆為至加法接點(summing junction)1103之輸入。如在此技術中已知,加法接點1103將加總電壓信號V1及電壓信號V2以產生電壓信號1104。電壓信號V1之位準及電壓信號V2之位準結合以產生具有至少一第一位準及一第二位準之電壓信號1104。電壓 信號1104接著施加至開關之閘極(未示於圖11)以控制開關之操作。電壓信號V1之位準及電壓信號V2之位準為個別電壓之變化率。電壓信號V1之位準及電壓信號V2之位準可隨時間變化以產生電壓信號1104所需之位準。
雖然上文之討論揭示本發明之不同的示範實施例,當明白那些熟悉此技術者可在不偏離本發明範圍之情況下做出將達到本發明之某些優點之不同修改。所述之實施例在各方面僅視為說明而非限制。
100‧‧‧微機電開關
101‧‧‧源極電極
102‧‧‧閘極電極
103‧‧‧汲極電極
104‧‧‧固定不動的導體
105‧‧‧懸臂
106‧‧‧固定不動的基板
1100‧‧‧開關驅動電路
1101‧‧‧電壓信號V1
1102‧‧‧電壓信號V2
1103‧‧‧加法接點
1104‧‧‧電壓信號
500‧‧‧電路
501‧‧‧輸出節點
600‧‧‧數位子電路
601‧‧‧反相器
602‧‧‧反或閘
603‧‧‧反相器
604‧‧‧反或閘
605‧‧‧反或閘
606‧‧‧反或閘
607‧‧‧反相器
608‧‧‧反及閘
609‧‧‧反相器
612‧‧‧電容
613‧‧‧電容
614‧‧‧開關控制輸入
700‧‧‧數位子電路
701‧‧‧反相器
702‧‧‧反或閘
703‧‧‧反相器
704‧‧‧反及閘
705‧‧‧反及閘
706‧‧‧電容
707‧‧‧信號Edgeout
MN1‧‧‧電晶體
MN2‧‧‧電晶體
MN3‧‧‧電晶體
MN4‧‧‧電晶體
MN5‧‧‧電晶體
MN8‧‧‧電晶體
MN9‧‧‧電晶體
MP1‧‧‧電晶體
MP2‧‧‧電晶體
MP4‧‧‧電晶體
MP5‧‧‧電晶體
MP6‧‧‧電晶體
Phi1 615‧‧‧控制信號
Phi2 616‧‧‧控制信號
Phi2b 617‧‧‧控制信號
sd 610‧‧‧信號
sdb 611‧‧‧信號
由參照緊接於下文概述之圖式所討論之下列「說明實施例之敘述」,那些熟悉此技術者應可更徹底了解本發明之不同實施例之優點。
圖1圖示位於斷路位置之一微機電開關。
圖2圖示位於閉合位置之一微機電開關。
圖3(a)、圖3(b)、及圖3(c)圖示對不同驅動信號之開關反應之比較曲線圖。
圖4為模擬驅動信號之曲線圖。
圖5為驅動開關之一電路(包含兩個數位子電路)之一說明實施例之示意圖。
圖6(a)為產生某些控制信號之數位電路之圖。
圖6(b)為圖6(a)之電路之某些信號之時序圖。
圖7為產生一脈衝信號之數位電路之圖。
圖8為圖5之電路之圖,其顯示在一第一操作狀態中之某些特性。
圖9為圖5之電路之圖,其顯示在一暫態中之某些特性。
圖10為圖5之電路之圖,其顯示在一第二操作狀態中之某些特性。
圖11為驅動開關之一電路之一說明實施例之示意圖。
100‧‧‧微機電開關
101‧‧‧源極電極
102‧‧‧閘極電極
103‧‧‧汲極電極
104‧‧‧固定不動的導體
105‧‧‧懸臂
106‧‧‧固定不動的基板

Claims (9)

  1. 一種用於關閉一MEMS開關之開關驅動器電路,其包含:至少一電流源,其用於產生一電流訊號,該電流訊號具有一第一固定振幅達一第一期間及一第二固定振幅達一第二期間,該第一期間在該MEMS開關被關閉之前會結束,以在該MEMS開關之一控制終端上產生低於對於該MEMS開關的臨界電壓之電壓,該第二期間在該第一期間之後,該第一固定振幅大於該第二固定振幅;及一驅動器輸出,其用於傳送該電流信號至該MEMS開關的該控制終端以驅動該MEMS開關。
  2. 如申請專利範圍第1項所定義之開關驅動器電路,其中該控制終端為一閘極電極。
  3. 如申請專利範圍第1項所定義之開關驅動器電路,其中該電流源包含複數電流源。
  4. 如申請專利範圍第3項所定義之開關驅動器電路,其中一第一電流源產生具有該第一固定振幅之一電流,而一第二電流源產生具有一第二固定振幅之一電流。
  5. 如申請專利範圍第3項所定義之開關驅動器電路,其進一步包含一電晶體,其可操作以串聯連接到一第一電流源,以使該電流通過該第一電流源。
  6. 一種驅動具有用以接收一驅動訊號之一閘極電極、一可動構件及一固定導體之開關之方法,當該閘極電極上的電壓超過一臨界電壓時,該可動構件可移動地與該固定導體實體及電氣接觸,該方法包含: 施加一第一固定電流信號至該閘極電極達一第一期間,使得由該第一固定電流訊號所傳送的電荷在該閘極電極上產生低於該臨界電壓的電壓;及施加一第二固定電流信號至該閘極電極達一第二期間,由該第二固定電流訊號所傳送的電荷在該閘極電極上產生等於或大於該臨界電壓的電壓,其中在該閘極電極與該可移動構件之間產生一靜電力以關閉該開關。
  7. 如申請專利範圍第6項所敘述之方法,其中該第一固定電流信號及該第二固定電流信號係順序施加。
  8. 如申請專利範圍第6項所敘述之方法,其中該第一固定電流信號及該第二固定電流信號實質地係同時施加。
  9. 如申請專利範圍第6項所敘述之方法,其中:該第一固定電流信號具有一第一固定振幅;及該第二固定電流信號具有一第二固定振幅,其中該第二固定振幅小於該第一固定振幅。
TW096149157A 2006-12-22 2007-12-21 驅動一開關之方法及裝置 TWI382439B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US87161906P 2006-12-22 2006-12-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200837795A TW200837795A (en) 2008-09-16
TWI382439B true TWI382439B (zh) 2013-01-11

Family

ID=39361254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096149157A TWI382439B (zh) 2006-12-22 2007-12-21 驅動一開關之方法及裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8194382B2 (zh)
EP (1) EP2122648B1 (zh)
JP (1) JP4723033B2 (zh)
KR (1) KR101084447B1 (zh)
CN (1) CN101563745B (zh)
TW (1) TWI382439B (zh)
WO (1) WO2008080086A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8294539B2 (en) * 2008-12-18 2012-10-23 Analog Devices, Inc. Micro-electro-mechanical switch beam construction with minimized beam distortion and method for constructing
US8368490B2 (en) * 2008-12-18 2013-02-05 Analog Devices, Inc. Micro-electro-mechanical switch beam construction with minimized beam distortion and method for constructing
US8102637B2 (en) * 2009-07-22 2012-01-24 Analog Devices, Inc. Control techniques for electrostatic microelectromechanical (MEM) structure
US8587328B2 (en) * 2009-08-25 2013-11-19 Analog Devices, Inc. Automatic characterization of an actuator based on capacitance measurement
US8847439B2 (en) * 2011-10-20 2014-09-30 Fisher Controls International, Llc Multiple-contact switches
US9911563B2 (en) * 2013-07-31 2018-03-06 Analog Devices Global MEMS switch device and method of fabrication
CN107257576B (zh) * 2017-07-26 2022-01-04 Tcl移动通信科技(宁波)有限公司 移动终端及其射频开关电压的动态设置方法、及存储介质
US10075179B1 (en) 2017-08-03 2018-09-11 Analog Devices Global Multiple string, multiple output digital to analog converter
US11501928B2 (en) 2020-03-27 2022-11-15 Menlo Microsystems, Inc. MEMS device built on substrate with ruthenium based contact surface material

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040040828A1 (en) * 2002-08-28 2004-03-04 Ivanciw Dan A. Micro-electromechanical switch performance enhancement
TW200539552A (en) * 2004-05-18 2005-12-01 Richtek Techohnology Corp JFET drive circuit applicable in DC-to-DC converter and method thereof

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB645681A (en) 1943-09-24 1950-11-08 Baker Platinum Ltd Metallurgical processes for producing materials or articles of platinum or allied metals, or their alloys, and materials or articles produced by or from the products of such processes
US2664618A (en) * 1944-04-22 1954-01-05 Fansteel Metallurgical Corp Electrical contact
US4674180A (en) * 1984-05-01 1987-06-23 The Foxboro Company Method of making a micromechanical electric shunt
US4959515A (en) * 1984-05-01 1990-09-25 The Foxboro Company Micromechanical electric shunt and encoding devices made therefrom
US4764244A (en) * 1985-06-11 1988-08-16 The Foxboro Company Resonant sensor and method of making same
DE3843138A1 (de) * 1988-12-22 1990-06-28 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur steuerung und erfassung der bewegung eines ankers eines elektromagnetischen schaltorgans
US5638946A (en) * 1996-01-11 1997-06-17 Northeastern University Micromechanical switch with insulated switch contact
US6153839A (en) * 1998-10-22 2000-11-28 Northeastern University Micromechanical switching devices
US6091125A (en) * 1998-12-02 2000-07-18 Northeastern University Micromechanical electronic device
CA2323189A1 (en) * 1999-10-15 2001-04-15 Cristian A. Bolle Dual motion electrostatic actuator design for mems micro-relay
JP3538109B2 (ja) * 2000-03-16 2004-06-14 日本電気株式会社 マイクロマシンスイッチ
FI109155B (fi) 2000-04-13 2002-05-31 Nokia Corp Menetelmä ja järjestely mikromekaanisen elementin ohjaamiseksi
US7256669B2 (en) * 2000-04-28 2007-08-14 Northeastern University Method of preparing electrical contacts used in switches
TW543292B (en) 2002-05-06 2003-07-21 Hsiuping Inst Technology Output buffer circuit and method
US20040151032A1 (en) * 2003-01-30 2004-08-05 Yan Polansky High speed and low noise output buffer
JP3991003B2 (ja) * 2003-04-09 2007-10-17 松下電器産業株式会社 表示装置およびソース駆動回路
US7202764B2 (en) 2003-07-08 2007-04-10 International Business Machines Corporation Noble metal contacts for micro-electromechanical switches
JP4412027B2 (ja) * 2004-03-29 2010-02-10 日本電気株式会社 増幅回路及び表示装置
US7667524B2 (en) 2004-11-05 2010-02-23 International Rectifier Corporation Driver circuit and method with reduced DI/DT and having delay compensation

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040040828A1 (en) * 2002-08-28 2004-03-04 Ivanciw Dan A. Micro-electromechanical switch performance enhancement
TW200539552A (en) * 2004-05-18 2005-12-01 Richtek Techohnology Corp JFET drive circuit applicable in DC-to-DC converter and method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP4723033B2 (ja) 2011-07-13
US8194382B2 (en) 2012-06-05
JP2010515207A (ja) 2010-05-06
KR20090101277A (ko) 2009-09-24
TW200837795A (en) 2008-09-16
CN101563745A (zh) 2009-10-21
CN101563745B (zh) 2014-09-03
WO2008080086A1 (en) 2008-07-03
EP2122648A1 (en) 2009-11-25
KR101084447B1 (ko) 2011-11-21
US20080151464A1 (en) 2008-06-26
EP2122648B1 (en) 2012-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI382439B (zh) 驅動一開關之方法及裝置
US6222403B1 (en) Slew rate output circuit with an improved driving capability of driving an output MOS field effect transistor
EP2485232A1 (en) MEMS switching device protection
US20110074470A1 (en) Low current power-on reset circuit and method
US8717071B2 (en) High voltage linear amplifier driving heavy capacitive loads with reduced power dissipation
JP2004266368A (ja) 半導体装置の駆動方法および装置
EP2533248B1 (en) System and methods to improve the performance of semiconductor based sampling system
EP2533247A1 (en) System and methods to improve the performance of semiconductor based sampling system
KR101353670B1 (ko) 삼각파 생성 회로
JPH0114736B2 (zh)
CN107005232B (zh) 具有改进的时间响应特性的通路开关电路及其控制方法
JP2010258527A (ja) 出力回路
JP4520998B2 (ja) 充電昇圧器を伴うパルス電流源回路
CN105553236A (zh) 驱动电路
EP2533249A2 (en) System and methods to improve the performance of semiconductor based sampling system
US10139850B2 (en) Analog boost circuit for fast recovery of mirrored current
US7471132B2 (en) Reduced voltage pre-charge multiplexer
US7236038B2 (en) Pulse generator and method for pulse generation thereof
CN115580278A (zh) 高速栅极驱动器电路
CN111937300B (zh) 驱动容性负载的放大器
KR100399960B1 (ko) 펄스 발생기
KR100211122B1 (ko) 반도체 집적 회로 장치용 발진 회로
JP4568588B2 (ja) 半導体装置
JP2005073423A (ja) モータ駆動装置
KR20070099222A (ko) 듀티 변동이 억제되는 공진형 인버터

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees