TWI379854B - - Google Patents

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1379854 _ * * 5 九、發明說明： » 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種適合使用於包裝用或工業用等之 雙軸配向聚丙烯薄膜。詳言之，係有關於一種雙軸配向聚 丙烯薄膜’作爲電容器用介電體，具有適合的加工性且在 高溫具有優良的耐電壓性》 【先前技術】 雙軸配向聚丙烯薄膜因爲具有優良的透明性、機械特 ® 性等’被使用於包裝用途、膠帶用途、以電纜包封或電容 器爲首的電氣用途等各式各樣的用途。 其中在電容器用途，因爲其具有優良的耐電壓特性、 低損失特性，特別適合使用於不論是直流電用途、交流電 用途之高電壓電容器用途。 如此雙軸配向聚丙烯薄膜，必須使其表面適度地粗糙 面化，係爲了改良薄膜的滑性或油含浸性、或是爲了賦與 蒸鍍電容器的保安性。在此，保安性係指在金屬蒸鍍電容 器（將形成於該介電體薄膜上的金屬蒸鍍膜作爲電極），在 異常放電時蒸鍍金屬因放電能量而發散，藉由使絕緣性恢 復、防止短路來維持電容器的機能或是防止破壞之機能， 就安全性而言亦是極端有用的機能。 « 如此粗糙面化方法，有提案揭示藉由壓紋、噴砂法等 機械性方法，藉由溶劑的化學蝕刻等化學性方法，延伸混 合聚乙烯等異種聚合物而成的薄片之方法，延伸生成有沒 晶的薄片之方法（例如，參照專利文獻· 1、2)。 1379854 但是，機械性方法及化學性方法會有粗糙度密度較 ' 低，又，延伸生成有/9晶的薄片之方法會有容易產生粗大 的突起、就突起的密度而言未必充分之情形。又，藉由此 等方法粗面化而成的薄膜，形成電容器時在薄膜層間，會 有油含浸不充分、容易產生部分性未含浸部分、電容器壽 命降低的情形。延伸調配聚乙烯等異種聚合物而成的薄片 之方法，雖然形成電容器時之氣泡殘餘較少，但是再利用 該薄膜時會有因異種聚合物造成不良影響之情形、再利用 性變差的問題存在。 又，藉由上述任一種方法之雙軸配向聚丙烯薄膜，電 容器的使用條件在80°C以上的高溫、且電位梯度爲200V/ β m以上嚴格條件下，會有保安性不充分、產生信賴性面 的問題存在。在此，電位梯度係指對介電體薄膜所施加的 電壓除以該薄膜厚度而得到的値，係平均單均厚度的施加 電壓。 又，關於粗糙度密度或突起的均勻性，有揭案揭示高 熔融張力聚丙烯薄膜（例如，參照專利文獻4)、揭示層積如 此高熔融張力聚丙烯薄膜與.通常的聚丙烯薄膜而成之物 (例如，參照專利文獻3 )，其中使用高熔融張力聚丙烯樹脂 本身作爲電容器用途時，會有在樹脂的結構上無法得到充 分的耐熱性、在高溫下絕緣破壞電壓顯著降低的問題存 & ’又’層積高熔融張力聚丙烯樹脂的技術、特別是薄膜 ®度爲5微米以下的薄膜，不容易得到均勻的層積厚度結 構’實際的情況係會損害均句性，無法成爲實用上能夠滿 1379854 足之介電體薄膜》 專利文獻1 :特開昭5 1 - 6 3 5 0 0號公報 專利文獻2:特開2001-324607號公報 專利文獻3 :特開2001-129944號公報 專利文獻4:特開2001-72778號公報 【發明內容】 鑒於上述先前技術的背景，本發明提供一種雙軸配向 聚丙烯薄膜，即使在8 0 °C以上的高溫環境，亦能夠發揮優 良的耐電壓性和信賴性。 藉由如此雙軸配向聚丙烯薄膜，能夠提供在包裝用、 電容器用等之具有優良突起均勻性、高粗糙度密度表面的 雙軸配向聚丙烯薄膜 本發明爲了解決如此課題，採用以下手段。亦即，本 發明之雙軸配向聚丙烯薄膜係由丙烯作爲主體的聚丙烯樹 脂所構成之雙軸配向聚丙烯薄膜，其中在該薄膜表面的至 少~側的面具有由梨皮紋狀的凹凸所構成的基層，該表面 的點平均粗糙度（RZ)爲0.5〜1.5微米、表面光澤度爲 9 0 〜1 3 5 %。 又’本發明之雙軸配向聚丙烯薄膜較佳是具備以下（1) 〜（5)所示特徵。 (1) 該薄膜表面含有坑狀凹凸，該坑的長度直徑爲15〇 微米以下。 (2) 至少一側的薄膜表面的中心線平均粗糙度（Ra)與 10點平均粗糙度（Rz)的比（Rz /Ra)爲8以上。. 1379854 (3) 該聚丙烯樹脂係在直鏈狀聚丙烯，混合在23 0°C 測定時符合溶融張力（MS)與熔融流動指數（MFR)的關係爲 l〇g(MS)> — 〇.561og(MFR) + 0.74之分支鏈狀聚丙烯（H)而成 之物。 (4) 該聚丙烯樹脂之分支鏈狀聚丙烯（H)的含量爲 0 · 0 5〜3重量％ » (5) 該聚丙烯樹脂係含有0.1〜0.9重量％該分支鏈狀 聚丙烯（H)而成之物。 [發明效果] 依據本發明，能夠提供一種雙軸配向聚丙烯薄膜，因 爲藉由具有優良的表面特性，即使較薄的薄膜亦具有優良 的加工適合性，在從一 40。(：的溫度至高於90 t的高溫之廣 泛範圍環境氣溫條件下，都能夠發高耐電壓性，適合於包 裝用、電容器等使用。 【實施方式】 本發明對於前述問題，亦即有關於在8 0 °C以上的高溫 環境亦能夠發揮優良的耐電壓性和信賴性之雙軸配向聚丙 烯薄膜，經專心檢討的結果，發現在直鏈狀聚丙烯中混合 特定的分支鏈狀聚丙烯（H)時，能夠控制使熔融擠出的樹脂 薄片在冷卻製程所生成的球晶尺寸爲較小、能夠抑制使在 延伸製程所產生的絕緣缺陷爲較小。而且，成功地供—種 具有表面粗糙度之雙軸配向聚丙烯薄膜，其特徵爲，分支 鏈狀聚丙烯（H)在具有α晶核劑的作用之同時，在少量添加 的範圍時藉由結晶變態能夠形成粗糙面，與前述球晶尺寸 1379854 變小的效果相結合，能夠使坑尺寸變小、細緻地形成，美 起具有優良的均勻性，且其粗糙度密度的平衡性亦優良。 亦即，查明藉由混合如此特定的分支鏈狀聚丙烯（H)，能夠 對具有表面光澤度爲90〜135%特點之梨皮紋狀凹凸基 層，賦與10點平均粗糖度（Rz)爲0.5〜1·5微米而一舉解決 前述的問題。 以下，詳細說明本發明的面形狀，亦即，本發明提案 之表面形態中，梨皮紋狀凹凸包含在專利文獻3、4所得到 的粒狀或是駿紋狀結構之物。第5圖係本發明定義爲梨皮 紋狀凹凸之典型的粒狀結構或是皺紋結構之表面照片，第 6圖係該三維粗縫度之圖，此種形狀的凹凸雖然均勻性優 良’但因爲均勻的緣故’在形成薄膜捲物或電容器元件時 會有薄膜層間容易滑動、因皺紋等容易產生捲取紊亂而導 致捲物形狀無法安定之問題存在，或是元件的形狀無法安 定，結果導致電特性變差的問題點存在。 本發明者等’爲了解決如此問題，嘗試以該梨皮紋狀 凹凸爲基調，適度地設置比該梨皮紋狀凹凸所造成的表面 突起更大許多的突起。 在薄膜表面形成此種突起的方法，有在聚丙烯中添加 不相熔的樹脂或無機及/或有機粒子等方法，其中藉由未添 加電性不純物且使絕緣破壞電壓等電特性變差的可能性低 之結晶變態，能夠得到目標突起。在此，說明藉由結晶變 態所得到目標突起。藉由結晶變態之面形成法，係指非專 利文獻（M.Fujiyama，Journal of Applied Polymer S.cience 1379854 35，Ρ·9 8 5 - 1 948( 1 9 8 8)等所記載利用具有聚丙烯之二個結晶 系來進行表面形成之物，使α晶（單斜晶系、結晶密度 0.93 6g/cm2)系的球晶與冷晶（六方晶系、結晶密度 0.922 g/cm2)系的球晶在未延伸薄片上產生，藉由延伸製程 使對熱不安疋的沒晶結晶變態成爲<3：晶，在薄膜表面形成 凹凸而成。因爲藉由本方法所得到表面凹凸的基本單位係 起因於球晶的變形，所以該形狀具有形成圓弧形的坑狀。 第3圖係藉由該結晶變態所得到典型的表面形狀，能夠確 認存在有多數形成橢圓形的坑狀。第4圖係將本表面以3 維的表面粗糙度圖顯示之物，能夠確認從薄膜表面突起的 部分係圓弧狀連接且具有坑狀。且依據本技術時，其特徵 爲，未存在/3晶系球晶之處係平坦而不會形成凹凸。該圓 弧狀突起在進行雙軸延伸時，係對應縱向橫向的延伸倍率 而變化，若縱橫比爲1時，亦即等方向性延伸時大致成爲 圓形，隨著縱橫比變大而偏平化。通常藉由逐次延伸法所 得到的形狀在薄膜的橫向（薄膜捲物的寬度方向）具有長 軸。又，取決於球晶的形成方式，亦會有由形狀不同的坑 複數重疊而成之形狀、或是圓弧無環狀關閉而是呈現弓狀 或是半弧形狀之情形。 在本發明値得驚訝的，係發現藉由使分支鏈狀聚丙烯 (Η)的添加量和使製膜條件最適化，能夠在以梨皮紋狀凹凸 爲基調之表面產生該圓弧狀坑。 第2圖係第1圖所得到本發明實施例1的表面照片之 三維粗糙度圖，能夠觀察到基調之具有起伏的梨皮紋狀的 -10- 1379854 凹凸，同時能夠觀察到多數圓弧形的坑狀。因爲與第3圖 比較時，坑狀較小且細密地形成之緣故，第2圖之三維粗 糙度圖未顯現明確的坑狀，但是與具有目標起伏之基調的 粗糙度比較時，能夠確認形成有相當高的突起。 以下，詳述本發明薄膜的表面特性。 必須使該薄膜表面的10點平均粗糙度（Rz)爲0.5〜1.5 微米’以0.7〜1.3微米爲更佳。RZ太小時會因空氣脫離不 良等而導致捲取不順利、使捲物形狀產生紊亂、電容器元 件無法順利形成之可能性。另一方面，RZ太大時會有絕緣 破壞電壓降低之可能性。 又，該薄膜表面的光澤度爲90〜13 5%的範圍，以95 〜1 30%爲佳。亦即，使光澤度降低，係意指提高在薄膜表 面之光散射的密度、亦即使薄膜表面的凹凸細密化，使光 澤度降低時’液體含浸性變爲良好，但是薄膜層間容易變 滑、元件捲取性變差，薄膜捲取時之空氣脫離性變差、將 薄膜捲取成捲物狀變爲困難。另一方面，光澤度大於135% 時’會有薄膜層間不容易滑動而難以成形成扁平狀的電容 器元件、無法維持充分的間隙致使保安性變差等問題產在。 又’如前述，較佳是使本發明薄膜的表面，形成梨皮 紋狀凹凸、同時形成坑狀凹凸。 該坑尺寸係坑越大時凹凸高度有變爲陡峭的傾向，因 爲會影響絕緣破壞特性，坑直徑以小爲佳，長徑爲以150 微米以下爲佳’以5〜1 2 0微米爲特佳。坑尺寸的測定詳細 如後述’係在薄膜表面形成鋁蒸鍍膜，藉由微分干擾顯微 -11- 1379854 鏡來實施。 又’本發明之雙軸配向聚丙烯薄膜，薄膜的至少一方 的面之中心線平均表面粗糙度以0.02〜0.10微米爲佳。中 心線平均粗糙度太大時會有在層積薄膜時，在層間會有空 氣進入而與電容器元件的變差有關，又，在薄膜形成金屬 層時在金屬層會產生穿孔等使高溫時的絕緣破壞強度或元 件壽命降低’施加電壓時電荷集中而成爲絕緣缺陷的原 因。相反地，若太小時，薄膜的滑動變差，處理性變差、 在電容器含浸絕緣油時，在薄膜層間絕緣油無法均勻浸 透’連續使用時電容量變化變大。薄膜的至少一面的中心 線平均表面粗糙度之更佳的範圍爲0.03〜0.08微米，以 0.04〜0.07微米爲特佳》 本發明之雙軸配向聚丙烯薄膜如前述，因爲除了在基 層有梨皮紋狀的凹凸之外，加上有大的突起，相對於該中 心線平均表面粗糙度（Ra)，十點平均粗糙度（Rz)以充分大 爲佳。亦即，在至少一側的面，兩者的比（Rz/Ra)以8以上 爲佳，以 10〜40爲更佳，以15〜35爲特佳。因爲該比 (Rz/Ra)太大時，粗糙突出的比例增加，在層積薄膜時，在 層間會有空氣進入而與電容器元件的變差有關，又’在薄. 膜形成金屬層時在金屬層會產生穿孔等使高溫時的絕緣破 壞強度或元件壽命降低，施加電壓時電荷集中而成爲絕緣 缺陷的原因。相反地，若該比（Rz/Ra)太小時，會有處理性 變差的問題存在。 又，光澤度爲90〜135 %的雙軸配向聚丙烯薄膜’其具 • 12 - 1379854 有如此優良的突起均勻性且其優良的粗造度 使用如此特定薄膜作爲電容器時，即使發生 爲在薄膜層間保持有適當的間隙，能夠維持 而不會破壞’係能夠發揮前述保安性之具有儀 又’如前述，如此雙軸配向聚丙烯薄膜 丙烯中混合特定分支鏈狀聚丙烯（H)而成之物 的聚丙烯的熔融結晶化溫度頂多爲110°c附 雙軸配向聚丙烯薄膜之通常的聚丙烯能夠提 上，係有助於高溫保安性之物。亦即，自己 某種原因發生絕緣破壞時，由於放電能量使 鍍金屬飛散’因爲部分性變爲高溫，薄膜亦 但是藉由再結晶而恢復絕緣性。電容器的溫 易再結晶化，然而本發明藉由提高熔融結晶 提升在高溫下的保安性。 又，該雙軸配向聚丙烯薄膜，製膜性當 在強度等物理特性方面，與直鏈狀聚丙烯比 優良，相對於直鏈狀聚烯之厚度4微米的使 要3微米即能夠適應，係亦能夠發揮優良物 本發明係在直鏈狀聚丙烯（通常所使用E 特定分支鏈狀聚丙烯（H)而成之物，亦即作爲 使用之物，如此分支鏈狀聚丙烯（H)以使用右 之熔融張力（MS)與熔融流動指數（MFR)符兔 0.561og(MFR) + 0.74的關係之分支鏈狀聚丙对 在此，於2 3 0 °C測定時之熔融張力，係它 密度平衡性， 絕緣破壞，因 電容器的壽命 E良機能之物。 係在直鏈狀聚 ，相對於通常 近，如此特定 高到 1 1 5 °C以 恢復步驟係當 放電周邊的蒸 部分性熔解， 度變高時不容 化溫度，能夠 然好不必說， 較時，亦較爲 用用途時，只 理特性之物。 勺聚丙烯）混合 α晶結晶核劑 :2 3 0 °C測定時 π log(MS)> — 备爲佳。 史據 JIS-K7210 1379854 所示熔融流動指數（MFR)測定用的裝置測定得到的。具體 上’係使用東洋精機製熔融張力測試器將聚丙烯加熱至23 0 °C ’以擠出速度15毫米/分鐘吐出熔融聚丙烯成爲單絲， 測定以6.4公尺/分鐘的速度對該單絲進行拉伸時之張力， 作爲熔融張力（單位cN)。又，在23 0°C的熔融指數（MFR) 係依據JIS-K6 7 5 8以負荷21.18N測定得到（單位克/10分 鐘）。 本發明之分支鏈狀聚丙烯（H)若能夠符合上述時，沒有 特別限定，其中由製膜性而言以熔融流動指數（MFR)在1〜 2〇克/10分鐘的範圍之物爲佳，以1〜10克/10分鐘的範圍 之物爲更佳。.又，熔融張力方面，以在1〜30cN的範圍之 物爲佳，以2〜20cN的範圍之物爲更佳。熔融張力小時， 突起均勻性變差，i 〇點平均粗糙度與中心線平均表面 粗糙度Ra的比（Rz/Ra)變大。又，粗糙度密度亦變小（平均 每單位面積的突起個數變少熔融張力越大時會有突起的 均勻性變高、該比（Rz/Ra)變小的傾向。 得到分支鏈狀聚丙烯（H)，以使用混合具有分支結構的 低聚物或聚合物之方法、如特開昭62-121704號公報記載， 在聚丙烯分子中導入長鏈分支結構之方法、或是如特許第 2869606號公報記載之方法等爲佳。具體上，可以例示的 有 Basell 公司製 “ pr0fax pf-8 14” 、 Borealis 公司製 "Daploy HMS-PP" (WB130HMS、WB135HMS 等），其中因 爲在樹脂中的凝膠成分較少，以使用藉由電子線交聯法所 得到的樹脂爲佳。將如此HM S樹脂添加在PP中之特點， -14- 1379854 係相對於通常pp的溶融結晶化溫度在丨丨0它附近，能夠上 升至115〜130 °C的範圍。 在本發明，將此種分支鏈狀聚丙烯（H)添加在通常的聚 丙烯樹脂時，該（H)的添加量的上限以3重量％爲佳，添加 量以0 · 0 2〜低於1重量％爲較佳，以〇 · 〇 5〜〇 · 7重量％爲特 佳。藉由如此樹脂組成’因爲該聚丙燒樹脂藉由至少2次 之第二次操作（2 n d r u η )測定時所觀測的熔解尖鋒，除了第 —熔融尖鋒溫度爲160〜172°C以外、加上具有在148〜157 °C之肩部尖鋒，能夠形成均勻的表面，乃是較佳。 藉由混合如此調配量，能夠製造一種雙軸配向聚丙烯 薄膜，其特徵爲，具有優良的突起均勻性、且其粗糙度密 度的平衡性亦優良之具有特點的梨皮紋狀凹凸形狀、及其 表面的表面光澤度爲90〜130 %之粗糙面、及在一40。(：至大 於90°C的廣泛範圍環境條件下都能夠發揮優良的加工性及 高耐壓性。 接著，本發明之雙軸配向聚丙烯薄膜所使用的直鏈狀 聚丙烯’可以使用通常包裝材或電容器用所使用之，其中， 較佳是冷二甲苯可溶部分（以下CXS)爲4 %以下、且在230 °C測定時符合溶融張力（MS)與熔融流動指數（MFR)的關係 爲log(MS)> — 0.56丨og(MFR) + 0.74之之聚丙烯。未符合如 此關係式時，製膜安定性會有變差的場形，在製造雙軸配 向薄膜在薄膜中會有形成空隙的情形，尺寸安定性及耐絕 緣破壞特性降低會有變大的情形。 在此，冷二甲苯可溶部分（CXS)係指使用二甲苯完全溶 1379854 解薄膜後，使其在室溫析出後在二甲苯中溶解之聚丙烯成 分’認爲係因爲立體規則性較低、分子量較低等之理由而 不容易結晶化之成分。在樹脂中含有大量此種成分時會有 薄膜的熱尺寸安定性變差、在高溫的絕緣破電壓降低等的 問題存在。因此，CXS以4%以下爲佳，以3%以下爲更佳， 以2°/。以下爲特佳。具有如此CXS之聚丙烯薄膜，可以使 用提高製得樹脂時之觸媒活性之方法、使用溶劑或是丙烯 單體本身來洗滌所製得樹脂之方法等眾所所周知的方法。 從同樣的觀點，該聚丙烯樹脂之中位五分率（meso pentad)以〇·95以上爲佳’以0.97爲更佳。中位五分率係 顯示藉由核磁共振法（NMR法）所得聚丙烯的結晶相的立體 規則性的指標，該數値越高結晶化度越高，熔點變高，在 高溫的絕緣破壞電壓變高，乃是較佳。中位五分率的上限 沒有特別規定。得到此種高立體規則性的樹脂，可以例示 的有如上述使用正庚烷等溶劑洗滌所到的樹脂粉末之方 法、適當地進行觸媒及/或助觸媒的選定、組成選定之方法。 就製膜性而言’如此直鏈狀聚丙烯以熔融流動指數 (MFR)爲1〜10克/10分鐘（230°C、21.18Ν負荷）爲佳，以2 〜5克/10分鐘（2 30 °C、21.18N負荷）的範圍爲特佳。爲了 使熔融流動指數（M F R)爲上述數値，可以採用控制平均分子 量或分子量分布之方法。 如此直鏈狀聚丙烯主要係由丙烯的單獨聚合物所構 成，但是在不損害本發明的目的之範圍，亦可以含有其他 不飽和碳水化合物的共聚合成分等，亦可以不是聚丙靖單 *16- 1379854 獨而是由聚合物混合而成。構成如此共聚合成分或混合物 之單^成分可以舉出的有例如乙烯、丙烯（共聚合而成的混 合物時）、1-丁烯、1-戊烯、3-甲基戊烯-1、3-甲基丁烯_i、 卜己烯、4-甲基戊烯-1、5·乙基己烯-1、1-辛烯、1-癸赌、 1-十二烯、乙烯環己烯、苯乙烯、烯丙基苯、環戊烯、降 拒燃、5-甲基-2-降佰烯等。共聚合量或是混合量，就耐絕 緣性特性、尺寸安定性而言，較佳是共聚合量小於1莫耳 %、混合量小於1 0重量％。 又’如此直鏈狀聚丙烯在不損害本發明的目的之範 圍’亦可以含有眾所周知的添加劑，例如可以使其含有結 晶核劑、抗氧化劑、熱安定劑、滑劑、抗靜電劑、抗黏結 劑、塡料、黏度調整劑、防止著色等。 此等之中，藉由抗氧化劑的種類及添加量的選定會有 使長期耐熱變佳的情形，亦即，較佳是如此抗氧化劑係具 有立體阻礙性的酚系之物、且其中至少1種係分子量500 以上之高分子量型。其具體例可以舉出的有各種物，其中 例如較佳是並用2,6-二-第三丁基-對甲酚（BHT :分子量 220.4)及 1,3,5-三甲基-2,4,6-參（3 ,5 -二-第三-4-羥基苄基） 苯（例如CIBAGEIGY公司製Irganox(註冊商標）1330:分子 量 775·2)或是肆[亞甲基- 3(3 ,5-二-第三丁基-4-羥基苯酯） 丙酸]甲院（例如CIBAGEIGY公司製IrganoxlOlO:分子量 1 1 77.7)等。此等抗氧化劑總含量相對於聚丙烯總量，以〇.03 〜1重量％的範圍爲佳》抗氧化劑太少時長期耐熱性有變差 的情形。抗氧化劑太多時，會有因此等抗氧化劑的析出， -17- 1379854 在高溫下因黏結而對電容器元件產生不良影響之情形。含 量以0.1〜0.9重量％爲更佳，以0.2〜0.8重量％爲特佳。 在不違反本發明目的之範圍，亦可以在本發明添加結 晶核劑》如上述，分支鏈狀的聚丙烯樹脂係其本身已經具 有α晶結晶核劑效果之物，可以例示的有其他種類的α晶 核劑（聯苄叉山梨糖酮類、苯甲酸鈉等）、/3晶核劑（1,2-經 基硬脂酸鉀、苯甲酸鎂、Ν，Ν’-羥基-2,6-萘三羧醯胺等醯胺 系化合物 '喹ίΤ酮（quinacridon)系化合等）等β 但是，本發明藉由添加此等結晶核劑，不容易得到目 標表面粗糙度，有可能使在高溫的積體固有電阻降低等而 使電特性遭受到不良的影響，添加量小於〇 . 1重量％爲佳， 以實質上未添加爲更佳。 本發明之雙軸配向聚丙烯薄膜可以藉由使用能夠賦與 上述特性的原料，藉由雙軸配向而得到。雙軸配向的方法， 可以藉由吹塑同時雙軸延伸法、拉幅機同時雙軸延伸法、 拉幅機逐次雙軸延伸法中任一種而得到，其中就製膜安定 性、厚度均勻性、控制薄膜表面而言，以藉由拉幅機逐次 雙軸延伸法製膜之物爲佳。本發明的雙軸配向聚丙烯薄膜 的厚度以1.5〜50微米爲佳，以2_0〜30微米爲更佳，以 2.5〜20微米爲特佳。薄膜的厚度太薄時，機械強度或絕緣 破強度會有變差的情形。薄膜的厚度太厚時，因爲難以均 勻地製膜、且使用作爲電容器用的介電體時平均體積的容 量變小而不佳。 又，本發明之雙軸配向聚丙烯薄膜的灰分以5 〇ppm以

1379854 下爲佳，以30ppm以下爲更佳， 此灰分太多時，該薄膜的耐絕緣 器時會有絕緣破壞強度下降的情 內，使用觸媒殘渣較少的原料係 時亦極力減少來自擠壓的污染等 流出時間花費1小時以上等之方法 本發明之雙軸配向聚丙烯薄 電體薄膜爲佳，但是不限定電容§ 極結構而言，箔卷電容器、金屬| 都可以，從含浸絕緣油之油浸型ί 作爲完全未使用絕緣油之乾式電？ 明薄膜的特性而言，以使用作爲 佳。因爲聚丙燃薄膜之表面能量fj 屬蒸鍍，爲了使金屬附著力良好 佳0 表面處理具體上可以例示的；^ 理、發光處理、火焰處理等。在2 力爲30mN/m左右，藉由此等表i 爲 37 〜50mN/m，以 39 〜48mN/m: 的黏著性優良、保安性亦良好，7 接著，如下說明本發明之雙車 方法’但是本發明未必限定於此等 在直鏈狀的聚丙烯樹脂中混 脂，經過熔融擠出、過濾器後，拍 20ppm以下爲特佳。如 :壞特性降低，作爲電容 爲了使灰分在此範圍 要的，可以採用在製膜 .方法，例如可以採用使 〇 ;以使用作爲電容器用介 :之型式。具體上，從電 i鍍膜電容器其中任一者 :的電容器而言，以使用 :器爲佳。但是，從本發 金屬蒸鍍膜電容器爲特 :、不容易安定地施加金 以預先進行表面處理爲 「電暈放電處理、電漿處 i常聚丙烯的表面潤濕張 3處理可以使潤濕張力成 兰右爲佳，因爲與金屬膜 ^是較佳。 )配向聚丙烯薄膜的製造 ： 〇 合高熔融張力聚丙烯樹 220〜280°C的溫度從狹 1379854 縫狀噴嘴擠出，在冷卻滾筒上固化，到未延伸薄片。在此， 爲了得到本發的薄膜，較佳是進行適當地控制冷卻滾筒 的溫度用以生成適當的沒晶。在此，爲了有/效率地生成冷 晶’較佳是在θ晶生成效率最大的樹脂溫度維持規定時 間’一般認爲該溫度通常爲1 i 5〜1 3 5 〇C。又，保持時間以 保持1秒以上爲佳》爲了實現此等條件可以按照樹脂溫度 或濟出量、拉取速度等來決定適當P製程，其中就生產力 的觀點’因爲冷卻滾筒的直徑對保持時間影響大，該滾筒 的直徑以至少1公尺以上爲佳。而且，適合選定的冷卻滾 筒溫度如上述’受到其他因素的影響，包含某種程度的任 意性在內，以7 0〜1 2 0 °C爲佳，以8 0〜1 1 0 t爲更佳，以 8 5〜1 0 0 °C爲特佳。鑄塑溫度越高時薄膜的結晶化過度進 行’隨後的製程會有不容易延伸、在薄膜內產生空隙致使 耐絕緣破壞特性降低的情形。黏附於鑄造滾筒的方法可以 使用施加靜電法、利用水的表面張力之黏附方法、氣動刮 塗法、加壓輥輪法、水中鑄造法等其中任一種方法，其中 就平面性良好且能夠控制表粗糙度而言，以氣動刮塗法爲 佳。 接著，使該未延伸薄膜進行雙軸延伸、使其雙軸配向。 首先，將未延伸薄膜通過保持於120〜150 °C的輥輪進行預 熱，接著使該薄片通過保持於130〜150 °C溫度、設置有周 速差的輥輪之間，在長度方向延伸2〜6倍後，冷卻至室 溫。接著將該延伸薄膜引導至拉幅機’以150〜170°C溫度 在寬度方向延伸5〜15倍，接著邊賦與寬度方向2〜20%的 -20- 1379854 * * · « » 鬆弛、邊14〇〜170 °c的溫度熱固定、捲取。隨後，爲了使 ' 預定施加蒸鍍的面與蒸鍍金屬的黏著性變佳，在空氣中、 氮氣中、二氧化碳氣中或是此等的混合氣體中進行電暈放 電處理，捲取於捲繞機上 將所得到的薄膜安裝於真空蒸鍍裝置上，爲了形成按 照目的之絕緣溝部，使用凹版塗布機在薄膜上塗布油，隨 後’將按照目的之金屬以規定膜電阻之方式進行蒸鍍。將 該蒸鍍薄膜切割成長條狀，爲了製造電容器元件而使其成 ^ 爲2捲筒一對之蒸鍍捲筒。隨後，捲回成元件狀並熱壓成 形爲扁平狀，對端部進行金屬噴鍍（金屬噴鍍製程）、取出 導線、按照必要含浸絕緣油、經由外包裝而成爲電容器。 在本發明，特性値的測定方法及效果之評價如下。 (1) 薄膜厚度（微米） 依據JIS C-23 3 0(200 1 )之7.4.1 · 1，以測微計法測定厚度。 (2) 光澤度 依據JIS-K 710.5，使用SUGA試驗機股份公司製之數 字式變角光澤計UGV-5D，以入射角爲60度、受光角60 度的條件所測定5點的數據平均値作爲光澤度。 (3) 極限黏度（[7?]) 將0 . 1毫克試料溶解在1 〇 〇毫升1 3 5 °C的四氫萘中’將 該溶液置於1 3 5 °C的恆溫槽中，使用黏度計測定，藉由比 ' 黏度依照下式求得極限黏度[η](單位：dl/g)。 [n] = (S/0. 1)^(1+0.22xS) ' (4 )熔融流動指數（M F R) -21 - 1379854 依據JIS-K67 5 8所示聚丙烯試驗方法（2 3 0 °C、21. 測定。 (5) 熔融張力（MS) 依據JIS-K 72 10所示MFR測定用裝置.測定。使用 精機製熔融張力測定機，將聚丙烯加熱至230 °C、以 速度15毫米/分鐘吐出熔融聚丙烯成爲單絲，測定以 公尺/分鐘的速度對該單絲進行拉伸時之張力，作爲熔 力（單位cN)。 (6) 表面形狀的觀察、坑尺寸 測定坑尺寸係在薄膜表面形成鋁蒸鍍膜，藉由微 擾顯微鏡（NIKON製OPTIPHOT)來實施。 觀察數係在一側表面各5視野（各視野的觀察面 〇.73毫米χθ.95毫米），拍攝各自照片，目視確認表面 狀。坑係具有「圓形或橢圓形」（以下以橢圓表示）的 之表面形態。典型的形狀係如第3圖所示橢圓形狀的 形態，其中橢圓形狀的邊緣部分在表面粗糙圖上可以 到比較陡峭之連續突起狀（山脈狀）的形狀。通常其幾 是關閉的橢圓形狀，但是可以觀察到其中一部分橢圓 未關閉而是呈圓弧狀之物，此時，該圓弧的長度若係 _弧外插橢圓的圓周長之70 %以上時，亦定義爲坑。 寸係定義成將如上述觀察到的各坑視爲橢圓形狀時之 直徑，求得在各視野內所觀察到最大坑起5個的平均 並且將5個視野的平均値當作坑尺寸。 (7) 熔點、熔融結晶化溫度（°C ) 1 8N) 東洋 擠出 6.5 融張 分干 積爲 的形 邊緣 表面 觀察 乎都 形狀 從該 坑尺 長度 値， -22 - [379854 使用SEIKO公司製RDC220微差掃描熱量計，以下述 條件測定。 <試料的調整> 將5毫克試樣裝入測定用鋁皿中。又，若對薄膜施加 有金屬蒸鍍等時則適當地加以去除。 <測定> 藉由以下（a)— (b) — (c)的步驟，使薄膜熔融、再結晶、 再溶融。樹脂的溶點係將在第二次操作所觀測的熔解尖鋒 內之最高熔解尖鋒的溫度作爲熔點。求得n = 3之平均値。 U)第一次操作 30°C— 2 8 0 °C (升溫速度2〇t /分鐘） (b) Tmc 在280 °C保持5分鐘後，以20。(：/分箄 冷卻至3 0 °C ) (c) 第二次操作 3 0°C — 2 8(TC (升溫速度2〇t /分鐘） (8)中位五分率（mmmm) 將試料溶解在溶劑中，使用1 3C-NMR，使用以下條件 求得中位五分率（mmmm)(參考文獻：新版高分子分析便覽 社團法人日本分析化學會高分子分析究懇談會編1995年 第6 0 9〜6 1 1頁）。 A :測定條件 裝置：Bruker公司製、DRX-500 測定核：13C核（共振頻率：125.8MHz) 測定濃度：1 〇 w t %

溶劑：苯/聯鄰二氯苯=1 : 3混合溶液 測定溫度：1 3 0 °C 1379854 旋轉數：12Hz NMR試料管：5mm管 脈衝幅度：45度（4.5 // s) 脈衝反覆時間：1 〇秒

數據點：64K 換算次數：1 〇〇〇〇次 測定模式：完全去偶合 B :測定條件

使 LB(譜線增寬係數；line broadening factor)爲 1.0， 進行傅立葉（Fourier)變換，使mmmm尖鋒爲21.86ppm，使 用 WINFIT軟體（Bruker公司製），進行尖鋒分割。此時， 自高磁場側的尖鋒以下如下進行尖鋒分割，進而進行軟體 自動調整，進行尖鋒分割的最適化後，將mmmm及ss(mmmm 的旋轉邊帶尖鋒）的尖鋒分率的合計作爲中位五分率 (mmmm)。 又，係以n= 5進行測定，求取其平均値。 尖鋒 (a) m r r m (b) (c)rrrm(分割作爲二個尖鋒） (d) r r r r (e) mrmm + rmrr (f) m m r r (g) m m mr (h) ss (mmmm的旋轉邊帶尖鋒） 1379854 (i) m m m m (j )rmmr (9)數量平均分子量與重量平均分子量的比（Mw/Mn) 使用凝膠滲透色譜儀（GPC)依單分散聚苯乙烯基準求 得。 · 數量平均分子量（Μη)、重量平均分子量（Mw)係各自藉 由通過分子量校正曲線所得到GPC曲線的各溶出位置的分 子量（Mi)的分子數（Ni)，使用下式定義。

數量平均分子量：Μη=Σ(Ν〖· Mi)/ENi 重量平均分子量：Mw=E(Ni. Μί2)/Σ(Νί· Mi) 分子量分布：Mw/Mn 又，測定條件如下（（）內係表示廠商） 裝置：凝膠滲透層析儀GPC-150C (Waters) 檢測器：微差折射係數檢測器RI感度32x、20% (Waters) 柱：Shodex HT-806M(2)(昭和電工）

溶劑：1，2,4-三氯苯（添加 BHT 0. 1 w/v%)(Adrich) 流速：1.0毫升/分鐘 溫度：1 3 5 °C 試料：溶解條件165±5°Cxl〇分鐘（攪拌） 濃度：〇.20w/v% 過濾：膜濾器孔徑〇 · 4 5微米（昭和電工） 注入量：200毫升 分子量校正：使用與藉由單分散聚苯乙烯（TOSOH)作 爲試樣在相同條件測定所得到的分子量和保持時間之關 -25 - 1379854 係，作爲聚丙烯的分子量》係以聚苯乙烯爲基準之相對値。 數據處理：藉由 TORAY RESEARCH CENTER 製 GPC 數據處理系統。 (10)冷二甲苯可溶部分（CXS) 將0.5克聚丙烯薄膜試料溶解在100毫升沸騰的二甲 苯、放置冷卻後，在20°C的恆溫水槽再結晶化1小時後， 藉由層析法定量溶解在過濾液中的聚丙烯系成分。 使用0.5克試料的精量値（X0(g))、以下式求得β CXS(重量 ο/〇) = Χ/ Χ0χ100 (π)中心線平均粗糙度（Ra)及十點平均粗糙度（Rz) 依據 JISB-060 1 ( 1 9 82)’ 使用 KOSAKALAB’ S 股份公 司製「非接觸三維微細形狀測定器（ET-30HK)」及「三維@ 糙度分析裝置（MODEL SPA-U)」測定。測定數爲3 ,使用 其平均値。詳細條件如下。 測定面處理：將鋁真空蒸鍍在測定面上，係非接觸$。 測定長度：1毫米 橫向倍率：2 0 0倍 縱向倍率：2 0 0 0 0倍 截止：0.25毫米 寬度方向移動速度：0.1毫米/秒 長度方向移動間距：1〇微米 長度方向移動次數：20次 測定方向：薄膜的寬度方向 (12)絕緣破壞電壓（V/# m) -26- 1379854 依據 JIS C2 3 3 0 (2 00 1年版）7.4.11.2 B法（平板電極 法），求得平均値（X a v)與最小値（X min)，除以所測得的試 樣厚度（//m),以V//zm表示。 又’假定Xav値大較佳，但是因爲Xmin値小的情況 會有顯示偏差大、產生問題的可能性，Xmin以Xav的60% 以上爲佳。 (13)蒸鍍特性的評價 在後述各實施例及比較例所得的薄膜上，藉由ULVAC 製真空蒸鍍機，以鋁的膜電阻爲5Q/sq之方式，在與長度 方向垂直的方向施加蒸鍍圖案（具有所謂T型邊緣圖案其 設置有邊緣部），得到寬度50毫米之蒸鍍捲筒。 接著，使用該捲筒藉由皆藤製作所元件捲取機捲取電 容器元件，施加金屬噴塗後，在真空中以120 °C的溫度施 加熱處理1 6小時，安裝導線後，使用環氧樹脂灌注，加工 成爲電容器元件。此時電容器元件的靜電容量爲10yF。 使用如此所得到的電容器，在常溫下對電容器施加 5 00VDC電壓，在該電壓經過10分鐘後，以梯狀每次50VDC 使施加電壓上升，反覆進行升壓試驗。測定此時的靜電容 量變化標繪於圖上，將該電容量成爲初期値的80%時的電 壓除了薄膜厚度作爲耐電壓》又，上升電壓使靜電容量減 少至相對於初期容値的5%以下爲止，將電容器元件解體來 調查破壞狀態，保安性係藉由以下等級評價。 狀態 ： 等級 元件形狀無變化、未觀察到貫穿狀破壞：4 -27- 1379854 元件形狀無變化、觀察到薄膜10層以內的貫穿狀破壞：3 元件形狀無變化、觀察到薄膜大於10層的貫穿狀破壞：2 元件破壞 ：1 等級4使用上沒問題，等級3依條件情況而能夠使用， 等級2以下實用上會產生問題。 實施例 以下舉出實施例，進一步說明本發明的效果。 又，表1係整理實施例所使用的樹脂特性。 [表1] 名稱 Tm °C Tmc °C mmmm CXS % Mw/Mn 備考 PP-A 167 110 0.985 0.9 6.5 PRIMEPOLYMER 製 PP-B 166 110 0.98 1.1 7.8 Borealis 製 PP-C 163 109 0.934 3.2 6.6 PRIMEPOLYMER 製

Tm :熔點 T m c :熔融結晶化溫度 mmmm: 中位五分率 CXS :冷二甲苯可溶部分 M w/M η :數平均分子與重量平均分子量的比 [實施例1〜5 ] 在表1的PRIMEPOLYMER(股）製聚丙烯樹脂（直鏈狀 ΡΡ:ΡΡ-Α樹脂）添加Basell公司製高熔融張力PP(Profax PF-814、以下稱爲HMS)，總樹脂中的HMS添加量係調整 爲0.1重量％(實施例1)、0.3重量％(實施例2)、0.5重量 -28- 1379854 %(實施例3)、1.0重量％(實施例4)、1.5重量％(實施例5)。 任一者的樹脂都是藉由擠壓機熔融混煉，在樹脂溫度 265 °C從T型狹縫模頭以薄片狀擠出。將該熔融薄片藉由保 持在90°C、直徑1公尺的冷卻滾筒冷卻固化。以放射溫度 計測定1 1 5〜1 3 5 °C的保持時間，結果爲1 · 3秒。 接著，以135 °C預熱該薄片，接著，通過保持在145 °C的 溫度、設置有周速差輥輪之間，在長度方向延伸五倍。接 著將該薄膜引導至拉幅器，以158 °C的溫度在寬度方向延 伸9倍，接著一邊在寬度方向賦與5%的鬆弛一邊進行162°C 熱處理，得到薄膜厚度爲2.9微米的二層層積雙軸配向聚 丙烯薄膜。進而對該A層表面以25 W · min/m2的處理強度 在大氣中進行電暈放電處理。如此得到的雙軸延伸薄膜的 特性係如表2所示。又，第1、2圖係使用微分干擾顯微鏡 拍攝實施例3的冷卻滾筒面側表面之照片和表面粗糙度 圖，能夠觀察到梨皮紋狀凹凸及坑狀凹凸。在铒糙度圖能 夠觀察到梨皮紋狀凹凸之較大突起以外的基層起伏。 該等實施例任一者都具有優良的耐電壓、優良的電容 器特性。但是，HMS的添加量1·5重量％以上時’耐電壓 有稍微降低的傾向。 實施例6 與實施例3相同樹脂組成，在製膜條件之中’縱向延 伸的預熱、延伸溫度各自提高4。(：，除了在139 °C預熱、接 著以1 4 9 °C延伸以外，同樣地進行得到薄膜。使用微分干 擾顯微鏡拍攝如此得到薄膜之冷卻滾筒面側表面的照片如 -19 - Q) 1379854 第7圖所示，表面粗糙度圖如第8圖所示，藉由提升縱向 延伸溫度來強調基層的粗糙’如表2所示，可以確認Ra 稍微變大、Rz/Ra變小，粗糙度均勻化。 與實施例3比較時，本薄膜的耐電壓稍低，因爲觀察 到使用該薄膜製造電容器元件時會梢有紊亂的傾向，藉由 使條件最適化能夠使元件捲取變爲良好。又，如第2表所 示，絕緣破壞電壓特性、電容器特性良好。 比較例1 在實施例1，除了不添加HMS只使用樹脂PP-A，同樣 地進行得到薄膜。 如此所得到薄膜之冷卻滾筒面側表面的微分干擾顯微 鏡照片如第3圖所示，3維表面粗糙度圖如第4圖所示。 從第3圖得知，能夠觀察到係由較大的坑狀突起及平坦的 表面所構成，這亦可以從第4圖的粗糙度圖得到確認。又， 如表2所示，本薄膜的絕緣破壞電壓特性、電容器特性都 差。 比較例2〜3 在實施1〜2，除了使冷卻滾筒的溫度爲50 °C以外，同 樣地進行得到薄膜。放射溫度計的測定係能夠保持在115 〜1 3 5 °C的時間爲0.5秒以下。然如此所得到的薄膜雖然能 夠觀察到梨皮紋狀凹凸，但是無法觀察到坑狀凹凸。雖然 呈現薄片狀的耐電壓顯著提高的特性，但是保安性差，產 生電容器的實用特性上的問題。 比較例4 30 - 1379854 *' 除了使HMS的添加量爲3重量％以外，與實施例1同 . 樣地進行製膜評價。 如此所得到的雙軸配向聚丙烯薄膜之冷卻滾筒面側表 面如第5、6圖所示’成爲完全無坑狀凹凸之均勻的梨皮紋 狀凹凸，在製膜機的捲取製程’薄膜在橫向方向發生捲取 不齊。而且，將該薄膜切割成小寬度的長條狀時，亦發生 同樣的問題。薄片狀的耐電壓亦低。 實施例6、7 • 使用PP-B、PP-C作爲聚丙烯樹脂，和實施例2同樣進 行所得到薄膜’任一者都具有優良的電特性° 實施、比較例的表 1379854

【二揪】

Rz/Ra CQ 28.8 22.4 21.6 17.5 20.0 I 18.0 31.3 13.3 v〇 m 〇\ 28.S 30.0 A面 27.5 27.0 25.0 19.6 j 19.2 16.7 40.0 15,3 to 10,0 27.5 27.0 Rz(微米） B面 m 〇〇 o s o 00 o 1.25 0.40 0.25 0.65 o A面 〇 1.08 o o 0.98 0.96 o o 1.20 0.46 0.30 0.60 o 1.08 Ra(微米） B面 0.04 0.05 0.05 0.06 0.05 ：0.06 0.04 0.03 0.04 0.07 0.04 0.04 A面 0.04 0.04 0.04 0.05 0.05 ；0.06 0.03 0.03 0.04 0.06 0.04 0.04 坑徑(微米） B面 〇 寸 § 104 v〇 o CN 256 1 ND § Q Z m CN A面 〇\ 〇\ m 〇\ g yr\ S 160 ND ND Q 之 On § 光澤度(％) B面 卜 <N CN m CN CN in 100 m <r\ CN Ό oo m <N 寸 (N 1 1 A面 <N 5 120 in 100 1 135 on (N CS oo 122 123 冷卻滾 筒溫度 CC) § g g OO oo 樹脂構成(重量％) PP-A(99.9)+HMS(0.1) PP-A(99.7)+HMS(0.3) PP-A(99.5)+HMS(0.5) PP-A(99.0)+HMS(1.0) PP-A(98.5)+HMS(1.5) PP-A(99.5)+HMS(0.5) PP-A(IOO) PP-A(99.0)+HMS(1.0) PP-A(98.5)+HMS(1.5) ί PP-B(99.7)+HMS(0.3) PP-C(99.7)+HMS(0.3) 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 實施例7 實施例8 -ιι- e靼鹅s史诛：ISCQ'la诞胳昆资：Εv

1379854

寸 ^τ 寸 寸 寸 05 οι CN 寸 寸 寸 m 提 m 提 5 〇ft2 撖 她 驰 澌 她 龅 敞 敞 她 她 撖 敞 ϋ ^ 〇〇 ON ON 〇〇 4 o r—^ Ο ON 〇〇 CO 寸 CO CO CO Xmin/av (%) C^3 OO cn OO vo OO ON OO OO 〇〇 〇〇 卜 vo OO g OO OO Ο 〇〇 '、 > c •ε 〇 ON o un o 〇 ο 〇 o v〇 Ο 寸 W^i 〇 1〇 m m 繼 X 寸 vo x〇 寸 Ό i〇 V〇 wn m Xav o \o v〇 cn Ό o s s VO 〇 as wn 03 〇 S 630 S o CO vo 〇 CN Ό it米 CTS ON ON ON ON ON as as ON as vo U~) 鲣銨 oi OJ CN oi CN Οί oi OJ cn CO 踺w /—N o N m 〇 ✓—s 〇 X--N /—s ^—i Ν wn ο ^-S f < «**—s U-J CO CO ci N CO ο _ _ N«✓ 00 s 00 s 00 s OO s s_✓ OO s ζ〇 s )P-A(100) s_✓ cn s Vw» OO s >—✓ OO s >«»✓ OO s >«_✓ cn 2 + i: + tc + PC + tc + X + ffi + w 十 X + ffi + + 1S 鞣 as 〇\ r^' ON «〇 ON o ON OO ίη CTs ON v〇 〇〇 o Γ*** ON 卜 σί < s—✓ < '>—^ < 'w» < < v—✓ < < Vw^ < CQ >—✓ U u 1 cu Cu 1 CU CU 1 a, a. t cu Cu 1 CU a, 1 CL, CU 1 Ou CL, d Q_ 1 On CL, 1 a. cu I cu CL, «—h Oi CO 寸 wo =ZT> v〇 OO cn .莩 寸 r- OO 辑 留 習 辑 辑 留 闺 u u s 輕 Ιϋ Μ JJ ±J 魏 u 1379854 產業上的可利用性 本發明之雙軸配向聚丙烯膜，適合應用在包裝用或工業 用。而且’本發明之雙軸配向聚丙烯膜因爲具有優良的加 工性和在高溫之耐電壓性，特別適合作爲電容器用介電體。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明之雙軸配向聚丙烯薄膜表面之微分干 擾顯微鏡照片的一個例子。 第2圖係本發明之雙軸配向聚丙烯薄膜表面之三維粗 糖度圖的一個例子。 第3圖係藉由結晶變態所形成的雙軸配向聚丙烯薄膜 表面的微分干擾顯微鏡照片。 第4圖係藉由結晶變態所形成的雙軸配向聚丙烯薄膜 表面之三維粗糙度。 第5圖係只藉由梨皮紋狀的凹凸所形成的雙軸配向聚 丙烯薄膜表面之微分干擾顯微鏡照片。 第6圖係只藉由梨皮紋狀的凹凸所形成的雙軸配向聚 丙烯薄膜表面之三維粗糙度圖。 第7圖係本發明之雙軸配向聚丙烯薄膜表面之微分干 擾顯微鏡照片的一個例子。 第8圖係本發明之雙軸配向聚丙烯薄膜表面之三維粗 糙度圖的一個例子。 【元件符號說明】 無》 -34 -

Claims (1)

1379854 修正本 第 095105693號 十、申請專利範圍： 雙轴配向聚丙烯薄膜」專利案 (2012年10月17曰修正） 1. 一種雙軸配向聚丙烯薄膜，係由丙烯作爲主體的聚丙烯 樹脂所構成之聚丙烯薄膜，其中在該薄膜表面的至少一 側的面具有由梨皮紋狀的凹凸所構成的基層，該表面的 10點平均粗糙度（Rz)爲0.5〜1.5微米、表面光澤度爲90 〜1 3 5 % ’至少一側的薄膜表面的中心線平均粗糙度（Ra) 與10點平均粗糙度（Rz)的比（Rz/Ra)爲8以上。 2. 如申請專利範圍第1項之雙軸配向聚丙烯薄膜，其中該 薄膜表面含有坑狀凹凸，該坑的長度直徑爲150微米以 下。 3. 如申請專利範圍第1或2項之雙軸配向聚丙烯薄膜，其 中該聚丙烯樹脂係在直鏈狀聚丙烯，混合在230 °C測定時 符合溶融張力（MS)與熔融流動指數（MFR)的關係爲 log(MS)> — 0.561og(MFR) + 0.74 之分支鏈狀聚丙烯（H)而 成之物。 4. 如申請專利範圍第1或2項之雙軸配向聚丙烯薄膜，其 中該聚丙烯樹脂之分支鏈狀聚丙烯（H)的含量爲〇.〇5〜3 重量％。 5. 如申請專利範圍第4項之雙軸配向聚丙烯薄膜，其中分 支鏈狀聚丙烯（H)的含量爲0.1〜〇.9重量。/。。 6. 如申請專利範圍第1或2項之雙軸配向聚丙烯薄膜，其 中該雙軸配向聚丙烯薄膜的厚度係1〜5微米。