TWI378575B - Light emitting diode device and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

1378575 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係指一種發光二極體裝置及其製作方法，尤指 一種先於發光二極體上形成多孔材料層，然後再於多孔材 料層之各孔洞中填入奈米晶體之發光二極體裝置的製作方 法，以及藉此方法所製作之具有奈米晶體之發光二極體裝 置。 【先前技術】 近年來，白光發光二極體是最被看好且最受全球矚目 的新興產品。它具有體積小、無熱幅射、耗電量低、壽命 長和反應速度佳又兼具環保效果等優點，能解決非常多過 去白熾燈泡所難以克服的問題，因而已被歐美科學家視為 二十一世紀的照明光源。 一般習知製作白光二極體裝置之技術可概分為三種方 式。第一種係使用三顆紅、藍與綠光之LED，再分別控制 通過各LED之電流以產生白光。第二種係使用二顆黃與藍 光LED亦分別控制通過各LED之電流而生成白光。但此 二種方法皆有一缺點，即必須同時使用多個不同顏色LED 來混色產生白光時，若此些LED之其中之一發生劣化，則 將無法得到正常之白光。且同時使用多個LED，不但成本 較高，控制電路較複雜，而且也無法有效縮小白光二極體 I3%575 裝置的體積，這都是實際應用上之不利因素。 帛三削是利用單—色光led激發特定營光材料。例 如氮化銦鎵(InGaN)LED所產生之藍光激發可發出黃色光 之螢光粉體，並藉由混合藍色光與黃色光以產生白光。此 方法不但無前述二種方法之缺點，亦兼具驅動電路設計簡 易、生產谷易、耗電量低與成本較低，故目前大多數白光 φ LED均採用此法製作。然而，一般營光粉的顆粒皆為數毫 上的尺寸，故會對入射的可見光造成相當大的遮蔽與 政射效應，因而降低螢光粉的發光效率。因此為了改善此 ’題利肖具有奈米大小之勞光粉與發光二極體的組合開 始破陸續提出，如美國專利案號1^6,890,777，其將具有奈米 大小之畺子點加入膠體溶液中，並塗佈於發光二極體上， 以形成含量子點之螢光層於發光二極體上，並且可調整量 • 子點之大小來改變螢光層所欲發出之螢光顏色。另有如美阖 ；^利案號Us 7,342,260B2，改善量子點之材料，利用Znx系列之 .置子點塗覆於發光二極體之表面。另外，為了有效控制適合的螢 頻°9 ,夕層量子點搭配較短波長晶片的組合也在2006年被公 開於美國專利公開號US 2006/0113895 Α1。 雖然上述習知技術採用奈米大小之量子點與發光二極 體之、’且合可改善光線被散射之問題，但由於奈米顆粒的特 . 性，量子點可能具有顆粒間聚集的傾向，尤其是現行螢光 7 137*8575 粉與量子點之塗覆方式皆係為將螢光粉體或量子點先加入 膠體溶液中，然後再經由注射、旋轉塗覆等方式塗覆於發 光二極體上。因此膠體溶液中的螢光粉體或量子點更容易 團聚成大小不等的聚集物並以不均勻的分散方式混於膠體溶 液中，是以，藉此方法所製造之螢光層中之螢光粉體的均勻 度並不易控制，而容易造成白光分佈不均勻。尤其在封裝 技術不斷進步，發光二極體陣列已逐漸直接封裝於電路板 上，以建構成大型LED發光模組，在此種多顆發光二極體 設置於一片基板上的情況時，螢光粉體或量子點塗覆的均 勻度儼然更加困難，而更容易造成各發光二極體之顏色分 佈不均勻之情況。 因此為了提升發光二極體之顏色均勻度且提升發光效 率實為業界亟需努力之目標。 【發明内容】 本發明之主要目的之一在於提供一種發光二極體裝置 及其製作方法，以有效提升奈米晶體之均勻度，進而提高 發光二極體裝置之顏色均勻度以及其發光效率，並且降低 光線散射。 為達上述之目的，本發明提供一種發光二極體裝置之 製作方法。首先提供一基板與至少一設置於該基板上之發 8 137-8575 光二極體。接著，於該發光二極體之表面上形成一具有複 數個孔洞之多孔材料層。最後，於該等孔洞中分別填入複 數個奈米晶體，以形成一螢光層於該發光二極體之表面上。 為達上述之目的，本發明提供一種發光二極體裝置。 其包含有至少一發光二極體、一多孔材料層以及複數個奈 米晶體。孔材料層係設置於發光二極體之表面上，且多孔 I 材料層具有複數個孔洞。至少一奈米晶體係分別設置於孔 洞中，且各奈米晶體之粒徑係小於各孔洞之孔徑。 本發明藉由先形成多孔材料層中之孔洞排列結構，然 後再於各孔洞中填入奈米晶體，以控制奈米晶體分布在螢 光層中之均勻度。因此本發明之發光二極體發出的光線與 奈米晶體發出的螢光所混合而成的白光或其他顏色光皆可 均勻分佈，並能有效應用於多晶粒或晶粒陣列直接封裝於 • 一電路板的結構。 【實施方式】 請參考第1圖至第4圖，第1圖至第4圖為本發明第 一較佳實施例之發光二極體裝置之製作方法流程示意圖， 其中第4圖為本發明第一較佳實施例之發光二極體裝置之 剖面示意圖。如第1圖所示，本發明之發光二極體裝置之 製造方法係先提供一基板10與至少一設置於基板10上之 9 1378575 發光二極體12。其中基板1G可為電路板、導線支架或石夕 基板等❹於不_狀基板，以用於承紐光二極體 ^ ’但本發明之基板並不限於此用途，而由於發光二極體 12亦可為仍未切割且位於晶圓上之發光二極體，所以基板 1〇亦可為"支撑座或載板’以助於晶圓上之發光二極體12 進行後續之製程H發光二極體12可為具有發出各種 不同顏色之發光二極體，其所發出之光波長範圍較佳可介 於380奈米至500奈米之間，如氮化銦鎵藍紫光發 光二極體，但本發明並不限於此。 / 接著，如第2圖所示，於發光二極體12之表面上塗覆 一膠體溶液(colloid solution) 14 ’以形成一膠體薄膜丨6於發 光二極體12之表面上。其中，膠體溶液14可於塗佈前先 利用下列步驟加以完成：首先，利用溶膠凝膠(s〇l gel)法混 合複數種無機材料以及複數種有機材料，以形成一混合溶 液。然後’將混合溶液加熱至約略攝氏60—90度左右，且 持續大約60-120分鐘，然後再靜置於室溫下2至7小時， 至此即可形成此膠體溶液。 於本實施例中，無機材料係包含有水、鹽酸(HC1)、乙 醇（ethanol)以及石夕酸乙自旨（tetraethylorthosilicate，TEOS)， 且有機材料係包含有溴化十六浣基三甲基銨 (cetyltrimethyiammonium bromide，CTAB)、聚氧乙稀十六· 1378575 烧基趟（polyoxyethylene cetyl ether，Brij-56)以及三嵌段共 聚物（triblock copolymer pluronic P-123，P123)，而形成膠 體溶液14之各成份之莫耳數比大約為矽酸乙酯： (P123’CTAfe，Brij-56):水：鹽酸：乙醇=1 : 〇 〇〇8〜〇 〇3 : 3.5〜5 . 0.003〜0.03 : 10〜34，但本發明並不以此材料與此莫 耳數比為限。此外，払结、 、 如第2圖所示，本實施例之塗覆膠體 溶液14之方法係為狳击 〆 一、 疋轉塗佈之方式（如第2圖之箭頭所

不）’其轉速約略為每八& ^乃鐘2200轉，且持續大約30秒，但 不限於此，亦可利用魅、 Λ W迷與時間來可控制膠體薄膜16均勻 度一厚度。並且’本於 ^明之塗覆方法不僅限於旋轉塗佈方 式’而亦可為一噴灑 ^ 1式、一網版印刷方式或一模具固定 方式·#具有均勻塗覆液 ★找， 吹體或流體之方式。另外，本實施例 之發光二極體12係料击 ± ^ 稽由覆晶或共晶結合等不需額外金屬 連線之電連接方式來蕾^ * _ 电性連接發光二極體12之導電墊（圖 未不）與基板10上之酋& %極（圖未示），但本發明不限於此，亦 可於發光二極體12矣a 1 Α ^ 双面塗覆膠體溶液14之步驟前先利用 打線方式將發光二極辦， & U表面之導電墊藉由金屬導線連 接至基板上之電極（圖未_ 然後，如第3圖所— 女柳mm ，進行一乾化製程。例如將塗覆 有膠體薄膜16之發朵 & q, 化〜極體置於攝氏25-60度之溫度下約 略2-7小時，並且再 ΟΛ 1CA Λ %订一烘烤製程，其溫度約略於攝氏 90-150度，且持續丨 小時，藉此可去除膠體薄膜16中之 1378575 溶劑部分，以於發光二極體丨2之表面上形成一具有複數個 第一孔洞18之第一多孔材料(porous material)層20。其中 第一多孔材料層20之材料包含有具有較低透水性之石夕氧 化合物，例如二氧化矽（Si〇2)或石英（siHca)等穩定性高之材 料，且第一多扎材料層20於波長介於400奈米至700奈米 之光穿透率係大於9〇%β值得注意的是，本實施例之各第 L洞18之孔住可藉由控制乾化製程與供烤製程之時間 • 與溫度條件以達騎欲形成之第-孔洞18之孔徑大小，且 各第一孔洞18之孔徑係小於2 〇 〇奈来。此外，如第3圖所 示，第一孔洞18之形狀較佳可為柱狀，且第一孔洞“係 皆平行於發光二極體12之表面，而第一孔洞18之垂直截 面之排列形狀係為-三角形。但本發明之第一孔洞亦不限 於此排列形狀，請參考第5圖，第5圖為本發明之第一孔 洞之排列形狀呈矩形排列之結構示意圖。如第5圖所示， _ 第一孔/同18之垂直截面之排列形狀亦可為一正方形等之 矩形。 接著，如第4圖所示，進行一高密度電聚化學氣相沉 積(HDPCVD)製程，並於進行沉積製程之沉積室中通入 石夕烧(sm4’ e)錢氣，以於各第—孔洞财分別以氣 相沉積的方式填入複數個第一奈米晶體24 料層二與第-奈米晶體24共同構成一第一榮光層％。其 中南密度電漿化學氣相沉積製程之溫度條件為攝氏 12 〇 500度域力為5_5〇毫托耳㈣㈣而電裝功率為 瓦並且，氫氣係持續通入至沉積室中，而矽烷則 為間歇陡通入至沉積室中，其中通入石夕烧之時間約為停止 通人1·5 t然後通入〇 5_3秒，且以此步驟重複進行，即可 於第-多孔材料層2〇之各第一孔洞18中形成第一奈采晶 體24。此外，在本實施例中，帛一多孔材料層20之厚度 為200乎米’此厚度有助於所通入之氣體藉由第一多孔 _材料層20之、，，。構縫隙進入第一多孔材料層之各第一孔 洞18中’而得以將第一奈米晶體24沉積於各第一孔洞 中’但本發明並不限於此厚度，以氣體可填入所有第一孔 5 18為主並且，藉由調整第一多孔材料層20之厚度可 控制填入第一多孔材料層20中第一奈米晶體24之數量。 此外’本較佳實施例之第一螢光層26可被激發出之螢 • 光波長範圍介於400奈米至700奈米，且第一螢光層26於 波長介於400奈米至700奈米之光穿透率係大於80%。由 於第一孔洞18中仍有有機物材料，如溴化十六浣基三曱基 銨、聚氧乙烯十六烷基醚以及三嵌段共聚物殘留於其中， 因此可再經0.5-3小時的氫氣電漿(50-300每分鐘標準毫升) 且於攝氏200-500度之環境下加以處理即可去除。至此即 可於發光二極體12表面上形成具有均勻分布之第一奈米 晶體24之第一螢光層26，因此完成本實施例之發光二極 體裝置28。為了更清楚本發明之第一奈米晶體係均勻分布 13 1378575 於第一螢光層中’請參考6圖與第7圖，第6圖為本發明 第一螢光層之垂直截面之穿透式電子顯微鏡影像圖，第7 圖為本發明第一螢光層之第一奈米晶體密度隨第一螢光層 之厚度之分布示意圖。如第6圖所示，第一奈米晶體24係 為具有晶格排列之奈米晶體，而第一螢光層26之第一孔洞 材料層20中具有均勻分布之第一奈米晶體24，且第一奈 米晶體係呈三角排列。並且’如第7圖所示，藉由二次離 子質譜儀（Secondary Ion Mass Spectrometer，SIMS)可測量 到從第一螢光層26之表面至表面下方80奈米處之第一奈 米晶體24的數量為一定值，亦即從表面至表面下方8〇奈 米間之第一螢光層26具有均勻之第一奈米晶體24之分布 密度。

請繼續參考第4圖。本發明將第一奈米晶體24填入第 一孔洞18中之方法並不限於高密度電漿化學氣相沉積製 程’而亦可為大氣壓化學氣相沈積(APCVD)製程、低壓化 學氣相沈積(LPCVD)製程或電漿輔助化學氣相沈積 (PECVd)製程等化學氣相沉積製程，沉積溫度係介於1〇〇 50(TC之間。並且，於本實施例中，由於通入之氣體 為石夕烷與氫氣，因此於第一孔洞18中所填入之第一〆 Λ %木曰日 祖24係為石夕奈米晶體（siiic〇n nanocryStai)，但本發明亦| 不以矽材料為限，因此亦可通入不同之氣體，以形戍所办 奈米晶體之材料。此外’第一奈米晶體24亦可為三五场 丄 37-8575 導體材料、二六族半導體材料、官能基或非金屬元素 中半導體材料可掺雜鎮、猛、鐵、鉻、絶、鎂、鋅、銘、' 錫、链等其它元素，且官能基可為醋酸根或苯環等， 金屬元素可為齒素、硫、鱗或鍺等元素。 值得注意的是，本發明所輻射之螢光波長可由第 洞材料層20之材料與第-孔洞18之孔徑大小，以及第‘ 奈米晶體24之材料與第一奈米晶體之大小所決定。由於第 二奈米晶體2 4之大小可由第一孔、洞18之孔徑大小來決 /疋’因此可依照所需之螢光波長，來調整對膠體薄膜^進 行之乾，製程與烘烤製程之時間與溫度條件，以達到所欲 形成之第孔〆同18之孔輕大小，進而於氣相沉積製程中製 作出具有所需之第—奈米晶體24大小’以完成所欲螢光波 長之第-螢光層26。此外，於氣相沉積製程中，形成於第 孔/同18中之第一奈米晶體24 t與第一孔洞材料層2〇產 生鍵結而於第一孔洞18中漸漸形成第-奈米晶體24。由 於不同之第-奈米晶體24之材料會與不同之第一孔洞材 料層20產生;}；同之分子間的鍵結，而具有不同之交互作用 力’由於不同之第一孔洞材料層2〇填入不同之第一奈米晶 體24材料可形成所欲勞光波長之第—勞光層％。因此， 藉由改變第-孔洞材料層2G之材料與第—孔洞18之孔徑 大J、以及第一奈米晶體24之大小或材料皆可達到調整波 長之目的。 15 1378575 由上述可知，本發明係利用先於發光二極體上形成具 有規則排列之孔洞之多孔材料層，再將奈米晶體之材料填 入多孔材料層之孔洞中，藉此可將奈米晶體均勻的排列於 螢光層中，以有效提升發光二極體裝置之顏色均勻度。此 外，本發明之多孔材料層具有大於90%之高透光率亦可避 免發光二極體所發出之光線於穿透習知螢光層時被膠體所 | 吸收而降低發光效率之影響，因而可提升發光二極體裝置 之發光效率。並且，本發明之奈米晶體之粒徑皆小於1〇〇 奈米，亦可避免習知螢光層對發光二極體所發出之光線產 生散射之問題。 綜合上述說明，本發明之製作發光二極體裝置之方法 可製作出一種發光二極體裝置，此發光二極體裝置28包含 有一基板10、一發光二極體12以及一覆蓋於基板10與發 • 光二極體12之第一螢光層26。但本發明之發光二極體裝 置並不限於具有單層之螢光層，為便於比較各實施例之異 同，下文所述之各實施例與前述第一較佳實施例使用相同 之元件符號標注相同之元件，且不再對相同結構作重覆贅 述。 請參考第8圖，第8圖為本發明第二較佳實施例之發 光二極體裝置之剖面示意圖。如第8圖所示，相較於第一 16 1378575 較佳實施例之發光二極體裝置，本實施例之發光二極體裝 置50另包含有至少一第二螢光層52。第二螢光層52可依 照上述形成第一螢光層之步驟且調整製程之條件加以形成 於第一螢光層26上。其中第二螢光層52包含有一具有複 數個第二孔洞54之第二多孔材料層56以及複數個分別設 置於第二孔洞54中之第二奈米晶體58。值得注意的是， 第二孔洞54之孔徑可不同於第一孔洞18之孔徑，或第二 φ 孔洞材料層56之材料亦可不同於第一孔洞材料層20之材 料，都使得第二螢光層52被激發出之螢光波長不同於第一 螢光層26被激發出之螢光波長，以助於本實施例之發光二 極體裝置50可有效具有多種色溫、色彩飽和度與演色性的 光線，亦即發光二極體裝置50所發出之光線可包含有較多 不同波長。此外，形成第一奈米晶體24之材料亦可不同於 形成第二奈米晶體之材料，或第一奈米晶體24之大小不同 於第二奈米晶體之大小，亦將使得第二螢光層被激發出之 螢光波長不同於第一螢光層被激發出之螢光波長。另外， 本發明亦可為了增加具有第一螢光層26特性之螢光層厚 度，而於第一螢光層26上再形成與第一榮光層26具有相 同螢光特性之第二螢光層52，可藉此方法調整所需形成之 螢光層厚度，以增加螢光層被激發出之螢光強度。 此外，本發明並不限於僅具有單一發光二極體設置於 基板上，而可具有複數個發光二極體設置於基板上。請參 17 1378575 考第9圖，第9圖為本發明第三較佳實施例之發光二極體 裝置之剖面示意圖。如第9圖所示，相較於第二較佳實施 例之發光二極體裝置，本實施例之發光二極體裝置60包含 有複數個發光二極體12，設置於基板10上。 另外，本發明之螢光層亦不限於直接製作於發光二極 體裝置之表面上，請參考第10圖，第10圖為本發明第四 較佳實施例之發光二極體裝置之剖面示意圖。如第10圖所 示，本實施例之發光二極體裝置70包含有一具有複數個溝 槽72之基板74、複數個分別設置於各溝槽72之發光二極 體12、一設置於溝槽72内且覆4各發光二極體12之第一 透光材料層78、一設置於第一透光材料層78上且填平各 溝槽72之第二透光材料層80以及一覆蓋於基板74與第二 透光材料層80之螢光層82，與上述實施例之不同處在於 發光二極體12與螢光層82之間係設置有第一透光材料層 78與第二透光材料層80。第一透光材料層78與第二透光 材料層80可為摻雜螢光粉之螢光膠體或為透明膠體，而值 得注意的是，由於螢光層82之折射率約為1.2 ’因此第一 透光材料層78之折射率需介於1.2至1.7之間’且第二透 光材料層80之折射率亦需小於第一透光材料層78之折射 率，以降低從發光二極體12所發出之光線於經過第一透光 材料層78與螢光層82之間產生全反射之光線量。此外’ 本發明之第二透光材料層80並不限為摻雜螢光粉之螢光 18 膠體，第二透光材料層80亦可為具有孔洞材料層與奈米晶 體之螢光層。 本發明之螢光層並不限覆蓋於基板上，亦可填於溝槽 中。請參考第11圖，第11圖為本發明第五較佳實施例之 發光二極體裝置之剖面示意圖。如第11圖所示，相較於第 四較佳實施例之發光二極體裝置，本實施例之發光二極體 裝置100之螢光層82係填於各溝槽72中且設置於第二透 光材料層80上。本實施例並不限於此，而螢光層82與第 二透光材料層80之堆疊位置亦可互換，或者，螢光層82 與第二透光材料層80皆為具有孔洞材料層與奈米晶體之 螢光層。 綜上所述，本發明之發光二極體裝置及其製作方法具 有以下幾點優點： 一、 本發明藉由先形成多孔材料層中之孔洞排列結構，然 後再於均勻分布的各孔洞中填入奈米晶體’以控制奈米 晶體分布在螢光層中之均勻度，因此發光二極體發出的 光線與奈米晶體發出的螢光所混合而成的白光或其他 顏色光皆可均勻分佈，所以儘管多晶粒或晶粒陣列直接 封裝於一電路板的結構仍可保持均勻之顏色。 二、 本發明可藉由控制乾化製程與烘烤製程之時間與溫度 條件來控制孔洞之孔徑大小’藉此孔洞之孔徑大小可控 19 1378575 制奈米晶體之尺寸大小，因而可決定奈米晶體吸收光線 後所輻射出的螢光波長。或是藉由控制多孔材料層之材 料種類，以及控制奈米晶體之材料種類以改變奈米晶體 與孔洞材料層間之分子鍵結，進而使螢光層可幅射出不 同之螢光波長。因此，搭配單層或多層之螢光層可有效 組合不同色溫、色彩飽和度與演色性的光線。 三、由於多孔材料層以及螢光層皆具高光穿透率，可降低 光線被散射之機率，且可避免光線被再吸收效應，因而 可提高發光效率。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請 專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範 圍。 【圖式簡單說明】 ® 第1圖至第4圖為本發明第一較佳實施例之發光二極體裝 置之製作方法流程示意圖。 第5圖為本發明之第一孔洞之排列形狀為正方形之結構示 意圖。 .第6圖為本發明第一螢光層之垂直截面之穿透式電子顯微 鏡影像圖。 第7圖為本發明第一螢光層之第一奈米晶體密度隨第一螢 光層之厚度之分布示意圖。 20 1378575 第8圖為本發明第二較佳實施例之發光二極體裝置之剖面 示意圖。 第9圖為本發明第三較佳實施例之發光二極體裝置之剖面 示意圖。 第10圖為本發明第四較佳實施例之發光二極體裝置之剖 面示意圖。 第11圖為本發明第五較佳實施例之發光二極體裝置之剖 面示意圖。 【主要.元件符號說明】 10 基板 12 發光二極體 14 膠體溶液 16 膠體薄膜 18 第一孔洞 20 第一多孔材料層 22 沉積室 24 第一奈米晶體 26 第一螢光層 28 發光二極體裝置 50 發光二極體裝置 52 第二螢光層 54 第二孔洞 56 第二多孔材料層 58 第二奈米晶體 60 發光二極體裝置 70 發光二極體裝置 72 溝槽 74 基板 78 第一透光材料層 80 第二透光材料層 82 螢光層 100 發光二極體裝置 21

Claims (1)

1378575 十、申請專利範圍： 1. 一種發光二極體裝置之製造方法，其包含有： 提供一基板與至少一設置於該基板上之發光二極體； 於該發光二極體之表面上形成一具有複數個孔洞之多 孔材料層；以及 於該等孔洞中填入複數個奈米晶體，以形成一螢光層於 該發光二極體之表面上。 2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置之製造方 法，其中形成該多孔材料層之步驟，包含有： 提供一膠體溶液； 於該發光二極體之表面上塗覆該膠體溶液；以及 進行一乾化製程，使該膠體溶液成為該多孔材料層。 3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體裝置之製造方 法，其中形成該膠體溶液之步驟包含有： 混合複數種有機材料與複數種無機材料，以形成一混合 溶液；以及 加熱該混合溶液，以形成該膠體溶液。 4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置之製造方 法，其中該多孔材料層之材料包含有矽氧化合物。 22 :，==項:述之發光二極體裝置之製造方 -化學氣相沉積製：:填入該等奈米晶體之步驟係利用 法，星等孔 極體裝置之製造方 ，、中於該專孔洞中填入該等奈 條件介於度

、、如申％專利|&圍第〗項所述之發光二極體裝置之製造方 =一其t該等奈米晶體係選自⑦、三五族半導體材料以 及二六族半導體材料。 8· 一種發光二極體裝置，其包含有： 至少一發光二極體； 一第一多孔材料(porous material)層，設置於該發光二極 體上，該第一多孔材料層具有複數個第一孔洞，·以及 複數個第一奈米晶體，設置於該等第一孔洞中，且各該 第一奈米晶體之粒徑係小於各該柱狀孔洞之孔徑。 9.如申請專利範圍第8項之發光二極體裝置，其中各該第 —孔洞係為柱狀。 1〇.如申請專利範圍第9項之發光二極體裝置，其中該等 23 11 第 —孔洞係互相平行於該發光二極體之表面。 .如申請專利範圍第10項之發光二極體裝置，其中該等 第一孔洞之垂直截面呈三角排列。 12 •如申請專利範圍第10項之發光二極體裝置，其中該等 第孔洞之垂直截面呈矩形排列。 13 » ’如申請專鄉圍第8項之發光二極體I置，其中各該 第—孔洞之孔徑小於200奈米。 4二如申請專利範圍第8項之發光二極體裝置，其中該發 “極體所發出之光波長範圍介於380奈米至5〇〇奈米。 15一，申請專利範圍第8項之發光二極體裝置，其中該第 芦夕孔材料層與該等第-奈米晶體係構成-第-螢光 二且4第—螢光層被激發出之螢光波長範圍介於4〇〇 不米至700奈米。 16至!^請專利範圍第15項之發光二極體裝置，另包含有 光層’該第二螢光層包含有—具有複數個 ’同之第一多孔材料層以及複數個設置於該等第二 孔洞中之第二奈米晶 24 1378575 置，其中各該 第 18·如申請專利範圍第16 笛士、 尤一極體裝置，其中兮堃 苐―不米日《係不同於該等第二奈 4 19·如中請專利範圍第8項之發光二 一第-透光材料層1置於該發光二極體㈣第=有 材料層之間，且該第-透光材料層之折料介於12夕【 1 ·7 〇 20.如申請專利範圍第19項之發光二極體裝置另包含有 至少一第二透光材料層，設置於該第一透光材料層與該 第一多孔材料層之間，且該第二透光材料層之折射率係 小於該第一透光材料層之折射率。 十一、圖式： 25