TWI376754B - Automatic level adjustment for die bonder - Google Patents
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Description
1376754 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及電子器件裝配或封裝過程中的晶粒鍵合,其中半導體晶 粒被貼附到鍵合表面,如襯底。 【先前技術】 傳統意義上,以半導體晶粒或積體電路形式存在的半導體器件被內置 • 於封裝件中。封裝件提供了各種重要的功能,如保護器件避免受到機械和 化學損壞。同時其也是互連具有下述封裝水平的器件的橋梁。晶粒貼附是 • 包含于封裝工藝中多個步驟中的一個,其中晶粒被放置和貼附于形成在載 . 體或襯底上的晶粒焊盤上。將晶粒貼附在晶粒焊盤上具有各種各樣的方 法,例如通過使用環氧樹脂和粘合樹脂作爲粘合劑以將器件粘合在焊盤 上,或者在完成焊料回流工藝以前,衝壓焊盤上的焊劑和在晶粒的後表面 使用焊料將晶粒放置在該焊劑上。 一種日益廣泛使用的方法是使用塗抹有焊料的晶粒後表面直接將晶粒 安裝到加熱的襯底上。當焊料和加熱的襯底接觸時,焊料將會融化,同時 焊接形成於該襯底上。由於晶粒上的焊料通常是由低共溶合金的混合物製 •成,所以這種方法普遍被稱之爲共晶焊(eutectic die bonding)。 和純金屬相比,共晶焊充分利用了低共熔合金的溶點較低的優點。襯 • 底的溫度應該升高到晶粒後表面處焊料的熔點之上,以便於當器件和晶粒 • 焊盤相接觸時焊料立即熔化。當接下來襯底冷卻的時候,金屬焊接 (metallurgical bond)將會形成在晶粒後表面和襯底的焊盤之間。對應 於環氧樹脂焊接,共晶焊的部分優點包括:較高的適合於晶粒的服務溫度, 晶粒和襯底之間的良好的熱/電傳導性,以及較高的可靠性。 圖1是處於待命條件下的贿晶粒鍵合裝置1〇〇的側視示意圖。晶粒 鍵合裝置1〇〇通常包括兩個主要的部件,即:鍵合臂架102和鍵合臂1〇4。 鍵合臂104通過滑動機構連接到鍵合臂架! 〇2上,以便^鍵合臂丨〇4可相 對於鍵合臂架102移動。夾體1〇6被裝配到鍵合臂1〇4上,以通常使用真 5 1376754 .空吸力固定晶粒,並將其鍵合到鍵合表面上。 鍵合臂架102被驅動來進行上下的Z方向移動108,以將鍵合臂104和 夾體106朝向或背離鍵合表面移動。鍵合臂104最好被預加負載,以通過 夾體1〇6施加一個向下的鍵合力在位於鍵合表面的晶粒上,不過其被配置 有用於克服預載力的向上的Z方向移動106,此時夾體106和相對岡!J性的表 面相接觸。當夾體106和剛性的鍵合表面相接觸的時候’鍵合臂104將會 開始相對於鍵合臂架102向上移動110,同時鍵合臂架102會朝向鍵合表面 更進一步移動。 晶粒鍵合裝置100還包括接觸感測器110,該接觸傳感器具有分別安裝 在鍵合臂架102和鍵合臂104上的分開獨立的部件。接觸感測器110的分 • 開獨立的部件在晶粒鍵合裝置1〇〇的待命位置處是相互接觸的。一旦由夾 體106所固定的晶粒接觸到剛性表面,和鍵合臂104經歷相對於鍵合臂架 - 1〇2的向上移動110,接觸感測器110的部件分開和接觸得以偵測。 . 圖2是完成鍵合時的圖1中現有晶粒鍵合裝置100的側視示意圖。夾 體1〇6固定有晶粒,該晶粒將要被鍵合在鍵合表面116上。鍵合臂架 102朝向預設定的鍵合水平面降低鍵合臂104,而晶粒114著陸於鍵合表面 上。當晶粒114和剛性的鍵合表面接觸的時候,接觸感測器112的部件被 分離,而晶粒和鍵合表面116的接觸得以感測。在晶粒114和鍵合表面116 接觸時,鍵合臂架102將會朝向鍵合表面116更進一步輕微移動,以便於 使用鍵合臂104上的預加負載而在晶粒114上施加鍵合力。使用這種鍵合 • 力,晶粒114被鍵合在鍵合表面116上。應該注意的是,接觸感測器112 部件的分隔距離在圖2中被放大,以僅僅便於闡述。 • 現有的晶粒鍵合裝置1〇〇使用開環系統,其沒有使得鍵合水平控制在 . 鍵合過程中成爲可能的回饋控制。“鍵合水平”意味著鍵合過程中鍵合臂 架102所在的水平面’以便於在鍵合過程中晶粒114使用預定的鍵合力和 鍵合表面116接觸。一旦當設定晶粒鍵合裝置1〇〇進行鍵合的時候,鍵合 水平才得以調整。在鍵合水平被確定和設定之後,在晶粒鍵合裝置100的 整個連續運行過程中它將不會重新被調整。 然而,尤其是對於使用熱量熔化晶粒上的焊料的共晶焊而言,夾體末 端的水平相對於預設定的鍵合水平通常出現漸漸的變化,其歸究于諸如夾 體本體的熱膨脹或夾體末端的磨損等原因。如果鍵合水平保持不變,在連 6 1376754 續作業過程中不同的夾體末端的水平引起夾體106朝向襯底鍵合表面116 不同的靠近速度,並且在鍵合過程中這引起作用在晶粒114和夾體106自 身上不同的衝擊力。 圖3是當鍵合臂架102移動來將晶粒鍵合到鍵合表面116時表明鍵合 臂架102高度隨時間變化的曲線示意圖。在圖中,當夾體106將晶粒114 降低在鍵合表面116上時,鍵合臂架102相對於鍵合表面116的高度減小。 正如不斷減小的曲線斜率所示,當夾體106靠近鍵合表面116時鍵合臂架 102的靠近速度減小。在接觸點118處,晶粒114和鍵合表面116相接觸。 然後進行Z方向的向內驅動(drive-in),以進一步降低鍵合臂架102,如 降低一個AD,以便於施加鍵合力於晶粒114上。 • 對於傳統的晶粒鍵合裝置1〇〇而言,如果夾體1〇6的物理特性發生變 化,例如如果夾體106的主艇伸,那麽預設的鍵合水平將不再是優選的。 • 例如,如圖3所示,如果夾體106由於熱膨脹延伸了 △ L,反過來那麽晶粒 . 114將會在接觸點120和鍵合表面接觸。在接觸點120處,鍵合臂架102的 靠近速度比在接觸點118處的速度快。這意味著當晶粒114接觸鍵合表面 116時衝擊力更大,而這增加了夾體106和/或晶粒114損壞的風險。 而且,由於夾體106延伸了 AL,實際的Z方向的向內驅動增力π到AD + Δί,其所施加的鍵合力比設置裝置1〇〇時假想的鍵合力大。這可能反過 來影響鍵合質量,同時預見偏差的實際大小以適合它也是困難的。 因此,這種現有的晶粒鍵合裝置的缺點是:在衝擊力方面的不期望的 • 偏差可能引起夾體和/或晶粒損壞,由於夾體1〇6的障礙或晶粒的缺失,這 可進一步引起鍵合停止。這些導致了生産總量的降低。 - 同樣,巨大的衝擊力導致夾體壽命更短暫,這需要在生産過程中更加 • 頻繁地替換夾體。同時,這也影響了生産總量,並提高了生産成本。而且’ 在連續鍵合過程中夾體端部有效位置的不可控的變化引起許多問題’如動 態變化和不可預測的鍵合質量,熔濕(wetting) ’弱的晶粒剪切強度,以 及甚至是碎裂的晶粒。 【發明内容】 本發明的目的在於提供一種晶粒鍵合的方法和裝置,其在運行過程 中,能根據夾體末端的物理特性的變化’自動地完成對鍵合水平的變化。 7 1376754 .因此,一方面,本發明提供一種晶粒鍵合裝置,其包含有:鍵合臂架, 其被驅動到鍵合水平上,以將晶粒定位在鍵合表面上;可滑動的鍵合臂, 其被安裝在鍵合臂架上,以固定和鍵合晶粒,一旦晶粒在鍵合表面接觸, 鍵合臂被設置來在鍵合表面附近被驅動以相對於鍵合臂架移動;測量設 備,其用於確定在鍵合期間鍵合臂相對於鍵合臂架所移動的距離;以及控 制器,其回應於測量設備所確定的距離,以改變鍵合臂架被驅動到的鍵合 水平。 第二方面,本發明提供一種在鍵合表面上鍵合晶粒的方法,該晶粒由 鍵合臂所固定,該鍵合臂可滑動地安裝在鍵合臂架上,以便於一旦晶粒在 鍵合表面接觸,該鍵合臂在鍵合表面附近被驅動而相對於鍵合臂架移動, 該方法包含有以下步驟:設定鍵合臂架被驅動到的鍵合水平,以將晶粒定 • 位在鍵合表面上;以鍵合臂相對於鍵合臂架移動的方式將晶粒鍵合到鍵合 表面;確定在鍵合期間鍵合臂相對於鍵合臂架所移動的初始距離;在後續 - 的鍵合操作中,以鍵合臂相對於鍵合臂架移動的方式,通過驅動鍵合臂架 到所述的鍵合水平鍵合另一個晶粒;確定在該後續的鍵合操作期間鍵合臂 ' 相對於鍵合臂架所移動的當前距離;以及然後計算鍵合臂所移動的初始距 離和當前距離的差値,並根據所述的差値調整該鍵合水平。 參閱後附的描述本發明實施例的附圖,隨後來詳細描述本發明是很方 便的。附圖和相關的描述不能理解成是對本發明的限制,本發明的特點 限定在申請專利範圍中。 【實施方式】 圖4是根據本發明較佳實施例所述的晶粒鍵合裝置10的側視示意圖,其 中其鍵合臂14和其鍵合臂架12相互分離。一夾體16被安裝在鍵合臂14上以 固定晶粒,較佳地是使用真空吸力。鍵合臂14被設置來通過滑動機構相對 於鍵合臂架12滑動。鍵合臂架12可驅動到一鍵合水平以將晶粒定位在鍵合 表面。一旦晶粒在鍵合表面接觸,鍵合臂14被設置來在鍵合表面附近被驅 動(urge)而相對於鍵合臂架12移動。 鍵合臂14較佳地包含有提供預載力的預載機構,以朝向一參考位置處 偏置該鍵合臂,在該參考位置處由鍵合臂14相對於鍵合臂架12所移動的距 離爲零。該預載機構也被操作來通過鍵合臂14和夾體16在設置於鍵合表面 上的晶粒上施加向下的鍵合力。 晶粒鍵合裝置10也包含有測量設備,如編碼器,其包含有編碼器閱讀 8 1376754 頭(reading head) 18和光柵尺(optical grating scale) 20。該測量設備被 用來確定鍵合期間由鍵合臂14相對於鍵合臂架12所移動的距離。編碼器閱 讀頭18被安裝在鍵合臂架12上,而光柵尺20被安裝在鍵合臂14上,或者二 者相反。當鍵合臂14相對於鍵合臂架12移動時,編碼器閱讀頭18通過參考 光柵尺20上的標記將確定鍵合臂14所移動的距離。 晶粒鍵合裝置10還包括接觸感測器22,該接觸感測器包含有兩個獨立 的部件,一個部件安裝在鍵合臂架12上,另一個部件安裝在鍵合臂14上。 其被操作來感測夾體16所固定的晶粒和相對剛性的表面相接觸的瞬間,該 剛性表面克服了鍵合臂Η中的預載力。 圖5是圖4中的晶粒鍵合裝置10的側視示意圖,此時該晶粒鍵合裝置固 φ 定有晶粒24和準備將晶粒24鍵合到鍵合表面26。鍵合臂14是如此安裝在鍵 合臂架12上以致於編碼器閱讀頭18能夠讀到光柵尺20上的標記。 接觸感測器22的獨立部件相互接觸,而鍵合臂14相對於鍵合臂架12被 ' 預載,以便於接觸感測器22的部件保持接觸直到它們被外力分開。當設定 - 鍵合水平時,接觸感測器22扮演識別鍵合臂架12的鍵合水平的角色,在該 鍵合水平上,晶粒24剛好接觸鍵合表面26 〇然後鍵合水平能夠被規定爲這 種接觸水平加上附加的Ζ方向的向內驅動,在完成和鍵合表面26的接觸之後 通過該Ζ方向的向內驅動鍵合臂架12向下移動一段較遠的距離(例如AD)。 爲了將晶粒24鍵合到鍵合表面26上,鍵合臂架12向下降低到預先設定的鍵 合水平。 圖6是執行鍵合時的圖5中晶粒鍵合裝置10的側視示意圖。晶粒24正被 • 夾體16壓靠在鍵合表面26上,而鍵合臂架12的進一步向下移動28引起鍵合 臂14相對於鍵合臂架12向上移動30。在鍵合臂14相對於鍵合臂架12移動的 • 位置點,接觸感測器22的部件分開,晶粒24在鍵合表面26的接觸得以感測。 - 當在配置期間使用特定的Z方向向內驅動値來設定晶粒鍵合裝置1〇的 鍵合水平時,位置編碼器記錄光柵尺20上相應的標記以確定該位置處初始 位置編碼器的數値。在鍵合操作過程中,和光柵尺20上的標記相應的最近 的位置編碼器的數値被再次確定,並和初始位置編碼器的數値進行比較。 在每次的鍵合周期中,位置編碼器也能記錄等同於當前Z方向向內驅動値的 當前位置編碼器的數値。 和初始位置編碼器的數値相比較,一旦位置編碼器監測到當前Z方向向 內驅動値的差値,那麽主控制系統的控制器將會通過設定鍵合水平在一個 9 1376754 由該所獲得的差値確定更高或更低的水平來重新調整鍵合水平,以便於對 於後續的鍵合操作而言保持當前z方向向內驅動値和預先設定的距離(例如 △ D)相同。 使用上述裝置進行自動鍵合水平的調整的演算法描述於圖7中,圖7是 根據本發明較佳實施例所述的晶粒鍵合裝置10在該鍵合裝置10的運行過程 中用於即時改變其鍵合水平的示範性演算法。在操作以前必須首先設定鍵 合水平和確定在所述的鍵合水平上初始的Z方向向內驅動的位置編碼器數 値40 〇這通過使用閱讀編碼器閱讀頭18閱讀光柵尺2〇上的標記從位置編碼 器中獲得。 在操作過程中’當晶粒24被鍵合到鍵合表面26上時,當前的Z方向向內 φ 驅動的位置編碼器的數値被獲得42。然後控制器確定當前位置編碼器的數 値和預先設定的初始位置編碼器的數値之間的差値44,如果存在,這種顯 示夾體16的物理變化或其他變化的差値可能影響在預設定的鍵合水平處鍵 合臂14相對於鍵合臂架12的位置。如果控制器檢測到當前的位置驅器數 - 値和初始的位置編碼器數値之間的差値,那麽控制器使用這些差値更新鍵 合水平46 〇因此’如上所述,實際的z方向向內驅動的距離被保持在所需的 水平。 在另一個可選的實施例中,包含有編碼器閱讀頭18和光柵尺20的編碼 器能被應用來監測當鍵合臂14相對於鍵合臂架12移動時夾體16和晶粒24之 間的接觸。分離式的接觸感測器22然後就沒有必要了。簡單的止位器可以 被用來替代以確定鍵合臂14的就緒(待命)位置,並且任何表明接觸的相 ® 對移動能被編碼器所監測。 上述的演算法也能被應用在由於夾體16的磨損夾體變得更短的情形。 * 當夾體16被磨損後,位置編碼器將會監測一個較低的Z方向向內驅動的距離 . (在上述的實例中,實際的Z方向向內驅動小於△ D)。然後,控制器通過驅 動鍵合臂架12更低至所監測的差値而將鍵合水平更新,這樣以保持Z方向向 內驅動的數値而進行後續的鍵合操作。 因此,本發明實施例所述的晶粒鍵合裝置採用了回饋控制技術以避免 現有技術所出現的問題。該裝置10通過改變鍵合臂架12的鍵合水平自動重 新調整預先設定的鍵合水平,而進行下一個晶粒的鍵合,以便於爲後續的 晶粒保持正確的鍵合的Z方向向內驅動的環境條件。其結果是鍵合更力口準 確,並有助於避免對夾體16和晶粒24的損壞。 10 1376754 値得注意的是,夾體較小的損壞自然會改良夾體β的使用壽命。這降 低了生産成本和提高了生産量。通過控制晶粒貼附工序的鍵合力同樣該裝 置10也變得更加富有活力,以致於它較爲容易地保持鍵合質量和避免諸多 難題,如熔濕、弱的晶粒剪切強度和晶粒碎裂。 而且,因爲在連續的鍵合過程中鍵合水平是自動的重新調整的,所以 由於無需停止_合以重新調整鍵合水平而不犧牲産量。尤其對於環氧樹脂 鍵合工序,位置編碼器的即時監控功能能夠更加有助於控制介面厚度 (BLT : Bond Line Thickness) ’尤其是介面厚度BLT的任何變化。同樣即 時控制也意味著鍵合臂模組和夾體本體的機械材料方面要求較少’以減少 熱膨脹的可能性和程度。 此處描述的本發明在所具體描述的內容基礎上很容易産生變化、修正 和/或補充,可以理解的是所有這些變化、修正和/或補充都包括在本發明 的上述描述的精神和範圍內。
1376754 【圖式簡單說明】 根據本發明所述的晶粒鍵合裝置的範例現將參考附圖加以描述,其中: 圖1是處於待命條件下的現有晶粒鍵合裝置的側視示意圖。 圖2是執行鍵合時的圖1中現有晶粒鍵合裝置的側視示意圖。 圖3是當鍵合臂架移動來將晶粒鍵合到鍵合表面時表明鍵合臂架高度 隨時間變化的曲線示意圖。 圖4是根據本發明較佳實施例所述的晶粒鍵合裝置的側視示意圖,其中 其鍵合臂和其鍵合臂架相互分離。 圖5是圖4中的晶粒鍵合裝置的側視示意圖,此時該晶粒鍵合裝置固定 有晶粒和準備將晶粒鍵合到鍵合表面。 圖6是執行鍵合時的圖5中晶粒鍵合裝置的側視示意圖。 圖7是根據本發明較佳實施例所述的晶粒鍵合裝置在該鍵合裝置的運 行過程中用於即時改變鍵合水平的示範性演算法。 【主要元件符號說明】 10晶粒鍵合裝置 12鍵合臂架 Η鍵合臂 16夾體 18編碼器閱讀頭 20光栅尺 22接觸感測器 24晶粒 26鍵合表面 28向下移動 30向上移動 40 .設定鍵合水平和獲得初始的Ζ方向向內驅動的數値 42將晶粒鍵合到鍵合表面和獲得當前的Ζ方向向內驅動的數値 44當前數値=初始數値 12 1376754 46 Z方向向內驅動的數値 1〇〇晶粒鍵合裝置 102鍵合臂架 104鍵合臂 106夾體 108 Z方向移動 110向上移動 112接觸感測器 114晶粒 116鍵合表面 118接觸點 120接觸點
13
Claims (1)
1376754 、申請專利範圍: 卜一種晶麵合裝置,其包含有: ^胃到鍵合水平上’以將晶粒定位拽合表面上; 可滑動的鍵合臂,其被安裝在鍵合臂架上,以固定和鍵合晶粒, 一旦晶粒在鍵合表面接觸,鍵合臂被設置來在鍵合表面附近被驅動 以相對於鍵合臂架移動; 測量設備,其用於確定鍵合臂架被驅動到鍵合水平時,其鍵合臂 相對於鍵合臂架所移動的距離;以及 '
控制器’其回應於測量設備所確定的距離,以調整鍵合水平使 鍵合臂架被驅動到每一後續晶粒之鍵合期間,當鍵合每一後續晶粒 時’其鍵合臂架被驅動至被調整的鍵合水平。 2、如申請專利範圍第1項所述的晶粒鍵合裝置,其中,該測量 設備包括編碼器。 3、 如申請專利範圍第2項所述的晶粒鍵合裝置,其中,該編碼 器运包含有編碼器閱讀頭和光概尺,它們分別安裝在鍵合臂和鍵合臂 架上》 4、 如申請專利範圍第1項所述的晶粒鍵合裝置,該裝置還包含 有: 接觸感測器’其安裝在鍵合臂上,以確定晶粒和鍵合表面接觸的時刻。
ίψ 5、 如申請專利範圍第1項所述的晶粒鍵合裝置,該裝置包含有: 預載機構,其用於將鍵合臂朝向一參考位置偏置,在該參考位置處, 鍵合臂相對於鍵合臂架所移動的距離爲零。 6、 一種在鍵合表面上鍵合晶粒的方法,該晶粒由鍵合臂所固定, 該鍵合臂可滑動地安裝在鍵合臂架上,以便於一旦晶粒在鍵合表面接 觸,該鍵合臂在鍵合表面附近被驅動而相對於鍵合臂架移動,該方法 包含有以下步驟: (a)設定鍵合臂架被驅動到的鍵合水平,以將晶粒定位在鍵合表 面上; (b) 以鍵合臂相對於鍵合臂架移動的方式將晶粒鍵合到鍵合表 面; (c) 當鍵合臂架已被移動至鍵合水平時,確定鍵合臂相對於鍵合 臂架所移動的初始距離; 14 1376754 (£〇在後續的鍵合操作中’以鍵合臂相對於鍵合臂架移動的方 式,通過驅動鍵合臂架到所述的鍵合水平鍵合另一個晶粒; (e) 確定在該後續的鍵合操作期間鍵合臂相對於鍵合臂架所移動 的當前距離; (f) 然後計算鍵合臂所移動的初始距離和當前距離的差値,並根 據所述的差値調整該鍵合水平;以及 (g) 重覆前述步驟⑸至⑺,供後續的晶粒鍵合到鍵合表面。 7、如申請專利範圍第6項所述的方法,該方法還包含有以下步驟: 通過監測鍵合臂相對於鍵合臂架的移動,監測晶粒在鍵合表面的 接觸。 8、如申請專利範圍第6項所述的方法,該方法還包含有以下步 驟: 使用接觸感測器監測晶粒在鍵合表面的接觸,該接觸感測器被安 裝以便於感測鍵合臂和鍵合臂架之間的相對移動。 9'如申請專利範圍第6項所述的方法,該方法還包含有以下步 驟: 在鍵合臂上産生預加負載’以將該鍵合臂朝向一參考位置偏置, 在該參考位置處’鍵合臂相對於鍵合臂架所移動的距離爲零® 15
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