TWI375103B - Liquid crystal display device of in-plane switching mode and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

1375103 / r 101年6月20曰替換頁 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液晶顯示裝置，尤其係關於一種平面扭轉 模式之液晶顯示裝置及其製造方法，係可改善液晶顯示裝置的透 射比及對比率。 【先前技術】 Φ 液晶顯示裝置係藉由調整液晶單元的光透射比而得以顯示影 像，而液晶顯示裝置根據液晶分子的排列而具有相當多種類型。 . 舉例而言’液晶顯示裝置具有扭曲向列型(twisted nematic，TN)之 , 型態，係以一垂直電場控制液晶控制器，以及在平面扭轉模式下， 以一水平電場控制液晶控制器。 扭曲向列型液晶顯示裝置係以垂直電場驅動液晶單元，其垂 直電場係形成於設置在相互面對之上基板與下基板的畫素電極及 # 共通電極之間。扭曲向列型液晶顯示裝置具有大開口率的優點， 但亦具有觀看角度過小的缺點。 平面扭轉模式之液晶顯示裝置包括有一彩色濾光片陣列基板 及相面對之一薄膜陣列基板’並於彩色濾光片陣列基板與薄膜陣 列基板之間設置有一液晶層。彩色濾光片陣列基板包括有用以防 止光)¾漏的黑色矩陣，及用以過滤'色彩至黑色矩陣的一彩色淚光 層。薄膜陣列基板包括有複數條閘極線及資料線，以定義出多個 單元晝素’薄膜電晶體係形成於閘極線與資料線之交錯區域，而 101年6月20日替換頁 共通電極與晝素電極係、以相互平行的關係設置，並產生—水平電 場。 藉由使用共通電極與畫素電極所產生之水平電場來驅動液晶 早疋’使得平面扭轉模式之液晶顯示襄置具有相當優良的觀賞視 如「第1圖」所示，水平電場型之液晶顯示裝置包括有薄膜 電晶體陣列10及相面對之彩色遽光片陣列15，而液晶9係介於薄 膜電晶體_ 1G及彩色濾光片_ 15之間。彩色遽光牌列15 i 包括有依序形成於上基板！之黑色矩陣3、彩色遽光片5、及保護 層7°黑色矩陣3伽以防止統韻以及與相鄰彩色滤光片5 之間的光干涉，複數_色舰# 5包含紅色就#、綠色濾光 片、及藍色濾光片，光線係穿過彩色濾光片5以表現出色彩。保 遵層7用以令具有黑色矩陣3及彩色濾光片5的上基板1平面化。 薄膜電晶體陣列1〇包括有複數條閘極線12及複數條資料線< 14 ’間極線12與資料線14係相互交錯地設置於下基板η，以定 義出複數個晝素區域。複數個薄膜電晶體（thin fllm ，TFT) 係分別連接於閘極線12及資料線14，而畫素電極18係連接於薄 膜電晶體’共通電極19係平行於晝素電極18，且複數條共通線 16係連接於共通電極19。 薄膜電晶體提供資料信號自資料線14傳輸至畫素電極18，以 回應自閘極線12的閘極信號。一電場形成於畫素電極18與共通 1375103 、 L 101年6月20 梓可 電極19之間，其中晝素電極18具有自薄膜電晶 信號，共通電極19具有自共通線16提供之參考電壓。畫素電極 18與共通電極19可形成於不同層中或是同一層中，若是書素電極 18與共通電極19形成於不同層’共通電極19係連接於共通線μ， 且共通線16提供共通電極19參考電壓。另一方面，若是畫素電 極18與共通電極19形成於同-層’共通電極19係藉由露出共通 • 線16之接觸孔而與共通線16相連接，且共通線16提供共通電極 19參考電壓。 若是一電場形成於晝素電極18與共通線16之間，液晶9將 • 藉由電場而被旋轉，而液晶9的旋轉係根據資料信號而被控制。 一上極化板2a及一下極化板2b係分別貼附於上基板1之外 表面及下基板11之外表面，以於一特定方向傳遞光震動。通常來 說’上極化板2a之傳遞軸X及下極化板2b之傳遞軸y係相互垂 φ 直。 極化板2a、2b之傳遞軸X、y與液晶9的初始排列狀態係為 決定液晶顯示裝置之顯示模式的因素。通常來說，平面扭轉模式 之液晶顯示裝置具有正常的黑色模式(blackmode)，於電場未形成 時用以顯示螢幕的黑色部分。 若是一正常黑色模式且電場形成於晝素電極18與共通電極 19之間時，液晶9係與電場相互平行。如此一來，液晶9以一大 於特定角度之角度而被驅動，而此一特定角度係來自影響透射率 1375103 101年6月20日替換頁 之電場的初始排列狀態。光線穿透過與電場平行之液晶9並主要-穿過下極化板2b以表現出漸進性。然而，由於穿透過液晶9的部 分光線無法穿過下極化板2b ’因此是不可能影響平面扭轉模式之 液晶顯示裝置的透射率。由於畫素電極18、共通電極19、極共通 線16的結構特性’使得電場在一確定區域的非期望方向產生，因 此液晶9無法影響透射率。 「第2A圖」及「第2B圖」所示為電場形成於非期望方向的 放大示意圖。另外，於「第2A圖」及「第2B圖」中，電場的方着 向由雙箭頭(㈠)表示。 請參閱「第2A圖」及「第2B圖」，晝素電極18與共通電極 19包括有一些形成於晝素區域且相互平行的指i8a、。同時， 為了讓訊號應用於晝素電極指l8a及共通電極指19a，因此提供連 接部位疋必要的，而連接部位係垂直形成於各自電極的指I%、 19a ’以連接各自電極之指18a、19a及提供信號。 舉例而言’如「第2A圖」所示’畫素電極18與共通電極19 ^ 可形成於同一層中。如此，畫素電極18包括-些晝素電極指池， 以及垂直形成於畫素電極指18a之畫素電極連接部位18b，且晝素 電極連接部位18b連接於畫素電極指18a。此外，共通電極19包 括有一些共通電極指19ae 舉另外的例子而言’如「第2B圖」所示，晝素電極18與共 通電極19可形成於不同層中。如此，共通電極19包括—些相互 1375103 ， I 101年6月20曰替換頁 平行的共通電極指19a。共通電極指⑼係與垂直形成於共通電極 私19a的共通線16相連接，並且提供一參考電壓。此外，畫素電 極18包括有複數個平行於共通電極指队及畫素電極連接部位之 畫素電極指18a’晝素電極連接部位係垂直形成於畫素電極指 18a，且晝素電極連接部位係連接於畫素電極指丨私。 當平面扭轉模式之液晶顯示裝置的畫素電極18與共通電極 • 19提供彳§號時，電場的方向被應用於大多數之面向晝素電極指收 及共通電極指19a之畫素區域。然而，在鄰近於共通線16與晝素 電極連接部位18b的區域，電場的方向係朝向共通線16與晝素電 極連接部位18b。基於這個原因，共通線16與畫素電極連接部位 18b係垂直形成於畫素電極指18a及共通電極指阶，以令形成於 畫素電極指18a及共通電極指19a之間的電場扭曲失真。電場的 扭曲失真係由於共通線16與晝素電極連接部位⑽所導致的位於

• 鄰近共通線16與畫素電極連接部位18b的區域之電場的非均勻方 向而此區域也就是晝素區域邊緣部位。於此一區域内具有非 均勻方向的電場，將產生無效軸區域(ineffident杨㈣regi〇n)A 與向錯區域(disclination region)B，其中位於無效驅動區域a之液 晶於一方向被驅動，將無法影響透射率，位於向錯區域B之液晶 於一相反方向被驅動而無法於一範圍内傳遞光線。 無效驅動區域A與向錯區域B將使得液晶顯示裝置的透射比 及對比率大幅下降’因而減低平面扭讎式之液晶顯示裝置的顯 11 101年6月20曰替換*頁 像品質。 --- 【發明内容】 因此，本㈣提供-種平面扭轉模式之液晶顯示裝置及其製 造方法’以解決制技術陳制或缺點所造成的問題。 本發月之目的在於，提供一種平面扭轉模式之液晶顯示裝 置’以改魏晶顯示裝置的騎比及對比率。 以下在實施方式ψ詳細敘述本發明之詳細特徵錢優點，其 内谷足以使任何熟習相關技冑者了解本發明之技術内容並據以實籲 施’且根據本說明書所揭露之内容、申請專利範圍及圖式，任何 熟習相關驗者可輕㈣轉本發明前狀目的及優點。 為了達到上述之目的及優點，本發明之平面扭轉模式之液晶 - 顯不裝置包括有複數條閘極線、複數條資料線、多個薄膜電晶體、 複數條第-共通線、複數個第一電極、及複數個第二電極。閉極 線與貢料線係設置於一基板上並且相互交錯，以定義出多個畫素 | 區域，薄膜電晶體形成於閘極線與資料線所構成之交錯部位，第 一共通線係與閘極線位於同一層上，各第一電極具有複數個分歧 之第一指，並包含有設置於位於畫素區域内之第一指一端的L型 大出圖案，第二電極具有複數個間隔形成於第一指之間的第二 指，並且包含設置於位於畫素區域内之第二指一端的丨型圖案。其 中，L型突出圖案與|型圖案與第一共通線部份重疊。 本發明之平面扭轉模式之液晶顯示裝置具有下述功效。 12 1375103 101年6月20日替換頁 自第-指延伸形成之L㉟圖案係間隔排列於畫素區域的下邊 緣部位，且第-指延伸形成之圖案具有—傾角並間隔排列於畫 素區域的上邊緣部此，本發簡可提升電場方向的均一性， 並可有效減J無效驅動區域(mefficient柯㈣及向錯區域 _dinati〇n region)。於是，本發明所揭露平面扭轉模式之薄膜電 晶體基板可改善應用水平電場之液晶顯示裝置的透射比及對比 率〇 以上之關於本發明内容之說明及以下之實施方式之說明係用 以示範與解釋本發明之原理，並且提供本發明之專利申請範圍更 進一步之解釋。 【實施方式】 以下敘述之關於本發明的詳細特徵以及優點其内容足以使 任何熟習相關技藝者了解本發明之技術内容並據以實施，且根據 鲁本說明書所揭露之内容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技 藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。 —有關本侧_辭面扭觀式之紋顯稀置，脉合圖 示作最佳實施例詳細說明如下。 <第一實施例> 「第3圖」所示為本發料—實施例之平面扭轉模式之液晶 顯示裝置之薄膜電晶體基板之平面示意圖，「第4圖」為沿著「第 3圖」之I-I ’及π·ιι’之剖面示意圖。 13 1375103 101年6月20日替換貢 請參閱「第3圖」及「第4圖」’本發明第一實施例之平面扭_ 轉模式之液晶顯示裝置之薄膜電晶體基板包括有一基板41、複數 條閘極線32、複數條資料線34、及複數條共通線36，其中閘極線 32及資料線34係相互交錯，以定義出複數個畫素區域，複數個薄 膜電晶體(thin film transistor ’ TFT)分別形成於由閘極線32及資料 線34所構成的交錯部位，而共通線36係與閘極線32形成於同一 層上。此外，薄膜電晶體基板於各個畫素區域更包括有複數個第 一指39、第二指38a、第一邊緣圖案35、及第二邊緣圖案38c(37a 及37b)»第二指38a係間隔設置於各第一指39之間，第一邊緣圖 案35係自第一指39 —端突出為一” l”型，第二邊緣圖案38c係自 第二指38a —端突出為與第一邊緣圖案35相同形狀的”L，，型。如 此一來，第一指39之第一邊緣圖案35與第二電極犯之第二指撕 的第二邊緣圖案38c與共通線36部份重疊。於此一實施例中，第 一電極與第二電極分別被定義為共通電極與畫素電極，反之亦 然。然而這些定義亦可適用於本發明之其他實施例令。 《 另外第-“ 39(即共通電極指)一側之第一邊緣圖案％與共 通線36係為-體成形。另外於晝素區域中，共通線％包括複數 條第〃通線及複數條第二共通線，係由間極線戶斤界定之晝素 區域所間隔，並且對_形狀上側邊及下側邊。簡而言之里第 -共通線及第朗稱作共通線36。 另外，第二電極38 &含複數個畫素電極連接部位38b、-此 1375103 101年6月20日替換頁 [ …卞〇月乙υ ϋ智 第二指(即晝素電極指_、及第二邊緣圖案瓜。其中，畫素電極 連接部位娜係與共通線36之水平部位相平行，第二指地^連 接於晝素電極連接部位m，並且第二指38a與第一指％相平行， 第一邊緣圖案38c係被形成於第二指38a之一端。 如此一來’第-邊緣圖案35與第二邊緣圖案38。對稱地被形 成，並且對應於設置在上側邊與下側邊之共通線位置且不用分 離。也就是說，相同的L形圖案係對應形成於第一指％ 38a之另一端。 2外，儲存電容⑸係形成於共通線36與重疊於共猶％ 之畫素電極連接部位38b之間。 #雁t電極38之第二指地與第—指39係藉由形成並且電壓 係應用於第二指38a與第-指39之間的水平電場而被驅動。 膜4^一來’當閘極線％與資料線34被形成時，閘極絕緣薄 ^ ^__ 34之間q薄膜電晶體Μ係連接 、甲碓32與資料線34,第二電極㈣連接於薄膜電晶體咖 ^線32與資料線34係連接於钱末端，並且連接於位在 /專膜電晶體陣列外側之驅動電 u 叫供卩服錄與資料信號至 曰體。另外，共通線36係自間極線％分離，並且與閉極 ，.· /於冋一層上，以提供參考電廢驅動液晶至第一指. 庙膜電晶體TFT提供資料線34之資料 以回應閘極線32之_信號。就⑽麻

就绝個刼作而言，薄膜電晶體TFT 1375103 101年6月20曰替換-頁 包括有閘極電極32G、源極電極34S、汲極電極34D、及半導體圖、 案48。閘極電極32G係連接於閘極線％，源極電極州連接於資 料線34，汲極電極34D連接於第二電極兕，半導體圖案係與 閘極電極32G相重疊，並且半導體圖案48係連接於源極電極3奶 與汲極電極34D。 半導體圖案48包括主動層(active layers)46，以及形成於主動 層46上之歐姆接觸層(〇hmic咖㈣咖咖。主動層46係暴露 於源極電極34S触_極34D之間，以形成半導體通道。歐姆

接觸層47容許歐姆接觸於主動層46與歐姆接觸層47之間，以^ 位於主動層46及祕電極34D之間。轉體_ 48係重疊的言 置於雜/汲極料_組上方，根據製造過程的特點，源極/财 傳導圖案組包括有源極電極34S、祕電極3犯、及資料線％。 共通線36係自閘極線32分離，並且與閉極線％相平行。負 -邊賴㈣係軸於錄線36與第—指％之間。第一邊緣層 案35包括有自第—指39延伸之第—邊緣部位祝，以及做為糾 線36之水平部位的第二邊緣部位视，纽第二邊緣部位 35b# 第-邊緣部位奴之間具有一鈍角。由於第—邊緣部位祝及驾 二邊緣部㈣之間的角度為度至115度因此第一細 35b形成，狀。第-邊_35 ^ 第-邊緣圖案38c電場方向的均句性。 第二電極38係藉由畫素接觸孔⑽連接於及極電極泌， Ϊ375103 101年6月20日替換頁 .以穿過鈍化膜45並覆蓋於源極/汲極傳導圖案，並且露出汲極電極 34D。因此，第二電極38提供資料信號通過汲極電極34E^ 介於晝素電極連接部位38b與第二指38a之間，第二邊緣圖 案38c包含有自第二指38a延伸之第一邊緣部位37a，以及與晝素 電極連接部位38b相平行之第二邊緣部位讲，其中第二邊緣部位 37b與第一邊緣部位35a之間具有一鈍角。第一邊緣部位37a與第 • 二邊緣部位37b之間的角度為100度至115度，因此形成一”L，，形 狀。 . 如此’共通線36與第二邊緣圖t 38c之第二邊緣部位37b相 . 接觸。共通線36包括有縮減部位36a，且縮減部位36a具有一縮 減寬度。縮減部位36a與相鄰於縮減部位36a左右兩侧之第一邊 緣圖案35的第二邊緣部位35b，於平面圖上係呈階梯狀。 第-邊緣圖案35與第二邊緣圖案38c係間隔排列，且第一指 • 39與第二指38a亦間隔排列。因此，當信號被提供至第二電極(即 畫素電極)與共通線36時，如「第5圖」所示，一水平電場將形成 於第一指39與第二指38a之間。 另外，具有一方向之電場係相似於形成在第一指39與第二指 38a之間的電場，亦位於第一邊緣圖案％與第二邊緣圖案38c之 月參考第5圖」所代表之電場方向的雙箭頭(㈠），係為提供 至共通線36的參考電壓，以及提供至第二電極38之任意資料電 17 1375103

Ljjl年6月20日替換:頁 當銳化膜45與閘極絕緣薄膜43插置於畫素電極接觸部位娜， 與共通線36之間，餘存電容⑶係藉由畫素電極接觸部位娜與 共通線36的相互重疊而被配置。儲存電容⑸提供由第二電極％ 所指不的資料信號通過薄膜電晶體TFT，以於第二電極弘上穩定 的維持。 ~ 如上所述’於本發明第—實施例之平面扭轉模式之液晶顯示 裝置之薄膜電晶體基板，L型之第—邊緣圖案35與L型之第二邊 緣圖案38c係分別連接於第一指39與第二指3如之端緣。因此，· 電場可被形成在相鄰於共通線36的畫素電極連接部位娜之區域 (例如晝素區域之低邊緣部位）’且其方向係相似於其餘區域的方 向。如此，晝素區域之下邊緣部位指的是自第—與第二邊緣圖案 35、38c之第一邊緣部位35a、37a之一端以及第二邊緣部位35b、 37b之一端具有26〜28微米之間距d的區域。 因此，提高形成於晝素區域之電場方向的均勻性，並且大幅 降低無效驅動區域及向錯區域是有可能的。 ® <第二實施例〉 「第6圖」所示為本發明第二實施例之平面扭轉模式之液晶 顯示裝置之薄膜電晶體基板之平面示意圖，「第7圖」為沿著「第 6圖」之瓜-皿’、IV-IV’及V-V’之剖面示意圖。 月參閱第6圖」及「第7圖」’本發明第二實施例之平面扭 轉模式之液晶顯示裝置之薄膜電晶體基板包括有複數條閘極線62 1375103 101年6月20日替換頁 及複數條資齡64 ’其巾閘極線62及賴線&躲—基板η 上相互交錯’以定義出複數個畫素區域，且一閘極絕緣薄膜乃係 設置於閘極線62及資料線64之間。複數個薄膜電晶體咖 transistor，TFT)連接於閘極線62及資料線64，第二電極68係連 接於薄膜電晶體’共通電極69形成-具有第二電極68之水平電 場’共通線66係連接於共通電極69，且儲存電容❻藉由重疊之 擊 第一電極68與共通線66而被配置。 關於本發明第二實施例之閘極線62、資料線64、薄膜電晶體、 及儲存電紅st的詳細說明，係與本發明第—實施例之描述相同。 共通線66係自閘極線62分離而形成。另外，共通線66包括 有第一指69a以及相面對之第一水平部位166與第二水平部位 266 ’其所構成的區域係為了形成設置於第一水平部位166盘第二 水平部位266的第二指68a。第一水平部位166及第二水平部位 • 266係藉由位於晝素區域邊緣的遮蔽圖案(shield pattem)366而相互 連接。如此，第一指69a與第二指68a形成透明電極並位於同一 層上。 如此一來，第一邊緣圖案165包括有第一邊緣部位165a及第 二邊緣部位165b ’其中第一邊緣部位165a具有自第一指69a之延 伸方向，第·一邊緣部位165b具有共通線66之第一水平部位;166 之移動方向，並自共通線66之第一水平部位166凸設。第一邊緣 '^位165a與第·一邊緣部位165b形成一純角。第一邊緣部位π% 1375103 101年6月20日替換頁 與第二邊緣部位165b之間的角度為1〇〇度至115度因此形成 -”L”形狀。第-邊緣圖請及第二電⑽之第二邊賴案撕 係提高之後所描述到的電場方向之均勻性。 共通電極69包括有與第二水平部位266相重疊之複數個共通 電極連接雜6%，錢數個連接於聽雜連接部位_之第一 指69a ’並且相互平行。 另外，於畫素區域之邊緣，如「第3圖」所示之[型突出圖 案係形成第-水平部位166與遮蔽圖t360之間。於畫素區域中， 丨型圖案係形成於第-指69a之一端，第一邊緣圖案165係自第一 水平部請突出並且重疊於第一指6%而未分離。第一邊緣圖 f 165與第—水平部位166係為—體成形，並且做為阻光金屬_ blocking metal) ° 共㈣極連接部位69b係藉由共通接觸孔7g而連接於 66,以穿過鈍倾75及___第-指伽係連接於丘 連接部位6%之最外面的部位，並且重疊的形成於遮蔽圖 案366上，以有效地確保有效開口區域。 =广邊緣圖案165與第一指伽係未分離的形成。第 第為係自第一水平部位166提供共通電壓跡因此， 2邊緣圖案⑹於第二指68a亦具有均句電場的作用因而使 向錯區域縮減至最小。 第二電極68包括有複數個畫素電極連接部位68b、第二指 20 1375103 101年6月20日替換頁 68a、及第二邊緣圖案68c。其中，畫素電極連接部位_係與第 -水平部位166相平行，第二指68a係連接於晝素電極連接部位 68b，並且第二指68a與第一指69a相平行。第二邊緣圖案係 形成於晝素電極連接部位68b與第二指68a之間，且第二邊緣圖 案68c包括有第一邊緣部位67a及第二邊緣部位67b，第一邊緣部 位67a係自第二指68a突出形成，第二邊緣部位仍與第一邊緣 部位67a之間具有一鈍角。第一邊緣部位67a及第二邊緣部位67b 之間的角度為100度至115度，因此形成一”L”形狀。第二電極68 係藉由晝素接觸孔60而連接於汲極電極64D，以穿過純化膜75 並覆蓋於源極/及極傳導圖案’並且露出汲極電極64D。因此，第 二電極68提供資料信號通過汲極電極64D。 如此，第一水平部位166與遮蔽圖案366係相互連結成為一 體結構。在它們的連接部位，第一水平部位166具有L型突出圖 鲁案。第一水平部位166包括有縮減部位166a，且縮減部位166a具 有一縮減寬度。縮減部位166a係位在第一水平部位166連接於第 二邊緣部位67b的位置，以做為第二邊緣圖案68c之水平部位。 縮減部位166a與相鄰於縮減部位細左右兩側之第一邊緣圖案 165的1型突出圖案或水平部位，於平©圖上係以皆梯狀。 如此-來’第-邊緣圖案165與第二邊緣圖案68c係間隔排 J且第扣69a與第一指68a亦間隔排列。因此，當信號被提 供至第二電極68與共通線66時，如「第8圖」所示，一水平電 21 1375103 場將形成於第-指69a與第二指68a之 換頁 電場係相似於形成在第-指69a與第二指撕之卜間;之 於4-邊緣圖案165與第二邊緣圖案咖之間。請立 所代表之電場方_雙箭頭㈠，係為提供至共猶Μ =考圖電」 堡，以及提供至第二電極68之任意資料電1。 ^ 於本發明第二實施例中，提高使用透明導電金屬形成之第一 指69a與第二指68a之畫素區域的透射率是有可能的。 如上所述，於本發明第二實施例之平面扭轉模式之液晶顯示 裝置之薄膜電晶縣板，L型之第—邊緣騎⑹與L型之第二 邊緣圖案68c係分別連接於帛一指物與第二指娜之端緣。因 此，電場可被形成於畫素電極連接部位_之區域，且畫素電極 連接部位之區域仙鄰於共通線之第—水平部位166(例如畫 素區域之低邊緣部位)，且其方向係相似於其餘區域的方向。於是， 提高形成於畫素(1域之電場方⑽均自性，並从崎低無效驅 動區域及向錯區域是有可能的。如此’畫姐域之下邊緣部位指 的疋自第-與第二邊緣圖案165、68c之第-邊緣部位165b、67a 之-知以及第二邊緣部位165b、67b之-端具有26〜28微米之間 距cl的區域。 從實驗結果得知，由第1表可以發現本發明第二實施例之包 括有薄膜電晶體基板的平面扭轉模式之液晶顯示裝置，其低邊緣 部位的透射率增加了百分之五十(5〇%)以上，且根據液晶顯示裝置 22 1375103 年6月20日替換頁 之各種模式，其總透射率係分別增加。 [第1表]

以下，「第9A圖」至「第12B圖」係關於本發明第一實施g 之薄膜電晶體基板之製造方法的描述。 清參閱「第9A圖」及「第9B圖」，第一導電圖案包括有間 極線32、閘極電極32G、共通線36、第一指39、以及藉由第一光 罩製程而形成於紐41之第-邊_案％。共猶^包括有第 —邊緣圖案35係於第一指39與縮減部位36a之間突出為”L”型， 且縮減部位36a具有相對小於位於鄰近第一邊緣圖案乃之第一邊 緣圖案35之水平部位的寬度。 第-導電圖案係藉由形成閘極金屬層於基板41上而被形成。 接著’藉由第-光罩製程_案化酿金屬層，第—光罩製程包 括—微影(photolithography)製程及-蝕刻⑽㈣製程。開極金屬 層係可形成為單層献多層，且_金屬層之材料可為師^)、 23 1375103

Lj〇l年6月20日替換’夷 鋁(A1)、鋁娜剛)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鈦⑼或是其合金。 。月參閱「第10A圖」及「第10B圖」，形成閘極絕緣薄膜幻 於基板41上’並覆蓋第一導電圖案。接著，半導體圖案48與包 s有資料線34、源極電極34S、及汲極電極34D之第二導電圖案 係藉由第二光罩製成而形成於閘極絕緣薄膜43上。 閘極絕緣薄膜43係由例如氧化石夕(Si〇x)或是氮化石夕⑸他)的 無基絕緣材料所製成。 半導體圖案48與第一導電圖案係由沉積於閘極絕緣薄膜 上之半導體層及源極/汲極金屬層而被形成。接著，藉由第二光罩 製程以圖案化半導體層與源極/汲極金屬層，第二光罩製程包括一 微影(photolithography)製程及一蝕刻(etching)製程。 半導體圖案48係由沉積之無定形石々(amojphous siiic〇n)及摻雜 雜質之無疋形石夕(n+或p+)所形成。源極^及極金屬層可形成為單層 或是多層，且源極/汲極金屬層之材料可為鉬(M〇)、鋁(A1)、鋁-鈦· (A1_Nd) ' 銅(Cu)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬-鈦合金(Mo- Ti alloy)、钥-銳合金(Mo-Nb alloy)、欽-銳合金卬_灿alby)或是其合金。 第二光罩製程係使用半色調網點光罩(half t〇ne mask)或是衍 射曝光光罩(diffraction exposure mask)，半導體圖案48與第二導電 圖案藉由第二光罩製程而形成。因此，半導體圖案48係重疊的設 置於第二導電圖案的下方。 请參閱「第11A圖」及「第iiB圖」，形成鈍化膜45於閘極 24 1375103 101年6月20日替換頁 絕緣薄膜43上，並覆蓋半導體圖案48與第二導電圖案。接著， 晝素接觸孔30係藉由第二光罩製程而被形成。 鈍化膜45係藉由如電榮激發式化學氣相沉積恤議enhanced ehemieal vapOTdeposits ’ PECVD)的沉積方法，並以沉積無基絕 緣材料所製成’而沉積無基絕緣材料例如為氧化矽(Si〇x)或是氮化 矽(SiNx)。另外，鈍化膜45係藉由如旋轉塗佈或非旋轉塗佈等披 籲覆方式披覆-有機絕緣金屬而被形成，而有機絕緣金屬例如為具 有小介電常數之丙烯酸的有機化合物、苯環丁烯作邱卻 cyclobutene，BCB)、四氟環丁烷(Perflu〇r〇cycl〇butane，pFBC)、 鐵氟龍(Teflon)、或全氟聚合物(Cyt〇p)。 晝素接觸孔30係藉由第三光罩製程圖案化鈍化膜45而被形 成，且第二光罩製程包括一微影(photolithography)製程及一蝕刻 (etching)製程。 • 請參閱「第12A圖」及「第⑽®」，第三導電圖案包括有 第一指38a、畫素電極接觸部位38b、及藉由第四光罩製程形成於 鈍化膜45上之第二邊緣圖案38c。 第二導電圖案係藉由形成導電接觸金屬層於鈍化膜45上而被 形成。接著’藉由第四光罩製程以圖案化導電接觸金屬層，第四 光罩製程包括一微影(Photolithography)製程及-蝕刻(etching)製 程。 導電接觸金屬層之材料可為銦錫氧化物(indium如〇xide， 25 1375103 101年6月20日替換頁 ΙΤΌ)、錫氧化物(tin 〇xide ’ τ〇)、姻鋅氧化物加出⑽ zinc oxide， ιζο)、或銦錫鋅氧化物⑽iumtinzinc〇xide，ιτζ〇)。 以下為本發明第二實施例之薄膜電晶體基板的描述。 凊參閱「第6圖」至「第8圖」，本發明第二實施例之第一導 電圖案被形成並包括有閘極線62、閘極 62G、共通線的、及 第一邊緣圖案165。共通線66具有分別形成於位在-水平方向的 晝素區域下側與上側之第一水平部位166及第二水平部位2的，遮 蔽圖案366係連接於第一水平部位166與第二水平部位挪，第一 ^ 邊緣圖案165係自第-水平部位166朝向畫素區域之中央部位突 伸。 「本發明第—實施例之半導體圖案％與第二導電圖案係以與 第10A圖」及「第10B圖」之相同方法所形成。本發明第二實 施例之第二導電圖案與「第1〇A圖」及「第i〇b圖」之第二導電 圖案為相同的描述。 本發明第二實施例之晝素接觸孔6〇與共通接觸孔7〇係使用着 第二光罩製程以钱刻至少-鈍化膜75及閘極絕緣薄膜73所形

成第二光罩製程包括一微影(ph〇t〇lith〇gra_製程及一蝕刻 (etching)製程。 X 如「第6圖」至「第8圖」所示，本發明第二實施例之第三 導電圖案被形成並包括有第二電極08及共通電極的。第三導電圖 案可為銦錫氧化物(ιτο)或銦鋅氧化物(IZC))之透明材料所製成。另 26 1375103 外，筮一 年6月20曰替換頁 弟-電極68包括有形成於第一水平部位166 =接部位㈣、與畫素區域内之資料線64相平行之第二=8a、 2於第4 68a與畫素電極連接部位68b之_二邊緣圖 ” C’且第二邊緣圖案68c形成為L型突出圖案。如此一來第 :邊:圖案68c係平行於第一邊緣圖案165，並且第二邊緣圖案 L、第一指68a及畫素連接部位68b係為一體成形。另外， 共通電極69被形成並包括與第二指撕相平行之第—指伽，以 及=於第二水平部位266上方之共通電極連接部位_。另外， 第扣69a包括有丨型之一端，以與第一邊緣圖案⑹相重疊且未 分離。第-邊緣圖請之第—指69a與第—邊緣部位職被形 成並相互重疊，閘極絕緣薄膜73與鈍化膜75係插設於第一指伽 與第一邊緣部位165a之間。 <第三實施例> • /第13圖」所示為本發明第三實施例之平面扭轉模式之液晶 ，員示裝置之薄膜電晶體基板之平面示意圖，「第Μ圖」為「第Η 圖」之畫素區域下邊緣部位的放大示意圖。本發明第三實施例之 平面扭轉模式之液晶顯稀置之薄膜電晶體基板的剖面示意圖係 ，、第實施例相同。因此，與第二實施例相同的描述將予以省略。 «•月 > 閱第13圖」及「第14圖」，第一邊緣圖案186形成於 /丄線66與第-心伽之第一水平部位16δ之間。第一邊緣圖案 186包括自第一指69a延伸之第一邊緣部位驗，以及連接於共 27 101年6月20曰替換> 通線66之第一水平部位166的第二邊緣部位職，且第二邊緣部 位獅與第一邊緣部位186a傾斜有120度角至130度角的鈍角。 第-邊緣@案％係軸於畫素電極連接部位與第二指 伽之間。第二邊緣圖案96包括有自第二指68a延伸之第一邊緣 雜細，以及連接於畫素電極連接部位68b之第二邊緣部位 %b’且第二邊緣部位娜與第一邊緣部位他傾斜有⑽度角至 130度角的純角。 也就疋說，第二邊緣部位96b被彎曲，使得第二邊緣部位％b讀 與第一水平部位！66具有不同的角度。位於第一邊緣部位-與 第二邊緣部位％b之鈍角係大於位在第一邊緣部位9知與第一水 平部位166之角度。 如上所述’具有一方向之電場係相似於形成在第-指69a與 第二指68a之間的水平電場’並藉由形成位在第一及第二邊緣圖 案186 96之第-邊緣部位186a、96a與第二邊緣部位脱卜娜· 的角度’而使具有-方向之電場雜於第—邊緣贿186與第二 邊緣圖案96之間’且其角度係大於第一實施例與第二實施例之角 度。也就是說，本實施例之義率與第—實施舰第二實_之 位在晝素區域的下邊緣雜的透射軸比，增加了 9至11%。因 此’大幅降低位在下邊緣部位之無效驅動區域及向錯區域是有可 能的。 <第四實施例〉 28 !3751〇3 , 年6月20日替換頁 「第15圖」所示為本發明第四實施例之平面扭轉模式之液晶 顯示裝置之薄膜電晶體基板之平面示意圖，「第16圖」為「第b 圖」之畫素區域下邊緣部位的放大示意^本發明第四實施例之 平面扭轉模式之液晶顯示裝置之薄膜電晶體基板的剖面示意圖係 與第二實關相同。@此，與第二實侧相_贿將予以省略。 請參閱「第15圖」及「第16圖」，第一邊緣圖案176形成於 .· 共通線66與第一指伽之第一水平部位166之間。第一邊緣圖案 Π6包括有自第一指69a延伸之第一邊緣部位17知、與第一邊緣 部位n6a之間傾斜135度角至16〇度角之鈍角的第二邊緣部位 ⑽、以及連接於第二邊緣部位⑽並平行於共通線μ之第一 水平部位166的第三邊緣部位176c。 第二邊緣圖案85係形成於晝素電極連接部位_與第二指 68a之間。第二邊緣圖案85包括有自第二指撕延伸之第一邊緣 部位85a、與第-邊緣部位85a之間傾斜135度角至⑽度角之純 角的第二邊緣部位85b、以及連接於第二邊緣部位晚並平行於畫 素電極連接部位68b的第三邊緣部位85c。 如上所述’具有一方向之電場係相似於形成在第一指撕與 第二指伽之間的水平電場，並藉由形成位在第一及第二邊緣圖 案Π6、85之第-邊緣部位㈣、咖與第二邊緣部位膽、柳 的角度’而使具有—方向之電場亦位於第—邊緣_ 176盘第二 邊緣圖案85之間，且其角度敍於第—實施例、第二實施例、及 29 1375103 101年6月20曰替換‘頁 第三實施例之㈣4就是說，本實施例之透射率與第—實施例.. 及第二實施例之位在晝素區域的下邊緣部位的透射率相比，增加 了 11至13%。因此’大幅降低位在下邊緣部位之無效驅動區域及 向錯區域是有可能的。 <第一實施例至第四實施例之修改例〉 如上所述，第-指與第二指之一端具有至少一 L型突出圖 案，第-指與第二指之另一端係對稱於第一指與第二指之一端。 另外’如第二實施例至第四實施例所述(請見「第6圖」、「第 圖」、及「第15圖」）’第—指與第二指之另—端係形成為條狀， 並且未自共通線之第二水平部位266分離。 一匕睛參閱「第6圖」’第-指69a與第二指6如係相互平行。第 才曰69a與第二指68a之另一端係為條狀並朝第一指伽與第二 指伽之移動方向延伸，且自第二水平部位挪形成而未被分離。 另外，第二指68a之另一端自第二水平部位挪形成為丨型圖 '、且未破分離。第一指69a係連接於位在第二水平部位266之妓 通電極連接部位柳’且第一指69a與共通電極連接部位娜係為 :體成形。如此，第二指68a之另一端係自第二水平部位挪形 =未分離。根據情況，第二指伽之另一端與第二水平部位挪 的邊界相聯繫且未重疊。 如上所述’第二指68a未自共通線之第二水平部位挪分離， 為了令晝素電壓與辆賴概形絲具㈣勻方向性且未省略 % 30 101年6月20日替換頁 U生的電场，以將向錯(disclination)降至最低。 ，如此一來，第一指69a與共通電極連接部位69b係為一體成 構並成為位在同—層上的透明金屬。共通電極連接部 位6%與第二水平部位266相互重疊並且自帛二指伽分離。 因此共通電極連接雜6%自連接於第二指68a之第二水平部 位266的邊界而形成於内部。如此-來，第-指69a與位在第二 欠平雜266之共通電極連接部&柳係為一體成形結構。就平 面圖看來’第-指69a係與第二水平部位266相重疊。 同時’雖虹述的修改例餘述錢於至第四實 施例的圖式’歸改例亦可藉由改㈣應於畫素區域之上共通線 的第-指與第二指之形狀，而可應用於第—實施例中，因而得到 相同的功效。 <第五實施例> 「第Π圖」所示為本發明第五實施例之平面扭轉模式之液晶 ，”員不裝置之薄膜電晶體基板之平面示意圖，「第18圖」為「第口 圖」之晝素區域上邊緣部位的放大示意^本發明第五實施例之 平面扭轉模式之液晶顯示裝置之薄膜電晶體基板的剖面示意圖係 與第二實施例相同。因此’與第二實施例相_描述將予以省略。 凊參閱「第17圖」及「第18圖」，第三邊緣圖案趵形成於 共通電極連接部位69b與位在畫素區域之上邊緣部位的第一指伽 之間。第二邊緣圖案89於與共通電極連接部位69b之移動方向不 1375103 同的-方向傾斜形成。第 L一換頁 4帛二姐_ 89之方向係朝向共通電 接部位6%之移動方向傾斜23至26度角。 連 另外，第四邊緣圖案99係自第二指伽延伸形成並且重最 通線66之第：水平邹位挪。如此—來，第四邊緣圖宰= 之長度除了與共通線66之第二水平部位266相重疊的部位外，其 長度係為8至1〇微米（㈣。第四邊緣圖案的係朝向第二指娜 傾斜形成，並且第四邊緣圖案99與第二指撕之間具有加至 的傾斜角度，而優選的角度是23至26度角。 第三細案89射四邊_ "係間隔形成並且相 I門電場係相似於形成在第一指69a與第二指伽 之間的電场，亦位於第三邊緣圖案的與第四邊緣圖案99之間。 的第f 6:延I，圖案89係自位於晝素區域之上邊緣部位 的W延伸，第四邊緣圖案的係自第二指_延伸，並朝 ^第-指_與第二指68a傾斜23至26度角。因此，與習知書 素區域之上邊緣部位的的透射率相比，本發明之透射率提高❹ 50% 〇 如此，第-邊緣圖案165與第二邊緣圖案6 Π至=施Γ第一邊緣圖案與第二邊緣圖案二 邊緣圖案與第四邊緣圖案之結構’以及第四實 施例之第-邊緣圖案與第二邊緣圖案，其透射率與第—實施例及 第二實施例的具有第-邊緣_與第二邊緣圖案之結構相比，係 32 ^75103 - I 101年6月20日替換頁 提高了 12.6%。 如j所述’於本發明第五實施例之平面扭轉模式之液晶顯示 ^置之薄膜電晶體基板，L型之第—邊緣圖案係自指延伸並且間 隔形成於晝素區域之下邊緣部位，邊緣圖案係自指延伸且具有一 糊’並且間隔形成於畫素區域之上邊緣部位。因此，提高電場 方向的均勻性及大崎低無效驅祕域及向錯區域是有可能的。 擧；是本實施例之平面扭轉模式之液晶顯示裝置之薄膜電晶體基 板可改善水平電場型之液晶顯示裝置的透射比及對比率。 本發明所揭露之第五實施例可藉由傾斜第一至第四實施例之 L改例的第-指與第二指之另—端而被實現。本發明之第五實施 例可同時應用於第一至第四實施例所描述的結構上。也就是說， 第四實施例之結構係應用於晝素區域之上侧，且第一至第四實施 例之結構或是修改例係應用於畫素區域之下側，以得到相同的功 鲁 效。 以下，「第19A圖」至「第20C圖」係關於本發明第二實施 例之薄膜電晶體基板之製造方法的描述。 請參閱「第19A圖」及「第20A圖」，第一導電圖案包括有 閘極線62、閘極電極62G、共通線66、遮蔽圖案366、以及第一 邊緣圖案165。共通線66具有分別形成於位在水平方向之晝素區 域下側與上側之第一水平部位166及第二水平部位266，遮蔽圖案 366係連接於第一水平部位166及第二水平部位266，而第一邊緣 33 ^/5103 101年6月20曰替 圖案165係自第一水平部位166朝向畫素區域之中央部位突伸。-第導電圖案係藉由形成閘極金屬層於基板71上而被形成。 接著藉由第一光罩製程以圖案化閘極金屬層，第一光罩製程包 括一微影(photolithography)製程及一蝕刻(etching)製程。閘極金屬 層係可形成為單層或是錢’且閘極金屬層之材料可為翻(M〇)、 铭(A1)、链-敍(Al-Nd)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鈦(Ti)或是其合金。 清參閱「第1犯圖」及「第2〇B圖」，形成閘極絕緣薄膜73 _ 於基板71上’並覆蓋第一導電圖案。接著，半導體圖案78與包 3有=貝料線64、源極電極64S、及汲極電極64D之第二導電圖案 係藉由第二光罩製成而形成於閘極絕緣薄膜73上。 閘極絕緣薄膜73係由例如氧化石夕(Si〇x)或是氮化石夕(SiNx)的 無基絕緣材料所製成。 「本發明第二實施例之半導體圖案78與第二導電圖案係藉由與 第10A圖」及「第1〇B圖」所述之相同方法而形成。本發明第參 -實加例之第二導電圖案係與「第1〇A圖」及「第i〇b圖」所述 之第二導電圖案相同。 清參閱「第19C圖」及「第2〇c圖」，形成鈍化膜75於閘極 、邑緣薄膜73上’並覆蓋半導體圖案Μ與第二導電圖案。接著， 里素接觸孔60係藉由第三光罩製程侧至少—鈍化膜％與閘極 而被形成’且第三光罩製程包括一微影 絕緣薄膜73 _—〇g响)製程及一蝕刻(etching)製程。 34 1375103 101年6月20日替換頁 _ 純化膜75係藉由如電減發式化學氣相沉積_ma enhanced diemid vap〇i·deposition ’ PEC：VD^^：積方法，並以沉積無基絕 緣材料所製成，而〉冗積無基絕緣材料例如為氧化石夕(Si〇x)或是氮化 石夕(SiNx)。另外’鈍化膜75係藉由如旋魅佈或非旋轉塗佈等披 覆方式彼覆-有機絕緣金屬而被形成，而有機絕緣金屬例如為具 有小介電常數之丙稀酸的有機化合物、苯環丁稀(b_ •咖―㈣，BCB)、四氟環丁烷(pe細，pFBc)、 鐵氟龍(Teflon)、或全氟聚合物(Cyt〇p)。 本發明第二實施例之第三導電圖案被形成並包括有第二電極 68及共通電極69。於此—實關中，第三導電圖案之材料可為铜 錫氧化物(ιτο)或是銦鋅氧化物(IZ〇)等透明材料。另外，第二電極 68包括有形成於第一水平部位166上方之晝素電極連接部位 6%、與晝素區域内之資料線64相平行之第二指68a、及形成於第 • 二指伽與晝素電極連接部位_之間的第二邊緣圖案伽，且第 一邊緣圖案68c形成為L型突出圖案。如此一來，第二邊緣圖案 68c係平行於第一邊緣圖案16$ ’並且第二邊緣圖案咖與第二指 68a及晝素電極連接部位_係為一體成形。另外 ’共通電極69 被形成並包括與第二指68&相平行之第—指69a，以及形成於第二 K平。IMi 2祕上方之共通電極連接部位柳。 a素接觸?L 6〇、第-邊緣部位6?a、晝素電極連接部位咖、 及第-指69a係藉由第三光罩製程而形成於純化膜乃上，第三光

IS 35 1375103 101年6月20日替換_黃 罩製程包括一微影(photolithography)製程及一蝕刻(etching)製程。— 以下將詳細說明本發明之實施例的共同特徵。 本發明之平面扭轉模式之液晶顯示裝置之薄膜電晶體基板， 其包括有複數條閘極線、複數條資料線、多個薄膜電晶體、複數 條共通線、複數個第一電極指、及複數個第二電極指。閘極線與 資料線係相互交錯’以定義出多個畫素區域，薄膜電晶體形成於 閘極線與資料線所構成之交錯部位，共通線係與閘極線位於同一 層上，各第—電極指具有複數個位於畫魏域岐分歧之第一 ^ 指’並且於第-指-端形成L型突出_，第二電極指具有複數 個位於畫素區域内且間隔形成於第一指之間的第二指，並且於第 二指-端形成丨型圖案型突出圖案與丨型圖案與共通線部 份重疊。第-指與第二指可被分別定義為共通電極與第二電極， 反之亦然。 如此來L型大出圖案與|型圖案係朝向第一共通線延伸形 成。 孀 另外’於此-情況下，丨型圖案係為條狀，第一共通線係朝向 未自L型突出圖案或是丨型圖案分離或是與之重疊的晝素區域延 乃汁’弟 心I、有與第—電極指姻的形狀。第二電 财彡祕柄I料觀㈣重狄L型突㈣ 索之左側’且型圓案耕並重疊於L型突出圖案之右側。如此， 36 ·. 日替換頁 才曰與第二指之一端皆具有L·型突出圖案。 特別的是，於此-情況下’第一電極指係為一體成型 與第一共通線位於同-層上，第二電極指之一端更包括有l型突 出圖案。 另外’第-共通線包括有具有縮減寬度之縮減部位，且縮減 部位係對應於第二電極指之“-，，型圖案。縮減部位與相鄰於縮減部 參位左右兩側之L型突出圖案的水平部位，於平面圖上係呈階梯狀。 ，同時’如平面圖式所示，第一電極指與第二電極指係於一方 向形成’並由平行於資料線之方向旋轉約90度角。如此一來，第 -共通線係朗極線相互平行，料―電極指與第二電極指旋轉 約9〇度角而具有一傾斜於閘極線之形狀，因而令非作動區域縮至 最小。 另外’本發明之平面轉模式之L示裝置之賊電晶體 _ 土板’、第—共通線穿過晝素區域，並且第二共通線於同一層之 對稱位置中與第-共通線相平行。 匕來如本發明第一實施例，第一指與第二指之另一端 被升/成並L括有L型突出圖案，且L型突出圖案係與第一指與第 -才曰之縣重疊於第二共通線的_端相對稱。根據情況，第一指 與第二指之另一端係為條狀，且第-指與第二指係自第二共通線 形成而未分離。 U任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍 3 37 丄丄 .. 年6月20日替拖-百 内’备可作些許之更動與轉。在本發明所附之; 乾圍内之更動與顯，均屬本發明之專利保護範圍之内。 【圖式簡單說明】 第1圖 意圖 為習知技術之平面扭轉模式之液晶顯示裝置之立體示 第2A圖及第2B圖為習知技術之平面扭轉模式之液晶顯示裝 置之畫素II域下邊緣部鄉成電場之示意圖； 第3圖為本發明第-實施例之平面扭賴式之液晶顯示裝置 之薄膜電晶體基板之平面示意圖； 第4圖為沿著第3圖之η，及_，之剖面示意圖； 第5圖為本發明第—實施例之平面扭轉模式之液晶顯示裝置 之薄膜電晶體基板的畫素區域下邊緣部位形成電場之示意圖； 第6圖為本發明第二實施例之平面扭轉模式之液晶顯示裝置 之薄膜電晶體基板之平面示意圖； 第7圖為沿著第6圖之歸’、肺，及v_v，之剖面示意圖； 第8圖為本發明第：實施例之平面扭轉模式之液晶顯示裝置 之薄膜電晶體基板的畫素區域下邊緣部位形成電場之示意圖； 第9A圖至f 12B圖為本發明第一實施例之薄膜電晶體基板 之製造流程示意圖； 第13圖為本發明第二實施例之平面扭式之液晶顯示裝置 之薄膜電晶體基板之平面示意圖； 38 ， I⑻年6月20日替換百 第14圖為第13圖之畫素區域下邊緣部位的放^ —第15圖為本發明第四實施例之平面扭轉模式之液晶顯示裝置 之薄膜電晶體基板之平面示意圖； 第16圖為第15圖之畫素區域下邊緣部位的放大示意圖； 第17圖為本發明第五實施例之平面扭轉模式之液晶顯示裝置 之薄膜電晶體基板之平面示意圖； 第18圖為第17圖之晝素區域上邊緣部位的放大示意圖；以 及 第19A圖至第20C圖為本發明第二實施例之薄膜電晶體基板 之製造流程示意圖。 【主要元件符號說明】 1 上基板 2a 上極化板 2b 下極化板 3 黑色矩陣 5 彩色濾光片 7 保護層 9 液晶 10 薄犋電晶體陣列 11 下基板 12 閘極線 39 1375103 101年6月20曰替換頁 14 15 16 18 18a 18b 19 19a 30 32 32G 34 34D 34S 35 35a 35b 36 36a 37a 37b 資料線 彩色濾光片陣列 共通線 畫素電極 晝素電極指 晝素電極連接部位 共通電極 共通電極指 畫素接觸孔 閘極線 閘極電極 資料線 汲極電極 源極電極 第一邊緣圖案 第一邊緣部位 第二邊緣部位 共通線 縮減部位 第一邊緣部位 第二邊緣部位 1375103

38 第二電極 38a 第二指 38b 畫素電極連接部位 38c 第二邊緣圖案 39 第一指 41 基板 43 閘極絕緣薄膜 45 鈍化膜 46 主動層 47 歐姆接觸層 48 半導體圖案 60 晝素接觸孔 62 閘極線 62G 閘極電極 64 資料線 64D 汲極電極 64S 源極電極 66 共通線 67a 第一邊緣部位 67b 第二邊緣部位 68 第二電極 101年6月20日替換頁 41 1375103 68a 第二指 68b 晝素電極連接部位 68c 第二邊緣圖案 69 共通電極 69a 第一指 69b 共通電極連接部位 70 共通接觸孔 71 基板 73 閘極絕緣薄膜 75 純化膜 78 半導體圖案 85 第二邊緣圖案 85a 第一邊緣部位 85b 第二邊緣部位 85c 第三邊緣部位 89 第三邊緣圖案 96 第二邊緣圖案 96a 第一邊緣部位 96b 第二邊緣部位 99 第四邊緣圖案 165 第一邊緣圖案 101年6月20日替換頁

42 1375103 m 101年6月20日替換頁 * 165a 第一邊緣部位 165b 第二邊緣部位 166 第一水平部位 166a 縮減部位 266 第二水平部位 366 遮蔽圖案 • 176 第一邊緣圖案 176a 第一邊緣部位 176b 第二邊緣部位 176c 第三邊緣部位 186 第一邊緣圖案 186a 第一邊緣部位 186b 第二邊緣部位 φ TFT 薄膜電晶體 A 無效驅動區域 B 向錯區域 Cst 儲存電容 43

Claims (1)

1. 曰替換> 十、申請專利範圍： 一種平面扭轉模式之液晶顯示裝置，包含有： 一基板； 複數條閘極線及複數條資料線，該等閘極線及該等資料線 係設置於該基板上並相互交錯，叹義出複數個畫素區域； 複數個薄膜電晶體，設置於該等開極線及該等資料 錯部位； ’ 複數條共通線，係與該等閘極線位於同一層上； · 複數個第一電極，具有複數個第一指及複數個L型突出圖 案忒等L型突出圖案係設置於該畫素區域内之該等第一指一 端；以及 θ 硬數個第二電極，具有間隔設置於該等第一指間之複數個 第二指，及設置於該晝素區域内之該等第二指—端之複 型圖案； 中’該等L型突出圖案與該等丨型圖案係與該共通線部 份重疊，以及 ’、i等第t極及該等第二電極之材質係為同 透明金屬層。 專她^第1項所述之平面杻類式之液晶顯示裝置， 、^里大出圖案更包含複數個自該等第一指延伸之第 邊緣。Η立以及與該等第一邊緣部位傾斜一純角之複數個第 44 1375103 101年6月20日替換頁 二邊緣部位。 3. 專利細第1項所述之平面扭轉模式之液晶顯示裝置’ 〃中該共通線更包括複數個第—突_，係與位於該等丘通 線之水平部位的該等丨型圖案相重疊，且該等第一突幸 自該等第二指一端之該等I型圖案分離。 '、 二=侧第3項所述之平面扭轉模式之液晶顯示裝置， 愈"第一大出圖案及該共通線之該等水平部位係形成為 等Γ::指—端之該等L型突*圖案的相同形狀，且該 第一大出圖案係與位於該等第二指—端之i型圖案部份重 5. 圍第4項所述之平秘轉模式之液晶顯示裝置’ /、中I通線係電性連接於該等第二電極。 6· 利範圍第2項所k平

   斜，贿相料糾躲之料水平部位傾 邊緣部位與糊二邊緣部位間之純 間之角度Γ轉第—邊緣雜與料_之_水平部位 如申請專利範圍第2 其中該等L型突出 位之第三邊緣部位， 項所述之平面扭賴式之液晶顯示裝置， 圖案更包括複數個連接於該等第二邊緣部 且該等第三邊緣雜雜轉_線相平 45 1375103 行 8.如申請專利範圍第1項所述之平面扭轉模式之液晶顯示裝置， 其中該等共通線更包含複數個第—共通線及複數個第二共通 線，該等第二共通線係穿過該等畫素區域，更與該等第一^通 線相互平行地形成於I層之對稱位置，域等第—指與料 第广指之-端係與重疊於該等第二共通線之該等第—日指與該 等第二指之另一端相對稱。 9.如申請專利範圍第】項所述之平面扭轉模式之液晶顯示裝置， 其令該等共通線更包含複數個第—共通線及複數個第二共通 線’該等第二共通線係穿過該等畫素區域，更與該等第一共通 線相互平行地形成於同—層之對稱位置，且該等第—指與 第二指之-端_成為丨型並與該等第二共通線部份重蟲。 1〇.^請相酬第1騎述之平面轉模式之液晶顯示且裝置， 等第—指及該等第二指—端之咖案係f折成不同於 1 等第一指及該等第二指之移動方向的角度，並且與該等共通 線相重疊。 u'2請專利第1項所述之平面域模式之液晶顯示裝置’ ^这等共觀係與料·_平行，且辦第—電極及該 電極係旋轉90度角並且具有與該等閘極線相傾斜之形 12.- 種平面杻侧叙㈣_駿㈣造方法， 該製造方法之 46 1375103 ⑻年Μ 20日替換頁 步驟包含有： 選擇性移除-第-金屬而於—方向上形成複數條閉極線 及複數條共通線於一基板上； 乂 2稷數條-貝料線與該等間極線相互交錯，並選擇性移除 -第二金屬及戦複數個_電晶體於該制極線及該等資 料線之交錯雜’以定義出魏個晝素區域. 、

   形成複數個第一電極，該等第一電極具有複數個第-指及 讀机鼓_案’且_L錢出贿係設置 指一端；以及 卞乐 形成複數個第二電極， 第一指間續_帛-# 有咖設置於該等 係藉由選概及複數個丨型圖案，該等丨型圖案係

   其中，該等utr電金屬而設置於料第二指-端； 份重疊。 4圖案與該等丨型圖案係與該共通線部 1375103 101年6月20日替換頁 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（3)圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：

   30 畫素接觸孔 32 閘極線 32G 閘極電極 34 資料線 34D 汲_極電極 34S 源極電極 35 第一邊緣圖案 35a 第一邊緣部位 35b 第二邊緣部位 36 共通線 36a 縮減部位 37a 第一邊緣部位 37b 第二邊緣部位 38 第二電極 38a 第二指 38b 畫素電極連接部位 38c 第二邊緣圖案 39 第一指 1375103 101年6月20日替換^ TFT Cst 薄膜電晶體 儲存電容 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 無0