TWI374113B - Spatial light modulator, digital micromirror, micro-electromechanical device, display device, method for resetting at least one digital micromirror, method for making digital micromirror, and method for modulating light - Google Patents

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1374113 第94106422號之專利說明書修正本 修正日期：99.3.31 ^ 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 發明背景 ‘本發明係關於具有微鏡陣列之投射系統。本發明同 、 .5 時也關於具有至少一個可偏斜元件之積體電路。 【先前技術】 φ 各種技術已經被提議以供用於投射和顯示系統，例 ， 如，利用各種材料之使用空間光調變之技術。在其中具 :1〇 有裝置大部分是光學她作用之矽為主的微機電空間光調 變（SLM)裝置。於此系統中，微鏡可以偏斜一個或多個方 向。例如，於依賴被動驅動機構之結構中，電壓偏壓藉 由一定址電極被達成。一旦該微鏡轉動，電極浮動且微 鏡保持其偏斜位置。當偏壓被重置時，微鏡以受限於微 15 鏡裝I樞紐彈性常數之速率轉動回至平坦的狀態。該樞 # 紐彈性常數一般導致一較驅動週期緩慢之重置週期。這 限制微鏡裝置在高頻率抽動之效能。因此，將需要提供 一可便利高重置頻率之微鏡結構，而同時提供高效能和 '操作之完整性。 20 【發明内容】 發明概要 此處揭示一微機電裝置，其具有一適用於投射顯示 裝置，例如空間光調變器之重置電極。該微機電裝置包 0503-A33921TWF1 /aaronlin 5 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 修正日期：99.3.31 含一光傳導基片、被置放而與光傳導基片有一空間距離 之半導體基片、以及一構件，該構件被置放在光傳導基 片以及半導體基片之間而可在一靜止位置和至少一可操 作位置之間偏斜。該可偏斜構件被光傳導基片或半導體 5 基片之一所支撐。該可偏斜構件當靜電地被吸引至至少 一定址電極時則偏斜，並且藉由重置電極操作而返回至 一不偏斜位置。 圖式簡單說明 第1A圖是包含一微鏡陣列之數位光調變器的實施例 10 平面圖； 第1B圖是適用於微鏡之樞紐結構之詳細圖形； 第1C圖是包含具有側樞紐結構之微鏡陣列的數位光 調變器實施例之平面圖； 第2圖是具有側框紐結構之微鏡裝置實施例的透視 15 圖； 第3圖是數位微鏡像素實施例之分解圖； 第4A圖是在樞紐轴線90度角之靜止位置的數位微鏡 陣列之一微鏡橫截面圖； 第4B圖是被驅動至一偏斜或可操作位置之第4A圖 20的數位微鏡圖形； 第4C圖是在重置模式之第4A圖的數位微鏡圖形； 第5A圖是在樞紐轴線90度角之靜止位置的微鏡陣列 第二實施例之一微鏡橫截面圖； 第5B圖是被驅動至一偏斜或可操作位置之第5A圖 0503-A33921TWn/aaronlin 6 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 修正日期：99.3.31 數位微鏡圖形； 第5C圖是在重置模式之第5A圖數位微鏡圖形； 第6A圖是在樞紐軸線90度角之靜止位置的微鏡陣列 - 第三實施例之一微鏡的横截面圖； 、 5 第6B圖是被驅動至一偏斜或可操作位置之第6A圖 數位微鏡的,圖形； 第6C圖是揭示高電壓電極重置之第6A圖數位微鏡 的眉形_， 第6D圖是在重置模式之第6A圖數位微鏡的圖形； -10 第7A圖是在枢紐軸線90度角之靜止位置的微鏡陣列 第四實施例中具有侧部框紐之一微鏡的橫截面圖； 第7B圖是被驅動至一偏斜或可操作位置之第7A圖 數位微鏡的圖形； 第7C圖是在重置模式之第7A圖的數位微鏡之圖形·; 15 第8A圖是在樞紐軸線90度角之靜止位置而具有側部 • 柩紐之一微鏡的橫截面圖； 第8B圖是被驅動至一偏斜或可操作位置之第8A圖 數位微鏡的圖形； ~ 第8(：圖是在重置模式之第8A圖數位微鏡的圖形； -20 第9圖是利用如此處所展示之數位微鏡的顯示裝置 之分解圖；以及 第10圖是概述製造具有重置電極之微機電裝置之方 法實施例的處理程序圖形。 0503-A3 3 921TWF1/aaronlin 7 1374113 修正日期：99.3.31 第94106422號之專利說明書修正本 【實施方式】 較佳實施例之詳細說明 本發明之揭示是針對顯示裝置，尤其是那些利用空 間光調變器者。本發明揭示同時也是針對微機電裝置^ 5其包含可在一靜止位置和至少一個可操作位置之間偏斜 的構件。該可偏斜構件可由各種反射媒體所構成，以便 使光自-光通道改變方向至另一通道。該反射可偏斜構 件一般被稱為微鏡。 偏斜一般可藉由一所給予偏壓電壓利用至少一個定 10址電極被產生之靜電力被達成。於此處揭示之裝置中， 可偏斜構件藉由無關於CMOS結構之重置電極操作的操 作而返回至未偏斜位置。藉由重置電極而被產生之偏壓 電壓是足以至使可偏斜構件改變方向。於某些實例中， 利用重置電極被產生之偏壓電壓可以是較大於利用定址 15電極所施加之偏壓電壓。因此，利用重置電極被產生之 靜電力可以快速地且有效地使可偏斜構件返回至一靜止 位置。 微機電裝置將包含需要快速重置之任何適當的可偏 斜構件。為展示目的起見，該裝置將藉數位微鏡裝置而 2〇被說明。但是，其他微機電裝置和結構也可在這揭示之 範圍和精神内有效地被利用。如上所述之適用於快速重 置結構的數位微鏡裝置將藉由建檔於2002年4月30曰而 申請序號是10/136719之標題為‘‘裝置，，待決申請案而加以 說明，並且其共同被讓與此處之個體，其說明將配合此 0503-A33921 TWPl/aaronlin 8 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 修正曰期：99.3.31 處以供參考。此處一般之討論，數位微鏡裝置可具有如 所需的及/或所要求的各種平面幾何。數位微鏡裝置將可 包含各種框紐結構，如包含隱藏植紐、曝露極紐、以及 平面鏡結構。為展示目的，各種隱藏和曝露樞紐結構被 5 考慮、被展示、並且被討論。應了解到，此處揭示之重 置裝置可被利用於各種單一板層和雙板層樞紐組件中。 第1A圖展示依據本發明第一實施例之部份數位微鏡陣列 φ 100的平面圖。第1B圖展示代表樞紐構造之詳細圖形。第 -- 1C圖展示側部樞紐數位微鏡陣列100'之平面圖。陣列中之 .-10 各元件可包含鏡元件102 (及裝置陣列100’中之10.21)。 如第ΙΑ、1B、和1C圖所見，各鏡元件102、10T被支 柱104、10牟所支撐。支柱104、104’可.以如所需的或所要 求的被置放以便利操作。如第1A圖之展示，支柱104可以 相對於鏡元件102被置放在中央。同時也考慮到，支柱104' 15 可被置放雨接近鏡元件102'之一適當邊緣106'，如第1C圖 • 之展示。於第1A和1C圖中，鏡元件102、102'被展示如方 形構件。但是，應考慮到，鏡元件102、102’亦可以具有 任何適當的幾何學或結構。 支柱，例如，支柱104、104'可經由適當的樞紐構件 20 (例如，第1B圖展示之樞紐108)而被連接到鏡元件102、 102'。框紐108被構成且用以允許在樞紐軸110近處之扭 轉。以這方式，相對於支柱104、104'之鏡元件102、102' 的移動而被達成。 可偏斜構件被支撐在如所需要的或所要求的光傳導 0503-A33921TWFl/aaronlin 9 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 修正日期：99.3.31 /透明基片/層或半導體基片之至少一個上面。一實施例之 非限性展示之可偏斜構件，例如，數位微鏡，其被裝設 在光學傳導基片上，如第2圖之展示。另外實施例之非限 性展示之可偏斜構件，例如，數位微鏡裝置，其被裝設 5 在半導體表面上，如第3圖之展示。為討論目的，該可偏 斜構件是微鏡顯示裝置的一部份。但是，應了解到，該 可偏斜構件亦可以其他目的之其他裝置和電子結構中被 利用。於一實施例中，該可偏斜構件是一種堅固的反射 平板。 10 第2圖展示具有任何結構或陣列尺寸之像素晶胞的 空間光調變器200之分解圖。為清楚起見，僅展示四個2χ .2網拇結構之像素晶胞。各個像素晶胞具有如所需要的或 所要求之一適當的像素間隙。該裝置包含一適當的半導 體基片212、一壓在上面之光傳導基片214、以及至少一 15可偏斜構件.210(例如，反射構件），其被置放在半導體基 片212和光傳導基片214之間。可偏斜構件210由被裝設在 連接到適當支柱204之適當樞紐202的鏡片216所構成。 這全部說明中，字詞“光學”和“光”被使用。於此說 明和申請專利範圍中，“光學”意指相關於任何電磁頻 20率，不只是可見光範圍之頻率。同樣地，光包含可見光 和非可見光譜。例如，“光傳導基片”是可傳導工作頻率 之電磁傳輸的基片，不管該光是否在可見光範圍之内。 為展示目的，第3圖展示一代表性隱藏樞紐微鏡裝置 像素。如第3圖所見，鏡300利用支柱302被支撐，而支柱 0503-A3 3921TWF1/aaronlin 10 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 、 修正日期·· 99.3.31 皿則被支撐在著地細4上。著_綱被附帶於各扭轉 樞紐3〇6之一末端上。各扭轉樞紐306之另一蠕被附帶於 樞紐支柱310頂部之樞紐支桎頂蓋3〇8上。定址電極Η]被 疋址支柱314所支稽。疋址支柱314和樞紐支柱支撐遠 5離定址電極護塾316之定址電極312、扭轉框紐遍、以及 著地軛304。在連結軛304和定址電極護墊316下面的是包 含所需要的或所要求之適當的CM〇s和記憶體之適當的 籲半導體基片318。如第3圖之展示，像素同時也包含與鏡 300有重疊關係之適當的光傳導基片32〇。 •ίο 像素和相關的裝置，例如，空間光調變器，可進一 步地包含電壓控制器’該控制器可在定址和重置電極上 操作以致動偏斜並且重置該可偏斜構件。於矽基片中被 设计之電壓控制器可以是一適當的SRAM、DRAM、或其 他变式之低電壓高速邏輯。為討論和展示目的，電壓控 I5制電路.以第3圖參考號碼350被定義。同時也考慮到，被 ♦ 連接到重置電極和被連接到鏡偏移偏壓之電壓控制器一 般被製成，作為晶片外電路以得到較高電壓電位。 於各種實施例和結構中，例如，第2和3圖所展示者， 考慮到’光傳導層可能可藉由任何適當的方法而被保持 2〇於基片對齊。這些之中包含傳統對齊方法和結構以及極 端地達到接近對齊（例如，矽/玻璃結合技術）之方法。這 矽/玻璃結合技術所包含之方法有，一光傳導材料（例如， 玻璃）被接合至半導體基片材料（例如，矽）以達成整合矽/ 玻璃結構之方法。 0503-A3392 ] TWF] /aaronlin 11 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 修正曰期：99.3.31 第4A、4B、和4C圖展示如第1A圖所展示之微鏡陣列 元件。其展示之微鏡元件與樞紐軸線呈90度角之橫截面 圖。鏡400藉由適當的扭轉樞紐（未被展示）雨被附帶於支 柱402。支柱402是經由垂直柱406和下方支柱404而與接 5 地電極408電氣地通訊。一起地，鏡400和伴隨支柱402、 垂直柱406、下方支撐404以及樞紐（未被展示），被包含於 一可偏斜構件組件410中，其被置放在一半導體基片412 和一光傳導基片414之間。當微鏡400是在如第4A圖展示 之一靜止位置以及如第4B圖展示之至少一可操作位置之 10 間的情況中，可偏斜結構組件410允許可偏斜構件移動。 可偏斜構件（例如，微鏡400)被光傳導基片414或半導 體基片412之一者所支撐。全文說明所使用之“支撐’’及/ 或“支撐結構”被定義為附帶於適當的基片412、414之一 適當的附件，而當在一靜止或光學中性位置以及至少一 15 可操作位置之間，足以允許或便利可偏斜移動，如圖形 所展示。如第4A、4B、和4C圖之展示，可偏斜結構組件 410被支撐在基片412.上。可偏斜結構組件410可操作.以反 應於因定址電極416所產生之靜電吸力而使可偏斜構件 (例如，鏡400)自靜止位置偏斜至至少一偏斜位置。當接 20受因重置電極418所產生的適當靜電力時，可偏斜構件返 回至一未偏斜位置。 如第4A、4B、和4C圖之展示，定址電極416被置放 在基片412中並且被整合為CMOS結構之部份。重置電極 418被置放在光傳導基片414上或被整合進入光傳導基片 0503-A33921TWFl/aaronlin 12 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 修正日期：99.3.31 414中。重置電極418可以任何適當的方式構成。當被置 放在光傳導基片414上時，重置電極418可由光學透明導 電材料所構成。 適當的光學透明導電材料是允許裝置具有最小干擾 5 或降級而作用的材料。一般，光學透明導電材料將具有 在大約為1.0和大約為3.0之間的折射率並且具有足以允 許且支援所需要的偏壓電壓之導電性。導電性之範例將 φ 是大约在106 1/(歐姆•厘米）和103 1/(歐姆•厘米）之 間。雖然透明導電材料之光學特性可以在應用之間變 -ίο 化，但適當的透明導電材料一般將具有大約較大於200埃 材料厚度之70個百分.比·的傳輸性能。適當.的透日月導電材 料之非限制範例包含由III族元素和錫之至少一種所構成 的各種氧化物材料。適當.的ΠΙ族元素之範例包含銦、鎵、 和銘之至少一種元素。透明導電材料範例包含鋅氧化 15 物、三氧化銦（In203)、銦錫氧化物（ITO)、CdSn04、一 Φ 氧化錫（SnO)以及二氧化錫（Sn〇2)之至少一種。 光學透明重置電極418可被安置於光傳導基片414上 之任何適當的位置。重置電極41 8可以任何適於便利功能 之適當的方式構成。如第4A、4B、和4C圖之展示，光學 • 2〇 透明重置電極418被安置於光傳導基片414之下方面420 上。應了解，光傳導基片414同時也具有末端接於半導體 基片412之上方面。重置電極418可以任何適當的方式被 連接到光傳導基片414之下方面420。如第4A圖之展示， 電極厚度被放大以供展示。如所展示，光學透明重置電 0503-A33921TWFl/aaronlin 13 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 修正曰期：99.3.31 極418被整合進入光學傳導基片414中。同時也考慮到， 光學透明重置電極418可以具有與光學透明基片414之下 方面420重疊之關係。重置電極418被連接到一無關於 CMOS結構和電壓限制之適當電源（未被展示）。如所展 5 示，定址電極416被整合進入CMOS結構中。 考慮到，定址電極416、接地電極408、以及重置電 極418可以具有如特定結構和應用要求所定義之所需要 的或所要求的適當電壓電位。依據設計限制，重置電極 418之電壓電位可以是在廣泛地被定義之-100¥至100¥之 10間的範圍，或由CMOS結構所定義之電位電壓範圍。如果 被整合進入CMOS結構中時，供用於定址電極416和接地 電極408之電位電壓一般將受限制，但是將足以允許使微 鏡400偏斜。重置電極418和接地電極408將具有足以克服 定址電極416之電壓電位的電壓電位。 15 於如第4A圖所展示之靜止或光學中性位置上，接地 電極408、定址電極416以及重置電極418具有允許微鏡 400保持在靜止的電壓電位。經由範例，所有接地電極 408(Vg)、定址電極(Vel)以及重置電極（Vt)之電壓電位皆 等於零。 20 為了使微鏡400傾斜成為第4B圖展示之可操作位 置，偏壓電壓被施加至定址電極416(Vel = +)。被施加之 偏壓電壓是足以產生可使偏斜構件410偏斜的靜電引力 之一偏壓。在偏斜時，供用於重置電極418和接地電極408 之電壓電位可保持中性。不同地，重置電極418及/或接地 0503-A33921TWP1 /aaronlin 14 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 多正日期：99.3.31 電極408可被偏壓以便利偏斜。例如’如果需 偏斜結構組件410之靜電引力可由適當對接 的話’可 迫两ίΛΤ 、 地電極408.的 偏歷：（Vg =-)而被提高，如第4Β圖之展示。 為了如第4C圖展示地重置光學中性位.詈 正電壓可 5經由重置電極418(Vr = +)被引介，其考慮經接.地電極4〇8 之負電位偏壓電壓。經由定址電極416被引介之電%屋可被 減低為零（Vel = 〇)，因而產生一相斥靜電力，其驅動可 φ 偏斜構件410至靜止或者光學中性位置。 ' 考慮到’成批的重置可被施加至整個微鏡裝置陣列 _ _1〇以提供強大的靜電力而驅動被偏斜之微鏡至它們分別的 平坦狀態。 接著轉至第5A、5B.以及5C圖，微鏡結構之第二實施 例被展示，於其中可偏斜構件組件.510包含鏡500、支柱 50:2、下方支柱504、以及與接地電極508接觸之垂直柱 u .506。重置電極518被支撐在光傳導基片514之下方面52〇 參上。定址電極516和·522被置放在半導體基片512中且被整 合於CMOS結構。多數個電極（例如，定址電極6和:522) 之存在增加系統角度範圍。在所展示之結構中，鏡5 〇〇可 從第5A圖展示之光學中性位置被驅動至二個可操作位置 2〇之一（一可操作位置如第5B圖實線所展示，而一相對之可 操作位置如第5B圖虛線之展示）。分別的定址電極516、 5.22運用靜電力以驅動鏡5〇〇進入可操作位置。透過重置 電極518而便利地返回至光學中性位置。在第化圖展示之 實施例中，定址電極516和522經由存在於半導體基片512 0503-A33921 TWFl/aaronlin 15 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 修正日期：99.3.31 中之CMOS電路而被控制。重置電極518和接地電極508 可透過適當的控制器（未被展示）而在CMOS電路之外被 控制。於一實施例中，接地電極508被附帶於反射元件（例 如，鏡500)並且電氣地被耦合至基片512，以至於接地電 5 極508用以供選擇地致動電子電路。另外地，重置電極518 可在CMOS之上被控制。為了將鏡500重置至靜止或者光 學中性位置，靜電相斥力經由重置電極518被產生。相斥 力是一種足以克服透過定址電極516、522所產生之任何 力量。 10 當在如第5A圖展示之靜止或光學中性位置時，接地 電極508、定址電極516、522、以及重置電極518之電壓 電位是足.以允許微鏡500保#靜止。作為範例，所有接地 電極508(Vg)、定址址電極516、522(Vel和Ve2)、以及重 置電極518(Vt)之電壓電位皆等於零。 15 為了使微鏡500傾斜在第一操作位置，如第5B圖之展 示，偏壓電壓被施加至定址電極516或522(Vel = +)。被 施加之偏壓電壓是足以產生足以使可偏斜結構組件510 和相關的鏡500偏斜之靜電引力。在偏斜時，重置電極518 及/或接地電極·5〇8可被加偏壓以便利偏斜。如果需要的 20 話，例如，可偏斜構件組件510之靜電引力可透過在接地 電極508(Vg = -)之適當的偏壓電壓而被提高。 為了重置於光學中性位置，如第5C圖之展示，正的 電壓可經由重置電極518(Vr = +)被引介，以經由接地電 極508而計數負電位偏壓電壓（Vg =-)。經由定址電極 0503-A33921TWFl/aaronlin 16 1374113 、第94H)6422號之專利說明書修正本 修正日期·· 99.3.31 516、52.2被引介之偏壓電壓可被減低至零（Vel==〇)且可偏 斜結構組件510可被拉至光學中性位置。 無關於CMOS結構的重置電極518之使用允許高電壓 重置步驟。如此處之使用，專門名詞”高電壓”廣泛地被定 5義為超出那些可經由CMOS結構而被得到的電壓。高電壓 可高至±100V—般或適用於前述電路和結構的其他數值。 利用高電壓重置之第三實施例被展示在第6A、6B、 • 叱和60圖中。可偏斜結構組件610包含鏡600、支柱6〇2、 下方支柱604、垂直柱606、以及接地電極6〇8。可偏斜结 .H)構組件610被半導體基片612所支.撐。定址電極616同時: 被半導體基片6i2所支撐。光傳導基片614與可偏斜結構 組件610具有空間地重疊之關係。重置電極618以一方式 被半導體基片612所支撐’.因而接地電極6〇8(Vg)和重置 電極618是不受限於CM0S之電壓限制，更確切地說，是 Μ受限於被引介到整個陣列微鏡或其他可偏斜構件之部份 ♦ 的一般偏移電壓。因此’被施加在接地電極6〇8(Vg)和重 置電極618(Vr)之間的電壓可以是充分地高而足以引動高 速的微鏡重置。該電壓可以是高至±1〇(^或適用於前述電 路和結構的其他數值。 2〇 在如第6A、6B、以及6C圖所展示之表示操作序列 中，供用於接地電極608、定址電極616、和重置電極618 之啟始電壓電位是足以保持鏡60〇於靜止或光學中性位 置。如第6A圖之展示，所有用於接地電極刪(Vg)、定址 電極6260^)和重置電極61.8(ντ)之電塵電位皆是零。為 0503-A3392] 丁 WFl/aar〇nlin 17 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 修正日期：99.3.31 了使微鏡600傾斜到一可操作位置，如第6B圖之展示，偏 壓電壓被施加至定址電極616(Vel =+)。在偏斜時，如果 所需要或者要求的話，則接地電極608和重置電極618之 電壓可以被加偏壓以便利偏斜至可操作位置。如果需要 5的話，則可偏斜結構組件610之靜電引力可經由接地電極 608(Vg = -)而透過一適當的偏壓電壓而被提高。 為了重置鏡600於光學中性位置，如第6C圖之展示， 對定址電極616之偏壓電壓可被中斷(Vel =0)且偏壓電壓 可被施加至重置電極618(Vr = +)，而被施加至接地電極 ίο 608之偏壓電壓則保持為負（Vg =-)。被施加至接地電極 608之這負偏壓電壓提高可偏斜結構組件610之靜電力。 同時也考慮到，在某些情況中，被施加至接地電極608之 偏壓電壓可以是中性的。一旦微鏡600被返回至光學中性 位置，重置電極618之偏壓電壓可被中斷（Vr=0)，如第6D 15圖之展示。接地電極608之偏壓電壓可如第6D圖所展示地 繼續或如所需要地被中斷。 如此處所揭示之重置電極可被使用於具有可偏斜構 件之各種微機電裝置中。偏斜點可以是如先前所討論的 中央點。同時也考慮到，偏斜點可依據相關的微機電裝 20 置設計而被偏移。例如，在微鏡組件中，該裝置可使用 側部框紐架構。 第7A、7B和7C圖展示具有側部枢紐架構之微鏡的第 四不同實施例。該微鏡是微鏡陣列之一元件並且被展示 對樞紐軸線成90°之截面。鏡700藉由適當的扭轉枢紐（未 0503-A33921 TWFl/aaronlin 18 1374113 第94_2號之專利說明書修正本 修正曰期·· 99·3·31 被展不）而被附帶於支柱7〇2上。支柱7〇2是經由垂直柱7⑽ 和下方支柱704而與接地電極7〇8電氣通訊。鏡7〇〇、支柱 7〇2、垂直柱706、下方支柱7〇4、以及樞紐（未展示出）一 起地形成可偏斜結構組件71〇。可偏斜結構組件71〇被基 5片712所支撐。定址電極Ή6同時也被基片712所支撐。光 傳導基片714與可偏斜構件71〇和基片712具有空間地重 疊之關係。重置電極718被支撐在光傳導基片714之下方 參面720上。重置電極718可由如先前所討論的光學透明材 '料所構成。如所需要或者所要求，重置電極718可具有任 _ -ίο何適當的結構以覆蓋所有或者部份之光學透明基片71斗 的下方面720。當在第7Α圖展示之重置或者光學中性位置 時，定址電極716(Vel)、接地電極7〇8(Vg)、和重置電極 718之電壓電位全部是為零。 為了使鏡700傾斜或者偏斜成為可操作位置，如第 15圖之展示’偏壓電壓被施加至定址1極7l6(Vel = +)。被 •施加之偏壓電壓產生足以使鏡7〇〇偏斜之靜電力並且被 保持直至需要重置為止。為了便利偏斜，施加壓力於可 偏斜構件組件710上之靜電引力可透過接地電極7is(vg =-)之偏壓電壓的施加而被提高。 20 第7C圖展示至靜止或光學中性位置之重置。為重 置，電壓電位可被建立在重置電極718和接地電極7〇8之 間。如第7C圖之展τ ’重置電極718被加偏壓，以至於偏 壓電壓（Vr)是正而接地電極708(Vg)之偏壓電壓則保持為 負的，其絕對值足.以使微鏡700返回至光學中性或者靜止 0503-A33921TWFl/aaronlin 19 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 修正曰期：99.3.31 位置。為了進一步便利快速的重置，經由定址電極71 6之 電壓可被降低至零（Vel = 0)。 同時也考慮到，此處所揭示之重置電極可被利用於 多種結構中，其中一可偏斜構件被光傳導基片所支撐。 5為進一步的展示這點，第8A、8B和8C圖展示微鏡裝置之 第五實施例。可偏斜結構組件810被支撐在光學透明基片 814之上。光學透明基片814重疊在具有適當CMOS結構之 適當的半導體基片812之上面。可偏斜結構組件810可自 靜止位置移動至在半導體基片812和光學透明基片814之 10間被形成的區域之至少一可操作位置。 如第8A、8B和8C圖展示之可偏斜結構組件810包含 鏡800，其藉由適當的扭轉樞紐（未被展示）而被裝設在支 柱80.2上。可偏斜結構組件810是與接地電極808電氣地接 觸。如第8A、8B、和8C圖之展示，接地電極808被成型 15在光傳導基片814之下方面820上或者被整合進入光傳導 基片814之下方面820内。同時也考慮到，接地電極808可 透過任何適當的方法而被裝設在下方面8.20之上。重置電 極818同時也被成型在光傳導基片814下方面820上、被整 合進入其内、或者被裝設在其上。重置電極818是由光學 2〇透明材料所構成。考慮到，接地電極808可以是由任何適 當的材料所構成，其包含，但是不受限制於，此處所列 舉之將可應用的光傳導材料。接地電極808和重置電極 818彼此無關地作用並且兩者皆無關於存在半導體基片 812裡之CMOS結構。定址電極816被置放在半導體基片 0503-A33921 TWFl/aaronlin 20 ^74113 .第941讀號之她明書糾 修增：99.3·31 81.2中。一般，定址電極8〗6在CM〇s結構之内作用。 、，當在重置電極m和接地電極繼之間的電慶偏屢被 4除時，具有鏡8〇〇之可偏斜結構組件在靜止或者光 學中性位置。在重置電極818裡之偏屢電壓的中止，食足 5以在定址電極816產生靜電引力之偏壓電壓的引介二起 地驅動可偏斜結構.組件削至一傾斜或者可操作位置，如 第8B圖之展示。至開始位置之重置可藉由定址電極8^ 修之電壓偏壓的中止與重置電極818之電虔電位的—起引 介而被達成。這狀態將展示於第8C圖中。 • 10 如第8人圖之展示，當在靜止或者光學中性狀態時， 重置電極818之偏壓電壓（Vr = +)平衡或者消除接地電極 808之偏壓電壓（Vg = 。分別的偏壓電壓之絕對值可以 是任何適當的數值。.一般，接地電極8〇8和重置電極 之偏壓電壓絕對值將超出定址電極816之偏壓電壓絕對 15值。考慮到，接地電極808和重置電極818得到在—丨 春100 V之間的偏壓電壓值。 可偏斜結構組件81 〇能如所需要或者所要求的保祷 在可操作位置裡。當需要重置於靜止或者可操作中性位 置時，重置可利用定址電極816之偏壓電壓（Vel = 〇)的中 20止和重新開始重置.電極818之偏壓電壓（Vt = +)而被達 成，如第8C圖之展示。 在光學透明基片814上之接地電極808、重置電極818 和相關的可偏斜結構組件810的位置允許標準(：]^〇8處理 (相同於SRAM)，該標準CMOS是被安置在半導體基片812 〇50j>-A3392]TWFl/aaronlin 21 修正日期：99.3.31 第94106422號之專利說明書修正本 ί在結構組件810之下或者被其所覆蓋著的區域 件810 狀整合，如在基片814上之可偏斜結構組 件810,允許在CM0S結構格式及在半導體基片812上之位 置上有較大的彈性。 10 15 如此處所揭示之具有重置電極的微機電裝置可被使 用於多種應用中。一非限制性之範例是空間光調變器。 空間光調變器可包含多數個MEMS裝置，如此處所揭示而 具有微鏡或者被配置在適當的陣列中之其他適當的可偏 斜數位光裝置元件。光傳導層以及半導體基片可配合地 形成可偏斜構件操作於其中之密封容室或 D一 般’密封容室或者腔室可包含任何適當的流體或者氣體 材料以便利可偏斜構件之操作。流體被湘之處 到，選擇之流體將具有適當的性質以供強化椹 件、光學反射性、或者其類似者之功能。一般各:：： 質流體^尤其是介電泳流體，可被引介進人該密封容室 或者腔室。 空間光調變器包含此處所定義之光傳導基片 傳導基片具有空間距離之丰導體基月、及被置放在光 導基片及半導體基片之間之可偏斜構件。可偏斜構 以是適當地被設置之微鏡，其被置放在半導體基片與光 =導基片之間且被前述者之—所支推。可偏斜構件用以 當靜電地被吸引至被安置於半導體基片上之至少—個— 址電極時’自靜止或者光學中性位置偏斜至至少—可= 作位置。空間光調變器同時也包含至少一個重置電極「 050j - A3 3921T WF1 /aaron 1 ίπ 22 修正日期：99.331 第94腦22號之專利說明書修正本 〃可在可偏斜構件上操作以重置於靜止或者光學中性位 置上。 一空間光調變器可被使用於各種顯示裝置上。第9圖展 τ其中一種裝置。第9圖是影像投射系統9〇〇之分解圖， 其使^此處所展示之_種被改進的微鏡裝置。在第9圖 中’來自光源904之光透過透鏡906而集中於微鏡裝置902 ^。雖然展示為單一透鏡9〇6，透鏡906—般是透鏡、.積 ^器、和鏡片的群集’其聚焦且引導來自光源9〇4之光到 ，鏡裝置9Q2表面上。來自控制器914之影像資料和控制 ^號被寫入到連結於各微鏡之適當的SRAM晶胞、 曰胞或其類似者之上。這些相關晶胞中的資料引起一 ，鏡片轉動至相關之位置上。在微鏡裝置902上被轉動至 一離開或者靜止位置之鏡片可反射光進入光捕捉器卯8 或者自投射透鏡910離開.，而被轉動至一相關位置之鏡片 =將光反射至投射透鏡91〇，為簡明起見，其也被展示為 單一鏡片。投射透鏡91〇聚焦利用微鏡裝置9〇2被調變之 光到單一影像平面或者屏幕912上。 、微鏡裝置90.2可依據此處所揭示地被設置並且將廣 乏地包含光傳導基片、半導體基片、及被前述之一所支 撐的至少一個微鏡。微鏡裝置902同時也可包含如此處所 揭示之至少一個定址電極及至少一個重置電極。 此處揭示之裝置可以此處所討論之方式被製造，.以 便建構具有重置電極之微機電裝置。適當的分隔層和成 型處理可被利用以形成適當的結構，例如.，在如第1〇圖 〇5〇3-A3392lTWFl/aaronlin 23 1374113 修正日期：99.3.31 第94106422號之專利說明書修正本 參考號碼1010所疋義之具有定址電路的適當半導體基片 上之樞紐支柱、定址電極支柱、和其類似者。依據在所 完成的微機電裝置之重置電極的位置，半導體基片可具 有先别已形成之重置電極或者可被建立在半導體基片（如 5參考號碼1012)或者末端連接於半導體基片區域（如參考 號碼1014)之任一者上的重置電極。 、在微鏡裝置中，考慮到，微鏡之各種元件可經由各 種策略以及處理過程而連續地被建立。重置電極被置放 在半導體基片上之處，考慮到’重置電極可被建立作為 10相同製造序列之部分。重置電極被置放在光學透明基片 上之處，考慮到，處理過程可包含在末端連接於半導體 基片之分隔區域（如1〇14)的重置電極區域之適當的成型 和沈積。另外地’重置電極可利用包含適當的成型與钱 刻處理過程之適當的沈積步驟而被建立在光傳導基片 is上。一旦微鏡結構被建立，如在1〇16，則具有相關重置 電極之光學透明基片層可被建立，如在1018。 、在微鏡構造序列之簡化圖中，考慮到，第一分隔層 可被建立、被成型、並且被㈣以形成結構，例如，定 址電極支柱、極紐支柱.以及選擇地—個重置電極和將被 2〇構成之類似者。樞紐元件可被建立在適當的分隔層裡以 連接樞紐至樞紐支柱。同樣地，定址電極可被立 址電極支柱上。 疋 二為了建立一鏡元件，第二組分隔層可被成型而與 刖被形成之結構具有重疊的關係。分隔層可被成型以形 〇503-A3392ITWFJ/aaroniin 24 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 修正-日期：99.3.31 成在至少一個枢紐元件及至少一個鏡元件之間的連接。 光學透明基片可被建立而與鏡集合組件以及與適當 移除犧牲層之半導體基片具有密封且重疊之關係。如果 - 不在半導體基片上被形成，至少一個重置電極可被建立 , 5 並且被結合於光傳導基片，以允許重置電極無關於定址 電極地操作，且如果需要，則產生較大於定址電極之偏 壓電壓。 ^ 雖然實施例已配合目前視為最實際的和較佳的實施 例而被說明，應了解到，本發明並不受限制於所揭示之 -10 實施例，反之，相對地，本發明將涵蓋被包含在所附加 之申請專利範圍之精神和範疇内的各種修政和等效配 置，該所附加之申請專利範圍將給予最廣泛之闡釋，以 便包含在法律允許之下的這些所有修改和等效結構。 0503-A33921TWF1 /aaronlin 25 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 修正日期：99.3.31 【圖式簡單說明】 第1A圖是包含一微鏡陣列之數位光調變器的實施例 平面圖； 第1B圖是適用於微鏡之枢紐結構之詳細圖形； 5 第1C圖是包含具有側樞紐結構之微鏡陣列的數位光 調變器實施例之平面圖； 第2圖是具有側枢紐結構之微鏡裝置實施例的透視 圖； 第3圖是數位微鏡像素實施例之分解圖； ίο 第4A圖是在樞紐轴線90度角之靜止位置的數位微鏡 陣列之一微鏡橫截面圖； 第4B圖是被驅動至一偏斜或可操作位置之第4A圖 的數位微鏡圖形； 第4C圖是在重置模式之第4A圖的數位微鏡圖形； 15 第5A圖是在樞紐軸線90度角之靜止位置的微鏡陣列 第二實施例之一微鏡横截面圖； 第5B圖是被驅動至一偏斜或可操作位置之第5A圖 數位微鏡圖形； 第5C圖是在重置模式之第5A圖數位微鏡圖形； 20 第6A圖是在框紐軸線90度角之靜止位置的微鏡陣列 第三實施例之一微鏡的橫截面圖； 第6B圖是被驅動至一偏斜或可操作位置之第6A圖 數位微鏡的圖形； 第6C圖是揭示高電壓電極重置之第6A圖數位微鏡 0503-A33921 TWFl/aaronlin 26 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 修正日期：99.3.31 的圖形； 第6D圖是在重置模式之第6A圖數位微鏡的圖形； 第7A圖是在框紐軸線90度角之靜止位置的微鏡陣列 第四實施例中具有側部樞紐之一微鏡的橫截面圖； 5 第7B圖是被驅動至一偏斜或可操作位置之第7A圖 數位微鏡的圖.形； 第7C圖是在重置模式之第7A圖的數位微鏡之圖形； φ 第8A圖是在樞紐軸線90度角之靜止位置而具有侧部 樞紐之一微鏡.的橫截面圖； . -10 第8B圖是被驅動至一偏斜或可操作位置之第8 A圖 數位微鏡的圖形； 第8C圖是在重置模式之第8A圖數位微鏡的圖形； 第9圖是利用如此處所展示之數位微鏡的顯示裝置 之分解圖；以及 15 第10圖是概述製造具有重置電極之微機電裝置之方 • 法實施例的處理程序圖形。 I主要元件符號說明】 0503-A33921TWF1 /aaronlin 27 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 修正日期：99.3.31 100、100 '…數位微鏡裝置陣列 102、102 鏡元件 104、104 '···支柱 106、106 '…鏡陣列邊緣 108…枢紐 110···樞紐軸 5 202·.·枢紐 210…可偏斜構件 214…光傳導基片 216、300、400、500 302…支柱 ίο 3 06…扭轉樞紐 310…樞紐支柱 314…定址支柱 318…半導體基片 3.50…電壓控制電路 15 404…下方支柱 408…接地電極 件 412…半導體基片 416…定址電極 20 420…下方面 504…下方支柱 5 0 8…接地電極 200...空間光調變器 204…支柱 212…半導體基片 600、700…鏡片 304…著地輛 308…樞紐支柱頂蓋 312…定址電極 316…定址電極護墊 320…光傳導基片 402…支柱 406…垂直柱 410…可偏斜構件組 414…光傳導基片 418…重置電極 502…支柱 506…垂直柱 510…可偏斜構件組 件 0503-A3392lTWFl/aaronlin 28 1374113 4 • 第94106422號之專利說明書修正本 修正日期：99.3.31 512…半導體基片 514…光傳導基片 516…定址電極 .518…重置電極 520···下方面 522…定址電極 602…支柱 604…下方支柱 5 606…垂直柱 608…接地電極 610…可偏斜構件組件 612…半導體基片 614…光傳導基片 616…定址電極 • 618…重置電極 702…支柱 704…下方支柱 706…垂直柱 10 708…接地電極 710…可偏斜構件組 件 71.2…半導體基片 714…光傳導基片 716…定址電極 718…重置電極 15 7.20…下方面 800…鏡片 • 8 02 支柱 804…下方支柱 806…垂直柱 708…接地電極 810…可偏斜構件組件 812…半導體基片 814…光傳導基片 816…定址電極 20 818…重置電極 820…下方面 900···影像投射系統 902…微鏡裝置 9 0 4…光源 906…透鏡 908…光捕捉器 910…投射透鏡 0503-A3 3 921TWF1 /aaronlin 29 1374113 第94106422號之專利說明書修正本 912…屏幕 30 修正日期：99.3.31 0503-A33921 丁 WFl/aaronlin

Claims (1)

1374113 第94106422號申請專利範圍修正本 101年2月8日修正替換頁 十、申請專利範圍： 1·種二間光調變器，其包含： 一光傳導基片 其被配置而與該光傳導基片有一空 一半導體基片 5 間距離； _ 一可偏斜構件，其被置放在該光傳導基片和該半導 體基片之間，並且被該光傳導基片和該半導體基片之一 基片所支稽’該構件用以當靜電式被吸引至安置於該半 導體基片上之至少—定址電極時，自—未偏斜位置偏 -10 至至少一可操作位置；以及 ’ 一重置電極’其可操作以重置該偏斜構件至該未偏 2’如申請專利範圍第1項之空間光調變器，其中該重 15 置電極被置放在該光傳導基片和該半導體基片之至少一 基片上。 3，如申請專利範圍第1項至第2項中任-項的空間光 調變器，1中爷番罟贲枚曰‘ 工间尤 ”千这重置電極具有—電壓電位（％)，該電屋電 位足以克服在該可偏斜構件和該定址電極之間 力。 1 4.如申4專利範圍第丨項之空間光調變器，其中該重 由光學透明導電材料所構成，其中該光傳導基 八有末知連至該半導體基片的較高面以及—相對的較 面’並且其巾該透明導電材料被置放在該光傳導基片 0503-A3392 ] TWF3/aaroniin 31 1374113 第94106422號申請專利範圍修正本 101年2月8 a修正替換頁 之較低面上。 5.如申請專利範圍第1項之空間光調變器，其中該光 傳導基片和該半導體基片形成一密封容室，該空間光調 變器進一步地包含一種被包含在該密封容室中之流體。 5 6.如申請專利範圍第1項之空間光調變器，其進一步 地包含一電壓控制器，該電壓控制器可於該等定址電極 和重置電極之至少一電極上操作以致動該可偏斜構件之 偏斜和重置。 7. —種數位微鏡，其包含： 10 一半導體基片； 一光傳導基片，其被配置而與該半導體基片有一空 間距離； 至少一個可偏斜鏡構件，其被該半導體基片和該光 傳導基片之至少一個所支撐，該鏡構件可在一未偏斜位 15 置和至少一可操作位置之間偏斜； 至少一個定址電極，其可在該可偏斜鏡構件上操作 以移動該鏡構件進入該可操作位置，該定址電極具有一 定址電極電壓電位（Vel);以及 至少一個重置電極，其可在該可偏斜鏡構件上操作 20 以移動該鏡構件進入該未偏斜位置，該重置電極具有一 重置電極電壓電位（vT)，其中該重置電極電壓電位（vr)是 足以克服該定址電極電壓電位（Vei)。 8. 如申請專利範圍第7項之數位微鏡，其中該光傳導 0503-A33921 TWF3/aaronlin 32 1374113 101年2月8日修正替換頁 第94106422號申請專利範圍修正本 基片和該半導體基片形成一密封容室，該數位微鏡進一 步地包含一被含於該密封容室中之流體。 9. 一種微機電裝置，其包含： 一基片； 5 一光傳導層，其被配置而與該基片有一空間距離， 其中該基片和該光傳導層形成至少一個腔室，該腔室包 含一介電泳流體； •一支撐結構，其被耦合至該基片或該光傳導層之一 者，該支撐結構被包含在該腔室之内； 10 一透明導電材料，其被置放在該光傳導層上；以及 一反射元件，其被耦合至該支撐結構，該反射元件 用以當被靜電吸引至安置於該基片上之一定址電極時， 在一未偏斜位置和至少一可操作位置之間偏斜，並且當 接受藉由該透明導電材料所產生之靜電力時，則返回至 15 該未偏斜位置。 t 10.如申請專利範圍第9項之微機電裝置，其中該支 撐結構包含至少一個樞紐和至少一個支柱，該至少一個 支柱被連接到該光傳導層和該基片之至少一者，並且該 至少一個樞紐自該至少一個支柱延伸並且成為與該反射 20 元件連接。 11.一種顯示裝置，其包含： 一光源，其用以提供沿著一光通道之光束； 一在該光通道上之微鏡裝置，其用以反應於影像資 0503-A33921 TWF3/aaronlm 33 1374113 _ 第94106422號申請專利範圍修正本 101年2月8 B修正替換頁 料信號以選擇地沿著第二光通道而反射該光束之部分； - 以及 一控制器，其用以提供影像資料信號至該微鏡裝置； 其中該微鏡裝置包含： 5 一半導體基片； 一光傳導層，其被連接且被配置而與該半導體基片 有一空間距離； 至少一個可偏斜鏡構件，其被該半導體基片和該光 拳 傳導層之至少一個所支撐，該鏡構件可在一未偏斜位置 ％ 10 和至少一可操作位置之間偏斜；以及 至少一個重置電極，其可在該鏡構件上操作以自該 可操作位置移動該鏡構件至該未偏斜位置，該重置電極 被置放在該半導體基片和該光傳導層之' —者上面。 12. 如申請專利範圍第11項之顯示裝置，其中該重置 15 電極被配置在該鏡構件和該光傳導層之間5該重置電極 是由透明的導電材料所構成。 I 13. 如申請專利範圍第11項至第12項中任一項的顯 示裝置，其中該半導體基片和光傳導層形成一密封腔 室，該密封腔室包含該可偏斜鏡構件和一介電泳流體。 20 14.一種重置至少一個數位微鏡的方法，其所包含之 步驟有： 施加一偏壓電壓至相關於一可偏斜微鏡組件之一重 置電極’並且 0503-A33921TWF3/aaronlin 34 1^/4113 t 1〇1年2月8日修正替換頁 第94106422號申請專利範圍修正本 在H件内之—微鏡自—可操作位置偏斜至一未偏 斜位置之後，斷開該偏壓電壓之施加。 15·如+料利範圍第14項之重置 鏡的方法’其中該微鏡組件包含： 一半導體基片； 一光傳導基片 間距離；

其被配置而與該半導體基片有一空 至乂 一個可偏斜鏡構件，其被該半 傳導基片之至少一個所支撐； 10

、至少-個紐電極，其可在該可偏斜鏡構件上操作 以移動該鏡構件進入至少一可操作位置，該定址電極具 有一定址電極電壓電位（Ve]);以及 至少-個重置電極，其可在該可偏斜鏡構件上操作 以移動該鏡構件進人該未偏斜位置，該重置電極具有一 ，置電極電！電位（λΜ，其中該重置電極電壓電位㈤ 疋足以克服該定址電極電壓電位（ve】）。 16. 如申請專利範圍第15項之重置至少一個數位微 鏡的方法’其中該微鏡組件是以一陣列呈現並且該偏壓 電壓被施加至該陣列中之多數個微鏡組件。 17. 一種製作數位微鏡裝置的方法，其包含之 有： … 在具有定址電路之半導體基片域立分隔層 型； 0503-A33921T WF3/aaronlin 35 20 1374113

第94106422號申請專利範圍修正本 於包含一定址電極和一微鏡之半導體基片上建數 位微鏡裝置之元件； /在該等分隔層移除之後，以與該微鏡具有密封重疊 關係而建立一光學透明基片；以及 建立至少一個重置電極，該重置電極被連接到該光 學透明基片和該半導體基片之至少—個，該重置電極無 關於該^址電極而操作並且產生足以克服因該定址電極 所產生之偏壓電壓的偏壓電壓，而使該微鏡由一可操 擊 位置移動至一未偏斜位置。 〃 . 10 15 、is.如申請專利範圍第17項之製作數位微鏡裝置 方法，其進一步地包含之步驟有： 、…引介介電泳流體進入被形成於該光學透明基片和】 半導體基片之間的一密封容室。 19·種3周變光的方法，其包含之步驟有： 長1供一空間光調變器，其包含：

一光傳導基片； 一半導體基片，其被置放而與該光傳 , 間距離； 至少一個鏡構件’其可在一未偏斜位置和至少 個 了操作位置之間偏斜’該至少一個鐘 基片和件則該光傳導 浐错/a導體基片之其中一個而被支撐，該至少-個 鏡構件可操作以當靜電地被吸引至位 之至少-定址電極時則偏斜；以及 牛導體基片上 〇5〇3-A33921TWF3/aaronlin 36 20 1374113 第94106422號申請專利範圍修正本 一重置電極，其可操作而 該未偏斜位置；

1〇1 年 2 B 〇 月8日修正替換頁 重置該至少 一個鏡構件至 提供 遇迥琢无傳導基片的進入光束； 施加-第-偏麼電壓在該至少一個鏡構 :極之間’以便由於靜電引力而使該至少-二: 、經由該光傳導基片而將光線反射回去且進入以 籲少-鏡構件在可操作位置時之成像目標；以及- 施加-第二偏塵電壓至該重置電極，該第二 10壓足以克服對於該定址電極之靜電引力。 20.—種空間光調變器，其包含： 一光傳導基片； 一半導體基片，其被置放而與該光傳導基片有一空 間距離； ^ g 用以選擇地反射光線之裝置，該光反射裝置被置放 - 在該光傳導基片和該半導體基片之間並且利用該光傳導 基片和該半導體基片之一者而被支撐，該光反射裝置用 以自一未偏斜位置偏斜至至少一可操作位置；以及 用以重置該光反射裝置至該未偏斜位置之一裝置， 20該裝置包括至少一重置電極，該重置電極具有一重置電 極電壓電位。 0503-A33921 TWF3/aaronlin 37 1374113 第94106422號圖式修正頁 修正曰期：99.3.31 420 418(Vr=0) 410. \坐 \ 1 、402、 1-4： Π —U—1^·---^ ill i -γ·1— —^^406 -400 、404 (Vel=0)416-^ ^408(Vg=0) 第4A圖 420 418(Vr=0) 410

(Ve 广+)416- ^4〇8(Vg=-) 第4B圖 420 418(Vr=+) 414 410. 400 402 412 (Vel=0)416- 、408(Vg=-) 、406 第4C圖 404 1374113 修正日期：99.3.31 第94106422號之專利說明書修正本 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（2)圖。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 200···空間光調變器 212…半導體基片 2 0.2…框紐 214…光傳導基片 204…支柱 216…鏡片 210···可偏斜構件 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式 0503-A33921TWFl/aaronlin 4