TWI373689B - Method for forming anti-reflective coating - Google Patents

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TWI373689B TW94136584A TW94136584A TWI373689B TW I373689 B TWI373689 B TW I373689B TW 94136584 A TW94136584 A TW 94136584A TW 94136584 A TW94136584 A TW 94136584A TW I373689 B TWI373689 B TW I373689B
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Peng-Fei Fu
Eric Scott Moyer
Craig Rollin Yeakle
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Dow Corning
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Description

1373689 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種在一電子裝置上形成一抗反射塗層之 方法’其包括（A)將一 ARC組合物施於一電子裝置上該 ARC 組合物包括⑴一具有式（PhSi〇(3 x)/2(〇H)x)mHSi〇(3 χ)/2(〇Η)χ)η 之倍半矽氧烷樹脂，其中Ph係一苯基，X具有〇 ' 1或2之 值，m具有0.05至0.95之值，η具有0.05至0.95之值且 m + ;及（π)一溶劑；及（Β)去除溶劑並固化該倍半妙氧 燒樹脂以在該電子裝置上形成一抗反射塗層。 【先前技術】 半導體工業中一直需要更小之特徵尺寸，最近已出現作 為製造100奈米以下器件之技術的〗93毫米光學微影術。該 較短波長光之應用需要底部抗反射塗層（BRAC)以藉由吸 收已穿過該光阻劑之光減少該基板上之反射並抑制該光阻 劑急速固化。市售抗反射塗層（ARC)係由有機與無機材料 一者組成。典型地，展現良好抗蝕刻性之無機ARC係基於 CVD並具有極端表面形貌之所有綜合缺點。有機材料 係藉由旋塗製程施加並具有優良充填及平面化性質，但對 有機光阻劑之飯刻選擇性差。因此，甚需要一種提供無機 與有機ARC材料組合優點之材料。 【發明内容】 本务月ϋ關於對1 93奈米光展示抗反射塗層性質之倍半 矽氧烷樹脂。t亥等抗反射塗層可在去除階段剝除且該等倍 半石夕氧烧樹脂儲存時穩定。此外，該倍半石夕氧烧樹脂中氫 I05547.doc 1373689 化物基團之存在係作為一 193奈米ARC材料所期望固化性 質及可剝除性所必需的。 具體而言，本發明係關於一種在一電子裝置上形成一抗 反射塗層之方法，其包括： (A) 將一 ARC組合物施於一電子裝置，該ARC組合物包括 (i) 一具有下式之倍半矽氧烷樹脂 (PhSiO(3.x)/2(〇H)x)m HSiO(3-x)/2(〇H)x)n 其中Ph係一苯基，x具有〇、！或2之值；m具有〇 〇5至 0.95之值，n具有〇.05至〇 95之值且m+na!l ;及 (ii) 一溶劑；及 (B) 去除該溶劑並固化該倍半矽氧烷樹脂以在該電子裝置 上形成一抗反射塗層。 用於形成該抗反射塗層之倍半矽氧烷樹脂具有式 (PhSiO(3-x)/2(〇H)x)mHSiO(3.x)/2(〇H)x)n，其中 Ph係一苯基， X具有0、1或2之值；m具有〇〇5至〇95之值，n具有〇〇5至 0.95之值且m+nail。或者m具有〇丨至〇 5(或〇 1〇至〇 5〇)之 值。 该倍半矽氧烷樹脂可實質上完全縮合或僅部分縮合。當 該倍半矽氧烷樹脂部分縮合時，該倍半矽氧烷樹脂中小於 40莫耳％的單元包含Si_〇H基團^更高數量之該等單元可 導致樹脂不穩定並形成凝膠。通常在該倍半矽氧烷樹脂中 有6至38莫耳％之單元包含Si_〇H基團。 該倍半矽氧烷樹脂之重量平均分子量（Mw)係介於5〇〇至 400,000之間且較佳介於5〇〇至1〇〇〇〇〇之間或者介於7⑽ I05547.doc 1373689 至10,000之間。 用於本文之倍半矽氧烷樹脂可藉由（但不限於）以下例 示： (PhSi〇3/2)a(HSi〇3/2)b (PhSi03/2)a(PhSi〇2/2(〇H))c(HSi〇3/2)b (PhSi〇3/2)a(PhSi02/2(OH))c(HSi〇3/2)b(HSi〇2/2(〇H))d (PhSi〇3/2)a(HSi〇3/2)b(HSi02/2(〇H))d (PhSi〇3/2)a(PhSi02/2(OH))c(PhSi01/2(〇H)2)e(HSi〇3/2)b (PhSi〇3/2)a(PhSi02/2(OH))c(PhSiO,/2(OH)2)e(HSi〇3/2)b(HSi〇2/2 (〇H))d (PhSi〇3/2)a(HSi〇3/2)b(HSi〇2/2(〇H))d(HSiO(OH)2)f (PhSi〇3/2)a(PhSi02/2(〇H))c(PhSiOI/2(〇H)2)e(HSi〇3/2)b(HSi〇2/2 (〇H))d(HSiO(OH)2)f 其中 a>0 ’ b>0，c>0，d>0，e>0，f>〇，〇.〇5sa+c+eg0 95且 0.05<b + d + f$〇.95 且 c + d + e+f2〇.4〇。
該等倍半矽氧烷樹脂可藉由該項技術熟知之方法製備。 舉例而言，該等倍半矽氧烷樹脂可藉由笨基三烷氧基矽烷 與氫三烷氧基矽烷之混合物水解並縮合來製備，如頒予 Sa丨:觸to等人之美國專利第5,762,697號所聞述。或者，其 可藉由-苯基三氯㈣與氫三氣找之水解及縮合製備， 如頒予Becker等人之美國專利第6,281285號及頒予㈣等 人之美國專利第5,010，159號中所閣述。 一不包 可用於 通常於-溶劑存在下製備該倍切氧烧樹脂。 含-參與該反應之官能團之適宜有機切氧溶劑 I05547.doc 1373689 製備該倍半矽氧烷樹脂。以溶劑與矽烷反應物之總重量 叶’該溶劑通常以40至98重量％或者7〇至90重量％之量使 • · 用。該反應可以雙相或單相體系實施。 有用之有機溶劑可藉由（但不限於）以下例示：飽和脂肪 族化合物，例如正-戊烷、己烷、正·庚烷及異辛烷；環脂 族化合物，例如環戊烷及環己烷；芳香族化合物，例如， 笨曱笨、一甲本、二f苯；驗，例如，四氫0夫嗔、二氧 • 雜環己烷、乙二醇二乙醚、乙二醇二甲醚丨酮，例如，甲 基異丁酮（MIBK)及環己酮；經鹵素取代之烷烴，例如，三 氣乙烷；鹵化芳香族化合物，例如，溴苯及氣苯；酯，例 如，異丁酸異丁酯及丙酸丙酯。有用之矽氧溶劑可藉由 (但不限於）環矽氧烷（例如，八曱基環四矽氧烷及十曱基環 五矽氧烷）例示。可使用單一溶劑或使用溶劑混合物。 只要不會使該倍半矽氧烷樹脂明顯凝膠化或固化，則製 備該倍半矽氧烷樹脂之反應可在任何溫度下實施。通常該 • 反應係在介於5°c至150°c間之溫度下實施，建議於室溫; 實施。 形成該倍半矽氧烷樹脂之時間端視若干因素而定，例 如，溫度、矽烷反應物之類型及數量及觸媒（若存在）之數 量。通常該反應時間自數分鐘至數小時。熟悉該項技術者 能容易地確定完成該反應所需時間。 反應完成後視情況可去除該觸媒。去除該觸媒之方法已 為熟悉該項技術者所熟知且包括中和、汽提或水洗膝或其 組合。觸媒會對矽氧樹脂之存架壽命產生不利影響，尤其 I05547.doc 1373689 當在溶液中時，故建議將其去除。 在裝備《亥倍半矽氧烷樹脂之過程中反應完成後，可在 減壓下自該倍半碎氧烧樹脂溶液中去除揮發物。該等揮發 物。括醇衂產物、過量水、觸媒、鹽酸(氯矽烷途徑)及溶 月！用於去除揮發物之方法已為熟悉該項技術者所熟知並 包括（例如）蒸餾。
一不同 於製備該倍半吩氧㈣脂之反應後，可實施若干可選步 驟以纹得期望形式之倍半矽氧烷樹脂。舉例而言，可藉由 去除溶劑以固體形式回收該倍持氧㈣脂。溶劑去除之 方法並不嚴格且若付法已為熟悉該項技術者所熟知（例 如’在加熱及/或真空下蒸餾）。—旦以固體形式回收該倍 半石夕氧院樹脂，則對於具體應用該樹脂可視情況重新溶^ 相同溶劑中或另一溶劑中或者，若最終產物期—、 於反應中所用溶劑之不同溶劑，則可藉由添 牙〜溶齋丨 並稭助（例如）蒸餾去除該第一溶劑來實施溶劑交換。 外’樹脂於溶劑中之濃度可藉由去除部分溶劑或、額^ 量溶劑來調節。 頸外 電子裝置上以 矽氧烷以製備 該倍半矽氧烷樹脂與一溶劑組合並施於— 製備一經塗佈基板。去除溶劑並固化該倍半 該抗反射塗層。 一丨小丁 ▼肢亞卄例如欲用於製造车道 體組件之基於矽之器件及基於砷化鎵之器 導 吊，含女哭 件包括至少一半導體層及複數個包括各種導 “ 絕緣材料之其他層。 ’篮或 105547.doc 1373689 有用之溶劑（ii)主要包括（但不限於）1-曱氧基_2_丙醇、丙 二醇單曱基乙基醋酸酯及環己酮。以該arc組合物之總重 量計’該ARC組合物通常包括自約10°/〇至約99.9 wt%或80 至95 wt。/。之溶劑。 該ARC組合物可進一步包括一固化觸媒。適宜之固化觸 媒包括無機酸、光酸產生劑及熱酸產生劑。固化觸媒可藉 由（但不限於）硫酸（Η4〇4)、三氟曱磺酸（4·乙硫基苯基）甲 基笨基銃及三氟甲磺酸2-萘基二苯基銃例示。以該aRC組 合物之總重量計，一固化觸媒通常以最高1〇〇〇 ppm或5〇〇 ppm之量存在。 將該ARC組合物施於電子裝置上之特定方法包括（但不 限於）旋轉塗佈、浸塗 '噴塗、流塗、網板印刷及其他方 法。較佳施用方法係旋轉塗佈。通常，塗佈包括以約2〇〇〇 RPM旋轉該電子裝置並將該ARC組合物添加至該旋轉電子 裝置之表面。 去除溶劑並固化該倍半矽氧烷樹脂以於該電子裝置上形 成抗反射塗層。固化通常包括將該經塗佈電子裝置加熱至 足夠溫度並保持足夠持續時間以固化。舉例而言，該經塗 佈電子裝置於80t至450t下加熱〇1至6〇分鐘，或者於 150C至275 C下0.5至5分鐘’或者於2〇(rc至^代下^至 2分鐘。固化步驟期間可使用任一加熱方法。舉例而言， 可將該經塗佈電子裝置置於一石英管爐'對流爐中或立於 加熱板上。 固化期間為使該經塗佈纟且人物夕拉生 立伸，且σ物之倍+矽氧烷樹脂免於與 105547.doc 1373689 氧或碳反應，該固化步驟可於—惰性氣氛下實施。本文所 用之惰性氣氛包括（但不限於）氮及氬。「惰性」係指環境包 ' 含小於50 ppm且較佳小於1〇 PPm之氧。實施固化及去除步 驟時之壓力並不嚴格。固化步驟通常於常壓下實施，但亦 可於低於或高於常壓下實施。 —旦固化，包含該抗反射塗層之電子裝置可用於其他基 板處理步驟，例如，微影蝕刻。當用於微影蝕刻時，於該 鲁抗反射塗層上形成一抗蝕影像。形成該抗蝕影像之製程包 括.（a)於該抗反射塗層頂部形成一抗蝕劑組合物膜；（y 將該抗蝕膜以成影像方式暴露於輻射以產生一曝光膜；及 (c)使該曝光膜顯影以產生一影像。對於以成影像方式暴露 於波長157奈米至365奈米之紫外線輻射或波長157奈米或 1 9 3奈米之务外線輪射之抗钱劑組合物，該電子裝置上之 抗反射塗層特別有用。一旦已於該抗蝕膜上形成一影像， 則在該抗反射塗層上蝕刻一圖案。可使用習知之蝕刻材料 φ 去除該抗反射塗層。可實施附加步驟或去除該抗蝕膜並保 留該抗反射塗層以製造具有期望結構之器件。 該ARC塗層組合物可於較低溫下固化且其產生可藉由剝 離溶液去除之塗層。而且，如圖1中所示，让與η值可藉由 調節倍半矽氧烷樹脂中（PhSiOu.wAOHh)單元之數量來調 節。一般而言，本文所製備之抗反射塗層具有>〇至約i 〇 之k(吸收）@193及約1.5至1.8之「η」（折射率）。 本發明包括下列實例以闡述本發明之較佳實施例。熟習 此項技術者應瞭解，下列實例中揭示的技術代表本發明之 I05547.doc 1373689 發明者發現在本發明之實踐中充分發揮作用之㈣，從而 可認為該等技術構成本發明實踐之較佳模式。然而， 此項技術者借助於本揭示内容應瞭解，在所揭示具體實施 例中可實施多種改變且仍可獲得―㈣或相似結果此並 不背離本發明之精神及範圍。 【實施方式】 實例 實例1 樹脂合成：丁'.35丁\65 於氮氣氣氛下將120克PGMEA、18.5克（0.0875莫耳）苯基 三氯矽烷及22.01克（0.1625莫耳）三氣矽烷之溶液轉移至2 應器中。經一小時將200克PGMEA與1〇克（0·555莫耳）水之 溶液添加至該三氯矽烷溶液中。在濕Ρ(5ΜΕα添加完後， 容許反應物稠化’於20°C下再攪拌一小時。水與發之比係 2.2:1。於40°C下用旋轉蒸發器將該樹脂溶液濃縮至約1〇 wt°/〇。將約4〇克乙醇添加至該樹脂溶液中。將燒瓶放回至 旋轉蒸發器並再次將溶液汽提至約20 wt%。用額外 PGMEA將溶液稀釋至10 wt%。藉助一〇.2〇微米ptfe過濾 器過濾該溶液並儲存於250毫升HDPE瓶中。 實例2 樹脂合成：TPh〇.25TH0.75 於氮氣氣氛下將120克PGMEA ' 13.2克（0.0625莫耳）苯基 三氣矽烷及25 _4克（0.1 875莫耳）三氣矽烷之溶液轉移至反 應器中。經一小時將200克PGMEA與10克（0.555莫耳）水之 I05547.doc -13 - 1373689 溶液添加至該三氣㈣溶液中。在濕pgmea添加完後， 容許反應物稠化，於20。。下再攪拌一小時。水與矽之比係 2.2:1。於40。。下用旋轉蒸發器將該樹脂溶液濃縮至約1〇 wt%。將約40克乙醇添加至該樹脂溶液中。再次將溶液汽 提至約20 Wt%。用額外PGMEA將溶液稀釋至i〇 wt%。藉 助一 0.20微米PTFE過據器過濾該溶液並儲存於25〇毫^ HDPE瓶中。 實例3 樹脂合成.：τργ15τΗ0.85 於氮氣氣氛下將120克PGMEA、7.93克（〇·〇375莫耳）苯基 三氯矽烷及28.8克（0.2125莫耳）三氣矽烷之溶液轉移至反 應器中。經一小時將200克PGMEA與10克（0.555莫耳）水之 溶液添加至該三氣矽烷溶液中。在濕Ρ(3ΜΕΑ添加完後， 容許物反應稠化’於20°C下再攪拌一小時。水與妙之比係 2.2:1。於40°C下用旋轉蒸發器將該樹脂溶液濃縮至約1〇 wt%。將約40克乙醇添加至該樹脂溶液中。再次將溶液汽 提至約20 wt%。用額外PGMEA將溶液稀釋至1〇糾。/”藉 助一 0.20微米PTFE過慮器過滤該溶液並儲存於250毫升 HDPE瓶中。 比較實例1 樹脂合成：TPhQ.35TMe〇.65 於氮氣氣氛下將120克PGMEA、18.5克（0.0875莫耳）苯基 三氣矽烷及24.29克（0.1 625莫耳）甲基三氣矽烷之溶液轉移 至反應器中。經一小時將200克PGMEA與1〇克（〇·555莫耳） I05547.doc 1373689 水之溶液添加至三氣矽烷溶液中。在濕PGMEA添加完 後，容許反應物稠化’於2〇°C下再攪拌一小時《水與矽之 比係2.2:1。於40°C下用旋轉蒸發器將該樹脂溶液濃縮至約 1 0 wt%。將約40克乙醇添加至該樹脂溶液中。再次將溶液 汽提至約20 wt%。用額外PGMEA將溶液稀釋至1 〇 wt〇/〇。 藉助一 0.20微米PTFE過濾器過濾該溶液並儲存於25〇毫升 HDPE瓶中。 比較實例2 樹脂合成：TPh〇.25TMe〇.75 於氮氣氣氛下將120克PGMEA、13.2克（0.0625莫耳）苯基 三氣矽烷及28_0克（0.1 875莫耳）曱基三氣矽烷之溶液轉移 至反應器中。經一小時將200克PGMEA與10克（0.555莫耳） 水之溶液添加至三氣矽烷溶液中。在濕PGMEA添加完 後’容許反應物稠化’於20°C下再攪拌一小時。水與;g夕之 比係2.2:1。於4〇。(：下用旋轉蒸發器將該樹脂溶液濃縮至約 1 0 w t /ό。將約4 0克乙醉添加至該樹脂溶液中。再次將溶液 汽提至約20 wt〇/〇。用額外PGMEA將溶液稀釋至1〇 wt%。 藉助一 0.20微米PTFE過滤器過渡該溶液並儲存於250毫升 HDPE瓶中。 比較實例3 樹脂合成：τΡ1γ15τΜγ85 於氮氣氣氛下將120克PGMEA、7.93克（0.0375莫耳）苯美 三氣矽烷及3 1.77克（0.2 125莫耳）甲基三氯矽烷之溶液轉移 至反應器中。經一小時將200克PGMEA與1〇克（〇·555莫耳） I05547.doc 1373689 水之溶液添加至該三氯矽烷溶液中。在濕PGMEA添加完 後’容許反應物稠化，於20°C下再攪拌一小時。水與梦之 比係2.2:1。於40°c下用旋轉蒸發器將該樹脂溶液濃縮至約 10 wt%。將約40克乙醇添加至該樹脂溶液中。再次將溶液 汽提至約20 wt%。用額外PGMEA將溶液稀釋至1 〇 wt%。 藉助一 0.20微米PTFE過濾器過濾該溶液並儲存於250毫升 HDPE瓶ί中。 實例4 TPh〇.5TH0.5 向一燒瓶中添加12〇克丙二醇曱謎醋酸酯（PGMEA，120 克）、苯基三氯矽烷（42.31克’0.20莫耳）、三氯矽烷（27〇9 克’ 0·20莫耳）。授拌的同時於氮氣氣氛下將溶液冷卻至20 °〇。向一另外的燒瓶中添加？〇^4丑入（350克）及水（12.96克， 0.72莫耳）並混合；然後經90分鐘將充分混合之均相水 /PGMEA溶液添加至該反應器。添加完後，容許反應燒瓶 稠化2小時。使用一旋轉蒸發器於40〇c下藉由去除大部分 HC1蒸氣及少量PGMEA將該溶液濃縮至約21重量％之樹 脂。然後，向溶液中添加乙醇（50克）並旋轉蒸發燒瓶内容 物以去除乙醇、殘留水、鹽酸及PGMEA。然後藉由添加 PGMEA將溶液稀釋至l〇%wt(產量：357克）。 實例5 樹脂：τριγ7τΗ0,3 向一燒瓶中添加丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA , 140克）、 本基二氣石夕院（71.0克’ 0.34莫耳）、三氣石夕燒（19.7克， I05547.doc 1373689 〇.〗5莫耳）》攪拌的同時於氮氣氣氛下將溶液冷卻至2〇t>c。 向—另外的燒瓶中添加PGMEA(350克）及水（15 9〇克，〇 89 莫耳）；經90分鐘將該水/PGMEA溶液添加至該反應器。添 加完後，容許反應燒瓶加熱至20〇c並攪拌2小時以稠化所 形成之樹脂。使用一旋轉蒸發器於4(rc下藉由去除大部分 HC1蒸氣及少量PGMEA將燒瓶中之溶液濃縮至約21重量％ 之樹脂。然後，向溶液中添加乙醇（8〇克）且旋轉蒸發燒瓶 鲁内容物以去除乙醇、殘留水、鹽酸及PGMEA。然後藉由 添加PGMEA將溶液稀釋至10重量。/。樹脂（產量：45〇克）。 膜塗層及表徵 於一 Karl Suss CT62旋轉塗佈器上處理晶圓上之膜塗 層。首先藉助一 0.20微米PTFE過濾器過濾樹脂pgmea溶 液，然後旋轉塗佈於標準單面4英吋研磨之低電阻率晶圓 或雙面研磨FTIR晶圓上（旋轉速度=2〇〇〇 rpm;加速度= 5〇〇〇，時間=20秒）。使用一快速熱處理（RTP)爐用氮氣吹 φ 掃將該膜於一溫度（2〇〇至250。〇下固化90分鐘，如表3或4 t所示。膜厚度、折射率及让值皆使用j, A. w〇〇I】am橢偏 計確定。所記錄之厚度值皆係九次量測之平均值。固化後 PGMEA抵抗性藉由量測於PGMEAw洗之前及之後膜厚度 變化來確定。濕去除速率用兩種市售濕剝離溶液ne89及 CCI來評價。使用水及液體二碘甲烷量測之接觸角係用於 用Zisman方法計算潤濕臨界表面張力。表i至4給出該等結 果。 I05547.doc 1373689
表1 THTPh樹脂 實例 Mw (X 1〇'3) Mw/Mn 膜厚度 (A) η (193奈米） k (193) 接觸角(°) 表面能 (達因/ 平方公分) h2o MD 1 128.1 31.1 2255 1.857 0.6154 89 39 40 2 270.5 45.9 2125 1.766 0.5767 87 47 36 3 411.7 80.5 2398 1.782 0.3474 87 56 32 4 21.80 3.16 2024 1.824 0.8142 89 45 37 5 4.21 1.71 2109 1.8323 0.9319 N/A N/A N/A 表2 TMeTPh樹脂（比較） 實例 Mw (xl〇-3) Mw/Mn 膜厚度 (A) η (193奈米） k (193) 接觸角(°) 表面能 (達因/ 平方公分) H20 MD 1C 3.1 1.65 2176 1.831 0.5984 84 53 33 2C 5.0 1.76 2297 1.8124 0.4662 92 54 32 3C 7.8 2.31 2244 1.7481 0.3065 92 58 30 表3 THTph樹脂 實例 烘焙溫度 °C 塗層厚度 (A) PGMEA 後之厚度 (A) PGMEA 後 之損失(％) NE89 後 之損失 CCI後 之損失 1 200 2183 2103 3.66 100% 100% 225 2227 2170 2.51 100% 100% 250 2132 2113 0.89 100% 100% 2 200 2337 2334 0.13 100% 100% 225 2351 2350 0.00 100% 100% 250 2354 2348 0.00 100% 100% 3 200 2338 2336 0.00 100% 100% 225 2358 2354 0.00 100% 100% 250 2375 2370 0.00 100% 100% 105547.doc -18 * 1373689 表4 TMeTPh樹脂（比較） 實例 烘焙溫度 °C 塗層厚度 (A) PGMEA 後之厚度 (A) PGMEA 後 之損失(％) NE89 後 之損失 CCI後 之損失 1C 200 1548 30 100 N/A N/A 225 1481 35 100 N/A N/A 250 1402 40 100 N/A N/A 300 1477 584 61.5 686 707 350 1384 1377 0.51 1387 1397 2C 200 1473 34 100 N/A N/A 225 1445 35 100 N/A N/A 250 1346 39 100 N/A N/A 300 1487 647 56.5 670 658 350 1378 1375 0.22 1373 1379 3C 200 1569 55 100 N/A N/A 225 1545 37 100 N/A N/A 250 1509 52 100 N/A N/A 300 1748 1711 2.00 1706 1733 350 1676 1678 -0.12 1666 1682
【圖式簡單說明】 圖1展示倍半矽氧烷樹脂中n@ 1 93與莫耳％Ph間之關係及 倍半矽氧烷樹脂中k@ 1 93與莫耳％Ph間之關係。
105547.doc 19·

Claims (1)

1373689 公告本 十、申請專利範圍： 1·—種於一電子裝置上形成一抗反射塗層之方法，其包 括： (A)將一 ARC組合物施於一電子裝置上，該arc組合 物包括 (i) 一具有下式之倍半矽氧烷樹脂 (PhSiO(3.x)/2(〇H)x)m HSiO(3.x)/2(OH)x)n . 其中Ph係一本基’ x具有0、1或2之值；m具有0.05 至〇·95之值’ n具有0 05至〇 95之值且m+nft；1 ;及 (H) —溶劑；及 (B)去除該溶劑並固化該倍半石夕氧烧樹脂以於該電子 裝置上形成一抗反射塗層。 2. 3.
如印求項1之方法，其中m具有〇1〇至〇5〇之值且η具有 0」〇至0.50之值。 八 如°月求項1之方法，其中在該倍半矽氧烷樹脂中小於4〇 莫耳％的單元包含Si-〇H基團。 4. 5. 如請求項I t .、土 . ^ i之方法，其中在該倍半矽氧烷樹脂中6至38莫 耳/〇之單元包含Si-QH基團。 6.
士口請求項1夕士 1 ^ L ^ 之方法’其中該溶劑（Π)係選自1-甲氧基-2-丙 醇伸丙基甲基鱗醋酸醋及環己嗣。 士口請求項1 、土 7 <万法，其中以該ARC組合物之重量計，該 且。物包含80至95 wt%的溶劑。 如請求項1 $ f、、i 4 1 1 ’，、中§玄arc組合物另外包含一固化 觸媒。 I05547.doc 1373689 8·如凊求項丨之方法，其中該ARC組合物係藉由旋轉塗佈 施加。 9. 如吻求項1之方法，其中該倍半矽氧烷樹脂係藉由加熱 固化。 10. 如π求項9之方法，其中該倍半矽氧烷樹脂係藉由於 C至275。(：之間之溫度下加熱固化。 U·如請求項1之方法，其中該倍半矽氧烷樹脂係藉由於200 °C至250°C之間之溫度下加熱固化。 12. 如請求項丨之方法，其中該倍半矽氧烷樹脂係藉由於一 惰性氣氛中加熱固化。 13. —種於一電子裝置上形成一抗反射塗層之方法，其包 括： (A) 將一 ARC組合物施於一電子裝置上，該arC組合 物包括 (i) 一具有下式之倍半矽氧烷樹脂 (PhSiO(3.x)/2(OH)x)m HSiO(3.x)/2(〇H)x)n . 其中Ph係一苯基’ χ具有〇' 1或2之值；m具有0.05至 〇·95之值，η具有0.05至〇·95之值且m+n»l ;及 (i i) 一溶劑； (B) 去除s玄溶劑並固化該倍半石夕氧烧樹脂以於該電子 裝置上形成一抗反射塗層；及 (C) 於該抗反射塗層上形成一抗蝕影像。 1 4 ·如請求項13之方法’其中該抗蝕影像係藉由以下形成： (a)於該抗反射塗層頂部形成一抗蝕劑組合物膜； 105547.doc 1373689 (b) 將該抗蝕膜以成影像方式暴露於輻射下以產生一 曝光膜； (c) 使該曝光獏顯影以產生該影像。 種於一電子裝置上形成—抗反射塗層之方法，其包 括： ’、 (A) 將一 ARC組合物施於一電子裝置上，該arc組合 物包括、 (i) 一具有下式之倍半矽氧烷樹脂 (PhSiO(3.x)/2(〇H)x)m HSiO(3.x)/2(OH)x)n , 其中Ph係一苯基，x具有〇、之值；m具有〇〇5至 0.95之值’ η具有〇.〇5至〇·95之值且m+n«l ;及 (ii) 一溶劑； (B) 去除該溶劑並固化該倍半石夕氧炫樹脂以於該電子 裝置上形成一抗反射塗層； (C) 於該抗反射塗層上形成一抗蝕影像及 (D) 於s亥抗反射膜中虫刻一圖案。 16· —種於一電子裝置上形成一抗反射塗層之方法，其包 括： (A)將一 ARC組合物施於一電子裝置上，該arc組合 物包括 (i) 一具有下式之倍半矽氧烷樹脂 (PhSiO(3-x)/2(〇H)x)m HSiO(3.x)/2(OH)x)n， 其中Ph係一苯基，x具有〇、i或2之值；m具有0.05至 0.95之值，η具有0_05至〇·95之值且m + n«l ;及 105547.doc 1373689 (i i) 一溶劑； (B) 去除該溶劑並固化該倍半矽氧烷樹脂以於該電子 裝置上形成一抗反射塗層； (C) 於該抗反射塗層上形成一抗蝕影像； (D) 於該抗反射膜中蝕刻一圖案； (E) 去除該抗蝕影像及該抗反射膜。
105547.doc
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